JP3133737B2 - 電気光学液晶系 - Google Patents
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、 − 支持体シートに任意に設けられる２電極間に誘電的
に正の液晶混合物およびさらに光学的に透明な媒体を含
み、 − その液晶分子が電源を切った状態で不規則に配向し
ており、 − 液晶混合物の屈折率の１つが光学的に透明な媒体の
屈折率ｎMと本質的に一致し、および／または液晶混合
物の質量を光学的に透明な媒体の質量で割った値が１．
５以上であり、および − 入射光の偏光とは無関係に、２切換え状態の一方に
おいて他方の状態に比べて低下した透過率を有する電気
光学液晶系、およびこの系に使用される液晶混合物に関
する。
に正の液晶混合物およびさらに光学的に透明な媒体を含
み、 − その液晶分子が電源を切った状態で不規則に配向し
ており、 − 液晶混合物の屈折率の１つが光学的に透明な媒体の
屈折率ｎMと本質的に一致し、および／または液晶混合
物の質量を光学的に透明な媒体の質量で割った値が１．
５以上であり、および − 入射光の偏光とは無関係に、２切換え状態の一方に
おいて他方の状態に比べて低下した透過率を有する電気
光学液晶系、およびこの系に使用される液晶混合物に関
する。
【０００２】
【従来の技術】系中の液晶混合物の質量によって、この
混合物は多かれ少なかれ互いに境を画した液晶の微小液
滴の形で光学的に透明な媒体に埋め込むことができ、さ
もなければそこに光学的に透明な媒体が、例えば粒状で
存在する多少凝集性の連続相を形成することができる。
連続相は、例えば光学的に透明な媒体が、液晶をそこに
配置させるその孔が多かれ少なかれ互いに合体している
スポンジ状の３次元網目構造を形成する場合にも得られ
る。ここで、液晶の微小液滴と言う表現は、互いに境を
画しているが、球形である必要は全くなしに不規則な形
状であってもおよび／または変形していてもよい小さな
液晶区分を表わすものである。
混合物は多かれ少なかれ互いに境を画した液晶の微小液
滴の形で光学的に透明な媒体に埋め込むことができ、さ
もなければそこに光学的に透明な媒体が、例えば粒状で
存在する多少凝集性の連続相を形成することができる。
連続相は、例えば光学的に透明な媒体が、液晶をそこに
配置させるその孔が多かれ少なかれ互いに合体している
スポンジ状の３次元網目構造を形成する場合にも得られ
る。ここで、液晶の微小液滴と言う表現は、互いに境を
画しているが、球形である必要は全くなしに不規則な形
状であってもおよび／または変形していてもよい小さな
液晶区分を表わすものである。
【０００３】光学的に透明な媒体が液晶の微小液滴を含
む場合、その媒体を以下微小液滴マトリックスと呼ぶ。
一方、僅かでも液晶の連続相が存在する場合は、この媒
体は網目構造と言う表現で記述される。
む場合、その媒体を以下微小液滴マトリックスと呼ぶ。
一方、僅かでも液晶の連続相が存在する場合は、この媒
体は網目構造と言う表現で記述される。
【０００４】ＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned
phases、曲線配列ネマティック相）およびＰＤＬＣ（po
lymer dispersed liquid crystal、ポリマー分散液晶）
フィルムが、液晶を微小液滴の形でマトリックス中に埋
め込んだ電気光学液晶系の例である。ＮＣＡＰフィルム
は、例えばポリビニルアルコール等の封入された重合体
物質、液晶混合物および例えば水等のビヒクル物質をコ
ロイドミル中で緊密に混合することによって通常得られ
る。その後、ビヒクル物質は、例えば乾燥することによ
って除去される。適切な方法がＵＳ４，４３５，０４７
に記載されている。これに対し、例えばＵＳ４，６８
８，９００、Mol. Cryst, Liq. Cryst. Nonlin. Opti
c、１５７（１９８８）４２７−４４１、ＷＯ８９／０
６２６４およびＥＰ０，２７２，５８２号に記載されて
いるＰＤＬＣフィルムの製造は、まず液晶混合物をマト
リックス形成物質のモノマー類またはオリゴマー類と均
一に混合する。次に、この混合物を重合し、そして相分
離を生じさせる［いわゆるＰＩＰＳ（polymerization-i
nduced phase separation、重合誘発相分離）技術］。
さらに、ＴＩＰＳ（temperature-induced phase separa
tion、温度誘発相分離）とＳＩＰＳ（solvent-induced
phase separation、溶剤誘発相分離）の間で区別をしな
ければならない［Mol. Cryst, Liq. Cryst. Inc. Nonli
n. Opt.、１５７（１９８８）４２７］。
phases、曲線配列ネマティック相）およびＰＤＬＣ（po
lymer dispersed liquid crystal、ポリマー分散液晶）
フィルムが、液晶を微小液滴の形でマトリックス中に埋
め込んだ電気光学液晶系の例である。ＮＣＡＰフィルム
は、例えばポリビニルアルコール等の封入された重合体
物質、液晶混合物および例えば水等のビヒクル物質をコ
ロイドミル中で緊密に混合することによって通常得られ
る。その後、ビヒクル物質は、例えば乾燥することによ
って除去される。適切な方法がＵＳ４，４３５，０４７
に記載されている。これに対し、例えばＵＳ４，６８
８，９００、Mol. Cryst, Liq. Cryst. Nonlin. Opti
c、１５７（１９８８）４２７−４４１、ＷＯ８９／０
６２６４およびＥＰ０，２７２，５８２号に記載されて
いるＰＤＬＣフィルムの製造は、まず液晶混合物をマト
リックス形成物質のモノマー類またはオリゴマー類と均
一に混合する。次に、この混合物を重合し、そして相分
離を生じさせる［いわゆるＰＩＰＳ（polymerization-i
nduced phase separation、重合誘発相分離）技術］。
さらに、ＴＩＰＳ（temperature-induced phase separa
tion、温度誘発相分離）とＳＩＰＳ（solvent-induced
phase separation、溶剤誘発相分離）の間で区別をしな
ければならない［Mol. Cryst, Liq. Cryst. Inc. Nonli
n. Opt.、１５７（１９８８）４２７］。
【０００５】ＥＰ０，３１３，０５３に記載されている
ＰＮ（polymer network、重合体網目構造体）系は光学
的に透明な媒体のスポンジ状網目構造を有している。光
変調層物質中の液晶混合物の含量はこの種の系において
一般に６０％より多く、特に７０〜９０％である。ＰＮ
系を製造するために、通常は液晶、３次元網目構造体を
形成する物質のモノマー類またはオリゴマー類および重
合開始剤、特に光重合開始剤の混合物を電極を備えた２
支持板の間に導入してから、例えば光を照射することに
よって重合する。
ＰＮ（polymer network、重合体網目構造体）系は光学
的に透明な媒体のスポンジ状網目構造を有している。光
変調層物質中の液晶混合物の含量はこの種の系において
一般に６０％より多く、特に７０〜９０％である。ＰＮ
系を製造するために、通常は液晶、３次元網目構造体を
形成する物質のモノマー類またはオリゴマー類および重
合開始剤、特に光重合開始剤の混合物を電極を備えた２
支持板の間に導入してから、例えば光を照射することに
よって重合する。
【０００６】液晶は、一般に正の誘電異方性Δεおよび
比較的高い光学異方性を有している。微小液滴マトリッ
クス系において、液晶の屈折率の１つ、通常は常光線屈
折率ｎ0が、重合体マトリックスの屈折率ｎMと多少は一
致するように選択される。網目構造体系の場合は、光変
調層に通常存在する液晶の割合が非常に高いために、屈
折率を調整する必要がまったくないが、光透過率および
コントラストを増大させるために、この調整を行うこと
ができる。電気的に切り替え可能な光散乱効果がこれら
の電気光学液晶系において見られる。
比較的高い光学異方性を有している。微小液滴マトリッ
クス系において、液晶の屈折率の１つ、通常は常光線屈
折率ｎ0が、重合体マトリックスの屈折率ｎMと多少は一
致するように選択される。網目構造体系の場合は、光変
調層に通常存在する液晶の割合が非常に高いために、屈
折率を調整する必要がまったくないが、光透過率および
コントラストを増大させるために、この調整を行うこと
ができる。電気的に切り替え可能な光散乱効果がこれら
の電気光学液晶系において見られる。
【０００７】それらの間に微小液滴マトリックスまたは
網目構造体が通常サンドイッチ状に配列される電極に電
圧を印加しない場合、でたらめに配列した液晶分子に入
射する光は大いに散乱され、系が不透明になる。電圧を
印加すると、液晶分子は電界に平行にかつ通過光のＥベ
クトルに垂直に整列される。
網目構造体が通常サンドイッチ状に配列される電極に電
圧を印加しない場合、でたらめに配列した液晶分子に入
射する光は大いに散乱され、系が不透明になる。電圧を
印加すると、液晶分子は電界に平行にかつ通過光のＥベ
クトルに垂直に整列される。
【０００８】微小液滴マトリックス系の場合、電圧を印
加すると、ｎ0とｎMとが整合するために垂直に入射する
光は光学的に等方性の媒体とみなされ、そして系が透明
に見える。整合は、マトリックス／液晶液滴相界面で光
が散乱するのを防止するために必要である。ＥＰ０，２
７２，５８５は、全く統計学的な配向の場合の液晶の屈
折率ｎXがマトリックスの屈折率ｎMと整合する別の実施
態様を記載している。この場合、系は無電界状態で透明
であり、電圧を印加することによって不透明状態に変化
する。
加すると、ｎ0とｎMとが整合するために垂直に入射する
光は光学的に等方性の媒体とみなされ、そして系が透明
に見える。整合は、マトリックス／液晶液滴相界面で光
が散乱するのを防止するために必要である。ＥＰ０，２
７２，５８５は、全く統計学的な配向の場合の液晶の屈
折率ｎXがマトリックスの屈折率ｎMと整合する別の実施
態様を記載している。この場合、系は無電界状態で透明
であり、電圧を印加することによって不透明状態に変化
する。
【０００９】網目構造体系の場合、光変調層物質中の液
晶の割合が高いために、網目／液晶相界面での散乱が明
らかにあまり顕著でないので、屈折率の整合は全く必要
ということはない。スイッチを入れた場合、系は屈折率
の整合を行わない場合でさえ透明に見える。網目構造体
系の場合、スイッチを入れない状態でできるだけ低い透
過率を達成するために、高い光学異方性を有する液晶を
使用するのが好ましい。
晶の割合が高いために、網目／液晶相界面での散乱が明
らかにあまり顕著でないので、屈折率の整合は全く必要
ということはない。スイッチを入れた場合、系は屈折率
の整合を行わない場合でさえ透明に見える。網目構造体
系の場合、スイッチを入れない状態でできるだけ低い透
過率を達成するために、高い光学異方性を有する液晶を
使用するのが好ましい。
【００１０】ＷＯ８９／０９８０７に、系が透明状態の
場合にしばしば認められる曇り（「ヘーズ」、特に「オ
フアクシスヘーズ」）を避けるために、光学異方性の、
例えば液晶性重合体マトリックス物質を使用することが
提案されている。この種の系において、透明状態が電圧
を印加した場合またはスイッチを切った場合のいずれか
で得られるように液晶および光学異方性マトリックスの
屈折率を互いに順応させることができる。
場合にしばしば認められる曇り（「ヘーズ」、特に「オ
フアクシスヘーズ」）を避けるために、光学異方性の、
例えば液晶性重合体マトリックス物質を使用することが
提案されている。この種の系において、透明状態が電圧
を印加した場合またはスイッチを切った場合のいずれか
で得られるように液晶および光学異方性マトリックスの
屈折率を互いに順応させることができる。
【００１１】請求項１の前文に従う電気光学液晶系が、
特に大面積表示系、建築上の用途（窓、間仕切り、日除
け等）および自動車（窓、サンルーフ等）用に提案され
た。これらの系は日光の遮蔽を制御することによって温
度を調節するためにも適している。これらは直流または
交流電圧を印加することによってスイッチを入れること
ができる。
特に大面積表示系、建築上の用途（窓、間仕切り、日除
け等）および自動車（窓、サンルーフ等）用に提案され
た。これらの系は日光の遮蔽を制御することによって温
度を調節するためにも適している。これらは直流または
交流電圧を印加することによってスイッチを入れること
ができる。
【００１２】これらの系は、特に「野外」用途にも予定
されるので、高い透明点、高いΔε、広いネマチック範
囲、電気光学パラメーターの有利な温度依存性並びに高
いＵＶおよび温度安定性を特徴とする液晶混合物を必要
とする。
されるので、高い透明点、高いΔε、広いネマチック範
囲、電気光学パラメーターの有利な温度依存性並びに高
いＵＶおよび温度安定性を特徴とする液晶混合物を必要
とする。
【００１３】他の用途の例としては以下のものがある。
【００１４】− スペクトルが単純セグメントディスプ
レイから従来の印刷技術を用いて所望の電極パターンに
適用することができるディスプレイに及ぶＧＨ表示系。
用途：自動車、大型ディスプレイ、掲示板、時計。
レイから従来の印刷技術を用いて所望の電極パターンに
適用することができるディスプレイに及ぶＧＨ表示系。
用途：自動車、大型ディスプレイ、掲示板、時計。
【００１５】− アクティブまたはパッシブマトリック
スによって制御される高い情報量を有するディスプレ
イ。
スによって制御される高い情報量を有するディスプレ
イ。
【００１６】− 投射系。
【００１７】− スイッチ。
【００１８】ここでも、特に高いΔε、高い電気抵抗、
電気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性の有利
な値、粘度の有利な値並びに高いＵＶおよび温度安定性
を有する液晶混合物が必要である。
電気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性の有利
な値、粘度の有利な値並びに高いＵＶおよび温度安定性
を有する液晶混合物が必要である。
【００１９】微小液滴マトリックス系において、アルキ
ルまたはアルコキシシアノビフェニル類およびテルフェ
ニル類から成るＬＣ混合物が今まで慣例的に使用され
た。したがって、例えばＵＳ４，６８８，９００号およ
びＥＰ０，２７２，５８５は液晶混合物Ｅ８（英国、プ
ールのＢＤＨ製）の使用を記載している。この液晶混合
物は０．２４７の高い光学異方性Δｎ値および５４ｍｍ
2／秒の比較的高いフロー粘度η値（２０℃）を特徴と
するが、同時にわずかに７２℃と比較的低い透明点を有
している。透明点を上げるために多核ポリフェニル化合
物をこの混合物に添加すると、フロー粘度ηは一層高い
値になり、また光学異方性Δｎは変化しないかまたは一
層高い値になる。高いΔｎ値は一方において不透明状態
で高い光散乱を確実にするが、他方においてスイッチを
入れた状態で系の曇り（「ヘーズ」、特に「オフアクシ
スヘーズ」）、したがって電気光学特性の劣化を生じ
る。実際に、比較的低い周波数の交流電圧によって制御
される系において、高いフロー粘度ηはちらつきのない
ディスプレイを得るために望ましい。しかしながら、他
方において、高情報量のマトリックスディスプレイにお
いて、比較的低い粘度を有する液晶混合物が迅速な切り
替え時間を実現するために必要である。
ルまたはアルコキシシアノビフェニル類およびテルフェ
ニル類から成るＬＣ混合物が今まで慣例的に使用され
た。したがって、例えばＵＳ４，６８８，９００号およ
びＥＰ０，２７２，５８５は液晶混合物Ｅ８（英国、プ
ールのＢＤＨ製）の使用を記載している。この液晶混合
物は０．２４７の高い光学異方性Δｎ値および５４ｍｍ
2／秒の比較的高いフロー粘度η値（２０℃）を特徴と
するが、同時にわずかに７２℃と比較的低い透明点を有
している。透明点を上げるために多核ポリフェニル化合
物をこの混合物に添加すると、フロー粘度ηは一層高い
値になり、また光学異方性Δｎは変化しないかまたは一
層高い値になる。高いΔｎ値は一方において不透明状態
で高い光散乱を確実にするが、他方においてスイッチを
入れた状態で系の曇り（「ヘーズ」、特に「オフアクシ
スヘーズ」）、したがって電気光学特性の劣化を生じ
る。実際に、比較的低い周波数の交流電圧によって制御
される系において、高いフロー粘度ηはちらつきのない
ディスプレイを得るために望ましい。しかしながら、他
方において、高情報量のマトリックスディスプレイにお
いて、比較的低い粘度を有する液晶混合物が迅速な切り
替え時間を実現するために必要である。
【００２０】ＵＳ４，６７１，６１８において使用され
ている、同様にアルキルおよびアルコキシシアノビフェ
ニル類およびテルフェニル類から成る液晶混合物Ｅ７
（英国、プールのＢＤＨ製）はη＝３９ｍｍ2／秒と比
較的低いフロー粘度およびΔｎ＝０．２２５とＥ８より
幾分低い光学異方性Δｎを明らかに有するが、同時に透
明点Ｔcが６０．５℃とかなり低い。混合物Ｅ７の誘電
異方性Δεは１３．８であり、したがってΔε＝１５．
６のＥ８より幾分低い。できるだけ低いしきい電圧を得
るためには、なお一層高い値のΔεが有利である。
ている、同様にアルキルおよびアルコキシシアノビフェ
ニル類およびテルフェニル類から成る液晶混合物Ｅ７
（英国、プールのＢＤＨ製）はη＝３９ｍｍ2／秒と比
較的低いフロー粘度およびΔｎ＝０．２２５とＥ８より
幾分低い光学異方性Δｎを明らかに有するが、同時に透
明点Ｔcが６０．５℃とかなり低い。混合物Ｅ７の誘電
異方性Δεは１３．８であり、したがってΔε＝１５．
６のＥ８より幾分低い。できるだけ低いしきい電圧を得
るためには、なお一層高い値のΔεが有利である。
【００２１】ＥＰ０，３１３，０５３は、網目構造体系
に関し２−（４−シアノフェニル）ピリジン類を基礎と
する液晶混合物を提案している。この種の液晶混合物は
誘電異方性Δεに関し比較的高い値、したがって比較的
低いしきい電圧および光学異方性Δｎに関する高いまた
は非常に高い値を有しているが、同時にこれらの液晶は
比較的高い粘度η、比較的低い透明点Ｔcおよび多くの
用途に不十分な使用温度範囲を特徴とする。さらに、シ
アノフェニルピリジン化合物は、特にシアノオリゴフェ
ニル化合物よりも低いＵＶおよび温度安定性を有してい
る。
に関し２−（４−シアノフェニル）ピリジン類を基礎と
する液晶混合物を提案している。この種の液晶混合物は
誘電異方性Δεに関し比較的高い値、したがって比較的
低いしきい電圧および光学異方性Δｎに関する高いまた
は非常に高い値を有しているが、同時にこれらの液晶は
比較的高い粘度η、比較的低い透明点Ｔcおよび多くの
用途に不十分な使用温度範囲を特徴とする。さらに、シ
アノフェニルピリジン化合物は、特にシアノオリゴフェ
ニル化合物よりも低いＵＶおよび温度安定性を有してい
る。
【００２２】これまでに使用された液晶は、それぞれの
用途および高Δεに関して最適化することができる広い
ネマチック相範囲、高い透明点、非常に高い熱およびＵ
Ｖ安定性、低温に至るまでスメクチック相が存在しない
こと、光学異方性Δｎおよびフロー粘度ηに対する要件
を不十分にしか満たしていない。
用途および高Δεに関して最適化することができる広い
ネマチック相範囲、高い透明点、非常に高い熱およびＵ
Ｖ安定性、低温に至るまでスメクチック相が存在しない
こと、光学異方性Δｎおよびフロー粘度ηに対する要件
を不十分にしか満たしていない。
【００２３】さらに、これまでの液晶はマトリックスま
たは網目構造体の形成に使用されるポリマーのモノマー
および／またはオリゴマーに対して低すぎる混和性を有
していることが多い。これはＰＮ系の製造をかなり損な
い、そして微小液滴マトリックス系の場合に、特にＰＩ
ＰＳ技術の使用をかなり限定する。さらに、これらの液
晶はしばしばマトリックスまたは網目構造体形成ポリマ
ーに対し過度に高い溶解性を特徴とする。これまでの液
