JPH0648846B2 - 記録装置 - Google Patents
記録装置Info
- Publication number
- JPH0648846B2 JPH0648846B2 JP3084660A JP8466091A JPH0648846B2 JP H0648846 B2 JPH0648846 B2 JP H0648846B2 JP 3084660 A JP3084660 A JP 3084660A JP 8466091 A JP8466091 A JP 8466091A JP H0648846 B2 JPH0648846 B2 JP H0648846B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- light
- sub
- scanned
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/47—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light
- B41J2/471—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror
- B41J2/473—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using the combination of scanning and modulation of light using dot sequential main scanning by means of a light deflector, e.g. a rotating polygonal mirror using multiple light beams, wavelengths or colours
Landscapes
- Laser Beam Printer (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディジタル複写機、レ
ーザービームプリンター等の、光ビームで画像の書き込
みを行う記録装置に関し、特にマルチビーム半導体レー
ザーアレイのような複数の発光源を有する光源部を用
い、被走査面を同時に複数の光ビームで走査して情報を
記録する記録装置に関するものである。
ーザービームプリンター等の、光ビームで画像の書き込
みを行う記録装置に関し、特にマルチビーム半導体レー
ザーアレイのような複数の発光源を有する光源部を用
い、被走査面を同時に複数の光ビームで走査して情報を
記録する記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、レーザービームプリンターにお
いては、半導体レーザーからのレーザービームがポリゴ
ンスキャナーと呼ばれる回転多面鏡に照射され、回転多
面鏡からの反射ビームが一定速度で移動する帯電された
感光体の表面に照射される。回転多面鏡の回転によりレ
ーザービームは感光体の移動方向と垂直な方向に走査さ
れる。レーザービームは出力すべき画像に応じて変調さ
れるので、感光体上には静電潜像が形成され、この静電
潜像が現像されて可視のトナー像となる。このようなレ
ーザービームプリンターにおいては、出力画像の精細度
を高めるためには走査線の間隔を狭くする必要がある。
また高速で画像を出力するためには走査速度を高める必
要がある。このレーザービームプリンターの高精細度
化、高速化において最も問題となるのはポリゴンスキャ
ナーの回転速度に限界があることである。
いては、半導体レーザーからのレーザービームがポリゴ
ンスキャナーと呼ばれる回転多面鏡に照射され、回転多
面鏡からの反射ビームが一定速度で移動する帯電された
感光体の表面に照射される。回転多面鏡の回転によりレ
ーザービームは感光体の移動方向と垂直な方向に走査さ
れる。レーザービームは出力すべき画像に応じて変調さ
れるので、感光体上には静電潜像が形成され、この静電
潜像が現像されて可視のトナー像となる。このようなレ
ーザービームプリンターにおいては、出力画像の精細度
を高めるためには走査線の間隔を狭くする必要がある。
また高速で画像を出力するためには走査速度を高める必
要がある。このレーザービームプリンターの高精細度
化、高速化において最も問題となるのはポリゴンスキャ
ナーの回転速度に限界があることである。
【０００３】この問題を解決するために複数のレーザー
ビームによって被走査面を一度に走査するマルチビーム
スキャン方式が提案されている。このマルチビームスキ
ャン方式にあっては当然のことながら、複数のレーザー
ビームスポットをポリゴンスキャナーによる走査方向
（以下、主走査方向と呼ぶ）と垂直な方向（以下、副走
査方向と呼ぶ）に充分近接させなくてはならない。この
ために、複数の半導体レーザーを近接させて製造する努
力がなされており、現在１０μｍ間隔まで近接させた半
導体レーザーアレイが試作されている（たとえば特開平
２ー３９５８３号公報、Ｒ．Ｌ．Ｔｈｏｒｎｔｏｎ ｅ
ｔ． ａｌ．， “Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ ｃｌｏ
ｓｅｌｙ ｓｐａｃｅｄ ｉｎｄｉｅｐｅｎｄｅｎｔｌ
ｙ ａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ ｌａｓｅｒｓ ｆａｂｌ
ｉｃａｔｅｄ ｂｙ ｉｍｐｕｒｉｔｙ−ｉｎｄｕｃｅ
ｄ ｄｉｓｏｒｄｅｒｉｎｇ”， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙ
ｓ． Ｌｅｔｔ． ５６（１７）， １６２３−１６２
５（１９９０）等参照）。
ビームによって被走査面を一度に走査するマルチビーム
スキャン方式が提案されている。このマルチビームスキ
ャン方式にあっては当然のことながら、複数のレーザー
ビームスポットをポリゴンスキャナーによる走査方向
（以下、主走査方向と呼ぶ）と垂直な方向（以下、副走
査方向と呼ぶ）に充分近接させなくてはならない。この
ために、複数の半導体レーザーを近接させて製造する努
力がなされており、現在１０μｍ間隔まで近接させた半
導体レーザーアレイが試作されている（たとえば特開平
