JP3134961B2

JP3134961B2 - 画像記録装置

Info

Publication number: JP3134961B2
Application number: JP04102811A
Authority: JP
Inventors: 猛史太田; 昌夫伊藤
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd; Fujifilm Business Innovation Corp
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1992-04-22
Filing date: 1992-04-22
Publication date: 2001-02-13
Anticipated expiration: 2016-02-13
Also published as: JPH05294003A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディジタル複写機、レ
ーザービームプリンター等の画像記録装置に関し、特に
複数のレーザービームで同時に書き込みを行うことので
きるマルチビームの画像記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、ディジタル複写機、レーザー
ビームプリンター等のレーザービームにより静電潜像を
形成する画像記録装置においては、半導体レーザーから
のレーザービームがポリゴンスキャナーと呼ばれる回転
多面鏡に照射され、回転多面鏡からの反射ビームが一定
速度で移動する帯電感光体の表面に照射される。回転多
面鏡の回転によりレーザービームは感光体の移動方向と
直角に走査される。レーザービームは出力すべき画像に
応じて変調されるので、感光体上には静電潜像が形成さ
れ、この静電潜像が現像されて可視のトナー像となる。

【０００３】このようなレーザービームにより静電潜像
を形成する画像記録装置においては、出力画像の精細度
を高めるには走査線の間隔を狭くする必要がある。この
レーザービームを使用した画像記録装置の高精細度化、
高速化において最も問題となるのはポリゴンスキャナー
の回転速度に限界があることである。

【０００４】この問題を解決するために、複数のレーザ
ービームによって被走査面を一度に走査するマルチビー
ムスキャン方式は既に公知のものである。この方式にあ
っては当然のことながら、複数のレーザービームスポッ
トをポリゴンスキャナーによる走査方向（以下、主走査
方向と呼ぶ）と直角な方向（以下、副走査方向と呼ぶ）
に充分近接させなくてはならない。

【０００５】このために、複数の半導体レーザーを近接
させて製造する努力がなされており、現在１０μｍ間隔
まで近接させた半導体レーザーアレイが試作されている
（たとえば、特開平２ー３９５８３号公報及びＲ．Ｌ．
Ｔｈｏｒｎｔｏｎｅｔａｌ．，“Ｐｒｏｐｅｒｔｉ
ｅｓｏｆｃｌｏｓｅｌｙｓｐａｃｅｄｉｎｄｅ
ｐｅｎｄｅｎｔｌｙａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅｌａｓ
ｅｒｓｆａｂｌｉｃａｔｅｄｂｙｉｍｐｕｒｉｔ
ｙ−ｉｎｄｕｃｅｄｄｉｓｏｒｄｅｒｉｎｇ”，Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５６（１７），１６２３−
１６２５（１９９０）参照）。しかしながら、上記公報
等に開示されている技術を採用して複数の半導体レーザ
ーを１０μｍまで近接させても副走査方向に隙間なく走
査するにはまだ不足である。

【０００６】これを補うための手段として飛び越し走査
によって、副走査方向の隙間を埋めていく方法が提案さ
れている（たとえば、特開昭５６ー１１０９６０号公報
参照）。また、１０μｍ間隔の半導体レーザーアレイを
用いたマルチビーム走査光学系が提案されて、本出願人
により特願平２ー４４４３５号として出願されている。

