JP3134687B2 - ディスプレイのアノード基板とディスプレイ装置 - Google Patents
ディスプレイのアノード基板とディスプレイ装置Info
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- JP3134687B2 JP3134687B2 JP06295983A JP29598394A JP3134687B2 JP 3134687 B2 JP3134687 B2 JP 3134687B2 JP 06295983 A JP06295983 A JP 06295983A JP 29598394 A JP29598394 A JP 29598394A JP 3134687 B2 JP3134687 B2 JP 3134687B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電界放出カソードを電子
源とするディスプレイのアノード基板とこのアノード基
板を使用したディスプレイ装置に関するものである。
源とするディスプレイのアノード基板とこのアノード基
板を使用したディスプレイ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属または半導体表面の印加電圧を１０
9 ［Ｖ／ｍ］程度にすると、トンネル効果により電子が
障壁を通過して、常温でも真空中に電子の放出が行われ
るようになる。これを電界放出（Field Emission）と呼
び、このような原理で電子を放出するカソードを電界放
出カソード（Field Emission Cathode）、あるいは電界
放出素子と呼んでいる。
9 ［Ｖ／ｍ］程度にすると、トンネル効果により電子が
障壁を通過して、常温でも真空中に電子の放出が行われ
るようになる。これを電界放出（Field Emission）と呼
び、このような原理で電子を放出するカソードを電界放
出カソード（Field Emission Cathode）、あるいは電界
放出素子と呼んでいる。
【０００３】近年、半導体微細加工技術を駆使してミク
ロンサイズの電界放出カソードからなる面放出型の電界
放出カソードを作製することが可能となっており、この
電界放出カソードを基板上に多数個形成したものは、そ
の各エミッタから放出された電子を蛍光面に照射するこ
とによって平面型の表示装置や各種の電子装置を構成す
る電子供給手段として期待されている。
ロンサイズの電界放出カソードからなる面放出型の電界
放出カソードを作製することが可能となっており、この
電界放出カソードを基板上に多数個形成したものは、そ
の各エミッタから放出された電子を蛍光面に照射するこ
とによって平面型の表示装置や各種の電子装置を構成す
る電子供給手段として期待されている。
【０００４】このような電界放出カソードを適用したデ
ィスプレイ装置の一例を図４に示す。このディスプレイ
（以下、ＦＥＤという）は、電界放出アレイが形成され
たカソード基板１０３と、透光性のアノード１０１が形
成されたアノード基板１００とが所定の間隔を持って対
向配置されて構成されている。
ィスプレイ装置の一例を図４に示す。このディスプレイ
（以下、ＦＥＤという）は、電界放出アレイが形成され
たカソード基板１０３と、透光性のアノード１０１が形
成されたアノード基板１００とが所定の間隔を持って対
向配置されて構成されている。
【０００５】このカソード基板１０３に形成された電界
放出アレイは、スパッタ等により形成されたカソード１
０４と、その上に複数形成された円錐状のエミッタコー
ン１０５と、このエミッタコーン１０５の先端近傍に形
成されたゲート１０６とから構成されるスピント（Spin
dt）型の電界放出アレイとされている。一方、カソード
基板１０３に対向配置されたアノード基板１００には、
例えばインジウム・スズ酸化物（以下ＩＴＯという）
や、開口部を有する金属膜がストライプ状に形成されて
なる透光性のアノード１０１が多数、形成されていると
共に、このアノード１０１上にそれぞれ蛍光体１０２が
付着されている。
放出アレイは、スパッタ等により形成されたカソード１
０４と、その上に複数形成された円錐状のエミッタコー
ン１０５と、このエミッタコーン１０５の先端近傍に形
成されたゲート１０６とから構成されるスピント（Spin
dt）型の電界放出アレイとされている。一方、カソード
基板１０３に対向配置されたアノード基板１００には、
例えばインジウム・スズ酸化物（以下ＩＴＯという）
や、開口部を有する金属膜がストライプ状に形成されて
なる透光性のアノード１０１が多数、形成されていると
共に、このアノード１０１上にそれぞれ蛍光体１０２が
付着されている。
【０００６】また、上記したアノード１０１−１、１０
１−２、１０１−３、・・・はストライプ状とされてい
ると共に、アノード１０１−１、１０１−４・・・に
は、３原色のうち例えば赤色（Ｒ）の蛍光体１０２が付
着されており、アノード１０１−２、１０１−５・・・
には、例えば緑色（Ｇ）の蛍光体１０２が付着されてお
り、アノード１０１−３、１０１−６・・・には、例え
ば青色（Ｂ）の蛍光体１０２が付着されている。
１−２、１０１−３、・・・はストライプ状とされてい
ると共に、アノード１０１−１、１０１−４・・・に
は、３原色のうち例えば赤色（Ｒ）の蛍光体１０２が付
着されており、アノード１０１−２、１０１−５・・・
には、例えば緑色（Ｇ）の蛍光体１０２が付着されてお
り、アノード１０１−３、１０１−６・・・には、例え
ば青色（Ｂ）の蛍光体１０２が付着されている。
【０００７】つまり、アノード１０１−１、１０１−
２、１０１−３・・・には２つ置きに同じ色の蛍光体１
０２が付着されている。このアノード１０１は、Ｒ、
Ｇ、Ｂの蛍光体が設けられている３本のアノード、例え
ば１０１−１、１０１−２、１０１−３が１グループと
されており、破線で図示するようにグループ毎に電子を
供給する電界放出アレイＦ−１、Ｆ−２・・・がカソー
ド基板１０３に分割されて設けられている。この電界放
出アレイＦ−１、Ｆ−２・・・にはカソード１０４−
１、１０４−２・・上に複数のエミッタコーン１０５と
ゲート１０６とが形成されている。なお、ゲート１０６
はストライプ状とされてカソード１０４上に直交配置さ
れており、ゲート１０６とカソード１０４とによりマト
リクスを構成してダイナミック駆動を行えるようにして
いる。
２、１０１−３・・・には２つ置きに同じ色の蛍光体１
０２が付着されている。このアノード１０１は、Ｒ、
Ｇ、Ｂの蛍光体が設けられている３本のアノード、例え
ば１０１−１、１０１−２、１０１−３が１グループと
されており、破線で図示するようにグループ毎に電子を
供給する電界放出アレイＦ−１、Ｆ−２・・・がカソー
ド基板１０３に分割されて設けられている。この電界放