２ー３９５８３号公報、Ｒ．Ｌ．Ｔｈｏｒｎｔｏｎ ｅ
ｔ． ａｌ．， “Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ ｃｌｏ
ｓｅｌｙ ｓｐａｃｅｄ ｉｎｄｉｅｐｅｎｄｅｎｔｌ
ｙ ａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ ｌａｓｅｒｓ ｆａｂｌ
ｉｃａｔｅｄ ｂｙ ｉｍｐｕｒｉｔｙ−ｉｎｄｕｃｅ
ｄ ｄｉｓｏｒｄｅｒｉｎｇ”， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙ
ｓ． Ｌｅｔｔ． ５６（１７）， １６２３−１６２
５（１９９０）等参照）。
【０００４】しかしながら、上記公報等に開示されてい
る技術を使い、複数の半導体レーザーを１０μｍまで近
接させたとしても副走査方向に隙間なく走査するにはま
だ不足である。これを補うための手段として飛び越し走
査によって、副走査方向の隙間を埋めていく方法が考案
されている（特開昭５６ー１１０９６０号公報参照）。
また、１０μｍ間隔の半導体レーザーアレイを用いて飛
び越し走査によって、副走査方向の隙間を埋めていくマ
ルチビーム走査光学系が考案され、本出願人より特願平
２ー４４４３５号として出願されている。
る技術を使い、複数の半導体レーザーを１０μｍまで近
接させたとしても副走査方向に隙間なく走査するにはま
だ不足である。これを補うための手段として飛び越し走
査によって、副走査方向の隙間を埋めていく方法が考案
されている（特開昭５６ー１１０９６０号公報参照）。
また、１０μｍ間隔の半導体レーザーアレイを用いて飛
び越し走査によって、副走査方向の隙間を埋めていくマ
ルチビーム走査光学系が考案され、本出願人より特願平
２ー４４４３５号として出願されている。
【０００５】飛び越し走査の一例を図６に示す。この例
では、２本のレーザービームＬ1，Ｌ2によって飛び越し
走査を行っている。図６において、ｄxは電子写真的に
定義されるレーザースポット径である（以下、電子写真
的スポット径と呼ぶ）。電子写真的スポット径とは、被
走査面Ａ上のレーザースポットの径そのものではなく、
帯電された感光体である被走査面Ａ上にレーザー露光に
より形成された静電潜像が現像されたときに現れるスポ
ットの径を意味する。２本のレーザービームＬ1，Ｌ2に
よって被走査面Ａ上に結像する２つのスポットＢ1，Ｂ2
の中心の間隔ｒ3は３ｄxである。１回の主走査毎に２ｄ
xだけ副走査が行われるので、図６中に示されるように
１回目の走査でレーザービームＬ2によって第２走査ラ
インが走査され、２回目の走査でレーザービームＬ1に
よって第１走査ライン、レーザービームＬ2によって第
４走査ラインが走査されるというように以下順次隙間な
く走査されていくことになる。すなわち、各回の走査で
は隙間が生じるのであるが、ある回で走査した走査ライ
ンを次回の走査では飛び越して走査していくことによ
り、全体としては隙間なく走査される。
では、２本のレーザービームＬ1，Ｌ2によって飛び越し
走査を行っている。図６において、ｄxは電子写真的に
定義されるレーザースポット径である（以下、電子写真
的スポット径と呼ぶ）。電子写真的スポット径とは、被
走査面Ａ上のレーザースポットの径そのものではなく、
帯電された感光体である被走査面Ａ上にレーザー露光に
より形成された静電潜像が現像されたときに現れるスポ
ットの径を意味する。２本のレーザービームＬ1，Ｌ2に
よって被走査面Ａ上に結像する２つのスポットＢ1，Ｂ2
の中心の間隔ｒ3は３ｄxである。１回の主走査毎に２ｄ
xだけ副走査が行われるので、図６中に示されるように
１回目の走査でレーザービームＬ2によって第２走査ラ
インが走査され、２回目の走査でレーザービームＬ1に
よって第１走査ライン、レーザービームＬ2によって第
４走査ラインが走査されるというように以下順次隙間な
く走査されていくことになる。すなわち、各回の走査で
は隙間が生じるのであるが、ある回で走査した走査ライ
ンを次回の走査では飛び越して走査していくことによ
り、全体としては隙間なく走査される。
【０００６】飛び越し走査において重複走査や、走査さ
れない部分が生じないためには次の３条件を満たす必要
がある。 １）１回の主走査につきレーザービーム数ｎに対してｎ
ｄxだけ副走査されなくてはならない。 ２）２つのレーザービームの被走査面上における間隔ｒ
3は電子写真的スポット径の整数倍でなくてはならな
い。 ３）ある回の主走査で走査された走査ラインは他の回の
主走査で走査されてはいけない。 この３条件の内第３番目の条件が成り立つには、レーザ
ービーム光源の数をｎ個、レーザービーム光源の間隔ｒ
、結像光学系の副走査方向の横倍率をβ、走査ピッチｐ
とした時に次式を満たせば良いことが知られている（特
開昭５６ー１１０９６０号公報）。 ｐ＝β・ｒ／（ｍｎ＋１） …………式（１） ただし、ｍはｍ≧０の整数である。式（１）において、
ｍ＝０の場合は飛び越し走査ではなく、隣接するスポッ
トが副走査方向に密に並んでいる状態である。なお、特
開昭５６ー１１０９６０号公報においては式（１）のｎ
に対応する文字としてＭ、ｒに対応する文字としてｐo
がそれぞれ用いられている。なお、走査ラインの最小間
隔を走査ピッチと呼び図６ではｐで表している。１つの
レーザービームの走査で被走査面を隙間なく走査するた
めには、ピッチは電子写真的レーザービームスポット径
に等しく一般的にはｐ＝ｄxである。被走査面上のマル
チビームレーザーのスポット間隔β・ｒはβ・ｒ＝Ｉ・
ｐで表され、このＩ（正の整数）を走査次数と呼ぶ。
れない部分が生じないためには次の３条件を満たす必要
がある。 １）１回の主走査につきレーザービーム数ｎに対してｎ
ｄxだけ副走査されなくてはならない。 ２）２つのレーザービームの被走査面上における間隔ｒ
3は電子写真的スポット径の整数倍でなくてはならな
い。 ３）ある回の主走査で走査された走査ラインは他の回の
主走査で走査されてはいけない。 この３条件の内第３番目の条件が成り立つには、レーザ
ービーム光源の数をｎ個、レーザービーム光源の間隔ｒ
、結像光学系の副走査方向の横倍率をβ、走査ピッチｐ