【０００７】飛び越し走査の一例を図９に示す。この例
では、２本のレーザービーム（Ｌ１，Ｌ２）によって飛
び越し走査を行っている。図９において、ｄ_Xは電子写
真的に定義されるレーザースポット径である（以下、電
子写真的スポット径と呼ぶ）。この電子写真的スポット
径は、レーザービームを被走査面上に結像して被走査面
上に静電潜像を形成し、この静電潜像を現像したときに
得られる顕像の径である。２本のレーザービームによっ
て被走査面上に結像する２つのスポットの中心の間隔ｒ
₃は３ｄ_Xである。１回の主走査毎に２ｄ_Xだけ副走査
が行われるので、図９中に示されるように１回目の走査
でレーザービームＬ２によって第２走査ラインが走査さ
れ、２回目の走査でレーザービームＬ１によって第１走
査ライン、レーザービームＬ２によって第４走査ライン
が走査されるというように、以下順次隙間なく走査され
ていくことになる。すなわち、各回の走査では隙間が生
じるのであるが、ある回で走査した走査ラインを次回の
走査では飛び越して走査していくことにより、全体とし
ては隙間なく走査するという方法である。

【０００８】飛び越し走査において重複走査や、走査さ
れない走査ラインが生じないためには次の３条件を満た
す必要がある。

【０００９】１）まず、１回の主走査につきレーザービ
ーム数ｎに対してｎｄ_Xだけ副走査されなくてはならな
い。

【００１０】２）次に２つのレーザービームの被走査面
上における間隔ｒ₃は電子写真的スポット径ｄ_Xの整数
倍でなくてはならない。

【００１１】３）そして、２つのレーザービームの間隔
ｒ₃を電子写真的スポット径ｄ_Xで除して得た整数を走
査次数Ｉと呼んだとき、この走査次数Ｉはレーザービー
ム数ｎと互いに素（最大公約数が１となること）でなく
てはならない。

【００１２】なお、走査ラインの最小間隔を走査ピッチ
と呼び、図９ではｐで表している。一般的にはｐ＝ｄ_X
である。

【００１３】ところで、上記の飛び越し走査によれば被
走査面上において、結像スポット間隔をいくら広くとっ
たとしても、適切な走査次数さえ選べば良いように思わ
れる。しかしながら、現実には結像スポット間隔を広く
とり大きな走査次数（以下高次の走査次数と呼ぶ）を採
用した場合、走査装置に要求される機械的精度が著しく
高精度になるという問題があった。

【００１４】以下、この精度の問題について説明する。

【００１５】図１０に示すように、ひとつのスポットで
被走査面上を走査している場合において、走査面ピッチ
ｐはある誤差Δｐ内になくてはならないとすると、副走
査方向の速度の許容誤差率δ_oは次式で表されることに
なる。

【００１６】δ_o＝Δｖ／ｖ＝Δｐ／ｐただし、ｖは副走査の速度、Δｖは副走査の速度誤差で
ある。

【００１７】図１１は、半導体レーザー素子数ｎ＝２、
走査次数Ｉ＝３の場合を示す図で、この場合、速度の許
容誤差率δ_2,3＝Δｐ／４ｐ＝δ_o／４となり、図１０
の場合に比べて速度の許容誤差率は１／４に小さくな
る。なお、δ_n,Iは、半導体レーザー素子数ｎ、走査次
数Ｉの時の速度の許容誤差率である。以上、副走査方向
の速度の許容誤差について述べたが、このことは副走査
の速度誤差のみならず、光学系の精度半導体レーザーア
レイの寸法精度についても同様の問題が発生する。

【００１８】上記の副走査の速度誤差が画像に対して最
も敏感に影響するのは、網点による中間調再現であるこ
とが知られている。すなわち、副走査の速度の時間変動
によって網点の面積が変化し、そのために濃度ムラが発
生し、副走査の垂直方向（主走査方向）に線が走ったよ
うな画像となる。

【００１９】このような問題を解決するためには、被走
査面上の結像スポット間隔をなるべく近づけるのが効果
的である。そのために、レーザービーム（半導体レーザ
ー素子）の数に対して走査次数Ｉを適切に選ぶことが、
本出願人によって出願されている特願平３−１５８６０
８号明細書に記載されている。たとえば、半導体レーザ
ー素子数ｎが奇数の場合は、走査次数Ｉ＝２とすると副
走査方向の位置（速度）誤差が最も大きくても良い。図
１２は、ｎ＝５、Ｉ＝３の時を示し、この場合は位置
（速度）誤差δ_5,3＝δ_o／１０となる。図１３は、ｎ
＝５、Ｉ＝２の時を示し、この場合はδ_5,2＝δ_o／５
となり、Ｉ＝３の時に比べて位置（速度）誤差は２倍の
値であり、図１４のＩ＝１の時のδ_5,1＝δ_o／５と等
しい値となる。