出アレイＦ−１、Ｆ−２・・・にはカソード１０４−
１、１０４−２・・上に複数のエミッタコーン１０５と
ゲート１０６とが形成されている。なお、ゲート１０６
はストライプ状とされてカソード１０４上に直交配置さ
れており、ゲート１０６とカソード１０４とによりマト
リクスを構成してダイナミック駆動を行えるようにして
いる。
【０００８】また、このエミッタコーン１０５間のピッ
チは１０ミクロン以下の寸法で作成することができ、こ
のようなエミッタコーン１０５を数百万ないし数千万
個、１枚のカソード基板１０３上に設けるようにしてい
る。なお、この電界放出アレイにおいては、ゲート・カ
ソード間の距離をサブミクロンとすることができるた
め、ゲート・カソード間に僅か数１０ボルトの電圧を印
加することによりエミッタコーン１０５から電子を放出
することができる。このようにして、エミッタコーン１
０５から放出された電子は、ゲート１０６上に離隔して
配置されたアノード基板１００に設けられたアノード１
０１により捕集されるようになる。このアノード１０１
には、正電圧を同色の画素が付着されたアノード１０１
毎に選択して印加している。
チは１０ミクロン以下の寸法で作成することができ、こ
のようなエミッタコーン１０５を数百万ないし数千万
個、１枚のカソード基板１０３上に設けるようにしてい
る。なお、この電界放出アレイにおいては、ゲート・カ
ソード間の距離をサブミクロンとすることができるた
め、ゲート・カソード間に僅か数１０ボルトの電圧を印
加することによりエミッタコーン１０５から電子を放出
することができる。このようにして、エミッタコーン１
０５から放出された電子は、ゲート１０６上に離隔して
配置されたアノード基板１００に設けられたアノード１
０１により捕集されるようになる。このアノード１０１
には、正電圧を同色の画素が付着されたアノード１０１
毎に選択して印加している。
【０００９】このために、アノード１０１−１、１０１
−４・・・にアノードライン１０７−１を接続し、アノ
ード１０１−２、１０１−５・・・にアノードライン１
０７−２を接続し、アノード１０１−３、１０１−６に
アノードライン１０７−３を接続して、これらのアノー
ドライン１０７−１〜１０７−３を順次選択してアノー
ド電圧を印加することによりＲ、Ｇ、Ｂの選択を行って
いる。この場合、選択されていないアノードラインはア
ースに接続されている。これにより、フルカラーの画像
をアノード基板１００上に得ることができ、この画像は
アノード基板１００を介して観察することができるよう
にされている。
−４・・・にアノードライン１０７−１を接続し、アノ
ード１０１−２、１０１−５・・・にアノードライン１
０７−２を接続し、アノード１０１−３、１０１−６に
アノードライン１０７−３を接続して、これらのアノー
ドライン１０７−１〜１０７−３を順次選択してアノー
ド電圧を印加することによりＲ、Ｇ、Ｂの選択を行って
いる。この場合、選択されていないアノードラインはア
ースに接続されている。これにより、フルカラーの画像
をアノード基板１００上に得ることができ、この画像は
アノード基板１００を介して観察することができるよう
にされている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うなディスプレイ装置においては、アノード１０１に印
加できる電圧はアノード１０１間の絶縁破壊電圧により
決定される。このアノード１０１−１と１０１−２間の
距離を、例えば約５０ミクロンとすると、このような微
小距離における場合の絶縁破壊電圧は、アノード１０１
間の空間的距離で決まる絶縁破壊電圧（電極間絶縁破壊
電圧）よりも、アノード１０１が形成されているアノー
ド基板１００の表面の沿面距離で決まる絶縁破壊電圧
（沿面絶縁破壊電圧）により支配される。この沿面距離
で決まる絶縁破壊電圧は、アノード基板１００の材料に
よっても異なる電圧となるが、例えばアノード基板１０
０をパイレックスガラスとすると、約５０ミクロンの電
極間距離において、約１００〜３００ボルトとなる。
うなディスプレイ装置においては、アノード１０１に印
加できる電圧はアノード１０１間の絶縁破壊電圧により
決定される。このアノード１０１−１と１０１−２間の
距離を、例えば約５０ミクロンとすると、このような微
小距離における場合の絶縁破壊電圧は、アノード１０１
間の空間的距離で決まる絶縁破壊電圧（電極間絶縁破壊
電圧）よりも、アノード１０１が形成されているアノー
ド基板１００の表面の沿面距離で決まる絶縁破壊電圧
（沿面絶縁破壊電圧）により支配される。この沿面距離
で決まる絶縁破壊電圧は、アノード基板１００の材料に
よっても異なる電圧となるが、例えばアノード基板１０
０をパイレックスガラスとすると、約５０ミクロンの電
極間距離において、約１００〜３００ボルトとなる。
【００１１】このため、アノード１０１間の距離を狭く
することができなかった。さらに、アノード間の距離を
狭くした場合、アノード１０１間に生じる浮遊容量によ
ってアノードに印加されるアノード電圧の波形の立ち上
がりが鈍り発光輝度がより低下するという問題点もあっ
た。
することができなかった。さらに、アノード間の距離を
狭くした場合、アノード１０１間に生じる浮遊容量によ
ってアノードに印加されるアノード電圧の波形の立ち上
がりが鈍り発光輝度がより低下するという問題点もあっ
た。
【００１２】そこで、このような問題点を改善するため
に図５に示すようなＦＥＤのアノード基板の改良が提案
されている。このＦＥＤのアノード基板１００上には、
例えばＩＴＯからなるストライプ状のアノード１１１が
多数、アノード基板１００上に形成されていると共に、
このアノード１１１の上にそれぞれ蛍光体１１２が付着
されている。このアノード基板１００上に形成されてい
るアノード１１１の幅は上記した図４に示すＦＥＤのア
ノード１０１と比較して細く形成されており、蛍光体１
１２はアノード１１１の上面だけでなく、隣接するアノ
ードの間隙部にはみ出るように付着されている。つま
り、アノード１１２の幅より蛍光体１１２の幅が広くな
るようアノード１１１に付着されている。なお、他の構
造は上記した図４のＦＥＤと同一構造とされているた
め、説明は省略する。
に図５に示すようなＦＥＤのアノード基板の改良が提案
されている。このＦＥＤのアノード基板１００上には、
例えばＩＴＯからなるストライプ状のアノード１１１が
多数、アノード基板１００上に形成されていると共に、
このアノード１１１の上にそれぞれ蛍光体１１２が付着
されている。このアノード基板１００上に形成されてい
るアノード１１１の幅は上記した図４に示すＦＥＤのア
ノード１０１と比較して細く形成されており、蛍光体１
１２はアノード１１１の上面だけでなく、隣接するアノ