とした時に次式を満たせば良いことが知られている（特
開昭５６ー１１０９６０号公報）。 ｐ＝β・ｒ／（ｍｎ＋１） …………式（１） ただし、ｍはｍ≧０の整数である。式（１）において、
ｍ＝０の場合は飛び越し走査ではなく、隣接するスポッ
トが副走査方向に密に並んでいる状態である。なお、特
開昭５６ー１１０９６０号公報においては式（１）のｎ
に対応する文字としてＭ、ｒに対応する文字としてｐo
がそれぞれ用いられている。なお、走査ラインの最小間
隔を走査ピッチと呼び図６ではｐで表している。１つの
レーザービームの走査で被走査面を隙間なく走査するた
めには、ピッチは電子写真的レーザービームスポット径
に等しく一般的にはｐ＝ｄxである。被走査面上のマル
チビームレーザーのスポット間隔β・ｒはβ・ｒ＝Ｉ・
ｐで表され、このＩ（正の整数）を走査次数と呼ぶ。
【０００７】レーザービームのスポット径は一般には光
の振幅がスポット中心の１／ｅ（パワーでは１／ｅ2）
となる直径で定義される（このように定義されるスポッ
ト径を以下光学的スポット径と呼びｄoで表す）。図７
は光学的スポット径と電子写真スポット径の関係を示す
図である。なお、図７においては、レーザービーム光の
主線上の光強度を１に規格化している。光学的スポット
径ｄoと電子写真的スポット径ｄxとの比をスポット径補
正係数と呼び、ｋで表し次式のように定義する。 ｋ＝ｄo/ｄx ｋの値は用いる電子写真のプロセスによって異なる。光
の当たった部分にトナーを付着させる反転現像のプロセ
スでは、１．４≦ｋ≦１．６が望ましく、光の当たらな
い部分にトナーを付着させる正転現像のプロセスでは、
１．５≦ｋ≦１．８が望ましいことが知られている（田
中：”レーザーゼログラフィーにおける階調再現の検討
“、第６回色彩工学コンファレンス、Ｐ７７−Ｐ８０
（１９８９）参照）。
の振幅がスポット中心の１／ｅ（パワーでは１／ｅ2）
となる直径で定義される（このように定義されるスポッ
ト径を以下光学的スポット径と呼びｄoで表す）。図７
は光学的スポット径と電子写真スポット径の関係を示す
図である。なお、図７においては、レーザービーム光の
主線上の光強度を１に規格化している。光学的スポット
径ｄoと電子写真的スポット径ｄxとの比をスポット径補
正係数と呼び、ｋで表し次式のように定義する。 ｋ＝ｄo/ｄx ｋの値は用いる電子写真のプロセスによって異なる。光
の当たった部分にトナーを付着させる反転現像のプロセ
スでは、１．４≦ｋ≦１．６が望ましく、光の当たらな
い部分にトナーを付着させる正転現像のプロセスでは、
１．５≦ｋ≦１．８が望ましいことが知られている（田
中：”レーザーゼログラフィーにおける階調再現の検討
“、第６回色彩工学コンファレンス、Ｐ７７−Ｐ８０
（１９８９）参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述の飛び
越し走査によれば被走査面上において、結像スポット間
隔をいくら広くとったとしても、適切な前記整数ｍを選
べば良いように思われる。しかしながら、実際には結像
スポット間隔を広く取った場合、走査装置に要求される
機械的精度が著しく高精度になるという問題があった。
以下その理由を説明する。
越し走査によれば被走査面上において、結像スポット間
隔をいくら広くとったとしても、適切な前記整数ｍを選
べば良いように思われる。しかしながら、実際には結像
スポット間隔を広く取った場合、走査装置に要求される
機械的精度が著しく高精度になるという問題があった。
以下その理由を説明する。
【０００９】図９に示すようにひとつのスポットＢで被
走査面上を走査している場合において走査面上のピッチ
ｐはある誤差Δｐ内になくてはならないとすると、副走
査方向の速度の許容誤差率δoは次式で表されることに
なる。 δo＝Δｖ／ｖ＝Δｐ／ｐ ただし、ｖは副走査の速度、Δｖは副走査の速度誤差で
ある。図１０に示すようなｎ＝４、前記整数ｍ＝１の場
合の許容誤差率はδ4,1＝Δｐ／１６ｐ＝δo／１６とな
り、図９の場合に比べて一桁以上高い精度が要求される
ことになる。この傾向は光源の数ｎ及び、前記整数ｍの
増加に伴い顕著になる。以上、副走査方向の速度の許容
誤差について述べたが、このことは副走査の速度誤差の
みならず、光学系の横倍率の精度、光源の間隔の寸法精
度についても同様の問題が発生する。
走査面上を走査している場合において走査面上のピッチ
ｐはある誤差Δｐ内になくてはならないとすると、副走
査方向の速度の許容誤差率δoは次式で表されることに
なる。 δo＝Δｖ／ｖ＝Δｐ／ｐ ただし、ｖは副走査の速度、Δｖは副走査の速度誤差で
ある。図１０に示すようなｎ＝４、前記整数ｍ＝１の場
合の許容誤差率はδ4,1＝Δｐ／１６ｐ＝δo／１６とな
り、図９の場合に比べて一桁以上高い精度が要求される
ことになる。この傾向は光源の数ｎ及び、前記整数ｍの
増加に伴い顕著になる。以上、副走査方向の速度の許容
誤差について述べたが、このことは副走査の速度誤差の
みならず、光学系の横倍率の精度、光源の間隔の寸法精
度についても同様の問題が発生する。
【００１０】これらの問題を解決するためには可能な範
囲でなるべく結像スポット間隔を狭くすることが望まし
いことは明らかである。前述の（１）式においては、ｍ
＝０の場合が最も結像スポット間隔が小さいのである
が、前述のようにｍ＝０の時は飛び越し走査ではない。
したがって、前述の（１）式においてｍ＝１の時が実質
的に結像スポット間隔が最少となり、その時の被走査面
上の隣接する結像スポットの間隔β・ｒは（ｎ＋１）ｐ
となり、光源の数ｎの増加に比例して増加する。以上の
ことから、光源の数ｎ、前記整数ｍの場合に必要となる
許容誤差率δn,mは次式のような関係を有することが計
算される。 δn,m■δn,1＝δo／ｎ2…………式（２） これは、図８に模式的に示すようにｍ＝１の時は個々の
結像スポットの間隔が（ｎ＋１）ｐとなるため、最も離
れた結像スポットの間隔が（ｎ2−１）・ｐとなり、１
回目で走査された最後尾スポットＢとｎ回目で走査され
た先頭スポットＣとが隣接するからである。
囲でなるべく結像スポット間隔を狭くすることが望まし
いことは明らかである。前述の（１）式においては、ｍ
＝０の場合が最も結像スポット間隔が小さいのである