【００２０】副走査方向の位置（速度）誤差δ_n,Iは、
ｎ及びＩの関数として次式で一般的に表すことができ
る。

【００２１】δ_n,I＝δ_o／ｍｎただし、ｍはｍ≦｛Ｉ・（ｎ−１）＋１｝／ｎを満たす
最大の整数本明細書においてはｍを相関長と呼び次のように定義す
る。

【００２２】図１０及び図１４の場合のようにスポット
を副走査方向に密に並べてある時は、ある走査で描き込
まれたスポットとその次の走査で描き込まれたスポット
が隣接するだけであるが、飛び越し走査においてはある
走査で描き込まれたスポットはｍ回後までの走査で描き
込まれたスポットと隣接し得る。このｍを相関長と定義
する。この関係を図１５に模式的に示す。半導体レーザ
ー素子数ｎが奇数で走査次数Ｉ＝２の時は相関長ｍ＝１
となり、これは要求される副走査方向の位置（速度）誤
差がスポットを副走査方向に密に並べてある時と同じで
あることを意味している。また、半導体レーザー素子数
ｎを偶数とした場合は走査次数Ｉを３以上の自然数でか
つｎと互いに素となる最小の自然数とすると副走査方向
の許容位置（速度）誤差を最大（精度は最小）にするこ
とができる。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
マルチビームレーザーによる飛び越し走査方式について
さらに検討を加えたところ、この方式にあっては走査線
のクラスタリングという問題が生じることが判明した。
クラスタリングとは、走査線の間隔が一定とならず周期
的な走査線の集団（クラスター）が生じることである。

【００２４】走査線のクラスタリングの例を図１６に示
す。図１６はビーム数ｎ＝５、走査次数Ｉ＝２の場合
に、副走査の速度が設計値より僅かに速くなった場合
に、走査線のクラスターが形成されることを示す図であ
る。この例では走査線は、走査線１本のクラスター１
２、走査線２本のクラスター１３、走査線２本のクラス
ター１４の繰り返しという複雑な構造のクラスターパタ
ーンを形成する。図１６から明らかなように、同じ副走
査の速度の変化に対して走査線間隔が縮む所と伸びる所
とがあるためにこのような現象が生ずる。図において、
Ｐは広い側の走査線間隔を示し、ｐは狭い側の走査線間
隔を示している。単一ビームの走査の場合にも副走査速
度の時間変動があると走査線間隔が一様にならず、網点
再現に大きな影響を与えることが知られていた。ところ
が、マルチビームレーザーによる飛び越し走査方式の場
合には、この現象は副走査速度の時間変動によって生じ
るのでなく、単に副走査の速度が設計値からずれるだけ
で発生する。そして、このクラスターのパターンはビー
ム数ｎと走査次数Ｉによって変化するという性質を有し
ている。

【００２５】本発明は、マルチビームで飛び越し走査を
行う際に、クラスターが発生した場合でも網点再現に大
きな影響を与えないようにすることを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するため、互いに独立駆動可能なｎ（ｎは２以上の整
数）個の発光源を有する光源部と、この光源部からの複
数の光束を感光媒体面上に複数の光点として結像する光
学系と、前記光源部からの複数の光束を主走査方向に走
査する主走査手段と、前記感光媒体を主走査方向と略直
角する副走査方向に一定速度で移動する手段とを有し、
前記光点群によって飛び越し走査を行う画像記録装置に
おいて、隣接する二つの光点の感光媒体面上の間隔を、
前記感光媒体上に形成された前記光点に対応する潜像を
現像したときに得られる前記光点に対応する顕像の径で
除した値を走査次数Ｉとしたとき、この走査次数がＩ＝
ｎ−１又はＩ＝ｎ＋１であり、かつ前記光点群の内副走
査方向最下流位置にある光点が走査する走査線と最上流
位置にある光点が走査する走査線によって形成されるク
ラスター内に網点を形成する網点画像形成手段を設けた
ことを特徴とする。