ードの間隙部にはみ出るように付着されている。つま
り、アノード１１２の幅より蛍光体１１２の幅が広くな
るようアノード１１１に付着されている。なお、他の構
造は上記した図４のＦＥＤと同一構造とされているた
め、説明は省略する。
【００１３】これにより、アノード１１１間の距離が広
くなり絶縁破壊電圧を高く設定することが可能になるた
め、印加するアノード電圧を高くして発光輝度を上げる
ことができるようになる。
くなり絶縁破壊電圧を高く設定することが可能になるた
め、印加するアノード電圧を高くして発光輝度を上げる
ことができるようになる。
【００１４】しかしながら、上記したようにアノード１
１１の幅を狭くすると、特に抵抗値の高い蛍光体（例え
ばＹ2 Ｏ2S：Ｅ u（Ｒｅｄ））を付着している電極で
は、エミッタコーン１０５から放出された電子がいわゆ
る、チャージアップ現象によって発光しなくなるという
問題点があった。また、上記した２つのＦＥＤのアノー
ド基板は同一平面上にアノードが形成されているため、
フルカラー構造とした場合、アノード上に付着させる３
原色の蛍光体間にギャップを設ける必要から、開口率を
上げることが困難になる。
１１の幅を狭くすると、特に抵抗値の高い蛍光体（例え
ばＹ2 Ｏ2S：Ｅ u（Ｒｅｄ））を付着している電極で
は、エミッタコーン１０５から放出された電子がいわゆ
る、チャージアップ現象によって発光しなくなるという
問題点があった。また、上記した２つのＦＥＤのアノー
ド基板は同一平面上にアノードが形成されているため、
フルカラー構造とした場合、アノード上に付着させる３
原色の蛍光体間にギャップを設ける必要から、開口率を
上げることが困難になる。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような問題
に鑑みてなされたもので、絶縁基板の一方の面にストラ
イプ状の多数の溝を形成すると共に、ストライプ状の溝
の凸部に第１の透光性のアノードを配設し、ストライプ
状の溝の凹部に第２の透光性のアノードを配設する。そ
して、第１の透光性のアノードの上面に３原色のうち抵
抗値が高い蛍光体を付着し、第２の透光性のアノードの
幅方向の中心から左右の端面に渡る領域に残る２つの蛍
光体を付着する。また、ストライプ状の溝の凹部の幅
が、その溝の凸部の幅より広くなるように形成する。
に鑑みてなされたもので、絶縁基板の一方の面にストラ
イプ状の多数の溝を形成すると共に、ストライプ状の溝
の凸部に第１の透光性のアノードを配設し、ストライプ
状の溝の凹部に第２の透光性のアノードを配設する。そ
して、第１の透光性のアノードの上面に３原色のうち抵
抗値が高い蛍光体を付着し、第２の透光性のアノードの
幅方向の中心から左右の端面に渡る領域に残る２つの蛍
光体を付着する。また、ストライプ状の溝の凹部の幅
が、その溝の凸部の幅より広くなるように形成する。
【００１６】また、絶縁基板の一方の面にストライプ状
の多数の溝を形成すると共に、ストライプ状の溝の凸部
に第１の透光性のアノードを配設し、ストライプ状の溝
の凹部に第２の透光性のアノードを配設する。そして、
第１の透光性のアノードの上面に３原色のうち抵抗値が
高い蛍光体を付着し、第２の透光性のアノードの幅方向
の中心から左右の端面に渡る領域に残る２つの蛍光体を
付着し、ストライプ状の溝の凹部の幅が、その溝の凸部
の幅より広くなるように形成されるディスプレイのアノ
ード基板と、ディスプレイのアノード基板に対向して電
界放出アレイが形成されているカソード基板が設けられ
ている。
の多数の溝を形成すると共に、ストライプ状の溝の凸部
に第１の透光性のアノードを配設し、ストライプ状の溝
の凹部に第２の透光性のアノードを配設する。そして、
第１の透光性のアノードの上面に３原色のうち抵抗値が
高い蛍光体を付着し、第２の透光性のアノードの幅方向
の中心から左右の端面に渡る領域に残る２つの蛍光体を
付着し、ストライプ状の溝の凹部の幅が、その溝の凸部
の幅より広くなるように形成されるディスプレイのアノ
ード基板と、ディスプレイのアノード基板に対向して電
界放出アレイが形成されているカソード基板が設けられ
ている。
【００１７】また、第１のアノードと、第２のアノード
が交互に選択駆動されるドライブ回路と、カソード基板
上から放出される電子が選択されたアノード側に偏向さ
れる制御回路を備えている。
が交互に選択駆動されるドライブ回路と、カソード基板
上から放出される電子が選択されたアノード側に偏向さ
れる制御回路を備えている。
【００１８】
【作用】本発明によれば、透光性のアノードのピッチに
よって絶縁破壊電圧が低下することなく、安定したアノ
ードスイッチイングを行うことができる。また、アノー
ド間に生じる浮遊容量を小さくすることができるため、
アノードに印加するアノード電圧の波形の鈍りによる発
光輝度の低下を防ぐことができる。さらに、蛍光体間の
ギャップを無くすことができるため表示面の開口率を上
げることができると共に、発光効率の悪い蛍光体に電子
を集中させることができるようになり効率よく発光させ
ることができる。
よって絶縁破壊電圧が低下することなく、安定したアノ
ードスイッチイングを行うことができる。また、アノー
ド間に生じる浮遊容量を小さくすることができるため、
アノードに印加するアノード電圧の波形の鈍りによる発
光輝度の低下を防ぐことができる。さらに、蛍光体間の
ギャップを無くすことができるため表示面の開口率を上
げることができると共に、発光効率の悪い蛍光体に電子
を集中させることができるようになり効率よく発光させ
ることができる。
【００１９】
【実施例】図１に本発明の実施例のアノード基板を適用
したＦＥＤの一例を示す。この図に示すように本実施例
のＦＥＤは、電界放出アレイが形成されたカソード基板
４と、透光性のアノード（以下アノードという）２が形
成されたアノード基板１とが所定の間隔を持って対向配
置されて構成されている。このカソード基板４に形成さ
れた電界放出アレイは、スパッタ等により形成されたカ
ソード５と、その上に複数形成された円錐状のエミッタ
コーン７と、このエミッタコーン７の先端近傍に形成さ
れたゲート６とから構成されるスピント（Spindt）型の
電界放出アレイとされている。
したＦＥＤの一例を示す。この図に示すように本実施例
のＦＥＤは、電界放出アレイが形成されたカソード基板
４と、透光性のアノード（以下アノードという）２が形
成されたアノード基板１とが所定の間隔を持って対向配
置されて構成されている。このカソード基板４に形成さ
れた電界放出アレイは、スパッタ等により形成されたカ
ソード５と、その上に複数形成された円錐状のエミッタ
コーン７と、このエミッタコーン７の先端近傍に形成さ
れたゲート６とから構成されるスピント（Spindt）型の
電界放出アレイとされている。