が、前述のようにｍ＝０の時は飛び越し走査ではない。
したがって、前述の（１）式においてｍ＝１の時が実質
的に結像スポット間隔が最少となり、その時の被走査面
上の隣接する結像スポットの間隔β・ｒは（ｎ＋１）ｐ
となり、光源の数ｎの増加に比例して増加する。以上の
ことから、光源の数ｎ、前記整数ｍの場合に必要となる
許容誤差率δn,mは次式のような関係を有することが計
算される。 δn,m■δn,1＝δo／ｎ2…………式（２） これは、図８に模式的に示すようにｍ＝１の時は個々の
結像スポットの間隔が（ｎ＋１）ｐとなるため、最も離
れた結像スポットの間隔が（ｎ2−１）・ｐとなり、１
回目で走査された最後尾スポットＢとｎ回目で走査され
た先頭スポットＣとが隣接するからである。
【００１１】また、結像スポット間隔を広くし、その間
を隙間なく埋めるためにビームで複数回の走査を行うた
めには飛び越す走査線の数が増えるほど飛び越し走査を
電気的に制御するのに必要な高速のメモリー量が増える
という問題もあった。本発明は、前記問題点を解決する
ために案出されたものであって、結像スポット間隔を小
さくし、走査向学系に要求される精度を緩和し、従来よ
り簡単な走査光学で同等以上の飛び越し走査が可能な記
録装置を提供することを目的とする。
を隙間なく埋めるためにビームで複数回の走査を行うた
めには飛び越す走査線の数が増えるほど飛び越し走査を
電気的に制御するのに必要な高速のメモリー量が増える
という問題もあった。本発明は、前記問題点を解決する
ために案出されたものであって、結像スポット間隔を小
さくし、走査向学系に要求される精度を緩和し、従来よ
り簡単な走査光学で同等以上の飛び越し走査が可能な記
録装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するために、互いに独立に駆動が可能なｎ個の発光源を
有する光源部と、該光源部からの光束を感光媒体面に結
像する光学系と、前記光源部からの複数の光束を所定の
方向に偏向する偏向器とを有し、前記感光媒体面を複数
の光束で同時に走査する記録装置において、前記光源部
はｎ個の発光源がｒなる間隔で副走査方向に配列され、
前記結像光学系の横倍率をβとし、ｎがｎ≧３の整数
で、走査次数Ｉがｎと互いに素で、２≦Ｉ≦ｎ−１の範
囲の整数とした場合に、感光媒体面での隣り合った走査
線の間隔ｐが、 ｐ＝（β・ｒ）／Ｉ であることを特徴とする。特に前記発光源の数ｎが奇数
の場合は走査次数Ｉが２のときには、スポットの数ｎに
よらずスポット間隔を等しくすることができ、製造が容
易にできるという効果がある。また、特に前記発光源の
数ｎが偶数の場合には走査次数Ｉが前記発光源の数ｎと
互いに素である最小の自然数であれば効果がある。例え
ば、発光源の数ｎが４の場合はＩは３，発光源の数ｎが
６の時はＩは５であれば効果がある。
するために、互いに独立に駆動が可能なｎ個の発光源を
有する光源部と、該光源部からの光束を感光媒体面に結
像する光学系と、前記光源部からの複数の光束を所定の
方向に偏向する偏向器とを有し、前記感光媒体面を複数
の光束で同時に走査する記録装置において、前記光源部
はｎ個の発光源がｒなる間隔で副走査方向に配列され、
前記結像光学系の横倍率をβとし、ｎがｎ≧３の整数
で、走査次数Ｉがｎと互いに素で、２≦Ｉ≦ｎ−１の範
囲の整数とした場合に、感光媒体面での隣り合った走査
線の間隔ｐが、 ｐ＝（β・ｒ）／Ｉ であることを特徴とする。特に前記発光源の数ｎが奇数
の場合は走査次数Ｉが２のときには、スポットの数ｎに
よらずスポット間隔を等しくすることができ、製造が容
易にできるという効果がある。また、特に前記発光源の
数ｎが偶数の場合には走査次数Ｉが前記発光源の数ｎと
互いに素である最小の自然数であれば効果がある。例え
ば、発光源の数ｎが４の場合はＩは３，発光源の数ｎが
６の時はＩは５であれば効果がある。
【００１３】
【作用】被走査面上の隣接する結像スポットの間隔β・
ｒを走査ピッチｐで除したものを走査次数Ｉと定義する
と、光源の数ｎとこの走査次数Ｉとが互いに素、すなわ
ち、Ｉとｎの最大公約数が１であるならば飛び越し走査
が可能であり、式（１）で表されるよりも小さい光源の
間隔ｒにおいても飛び越し走査が成り立ち得る。Ｉの定
義を式（３）に示す。 Ｉ＝（β・ｒ）／ｐ …………式（３） この定義に基づいて式（３）を書き直すと式（４）とな
り、この場合に飛び越し走査が可能である。 β・ｒ＝Ｉ・ｐ …………式（４） （但しＩはｎと互いに素な整数）式（４）と式（１）を
比較し、各々の条件での飛び越し走査可能な場合の特性
を比較する。
ｒを走査ピッチｐで除したものを走査次数Ｉと定義する
と、光源の数ｎとこの走査次数Ｉとが互いに素、すなわ
ち、Ｉとｎの最大公約数が１であるならば飛び越し走査
が可能であり、式（１）で表されるよりも小さい光源の
間隔ｒにおいても飛び越し走査が成り立ち得る。Ｉの定
義を式（３）に示す。 Ｉ＝（β・ｒ）／ｐ …………式（３） この定義に基づいて式（３）を書き直すと式（４）とな
り、この場合に飛び越し走査が可能である。 β・ｒ＝Ｉ・ｐ …………式（４） （但しＩはｎと互いに素な整数）式（４）と式（１）を
比較し、各々の条件での飛び越し走査可能な場合の特性
を比較する。
【００１４】例えば、光源の数ｎが４個の場合、式
（１）を満たす最小のスポット間隔β・ｒはβ・ｒ＝
（ｍｎ＋１）ｐであるから、β・ｒ＝５ｐである。それ
に対して式（４）の場合ｎ＝４に対して互いに素である
最小のＩは３である。したがって、β・ｒ＝３ｐとな
る。さらに光源の数ｎが５個の場合は、式（１）を満た
す最小のβ・ｒはβ・ｒ＝６ｐであるのに対し、ｎ＝５
に対して互いに素である最小のＩは２であるからβ・ｒ
＝２ｐとなり、式（４）の場合は式（１）の場合に対し
被走査面上の結像スポット間隔β・ｒを（１／３）にす
ることができる。
（１）を満たす最小のスポット間隔β・ｒはβ・ｒ＝
（ｍｎ＋１）ｐであるから、β・ｒ＝５ｐである。それ
に対して式（４）の場合ｎ＝４に対して互いに素である
最小のＩは３である。したがって、β・ｒ＝３ｐとな
る。さらに光源の数ｎが５個の場合は、式（１）を満た
す最小のβ・ｒはβ・ｒ＝６ｐであるのに対し、ｎ＝５
に対して互いに素である最小のＩは２であるからβ・ｒ