【００２７】

【作用】いま、ｎ本のビームで飛び越し走査を行う場合
について考えてみる。走査次数ＩをＩ＝ｎ−１もしくは
Ｉ＝ｎ＋１とした場合、副走査の速度誤差に対して走査
線はｎ本毎にクラスターを形成する。なお、走査次数Ｉ
は、２つのレーザービームの間隔ｒ₃を電子写真的スポ
ット径ｄ_Xで除して得た整数である（図９参照）。

【００２８】図１は、走査次数ＩをＩ＝ｎ−１とした場
合の走査の様子を示す図である。Ｌ（ｉ，ｋ）は同時に
露光されるｎ個のレーザービームの内のｉ番目のレーザ
ービームのｋ回目の主走査によって走査された走査線を
表す。ここで、同時に露光されるｎ個のレーザービーム
の副走査方向の最下流に位置するレーザービームに注目
する。Ｌ（ｎ，１）は、ｎ番目の、すなわち、副走査方
向の最下流に位置するレーザービームの１回目の走査線
を示す。

【００２９】走査次数Ｉ＝ｎ−１とは、同時に露光され
るｎ個のレーザービームが走査線（ｎ−１）本間隔で並
んでいることを意味する。すなわち、Ｉ＝ｒ₃／ｄ_X であるから、Ｉ＝ｒ₃／ｄ_X＝ｎ−１であり、ｒ₃＝（ｎ−１）・ｄ_X となる。

【００３０】そして、前述したように１回の主走査１回
に対して走査線ｎ本分副走査されるので、空間的順序と
しては、Ｌ（ｎ，１）の次にはＬ（ｎ−１，２）、その
次にはＬ（ｎ−２，３）というように続き、Ｌ（１，
ｎ）までｎ本の走査線が順次主走査されることになる。
ところが、図１からも明らかなように、時間的順序とし
ては、Ｌ（１，ｎ）の次はＬ（ｎ，２）であり、これは
２回目の主走査で走査されたものである。副走査速度が
設計値通りであれば、走査線の間隔は等間隔になるはず
である。しかし、たとえば副走査速度が設計値からずれ
た場合は、副走査方向の移動量に比例した走査線間隔の
誤差が生ずることになる。したがって、Ｌ（ｎ，１）か
らＬ（１，ｎ）までは順々に走査されるので、走査線間
隔の誤差はｎ・ｄ_Xの副走査に対応する誤差となる。こ
れに対して、Ｌ（１，ｎ）とＬ（ｎ，２）の走査線間隔
の誤差は（ｎ−１）・ｎ・ｄ_Xの副走査に対応する誤差
となる。Ｌ（ｎ，１）からＬ（１，ｎ）までの隣接する
走査線の間隔をｐ、Ｌ（１，ｎ）とＬ（ｎ，２）の走査
線間隔をＰとすると、走査線間隔の誤差Δｐ及びΔＰは
それぞれ次の（１）式、（２）式で表される。

【００３１】 Δｐ／ｐ＝ｎΔｖ／ｖ …………（１） ΔＰ／Ｐ＝ｍｎΔｖ／ｖ＝（Ｉ−１）ｎΔｖ／ｖ …………（２）したがって、｜ΔＰ｜＞｜Δｐ｜となり、Ｌ（１，ｎ）
とＬ（ｎ，２）の走査線でひとつの集団（クラスター）
を形成することになる。ただし、ｍは従来技術で述べた
相関長であり、走査次数Ｉ＝ｎ−１及びＩ＝ｎ＋１の場
合は必ずｍ＝Ｉ−１となる。ここではＩ＝ｎ−１とした
ので、結局ｍ＝ｎ−２となる。同様のことが走査次数Ｉ
＝ｎ＋１の時にも成り立つ。