晶のさらに他の欠点は、多くはこれらの液晶が、例えば
電気光学曲線の傾斜などの電気光学パラメーターの好ま
しくない値および／または、例えばしきい電圧のような
それぞれの用途に対する電気光学パラメーターの温度依
存性を示すことである。
たは網目構造体の形成に使用されるポリマーのモノマー
および／またはオリゴマーに対して低すぎる混和性を有
していることが多い。これはＰＮ系の製造をかなり損な
い、そして微小液滴マトリックス系の場合に、特にＰＩ
ＰＳ技術の使用をかなり限定する。さらに、これらの液
晶はしばしばマトリックスまたは網目構造体形成ポリマ
ーに対し過度に高い溶解性を特徴とする。これまでの液
晶のさらに他の欠点は、多くはこれらの液晶が、例えば
電気光学曲線の傾斜などの電気光学パラメーターの好ま
しくない値および／または、例えばしきい電圧のような
それぞれの用途に対する電気光学パラメーターの温度依
存性を示すことである。
【００２４】したがって、特定の要件により一層適し
た。そして上述の欠点を有しないかまたは比較的小さな
程度にしか有しない電気光学液晶系をなお大いに必要と
している。
た。そして上述の欠点を有しないかまたは比較的小さな
程度にしか有しない電気光学液晶系をなお大いに必要と
している。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、従来の系について述べた欠点をもたないか、または
比較的小さな程度にしかもたない電気光学液晶系および
液晶を得るという目的に基づくものであった。本発明の
他の目的は次の詳細な説明から当業者にただちに明らか
になる。
は、従来の系について述べた欠点をもたないか、または
比較的小さな程度にしかもたない電気光学液晶系および
液晶を得るという目的に基づくものであった。本発明の
他の目的は次の詳細な説明から当業者にただちに明らか
になる。
【００２６】
【課題を解決するための手段】式１
【００２７】
【化２９】 （式中、Ｑ1は
【００２８】
【化３０】 であり、環Ａ1および環Ａ2は、互いに独立してトランス
−１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２
−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，
４−フェニレンであり、そしてＡ1および、存在するな
らばＡ2の１つはピリジン−２，５−ジイル、ピリミジ
ン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジ
イル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイルまたはナフ
タレン−２，６−ジイルでもあり、Ｚ1およびＺ2は、互
いに独立して単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＯＯ−、−
ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ2Ｏ−またはこれらの橋
基の２種以上の組合せであるが、存在するいずれか１つ
は−ＣＨ 2 ＣＨ 2 −であり、ＹおよびＸは、互いに独立し
てＨまたはＦであり、またＸおよびＹの１つはＣｌでも
あり、Ｗは−ＣＮであり、Ｒ1は、その１つまたは隣接
しない２つのＣＨ2基を−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−に
よって置き換えることもできる１〜１２個のＣ原子を有
するアルキルであり、およびｍは０、１または２であ
る）の１種以上の化合物を含有している液晶混合物を系
に使用する場合に、本発明の目的を達成することができ
ることを見出した。
−１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２
−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，
４−フェニレンであり、そしてＡ1および、存在するな
らばＡ2の１つはピリジン−２，５−ジイル、ピリミジ
ン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジ
イル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイルまたはナフ
タレン−２，６−ジイルでもあり、Ｚ1およびＺ2は、互
いに独立して単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＯＯ−、−
ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ2Ｏ−またはこれらの橋
基の２種以上の組合せであるが、存在するいずれか１つ
は−ＣＨ 2 ＣＨ 2 −であり、ＹおよびＸは、互いに独立し
てＨまたはＦであり、またＸおよびＹの１つはＣｌでも
あり、Ｗは−ＣＮであり、Ｒ1は、その１つまたは隣接
しない２つのＣＨ2基を−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−に
よって置き換えることもできる１〜１２個のＣ原子を有
するアルキルであり、およびｍは０、１または２であ
る）の１種以上の化合物を含有している液晶混合物を系
に使用する場合に、本発明の目的を達成することができ
ることを見出した。
【００２９】したがって、本発明は、 − 支持体シートに任意に設けられる２電極間に誘電的
に正の液晶混合物およびさらに光学的に透明な媒体を含
み、 − その液晶分子が電源を切った状態で不規則に配向し
ており、 − 液晶混合物の屈折率の１つが光学的に等方性の透明
媒体の屈折率ｎMと本質的に一致し、または液晶混合物
の屈折率が光学的に等方性の透明媒体の屈折率と本質的
に一致し、および／または液晶混合物の質量を光学的に
透明な媒体の質量で割った値が１．５以上であり、 − 入射光の偏光とは無関係に、２切換え状態の一方に
おいて他方の状態に比べて低下した透過率を有し、およ
び − 液晶が１種以上の式Ｉの化合物を含有している電気
光学液晶系に関する。
に正の液晶混合物およびさらに光学的に透明な媒体を含
み、 − その液晶分子が電源を切った状態で不規則に配向し
ており、 − 液晶混合物の屈折率の１つが光学的に等方性の透明
媒体の屈折率ｎMと本質的に一致し、または液晶混合物
の屈折率が光学的に等方性の透明媒体の屈折率と本質的
に一致し、および／または液晶混合物の質量を光学的に
透明な媒体の質量で割った値が１．５以上であり、 − 入射光の偏光とは無関係に、２切換え状態の一方に
おいて他方の状態に比べて低下した透過率を有し、およ
び − 液晶が１種以上の式Ｉの化合物を含有している電気
光学液晶系に関する。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明の電気光学液晶系の構成は
この種の系の通常の様式の構成に対応する。この場合、
通常の様式の構成と言う用語は広範に解釈され、全ての
適用物および改質物を含む。
この種の系の通常の様式の構成に対応する。この場合、
通常の様式の構成と言う用語は広範に解釈され、全ての
適用物および改質物を含む。
【００３１】したがって、例えば、ＰＤＬＣまたはＮＣ
ＡＰの場合、液晶混合物を微細に分散または微細に封入
する透明媒体によって形成されるマトリックスはサンド
イッチ状に導電性電極間に配置される。
ＡＰの場合、液晶混合物を微細に分散または微細に封入
する透明媒体によって形成されるマトリックスはサンド
イッチ状に導電性電極間に配置される。
【００３２】電極は、特に、例えばガラス、プラスチッ
ク等の支持体シートに設けられる。しかし、所望なら
ば、マトリックスに直接電極を設けて、支持体の使用を
省略することもできる。
ク等の支持体シートに設けられる。しかし、所望なら
ば、マトリックスに直接電極を設けて、支持体の使用を
省略することもできる。
【００３３】網目構造体系の場合、液晶をスポンジ状の
３次元網目構造体の孔中に配置し、または光学的に透明
な媒体を液晶中に小さな、例えば球状粒子の形で設置す
る。網目構造体は通常液晶が逃散しないようにするため
に電極を設けた支持体間に配置される。
３次元網目構造体の孔中に配置し、または光学的に透明
な媒体を液晶中に小さな、例えば球状粒子の形で設置す
る。網目構造体は通常液晶が逃散しないようにするため
に電極を設けた支持体間に配置される。
【００３４】網目構造体系および微小液滴マトリックス
系は共に反射的または透過的に機能することができるの
で、少なくとも１つの電極および、存在するならばその
関連する支持体は透明である。両系とも通常は偏光子を
含んでいない。その結果、明らかに高い透過率となる。
さらに、配向相を必要としない。これは、例えばＴＮま
たはＳＴＮセル等の通常の液晶系と比べてこれらの系の
製造にかなりの技術的な簡易化となる。
系は共に反射的または透過的に機能することができるの
で、少なくとも１つの電極および、存在するならばその
関連する支持体は透明である。両系とも通常は偏光子を
含んでいない。その結果、明らかに高い透過率となる。
さらに、配向相を必要としない。これは、例えばＴＮま
たはＳＴＮセル等の通常の液晶系と比べてこれらの系の
製造にかなりの技術的な簡易化となる。
【００３５】微小液滴マトリックスまたは３次元網目構
造体は、特に等方性の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂およ
びエラストマーに基づくものである。目的とする用途に
よって、得られた系は可撓性、弾性または剛性でありう
る。
造体は、特に等方性の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂およ
びエラストマーに基づくものである。目的とする用途に
よって、得られた系は可撓性、弾性または剛性でありう
る。
【００３６】熱可塑性ポリマーに基づく系はマトリック
スのガラス温度より高い温度で機械応力の作用によって
容易に変形することができる。このことは、例えば微小
液滴マトリックス系においてガラス温度以下の温度にマ
トリックスを冷却することによって液滴を特定の変形形
状に凝固させるために利用することができる。さらに、
例えば、マトリックスをガラス温度以上の温度で機械的
に延伸し、または電場または磁場の作用によって配向す
ることができる。この配向はガラス温度以下の温度に保
持して行われ、マトリックスを光学的に異方性にする。
スのガラス温度より高い温度で機械応力の作用によって
容易に変形することができる。このことは、例えば微小
液滴マトリックス系においてガラス温度以下の温度にマ
トリックスを冷却することによって液滴を特定の変形形
状に凝固させるために利用することができる。さらに、
例えば、マトリックスをガラス温度以上の温度で機械的
に延伸し、または電場または磁場の作用によって配向す
ることができる。この配向はガラス温度以下の温度に保
持して行われ、マトリックスを光学的に異方性にする。
【００３７】可塑性および／または弾性系は熱可塑性樹
脂および／またはエラストマーを基礎とするのが好まし
いが、剛性系を製造するためには熱硬化樹脂を使用する
のが好ましい。これらを、例えば硬化中に、機械的に変
形して、例えば微小液滴の形状および配列を硬化マトリ
ックス中で一定にすることができる。
脂および／またはエラストマーを基礎とするのが好まし
いが、剛性系を製造するためには熱硬化樹脂を使用する
のが好ましい。これらを、例えば硬化中に、機械的に変
形して、例えば微小液滴の形状および配列を硬化マトリ
ックス中で一定にすることができる。
【００３８】微小液滴マトリックスまたは網目構造体の
製造に特に適した材料については文献に詳説されてい
る。例えば、ＵＳ４，４３５，０４７またはリキッド・
クリスタルズ（Liquid Crystals）、３、（１９８８）
１５４３に、例えば、ポリビニルアルコールＰＶＡまた
はラテックス状エマルジョン等の水溶性ポリマーが提案
されている。一方、ＵＳ４，６７２，６１８、ＵＳ４，
６７３，２５５、ＵＳ４，６８８，９００、ＷＯ８５／
０４２６２およびMol. Cryst. Liq. Cryst. Inc.Nonli
n. Opt.、１５７（１９８８）４２７に、例えば熱的に
硬化される、例えばエポキシ樹脂およびポリウレタン等
の合成樹脂が適切なマトリックス材料として挙げられて
いる。ＥＰ０，２７２，５８５号は光硬化性ビニル化合
物に基づくマトリックスまたは網目構造体材料を記載
し、およびＷＯ８９／０６２６４は多官能性メルカプタ
ンを含有する多官能性アクリレートの共重合を提案して
いる。特にマトリックス系に適したポリマーについての
他の詳説が、例えばＥＰ０，１６５，０６３、ＥＰ０，
３４５，０２９、ＥＰ０，３５７，２３４またはＥＰ
０，２０５，２６１にある。
製造に特に適した材料については文献に詳説されてい
る。例えば、ＵＳ４，４３５，０４７またはリキッド・
クリスタルズ（Liquid Crystals）、３、（１９８８）
１５４３に、例えば、ポリビニルアルコールＰＶＡまた
はラテックス状エマルジョン等の水溶性ポリマーが提案
されている。一方、ＵＳ４，６７２，６１８、ＵＳ４，
６７３，２５５、ＵＳ４，６８８，９００、ＷＯ８５／
０４２６２およびMol. Cryst. Liq. Cryst. Inc.Nonli
n. Opt.、１５７（１９８８）４２７に、例えば熱的に
硬化される、例えばエポキシ樹脂およびポリウレタン等
の合成樹脂が適切なマトリックス材料として挙げられて
いる。ＥＰ０，２７２，５８５号は光硬化性ビニル化合
物に基づくマトリックスまたは網目構造体材料を記載
し、およびＷＯ８９／０６２６４は多官能性メルカプタ
ンを含有する多官能性アクリレートの共重合を提案して
いる。特にマトリックス系に適したポリマーについての
他の詳説が、例えばＥＰ０，１６５，０６３、ＥＰ０，
３４５，０２９、ＥＰ０，３５７，２３４またはＥＰ
０，２０５，２６１にある。
【００３９】網目構造体系に関し、例えばジおよびトリ
アクリレート等の多くの３次元架橋性モノマーがＥＰ
０，３１３，０５３に挙げられている。
アクリレート等の多くの３次元架橋性モノマーがＥＰ
０，３１３，０５３に挙げられている。
【００４０】しかしながら、さらに、例えば無機酸化物
ガラス体（ＵＳ４，８１４、２１１）のようなさらに別
の透明物質、別の無機物質（例えば特開昭６３−３０３
３２５参照）あるいはまた他の物質も微小液滴マトリッ
クスおよび網目構造体系に使用することができる。
ガラス体（ＵＳ４，８１４、２１１）のようなさらに別
の透明物質、別の無機物質（例えば特開昭６３−３０３
３２５参照）あるいはまた他の物質も微小液滴マトリッ
クスおよび網目構造体系に使用することができる。
【００４１】上述の物質は単に例えとして本発明を説明
するものであって、決して本発明を限定するものではな
い。原則としては、請求項１の前文に従う上述の微小液
滴マトリックスまたは網目構造体の製造を可能とする透
明物質はすべて使用することができる。
するものであって、決して本発明を限定するものではな
い。原則としては、請求項１の前文に従う上述の微小液
滴マトリックスまたは網目構造体の製造を可能とする透
明物質はすべて使用することができる。
【００４２】本発明による電気光学液晶系の好ましい実
施態様はＮＣＡＰフィルム、ＰＤＬＣフィルムおよび改
良法によって製造される微小液滴マトリックス系であ
る。これらのフィルムを製造する方法は、例えばＵＳ
４，６８８，９００、ＵＳ４，６７３，２５５、ＵＳ
４，６７１，６１８、ＷＯ８５／０４２６、ＵＳ４，４
３５，０４７号、ＥＰ０，２７２，５９５号、Mol. Cry
st. Liq. Cryst. Inc. Nonlin. Opt.、１５７（１９８
８）４２７、リキッド・クリスタルズ、３、（１９８
８）１５４３、ＥＰ０，１６５，０６３、ＥＰ０，３４
５，０２９、ＥＰ０，３５７，２３４およびＥＰ０，２
０５，２６１に記載されている。
施態様はＮＣＡＰフィルム、ＰＤＬＣフィルムおよび改
良法によって製造される微小液滴マトリックス系であ
る。これらのフィルムを製造する方法は、例えばＵＳ
４，６８８，９００、ＵＳ４，６７３，２５５、ＵＳ
４，６７１，６１８、ＷＯ８５／０４２６、ＵＳ４，４
３５，０４７号、ＥＰ０，２７２，５９５号、Mol. Cry
st. Liq. Cryst. Inc. Nonlin. Opt.、１５７（１９８
８）４２７、リキッド・クリスタルズ、３、（１９８
８）１５４３、ＥＰ０，１６５，０６３、ＥＰ０，３４
５，０２９、ＥＰ０，３５７，２３４およびＥＰ０，２
０５，２６１に記載されている。
【００４３】本発明の電気光学液晶系のさらに好ましい
実施態様は、その製造がＥＰ０，３１３，０５３に記載
されている網目構造体系である。本発明において、例え
ばＧＢ１，４４２，３６０に記載されているような、透
明媒体が液晶中に個々に、例えば球状粒子の形で分散さ
れている配列も網目構造体系に入る。
実施態様は、その製造がＥＰ０，３１３，０５３に記載
されている網目構造体系である。本発明において、例え
ばＧＢ１，４４２，３６０に記載されているような、透
明媒体が液晶中に個々に、例えば球状粒子の形で分散さ
れている配列も網目構造体系に入る。
【００４４】しかしながら、透明媒体が一方における網
目構造と他方における微小液滴マトリックス構造との中
間の構造を有する実施態様も本発明に含まれる。
目構造と他方における微小液滴マトリックス構造との中
間の構造を有する実施態様も本発明に含まれる。
【００４５】さらに、ここでは明確に述べない他の実施
態様も本発明に含まれる。
態様も本発明に含まれる。
【００４６】電気光学系の厚さｄは、通常できるだけ低
いしきい電圧Ｖthを達成するために薄くなるように選択
される。したがって、０．８ｍｍおよび１．６ｍｍの層
の厚さが、例えばＵＳ４，４３５，０４７に報告されて
おり、１０μｍ〜３００μｍの値がＵＳ４，６８８，９
００におよび５μｍ〜３０μｍの値がＥＰ０，３１３，
０５３に層の厚さとして示されている。例外的な場合に
おいてだけ、本発明の電気光学系は数ｍｍより著しく厚
い層の厚さｄを有するが、層の厚さはｄ≦２ｍｍである
のが好ましい。
いしきい電圧Ｖthを達成するために薄くなるように選択
される。したがって、０．８ｍｍおよび１．６ｍｍの層
の厚さが、例えばＵＳ４，４３５，０４７に報告されて
おり、１０μｍ〜３００μｍの値がＵＳ４，６８８，９
００におよび５μｍ〜３０μｍの値がＥＰ０，３１３，
０５３に層の厚さとして示されている。例外的な場合に
おいてだけ、本発明の電気光学系は数ｍｍより著しく厚
い層の厚さｄを有するが、層の厚さはｄ≦２ｍｍである
のが好ましい。
【００４７】しきい電圧は微小液滴の大きさまたは網目
構造体の網目幅によっても影響される。一般に、微小液
滴が比較的小さい場合、比較的高いしきい電圧Ｖthを生
じるが、より短い切り替え時間ｔonまたはｔoffとなる
（ＵＳ４，６７３，２５５）。平均液滴径に影響を及ぼ
す実験方法が、例えばＵＳ４，６７３，２５５および
Ｊ．Ｌ．ウエスト（West）のMol. Cryst. Liq. Cryst.
Inc. Nonlin. Opt.、１５７（１９８８）４２７に記載
されている。ＵＳ４，６７３，２５５は０．１μｍ〜８
μｍの平均液滴径を示しているが、例えば、ガラス体か
ら成るマトリックスは１５〜２，０００Åの直径を有す
る孔を有している。ＰＮ系の網目構造体の網目幅に関
し、０．５μｍ〜２μｍの好ましい範囲がＥＰ０，３１
３，０５３に示されている。
構造体の網目幅によっても影響される。一般に、微小液
滴が比較的小さい場合、比較的高いしきい電圧Ｖthを生
じるが、より短い切り替え時間ｔonまたはｔoffとなる
（ＵＳ４，６７３，２５５）。平均液滴径に影響を及ぼ
す実験方法が、例えばＵＳ４，６７３，２５５および
Ｊ．Ｌ．ウエスト（West）のMol. Cryst. Liq. Cryst.