＝２ｐとなり、式（４）の場合は式（１）の場合に対し
被走査面上の結像スポット間隔β・ｒを（１／３）にす
ることができる。
【００１５】本発明の構成の記録装置によれば発光源の
数ｎが３個以上の場合において、走査次数Ｉをｎより小
さい値とすることができる。このため、副走査方向の必
要な位置あるいは速度精度が低くてすむ。本発明の構成
によれば光源の数がｎで、操作次数がＩの場合に必要な
副走査方向の位置あるいは速度の許容誤差率γn,Iは次
式で表される。 γn,I≧δo／Ｉ・（ｎ−１） ここで、Ｉ≦ｎ−１であるから、γn,Iは結局次式で表
される。 γn,I≧δo／（ｎ−１）2………式（６） 光源の数ｎが等しい場合に従来の方法の許容誤差である
式（２）と本発明の許容誤差式（６）とを比較すると、
δo／（ｎ−１）2≧δo／ｎ2が常に成り立つので、γ
n,I≧δn,mが常に成り立つことになる。したがって、本
出願の構成を用いれば従来例より必ず副走査方向の必要
な位置あるいは速度精度が低くてすむことになる。ま
た、飛び越し走査を制御するのに必要な高速のメモリー
の量が少なくなる。
数ｎが３個以上の場合において、走査次数Ｉをｎより小
さい値とすることができる。このため、副走査方向の必
要な位置あるいは速度精度が低くてすむ。本発明の構成
によれば光源の数がｎで、操作次数がＩの場合に必要な
副走査方向の位置あるいは速度の許容誤差率γn,Iは次
式で表される。 γn,I≧δo／Ｉ・（ｎ−１） ここで、Ｉ≦ｎ−１であるから、γn,Iは結局次式で表
される。 γn,I≧δo／（ｎ−１）2………式（６） 光源の数ｎが等しい場合に従来の方法の許容誤差である
式（２）と本発明の許容誤差式（６）とを比較すると、
δo／（ｎ−１）2≧δo／ｎ2が常に成り立つので、γ
n,I≧δn,mが常に成り立つことになる。したがって、本
出願の構成を用いれば従来例より必ず副走査方向の必要
な位置あるいは速度精度が低くてすむことになる。ま
た、飛び越し走査を制御するのに必要な高速のメモリー
の量が少なくなる。
【００１６】特に発光源の数ｎを３以上の奇数とするこ
とにより、走査次数Ｉ＝２という理論的に考え得る最低
次の飛び越し走査を実現することができる。このため、
副走査方向の必要な位置あるいは速度精度は本発明の中
でも特に低くなる。例えば、図１２に示すように光源の
数ｎ＝５で走査次数Ｉ＝３の場合にはγ5.3＝δo／１０
であるのに対しＩ＝２の場合にはγ5.2＝δo／５であ
り、必要な機械的精度は半分で良い。図１３と図１４を
比較すればわかるようにＩ＝２の時に必要な機械的精度
は飛び越し走査を用いない場合と同じで良い。さらに飛
び越し走査を制御するのに必要な高速のメモリーの量も
本発明中でも特に少なくてすむ。また、発光源の数ｎに
よらず、光源の間隔は一定になる。
とにより、走査次数Ｉ＝２という理論的に考え得る最低
次の飛び越し走査を実現することができる。このため、
副走査方向の必要な位置あるいは速度精度は本発明の中
でも特に低くなる。例えば、図１２に示すように光源の
数ｎ＝５で走査次数Ｉ＝３の場合にはγ5.3＝δo／１０
であるのに対しＩ＝２の場合にはγ5.2＝δo／５であ
り、必要な機械的精度は半分で良い。図１３と図１４を
比較すればわかるようにＩ＝２の時に必要な機械的精度
は飛び越し走査を用いない場合と同じで良い。さらに飛
び越し走査を制御するのに必要な高速のメモリーの量も
本発明中でも特に少なくてすむ。また、発光源の数ｎに
よらず、光源の間隔は一定になる。
【００１７】また発光源の数ｎを４以上の偶数とし、か
つ走査次数Ｉを発光源の数ｎと互いに素となる最小の自
然数とすることにより、発光源の数が偶数の時に理論的
に考え得る最低次の飛び越し走査を実現することができ
る。このため、副走査方向の必要な位置あるいは速度精
度は特に低くてすむ。また、飛び越し走査を制御するの
に必要な高速のメモリーの量も少なくてすむ。副走査方
向の位置あるいは速度誤差について本発明に基づく場合
と従来例（特開昭５６ー１１０９６０号公報参照）との
比較を光源の数が３から８の範囲の場合について表１に
示す。また、飛び越し走査の可能な光源（レーザービー
ム）の数ｎと走査次数Ｉの組合せをグラフにしたものを
図１５に示す。
つ走査次数Ｉを発光源の数ｎと互いに素となる最小の自
然数とすることにより、発光源の数が偶数の時に理論的
に考え得る最低次の飛び越し走査を実現することができ
る。このため、副走査方向の必要な位置あるいは速度精
度は特に低くてすむ。また、飛び越し走査を制御するの
に必要な高速のメモリーの量も少なくてすむ。副走査方
向の位置あるいは速度誤差について本発明に基づく場合
と従来例（特開昭５６ー１１０９６０号公報参照）との
比較を光源の数が３から８の範囲の場合について表１に
示す。また、飛び越し走査の可能な光源（レーザービー
ム）の数ｎと走査次数Ｉの組合せをグラフにしたものを
図１５に示す。
【表１】
【００１８】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。解像度８００ｓｐｉ（ｓｐｏｔ／ｉｎｃｈ）の
レーザービームプリンターをマルチビーム半導体レーザ
ーアレイを用いて実現する例を光学系の設計例を中心に
説明する。図２は本発明の一実施例を模式的に示した図
である。マルチビーム半導体レーザーアレイ１より出射
した３本のレーザービーム光はコリメーター２、シリン
ドリカルレンズ３を経てポリゴンスキャナー４によって
偏向され、感光体上を走査される。この偏向されたレー
ザービーム光はシリンドリカルレンズ５及び結像（ｆ−
θ）レンズを経て感光体７上に結像する。感光体７は矢
印８方向に回転する。この感光体７の矢印８方向への回
転による移動を副走査という。シリンドリカルレンズ３
及び５はポリゴンスキャナー４の面倒れ補正のためのも
ので、いわゆるアナモフィック光学系を形成している。
感光体７上に描き込まれた光学像は電子写真のプロセス
によって現像され可視化される（図示せず）。
明する。解像度８００ｓｐｉ（ｓｐｏｔ／ｉｎｃｈ）の
レーザービームプリンターをマルチビーム半導体レーザ
ーアレイを用いて実現する例を光学系の設計例を中心に
説明する。図２は本発明の一実施例を模式的に示した図