【００３２】副走査方向の最下流に位置するレーザービ
ームに注目すると、図２に示すようにＬ（ｎ，１）から
Ｌ（１，ｎ）までが順次主走査される。図１の場合は副
走査の方向と時系列的順序は一致していたが、走査次数
Ｉ＝ｎ＋１の時は副走査の方向と時系列的順序とは反対
になる。クラスター内の走査線間隔の誤差、クラスター
間の査線間隔の誤差は同じく上記の（１）式、（２）式
で与えられる。Ｉ＝ｎ＋１であるのでｍ＝ｎとなり、ク
ラスター間の査線間隔の誤差はＩ＝ｎ−１の時より大き
くなるが、クラスター内の走査線間隔の誤差はＩ＝ｎ−
１の場合と同じ誤差量になる。

【００３３】上に述べたように、同じ量の副走査の速度
誤差に対して、クラスター内の走査線間隔は、クラスタ
ー間の走査線間隔に比べて小さい影響しか受けない。し
たがって、前記の本出願の第１発明及び第２発明の画像
記録装置によれば、副走査の速度誤差に対する網点面積
の変化を小さくすることができる。

【００３４】

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例に基づいて
本発明の特徴を具体的に説明する。

【００３５】図３は、本発明が適用されるレーザープリ
ンターを示す構成斜視図である。マルチビーム半導体レ
ーザーアレイ２１より出射した複数のレーザービーム光
は、コリメーターレンズ２２、シリンドリカルレンズ２
３を経てポリゴンスキャナー２４によって主走査方向に
偏向される。偏向されたレーザービーム光は、ｆ−θレ
ンズと呼ばれる結像レンズ２５及びシリンドリカルレン
ズ２６を経て感光体２７上に結像する。感光体２７は矢
印２８方向に回転する。この感光体２７の矢印２８方向
の回転を副走査という。シリンドリカルレンズ２３及び
２６は、ポリゴンスキャナー２４の面倒れ補正のための
もので、いわゆるアナモルフィック光学系を形成してい
る。感光体２７上に描き込まれた光学像は、電子写真の
プロセスによって画像形成される（図示せず）。なお、
図中の符号１₁，１₂，１₃は複数のレーザービーム光
の主走査により同時に形成された走査線を模式的に示し
ている。

【００３６】図４は、ビーム数ｎ＝４、走査次数Ｉ＝３
の場合の網点形成の様子を示す図である。副走査速度が
設計値通りであれば、走査線の間隔は等間隔になるはず
である。しかし、たとえば副走査速度が設計値より遅く
なった場合は、図４に示すように走査線４本毎に集団
（クラスター）１１を形成する。同じ副走査速度の誤差
を与えた時に、前述のようにクラスター間の間隔Ｐは、
クラスター内の走査線の間隔ｐに比べて大きな影響を受
ける。ビーム数ｎ＝４、走査次数Ｉ＝３の場合を（１）
式及び（２）式に代入して計算すると、クラスター間隔
の誤差ΔＰ＝８Δｖ／ｖとなり、これはクラスター内の
走査線の間隔の誤差Δｐ＝４Δｖ／ｖの２倍となる。

【００３７】したがって、クラスターを跨いで網点を構
成すると網点面積の変動が大きくなることになる。本発
明は以上の事実に鑑み、Ｉ＝ｎ−１またはＩ＝ｎ＋１と
することにより、クラスターを単純な周期で発生させ、
このクラスターに同期して網点を形成して網点面積の変
動を小さくしたものである。具体的には、第１の実施例
においては、図４に示すように、同時に走査される複数
のレーザービームＬ₁〜Ｌ₄の内、最下端の、すなわち
副走査方向の最下流に位置するレーザービームＬ４が走
査する走査線を開始線として網点１０を形成するもので
ある。