Inc. Nonlin. Opt.、１５７（１９８８）４２７に記載
されている。ＵＳ４，６７３，２５５は０．１μｍ〜８
μｍの平均液滴径を示しているが、例えば、ガラス体か
ら成るマトリックスは１５〜２，０００Åの直径を有す
る孔を有している。ＰＮ系の網目構造体の網目幅に関
し、０．５μｍ〜２μｍの好ましい範囲がＥＰ０，３１
３，０５３に示されている。
【００４８】しかしながら、本発明の電気光学液晶系と
従来の通常のものとの本質的な相違は使用される液晶混
合物が違うことである。
従来の通常のものとの本質的な相違は使用される液晶混
合物が違うことである。
【００４９】本発明の液晶混合物は式Ｉの少なくとも１
種の化合物を含んでいる。
種の化合物を含んでいる。
【００５０】式Ｉの化合物は下位式Ｉ２、Ｉ３およびＩ
４：
４：
【００５１】
【化３１】 の２、３および４環式の誘電的に正のまたは誘電的に中
性の化合物を含んでいる。
性の化合物を含んでいる。
【００５２】式Ｉ２〜Ｉ４の化合物において、Ｘおよび
Ｙは、互いに独立してＨ、ＦまたはＣｌであり、特にＨ
またはＦである。式Ｉ３およびＩ４の化合物は２つ以
下、特に１つ以下の複素環を含んでいるのが好ましい。
式Ｉ３およびＩ４の化合物において、橋Ｚ1およびＺ2の
１つは単結合であるのが好ましい。
Ｙは、互いに独立してＨ、ＦまたはＣｌであり、特にＨ
またはＦである。式Ｉ３およびＩ４の化合物は２つ以
下、特に１つ以下の複素環を含んでいるのが好ましい。
式Ｉ３およびＩ４の化合物において、橋Ｚ1およびＺ2の
１つは単結合であるのが好ましい。
【００５３】式Ｉおよび化合物Ｉ２〜Ｉ４の下位式の化
合物において、Ｒ1は、その１つまたは隣接しない２つ
のＣＨ2を−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えるこ
ともできる１〜１２個のＣ原子を有するアルキルであ
る。
合物において、Ｒ1は、その１つまたは隣接しない２つ
のＣＨ2を−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えるこ
ともできる１〜１２個のＣ原子を有するアルキルであ
る。
【００５４】Ｒ1がアルキル基および／またはアルコキ
シ基である場合、これは直鎖または枝分れ鎖でありう
る。この基は直鎖であり、１、２、３、４、５、６また
は７個のＣ原子を有するのが好ましく、したがってメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシ、ヘキソキシまたはヘプトキシであるの
が好ましく、さらにオクチル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシル、オクトキシ、ノニルオキシ、デシルオ
キシ、ウンデシルオキシまたはドデシルオキシである。
シ基である場合、これは直鎖または枝分れ鎖でありう
る。この基は直鎖であり、１、２、３、４、５、６また
は７個のＣ原子を有するのが好ましく、したがってメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、
ヘプチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシ、ヘキソキシまたはヘプトキシであるの
が好ましく、さらにオクチル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシル、オクトキシ、ノニルオキシ、デシルオ
キシ、ウンデシルオキシまたはドデシルオキシである。
【００５５】オキサアルキルは直鎖２−オキサプロピル
（＝メトキシメチル）、２−オキサブチル（＝エトキシ
メチル）もしくは３−オキサブチル（＝２−メトキシエ
チル）、２−、３−もしくは４−オキサペンチル、２
−、３−、４−もしくは５−オキサヘキシル、２−、３
−、４−、５−もしくは６−オキサヘプチル、２−、３
−、４−、５−、６−もしくは７−オキサオクチル、２
−、３−、４−、５−、６−、７−もしくは８−オキサ
ノニル、または２−、３−、４−、５−、６−、７−、
８−もしくは９−オキサデシルであるのが好ましい。
（＝メトキシメチル）、２−オキサブチル（＝エトキシ
メチル）もしくは３−オキサブチル（＝２−メトキシエ
チル）、２−、３−もしくは４−オキサペンチル、２
−、３−、４−もしくは５−オキサヘキシル、２−、３
−、４−、５−もしくは６−オキサヘプチル、２−、３
−、４−、５−、６−もしくは７−オキサオクチル、２
−、３−、４−、５−、６−、７−もしくは８−オキサ
ノニル、または２−、３−、４−、５−、６−、７−、
８−もしくは９−オキサデシルであるのが好ましい。
【００５６】Ｒ1が、１つのＣＨ2基が−ＣＨ＝ＣＨ−に
よって置換えられたアルキル基である場合、これは直鎖
または枝分れ鎖でありうる。この基は直鎖でありかつ２
〜１０個のＣ原子を有するものが好ましい。したがっ
て、この基は特にビニル、１−もしくは２−プロペニ
ル、1−、2−もしくは３−ブテニル、1−、2−、３−も
しくは４−ペンテニル、1−、2−、３−、４−もしくは
５−ヘキセニル、1−、2−、３−、４−、５−もしくは
６−ヘプテニル、1−、2−、３−、４−、５−、６−も
しくは７−オクテニル、1−、2−、３−、４−、５−、
６−、７−もしくは８−ノネニル、または1−、2−、３
−、４−、５−、６−、７−、８−もしくは９−デセニ
ルである。
よって置換えられたアルキル基である場合、これは直鎖
または枝分れ鎖でありうる。この基は直鎖でありかつ２
〜１０個のＣ原子を有するものが好ましい。したがっ
て、この基は特にビニル、１−もしくは２−プロペニ
ル、1−、2−もしくは３−ブテニル、1−、2−、３−も
しくは４−ペンテニル、1−、2−、３−、４−もしくは
５−ヘキセニル、1−、2−、３−、４−、５−もしくは
６−ヘプテニル、1−、2−、３−、４−、５−、６−も
しくは７−オクテニル、1−、2−、３−、４−、５−、
６−、７−もしくは８−ノネニル、または1−、2−、３
−、４−、５−、６−、７−、８−もしくは９−デセニ
ルである。
【００５７】式Ｉの化合物において、基Ｒ1は直鎖また
は枝分れ鎖でありうるが、直鎖であるのが好ましい。枝
分れしたアルキルまたはアルコキシ基を有する式Ｉの化
合物も通常の液晶基材に対してより良好な溶解性を有す
るので、場合によっては重要であるが、それが光学的に
活性であるならば、特にキラルドープ剤として重要であ
る。その液晶が１種以上のキラル成分を含む請求項１の
前文に従う電気光学系はＤＥ３９ １１ ２５５．１に
記載されている。
は枝分れ鎖でありうるが、直鎖であるのが好ましい。枝
分れしたアルキルまたはアルコキシ基を有する式Ｉの化
合物も通常の液晶基材に対してより良好な溶解性を有す
るので、場合によっては重要であるが、それが光学的に
活性であるならば、特にキラルドープ剤として重要であ
る。その液晶が１種以上のキラル成分を含む請求項１の
前文に従う電気光学系はＤＥ３９ １１ ２５５．１に
記載されている。
【００５８】この種の枝分れ基は１つ以下の鎖枝を一般
に含んでいる。好ましい枝分れ基はイソプロピル、２−
ブチル（＝１−メチルプロピル）、イソブチル（＝２−
メチルプロピル）、２−メチルブチル、イソペンチル
（＝３−メチルブチル）、２−メチルペンチル、３−メ
チルペンチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペン
チル、２−オクチル、イソプロポキシ、２−メチルプロ
ポキシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、２
−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、２−エチ
ルヘキソキシ、２−メチルヘキソキシ、２−オクチルオ
キシ、２−オキサ−３−メチルブチル、３−オキサ−４
−メチルペンチル、４−メチルヘキシル、２−ノニル、
６−メチルオクトキシ、２−メチル−３−オキサペンチ
ルおよび２−メチル−３−オキサヘキシルである。
に含んでいる。好ましい枝分れ基はイソプロピル、２−
ブチル（＝１−メチルプロピル）、イソブチル（＝２−
メチルプロピル）、２−メチルブチル、イソペンチル
（＝３−メチルブチル）、２−メチルペンチル、３−メ
チルペンチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペン
チル、２−オクチル、イソプロポキシ、２−メチルプロ
ポキシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、２
−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、２−エチ
ルヘキソキシ、２−メチルヘキソキシ、２−オクチルオ
キシ、２−オキサ−３−メチルブチル、３−オキサ−４
−メチルペンチル、４−メチルヘキシル、２−ノニル、
６−メチルオクトキシ、２−メチル−３−オキサペンチ
ルおよび２−メチル−３−オキサヘキシルである。
【００５９】式Ｉの化合物は、文献［例えば、シュトッ
トガルトのゲオルグ−スィーメ（Georg-Thieme）出版社
発行のホーベン−ワイル（Houben-Weyl）、「有機化学
の方法（Methoden der Organischen Chemie）」、Ｖｏ
ｌ．ＩＸ、ｐ．８６７以降のような定本］に記載されて
いるようなそれ自体公知の方法によって、特に公知の前
記反応に適した反応条件下に製造される。この点に関
し、それ自体公知であるが、ここではさらに詳細には説
明しない異法を使用することもできる。
トガルトのゲオルグ−スィーメ（Georg-Thieme）出版社
発行のホーベン−ワイル（Houben-Weyl）、「有機化学
の方法（Methoden der Organischen Chemie）」、Ｖｏ
ｌ．ＩＸ、ｐ．８６７以降のような定本］に記載されて
いるようなそれ自体公知の方法によって、特に公知の前
記反応に適した反応条件下に製造される。この点に関
し、それ自体公知であるが、ここではさらに詳細には説
明しない異法を使用することもできる。
【００６０】下位式Ｉａの小群の化合物が特に好まし
い。
い。
【００６１】
【化３２】 （式中、環Ａ3および環Ａ4は、互いに独立して１，４−
シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ
−１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フ
ェニレンであり、およびＲ 1 は請求項１の意味を示し、
Ｘ1はＨまたはＦであり、そして以下の番号の組合せ１
〜５がｎ、Ｚ3およびＺ4に当てはまる：
シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ
−１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フ
ェニレンであり、およびＲ 1 は請求項１の意味を示し、
Ｘ1はＨまたはＦであり、そして以下の番号の組合せ１
〜５がｎ、Ｚ3およびＺ4に当てはまる：
【００６２】
【表２】
【００６３】簡略化のために、以下において、Ｃｙｃは
トランス−１，４−シクロヘキシレンであり、Ｐｈｅは
１，４−フェニレンであり、Ｐｈｅ．２Ｆは２−フルオ
ロ−１，４−フェニレンであり、Ｐｈｅ．３Ｆは３−フ
ルオロ−１，４−フェニレンであり、Ｐｈｅ．Ｆ２は
２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり、Ｐｈ
ｅ．３Ｆ５Ｆは３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレ
ンであり、Ｐｈｅ．Ｆは２−または３−ジフルオロ−
１，４−フェニレンであり、Ｐｙｒはピリミジン−２，
５−ジイルであり、Ｐｙｄはピリジン−２，５−ジイル
であり、Ｄｉｏは１，３−ジオキサン−２，５−ジイル
であり、そしてＴｈｐはテトラヒドロフラン−２，５−
ジイルである。頭字語Ｐｙｒ、Ｐｙｄ、ＤｉｏおよびＴ
ｈｐは、それぞれの場合において、２つの存在しうる位
置異性体を含み、頭字語Ｐｈｅ．２Ｃｌ、Ｐｈｅ．３Ｃ
ｌ、Ｐｈｅ．３Ｃｌ５ＣｌおよびＰｈｅ．Ｃｌの意味は
個々の弗素化１，４−フェニレン基の意味から明らかで
ある。
トランス−１，４−シクロヘキシレンであり、Ｐｈｅは
１，４−フェニレンであり、Ｐｈｅ．２Ｆは２−フルオ
ロ−１，４−フェニレンであり、Ｐｈｅ．３Ｆは３−フ
ルオロ−１，４−フェニレンであり、Ｐｈｅ．Ｆ２は
２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり、Ｐｈ
ｅ．３Ｆ５Ｆは３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレ
ンであり、Ｐｈｅ．Ｆは２−または３−ジフルオロ−
１，４−フェニレンであり、Ｐｙｒはピリミジン−２，
５−ジイルであり、Ｐｙｄはピリジン−２，５−ジイル
であり、Ｄｉｏは１，３−ジオキサン−２，５−ジイル
であり、そしてＴｈｐはテトラヒドロフラン−２，５−
ジイルである。頭字語Ｐｙｒ、Ｐｙｄ、ＤｉｏおよびＴ
ｈｐは、それぞれの場合において、２つの存在しうる位
置異性体を含み、頭字語Ｐｈｅ．２Ｃｌ、Ｐｈｅ．３Ｃ
ｌ、Ｐｈｅ．３Ｃｌ５ＣｌおよびＰｈｅ．Ｃｌの意味は
個々の弗素化１，４−フェニレン基の意味から明らかで
ある。
【００６４】下位式Ｉａの化合物は、以下の下位式Ｉａ
２−１〜１ａ２−６の化合物であるのが好ましい２環式
化合物を包含するものである。
２−１〜１ａ２−６の化合物であるのが好ましい２環式
化合物を包含するものである。
【００６５】 R1-Phe-Phe.3F-CN Ia2-1 R1-Phe-Phe.3F5F-CN Ia2-2 R1-Cyc-CH2CH2-Phe.3F-CN Ia2-3 R1-Cyc-CH2CH2-Phe.3F5F-CN Ia2-4 R1-Cyc-Phe.3F-CN Ia2-5 R1-Cyc-Phe.3F5F-CN Ia2-6
【００６６】下位式Ｉａ２−１〜Ｉａ２−６の化合物に
おいて、Ｒ1は式Ｉの化合物に対して示した意味であ
る。Ｒ1は１〜１０、特に１〜８個のＣ原子を有するア
ルキル、アルケニルまたはアルコキシであるのが好まし
い。ｎ−アルコキシアルキル化合物、特にｎ−メトキシ
アルキル、ｎ−アルコキシエチルおよびｎ−アルコキシ
メチル化合物がさらに好ましい。式Ｉａ２−２、Ｉａ２
−４およびＩａ２−６の化合物を含む液晶媒体が誘電異
方性に関する特に有利な値を有している。下位式Ｉａ２
−１およびＩａ２−２の化合物において、Ｐｈｅは、そ
れぞれの場合において互いに独立して、ラテラルに弗素
化されていてもよい。
おいて、Ｒ1は式Ｉの化合物に対して示した意味であ
る。Ｒ1は１〜１０、特に１〜８個のＣ原子を有するア
ルキル、アルケニルまたはアルコキシであるのが好まし
い。ｎ−アルコキシアルキル化合物、特にｎ−メトキシ
アルキル、ｎ−アルコキシエチルおよびｎ−アルコキシ
メチル化合物がさらに好ましい。式Ｉａ２−２、Ｉａ２
−４およびＩａ２−６の化合物を含む液晶媒体が誘電異
方性に関する特に有利な値を有している。下位式Ｉａ２
−１およびＩａ２−２の化合物において、Ｐｈｅは、そ
れぞれの場合において互いに独立して、ラテラルに弗素
化されていてもよい。
【００６７】下位式Ｉａの化合物は、以下の下位式Ｉａ
３−１〜Ｉａ３−１６の化合物であるのが好ましい３環
式化合物を包含するものである。
３−１〜Ｉａ３−１６の化合物であるのが好ましい３環
式化合物を包含するものである。
【００６８】 R1-Cyc-Phe-CH2CH2-Phe.3F-CN Ia3-1 R1-Cyc-Phe-CH2CH2-Phe.3F5F-CN Ia3-2 R1-Cyc-Cyc-CH2CH2-Phe.3F-CN Ia3-3 R1-Cyc-Cyc-CH2CH2-Phe.3F5F-CN Ia3-4 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe.3F-CN Ia3-5 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe.3F5F-CN Ia3-6 R1-Cyc-CH2CH2-Cyc-Phe.3F-CN Ia3-7 R1-Cyc-CH2CH2-Cyc-Phe.3F5F-CN Ia3-8 R1-Phe-Phe-Phe.3F-CN Ia3-9 R1-Phe-Phe-Phe.3F5F-CN Ia3-10 R1-Cyc-Phe-Phe.3F-CN Ia3-11 R1-Cyc-Phe-Phe.3F5F-CN Ia3-12 R1-Cyc-Cyc-Phe.3F-CN Ia3-13 R1-Cyc-Cyc-Phe.3F5F-CN Ia3-14 R1-Phe-CH2CH2-Phe-Phe.3F-CN Ia3-15 R1-Phe-CH2CH2-Phe.3F5F-CN Ia3-16 R1-Phe-Phe-CH2CH2-Phe.3F-CN Ia3-17 R1-Phe-Phe-CH2CH2- Phe.3F5F-CN Ia3-18
【００６９】下位式Ｉａ３−１〜Ｉａ３−１８の化合物
において、Ｒ1は式Ｉの化合物に対して示した意味であ
り、Ｒ1は１〜１０のＣ原子を有するｎ−アルキル、ｎ
−アルケニルまたはｎ−アルコキシであるのが好まし
く、さらに１〜１８個のＣ原子を有するｎ−アルコキシ
メチルまたはｎ−アルコキシエチルでもある。
において、Ｒ1は式Ｉの化合物に対して示した意味であ
り、Ｒ1は１〜１０のＣ原子を有するｎ−アルキル、ｎ
−アルケニルまたはｎ−アルコキシであるのが好まし
く、さらに１〜１８個のＣ原子を有するｎ−アルコキシ
メチルまたはｎ−アルコキシエチルでもある。
【００７０】Ｒ1がメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘ
キソキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキ
シメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、メトキ
シエチル、エトキシエチル、プロポキシエチル、ブトキ
シエチルまたはペントキシエチルである式Ｉａ３−１〜
Ｉａ３−１８の化合物は特に非常に好ましい化合物であ
る。
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘ
キソキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキ
シメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、メトキ
シエチル、エトキシエチル、プロポキシエチル、ブトキ
シエチルまたはペントキシエチルである式Ｉａ３−１〜
Ｉａ３−１８の化合物は特に非常に好ましい化合物であ
る。
【００７１】下位式Ｉａ３−１〜Ｉａ３−１８の化合物
において、Ｐｈｅ基は、それぞれの場合において互いに
独立して、ラテラルに弗素化、特にモノ弗素化されてい
てもよい。
において、Ｐｈｅ基は、それぞれの場合において互いに
独立して、ラテラルに弗素化、特にモノ弗素化されてい
てもよい。
【００７２】式Ｉａ、Ｉａ２−１〜Ｉａ２−６およびＩ
ａ３−１〜Ｉａ３−１８の化合物は大部分は知られてお
り、また好ましくはＤＥ３，２０９，１７８、ＪＰ６２
−１０３，０５７、ＤＥ３，９２９，４１８、ＪＰ６３
−２１６，８５８、ＤＥ３，４０１，３２０、ＥＰ０，
１１９，７５６、ＤＥ３，６３２，４１１、ＥＰ０，２
０５，９９８に記載された方法、特にＤＥ３，９２９，
４１８に記載された方法によって製造される。
ａ３−１〜Ｉａ３−１８の化合物は大部分は知られてお
り、また好ましくはＤＥ３，２０９，１７８、ＪＰ６２
−１０３，０５７、ＤＥ３，９２９，４１８、ＪＰ６３
−２１６，８５８、ＤＥ３，４０１，３２０、ＥＰ０，
１１９，７５６、ＤＥ３，６３２，４１１、ＥＰ０，２
０５，９９８に記載された方法、特にＤＥ３，９２９，
４１８に記載された方法によって製造される。
【００７３】式Ｉａ、詳細には式Ｉａ２−１〜Ｉａ２−
６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−１８の化合物を含んでい
る液晶混合物は本発明の電気光学系に使用するのに特に
適しており、また複屈折Δｎおよびフロー粘度ηに関す
る有利な値、高安定性、マトリックスに使用するポリマ
ーに対する低い混和性、および特に広いメソゲニック範
囲、比較的高い透明点および誘電異方性、しきい電圧お
よび電気光学パラメーターの温度依存性に関する有利な
値を特徴とする。
６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−１８の化合物を含んでい
る液晶混合物は本発明の電気光学系に使用するのに特に
適しており、また複屈折Δｎおよびフロー粘度ηに関す
る有利な値、高安定性、マトリックスに使用するポリマ
ーに対する低い混和性、および特に広いメソゲニック範
囲、比較的高い透明点および誘電異方性、しきい電圧お
よび電気光学パラメーターの温度依存性に関する有利な
値を特徴とする。
【００７４】本発明の電気光学液晶系に使用される液晶
は１〜４０％、特に５〜３０％の下位式Ｉａ、特に下位
式Ｉａ２−１〜Ｉａ２−６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−
１８の化合物を含んでいるのが好ましい。これらの液晶
は１〜５種、特に１〜３種の下位式Ｉａ、詳細には下位
式Ｉａ２−１〜Ｉａ２−６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−
１８の化合物を含んでいるのが好ましい。
は１〜４０％、特に５〜３０％の下位式Ｉａ、特に下位
式Ｉａ２−１〜Ｉａ２−６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−
１８の化合物を含んでいるのが好ましい。これらの液晶
は１〜５種、特に１〜３種の下位式Ｉａ、詳細には下位
式Ｉａ２−１〜Ｉａ２−６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−
１８の化合物を含んでいるのが好ましい。
【００７５】液晶混合物は、下位式Ｉａの化合物以外に
以下の式II〜IVの化合物を基礎とするものであるのが特
に好ましい。
以下の式II〜IVの化合物を基礎とするものであるのが特
に好ましい。
【００７６】 T-W1-Phe-CN II R-W1-Cyc-CN III T-V-Phe-CN IV (式中、Ｒは、それぞれの場合に互いに独立して、その
１つまたは隣接しない２つのＣＨ2基を−Ｏ−、−ＣＯ
−および／または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えることもで
きる１〜１５個のＣ原子を有するアルキル基であり、Ｗ
1はＰｈｅ.（Ｆ）−Ｙ1 または Ｃｙｃ−Ｙ1 であ
り、Ｙ1は単結合、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であ
り、Ｖはピリジン−１，５−ジイルまたはピリミジン−
２，５−ジイルであり、ＴはＲ、Ｒ−Ｐｈｅ.（Ｆ）−
Ｙ1 または Ｒ−Ｃｙｃ−Ｙ1 であり、およびＰｈ
ｅ.（Ｆ）は１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，
４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレ
ンである）。式II〜IVの化合物において、末端基Ｐｈｅ
−ＣＮは、特にＹ1が−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であ
る場合、Ｆによって３および／または５部位にモノまた
はジ弗素化することもできる。
１つまたは隣接しない２つのＣＨ2基を−Ｏ−、−ＣＯ
−および／または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えることもで
きる１〜１５個のＣ原子を有するアルキル基であり、Ｗ
1はＰｈｅ.（Ｆ）−Ｙ1 または Ｃｙｃ−Ｙ1 であ
り、Ｙ1は単結合、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であ
り、Ｖはピリジン−１，５−ジイルまたはピリミジン−
２，５−ジイルであり、ＴはＲ、Ｒ−Ｐｈｅ.（Ｆ）−
Ｙ1 または Ｒ−Ｃｙｃ−Ｙ1 であり、およびＰｈ
ｅ.（Ｆ）は１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，
４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレ
ンである）。式II〜IVの化合物において、末端基Ｐｈｅ
−ＣＮは、特にＹ1が−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であ
る場合、Ｆによって３および／または５部位にモノまた
はジ弗素化することもできる。
【００７７】式II〜IVの化合物は公知であるかまたは文
献［例えば、シュトットガルトのゲオルグ−スィーメ出