である。マルチビーム半導体レーザーアレイ１より出射
した３本のレーザービーム光はコリメーター２、シリン
ドリカルレンズ３を経てポリゴンスキャナー４によって
偏向され、感光体上を走査される。この偏向されたレー
ザービーム光はシリンドリカルレンズ５及び結像（ｆ−
θ）レンズを経て感光体７上に結像する。感光体７は矢
印８方向に回転する。この感光体７の矢印８方向への回
転による移動を副走査という。シリンドリカルレンズ３
及び５はポリゴンスキャナー４の面倒れ補正のためのも
ので、いわゆるアナモフィック光学系を形成している。
感光体７上に描き込まれた光学像は電子写真のプロセス
によって現像され可視化される（図示せず）。
【００１９】図３は偏向面に垂直でかつ光軸を含む面で
見た図１の光学系の部分を展開した図である。また、図
４は図１及び図３に示したマルチビーム半導体レーザー
アレイ１の構成斜視図である。用いた半導体レーザーア
レイの接合面に平行な方向のレーザービーム光の拡がり
角θ1は１２°である。なお、拡がり角の定義は図１１
に示すようにパワーが光軸上のパワーの１／ｅ2になる
角度である。半導体レーザーの拡がり角はパワーが光軸
の１／２となる全角半値幅（ＦＷＨＭ）で表すことも多
いので区別を要する。また、半導体レーザーの発光波長
λ＝０．７８μｍである。被走査面におけるレーザービ
ーム光の結像スポットの副走査方向の直径ｄoは結像光
学系に入射するレーザービーム光の副走査方向のビーム
径をＤ、結像光学系の副走査方向の焦点距離をｆ2、円周
率をπとすると次式で表される。 ｄo＝４ｆ2λ／πＤ 結像光学系に入射するレーザービーム光の副走査方向の
ビーム径はコリメーターの焦点距離をｆ1とすると次式
で表される。 Ｄ＝２ｆ1ｓｉｎ（θ1／２）
見た図１の光学系の部分を展開した図である。また、図
４は図１及び図３に示したマルチビーム半導体レーザー
アレイ１の構成斜視図である。用いた半導体レーザーア
レイの接合面に平行な方向のレーザービーム光の拡がり
角θ1は１２°である。なお、拡がり角の定義は図１１
に示すようにパワーが光軸上のパワーの１／ｅ2になる
角度である。半導体レーザーの拡がり角はパワーが光軸
の１／２となる全角半値幅（ＦＷＨＭ）で表すことも多
いので区別を要する。また、半導体レーザーの発光波長
λ＝０．７８μｍである。被走査面におけるレーザービ
ーム光の結像スポットの副走査方向の直径ｄoは結像光
学系に入射するレーザービーム光の副走査方向のビーム
径をＤ、結像光学系の副走査方向の焦点距離をｆ2、円周
率をπとすると次式で表される。 ｄo＝４ｆ2λ／πＤ 結像光学系に入射するレーザービーム光の副走査方向の
ビーム径はコリメーターの焦点距離をｆ1とすると次式
で表される。 Ｄ＝２ｆ1ｓｉｎ（θ1／２）
【００２０】したがって、結像光学系の副走査方向の横
倍率βをβ＝ｆ2／ｆ1とすると、被走査面におけるレー
ザービーム光の結像スポットの副走査方向の直径ｄoは
結局次式で表されることになる（図５参照）。 ｄo＝２λβ／πｓｉｎ（θ1／２） これは前述の光学的スポット径であり、最終的に画像と
して形成されるのはこの径とは異なる。電子写真のプロ
セスによって最終的に画像として形成される副走査方向
の径、すなわち、電子写真的スポット径ｄxはｄoをｋで
除したものであるから、次式のようになる。 ｄx＝ｄo／ｋ＝２λβ／πｋｓｉｎ（θ1／２） マルチビーム半導体レーザーアレイ１の隣接する半導体
レーザー素子の間隔がｒであるので、被走査面上の隣接
する結像スポットの間隔ｒiは次式で表される。 ｒi＝βｒ このｒiをｄxで除した値が走査次数Ｉにならなければな
らないから、Ｉ＝ｒi／ｄxである。
倍率βをβ＝ｆ2／ｆ1とすると、被走査面におけるレー
ザービーム光の結像スポットの副走査方向の直径ｄoは
結局次式で表されることになる（図５参照）。 ｄo＝２λβ／πｓｉｎ（θ1／２） これは前述の光学的スポット径であり、最終的に画像と
して形成されるのはこの径とは異なる。電子写真のプロ
セスによって最終的に画像として形成される副走査方向
の径、すなわち、電子写真的スポット径ｄxはｄoをｋで
除したものであるから、次式のようになる。 ｄx＝ｄo／ｋ＝２λβ／πｋｓｉｎ（θ1／２） マルチビーム半導体レーザーアレイ１の隣接する半導体
レーザー素子の間隔がｒであるので、被走査面上の隣接
する結像スポットの間隔ｒiは次式で表される。 ｒi＝βｒ このｒiをｄxで除した値が走査次数Ｉにならなければな
らないから、Ｉ＝ｒi／ｄxである。
【００２１】以上より、マルチビーム半導体レーザーア
レイ１の隣接する半導体レーザー素子の間隔ｒは次式で
表される。 ｒ＝２λＩ／πｋｓｉｎ（θ1／２） ………式（７） この式（７）に基づいてｒの値をλ＝０．７８μｍ，θ
1＝１２°，Ｉ＝２とすると、ｒ＝７．０μｍと計算さ
れる。この値はビームの数が奇数であればビームの数に
よらずに一定でよいことは既に述べた。したがって、ｎ
＝５でも、ｎ＝７でもｒ＝７．０μｍとなる。これは半
導体レーザーアレイの製造プロセスの共通化ができるこ
とを意味する。１インチ当たり８００本のスポットの解
像度（８００ｓｐｉ）のレーザービームプリンターを作
るためにはｄxが２５．４ｍｍ／８００＝３１．７５μ
ｍでなくてはならない。したがって走査次数Ｉ＝２の時
はｒi＝６３．５μｍとなり、これから逆に光学系の横
倍率β＝９．１が計算される。
レイ１の隣接する半導体レーザー素子の間隔ｒは次式で
表される。 ｒ＝２λＩ／πｋｓｉｎ（θ1／２） ………式（７） この式（７）に基づいてｒの値をλ＝０．７８μｍ，θ
1＝１２°，Ｉ＝２とすると、ｒ＝７．０μｍと計算さ
れる。この値はビームの数が奇数であればビームの数に
よらずに一定でよいことは既に述べた。したがって、ｎ
＝５でも、ｎ＝７でもｒ＝７．０μｍとなる。これは半
導体レーザーアレイの製造プロセスの共通化ができるこ
とを意味する。１インチ当たり８００本のスポットの解
像度（８００ｓｐｉ）のレーザービームプリンターを作
るためにはｄxが２５．４ｍｍ／８００＝３１．７５μ
ｍでなくてはならない。したがって走査次数Ｉ＝２の時
はｒi＝６３．５μｍとなり、これから逆に光学系の横
倍率β＝９．１が計算される。
【００２２】以上の実施例は電子写真のプロセスに基づ