【００３８】網点画像の濃度は、網点１０を構成する画
素の数の多少で表現されるが、本実施例においては、一
つの網点画像は一つのクラスター１１内で形成されてお
り、一つのクラスター内の走査線の間隔は等しいので各
画素の間隔は均等となる。したがって、網点面積が変動
することはない。

【００３９】図５は、副走査方向の最下流に位置するレ
ーザービームが走査する走査線を開始線として網点を形
成するための画像処理回路の原理的な構成例を示してい
る。マルチビームレーザーアレイ２１には、このマルチ
ビームレーザーアレイ２１に含まれる四つのレーザー素
子からのレーザービームＬ₁〜Ｌ₄の強度をそれぞれ独
立に変調する駆動電流変調器３１〜３４が接続されてい
る。網点画像信号発生回路３５は、画像信号源３６から
の画像信号を、レーザービームの数及び走査順番に応じ
て、レーザービームＬ₁〜Ｌ₄を変調するための四つの
変調信号に変換する。

【００４０】図６は図４の一部を拡大したものであり網
点画像を構成する各画素を示し、図７は図６に示される
各画素を生成するために各走査毎にマルチビームレーザ
ーアレイ２１に供給される変調信号を示している。

【００４１】図６に示されるような網点画像を形成する
ためには、１回目の走査では、図７（ａ）に示すよう
に、レーザービームＬ₁，Ｌ₂，Ｌ₄に対応するレーザ
ー素子には変調信号が供給されず、レーザービームＬ₃
に対応するレーザー素子に画素Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２
に対応する変調信号が供給される。２回目の走査では、
同図（ｂ）に示すように、レーザービームＬ₁，Ｌ₄に
対応するレーザー素子には変調信号が供給されず、レー
ザービームＬ₂に対応するレーザー素子に画素Ａ３，Ｂ
３，Ｂ４に対応する変調信号が供給され、レーザービー
ムＬ₃に対応するレーザー素子に画素Ｃ１，Ｃ２，Ｄ
１，Ｄ２に対応する変調信号が供給される。３回目の走
査では、同図（ｃ）に示すように、レーザービーム
Ｌ₁，Ｌ₄に対応するレーザー素子には変調信号が供給
されず、レーザービームＬ₂に対応するレーザー素子に
画素Ｃ３，Ｄ３，Ｄ４に対応する変調信号が供給され、
レーザービームＬ₃に対応するレーザー素子に画素Ｅ
１，Ｅ２，Ｆ１，Ｆ２に対応する変調信号が供給され
る。以下同様に、副走査方向の最下流に位置するレーザ
ービームＬ４が走査する走査線を開始線として網点を形
成するように、マルチビームレーザーアレイ２１の各レ
ーザー素子にそれぞれ所定の変調信号が供給される。

【００４２】図４に示す例においては、一つのクラスタ
ーが４本の走査線から形成されているので、網点画像を
構成するマトリクスの副走査方向のサイズは４画素以内
とする必要がある。但し、この副走査方向のサイズは、
ビーム本数及び走査次数に応じて異なってくる。

【００４３】上述のようにして所定の変調信号を生成す
るめには、たとえば、画像信号源３６からの画像信号を
一旦網点画像信号発生回路３５に内蔵された、或いは、
外付けされた画像メモリ上に展開して出力すべき画像の
ビットマップイメージを生成し、上述したように副走査
方向の最下流に位置するレーザービームＬ４が走査する
走査線を開始線として網点が形成されるように、網点画
像信号発生回路３５により画像メモリ内の該当するライ
ンの画像信号を順次読み出したのち同時化してマルチビ
ームレーザーアレイ２１に供給すればよい。