【００２０】一方、カソード基板４に対向配置されたア
ノード基板１は例えばアノード基板１の材料であるガラ
ス基板をフッ酸等で凸部と凹部とが２０〜３０ミクロン
程度の深さで交互に形成するようにエッチングされてい
る。そして、例えばＩＴＯからなるストライプ状のアノ
ード２が多数、アノード基板１上に形成されていると共
に、このアノード２上にそれぞれ蛍光体３が付着されて
いる。また、アノード２はＡｌ薄膜等の金属膜を開口部
を有するようにメッシュ状あるいはストライプ状に形成
し、この開口部から後述する蛍光体の発光を観察するよ
うにしてもよい。
ノード基板１は例えばアノード基板１の材料であるガラ
ス基板をフッ酸等で凸部と凹部とが２０〜３０ミクロン
程度の深さで交互に形成するようにエッチングされてい
る。そして、例えばＩＴＯからなるストライプ状のアノ
ード２が多数、アノード基板１上に形成されていると共
に、このアノード２上にそれぞれ蛍光体３が付着されて
いる。また、アノード２はＡｌ薄膜等の金属膜を開口部
を有するようにメッシュ状あるいはストライプ状に形成
し、この開口部から後述する蛍光体の発光を観察するよ
うにしてもよい。
【００２１】この場合、アノード２はアノード基板１の
凸部に形成される第１のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・
・・と、アノード基板１の凹部に形成される第１のアノ
ード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・・より広幅とされる第２の
アノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 、・・・とで形成され
ている。そして、第１のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2・
・・の上面に、例えばＹ2O 2Ｓ：Ｅｕ等からなる赤色
（Ｒ）の蛍光体３が形成され、第２のアノード２−ＢＧ
1 、２−ＢＧ2 ・・・には上面だけでなく、隣接するア
ノード基板１の凸部の壁面まで、例えばＺｎＳ：Ａｇ，
Ａｌ，Ｙ2SｉＯ 5：Ｃｅ等からなる青色（Ｂ）の蛍光体
が、さらには、例えばＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ，ＺｎＧａ2
Ｏ4 ：Ｍｎ等からなる緑色（Ｇ）の蛍光体３が形成され
ている。
凸部に形成される第１のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・
・・と、アノード基板１の凹部に形成される第１のアノ
ード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・・より広幅とされる第２の
アノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 、・・・とで形成され
ている。そして、第１のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2・
・・の上面に、例えばＹ2O 2Ｓ：Ｅｕ等からなる赤色
（Ｒ）の蛍光体３が形成され、第２のアノード２−ＢＧ
1 、２−ＢＧ2 ・・・には上面だけでなく、隣接するア
ノード基板１の凸部の壁面まで、例えばＺｎＳ：Ａｇ，
Ａｌ，Ｙ2SｉＯ 5：Ｃｅ等からなる青色（Ｂ）の蛍光体
が、さらには、例えばＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ，ＺｎＧａ2
Ｏ4 ：Ｍｎ等からなる緑色（Ｇ）の蛍光体３が形成され
ている。
【００２２】図２に上記したアノード基板１の構成の拡
大図を示す。この図において、アノード基板１の凸部に
形成された第１のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・・と
アノード基板１の凹部に形成された第２のアノード２−
ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・・・は凹凸の溝に沿ってストライ
プ状とされ、第１のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 には、
例えば３原色の中で抵抗値が高いとされる赤色（Ｒ）の
蛍光体３−Ｒ1 、３−Ｒ2 が上面に形成され、第２のア
ノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・・には一端のアノード
基板１の壁面から第２のアノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ
2 ・・上の中央部にかけて、緑色（Ｇ）の蛍光体３−Ｇ
1 、３−Ｇ2 ・・・が形成されると共に、他端部のアノ
ード基板１の壁面から青色（Ｂ）の蛍光体３−Ｂ1 、３
−Ｂ2 ・・・が形成されている。
大図を示す。この図において、アノード基板１の凸部に
形成された第１のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・・と
アノード基板１の凹部に形成された第２のアノード２−
ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・・・は凹凸の溝に沿ってストライ
プ状とされ、第１のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 には、
例えば３原色の中で抵抗値が高いとされる赤色（Ｒ）の
蛍光体３−Ｒ1 、３−Ｒ2 が上面に形成され、第２のア
ノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・・には一端のアノード
基板１の壁面から第２のアノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ
2 ・・上の中央部にかけて、緑色（Ｇ）の蛍光体３−Ｇ
1 、３−Ｇ2 ・・・が形成されると共に、他端部のアノ
ード基板１の壁面から青色（Ｂ）の蛍光体３−Ｂ1 、３
−Ｂ2 ・・・が形成されている。
【００２３】このように、第１のアノード２−Ｒ1 、２
−Ｒ2 ・・には３原色の内、赤色（Ｒ）の蛍光体が、第
２のアノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・・には青色
（Ｂ）、緑色（Ｇ）の２つの蛍光体が形成されている。
そして、例えば第１のアノード２−Ｒ1 と隣接する第２
のアノード２−ＢＧ1 、及び２−ＢＧ2 が１グループと
されて図１に破線及び二点鎖線で図示されているように
グループ毎に電子を供給する複数の電界放出アレイのブ