くものであるが、本発明は電子写真以外のプロセスを用
いた記録装置に対しても適用できることは言うまでもな
い。すなわち、電子写真用感光体の代わりに通常の感光
フィルムを走査する記録装置、あるいは、レーザービー
ム光の熱効果を利用して描画を行う感熱記録、光磁気記
録等にも適用可能である。ただし、これらの場合は前述
の式（７）のｋの最適値は電子写真プロセスを用いた場
合と必ずしも一致するとは限らないので、用いる記録プ
ロセスに応じてレーザービーム光源の間隔は別途実験的
に定める必要がある。また、以上の説明において、感光
体の全面を隙間なく露光するためには、電子写真的スポ
ット径をｄxをピッチｐと等しくする必要があるとして
説明した。しかしながら、本発明は、走査線ピッチをｐ
とする走査線を、走査開始部と走査終了部を除き、もれ
なく走査することのできる記録装置を提供するものであ
り、全面を隙間なく露光しなくても、飛び越し走査によ
り走査開始部と走査終了部を除き、全ての走査線をもれ
なく走査する場合にも適用できることはいうまでもな
い。
くものであるが、本発明は電子写真以外のプロセスを用
いた記録装置に対しても適用できることは言うまでもな
い。すなわち、電子写真用感光体の代わりに通常の感光
フィルムを走査する記録装置、あるいは、レーザービー
ム光の熱効果を利用して描画を行う感熱記録、光磁気記
録等にも適用可能である。ただし、これらの場合は前述
の式（７）のｋの最適値は電子写真プロセスを用いた場
合と必ずしも一致するとは限らないので、用いる記録プ
ロセスに応じてレーザービーム光源の間隔は別途実験的
に定める必要がある。また、以上の説明において、感光
体の全面を隙間なく露光するためには、電子写真的スポ
ット径をｄxをピッチｐと等しくする必要があるとして
説明した。しかしながら、本発明は、走査線ピッチをｐ
とする走査線を、走査開始部と走査終了部を除き、もれ
なく走査することのできる記録装置を提供するものであ
り、全面を隙間なく露光しなくても、飛び越し走査によ
り走査開始部と走査終了部を除き、全ての走査線をもれ
なく走査する場合にも適用できることはいうまでもな
い。
【００２３】
【発明の効果】前述の本発明の記録装置によれば、飛び
越し走査によってマルチビームスキャンを行う場合に、
従来技術において必要となる副走査の機械的精度、光学
系の倍率の精度、もしくは使用するマルチビーム半導体
レーザーアレイの寸法精度を必要とせず、容易に高解像
度および高速記録が可能になる。また、飛び越し走査の
制御に必要な高速のメモリーも少なくて良い。さらに、
レーザービームの数を奇数とした時は半導体レーザーの
製造プロセスを共通化することができる。
越し走査によってマルチビームスキャンを行う場合に、
従来技術において必要となる副走査の機械的精度、光学
系の倍率の精度、もしくは使用するマルチビーム半導体
レーザーアレイの寸法精度を必要とせず、容易に高解像
度および高速記録が可能になる。また、飛び越し走査の
制御に必要な高速のメモリーも少なくて良い。さらに、
レーザービームの数を奇数とした時は半導体レーザーの
製造プロセスを共通化することができる。
【００２４】
【図１】図１は本発明の記録装置におけるビームスポッ
トの間隔（β・ｒ）、スポットの数（ｎ）、走査次数
（Ｉ）を模式的に示す図である。
トの間隔（β・ｒ）、スポットの数（ｎ）、走査次数
（Ｉ）を模式的に示す図である。
【図２】図２は本発明に係わる装置の一実施例の概略の
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図３】図３は図１の光学系を偏向面に垂直でかつ光軸
を含む面で見た場合を展開した図である。
を含む面で見た場合を展開した図である。
【図４】図４は図２および図３に示したマルチビーム半
導体レーザーアレイの構成斜視図である。
導体レーザーアレイの構成斜視図である。
【図５】図５はレーザービームの結像光学系を模式的に
示した図である。
示した図である。
【図６】図６は飛び越し走査の原理を示す図で、被走査
面上のレーザー光の結像スポットと走査ラインの関係を
示す図である。
面上のレーザー光の結像スポットと走査ラインの関係を
示す図である。
【図７】図７はレーザー光の結像スポットのスポットの
中心からの距離と光振幅の関係を示す図である。
中心からの距離と光振幅の関係を示す図である。
【図８】図８は従来技術による飛び越し走査におけるス
ポットの位置関係を示す図である。
ポットの位置関係を示す図である。
【図９】図９は単一ビームで走査した場合のスポットの
位置誤差を示す図である。
位置誤差を示す図である。
【図１０】図１０は半導体レーザー素子数ｎがｎ＝４
で、走査次数ＩがＩ＝５の時のスポットの位置誤差を示
す図である。
で、走査次数ＩがＩ＝５の時のスポットの位置誤差を示
す図である。
【図１１】図１１は半導体レーザーから出射するレーザ
ー光振幅の放射角依存性を示す図である。
ー光振幅の放射角依存性を示す図である。
【図１２】図１２は半導体レーザー素子数ｎ＝５、走査
次数Ｉ＝３の場合に必要となる副走査方向の位置あるい
は速度誤差の関係を示す図である。
次数Ｉ＝３の場合に必要となる副走査方向の位置あるい
は速度誤差の関係を示す図である。
【図１３】図１３は半導体レーザー素子数ｎ＝５、走査
次数Ｉ＝２の場合に必要となる副走査方向の位置あるい
は速度誤差の関係を示す図である。
次数Ｉ＝２の場合に必要となる副走査方向の位置あるい
は速度誤差の関係を示す図である。
【図１４】図１４は半導体レーザー素子数ｎ＝５、走査
次数Ｉ＝１の場合に必要となる副走査方向の位置あるい
は速度誤差の関係を示す図である。
次数Ｉ＝１の場合に必要となる副走査方向の位置あるい
は速度誤差の関係を示す図である。
【図１５】図１５は飛び越し走査が可能な光源（レーザ
ービーム）の数ｎと走査次数Ｉの組合せを示すグラフで
ある。
ービーム）の数ｎと走査次数Ｉの組合せを示すグラフで
ある。
【００２５】
１…マルチビーム半導体レーザーアレイ、２…コリメー
ターレンズ、３…シリンドリカルレンズ、４…ポリゴン
スキャナー、５…シリンドリカルレンズ、６…結像（ｆ
−θ）レンズ、７…感光体、８…ポリゴンスキャナーの