【００４４】図４に示す例は本出願の第１発明に対応し
た実施例であったが、図８は本出願の第２発明に対応し
た実施例である。図８の場合も走査線４本単位のクラス
ターが形成されることに変わりはないが、網点の形成順
序が図４の場合とは異なって、最下端のレーザービーム
Ｌ４が走査する走査線を終線とするように網点を形成す
るものである。

【００４５】この網点を形成するための構成としては、
図５に示す画像処理回路と同様な回路を使用することが
できる。但し、網点画像信号発生回路３５は、最下端の
レーザービームＬ４が走査する走査線を終線とするよう
に網点を形成する。

【００４６】この第２実施例では、走査次数Ｉ＝ｎ＋１
と大きいので、半導体レーザーアレイのアレイ間隔は第
１実施例の場合より広くて良い。それにも拘わらずクラ
スター内の走査線間隔の誤差は第１実施例の場合と変わ
らない。ただし、クラスター間の走査線間隔の誤差は第
１実施例の場合より大きくなる。

【００４７】以上、網点を構成する走査線の数がビーム
数ｎに一致する場合について述べたが、網点を構成する
走査線の数がビーム数ｎの整数倍の場合にも網点の面積
の変動を小さくする効果はある。

【００４８】

【発明の効果】本発明の画像記録装置によれば、網点画
像が走査線間隔が等しい範囲内で生成されるので、クラ
スターが発生したような場合でも副走査速度の速度誤差
によって生じる網点面積の変動を小さくすることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｉ＝ｎ−１の場合の飛び越し走査を模式的に
示す図である。

【図２】Ｉ＝ｎ＋１の場合の飛び越し走査を模式的に
示す図である。

【図３】本発明が適用されるレーザープリンターを示
す構成斜視図である

【図４】最下端のレーザービームが走査する走査線を
始線とするように網点を形成する様子を示す概略図であ
る。

【図５】網点を形成するための画像処理回路の原理的
な構成図である。

【図６】網点画像を構成する各画素を示す説明図であ
る。

【図７】各走査毎にマルチビームレーザーアレイに供
給される変調信号を示すタイミングチャートである。

【図８】最下端のレーザービームが走査する走査線を
終線とするように網点を形成する様子を示す概略図であ
る。

【図９】飛び越し走査の原理を示す図で、被走査面上
のレーザー光の結像スポットと走査線の関係を示す図で
ある。

【図１０】単一ビームで走査した場合のスポットの位
置誤差を示す図である。

【図１１】ビーム数ｎ＝２、走査次数Ｉ＝３で走査し
た場合のスポットの位置誤差を示す図である。

【図１２】ビーム数ｎ＝５、走査次数Ｉ＝３で走査し
た場合のスポットの位置誤差を示す図である。

【図１３】ビーム数ｎ＝５、走査次数Ｉ＝２で走査し
た場合のスポットの位置誤差を示す図である。

【図１４】ビーム数ｎ＝５、走査次数Ｉ＝１で走査し
た場合のスポットの位置誤差を示す図である。

【図１５】飛び越し走査におけるビーム数ｎと、走査
次数Ｉ、相関長ｍの関係を示す図である。

【図１６】走査線のクラスター形成の様子を示す概略
図である。

【符号の説明】

１０：網点、１１〜１４：走査線のクラスター、２１：
マルチビーム半導体レーザーアレイ、２２：コリメータ
ーレンズ、２３：シリンドリカルレンズ、２４ポリゴン
スキャナー、２５：結像レンズ、２６：シリンドリカル
レンズ、２７：感光体、２８：副走査の方向、３１〜３
４：変調器、３５網点画像信号発生装置、３６画像
信号源、Ｌ１〜Ｌ５：レーザービーム

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B41J 2/44 G03G 15/04 G02B 26/10