ロックＦ−１、Ｆ−２・・・が分割されてカソード基板
４に設けられている。
−Ｒ2 ・・には３原色の内、赤色（Ｒ）の蛍光体が、第
２のアノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・・には青色
（Ｂ）、緑色（Ｇ）の２つの蛍光体が形成されている。
そして、例えば第１のアノード２−Ｒ1 と隣接する第２
のアノード２−ＢＧ1 、及び２−ＢＧ2 が１グループと
されて図１に破線及び二点鎖線で図示されているように
グループ毎に電子を供給する複数の電界放出アレイのブ
ロックＦ−１、Ｆ−２・・・が分割されてカソード基板
４に設けられている。
【００２４】つまり、図１に示すようにカソード５は、
アノード２に対応して平行なストライプ状のカソードと
されており、それぞれのカソード５−１、５−２・・・
には複数のエミッタコーン７とゲート６とが形成され
て、電界放出アレイＦ−１、Ｆ−２、Ｆ−３が構成され
ている。さらにカソード５−１、５−２、５−３・・・
間には集束電極１０−１、１０−２、１０−３・・・が
設けられており、集束電極１０−１、１０−２、１０−
３・・・が集束電極ライン１１に接続されて集束電圧が
印加されることにより、電界放出アレイＦ−１、Ｆ−
２、Ｆ−３・・・から放出された電子をアノード基板１
に向けて集束している。なお、各エミッタコーン７に対
して設けられているゲート６はストライプ状とされてい
るカソード５に対して直交する方向に配置されており、
ゲート６とカソード５とによりマトリクス状の構造とす
ることによりダイナミック駆動が行えるようにしてい
る。
アノード２に対応して平行なストライプ状のカソードと
されており、それぞれのカソード５−１、５−２・・・
には複数のエミッタコーン７とゲート６とが形成され
て、電界放出アレイＦ−１、Ｆ−２、Ｆ−３が構成され
ている。さらにカソード５−１、５−２、５−３・・・
間には集束電極１０−１、１０−２、１０−３・・・が
設けられており、集束電極１０−１、１０−２、１０−
３・・・が集束電極ライン１１に接続されて集束電圧が
印加されることにより、電界放出アレイＦ−１、Ｆ−
２、Ｆ−３・・・から放出された電子をアノード基板１
に向けて集束している。なお、各エミッタコーン７に対
して設けられているゲート６はストライプ状とされてい
るカソード５に対して直交する方向に配置されており、
ゲート６とカソード５とによりマトリクス状の構造とす
ることによりダイナミック駆動が行えるようにしてい
る。
【００２５】また、隣接する各エミッタコーン７間のピ
ッチは１０ミクロン以下の寸法で作成することができ、
このようなエミッタコーン７を数十万ないし数千万個、
１枚のカソード基板４上に設けるようにしている。な
お、この電界放出アレイＦ−１、Ｆ−２、Ｆ−３・・・
においては、ゲート・カソード間の距離をサブミクロン
とすることができるため、ゲート・カソード間に僅か数
１０ボルトの電圧を印加することによりエミッタコーン
７から電子を放出することができる。このようにして、
エミッタコーン７から放出された電子は、ゲート６上に
離隔して配置されたアノード基板１に設けられたアノー
ド２により捕集されるようになる。このアノード２に
は、正電圧が第１のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・・
と第２のアノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・・とに交互
に印加されている。
ッチは１０ミクロン以下の寸法で作成することができ、
このようなエミッタコーン７を数十万ないし数千万個、
１枚のカソード基板４上に設けるようにしている。な
お、この電界放出アレイＦ−１、Ｆ−２、Ｆ−３・・・
においては、ゲート・カソード間の距離をサブミクロン
とすることができるため、ゲート・カソード間に僅か数
１０ボルトの電圧を印加することによりエミッタコーン
７から電子を放出することができる。このようにして、
エミッタコーン７から放出された電子は、ゲート６上に
離隔して配置されたアノード基板１に設けられたアノー
ド２により捕集されるようになる。このアノード２に
は、正電圧が第１のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・・
と第２のアノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・・とに交互
に印加されている。
【００２６】このために、第１のアノード２−Ｒ1 、２
−Ｒ2 ・・・にアノードライン８−Ｒを接続し、第２の
アノード２−ＢＧ1 ２−ＢＧ2 ・・・にアノードライン
８−ＢＧを接続して、これらのアノードライン８−Ｒ、
８−ＢＧを交互に選択してアノード電圧を印加すること
によりＲとＧ、Ｂの選択を行っている。これにより、フ
ルカラーの画像をアノード基板１上に得ることができ、
この画像はアノード基板１を介して観察することができ
るようにされている。
−Ｒ2 ・・・にアノードライン８−Ｒを接続し、第２の
アノード２−ＢＧ1 ２−ＢＧ2 ・・・にアノードライン
８−ＢＧを接続して、これらのアノードライン８−Ｒ、
８−ＢＧを交互に選択してアノード電圧を印加すること
によりＲとＧ、Ｂの選択を行っている。これにより、フ
ルカラーの画像をアノード基板１上に得ることができ、
この画像はアノード基板１を介して観察することができ
るようにされている。
【００２７】この場合、ゲート６とカソード５からなる
マトリクスにより順次走査されているが、カソード基板
４から電子が供給される態様を図１を参照しながら説明
する。まず、アノードライン８−Ｒが選択されて、アノ
ード電圧がアノード２−Ｒ1、２−Ｒ2 ・・に印加され
た場合、対向して設けられている２つの電界放出アレイ
例えばＦ−２、Ｆ−３から二点鎖線で示すようにアノー
ド２−Ｒ1 に電子が供給され、Ｒの蛍光体が発光する。
この時、電界放出アレイＦ−２、Ｆ−３のゲート６には
図示されていないがゲート引き出し電極よりＲの色デー
タが印加されて、ゲート６が制御されている。
マトリクスにより順次走査されているが、カソード基板
４から電子が供給される態様を図１を参照しながら説明
する。まず、アノードライン８−Ｒが選択されて、アノ
ード電圧がアノード２−Ｒ1、２−Ｒ2 ・・に印加され
た場合、対向して設けられている２つの電界放出アレイ
例えばＦ−２、Ｆ−３から二点鎖線で示すようにアノー
ド２−Ｒ1 に電子が供給され、Ｒの蛍光体が発光する。
この時、電界放出アレイＦ−２、Ｆ−３のゲート６には
図示されていないがゲート引き出し電極よりＲの色デー
タが印加されて、ゲート６が制御されている。
【００２８】次に、アノードライン８−ＢＧが選択され