版社発行のホーベン−ワイル、「有機化学の方法」、Ｖ
ｏｌ．ＩＸ、ｐ．８６７以降のような定本］に記載され
ているようなそれ自体公知の方法によって、特に公知の
前記反応に適した反応条件下に製造されるかのいずれか
である。この点に関し、それ自体公知であるが、ここで
はさらに詳細に説明しない異法を使用することもでき
る。
献［例えば、シュトットガルトのゲオルグ−スィーメ出
版社発行のホーベン−ワイル、「有機化学の方法」、Ｖ
ｏｌ．ＩＸ、ｐ．８６７以降のような定本］に記載され
ているようなそれ自体公知の方法によって、特に公知の
前記反応に適した反応条件下に製造されるかのいずれか
である。この点に関し、それ自体公知であるが、ここで
はさらに詳細に説明しない異法を使用することもでき
る。
【００７８】本発明の電気光学液晶系に使用される液晶
混合物中の下位式Ｉａ、特に下位式Ｉａ２−１〜Ｉａ２
−６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−１６の化合物の群から
選択される１種以上の化合物および式II〜IVの化合物の
群から選択される１種以上の化合物から成る成分混合物
の含有量は１５％〜１００％、特に２５％〜１００％で
あるのが好ましい。下位式Ｉａ、特に下位式Ｉａ２−１
〜Ｉａ２−６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−１６の１種以
上の化合物以外に、この成分混合物は以下の化合物II１
〜II２５、III１〜III３およびIV１〜IV８の小群から選
択される１種以上の化合物を含んでいるのが特に好まし
い。
混合物中の下位式Ｉａ、特に下位式Ｉａ２−１〜Ｉａ２
−６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−１６の化合物の群から
選択される１種以上の化合物および式II〜IVの化合物の
群から選択される１種以上の化合物から成る成分混合物
の含有量は１５％〜１００％、特に２５％〜１００％で
あるのが好ましい。下位式Ｉａ、特に下位式Ｉａ２−１
〜Ｉａ２−６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−１６の１種以
上の化合物以外に、この成分混合物は以下の化合物II１
〜II２５、III１〜III３およびIV１〜IV８の小群から選
択される１種以上の化合物を含んでいるのが特に好まし
い。
【００７９】 R-Cyc-Phe-CN II1 R-Cyc-COO-Phe-CN II2 R-Cyc-COO-Phe.3F-CN II3 R-Cyc-COO-Phe.3F5F-CN II4 R-Phe-Phe-CN II5 R-Phe-COO-Phe-CN II6 R-Phe-COO-Phe.3F-CN II7 R-Phe-COO-Phe.3F5F-CN II8 R-Cyc-Phe-Phe-CN II9 R-Cyc-COO-Phe-Phe-CN II10 R-Cyc-Phe-COO-Phe-CN II11 R-Cyc-COO-Phe-Phe.3F-CN II12 R-Cyc-COO-Phe-Phe.3F5F-CN II13 R-Cyc-Phe-COO-Phe.3F-CN II14 R-Cyc-Phe-COO-Phe.3F5F-CN II15 R-Phe-Phe-Phe-CN II16 R-Phe-Phe.3F-Phe-CN II17 R-Phe-Phe.2F-Phe-CN II18 R-Phe-COO-Phe-Phe-CN II19 R-Phe-COO-Phe-Phe.3F-CN II20 R-Phe-COO-Phe-Phe.3F5F-CN II21 R-Phe-Phe-COO-Phe-CN II22 R-Phe-Phe-COO-Phe.3F-CN II23 R-Phe-Phe-COO-Phe.3F5F-CN II24 R-Cyc-Cyc-CN III1 R-Cyc-COO-Cyc-CN III2 R-Cyc-OCO-Cyc-CN III3 R-Pyd-Phe-CN IV1 R-Pyr-Phe-CN IV2 R-Pyd-Phe-Phe-CN IV3 R-Pyr-Phe-Phe-CN IV4 R-Phe-Pyd-Phe-CN IV5 R-Phe-Pyr-Phe-CN IV6 R-Cyc-Pyr-Phe-CN IV7 R-Cyc-Pyd-Phe-CN IV8
【００８０】下位式Ｉａ、特に下位式Ｉａ２−１〜Ｉａ
２−６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−１６の化合物から選
択される少なくとも１種の化合物以外に、下位式II１〜
II２４の化合物から選択される１種以上の化合物および
下位式IV１〜IV８の化合物から選択される少なくとも１
種の化合物を含んでいる成分混合物が特に非常に好まし
い。
２−６およびＩａ３−１〜Ｉａ３−１６の化合物から選
択される少なくとも１種の化合物以外に、下位式II１〜
II２４の化合物から選択される１種以上の化合物および
下位式IV１〜IV８の化合物から選択される少なくとも１
種の化合物を含んでいる成分混合物が特に非常に好まし
い。
【００８１】それぞれの場合に述べた式の化合物群から
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含んでいる以下の
成分混合物Ｔ（Ｉａ）１〜４を基礎とする液晶混合物が
好ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の
好ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、
好ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含ん
でいる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は
１００％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は
１０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別
には２５％〜１００％の間である。
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含んでいる以下の
成分混合物Ｔ（Ｉａ）１〜４を基礎とする液晶混合物が
好ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の
好ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、
好ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含ん
でいる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は
１００％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は
１０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別
には２５％〜１００％の間である。
【００８２】
【表３】
【００８３】本発明の系は、その液晶混合物が以下の化
合物群を基礎とするものであるのも特に好ましい。
合物群を基礎とするものであるのも特に好ましい。
【００８４】 R-Cyc-Phe-CN II1 R-Phe-Phe-CN II5 R-Cyc-Phe-Phe-CN II9 R-Phe-Phe-Phe-CN II16
【００８５】この系は、誘電異方性を増大させるため
に、液晶混合物が５〜６０％の以下の式の１種以上の化
合物を含んでいることを特徴とする。
に、液晶混合物が５〜６０％の以下の式の１種以上の化
合物を含んでいることを特徴とする。
【００８６】 R-Phe.2F-Phe-CN II25 R-Phe.3F-Phe-CN II25a R1-Phe-Phe.3F-CN Ia2-1 R1-Phe-Phe-Phe.3F-CN Ia3-9 R-Phe-Phe.2F-Phe-CN II18 R-Phe-Phe.3F-Phe-CN II17 R-Cyc-Phe.2F-Phe-CN II26 R-Cyc-Phe.3F-Phe-CN II27 R-Phe.F-Phe.F-Phe-CN II28 （ただし、Ｒ1およびＲの意味は先に示した通りであ
り、Ｒは、特に２〜７個のＣ原子を有するアルキル基で
あるのが好ましい。）この種の混合物は好ましく、また
本発明の主題である。
り、Ｒは、特に２〜７個のＣ原子を有するアルキル基で
あるのが好ましい。）この種の混合物は好ましく、また
本発明の主題である。
【００８７】以下において、化合物II１、II５、II９お
よびII１６を基礎とするこの液晶混合物成分をその成分
（ｉ）と言うこともあり、一方化合物II２５、Ｉａ２−
１、Ｉａ３−９、II１７、II１８、II２６、II２７、II
２８およびII２５ａを基礎とする成分は成分（ii）と言
うこともある。これらの液晶混合物は成分（ｉ）および
（ii）のみから成るものでもよいが、液晶混合物が他の
成分（iii）および（iv）を含むことも可能である。成
分（iii）は、液晶の複屈折Δｎおよび／または常光線
屈折率ｎ0および／または他の屈折率および／または他
のパラメーターがそれぞれの用途に対して特異に最適化
されるように選択される他のネマチックまたはネマチッ
ク形成物質を含んでいる。成分（iii）にも好ましく使
用することができるネマチックまたはネマチック形成物
質を以下にさらに列記する。成分（iv）は、例えばコレ
ステリック相を減少させるためのキラルドープ剤および
／または多色染料および／または、例えば導電性等の液
晶混合物の他の特性を改質するための他の添加剤を含ん
でいる。この点に関し、成分（iv）の化合物はメソ相形
成性および非メソ相形成性のいずれでもありうる。
よびII１６を基礎とするこの液晶混合物成分をその成分
（ｉ）と言うこともあり、一方化合物II２５、Ｉａ２−
１、Ｉａ３−９、II１７、II１８、II２６、II２７、II
２８およびII２５ａを基礎とする成分は成分（ii）と言
うこともある。これらの液晶混合物は成分（ｉ）および
（ii）のみから成るものでもよいが、液晶混合物が他の
成分（iii）および（iv）を含むことも可能である。成
分（iii）は、液晶の複屈折Δｎおよび／または常光線
屈折率ｎ0および／または他の屈折率および／または他
のパラメーターがそれぞれの用途に対して特異に最適化
されるように選択される他のネマチックまたはネマチッ
ク形成物質を含んでいる。成分（iii）にも好ましく使
用することができるネマチックまたはネマチック形成物
質を以下にさらに列記する。成分（iv）は、例えばコレ
ステリック相を減少させるためのキラルドープ剤および
／または多色染料および／または、例えば導電性等の液
晶混合物の他の特性を改質するための他の添加剤を含ん
でいる。この点に関し、成分（iv）の化合物はメソ相形
成性および非メソ相形成性のいずれでもありうる。
【００８８】液晶中の成分（ｉ）の質量は１０〜８０
％、特に１５〜７０％、さらに特別には１５〜６５％で
あるのが好ましい。液晶混合物をΔｎ＞０．２４の高い
複屈折を有するようにする場合、成分（ｉ）は４−アル
キルおよび／または４−アルコキシ−４’−シアノコビ
フェニル類および／または４−アルキルおよび／または
４−アルコキシ−４”−シアノターフェニル類および／
または４−（トランス−４−アルキルまたはトランス−
４−アルコキシシクロヘキシル）−４’−シアノビフェ
ニル類を含むのが好ましい。一方、液晶混合物を０．１
３≦Δｎ≦０．２２の複屈折を有するようにする場合、
成分（ｉ）は、特に１種以上の今述べた成分（ｉ）の高
Δｎ化合物以外に４−（トランス−４−アルキルまたは
トランス−４−アルコキシシクロヘキシル）ベンゾニト
リル類を含んでいるのが好ましい。
％、特に１５〜７０％、さらに特別には１５〜６５％で
あるのが好ましい。液晶混合物をΔｎ＞０．２４の高い
複屈折を有するようにする場合、成分（ｉ）は４−アル
キルおよび／または４−アルコキシ−４’−シアノコビ
フェニル類および／または４−アルキルおよび／または
４−アルコキシ−４”−シアノターフェニル類および／
または４−（トランス−４−アルキルまたはトランス−
４−アルコキシシクロヘキシル）−４’−シアノビフェ
ニル類を含むのが好ましい。一方、液晶混合物を０．１
３≦Δｎ≦０．２２の複屈折を有するようにする場合、
成分（ｉ）は、特に１種以上の今述べた成分（ｉ）の高
Δｎ化合物以外に４−（トランス−４−アルキルまたは
トランス−４−アルコキシシクロヘキシル）ベンゾニト
リル類を含んでいるのが好ましい。
【００８９】好ましい式II２５、II２５ａおよびＩａ２
−１のラテラルに弗素化されたビフェニル類において、
Ｒ1はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシおよびヘプトキ
シであるのが好ましい。
−１のラテラルに弗素化されたビフェニル類において、
Ｒ1はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシおよびヘプトキ
シであるのが好ましい。
【００９０】さらに、成分（ii）は式Ｉａ３−９、II１
７、II１８、II２６およびII２７のラテラルにモノ弗素
化された３環式化合物を含んでいるのが好ましい。これ
らの化合物において、Ｒ1は１〜７個のＣ原子、特に２
〜７個のＣ原子、とりわけ２〜５個のＣ原子を有するア
ルキル、アルコキシまたはアルコキシアルキルであるの
が好ましい。
７、II１８、II２６およびII２７のラテラルにモノ弗素
化された３環式化合物を含んでいるのが好ましい。これ
らの化合物において、Ｒ1は１〜７個のＣ原子、特に２
〜７個のＣ原子、とりわけ２〜５個のＣ原子を有するア
ルキル、アルコキシまたはアルコキシアルキルであるの
が好ましい。
【００９１】高透明点を有する液晶混合物を得ようとす
る場合、成分（ｉ）は式II９およびII１６の３環式化合
物を含んでいるのが好ましく、および／または成分（I
I）は式Ｉａ３−９、II１７、II１８、II２６、II２７
およびII２８の３環式化合物を含んでいるのが好まし
い。少なくとも１種の式II９およびII１６の化合物およ
び少なくとも１種の式Ｉａ３−９、II１７、II１８およ
びII２６〜２８の化合物を含んでいる液晶混合物が、こ
れらの混合物が一般にΔεに関して比較的高いまたは高
い値と共に高い透明点を有しているのでとくに好まし
い。
る場合、成分（ｉ）は式II９およびII１６の３環式化合
物を含んでいるのが好ましく、および／または成分（I
I）は式Ｉａ３−９、II１７、II１８、II２６、II２７
およびII２８の３環式化合物を含んでいるのが好まし
い。少なくとも１種の式II９およびII１６の化合物およ
び少なくとも１種の式Ｉａ３−９、II１７、II１８およ
びII２６〜２８の化合物を含んでいる液晶混合物が、こ
れらの混合物が一般にΔεに関して比較的高いまたは高
い値と共に高い透明点を有しているのでとくに好まし
い。
【００９２】成分（ｉ）および（ii）を含んでいる液晶
混合物はＴc＞７５℃、特にＴc＞８０℃、さらに特別に
はＴc＞８５℃の透明点を有しているのが好ましい。
混合物はＴc＞７５℃、特にＴc＞８０℃、さらに特別に
はＴc＞８５℃の透明点を有しているのが好ましい。
【００９３】式II２５、II２５ａ、Ｉａ２−１、Ｉａ３
−９、II１８、II１７およびII２６〜２８のラテラルに
弗素化された化合物は通常成分（ｉ）および改質混合物
に対して非常に良好な溶解性を有している。液晶混合物
中の式Ｉａ３−９、II１８、II１７およびII２６〜２８
のラテラルに弗素化されたテルフェニル類の溶解性は一
般に式II１６の弗素化されていないテルフェニルの溶解
性より実質的に良好である。
−９、II１８、II１７およびII２６〜２８のラテラルに
弗素化された化合物は通常成分（ｉ）および改質混合物
に対して非常に良好な溶解性を有している。液晶混合物
中の式Ｉａ３−９、II１８、II１７およびII２６〜２８
のラテラルに弗素化されたテルフェニル類の溶解性は一
般に式II１６の弗素化されていないテルフェニルの溶解
性より実質的に良好である。
【００９４】１種以上の式II２５、II２５ａ、Ｉａ２−
１、Ｉａ３−９、II１８、II１７およびII２６〜２８、
特に式Ｉａ２−１、Ｉａ３−９、II１８、II１７、II２
５、II２５ａおよびII２６〜２７のラテラルに弗素化さ
れた化合物を含有する液晶混合物は従来技術から知られ
ている混合物Ｅ７およびＥ８、あるいはまた相当する混
合物より良好なＵＶおよび温度安定性を特徴とする。
１、Ｉａ３−９、II１８、II１７およびII２６〜２８、
特に式Ｉａ２−１、Ｉａ３−９、II１８、II１７、II２
５、II２５ａおよびII２６〜２７のラテラルに弗素化さ
れた化合物を含有する液晶混合物は従来技術から知られ
ている混合物Ｅ７およびＥ８、あるいはまた相当する混
合物より良好なＵＶおよび温度安定性を特徴とする。
【００９５】成分（ｉ）および（ii）および、所望なら
ば他の成分（iii）および（iv）も含有する液晶混合物
およびこれらを含有する電気光学系は有利な特性を有し
ている。特に、これらの混合物は高いまたは比較的高い
複屈折と共に高いまたは比較的高い誘電異方性および／
または高い透明点を有している。式II１、II５、II９、
II１６、II２５、II２５ａ、Ｉａ２−１、Ｉａ３−９、
II１８、II１７、II２６、II２７およびII２８の化合物
は大抵の用途に関して熱および放射線エネルギーに対し
て十分に安定であり、また化学薬品に対して非常に安定
である。これらの化合物を含有する液晶混合物は、特に
低温においてさえ非常にネマチック性であり、またηに
関し有利な値を有している。これらの混合物を用いて操
作される電気光学系は電気光学パラメーターおよびそれ
らの温度依存性に関する有利な値、高いコントラストお
よびコントラストの低い角度依存性そしてまた良好な製
造性を有している。
ば他の成分（iii）および（iv）も含有する液晶混合物
およびこれらを含有する電気光学系は有利な特性を有し
ている。特に、これらの混合物は高いまたは比較的高い
複屈折と共に高いまたは比較的高い誘電異方性および／
または高い透明点を有している。式II１、II５、II９、
II１６、II２５、II２５ａ、Ｉａ２−１、Ｉａ３−９、
II１８、II１７、II２６、II２７およびII２８の化合物
は大抵の用途に関して熱および放射線エネルギーに対し
て十分に安定であり、また化学薬品に対して非常に安定
である。これらの化合物を含有する液晶混合物は、特に
低温においてさえ非常にネマチック性であり、またηに
関し有利な値を有している。これらの混合物を用いて操
作される電気光学系は電気光学パラメーターおよびそれ
らの温度依存性に関する有利な値、高いコントラストお
よびコントラストの低い角度依存性そしてまた良好な製
造性を有している。
【００９６】それらの液晶混合物が下位式Ｉｂ
【００９７】
【化３３】 ［式中、Ｑ2は
【００９８】
【化３４】 であり、環Ａ5および環Ａ6の一方は
【００９９】
【化３５】 （ただし、Ｖ1はＮまたはＣＨである）であり、そして
他方は、存在するならばトランス−１，４−シクロヘキ
シレンまたは１，４−フェニレンであり、Ｘ2およびＹ2
は、互いに独立してＨまたはＦであり、Ｐは０または１
であり、およびＺ5およびＺ6は、互いに独立して単結合
またはＣＨ2ＣＨ2であり、そしてＲ1は請求項に示した
意味である］の化合物の小群から選択される１種以上の
化合物を含んでいる本発明の電気光学液晶系がさらに好
ましい。
他方は、存在するならばトランス−１，４−シクロヘキ
シレンまたは１，４−フェニレンであり、Ｘ2およびＹ2
は、互いに独立してＨまたはＦであり、Ｐは０または１
であり、およびＺ5およびＺ6は、互いに独立して単結合
またはＣＨ2ＣＨ2であり、そしてＲ1は請求項に示した
意味である］の化合物の小群から選択される１種以上の
化合物を含んでいる本発明の電気光学液晶系がさらに好
ましい。
【０１００】特に好ましい液晶混合物は、Ｘ2またはＹ2
の少なくとも１つがＦである下位式Ｉｂの化合物
の少なくとも１つがＦである下位式Ｉｂの化合物
【０１０１】
【化３６】 を１種以上含有している混合物である。
【０１０２】下位式ＩｂＦの化合物は以下の式ＩｂＦ２
−１〜ＩｂＦ２−８のラテラルにモノ弗素化またはラテ
ラルにジ弗素化された２環式化合物を含む。
−１〜ＩｂＦ２−８のラテラルにモノ弗素化またはラテ
ラルにジ弗素化された２環式化合物を含む。
【０１０３】 R1-Pyd-Phe.3F-CN IbF2-1 R1-Pyd-Phe.3F5F-CN IbF2-2 R1-Pyr-Phe.3F-CN IbF2-3 R1-Pyr-Phe.3F5F-CN IbF2-4 R1-Pyd-CH2CH2-Phe.3F-CN IbF2-5 R1-Pyd-CH2CH2-Phe.3F5F-CN IbF2-6 R1-Pyr-CH2CH2-Phe.3F-CN IbF2-7 R1-Pyr-CH2CH2-Phe.3F5F-CN IbF2-8
【０１０４】式ＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２−８の化合物に
おいて、Ｒ1は１〜１０、特に１〜８個のＣ原子を有す
るアルキルまたはアルコキシであるのが好ましく、さら
にｎ−アルコキシアルキル、特にｎ−アルコキシメチル
およびｎ−アルコキシエチルでもある。３，５−ジフル
オロ−４−シアノフェニル基を有する式ＩｂＦ２−４、
ＩｂＦ２−４、ＩｂＦ２−６および／またはＩｂＦ２−
８の化合物を含有する液晶は誘電異方性に関する特に有
利な値を有している。Ｒ1がメチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−
ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ
−メトキシ、ｎ−エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｎ−ブト
キシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキソキシ、ｎ−ヘプトキ
シ、ｎ−オクトキシ、ｎ−ノノキシ、ｎ−デコキシまた
はｎ−ウンデコキシである式ＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２−
８の化合物が特に非常に好ましい化合物である。
おいて、Ｒ1は１〜１０、特に１〜８個のＣ原子を有す
るアルキルまたはアルコキシであるのが好ましく、さら
にｎ−アルコキシアルキル、特にｎ−アルコキシメチル
およびｎ−アルコキシエチルでもある。３，５−ジフル
オロ−４−シアノフェニル基を有する式ＩｂＦ２−４、
ＩｂＦ２−４、ＩｂＦ２−６および／またはＩｂＦ２−
８の化合物を含有する液晶は誘電異方性に関する特に有
利な値を有している。Ｒ1がメチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−
ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ
−メトキシ、ｎ−エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｎ−ブト
キシ、ｎ−ペントキシ、ｎ−ヘキソキシ、ｎ−ヘプトキ
シ、ｎ−オクトキシ、ｎ−ノノキシ、ｎ−デコキシまた
はｎ−ウンデコキシである式ＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２−
８の化合物が特に非常に好ましい化合物である。
【０１０５】式ＩｂＦの化合物は以下のラテラルにモノ
またはジ弗素化された式ＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６
の好ましい３環式化合物をさらに含む。
またはジ弗素化された式ＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６
の好ましい３環式化合物をさらに含む。