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに独立駆動可能なｎ（ｎは２以上の
整数）個の発光源を有する光源部と、この光源部からの複数の光束を感光媒体面上に複数の光
点として結像する光学系と、前記光源部からの複数の光束を主走査方向に走査する主
走査手段と、前記感光媒体を主走査方向と略直角する副走査方向に一
定速度で移動する手段とを有し、前記光点群によって飛び越し走査を行う画像記録装置に
おいて、隣接する二つの光点の感光媒体面上の間隔を、前記感光
媒体上に形成された前記光点に対応する潜像を現像した
ときに得られる前記光点に対応する顕像の径で除した値
を走査次数Ｉとしたとき、この走査次数がＩ＝ｎ−１で
あり、かつ前記光点群の内副走査方向最下流位置にある
光点が走査する走査線と最上流位置にある光点が走査す
る走査線によって形成されるクラスター内に網点を形成
する網点画像形成手段を設けたことを特徴とする画像記
録装置。
【請求項２】互いに独立駆動可能なｎ（ｎは２以上の
整数）個の発光源を有する光源部と、この光源部からの複数の光束を感光媒体面上に複数の光
点として結像する光学系と、前記光源部からの複数の光束を主走査方向に走査する主
走査手段と、前記感光媒体を主走査方向と略直角する副走査方向に一
定速度で移動する手段とを有し、前記光点群によって飛び越し走査を行う画像記録装置に
おいて、隣接する二つの光点の感光媒体面上の間隔を、前記感光
媒体上に形成された前記光点に対応する潜像を現像した
ときに得られる前記光点に対応する顕像の径で除した値
を走査次数Ｉとしたとき、この走査次数がＩ＝ｎ＋１で
あり、かつ前記光点群の内副走査方向最下流位置にある
光点が走査する走査線と最上流位置にある光点が走査す
る走査線によって形成されるクラスター内に網点を形成
する網点画像形成手段を設けたことを特徴とする画像記
録装置。
【請求項３】互いに独立駆動可能なｎ（ｎは２以上の
整数）個の発光源を有する光源部と、この光源部からの複数の光束を感光媒体面上に複数の光
点として結像する光学系と、前記光源部からの複数の光束を主走査方向に走査する主
走査手段と、前記感光媒体を主走査方向と略直角する副走査方向に一
定速度で移動する手段とを有し、前記光点群によって飛び越し走査を行う画像記録装置に
おいて、隣接する二つの光点の感光媒体面上の間隔を、前記感光
媒体上に形成された前記光点に対応する潜像を現像した
ときに得られる前記光点に対応する顕像の径で除した値
を走査次数Ｉとしたとき、この走査次数がＩ＝ｎ−１で
あり、かつ前記光点群の内副走査方向最下流位置にある
光点が走査する走査線と最上流位置にある光点が走査す
る走査線によって形成されるクラスターに同期して網点
を形成する網点画像形成手段を設けることを特徴とする
画像記録装置。
【請求項４】互いに独立駆動可能なｎ（ｎは２以上の
整数）個の発光源を有する光源部と、この光源部からの複数の光束を感光媒体面上に複数の光
点として結像する光学系と、前記光源部からの複数の光束を主走査方向に走査する主
走査手段と、前記感光媒体を主走査方向と略直角する副走査方向に一
定速度で移動する手段とを有し、前記光点群によって飛び越し走査を行う画像記録装置に
おいて、隣接する二つの光点の感光媒体面上の間隔を、前記感光
媒体上に形成された前記光点に対応する潜像を現像した
ときに得られる前記光点に対応する顕像の径で除した値
を走査次数Ｉとしたとき、この走査次数がＩ＝ｎ＋１で
あり、かつ前記光点群の内副走査方向最下流位置にある
光点が走査する走査線と最上流位置にある光点が走査す
る走査線によって形成されるクラスター内に同期して網
点を形成する網点画像形成手段を設けることを特徴とす
る画像記録装置。