て、アノード電圧がアノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・
・に印加された場合は、対向して設けられている電界放
出アレイＦ−２からは破線で示すように電子が供給され
る。例えば電界放出アレイＦ−２からはアノード２−Ｂ
Ｇ1 に形成されているＧの蛍光体に、電界放出アレイＦ
−３からはアノード２−ＢＧ2 に形成されているＢの蛍
光体にそれぞれ電子が供給される。この時、電界放出ア
レイＦ−２のゲート６には図示されていないゲート引き
出し電極よりＧの色のデータが、電界放出アレイＦ−３
のゲート６にはＢの色データがそれぞれ印加されて、ゲ
ート６がそれぞれ制御されている。
て、アノード電圧がアノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・
・に印加された場合は、対向して設けられている電界放
出アレイＦ−２からは破線で示すように電子が供給され
る。例えば電界放出アレイＦ−２からはアノード２−Ｂ
Ｇ1 に形成されているＧの蛍光体に、電界放出アレイＦ
−３からはアノード２−ＢＧ2 に形成されているＢの蛍
光体にそれぞれ電子が供給される。この時、電界放出ア
レイＦ−２のゲート６には図示されていないゲート引き
出し電極よりＧの色のデータが、電界放出アレイＦ−３
のゲート６にはＢの色データがそれぞれ印加されて、ゲ
ート６がそれぞれ制御されている。
【００２９】なお、例えばアノードライン８−Ｒにアノ
ード電圧が印加されている場合、電界放出アレイＦ−２
から放出される電子、及び電界放出アレイＦ−３から放
出される電子はアノード２−Ｒ1 に捕集されることにな
るが、電界放出アレイＦ−２から放出された電子の一部
がアノード２−ＢＧ1 に、電界放出アレイＦ−３から放
出された電子の一部がアノード２−ＢＧ2 に捕獲される
ことがある。このため、カソード５−１、５−２・・・
間には集束電極１０−１、１０−２・・・を設け、この
集束電極１０−１、１０−２・・・に接続されている集
束電極ライン１１より負の制御電圧を印加する。これに
より生じる電界で電界放出アレイＦ−２、Ｆ−３から放
出された電子が二点鎖線で示すように隣接するアノード
２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 に引き寄せられることなくアノ
ード２−Ｒ1 に捕集されるようになされている。
ード電圧が印加されている場合、電界放出アレイＦ−２
から放出される電子、及び電界放出アレイＦ−３から放
出される電子はアノード２−Ｒ1 に捕集されることにな
るが、電界放出アレイＦ−２から放出された電子の一部
がアノード２−ＢＧ1 に、電界放出アレイＦ−３から放
出された電子の一部がアノード２−ＢＧ2 に捕獲される
ことがある。このため、カソード５−１、５−２・・・
間には集束電極１０−１、１０−２・・・を設け、この
集束電極１０−１、１０−２・・・に接続されている集
束電極ライン１１より負の制御電圧を印加する。これに
より生じる電界で電界放出アレイＦ−２、Ｆ−３から放
出された電子が二点鎖線で示すように隣接するアノード
２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 に引き寄せられることなくアノ
ード２−Ｒ1 に捕集されるようになされている。
【００３０】このように構成された本発明の実施例のア
ノード基板１は、一般に抵抗値が高く発光効率が他の蛍
光体より劣るとされているＲの蛍光体をアノード基板１
の凸部に付着させている。このようにするとカソード５
との距離が凹部より近くなり、凹部に形成されている残
りのＧ、Ｂの蛍光体と比較して同一のアノード電圧を印
加した場合でも深さ方向の距離に比例して電界強度が強
くなる。例えばアノード基板１の凸部に形成された第１
のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・とカソード５との距
離を１５０ミクロンとした場合、アノード基板１に３０
ミクロンの凹部を設けて第２のアノード２−ＢＧ1 、２
−ＢＧ2 ・・を形成すると、凸部に形成されている第１
のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・の電界強度は、凹部
に形成された第２のアノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・
・の電界強度と比較して約２０％程度強くなる。
ノード基板１は、一般に抵抗値が高く発光効率が他の蛍
光体より劣るとされているＲの蛍光体をアノード基板１
の凸部に付着させている。このようにするとカソード５
との距離が凹部より近くなり、凹部に形成されている残
りのＧ、Ｂの蛍光体と比較して同一のアノード電圧を印
加した場合でも深さ方向の距離に比例して電界強度が強
くなる。例えばアノード基板１の凸部に形成された第１
のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・とカソード５との距
離を１５０ミクロンとした場合、アノード基板１に３０
ミクロンの凹部を設けて第２のアノード２−ＢＧ1 、２
−ＢＧ2 ・・を形成すると、凸部に形成されている第１
のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・の電界強度は、凹部
に形成された第２のアノード２−ＢＧ1 、２−ＢＧ2 ・
・の電界強度と比較して約２０％程度強くなる。
【００３１】したがって、ゲート６に捕集される電子に
対してアノード２に捕集される電子の比率、すなわち分
配率はアノード基板１の凸部に形成されている第１のア
ノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・の方が向上し、この第１
のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・に付着されているＲ
の蛍光体の輝度を上げることができる。
対してアノード２に捕集される電子の比率、すなわち分
配率はアノード基板１の凸部に形成されている第１のア
ノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・の方が向上し、この第１
のアノード２−Ｒ1 、２−Ｒ2 ・・に付着されているＲ
の蛍光体の輝度を上げることができる。
【００３２】上記したアノード２とカソード５の距離と
分配率の関係を図３に示す。この図において、横軸はア
ノード２に印加する電圧Ｖa 、縦軸は分配率をそれぞれ
示している。このグラフからわかるようにアノード２と
カソード５との距離は３００ミクロンに対して１５０ミ
クロンと近付けた方がアノード電圧Ｖa に関わらず分配
率が良くなることがわかる。