【０１０６】 R1-Pyd-Phe-Phe.3F-CN IbF3-1 R1-Pyr-Phe-Phe.3F-CN IbF3-2 R1-Pyd-Phe-Phe.3F5F-CN IbF3-3 R1-Pyr-Phe-Phe.3F5F-CN IbF3-4 R1-Phe-Pyd-Phe.3F-CN IbF3-5 R1-Phe-Pyd-Phe.3F5F-CN IbF3-6 R1-Phe-Pyr-Phe.3F-CN IbF3-7 R1-Phe-Pyr-Phe.3F5F-CN IbF3-8 R1-Cyc-Pyd-Phe.3F-CN IbF3-9 R1-Cyc-Pyd-Phe.3F5F-CN IbF3-10 R1-Cyc-Pyr-Phe.3F-CN IbF3-11 R1-Cyc-Pyr-Phe.3F5F-CN IbF3-12 R1-Pyd-Phe-CH2CH2-Phe.3F-CN IbF3-13 R1-Pyd-Phe-CH2CH2-Phe.3F5F-CN IbF3-14 R1-Pyr-Phe-CH2CH2-Phe.3F-CN IbF3-15 R1-Pyr-Phe-CH2CH2-Phe.3F5F-CN IbF3-16 R1-Phe-Pyd-CH2CH2-Phe.3F-CN IbF3-17 R1-Phe-Pyd-CH2CH2-Phe.3F5F-CN IbF3-18 R1-Phe-Pyr-CH2CH2-Phe.3F-CN IbF3-19 R1-Phe-Pyr-CH2CH2-Phe.3F5F-CN IbF3-20 R1-Cyc-Pyd-CH2CH2-Phe.3F-CN IbF3-21 R1-Cyc-Pyd-CH2CH2-Phe.3F5F-CN IbF3-22 R1-Cyc-Pyr-CH2CH2-Phe.3F-CN IbF3-23 R1-Cyc-Pyr-CH2CH2-Phe.3F5F-CN IbF3-24 R1-Pyd-CH2CH2-Phe-Phe.3F-CN IbF3-25 R1-Pyd-CH2CH2-Phe-Phe.3F5F-CN IbF3-26 R1-Pyr-CH2CH2-P he-Phe.3F-CN IbF3-27 R1-Pyr-CH2CH2-Phe-Phe.3F5F-CN IbF3-28 R1-Phe-CH2CH2-Pyd-Phe.3F-CN IbF3-29 R1-Phe-CH2CH2-Pyd-Phe.3F5F-CN IbF3-30 R1-Phe-CH2CH2-Pyr-Phe.3F-CN IbF3-31 R1-Phe-CH2CH2-Pyr-Phe.3F5F-CN IbF3-32 R1-Cyc-CH2CH2-Pyd-Phe.3F-CN IbF3-33 R1-Cyc-CH2CH2-Pyd-Phe.3F5F-CN IbF3-34 R1-Cyc-CH2CH2-Pyr-Phe.3F IbF3-35 R1-Cyc-CH2CH2-Pyr-Phe.3F5F IbF3-36
【０１０７】式ＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６の化合物
において、Ｒ1は１〜１０個のＣ原子を有するｎ−アル
キルまたはｎ−アルコキシであるのが好ましく、さらに
１〜８個のＣ原子を有するｎ−アルコキシメチルまたは
ｎ−アルコキシエチルでもある。好ましい式ＩｂＦ３−
１〜ＩｂＦ３−３６の化合物は誘電異方性Δεに関し高
いまたは比較的高い値を有している。この場合、構造要
素
において、Ｒ1は１〜１０個のＣ原子を有するｎ−アル
キルまたはｎ−アルコキシであるのが好ましく、さらに
１〜８個のＣ原子を有するｎ−アルコキシメチルまたは
ｎ−アルコキシエチルでもある。好ましい式ＩｂＦ３−
１〜ＩｂＦ３−３６の化合物は誘電異方性Δεに関し高
いまたは比較的高い値を有している。この場合、構造要
素
【０１０８】
【化３７】 を含んでいる式ＩｂＦ３−６、ＩｂＦ３−８、ＩｂＦ３
−９、ＩｂＦ３−１２、ＩｂＦ３−３０、ＩｂＦ３−３
２、ＩｂＦ３−３４およびＩｂＦ３−３６のジ弗素化化
合物はΔεに関する特に非常に高い値を特徴とする。
−９、ＩｂＦ３−１２、ＩｂＦ３−３０、ＩｂＦ３−３
２、ＩｂＦ３−３４およびＩｂＦ３−３６のジ弗素化化
合物はΔεに関する特に非常に高い値を特徴とする。
【０１０９】式ＩｂＦの化合物はＤＥ３，２０９，１７
８、ＤＥ４，００２，６０９、ＤＥ４，００１，０２
２、ＤＥ４，０１２，０１４、ＤＥ４，０１２，０２３
および３，３１５，２９５に記載された方法によって製
造するのが好ましい。
８、ＤＥ４，００２，６０９、ＤＥ４，００１，０２
２、ＤＥ４，０１２，０１４、ＤＥ４，０１２，０２３
および３，３１５，２９５に記載された方法によって製
造するのが好ましい。
【０１１０】式ＩｂＦ、特に式ＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２
−８およびＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６の１種以上の
化合物を含有する液晶混合物およびこれらの液晶混合物
で満たされた電気光学系は複屈折Δｎおよびフロー粘度
ηに関する有利な値、高い安定性、マトリックスに使用
されるポリマーに対する低い混和性、広いメソゲニック
範囲、比較的高い透明点並びに特に誘電異方性、しきい
電圧および電気光学パラメーターの温度依存性に関する
有利な値を特徴とする。
−８およびＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６の１種以上の
化合物を含有する液晶混合物およびこれらの液晶混合物
で満たされた電気光学系は複屈折Δｎおよびフロー粘度
ηに関する有利な値、高い安定性、マトリックスに使用
されるポリマーに対する低い混和性、広いメソゲニック
範囲、比較的高い透明点並びに特に誘電異方性、しきい
電圧および電気光学パラメーターの温度依存性に関する
有利な値を特徴とする。
【０１１１】これらの液晶混合物は１〜４０％、特に５
〜３０％の式ＩｂＦ、特に式ＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２−
８およびＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６の化合物を含ん
でいるのが好ましい。この場合、液晶混合物は１〜５
種、特に１〜３種の式ＩｂＦ、特に式ＩｂＦ２−１〜Ｉ
ｂＦ２−８およびＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６の化合
物を含んでいるのが好ましい。
〜３０％の式ＩｂＦ、特に式ＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２−
８およびＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６の化合物を含ん
でいるのが好ましい。この場合、液晶混合物は１〜５
種、特に１〜３種の式ＩｂＦ、特に式ＩｂＦ２−１〜Ｉ
ｂＦ２−８およびＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６の化合
物を含んでいるのが好ましい。
【０１１２】式ＩｂＦ、特にＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２−
８およびＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６の化合物群から
選択される１種以上の化合物とさらに化合物II１〜II２
８、III１〜III３およびIV１〜IV８の群から選択される
少なくとも１種の化合物とを含んでいる液晶混合物が特
に好ましい。本発明の液晶混合物中の式ＩｂＦ、特に式
ＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２−８およびＩｂＦ３−１〜Ｉｂ
Ｆ３−３６の少なくとも１種の化合物とさらに式II１〜
II２８、III１〜III３およびIV１〜IV８の１種以上の化
合物とから成る成分混合物の質量は１５％〜１００％、
特に２５％〜１００％であるのが好ましい。式ＩｂＦ、
特に式ＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２−８およびＩｂＦ３−１
〜ＩｂＦ３−３６の化合物から選択される少なくとも１
種の化合物以外に、それぞれの場合に示した化合物群か
ら選択される少なくとも１種の化合物を含有する成分混
合物Ｔ（ＩｂＦ）１〜Ｔ（ＩｂＦ）８が特に非常に好ま
しい。
８およびＩｂＦ３−１〜ＩｂＦ３−３６の化合物群から
選択される１種以上の化合物とさらに化合物II１〜II２
８、III１〜III３およびIV１〜IV８の群から選択される
少なくとも１種の化合物とを含んでいる液晶混合物が特
に好ましい。本発明の液晶混合物中の式ＩｂＦ、特に式
ＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２−８およびＩｂＦ３−１〜Ｉｂ
Ｆ３−３６の少なくとも１種の化合物とさらに式II１〜
II２８、III１〜III３およびIV１〜IV８の１種以上の化
合物とから成る成分混合物の質量は１５％〜１００％、
特に２５％〜１００％であるのが好ましい。式ＩｂＦ、
特に式ＩｂＦ２−１〜ＩｂＦ２−８およびＩｂＦ３−１
〜ＩｂＦ３−３６の化合物から選択される少なくとも１
種の化合物以外に、それぞれの場合に示した化合物群か
ら選択される少なくとも１種の化合物を含有する成分混
合物Ｔ（ＩｂＦ）１〜Ｔ（ＩｂＦ）８が特に非常に好ま
しい。
【０１１３】
【表４】
【０１１４】それぞれの場合に述べた式の化合物群から
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含んでいる以下の
成分混合物Ｔ（ＩｂＦ）９〜１３を基礎とする液晶混合
物が好ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化合
物の好ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８
種、好ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を
含んでいる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合
計は１００％である。本発明の液晶中の成分混合物の質
量は１０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに
特別には２５％〜１００％の間である。
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含んでいる以下の
成分混合物Ｔ（ＩｂＦ）９〜１３を基礎とする液晶混合
物が好ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化合
物の好ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８
種、好ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を
含んでいる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合
計は１００％である。本発明の液晶中の成分混合物の質
量は１０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに
特別には２５％〜１００％の間である。
【０１１５】
【表５】 末端基−Phe−ＣＮが弗素化されていない式Ｉｂの化合
物
物
【０１１６】
【化３８】 を１種以上含有する液晶混合物がさらに好ましい。
【０１１７】下位式ＩｂＮのこれらの化合物は以下の式
IV１〜IV２およびＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−２の２環式
化合物を含む。
IV１〜IV２およびＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−２の２環式
化合物を含む。
【０１１８】 R1-Pyd-Phe-CN IV1 R1-Pyr-Phe-CN IV2 R1-Pyd-CH2CH2-Phe-CN IbN2-1 R1-Pyr-CH2CH2-Phe-CN IbN2-2
【０１１９】式IV１〜IV２およびＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ
２−２の化合物のＲ1は１〜１０、特に１〜８個のＣ原
子を有するアルキルまたはアルコキシである。ｎ−アル
コキシアルキル化合物、特にｎ−アルコキシメチルおよ
びｎ−アルコキシエチル化合物がさらに好ましい。
２−２の化合物のＲ1は１〜１０、特に１〜８個のＣ原
子を有するアルキルまたはアルコキシである。ｎ−アル
コキシアルキル化合物、特にｎ−アルコキシメチルおよ
びｎ−アルコキシエチル化合物がさらに好ましい。
【０１２０】Ｒ1がメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘトキシまたはオクトキ
シである化合物が式IV１〜IV２およびＩｂＮ２−１〜Ｉ
ｂＮ２−２の特に非常に好ましい化合物である。式IV１
〜IV２およびＩｂＮ２の化合物、特に式IV２およびＩｂ
Ｎ２−２の化合物は誘電異方性Δεに関して高いまたは
比較的高い値を有している。本発明の液晶媒体が化合物
IV１〜IV２およびＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−２のどの化
合物を含んでいるのが好ましいかは本発明の電気光学系
の目的とする用途によって主として決まる。したがっ
て、例えば式IV１およびIV２の化合物は比較的高い透明
点、特に比較的高い光学異方性を有するが、式ＩｂＮ２
−１およびＩｂＮ２−２の化合物は、例えば比較的低い
フロー粘度を特徴とする。
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘトキシまたはオクトキ
シである化合物が式IV１〜IV２およびＩｂＮ２−１〜Ｉ
ｂＮ２−２の特に非常に好ましい化合物である。式IV１
〜IV２およびＩｂＮ２の化合物、特に式IV２およびＩｂ
Ｎ２−２の化合物は誘電異方性Δεに関して高いまたは
比較的高い値を有している。本発明の液晶媒体が化合物
IV１〜IV２およびＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−２のどの化
合物を含んでいるのが好ましいかは本発明の電気光学系
の目的とする用途によって主として決まる。したがっ
て、例えば式IV１およびIV２の化合物は比較的高い透明
点、特に比較的高い光学異方性を有するが、式ＩｂＮ２
−１およびＩｂＮ２−２の化合物は、例えば比較的低い
フロー粘度を特徴とする。
【０１２１】式IV１および／またはIV２の化合物を含有
する液晶混合物はマトリックス系に特に好ましいが、こ
れに対して網目構造体系にはあまり適していない。一
方、化合物ＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−２は一般にマトリ
ックスおよび網目構造体の混合物成分として特に好まし
い。
する液晶混合物はマトリックス系に特に好ましいが、こ
れに対して網目構造体系にはあまり適していない。一
方、化合物ＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−２は一般にマトリ
ックスおよび網目構造体の混合物成分として特に好まし
い。
【０１２２】式ＩｂＮの化合物は以下の式IV３〜IV８お
よびＩｂＮ３−１〜ＩｂＮ３−１８の３環式化合物をさ
らに含む。
よびＩｂＮ３−１〜ＩｂＮ３−１８の３環式化合物をさ
らに含む。
【０１２３】 R1-Pyd-Phe-Phe-CN IV3 R1-Pyr-Phe-Phe-CN IV4 R1-Pyd-Cyc-Phe-CN IbN3-1 R1-Pyr-Cyc-Phe-CN IbN3-2 R1-Phe-Pyd-Phe-CN IV5 R1-Phe-Pyr-Phe-CN IV6 R1-Cyc-Pyd-Phe-CN IV8 R1-Cyc-Pyr-Phe-CN IV7 R1-Pyd-Phe-CH2CH2-Phe-CN IbN3-3 R1-Pyr-Phe-CH2CH2-Phe-CN IbN3-4 R1-Pyd-Cyc-CH2CH2-Phe-CN IbN3-5 R1-Pyr-Cyc-CH2CH2-Phe-CN IbN3-6 R1-Phe-Pyd-CH2CH2-Phe-CN IbN3-7 R1-Phe-Pyr-CH2CH2-Phe-CN IbN3-8 R1-Cyc-Pyd-CH2CH2-Phe-CN IbN3-9 R1-Cyc-Pyr-CH2CH2-Phe-CN IbN3-10 R1-Pyd-CH2CH2-Phe-Phe-CN IbN3-11 R1-Pyr-CH2CH2-Phe-Phe-CN IbN3-12 R1-Pyd-CH2CH2-Cyc-Phe-CN IbN3-13 R1-Pyr-CH2CH2-Cyc-Phe-CN IbN3-14 R1-Phe-CH2CH2-Pyd-Phe-CN IbN3-15 R1-Phe-CH2CH2-Pyr-Phe-CN IbN3-16 R1-Cyc-CH2CH2-Pyd-Phe-CN IbN3-17 R1-Cyc-CH2CH2-Pyr-Phe-CN IbN3-18
【０１２４】式ＩV３〜IV８およびＩｂＮ３−１〜Ｉｂ
Ｎ３−１８の化合物において、Ｒ1はメチル、エチル、
プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキ
シ、オクトキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、メトキ
シメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキ
シメチル、メトキシエチル、エトキシエチルまたはプロ
ポキシエチルであるのが好ましい。
Ｎ３−１８の化合物において、Ｒ1はメチル、エチル、
プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキ
シ、オクトキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、メトキ
シメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキ
シメチル、メトキシエチル、エトキシエチルまたはプロ
ポキシエチルであるのが好ましい。
【０１２５】式ＩｂＮの化合物はＤＥ３，６００，０５
２、ＤＥ３，３１５，２９５、ＳＵ１，０６３，１０
０、ＳＵ１，０６３，１０１、ＳＵ１，０６９，４１
３、ＳＵ１，１７１，４５６、ＧＢ２，１１８，９３
４、ＥＰ０，０９７，０３３およびＤＥ３，４１１，５
７１に記載の方法によって製造するのが好ましい。
２、ＤＥ３，３１５，２９５、ＳＵ１，０６３，１０
０、ＳＵ１，０６３，１０１、ＳＵ１，０６９，４１
３、ＳＵ１，１７１，４５６、ＧＢ２，１１８，９３
４、ＥＰ０，０９７，０３３およびＤＥ３，４１１，５
７１に記載の方法によって製造するのが好ましい。
【０１２６】式ＩｂＮおよびIV、特に式ＩｂＮ２−１〜
ＩｂＮ２−２、ＩｂＮ３−１〜ＩｂＮ３−１８およびIV
１〜IV８の化合物から選択される１種以上の化合物を含
有する液晶混合物は光学異方性Δｎに関する有利な値、
高い安定性、マトリックスに使用されるポリマーに対す
る低い混和性、広いメソゲニック範囲、比較的高い透明
点並びに誘電異方性に関する有利な値および電気光学パ
ラメーターの有利な温度依存性を特徴とする。これらの
混合物は好ましい。
ＩｂＮ２−２、ＩｂＮ３−１〜ＩｂＮ３−１８およびIV
１〜IV８の化合物から選択される１種以上の化合物を含
有する液晶混合物は光学異方性Δｎに関する有利な値、
高い安定性、マトリックスに使用されるポリマーに対す
る低い混和性、広いメソゲニック範囲、比較的高い透明
点並びに誘電異方性に関する有利な値および電気光学パ
ラメーターの有利な温度依存性を特徴とする。これらの
混合物は好ましい。
【０１２７】本発明の液晶混合物は１〜４０％、特に５
〜３０％の式ＩｂＮおよびIV、特に式ＩｂＮ２−１〜Ｉ
ｂＮ２−２、ＩｂＮ３−１〜ＩｂＮ３−１８およびIV１
〜IV８の化合物を含んでいるのが好ましい。この場合、
液晶混合物は１〜５種、特に１〜３種の式ＩｂＮおよび
IV、特に式ＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−２、ＩｂＮ３−１
〜ＩｂＮ３−１８およびIV１〜IV８の化合物を含んでい
るのが好ましい。
〜３０％の式ＩｂＮおよびIV、特に式ＩｂＮ２−１〜Ｉ
ｂＮ２−２、ＩｂＮ３−１〜ＩｂＮ３−１８およびIV１
〜IV８の化合物を含んでいるのが好ましい。この場合、
液晶混合物は１〜５種、特に１〜３種の式ＩｂＮおよび
IV、特に式ＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−２、ＩｂＮ３−１
〜ＩｂＮ３−１８およびIV１〜IV８の化合物を含んでい
るのが好ましい。
【０１２８】好ましい式IV３〜IV４の化合物は誘電異方
性Δεに関し高いまたは比較的高い値を有している。こ
の場合、構造要素
性Δεに関し高いまたは比較的高い値を有している。こ
の場合、構造要素
【０１２９】
【化３９】 を含んでいる式IV６、IV７、ＩｂＮ３−８、ＩｂＮ３−
１６およびＩｂＮ３−１８の化合物はΔεに関する高い
値を特徴とする。
１６およびＩｂＮ３−１８の化合物はΔεに関する高い
値を特徴とする。
【０１３０】特に好ましい化合物は、比較的高い誘電異
方性と共に高い光学異方性を特徴とする式IV３、IV４、
IV５、IV６、ＩｂＮ３−３、ＩｂＮ３−４、ＩｂＮ３−
７、ＩｂＮ３−８、ＩｂＮ３−１１、ＩｂＮ３−１２、
ＩｂＮ３−１５およびＩｂＮ３−１６の化合物である。
これらの好ましい化合物を含有する液晶混合物が特に好
ましい。
方性と共に高い光学異方性を特徴とする式IV３、IV４、
IV５、IV６、ＩｂＮ３−３、ＩｂＮ３−４、ＩｂＮ３−
７、ＩｂＮ３−８、ＩｂＮ３−１１、ＩｂＮ３−１２、
ＩｂＮ３−１５およびＩｂＮ３−１６の化合物である。
これらの好ましい化合物を含有する液晶混合物が特に好
ましい。
【０１３１】式IV３、IV４、IV５、IV６および／または
IV７の化合物を含有する液晶混合物は時には網目構造体
系にあまり適していない。一方、この種の液晶混合物は
一般にマトリックス系に適用するのに特に適している。
IV７の化合物を含有する液晶混合物は時には網目構造体
系にあまり適していない。一方、この種の液晶混合物は
一般にマトリックス系に適用するのに特に適している。
【０１３２】式ＩｂＮ、特にＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−
２、ＩｂＮ３−１〜ＩｂＮ３−１８およびIV１〜IV８か
ら選択される１種以上の化合物とさらに化合物II１〜II
２８およびIII１〜III３の群から選択される１種以上の
化合物とを含んでいる液晶混合物が特に好ましい。本発
明によって使用される液晶混合物中の式ＩｂＮおよびI
V、特に式ＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−２、ＩｂＮ３−１
〜ＩｂＮ３−１８およびIV１〜IV８の少なくとも１種の
化合物とさらに式II１〜II２８およびIII１〜III３の少
なくとも１種の化合物とから成る成分混合物の質量は１
５％〜１００％、特に２５％〜１００％であるのが好ま
しい。
２、ＩｂＮ３−１〜ＩｂＮ３−１８およびIV１〜IV８か
ら選択される１種以上の化合物とさらに化合物II１〜II
２８およびIII１〜III３の群から選択される１種以上の
化合物とを含んでいる液晶混合物が特に好ましい。本発
明によって使用される液晶混合物中の式ＩｂＮおよびI
V、特に式ＩｂＮ２−１〜ＩｂＮ２−２、ＩｂＮ３−１
〜ＩｂＮ３−１８およびIV１〜IV８の少なくとも１種の
化合物とさらに式II１〜II２８およびIII１〜III３の少
なくとも１種の化合物とから成る成分混合物の質量は１
５％〜１００％、特に２５％〜１００％であるのが好ま
しい。
【０１３３】表示した物質群からのそれぞれ少なくとも
１種の化合物を含有する以下の成分混合物Ｔ（ＩｂＮ）
はマトリックス系に適用するのに特に適しているが、網
目構造体系にはあまり適していない。Ｒは上述の意味で
ある。
１種の化合物を含有する以下の成分混合物Ｔ（ＩｂＮ）
はマトリックス系に適用するのに特に適しているが、網
目構造体系にはあまり適していない。Ｒは上述の意味で
ある。
【０１３４】
【表６】
【０１３５】さらに、それぞれの場合に示したＩｂＮお
よびIVの化合物群から選択されるそれぞれ少なくとも１
種の化合物を含んでいる以下の成分混合物は網目構造体
系にはあまり好ましくない。
よびIVの化合物群から選択されるそれぞれ少なくとも１
種の化合物を含んでいる以下の成分混合物は網目構造体
系にはあまり好ましくない。
【０１３６】
【表７】
【０１３７】成分混合物Ｔ（ＩｂＮ）９〜Ｔ（ＩｂＮ）
１２はマトリックス系に適用するのが好ましい。
１２はマトリックス系に適用するのが好ましい。
【０１３８】それぞれの場合に上述の物質群からの少な
くとも１種の化合物を含んでいる以下の成分混合物Ｔ
（ＩｂＮ）１３〜１８の１種以上を含有する液晶混合物
は時には網目構造体系に適用するにはあまり適さない。
これに対し、これらの液晶混合物は一般にマトリックス
系に適用するために好んで使用することができる。
くとも１種の化合物を含んでいる以下の成分混合物Ｔ
（ＩｂＮ）１３〜１８の１種以上を含有する液晶混合物
は時には網目構造体系に適用するにはあまり適さない。
これに対し、これらの液晶混合物は一般にマトリックス
系に適用するために好んで使用することができる。
【０１３９】
【表８】
【０１４０】一方、この種の液晶混合物は、それらが網
目構造体系に適用するのに適するようにさらに別の化合
物を添加することによってしばしば改質することができ
る。
目構造体系に適用するのに適するようにさらに別の化合
物を添加することによってしばしば改質することができ
る。
【０１４１】したがって、上記成分混合物Ｔ（ＩｂＮ）
１〜１８以外に、例えば式Ｉａ、ＩｂＦ、Ｉｃ、Ｉｄお