反射面、１０…ＧａＡｓ基板，、１１ａ〜ｃ…ボンデイ
ングパッド、１２… ボンデイングワイヤー（Ａｕ）、
１３…Ａｌ2Ｏ3１／２λコーテイング、１４…（Ａｌ2
Ｏ3１／４λ＋Ｓｉ１／４λ）３周期コーテイング、１
５…半導体レーザー素子、１６…レーザービーム光、ｌ
1…走査ライン１、ｌ2…走査ライン２、ｌ3…走査ライ
ン３、θ1…半導体レーザー素子から出射するレーザー
光の接合面に平行な方向の拡がり角、θ2…半導体レー
ザー素子からレーザー光の接合面に垂直な方向の拡がり
角、Ｌ1…レーザー光１、Ｌ2…レーザー光２、ｐ…走査
ピッチ、Δｐ…走査ピッチの位置誤差、ＦＷＨＭ…レー
ザー光の拡がり角の全角半値幅、、ｒ…半導体レーザー
素子の間隔、ｎ…半導体レーザー素子の数及び対応する
レーザービーム光の数、Ｉ…走査次数、ｆ1…光学系の
光源側の焦点距離、ｆ2…光学系の結像面側の焦点距
離、β…光学系の横倍率、、λ…半導体レーザー素子の
発光波長、ｄx…電子写真的スポット径、ｄo…光学的ス
ポット径、δｏ…単一ビームの時に必要な副走査方向の
位置あるいは速度誤差率、δｎ，ｍ…従来技術において
半導体レーザー素子ｎ個整数ｍの時に必要な副走査方向
の位置あるいは速度誤差率、γn,I…本発明に基づく場
合の半導体レーザー素子ｎ個走査次数Ｉの時に必要な副
走査方向の位置あるいは速度誤差率。
ターレンズ、３…シリンドリカルレンズ、４…ポリゴン
スキャナー、５…シリンドリカルレンズ、６…結像（ｆ
−θ）レンズ、７…感光体、８…ポリゴンスキャナーの
反射面、１０…ＧａＡｓ基板，、１１ａ〜ｃ…ボンデイ
ングパッド、１２… ボンデイングワイヤー（Ａｕ）、
１３…Ａｌ2Ｏ3１／２λコーテイング、１４…（Ａｌ2
Ｏ3１／４λ＋Ｓｉ１／４λ）３周期コーテイング、１
５…半導体レーザー素子、１６…レーザービーム光、ｌ
1…走査ライン１、ｌ2…走査ライン２、ｌ3…走査ライ
ン３、θ1…半導体レーザー素子から出射するレーザー
光の接合面に平行な方向の拡がり角、θ2…半導体レー
ザー素子からレーザー光の接合面に垂直な方向の拡がり
角、Ｌ1…レーザー光１、Ｌ2…レーザー光２、ｐ…走査
ピッチ、Δｐ…走査ピッチの位置誤差、ＦＷＨＭ…レー
ザー光の拡がり角の全角半値幅、、ｒ…半導体レーザー
素子の間隔、ｎ…半導体レーザー素子の数及び対応する
レーザービーム光の数、Ｉ…走査次数、ｆ1…光学系の
光源側の焦点距離、ｆ2…光学系の結像面側の焦点距
離、β…光学系の横倍率、、λ…半導体レーザー素子の
発光波長、ｄx…電子写真的スポット径、ｄo…光学的ス
ポット径、δｏ…単一ビームの時に必要な副走査方向の
位置あるいは速度誤差率、δｎ，ｍ…従来技術において
半導体レーザー素子ｎ個整数ｍの時に必要な副走査方向
の位置あるいは速度誤差率、γn,I…本発明に基づく場
合の半導体レーザー素子ｎ個走査次数Ｉの時に必要な副
走査方向の位置あるいは速度誤差率。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 1/23 １０３ Ｚ 9186−5Ｃ
Claims (1)
- 【請求項１】互いに独立に駆動可能なｎ個の発光源を有
する光源部と、この光源部からの複数の光束を感光媒体
面に結像する光学系と、前記光源部からの複数の光束を
所定の方向に偏向する偏向器とを有し、この偏向器によ
り偏向される複数の光束で前記感光媒体面を同時に走査
する記録装置において、前記光源部は、ｎ個の発光源が
ｒなる間隔で前記偏向方向と概ね垂直方向になるよう配
列され、前記結像光学系の発光源の配列方向の横倍率を
βとし、ｎがｎ≧３の整数で、Ｉがｎと互いに素で、２
≦Ｉ≦ｎ−１の範囲の整数で、感光媒体面での隣り合っ
た走査ラインの間隔ｐが ｐ＝（β・ｒ）／Ｉ であることを特徴とする記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084660A JPH0648846B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3084660A JPH0648846B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05176128A JPH05176128A (ja) | 1993-07-13 |
| JPH0648846B2 true JPH0648846B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=13836883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3084660A Expired - Fee Related JPH0648846B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648846B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034806A (en) * | 1997-03-10 | 2000-03-07 | Minolta Co., Ltd. | Light source device and light beam scanning optical apparatus |
| JPH11202230A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-07-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 光走査装置 |
| JP2000094746A (ja) | 1998-09-25 | 2000-04-04 | Minolta Co Ltd | マルチビーム型画像記録装置 |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP3084660A patent/JPH0648846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05176128A (ja) | 1993-07-13 |
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