分配率の関係を図３に示す。この図において、横軸はア
ノード２に印加する電圧Ｖa 、縦軸は分配率をそれぞれ
示している。このグラフからわかるようにアノード２と
カソード５との距離は３００ミクロンに対して１５０ミ
クロンと近付けた方がアノード電圧Ｖa に関わらず分配
率が良くなることがわかる。
【００３３】さらに、アノード基板１の凸部に形成され
たＲの蛍光体には２つの電界放出アレイから電子が供給
され、残るＢ、Ｇの蛍光体に各々は１つの電界放出アレ
イから電子が供給されるため、発光効率の低いＲの蛍光
体の輝度をさらに上げることができる。
たＲの蛍光体には２つの電界放出アレイから電子が供給
され、残るＢ、Ｇの蛍光体に各々は１つの電界放出アレ
イから電子が供給されるため、発光効率の低いＲの蛍光
体の輝度をさらに上げることができる。
【００３４】また、図２に示すように例えばアノード２
−Ｒ1 と隣接するアノード２−ＢＧ1 、及び２−ＢＧ2
間の沿面距離は凸部の深さ方向の距離によって決定され
る。したがって、アノード２−Ｒ1 とアノード２−ＢＧ
1 、及び２−ＢＧ2 間の絶縁破壊電圧は凸部の深さ方向
の距離によって維持することができる。さらに、アノー
ド２の配線間に生じる浮遊容量はアノード基板１の深さ
方向の距離によって少なくなりアノード電圧の波形の鈍
りによる輝度の低下を防止することができる。また、蛍
光体ＲＧ間、ＲＢ間が凹凸になるため、平面方向にギャ
ップを設ける必要がなく、蛍光体間のギャップをＤ2 の
みとすることが可能となり１ピクセル間の画像ピッチＤ
1 の開口率を大きくすることが可能になる。
−Ｒ1 と隣接するアノード２−ＢＧ1 、及び２−ＢＧ2
間の沿面距離は凸部の深さ方向の距離によって決定され
る。したがって、アノード２−Ｒ1 とアノード２−ＢＧ
1 、及び２−ＢＧ2 間の絶縁破壊電圧は凸部の深さ方向
の距離によって維持することができる。さらに、アノー
ド２の配線間に生じる浮遊容量はアノード基板１の深さ
方向の距離によって少なくなりアノード電圧の波形の鈍
りによる輝度の低下を防止することができる。また、蛍
光体ＲＧ間、ＲＢ間が凹凸になるため、平面方向にギャ
ップを設ける必要がなく、蛍光体間のギャップをＤ2 の
みとすることが可能となり１ピクセル間の画像ピッチＤ
1 の開口率を大きくすることが可能になる。
【００３５】なお、本発明の実施例のアノード基板１と
してガラス基板を加工する場合、例えばダイシングソー
などの深さ方向に高精度の加工ができる装置を用いて凹
凸を形成するようにしてもよい。また、例えば板ガラス
などのソーダーライムガラスを用いる場合、例えばＮa+
などの不純物イオンが問題になるため、加工した後、Ｓ
ｉｏ2 等の絶縁層を形成するようにしてもよい、
してガラス基板を加工する場合、例えばダイシングソー
などの深さ方向に高精度の加工ができる装置を用いて凹
凸を形成するようにしてもよい。また、例えば板ガラス
などのソーダーライムガラスを用いる場合、例えばＮa+
などの不純物イオンが問題になるため、加工した後、Ｓ
ｉｏ2 等の絶縁層を形成するようにしてもよい、
【００３６】また、例えばＩＴＯなどからなるストライ
プ状のアノード２の形成はアノード基板１上に凹凸が形
成されているため、このアノード基板１上にアノードの
電極材料であるＩＴＯを蒸着等で付着し、引き出し電極
をつけることで作製できるようになり、特にパターンニ
ングを行う必要がない。さらに、アノード２間の沿面距
離の関数で決まる絶縁破壊電圧は、同一平面上にアノー
ド２を形成した場合、配線間のエッチング残り等で、配
線間の耐圧は理論値より低くなる。しかしながら、上記
したようにアノード基板１の凹凸部にアノード２を加工
すると配線間のエッチング残りの問題が無くなり沿面距
離だけで絶縁破壊電圧が決定され、真空中では例えば５
００Ｖ以上の耐圧を確保することができるようになる。
但し、アノード基板１の凸部の壁面にアノードの電極材
料が付着する場合もあるので、オーバーエッチングする
ことにより壁面のアノードの電極材料を取り去るように
した方が良い。また、蛍光体の形成は、スラリー法や光
粘着法等の光プロセスで形成する方法であれば問題なく
形成することが可能である。
プ状のアノード２の形成はアノード基板１上に凹凸が形
成されているため、このアノード基板１上にアノードの
電極材料であるＩＴＯを蒸着等で付着し、引き出し電極
をつけることで作製できるようになり、特にパターンニ
ングを行う必要がない。さらに、アノード２間の沿面距
離の関数で決まる絶縁破壊電圧は、同一平面上にアノー
ド２を形成した場合、配線間のエッチング残り等で、配
線間の耐圧は理論値より低くなる。しかしながら、上記
したようにアノード基板１の凹凸部にアノード２を加工
すると配線間のエッチング残りの問題が無くなり沿面距
離だけで絶縁破壊電圧が決定され、真空中では例えば５
００Ｖ以上の耐圧を確保することができるようになる。
但し、アノード基板１の凸部の壁面にアノードの電極材
料が付着する場合もあるので、オーバーエッチングする
ことにより壁面のアノードの電極材料を取り去るように
した方が良い。また、蛍光体の形成は、スラリー法や光
粘着法等の光プロセスで形成する方法であれば問題なく
形成することが可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上、説明したように本発明のディスプ
レイのアノード基板においては、アノード基板に凹凸を
形成し、この凹凸に透光性のアノードを形成することに
よって、アノード間のピッチを狭くしてもアノード間の
絶縁破壊電圧を維持し、安定したアノードによるスイッ
チングを行うことができるようになる。
レイのアノード基板においては、アノード基板に凹凸を
形成し、この凹凸に透光性のアノードを形成することに
よって、アノード間のピッチを狭くしてもアノード間の
絶縁破壊電圧を維持し、安定したアノードによるスイッ
チングを行うことができるようになる。
【００３８】さらに、アノードの配線間に生じる浮遊容
量をアノード基板の深さ方向のエッチングで決めること
ができるため、容量を小さくすることができるようにな
りアノードに印加するアノード電圧の波形の鈍りによる
発光輝度の低下を防ぐことができる。また、アノードと
蛍光体の面積をほぼ同じにすることが可能になり、無効
電流を少なくすることができるようになる。また、１ピ
クセル内の蛍光体間のギャップを無くすことができるた
め、開口率を上げることができるようになると共に、抵
抗値の高い蛍光体を凸部に形成して電子を集中させるよ
うにしたことによって効率よく発光させることが可能に
なる。
量をアノード基板の深さ方向のエッチングで決めること
ができるため、容量を小さくすることができるようにな
りアノードに印加するアノード電圧の波形の鈍りによる