よびＩｅ、特に好ましい下位式の化合物の群から選択さ
れる１種以上の化合物を含有する液晶混合物が一般に網
目構造体系に適用するのに適している。
１〜１８以外に、例えば式Ｉａ、ＩｂＦ、Ｉｃ、Ｉｄお
よびＩｅ、特に好ましい下位式の化合物の群から選択さ
れる１種以上の化合物を含有する液晶混合物が一般に網
目構造体系に適用するのに適している。
【０１４２】上記成分混合物以外に式Ｉｆ、特に好まし
い下位式の１種以上の化合物を含有する液晶混合物も網
目構造体系に適用するのに特に適している。これらの液
晶混合物中の式Ｉｆの化合物の質量は５％以上、特に
７．５％以上、さらに特別には１０％以上であるのが好
ましい。
い下位式の１種以上の化合物を含有する液晶混合物も網
目構造体系に適用するのに特に適している。これらの液
晶混合物中の式Ｉｆの化合物の質量は５％以上、特に
７．５％以上、さらに特別には１０％以上であるのが好
ましい。
【０１４３】成分混合物Ｔ（ＩｂＮ）１〜１８の１種以
上を含有する本発明によって使用される液晶混合物は一
般にマトリックス系に適用するのが特に好ましい。
上を含有する本発明によって使用される液晶混合物は一
般にマトリックス系に適用するのが特に好ましい。
【０１４４】化合物IV１、IV２、IV３、IV４、IV５およ
びIV６の群から選択される少なくとも１種の化合物とさ
らに化合物II５、II６、II７、II９、II１１、II１４、
II１６、II２２およびII２３の群から選択される少なく
とも一種の化合物とを含有する液晶混合物は一般に網目
構造体系に適用するためにはさらに一層好ましくない
が、この種の混合物はマトリックス系に適用するのに特
に適している。これに対し、この種の成分混合物とさら
に式Ｉａ、Ｉｃ、Ｉｄ、ＩｅおよびＩｂＦ、特に好まし
い下位式の化合物の群から選択される１種以上の化合物
とを含有する本発明によって使用される液晶混合物は一
般に網目構造体系に適用するのが好ましい。このことは
式Ｉｆ、特に好ましい下位式の１種以上の化合物を含有
する液晶混合物にも当てはまる。液晶混合物中の式Ｉｆ
の化合物の質量は５％以上、特に１０％以上、さらに特
別には１２．５％以上であるのが好ましい。
びIV６の群から選択される少なくとも１種の化合物とさ
らに化合物II５、II６、II７、II９、II１１、II１４、
II１６、II２２およびII２３の群から選択される少なく
とも一種の化合物とを含有する液晶混合物は一般に網目
構造体系に適用するためにはさらに一層好ましくない
が、この種の混合物はマトリックス系に適用するのに特
に適している。これに対し、この種の成分混合物とさら
に式Ｉａ、Ｉｃ、Ｉｄ、ＩｅおよびＩｂＦ、特に好まし
い下位式の化合物の群から選択される１種以上の化合物
とを含有する本発明によって使用される液晶混合物は一
般に網目構造体系に適用するのが好ましい。このことは
式Ｉｆ、特に好ましい下位式の１種以上の化合物を含有
する液晶混合物にも当てはまる。液晶混合物中の式Ｉｆ
の化合物の質量は５％以上、特に１０％以上、さらに特
別には１２．５％以上であるのが好ましい。
【０１４５】式ＩｂＮ２−１、ＩｂＮ２−２およびＩｂ
Ｎ３−３〜ＩｂＮ３−１８の少なくとも１種の化合物を
含有する液晶混合物が網目構造体系そしてその上マトリ
ックス系に特に好ましい。
Ｎ３−３〜ＩｂＮ３−１８の少なくとも１種の化合物を
含有する液晶混合物が網目構造体系そしてその上マトリ
ックス系に特に好ましい。
【０１４６】さらに、式ＩｂＮ、特にＩｂＮ２−１、Ｉ
ｂＮ２−２およびＩｂＮ３−１〜ＩｂＮ３−１８並びに
IV１〜IV８の１種以上の化合物以外に、以下の化合物群
II２、II４、II３、II８、II１０、II１５、II１７、II
１８、II１９、II２５、II２６、II２７、II２８、III
１、III２、III３、II１２、II１３、II２０、II２１、
II２４、IV７およびIV８から選択される少なくとも１種
の化合物を含有する液晶混合物は請求項１の前文に従う
電気光学系に使用するのに特に非常に適している。
ｂＮ２−２およびＩｂＮ３−１〜ＩｂＮ３−１８並びに
IV１〜IV８の１種以上の化合物以外に、以下の化合物群
II２、II４、II３、II８、II１０、II１５、II１７、II
１８、II１９、II２５、II２６、II２７、II２８、III
１、III２、III３、II１２、II１３、II２０、II２１、
II２４、IV７およびIV８から選択される少なくとも１種
の化合物を含有する液晶混合物は請求項１の前文に従う
電気光学系に使用するのに特に非常に適している。
【０１４７】それぞれの場合に述べた式の化合物群から
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含んでいる以下の
成分混合物Ｔ（ＩｂＦ）１９〜２３を基礎とする液晶混
合物が好ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化
合物の好ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３
８種、好ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物
を含んでいる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の
合計は１００％である。本発明の液晶中の成分混合物の
質量は１０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さら
に特別には２５％〜１００％の間である。
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含んでいる以下の
成分混合物Ｔ（ＩｂＦ）１９〜２３を基礎とする液晶混
合物が好ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化
合物の好ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３
８種、好ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物
を含んでいる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の
合計は１００％である。本発明の液晶中の成分混合物の
質量は１０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さら
に特別には２５％〜１００％の間である。
【０１４８】
【表９】 それらの液晶混合物が式Ｉｃ
【０１４９】
【化４０】 ［式中、Ｑ3は
【０１５０】
【化４１】 であり、環Ａ7または環Ａ8の一方は
【０１５１】
【化４２】 （ただし、Ｔ1は−ＣＨ2−または−Ｏ−である）であ
り、そして他方は、存在するならばトランス−１，４−
シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレン、２−フル
オロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４
−フェニレンであり、Ｚ7およびＺ8は、互いに独立して
単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−または−ＣＨ2ＣＨ2−
であり、ｒおよびｑは、互いに独立して０または１であ
り、Ｘ3はＦまたはＣｌであり、および
り、そして他方は、存在するならばトランス−１，４−
シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレン、２−フル
オロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４
−フェニレンであり、Ｚ7およびＺ8は、互いに独立して
単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−または−ＣＨ2ＣＨ2−
であり、ｒおよびｑは、互いに独立して０または１であ
り、Ｘ3はＦまたはＣｌであり、および
【０１５２】
【化４３】 は２−フルオロ−または２−クロロ−１，４−フェニレ
ンまたは３−フルオロ−または３−クロロ−１，４−フ
ェニレンであり、そしてＲ1は請求項１に示した意味で
ある］の少なくとも１種の化合物を含んでいる本発明の
電気光学液晶系がさらに特に適している。
ンまたは３−フルオロ−または３−クロロ−１，４−フ
ェニレンであり、そしてＲ1は請求項１に示した意味で
ある］の少なくとも１種の化合物を含んでいる本発明の
電気光学液晶系がさらに特に適している。
【０１５３】式Ｉｃの化合物は、Ｚ7およびＸ3が上述の
意味であり、そしてＰｈｅ．（Ｘ）がＰｈｅ、Ｐｈｅ．
ＦまたはＰｈｅ．Ｃｌである以下の式ＩｃＴ２およびＩ
ｃＤ２の２環式テトラヒドロピラン誘導体およびジオキ
サン誘導体を含む。
意味であり、そしてＰｈｅ．（Ｘ）がＰｈｅ、Ｐｈｅ．
ＦまたはＰｈｅ．Ｃｌである以下の式ＩｃＴ２およびＩ
ｃＤ２の２環式テトラヒドロピラン誘導体およびジオキ
サン誘導体を含む。
【０１５４】R1-Thp-Z7-Phe.(X)-CN IcT2R1-Dio
-Z7-Phe.(X)-CN IcD2式ＩｃＴ２およびＩｃＤ２
の化合物のＲ1は１〜１０、特に１〜８個のＣ原子を有
するアルキルまたはアルコキシであるのが好ましい。ｎ
−アルコキシアルキル化合物、特にｎ−アルコキシメチ
ルおよびｎ−アルコキシエチル化合物がさらに好まし
い。さらに、Ｒは１〜７個のＣ原子を有するアルケニル
であるのも好ましい。Ｒがメチル、エチル、プロピル、
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノ
ニル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシまたはオク
トキシである化合物が式ＩｃＴ２およびＩｃＤ２の特に
非常に好ましい化合物である。
-Z7-Phe.(X)-CN IcD2式ＩｃＴ２およびＩｃＤ２
の化合物のＲ1は１〜１０、特に１〜８個のＣ原子を有
するアルキルまたはアルコキシであるのが好ましい。ｎ
−アルコキシアルキル化合物、特にｎ−アルコキシメチ
ルおよびｎ−アルコキシエチル化合物がさらに好まし
い。さらに、Ｒは１〜７個のＣ原子を有するアルケニル
であるのも好ましい。Ｒがメチル、エチル、プロピル、
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノ
ニル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシまたはオク
トキシである化合物が式ＩｃＴ２およびＩｃＤ２の特に
非常に好ましい化合物である。
【０１５５】式ＩｃＴ２およびＩｃＤ２の化合物におい
て、Ｚは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−また
は単結合、特に−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＯＯ−または単結
合、一層特別には−ＣＯＯ−または単結合である。フェ
ニル環はＸ3＝ＦまたはＣｌによってモノ置換（ｒ＝
１）することができ、また未置換でもよい。未置換化合
物および２または３部位にＦ原子または３部位にＣｌ原
子を有する化合物が好ましい。
て、Ｚは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−また
は単結合、特に−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＯＯ−または単結
合、一層特別には−ＣＯＯ−または単結合である。フェ
ニル環はＸ3＝ＦまたはＣｌによってモノ置換（ｒ＝
１）することができ、また未置換でもよい。未置換化合
物および２または３部位にＦ原子または３部位にＣｌ原
子を有する化合物が好ましい。
【０１５６】式ＩｃＴ２−１〜ＩｃＴ２−５およびＩｃ
Ｄ２−１〜ＩｃＤ２−６の以下の小群の化合物が特に好
ましい。
Ｄ２−１〜ＩｃＤ２−６の以下の小群の化合物が特に好
ましい。
【０１５７】 R1-Thp-Phe-CN IcT2-1 R1-Thp-Phe.3F-CN IcT2-2 R1-Thp-Phe.3Cl-CN IcT2-3 R1-Thp-COO-Phe.(F)-CN IcT2-4 R1-Thp-CH2CH2-Phe.(F)-CN IcT2-5 R1-Dio-Phe-CN IcD2-1 R1-Dio-Phe.3F-CN IcD2-2 R1-Dio-Phe.3Cl-CN IcD2-3 R1-Dio-COO-Phe.3F-CN IcD2-4 R1-Dio-COO-Phe.3Cl-CN IcD2-5 R1-Dio-CH2CH2-Phe.(F)-CN IcD2-6
【０１５８】式ＩｃＴ２−１〜ＩｃＴ２−５およびＩｃ
Ｄ２−１〜ＩｃＤ２−６の好ましい化合物群から選択さ
れる１種以上の化合物を含有する液晶混合物が特に好ま
しい。化合物ＩｃＴ２−１、ＩｃＴ２−２、ＩｃＴ２−
４、ＩｃＴ２−５、ＩｃＤ２−１、ＩｃＤ２−２、Ｉｃ
Ｄ２−４およびＩｃＤ２−６の群から選択される化合物
を含有する混合物が特に非常に好ましい液晶混合物であ
る。
Ｄ２−１〜ＩｃＤ２−６の好ましい化合物群から選択さ
れる１種以上の化合物を含有する液晶混合物が特に好ま
しい。化合物ＩｃＴ２−１、ＩｃＴ２−２、ＩｃＴ２−
４、ＩｃＴ２−５、ＩｃＤ２−１、ＩｃＤ２−２、Ｉｃ
Ｄ２−４およびＩｃＤ２−６の群から選択される化合物
を含有する混合物が特に非常に好ましい液晶混合物であ
る。
【０１５９】式Ｉｃの化合物はさらに次式ＩｃＴ３−１
〜ＩｃＴ３−８およびＩｃＤ３−１〜ＩｃＤ３−８の３
環式テトラヒドロピラン誘導体およびジオキサン誘導体
を含む。
〜ＩｃＴ３−８およびＩｃＤ３−１〜ＩｃＤ３−８の３
環式テトラヒドロピラン誘導体およびジオキサン誘導体
を含む。
【０１６０】 R1-Phe.(F)-Thp-Z7-Phe.(X)-CN IcT3-1 R1-Cyc-Thp-Z7-Phe.(X)-CN IcT3-2 R1-Thp-Phe.(F)-Z7-Phe.(X)-CN IcT3-3 R1-Thp-Cyc-Z7-Phe.(X)-CN IcT3-4 R1-Phe.(F)-Z8-Thp-Phe.(X)-CN IcT3-5 R1-Cyc-Z8-Thp-Phe.(X)-CN IcT3-6 R1-Thp-Z8-Phe.(F)-Phe.(X)-CN IcT3-7 R1-Thp-Z8-Cyc-Phe.(X)-CN IcT3-8 R1-Phe.(F)-Dio-Z7-Phe.(X)-CN IcD3-1 R1-Cyc-Dio-Z7-Phe.(X)-CN IcD3-2 R1-Dio-Phe.(F)-Z7-Phe.(X)-CN IcD3-3 R1-Dio-Cyc-Z7-Phe.(X)-CN IcD3-4 R1-Phe.(F)-Z8-Dio-Phe.(X)-CN IcD3-5 R1-Cyc-Z8-Dio-Phe.(X)-CN IcD3-6 R1-Dio-Z8-Phe.(F)-Phe.(X)-CN IcD3-7 R1-Dio-Z8-Cyc-Phe.(X)-CN IcD3-8
【０１６１】式ＩｃＴ３−１〜ＩｃＴ３−８およびＩｃ
Ｄ３−１〜ＩｃＤ３−８の好ましい化合物において、Ｒ
1はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘ
キソキシ、ヘプトキシ、オクトキシ、ノニルオキシ、デ
シルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポ
キシメチル、ブトキシメチル、メトキシメチル、エトキ
シメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、メトキ
シメトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエチ
ル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニ
ル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル
または５−ヘキセニルであるのが好ましい。式ＩｃＴ３
−１〜ＩｃＴ３−８およびＩｃＤ３−１〜ＩｃＤ３−８
の化合物において、Ｚ 7 及びＺ 8 は−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
−、−ＣＨ2ＣＨ2−または単結合、好ましくは−ＣＯＯ
−、−ＣＨ2ＣＨ2−または単結合、さらに特別には単結
合である。
Ｄ３−１〜ＩｃＤ３−８の好ましい化合物において、Ｒ
1はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘ
キソキシ、ヘプトキシ、オクトキシ、ノニルオキシ、デ
シルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポ
キシメチル、ブトキシメチル、メトキシメチル、エトキ
シメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、メトキ
シメトキシエチル、エトキシエチル、プロポキシエチ
ル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニ
ル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル
または５−ヘキセニルであるのが好ましい。式ＩｃＴ３
−１〜ＩｃＴ３−８およびＩｃＤ３−１〜ＩｃＤ３−８
の化合物において、Ｚ 7 及びＺ 8 は−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ
−、−ＣＨ2ＣＨ2−または単結合、好ましくは−ＣＯＯ
−、−ＣＨ2ＣＨ2−または単結合、さらに特別には単結
合である。
【０１６２】Ｐｈｅ．（Ｆ）が２−または３−フルオロ
−１，４−フェニレン基である式ＩｃＴ３−１〜ＩｃＴ
３−８およびＩｃＤ３−１〜ＩｃＤ３−８の化合物は一
般にラテラルに置換されていない化合物と比べて比較的
低い粘度ηを有している。
−１，４−フェニレン基である式ＩｃＴ３−１〜ＩｃＴ
３−８およびＩｃＤ３−１〜ＩｃＤ３−８の化合物は一
般にラテラルに置換されていない化合物と比べて比較的
低い粘度ηを有している。
【０１６３】以下の小群の３環式化合物が特に非常に好
ましい。
ましい。
【０１６４】 R1-Phe-Thp-Phe-CN IcT3-1a R1-Phe-Thp-Phe.3F-CN IcT3-1b R1-Phe-Dio-Phe-CN IcD3-1a R1-Phe-Dio-Phe.3F-CN IcD3-1b R1-Cyc-Thp-Phe-CN IcT3-2a R1-Cyc-Dio-Phe-CN IcD3-2a R1-Thp-Phe-Phe-CN IcT3-3a R1- Dio-Phe-Phe-CN IcD3-3a R1-Dio-Phe-Phe.3F-CN IcD3-3b
【０１６５】Ｚ 7 及びＺ 8 が−ＣＯＯ−または−ＣＨ2Ｃ
Ｈ2−である式ＩｃＴ３−１、ＩｃＤ３−１、ＩｃＴ３
−３、ＩｃＤ３−３、ＩｃＴ３−５、ＩｃＤ３−５、Ｉ
ｃＴ３−６およびＩｃＤ３−６のテトラヒドロピラン類
およびジオキサン類がさらに特に非常に好ましい。
Ｈ2−である式ＩｃＴ３−１、ＩｃＤ３−１、ＩｃＴ３
−３、ＩｃＤ３−３、ＩｃＴ３−５、ＩｃＤ３−５、Ｉ
ｃＴ３−６およびＩｃＤ３−６のテトラヒドロピラン類
およびジオキサン類がさらに特に非常に好ましい。
【０１６６】式ＩｃＴ２、ＩｃＤ２、ＩｃＴ３およびＩ
ｃＤ３の化合物はフロー粘度ηおよび光学異方性Δｎに
関する有利な値および特に誘電異方性Δεに関する高い
値を有している。構造要素
ｃＤ３の化合物はフロー粘度ηおよび光学異方性Δｎに
関する有利な値および特に誘電異方性Δεに関する高い
値を有している。構造要素
【０１６７】
【化４４】 を含む式ＩｃＴ２、ＩｃＤ２、ＩｃＴ３およびＩｃＤ３
の化合物はΔεに関する特に非常に高い値を有してい
る。
の化合物はΔεに関する特に非常に高い値を有してい
る。
【０１６８】式ＩｃＴまたはＩｃＤの化合物はＤＥ３，
４４７，３５９、ＤＥ３，３０６，９６０、ＧＢ８９
２８ ５８３．７およびＤＥ３，１４６，２４９に記載
された方法によって製造するのが好ましい。
４４７，３５９、ＤＥ３，３０６，９６０、ＧＢ８９
２８ ５８３．７およびＤＥ３，１４６，２４９に記載
された方法によって製造するのが好ましい。
【０１６９】式ＩｃＴ２、ＩｃＤ２、ＩｃＴ３およびＩ
ｃＤ３、さらに詳細には好ましい式ＩｃＴ２−１〜Ｉｃ
Ｔ２−５、ＩｃＤ２−１〜ＩｃＣ２−６、ＩｃＴ３−１
ａ〜１ｂ、ＩｃＤ３−１ａ〜１ｂ、ＩｃＴ３−２ａ、Ｉ
ｃＤ３−２ａ、ＩｃＴ３−３ａおよびＩｃＤ３−３ａ〜
３ｂの少なくとも１種の化合物を含有する液晶混合物は
複屈折Δｎおよびフロー粘度ηに関する有利な値、高い
安定性、マトリックスに使用されるポリマーに対する低
い混和性、広いメソゲニック範囲、比較的高い透明点、
および特に誘電異方性および電気光学パラメーターの温
度依存性に関する有利な値を特徴とする。
ｃＤ３、さらに詳細には好ましい式ＩｃＴ２−１〜Ｉｃ
Ｔ２−５、ＩｃＤ２−１〜ＩｃＣ２−６、ＩｃＴ３−１
ａ〜１ｂ、ＩｃＤ３−１ａ〜１ｂ、ＩｃＴ３−２ａ、Ｉ
ｃＤ３−２ａ、ＩｃＴ３−３ａおよびＩｃＤ３−３ａ〜
３ｂの少なくとも１種の化合物を含有する液晶混合物は
複屈折Δｎおよびフロー粘度ηに関する有利な値、高い
安定性、マトリックスに使用されるポリマーに対する低
い混和性、広いメソゲニック範囲、比較的高い透明点、
および特に誘電異方性および電気光学パラメーターの温
度依存性に関する有利な値を特徴とする。
【０１７０】本発明の電気光学液晶系に使用される液晶
混合物は１〜４０％、特に５〜３０％の式ＩｃＴおよび
ＩｃＤ、特に好ましい下位式の化合物を含んでいるのが
好ましい。この場合、液晶混合物は式ＩｃＴおよびＩｃ
Ｄ、特に好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３種の化
合物を含有しているのが好ましい。
混合物は１〜４０％、特に５〜３０％の式ＩｃＴおよび
ＩｃＤ、特に好ましい下位式の化合物を含んでいるのが
好ましい。この場合、液晶混合物は式ＩｃＴおよびＩｃ
Ｄ、特に好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３種の化
合物を含有しているのが好ましい。
【０１７１】式ＩｃＴ２、ＩｃＤ２、ＩｃＴ３およびＩ
ｃＤ３、特に好ましい式ＩｃＴ２−１〜ＩｃＴ２−５、
ＩｃＤ２−１〜ＩｃＣ２−６、ＩｃＴ３−１ａ〜１ｂ、
ＩｃＤ３−１ａ〜１ｂ、ＩｃＴ３−２ａ、ＩｃＤ３−２
ａ、ＩｃＴ３−３ａおよびＩｃＤ３−３ａ〜３ｂの化合
物群から選択される１種以上の化合物とさらに化合物II
１〜II２８、III１〜III３およびIV１〜IV８の群から選
択される１種以上の化合物とを含有する混合物が特に好
ましい液晶混合物である。本発明によって使用される液
晶混合物中の式ＩｃＴ２、ＩｃＤ２、ＩｃＴ３およびＩ
ｃＤ３、特に表示した好ましい下位式の少なくとも１種
の化合物とさらに式II１〜II２８、III１〜III３および
IV１〜IV８の少なくとも１種の化合物とから成る成分混
合物の質量は１５％〜１００％、特に２５％〜１００％
であるのが好ましい。
ｃＤ３、特に好ましい式ＩｃＴ２−１〜ＩｃＴ２−５、
ＩｃＤ２−１〜ＩｃＣ２−６、ＩｃＴ３−１ａ〜１ｂ、
ＩｃＤ３−１ａ〜１ｂ、ＩｃＴ３−２ａ、ＩｃＤ３−２
ａ、ＩｃＴ３−３ａおよびＩｃＤ３−３ａ〜３ｂの化合
物群から選択される１種以上の化合物とさらに化合物II
１〜II２８、III１〜III３およびIV１〜IV８の群から選
択される１種以上の化合物とを含有する混合物が特に好
ましい液晶混合物である。本発明によって使用される液
晶混合物中の式ＩｃＴ２、ＩｃＤ２、ＩｃＴ３およびＩ
ｃＤ３、特に表示した好ましい下位式の少なくとも１種
の化合物とさらに式II１〜II２８、III１〜III３および
IV１〜IV８の少なくとも１種の化合物とから成る成分混
合物の質量は１５％〜１００％、特に２５％〜１００％
であるのが好ましい。
【０１７２】以下のグループＡからの少なくとも１種の
化合物および以下のグループＢからの少なくとも１種の
化合物を含有する以下の成分混合物が特に好ましい。
化合物および以下のグループＢからの少なくとも１種の
化合物を含有する以下の成分混合物が特に好ましい。
【０１７３】
【表１０】
【０１７４】それぞれの場合に述べた式の化合物群から
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物Ｔ（Ｉｃ）１〜５を基礎とする液晶混合物が好
ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の好
ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、好
ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含んで
いる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は１