発光輝度の低下を防ぐことができる。また、アノードと
蛍光体の面積をほぼ同じにすることが可能になり、無効
電流を少なくすることができるようになる。また、１ピ
クセル内の蛍光体間のギャップを無くすことができるた
め、開口率を上げることができるようになると共に、抵
抗値の高い蛍光体を凸部に形成して電子を集中させるよ
うにしたことによって効率よく発光させることが可能に
なる。
【図１】本発明の実施例のアノード基板をディスプレイ
に適用した図である。
に適用した図である。
【図２】本発明の実施例のアノード基板の一部を拡大し
て示した図である。
て示した図である。
【図３】アノードとカソード間のギャップと分配率の関
係を示した図である。
係を示した図である。
【図４】従来のアノード基板をディスプレイに適用した
図である。
図である。
【図５】従来の細幅のアノードを有しているアノード基
板をディスプレイに適用した図である。
板をディスプレイに適用した図である。
１，１００ アノード基板 ２，２−Ｒ1 ，２−Ｇ1 ，２−Ｂ1 ，２−Ｒ2 ，２−Ｇ
2 ，２−Ｂ2 ，２−ＢＧ1 ，２−ＢＧ2 ，２−ＢＧ3 ，
１０１，１０１−１，１０１−２，１０１−３，１０１
−４，１０１−５，１０１−６，１１１，１１１−１，
１１１−２，１１１−３，１１１−４，１１１−５，１
１１−６，１１１−７，１１１−８，１１１−９ 透光
性のアノード ３，３−Ｒ1 ，３−Ｇ1 ，３−Ｒ2 ，３−Ｇ2 ，３−Ｂ
2 ，１０２ 蛍光体 ４，１０３ カソード基板 ５，５−１，５−２，５−３，５−４，５−５，５−
６，５−７，１０４，１０４−１，１０４−２ カソー
ド ６，１０６ ゲート ７，１０５ エミッタコーン ８−ＢＧ，８−Ｒ，１０７−１，１０７−２，１０７−
３ アノードライン １０，１０−１，１０−２，１０−３，１０−４，１０
−５，１０−６ 集束電極 １１ 集束電極ライン
2 ，２−Ｂ2 ，２−ＢＧ1 ，２−ＢＧ2 ，２−ＢＧ3 ，
１０１，１０１−１，１０１−２，１０１−３，１０１
−４，１０１−５，１０１−６，１１１，１１１−１，
１１１−２，１１１−３，１１１−４，１１１−５，１
１１−６，１１１−７，１１１−８，１１１−９ 透光
性のアノード ３，３−Ｒ1 ，３−Ｇ1 ，３−Ｒ2 ，３−Ｇ2 ，３−Ｂ
2 ，１０２ 蛍光体 ４，１０３ カソード基板 ５，５−１，５−２，５−３，５−４，５−５，５−
６，５−７，１０４，１０４−１，１０４−２ カソー
ド ６，１０６ ゲート ７，１０５ エミッタコーン ８−ＢＧ，８−Ｒ，１０７−１，１０７−２，１０７−
３ アノードライン １０，１０−１，１０−２，１０−３，１０−４，１０
−５，１０−６ 集束電極 １１ 集束電極ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 31/12
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板の一方の面にストライプ状の多
数の溝を形成すると共に、 上記ストライプ状の溝の凸部に第１の透光性のアノード
を配設し、 上記ストライプ状の溝の凹部に第２の透光性のアノード
を配設し、 上記第１の透光性のアノードの上面に３原色のうち抵抗
値が高い蛍光体を付着し、 上記第２の透光性のアノードの幅方向の中心から左右の
端面に渡る領域に残る２つの蛍光体を付着し、 上記ストライプ状の溝の凹部の幅が、その溝の凸部の幅
より広くなるように形成されていることを特徴とするデ
ィスプレイのアノード基板。 - 【請求項２】 絶縁基板の一方の面にストライプ状の多
数の溝を形成すると共に、 上記ストライプ状の溝の凸部に第１の透光性のアノード
を配設し、 上記ストライプ状の溝の凹部に第２の透光性のアノード
を配設し、 上記第１の透光性のアノードの上面に３原色のうち抵抗
値が高い蛍光体を付着し、 上記第２の透光性のアノードの幅方向の中心から左右の
端面に渡る領域に残る２つの蛍光体を付着し、 上記ストライプ状の溝の凹部の幅が、その溝の凸部の幅
より広くなるように形成されているディスプレイのアノ
ード基板と、 上記ディスプレイのアノード基板に対向して電界放出ア
レイが形成されているカソード基板が設けられているこ
とを特徴とするディスプレイ装置。 - 【請求項３】 上記第１のアノードと、上記第２のアノ
ードが交互に選択駆動されるドライブ回路と、 上記カソード基板上から放出される電子が上記選択され
たアノード側に偏向される制御回路を備えていることを
特徴とする請求項２に記載のディスプレイ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06295983A JP3134687B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | ディスプレイのアノード基板とディスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06295983A JP3134687B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | ディスプレイのアノード基板とディスプレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138587A JPH08138587A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3134687B2 true JP3134687B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=17827626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06295983A Expired - Fee Related JP3134687B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | ディスプレイのアノード基板とディスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3134687B2 (ja) |
-
1994
- 1994-11-07 JP JP06295983A patent/JP3134687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08138587A (ja) | 1996-05-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20001031 |
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