００％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は１
０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別に
は２５％〜１００％の間である。
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物Ｔ（Ｉｃ）１〜５を基礎とする液晶混合物が好
ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の好
ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、好
ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含んで
いる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は１
００％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は１
０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別に
は２５％〜１００％の間である。
【０１７５】
【表１１】 それらの液晶混合物が式Ｉｄ
【０１７６】
【化４５】 （式中環Ａ9は１，４−フェニレンまたはトランス−
１，４−シクロヘキシレンであり、環Ａ10は１，４−フ
ェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フ
ルオロ−１，４−フェニレンまたはトランス−１，４−
シクロヘキシレンであり、Ｚ9は単結合、−ＣＯＯ−、
−ＯＣＯ−または−ＣＨ2ＣＨ2−であり、Ｚ10は単結
合、−ＣＯＯ−または−ＣＨ2ＣＨ2−であり、ｓは０ま
たは１であり、そしてＲ1は上述の意味である）の１種
以上の化合物を含んでいる電気光学液晶系がさらに好ま
しい。
１，４−シクロヘキシレンであり、環Ａ10は１，４−フ
ェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フ
ルオロ−１，４−フェニレンまたはトランス−１，４−
シクロヘキシレンであり、Ｚ9は単結合、−ＣＯＯ−、
−ＯＣＯ−または−ＣＨ2ＣＨ2−であり、Ｚ10は単結
合、−ＣＯＯ−または−ＣＨ2ＣＨ2−であり、ｓは０ま
たは１であり、そしてＲ1は上述の意味である）の１種
以上の化合物を含んでいる電気光学液晶系がさらに好ま
しい。
【０１７７】液晶が式ＩｄＥ２−１およびＩｄＥ３−１
〜ＩｄＥ３−８の以下の小群の化合物から選択される１
種以上の化合物を含んでいる系が特に好ましい系であ
る。
〜ＩｄＥ３−８の以下の小群の化合物から選択される１
種以上の化合物を含んでいる系が特に好ましい系であ
る。
【０１７８】 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-CN IdE2-1 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe-CN IdE3-1 R1-Phe-CH2CH2-Cyc-Phe-CN IdE3-2 R1-Cyc-CH2CH2-Cyc-Phe-CN IdE3-3 R1-Cyc-Phe-CH2CH2-Phe-CN IdE3-4 R1-Phe-Cyc-CH2CH2-Phe-CN IdE3-5 R1-Cyc-Cyc-CH2CH2-Phe-CN IdE3-6 R1-Phe-Phe-CH2CH2-Phe-CN IdE3-7 R1-Phe-CH2CH2-Phe-Phe-CN IdE3-8 （式中、Ｒ1は上述の意味である）。
【０１７９】式ＩｄＥ２−１の２環式化合物において、
Ｒ1は１〜１０個のＣ原子、特に１〜８個のＣ原子を有
するｎ−アルキルまたはｎ−アルコキシであるのが好ま
しい。ｎ−アルコキシアルキル化合物、特にｎ−アルコ
キシメチルおよびｎ−アルコキシエチル化合物がさらに
好ましい。
Ｒ1は１〜１０個のＣ原子、特に１〜８個のＣ原子を有
するｎ−アルキルまたはｎ−アルコキシであるのが好ま
しい。ｎ−アルコキシアルキル化合物、特にｎ−アルコ
キシメチルおよびｎ−アルコキシエチル化合物がさらに
好ましい。
【０１８０】式ＩｄＥ３−１〜ＩｄＥ３−８の３環式化
合物においては、Ｒ1は１〜１０個のＣ原子を有するｎ
−アルキルまたはｎ−アルコキシであるのが好ましく、
さらにｎ−アルコキシが１〜６個のＣ原子を有するｎ−
アルコキシメチルまたはｎ−アルコキシエチルでもあ
る。
合物においては、Ｒ1は１〜１０個のＣ原子を有するｎ
−アルキルまたはｎ−アルコキシであるのが好ましく、
さらにｎ−アルコキシが１〜６個のＣ原子を有するｎ−
アルコキシメチルまたはｎ−アルコキシエチルでもあ
る。
【０１８１】Ｒ1はメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、オクトキ
シ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチ
ル、ブトキシメチル、メトキシメチル、エトキシメチル
またはプロポキシメチルであるのが特に非常に好まし
い。
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、オクトキ
シ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチ
ル、ブトキシメチル、メトキシメチル、エトキシメチル
またはプロポキシメチルであるのが特に非常に好まし
い。
【０１８２】式ＩｄＥ２およびＩｄＥ３の化合物はＤＥ
２，６３６，６８４、ＤＥ２，９２２，２３６、ＥＰ
０，１０２，０４７、ＥＰ０，１２９，１７７、ＤＥ
３，０４０，３６２、ＤＥ３，３１７，５９７およびＵ
Ｓ４，０３５，０５６に記載された方法によって製造す
るのが好ましい。
２，６３６，６８４、ＤＥ２，９２２，２３６、ＥＰ
０，１０２，０４７、ＥＰ０，１２９，１７７、ＤＥ
３，０４０，３６２、ＤＥ３，３１７，５９７およびＵ
Ｓ４，０３５，０５６に記載された方法によって製造す
るのが好ましい。
【０１８３】式ＩｄＥ２−１およびＩｄＥ３−１〜Ｉｄ
Ｅ３−８の化合物から選択される少なくとも１種の化合
物を含有する液晶混合物は誘電異方性Δεに関する有利
な値、高い安定性、マトリックスに使用されるポリマー
に対する低い混和性、および特に広いメソゲニック範
囲、比較的高い透明点および複屈折に関する有利な値を
特徴とする。
Ｅ３−８の化合物から選択される少なくとも１種の化合
物を含有する液晶混合物は誘電異方性Δεに関する有利
な値、高い安定性、マトリックスに使用されるポリマー
に対する低い混和性、および特に広いメソゲニック範
囲、比較的高い透明点および複屈折に関する有利な値を
特徴とする。
【０１８４】本発明の電気光学液晶系に使用される液晶
混合物は１〜４０％、特に５〜３０％の式Ｉｄ、特に好
ましい下位式の化合物を含んでいるのが好ましい。この
場合、液晶混合物は式Ｉｄ、特に好ましい下位式の１〜
５種、特に１〜３種の化合物を含有しているのが好まし
い。
混合物は１〜４０％、特に５〜３０％の式Ｉｄ、特に好
ましい下位式の化合物を含んでいるのが好ましい。この
場合、液晶混合物は式Ｉｄ、特に好ましい下位式の１〜
５種、特に１〜３種の化合物を含有しているのが好まし
い。
【０１８５】式ＩｄＥ２−１およびＩｄＥ３−１〜Ｉｄ
Ｅ３−８の化合物群から選択される１種以上の化合物と
さらに化合物II１〜II２８、III１〜III３およびIV１〜
IV８の群から選択される１種以上の化合物とを含有する
混合物が特に好ましい液晶混合物である。本発明の液晶
混合物中の式ＩｄＥ２−１およびＩｄＥ３−１〜ＩｄＥ
３−８の少なくとも１種の化合物とさらに式II１〜II２
８、III１〜III３およびIV１〜IV８の少なくとも１種の
化合物とから成る成分混合物の質量は１５％〜１００
％、特に２５％〜１００％であるのが好ましい。
Ｅ３−８の化合物群から選択される１種以上の化合物と
さらに化合物II１〜II２８、III１〜III３およびIV１〜
IV８の群から選択される１種以上の化合物とを含有する
混合物が特に好ましい液晶混合物である。本発明の液晶
混合物中の式ＩｄＥ２−１およびＩｄＥ３−１〜ＩｄＥ
３−８の少なくとも１種の化合物とさらに式II１〜II２
８、III１〜III３およびIV１〜IV８の少なくとも１種の
化合物とから成る成分混合物の質量は１５％〜１００
％、特に２５％〜１００％であるのが好ましい。
【０１８６】それぞれの場合に示した化合物群からそれ
ぞれ選択される少なくとも１種の化合物を含有する以下
の成分混合物、Ｔ（ＩｄＥ）はマトリックス系に適用す
るのに特に適しており、また網目構造体系に適用するの
に特に非常に適している。
ぞれ選択される少なくとも１種の化合物を含有する以下
の成分混合物、Ｔ（ＩｄＥ）はマトリックス系に適用す
るのに特に適しており、また網目構造体系に適用するの
に特に非常に適している。
【０１８７】
【表１２】
【０１８８】それぞれの場合に示した化合物群から選択
される１種以上の化合物を含有する以下の成分混合物は
マトリックス系に適用するのに特に非常に適している。
される１種以上の化合物を含有する以下の成分混合物は
マトリックス系に適用するのに特に非常に適している。
【０１８９】
【表１３】
【０１９０】マトリックス系および特に網目構造体系の
両方に適用するためには、式ＩｄＥ２−１の少なくとも
１種の化合物と化合物II１、II３〜II５、II７〜II２８
およびIV１〜IV６の群から選択される１種以上の化合物
とを含有する液晶混合物が好ましい。これらの混合物の
特性は式Ｉａ、ＩｂＦ、Ｉｃ、ＩｄおよびＩｆ、特に好
ましい下位式の化合物群から選択される１種以上の化合
物を添加することによって一般にさらに改良することが
できる。
両方に適用するためには、式ＩｄＥ２−１の少なくとも
１種の化合物と化合物II１、II３〜II５、II７〜II２８
およびIV１〜IV６の群から選択される１種以上の化合物
とを含有する液晶混合物が好ましい。これらの混合物の
特性は式Ｉａ、ＩｂＦ、Ｉｃ、ＩｄおよびＩｆ、特に好
ましい下位式の化合物群から選択される１種以上の化合
物を添加することによって一般にさらに改良することが
できる。
【０１９１】さらに、表示した質量パーセント範囲内の
それぞれの場合に示した式のそれぞれ少なくとも１種の
化合物を含有する以下の成分混合物Ｔ（ＩｄＥ）１７〜
Ｔ（ＩｄＥ）１９が特に非常に好ましい。この場合、い
ずれの成分混合物も成分混合物の質量の合計は１００％
である。一方、本発明の系に使用される液晶混合物中の
成分混合物の質量は１０％〜１００％、特に１０％〜９
０％、さらに特別には１５％〜８５％である。
それぞれの場合に示した式のそれぞれ少なくとも１種の
化合物を含有する以下の成分混合物Ｔ（ＩｄＥ）１７〜
Ｔ（ＩｄＥ）１９が特に非常に好ましい。この場合、い
ずれの成分混合物も成分混合物の質量の合計は１００％
である。一方、本発明の系に使用される液晶混合物中の
成分混合物の質量は１０％〜１００％、特に１０％〜９
０％、さらに特別には１５％〜８５％である。
【０１９２】
【表１４】 それらの液晶混合物が式Ｉｅ４−１〜Ｉｅ４−４
【０１９３】
【化４６】 （式中、環Ａ11は、それぞれの場合に互いに独立して、
１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレ
ン、３−フルオロ−１，４−フェニレンまたはトランス
−１，４−シクロヘキシレンであり、環Ａ12は、それぞ
れの場合に互いに独立して、
１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレ
ン、３−フルオロ−１，４−フェニレンまたはトランス
−１，４−シクロヘキシレンであり、環Ａ12は、それぞ
れの場合に互いに独立して、
【０１９４】
【化４７】 であり、ｔは０または１であり、および
【０１９５】
【化４８】 は２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオ
ロ−１，４−フェニレンであり、そしてＲ1は請求項１
に示した意味である）のカルボニトリル類の群から選択
される１種以上の３又は４環式化合物を含んでいる電気
光学液晶系がさらに好ましい。
ロ−１，４−フェニレンであり、そしてＲ1は請求項１
に示した意味である）のカルボニトリル類の群から選択
される１種以上の３又は４環式化合物を含んでいる電気
光学液晶系がさらに好ましい。
【０１９６】以下に示す式Ｉｅ４−１ａ〜Ｉｅ４−１
ｇ、Ｉｅ４−２ａ〜Ｉｅ４−２ｋ、Ｉｅ４−３ａ〜Ｉｅ
４−３ｆおよびＩｅ４−４ａ〜Ｉｅ４−４ｌの化合物が
特に好ましい。
ｇ、Ｉｅ４−２ａ〜Ｉｅ４−２ｋ、Ｉｅ４−３ａ〜Ｉｅ
４−３ｆおよびＩｅ４−４ａ〜Ｉｅ４−４ｌの化合物が
特に好ましい。
【０１９７】 R1-Phe-Phe-Phe-CH2CH2-Phe-CN Ie4-1a R1-Phe-Phe-Phe.2F-CH2CH2-Phe-CN Ie4-1b R1-Phe-Phe-Phe.3F-CH2CH2-Phe-CN Ie4-1c R1-Phe-Phe-Phe-CH2CH2-Phe.F-CN Ie4-1d R1-Phe-Phe-Cyc-CH2CH2-Phe-CN Ie4-1e R1-Cyc-Phe-Phe.(F)-CH2CH2-Phe.(F)-CN Ie4-1f R1-Cyc-Cyc-Phe.(F)-CH2CH2-Phe-CN Ie4-1g R1-Phe-CH2CH2-Phe-Phe.(F)-Phe.(F)-CN Ie4-2a R1-Phe-CH2CH2-Cyc-Phe-Phe-CN Ie4-2b R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe.2F-Phe-CN Ie4-2c R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe.3F-Phe-CN Ie4-2d R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe-Phe.(F)-CN Ie4-2e R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Cyc-Phe-CN Ie4-2f R1-Cyc-CH2CH2-Cyc-Phe-Phe-CN Ie4-2g R1-Cyc-CH2CH2-Cyc-Phe.2F-Phe-CN Ie4-2h R1-Cyc-CH2CH2-Cyc-Phe.3F-Phe-CN Ie4-2i R1-Cyc-CH2CH2-Cyc-Phe-Phe.(F)-CN Ie4-2k R1-Phe-CH2CH2-Phe-Phe.(F)-CH2CH2-Phe-CN Ie4-3a R1-Phe-CH2CH2-Cyc-Phe.(F)-CH2CH2-Phe-CN Ie4-3b R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe-CH2CH2-Phe-CN Ie4-3c R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe.2F-CH2CH2-Phe-CN Ie4-3d R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe.3F-CH2CH2-Phe-CN Ie4-3e R1-Cyc-CH2CH2-Cyc-Phe.(F)-CH2CH2-Phe-CN Ie4-3f R1-Phe-Phe-CH2CH2-Phe-Phe-CN Ie4-4a R1-Phe-Phe-CH2CH2-Ph e.2F-Phe-CN Ie4-4b R1-Phe-Phe-CH2CH2-Phe.3F-Phe-CN Ie4-4c R1-Phe-Phe-CH2CH2-Cyc-Phe-CN Ie4-4d R1-Cyc-Phe-CH2CH2-Phe.(F)-Phe-CN Ie4-4e R1-Cyc-Phe-CH2CH2-Cyc-Phe-CN Ie4-4f R1-Phe-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe-CN Ie4-4g R1-Phe-Cyc-CH2CH2- Cyc-Phe-CN Ie4-4h R1-Cyc-Phe-CH2CH2-Phe-Cyc-CN Ie4-4i R1-Cyc-Phe-CH2CH2-Phe.2F-Cyc-CN Ie4-4k R1-Cyc-Phe-CH2CH2-Phe.3F-Cyc-CN Ie4-4l
【０１９８】式Ｉｅ４−１ａ〜Ｉｅ４−１ｇ、Ｉｅ４−
２ａ〜Ｉｅ４−２ｋ、Ｉｅ４−３ａ〜Ｉｅ４−３ｆおよ
びＩｅ４−４ａ〜Ｉｅ４−４ｌの化合物のＲ1は１〜１
０、特に１〜８個のＣ原子を有するアルキルまたはアル
コキシであるのが好ましい。ｎ−アルコキシアルキル化
合物、特にｎ−アルコキシメチルおよびｎ−アルコキシ
エチル化合物がさらに好ましい。
２ａ〜Ｉｅ４−２ｋ、Ｉｅ４−３ａ〜Ｉｅ４−３ｆおよ
びＩｅ４−４ａ〜Ｉｅ４−４ｌの化合物のＲ1は１〜１
０、特に１〜８個のＣ原子を有するアルキルまたはアル
コキシであるのが好ましい。ｎ−アルコキシアルキル化
合物、特にｎ−アルコキシメチルおよびｎ−アルコキシ
エチル化合物がさらに好ましい。
【０１９９】式Ｉｅ４−１〜Ｉｅ４−４の化合物はＤＥ
３，４０１，３２０およびＤＥ２，６１７，５９３に記
載された方法によって製造するのが好ましい。
３，４０１，３２０およびＤＥ２，６１７，５９３に記
載された方法によって製造するのが好ましい。
【０２００】式Ｉｅ４−１〜Ｉｅ４−４、特に式Ｉｅ４
−１ａ〜Ｉｅ４−１ｇ、Ｉｅ４−２ａ〜Ｉｅ４−２ｋ、
Ｉｅ４−３ａ〜Ｉｅ４−３ｆおよびＩｅ４−４ａ〜Ｉｅ
４−４ｌの化合物群から選択される１種以上の化合物を
含有する液晶混合物が好ましい。式Ｉｅ４−１、Ｉｅ４
−２およびＩｅ４−４、特に式Ｉｅ４−１ａ〜Ｉｅ４−
１ｇ、Ｉｅ４−２ａ〜Ｉｅ４−２ｋおよびＩｅ４−４ａ
〜Ｉｅ４−４ｌの化合物群から選択される１種以上の化
合物を含有する液晶混合物が特に好ましい。
−１ａ〜Ｉｅ４−１ｇ、Ｉｅ４−２ａ〜Ｉｅ４−２ｋ、
Ｉｅ４−３ａ〜Ｉｅ４−３ｆおよびＩｅ４−４ａ〜Ｉｅ
４−４ｌの化合物群から選択される１種以上の化合物を
含有する液晶混合物が好ましい。式Ｉｅ４−１、Ｉｅ４
−２およびＩｅ４−４、特に式Ｉｅ４−１ａ〜Ｉｅ４−
１ｇ、Ｉｅ４−２ａ〜Ｉｅ４−２ｋおよびＩｅ４−４ａ
〜Ｉｅ４−４ｌの化合物群から選択される１種以上の化
合物を含有する液晶混合物が特に好ましい。
【０２０１】式Ｉｅ４−１〜Ｉｅ４−４の化合物は高透
明点およびフロー粘度ηに関する比較的高い値を有して
いる。
明点およびフロー粘度ηに関する比較的高い値を有して
いる。
【０２０２】フロー粘度を低くするために、式Ｉｅ４−
１〜Ｉｅ４−４の化合物の１，４−フェニレン基をＸ＝
ＦまたはＣｌ、特にＦによってラテラルにモノ置換する
こともできる。置換化合物は以下の構造的特徴Ｓ１〜Ｓ
３
１〜Ｉｅ４−４の化合物の１，４−フェニレン基をＸ＝
ＦまたはＣｌ、特にＦによってラテラルにモノ置換する
こともできる。置換化合物は以下の構造的特徴Ｓ１〜Ｓ
３
【０２０３】
【化４９】 の１つを有しているのが特に好ましい。
【０２０４】本発明の液晶は２〜４０％、特に５〜３０
％の式Ｉｅ４−１ａ〜Ｉｅ４−１ｇ、Ｉｅ４−２ａ〜Ｉ
ｅ４−２ｋ、Ｉｅ４−３ａ〜Ｉｅ４−３ｆおよびＩｅ４
−４ａ〜Ｉｅ４−４ｌの４環式カルボニトリル類の群か
ら選択される化合物を含んでいるのが好ましい。この場
合、液晶は１〜５種、特に１〜３種の式Ｉｅ４および好
ましい下位式の化合物を含んでいるのが好ましい。
％の式Ｉｅ４−１ａ〜Ｉｅ４−１ｇ、Ｉｅ４−２ａ〜Ｉ
ｅ４−２ｋ、Ｉｅ４−３ａ〜Ｉｅ４−３ｆおよびＩｅ４
−４ａ〜Ｉｅ４−４ｌの４環式カルボニトリル類の群か
ら選択される化合物を含んでいるのが好ましい。この場
合、液晶は１〜５種、特に１〜３種の式Ｉｅ４および好
ましい下位式の化合物を含んでいるのが好ましい。
【０２０５】式Ｉｅ４−１〜Ｉｅ４−４、特に好ましい
下位式の化合物の選択はそれぞれの場合に望まれる本発
明の電気光学系の特定の実施態様を配慮して行う。例え
ば、高い光学異方性を有する高粘性および高透明点の液
晶媒体を必要とする場合、媒体は、例えば、特にＩｅ４
−１ａ、Ｉｅ４−２ａ、Ｉｅ４−３ａおよび／またはＩ
ｅ４−４ａの１種以上のラテラルに置換されていない化
合物を含んでいる。一方、比較的低い粘度および比較的
低い光学異方性を有する高透明点の媒体は式Ｉｅ４−１
ｇ、Ｉｅ４−２ｈ〜２ｋ、Ｉｅ４−３ｆおよび／または
Ｉｅ４−４ｉ〜４ｌの１種以上のラテラルにモノ置換さ
れた化合物を含んでいるのが好ましい。式Ｉｅ４−１〜
Ｉｅ４−３、特に式Ｉｅ４−１ａ〜Ｉｅ４−１ｇ、Ｉｅ
４−２ａ〜Ｉｅ４−２ｋ、Ｉｅ４−３ａ〜Ｉｅ４−３ｆ
およびＩｅ４−４ａ〜Ｉｅ４−４ｌ、さらに特別には式
Ｉｅ４−１ａ〜Ｉｅ４−１ｇ、Ｉｅ４−２ａ〜Ｉｅ４−
２ｋおよびＩｅ４−４ａ〜Ｉｅ４−４ｌの化合物群から
選択される１種以上の化合物とさらに化合物II１〜II２
８、III１〜III３およびIV１〜IV８の群から選択される
１種以上の化合物とを含有する混合物が特に好ましい液
晶混合物である。本発明によって使用される液晶混合物
中の式１ｅ４−１〜Ｉｅ４−４、特に好ましい下位式の
少なくとも１種の化合物とさらに式II１〜II２８、III
１〜III３およびIV１〜IV８の少なくとも１種の化合物
とから成る成分混合物の質量は１５％〜１００％、特に
２５％〜１００％であるのが好ましい。
下位式の化合物の選択はそれぞれの場合に望まれる本発
明の電気光学系の特定の実施態様を配慮して行う。例え
ば、高い光学異方性を有する高粘性および高透明点の液
晶媒体を必要とする場合、媒体は、例えば、特にＩｅ４
−１ａ、Ｉｅ４−２ａ、Ｉｅ４−３ａおよび／またはＩ
ｅ４−４ａの１種以上のラテラルに置換されていない化
合物を含んでいる。一方、比較的低い粘度および比較的
低い光学異方性を有する高透明点の媒体は式Ｉｅ４−１
ｇ、Ｉｅ４−２ｈ〜２ｋ、Ｉｅ４−３ｆおよび／または
Ｉｅ４−４ｉ〜４ｌの１種以上のラテラルにモノ置換さ
れた化合物を含んでいるのが好ましい。式Ｉｅ４−１〜
Ｉｅ４−３、特に式Ｉｅ４−１ａ〜Ｉｅ４−１ｇ、Ｉｅ
４−２ａ〜Ｉｅ４−２ｋ、Ｉｅ４−３ａ〜Ｉｅ４−３ｆ
およびＩｅ４−４ａ〜Ｉｅ４−４ｌ、さらに特別には式
Ｉｅ４−１ａ〜Ｉｅ４−１ｇ、Ｉｅ４−２ａ〜Ｉｅ４−
２ｋおよびＩｅ４−４ａ〜Ｉｅ４−４ｌの化合物群から
選択される１種以上の化合物とさらに化合物II１〜II２
８、III１〜III３およびIV１〜IV８の群から選択される
１種以上の化合物とを含有する混合物が特に好ましい液
晶混合物である。本発明によって使用される液晶混合物
中の式１ｅ４−１〜Ｉｅ４−４、特に好ましい下位式の
少なくとも１種の化合物とさらに式II１〜II２８、III
１〜III３およびIV１〜IV８の少なくとも１種の化合物
とから成る成分混合物の質量は１５％〜１００％、特に
２５％〜１００％であるのが好ましい。
【０２０６】式Ｉｅ４−１〜Ｉｅ４−４の化合物、特に
これらの化合物の下位式の化合物の群から選択される少
なくとも１種の化合物以外に、式II１〜II６、II７、II
９、II１１、II１４、II１６、II２３、II２２およびIV
１〜IV８の化合物から選択される１種以上の化合物を含
有する以下の成分混合物Ｔ（Ｉｅ４）が特に非常に好ま
しい。
これらの化合物の下位式の化合物の群から選択される少
なくとも１種の化合物以外に、式II１〜II６、II７、II
９、II１１、II１４、II１６、II２３、II２２およびIV
１〜IV８の化合物から選択される１種以上の化合物を含
有する以下の成分混合物Ｔ（Ｉｅ４）が特に非常に好ま
しい。
【０２０７】それぞれの場合に述べた式の化合物群から
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物Ｔ（Ｉｅ４）１〜３を基礎とする液晶混合物が
好ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の
好ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、
好ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含ん
でいる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は
１００％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は
１０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別
には２５％〜１００％の間である。
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物Ｔ（Ｉｅ４）１〜３を基礎とする液晶混合物が
好ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の
好ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、
好ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含ん
でいる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は
１００％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は
１０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別
には２５％〜１００％の間である。
【０２０８】
【表１５】 それらの液晶混合物が式Ｉｆ
【０２０９】
【化５０】 （式中、環Ａ13および、存在するならば環Ａ14の少なく
とも１つは１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４
−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、ト
ランス−１，４−シクロヘキシレン、ピリジン−２，５
−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルまたは１，３−
ジオキサン−２，５−ジイルであり、そして他方は、存
在するならばトランス−１，４−シクロヘキシレン、
１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレ
ンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンであり、Ｚ
11およびＺ12は、それぞれの場合に互いに独立して単結
合、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＯＯ−、−ＯＣ
Ｏ−またはこれらの橋構成員の２種以上の組合せであ
り、ｖは０、１または２であり、ａは０または１であ
り、
とも１つは１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４
−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、ト
ランス−１，４−シクロヘキシレン、ピリジン−２，５
−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルまたは１，３−
ジオキサン−２，５−ジイルであり、そして他方は、存
在するならばトランス−１，４−シクロヘキシレン、
１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレ
ンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンであり、Ｚ
11およびＺ12は、それぞれの場合に互いに独立して単結
合、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＯＯ−、−ＯＣ
Ｏ−またはこれらの橋構成員の２種以上の組合せであ
り、ｖは０、１または２であり、ａは０または１であ
り、
【０２１０】
【化５１】 は２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオ
ロ−１，４−フェニレンであり、
ロ−１，４−フェニレンであり、
【０２１１】
【化５２】 は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり、お
よびＴ2は−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣ
ＨＦ2またはＮＣＳであり、そしてＲ1は請求項１に示し
た意味である）の１種以上の化合物を含んでいる電気光
学液晶系がさらに好ましい。
よびＴ2は−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣ
ＨＦ2またはＮＣＳであり、そしてＲ1は請求項１に示し
た意味である）の１種以上の化合物を含んでいる電気光
学液晶系がさらに好ましい。
【０２１２】以下において、Ｐｈｅ．（Ｆ，２）はラテ
ラルに置換されていない１，４−フェニレン基、２また
は３部位にラテラルにモノ置換された１，４−フェニレ
ン基または３および５部位にラテラルにジ置換された
１，４−フェニレン基である。
ラルに置換されていない１，４−フェニレン基、２また
は３部位にラテラルにモノ置換された１，４−フェニレ
ン基または３および５部位にラテラルにジ置換された
１，４−フェニレン基である。
【０２１３】Ｔ2が−ＮＣＳである以下の化合物が式Ｉ
ｆの好ましい化合物である。
ｆの好ましい化合物である。
【０２１４】
【化５３】 式ＩｆＩの化合物は好ましい次式ＩｆＩ２−１〜ＩｆＩ
２−４の２環式化合物を含む。
２−４の２環式化合物を含む。
【０２１５】 R1-Phe-Z11-Phe-NCS IfI2-1 R1-Cyc-Z11-Phe-NCS IfI2-2 R1-Pyr-Z11-Phe-NCS IfI2-3 R1-Pyd-Z11-Phe-NCS IfI2-4 Ｒ1は直鎖基であるのが好ましい１〜１０、特に１〜８
個のＣ原子を有するアルキルまたはアルコキシであるの
が好ましい。ｎ−アルコキシアルキル化合物、特にｎ−
アルコキシメチルおよびｎ−アルコキシエチル化合物が
さらに好ましい。
個のＣ原子を有するアルキルまたはアルコキシであるの
が好ましい。ｎ−アルコキシアルキル化合物、特にｎ−
アルコキシメチルおよびｎ−アルコキシエチル化合物が
さらに好ましい。
【０２１６】式ＩｆＩ２−１〜ＩｆＩ２−４の化合物に
おいて、Ｚ11は単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、ＣＯＯまたは
ＯＣＯであるのが好ましい。Ｚが単結合またはＣＯＯ、
特に単結合である式ＩｆＩ２−３またはＩｆＩ２−４の
１種以上の化合物を含有する液晶混合物は誘電異方性Δ
εに関し特に有利な値を有している。
おいて、Ｚ11は単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、ＣＯＯまたは
ＯＣＯであるのが好ましい。Ｚが単結合またはＣＯＯ、
特に単結合である式ＩｆＩ２−３またはＩｆＩ２−４の
１種以上の化合物を含有する液晶混合物は誘電異方性Δ
εに関し特に有利な値を有している。
【０２１７】式ＩｆＩ２−１およびＩｆＩ２−２の化合
物が特に好ましい。式ＩｆＩ２−１ａ〜１ｂおよびＩｆ
Ｉ２−２ａ〜２ｂの以下の小群の２環式化合物が特に非
常に好ましい。
物が特に好ましい。式ＩｆＩ２−１ａ〜１ｂおよびＩｆ
Ｉ２−２ａ〜２ｂの以下の小群の２環式化合物が特に非
常に好ましい。
【０２１８】 R1-Phe-Phe.(F)-NCS IfI2-1a R1-Phe-Phe.(F)-NCS IfI2-1b R1-Cyc-Phe.(F)-NCS IfI2-2a R1-Cyc-CH2CH2-Phe.(F)-NCS IfI2-2b
【０２１９】１種以上の式ＩｆＩ２−２ａのラテラルに
弗素化されていない化合物以外に、式II５、IV１および
IV２の化合物群から選択される少なくとも１種の化合物
を含有する液晶混合物はマトリックス系に特に適してい
るが、網目構造体系にはあまり適していない。
弗素化されていない化合物以外に、式II５、IV１および
IV２の化合物群から選択される少なくとも１種の化合物
を含有する液晶混合物はマトリックス系に特に適してい
るが、網目構造体系にはあまり適していない。
【０２２０】式ＩｆＩの化合物は次式ＩｆＩ３−１〜Ｉ
ｆＩ３−２０の３環式化合物をさらに含む。
ｆＩ３−２０の３環式化合物をさらに含む。
【０２２１】 R1-Phe-Phe-Z12-Phe.(F)-NCS IfI3-1 R1-Phe-Cyc-Z12-Phe.(F)-NCS IfI3-2 R1-Phe-Pyr-Z12-Phe.(F)-NCS IfI3-3 R1-Phe-Pyd-Z12-Phe.(F)-NCS IfI3-4 R1-Cyc-Phe-Z12-Phe.(F)-NCS IfI3-5 R1-Cyc-Cyc-Z12-Phe.(F)-NCS IfI3-6 R1-Cyc-Pyr-Z12-Phe.(F)-NCS IfI3-7 R1-Cyc-Pyd-Z12-Phe.(F)-NCS IfI3-8 R1-Pyr-Phe-Z12-Phe.(F)-NCS IfI3-9 R1-Pyd-Phe-Z12-Phe.(F)-NCS IfI3-10 R1-Phe-Z11-Phe-Phe.(F)-NCS IfI3-11 R1-Phe-Z11-Cyc-Phe.(F)-NCS IfI3-12 R1-Phe-Z11-Pyr-Phe.(F)-NCS IfI3-13 R1-Phe-Z11-Pyd-Phe.(F)-NCS IfI3-14 R1-Cyc-Z11-Phe-Phe.(F)-NCS IfI3-15 R1-Cyc-Z11-Cyc-Phe.(F)-NCS IfI3-16 R1-Cyc-Z11-Pyr-Phe.(F)-NCS IfI3-17 R1-Cyc-Z11-Pyd-Phe.(F)-NCS IfI3-18 R1-Pyr-Z11-Phe-Phe.(F)-NCS IfI3-19 R1-Pyd-Z11-Phe-Phe.(F)-NCS IfI3-20
【０２２２】式ＩｆＩ３−１〜ＩｆＩ３−２０の化合物
において、Ｒ1は１〜１０個のＣ原子を有するｎ−アル
キルまたはｎ−アルコキシであるのが好ましく、また１
〜８個のＣ原子を有するｎ−アルコキシメチルまたはｎ
−アルコキシエチルでもある。Ｒ1がメチル、エチル、
プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキ
シ、オクトキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プ
ロポキシメチル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エ
トキシエチルまたはプロポキシエチルである式ＩｆＩ３
−１〜ＩｆＩ３−２０の化合物が特に好ましい化合物で
ある。
において、Ｒ1は１〜１０個のＣ原子を有するｎ−アル
キルまたはｎ−アルコキシであるのが好ましく、また１
〜８個のＣ原子を有するｎ−アルコキシメチルまたはｎ
−アルコキシエチルでもある。Ｒ1がメチル、エチル、
プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキ
シ、オクトキシ、メトキシメチル、エトキシメチル、プ
ロポキシメチル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エ
トキシエチルまたはプロポキシエチルである式ＩｆＩ３
−１〜ＩｆＩ３−２０の化合物が特に好ましい化合物で
ある。
【０２２３】式ＩｆＩ３−１、ＩｆＩ３−５、ＩｆＩ３
−１１およびＩｆＩ３−１５の化合物が特に好ましい。
Ｚ11およびＺ12が、互いに独立して単結合またはＣＯ
Ｏ、特に単結合である式ＩｆＩ３の化合物および式Ｉｆ
Ｉ３−１３の化合物は、特に末端１，４−フェニレン基
が３部位で弗素化されている場合に、Δεに関して特に
有利な値を有する。
−１１およびＩｆＩ３−１５の化合物が特に好ましい。
Ｚ11およびＺ12が、互いに独立して単結合またはＣＯ
Ｏ、特に単結合である式ＩｆＩ３の化合物および式Ｉｆ
Ｉ３−１３の化合物は、特に末端１，４−フェニレン基
が３部位で弗素化されている場合に、Δεに関して特に
有利な値を有する。
【０２２４】式ＩｆＩ３−１ａ、ＩｆＩ３−１ｂ、Ｉｆ
Ｉ３−５ａ、ＩｆＩ３−５ｂ、ＩｆＩ３−１１ａおよび
ＩｆＩ３−１５ａの以下の小群の３環式化合物が特に非
常に好ましい。
Ｉ３−５ａ、ＩｆＩ３−５ｂ、ＩｆＩ３−１１ａおよび
ＩｆＩ３−１５ａの以下の小群の３環式化合物が特に非
常に好ましい。
【０２２５】 R1-Phe-Phe-Phe.(F)-NCS IfI3-1a R1-Phe-Phe-CH2CH2-Phe.(F)-NCS IfI3-1b R1-Cyc-Phe-Phe.(F)-NCS If I3-5a R1-Cyc-Phe-CH2CH2-Phe.(F)-NCS IfI3-5b R1-Cyc-Cyc-Phe.(F)-NCS IfI3-6a R1-Cyc-Cyc-CH2CH2-Phe.(F)-NCS IfI3-6b R1-Phe-CH2CH2-Phe-Phe.(F)-NCS IfI3-11a R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe.(F)-NCS IfI3-15a 式ＩｆＩの化合物はＥＰ０，１６９，３２７、ＪＰ６１
−１８９２６３、ＥＰ０，１２６，８８３、ＥＰ０，２
１５，８００、ＤＥ３２７，１１５，１０、ＥＰ０，２
４２，７１６、ＤＥ３，５４５，３４５、ＥＰ０，２２
７，００４、ＥＰ０，２７２，５８０およびＤＥ３，９
２９，７６５に記載された方法によって製造するのが好
ましい。
−１８９２６３、ＥＰ０，１２６，８８３、ＥＰ０，２
１５，８００、ＤＥ３２７，１１５，１０、ＥＰ０，２
４２，７１６、ＤＥ３，５４５，３４５、ＥＰ０，２２
７，００４、ＥＰ０，２７２，５８０およびＤＥ３，９
２９，７６５に記載された方法によって製造するのが好
ましい。
【０２２６】式ＩｆＩ、特に好ましい下位式の化合物の
選択は本発明の電気光学系の個々の特定の実施態様を配
慮して行う。例えば、高いまたは比較的高い光学粘度を
有する液晶媒体を必要とする場合、媒体は、特にＺが単
結合である式ＩｆＩ２−１、ＩｆＩ２−３、ＩｆＩ３−
１、ＩｆＩ３−３、ＩｆＩ３−９、ＩｆＩ３−１１、Ｉ
ｆＩ３−１３および／またはＩｆＩ３−１９の化合物を
含んでいる。特に好ましい化合物は、化合物の末端１，
４−フェニル基あるいはまた、他の１，４−フェニレン
基が２または３部位、特に３部位でラテラルに弗素置換
されている化合物である。当業者はプールした式ＩｆＩ
の化合物の中から発明的援助なしに他の実施態様を選択
することができる。
選択は本発明の電気光学系の個々の特定の実施態様を配
慮して行う。例えば、高いまたは比較的高い光学粘度を
有する液晶媒体を必要とする場合、媒体は、特にＺが単
結合である式ＩｆＩ２−１、ＩｆＩ２−３、ＩｆＩ３−
１、ＩｆＩ３−３、ＩｆＩ３−９、ＩｆＩ３−１１、Ｉ
ｆＩ３−１３および／またはＩｆＩ３−１９の化合物を
含んでいる。特に好ましい化合物は、化合物の末端１，
４−フェニル基あるいはまた、他の１，４−フェニレン
基が２または３部位、特に３部位でラテラルに弗素置換
されている化合物である。当業者はプールした式ＩｆＩ
の化合物の中から発明的援助なしに他の実施態様を選択
することができる。
【０２２７】式ＩｆＩ、特に好ましい下位式の１種以上
の化合物を含有する液晶混合物は複屈折Δｎおよび誘電
異方性Δεに関する有利な値、高い安定性、マトリック
スに使用されるポリマーに対する低い混和性、および特
に広いメソゲニック範囲、比較的高い透明点、誘電異方
性およびフロー粘度ηに関する有利な値を特徴とする。
の化合物を含有する液晶混合物は複屈折Δｎおよび誘電
異方性Δεに関する有利な値、高い安定性、マトリック
スに使用されるポリマーに対する低い混和性、および特
に広いメソゲニック範囲、比較的高い透明点、誘電異方
性およびフロー粘度ηに関する有利な値を特徴とする。
【０２２８】これらの液晶混合物は１〜４０％、特に５
〜３０％の式ＩｆＩ、特に好ましい下位式の化合物を含
んでいるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式Ｉｆ
Ｉ、特に好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３種の化
合物を含有しているのが好ましい。
〜３０％の式ＩｆＩ、特に好ましい下位式の化合物を含
んでいるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式Ｉｆ
Ｉ、特に好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３種の化
合物を含有しているのが好ましい。
【０２２９】式ＩｆＩ、特に式ＩｆＩ２−１〜ＩｆＩ２
−４およびＩｆＩ３−１〜ＩｆＩ３−２０、さらに特別
には式ＩｆＩ２−１ａ、ＩｆＩ２−１ｂ、ＩｆＩ２−２
ａ、ＩｆＩ２−２ｂ、ＩｆＩ３−１ａ、ＩｆＩ３−１
ｂ、ＩｆＩ３−５ａ、ＩｆＩ３−５ｂ、ＩｆＩ３−１１
ａおよびＩｆＩ３−１５ａの化合物群から選択される１
種以上の化合物とさらに化合物II１〜II２８、III１〜I
II３およびIV１〜IV８の群から選択される１種以上の化
合物とを含有する混合物が特に好ましい。本発明によっ
て使用される液晶混合物中の式ＩｆＩ２およびＩｆＩ３
の、特にこれらの化合物の好ましい下位式の少なくとも
１種の化合物とさらに式II１〜II２８、III１〜III３お
よびIV１〜IV８の少なくとも１種の化合物とから成る成
分混合物の質量は１５％〜１００％、特に２５％〜１０
０％であるのが好ましい。
−４およびＩｆＩ３−１〜ＩｆＩ３−２０、さらに特別
には式ＩｆＩ２−１ａ、ＩｆＩ２−１ｂ、ＩｆＩ２−２
ａ、ＩｆＩ２−２ｂ、ＩｆＩ３−１ａ、ＩｆＩ３−１
ｂ、ＩｆＩ３−５ａ、ＩｆＩ３−５ｂ、ＩｆＩ３−１１
ａおよびＩｆＩ３−１５ａの化合物群から選択される１
種以上の化合物とさらに化合物II１〜II２８、III１〜I
II３およびIV１〜IV８の群から選択される１種以上の化
合物とを含有する混合物が特に好ましい。本発明によっ
て使用される液晶混合物中の式ＩｆＩ２およびＩｆＩ３
の、特にこれらの化合物の好ましい下位式の少なくとも
１種の化合物とさらに式II１〜II２８、III１〜III３お
よびIV１〜IV８の少なくとも１種の化合物とから成る成
分混合物の質量は１５％〜１００％、特に２５％〜１０
０％であるのが好ましい。
【０２３０】式ＩｆＩ２−２ａ、ＩｆＩ３−５ａおよび
ＩｆＩ３−６ａの化合物群から選択される少なくとも一
種のラテラルに弗素化されていない化合物以外に、式II
5,IV1 及びIV2の化合物群から選択される少なくとも１
種の化合物を含有する液晶混合物は一般にマトリックス
系に特に適しているが、網目構造体系にはあまり適さな
いことが多い。しかしながら、この種の成分混合物の特
性は式Ia, Ic, Id,Ie, IfF, IfClおよびIfCl. F、特に
好ましい下位式の化合物群から選択される少なくとも１
種、好ましくは３種以上の化合物を添加することによっ
てしばしば明らかに改良され網目構造用にも好ましいも
のとなる。
ＩｆＩ３−６ａの化合物群から選択される少なくとも一
種のラテラルに弗素化されていない化合物以外に、式II
5,IV1 及びIV2の化合物群から選択される少なくとも１
種の化合物を含有する液晶混合物は一般にマトリックス
系に特に適しているが、網目構造体系にはあまり適さな
いことが多い。しかしながら、この種の成分混合物の特
性は式Ia, Ic, Id,Ie, IfF, IfClおよびIfCl. F、特に
好ましい下位式の化合物群から選択される少なくとも１
種、好ましくは３種以上の化合物を添加することによっ
てしばしば明らかに改良され網目構造用にも好ましいも
のとなる。
【０２３１】式IfI2-1bおよびIfI3-6bの化合物および式
IfI2-1a およびIfI3-6aのラテラルに弗素化された化合
物から成る群から選択される少なくとも１種の化合物と
さらにII1, II3, II2, II5, II9, II11, II14, II16, I
I22, II23およびIV1〜IV8の化合物群から選択される化
合物とを含有する液晶混合物はマトリックス系に特に適
しており、また網目構造体系に特に非常に適している。
IfI2-1a およびIfI3-6aのラテラルに弗素化された化合
物から成る群から選択される少なくとも１種の化合物と
さらにII1, II3, II2, II5, II9, II11, II14, II16, I
I22, II23およびIV1〜IV8の化合物群から選択される化
合物とを含有する液晶混合物はマトリックス系に特に適
しており、また網目構造体系に特に非常に適している。
【０２３２】さらに、表示した化合物群からのそれぞれ
少なくとも１種の化合物を含有する以下の成分混合物は
マトリックス系および網目構造体系の両方に特に適して
いる。
少なくとも１種の化合物を含有する以下の成分混合物は
マトリックス系および網目構造体系の両方に特に適して
いる。
【０２３３】
【表１６】
【０２３４】
【表１７】 Ｔ2が-U-Fである化合物
【０２３５】
【化５４】 （式中、Uは単結合、-CF2-、-OCF2-または-OCHF-であ
り、そしてR1は請求項１に示した意味である）が式Ifの
さらに好ましい化合物である。
り、そしてR1は請求項１に示した意味である）が式Ifの
さらに好ましい化合物である。
【０２３６】式IfFの化合物は好ましい次式IfF2-1〜IfF
2-4の２環式化合物を含む。
2-4の２環式化合物を含む。
【０２３７】
【化５５】 式IfF2-1〜IfF2-4の化合物において、R1は直鎖基である
のが好ましい１〜１０、特に１〜８個のC原子を有する
アルキルまたはアルコキシであるのが好ましい。n-アル
コキシルアルキル化合物、特にn-アルコキシメチルおよ
びn-アルコキシエチル化合物がさらに好ましい。Z11は-
CH2CH2-、-C OO-または単結合、特に単結合または-CH2C
H2-、さらに特別には単結合であるのが好ましい。環A13
はCyc、Phe.(F)、PyrまたはPydであるのが好ましい。
のが好ましい１〜１０、特に１〜８個のC原子を有する
アルキルまたはアルコキシであるのが好ましい。n-アル
コキシルアルキル化合物、特にn-アルコキシメチルおよ
びn-アルコキシエチル化合物がさらに好ましい。Z11は-
CH2CH2-、-C OO-または単結合、特に単結合または-CH2C
H2-、さらに特別には単結合であるのが好ましい。環A13
はCyc、Phe.(F)、PyrまたはPydであるのが好ましい。
【０２３８】式IfFの化合物は以下の小群の好ましい式I
fF3-1〜IfF3-8の３環式化合物をさらに含む。
fF3-1〜IfF3-8の３環式化合物をさらに含む。
【０２３９】
【化５６】 式IfF3-1〜IfF3-8の化合物において、R1は１〜１０個の
C原子を有するn−アルキルまたはn−アルコキシである
のが好ましく、また１〜８個のC原子を有するn−アルコ
キシメチルまたはn−アルコキシエチルでもある。
C原子を有するn−アルキルまたはn−アルコキシである
のが好ましく、また１〜８個のC原子を有するn−アルコ
キシメチルまたはn−アルコキシエチルでもある。
【０２４０】R1がメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペ
ントキシ、ヘキソシル、ヘプトキシ、オクトキシ、メト
キシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブト
キシメチル、メトキシエチル、エトキシエチルまたはプ
ロポキシエチルである式IfF3-1〜IfF3-8の化合物が特に
非常に好ましい化合物である。式IfF3-1〜IfF3-8の化合
物におけるZ11およびZ12は、それぞれの場合に互いに独
立して-CH2CH2-、-COO-、単結合またはこれらの橋構成
員の２種以上の組合せ、特に-CH2CH2-または単結合であ
るのが好ましい。
ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペ
ントキシ、ヘキソシル、ヘプトキシ、オクトキシ、メト
キシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブト
キシメチル、メトキシエチル、エトキシエチルまたはプ
ロポキシエチルである式IfF3-1〜IfF3-8の化合物が特に
非常に好ましい化合物である。式IfF3-1〜IfF3-8の化合
物におけるZ11およびZ12は、それぞれの場合に互いに独
立して-CH2CH2-、-COO-、単結合またはこれらの橋構成
員の２種以上の組合せ、特に-CH2CH2-または単結合であ
るのが好ましい。
【０２４１】式IfFの化合物はDE３,１０２,０１７、JP
５７ -１４０,７４７、DE３,２３３,６４１、DE２,９３
７,９１１、EP０,０９７,０３３、DE３,５０９,２６
０、DE３,７３２,２８４、DE３,９２８,７８３、EP０,
１９４,１５３、JP５８-１２６,８３９、JP５８-２１
０,０４５、WO８５／０４８７４、DE３,３１５,２９
５、EP０,１９３,１９１、JP６３-２８０,０６３、DE
３,８２５,４２８、DE３,９２９,５２５、DE４,０２４,
７６０、DE４,００９,９０７、DE４,００７,０４０、DE
４,０１２,０５１、DE３,９３９,１１６、PCT／EP９０
／００１８６、WO９０／０８７５７、DE３,９２９,７６
４、DE４,００４,６５０、DE４,０１３,８５４およびDE
３,９１３,５５４に記載された方法によって製造される
のが好ましい。
５７ -１４０,７４７、DE３,２３３,６４１、DE２,９３
７,９１１、EP０,０９７,０３３、DE３,５０９,２６
０、DE３,７３２,２８４、DE３,９２８,７８３、EP０,
１９４,１５３、JP５８-１２６,８３９、JP５８-２１
０,０４５、WO８５／０４８７４、DE３,３１５,２９
５、EP０,１９３,１９１、JP６３-２８０,０６３、DE
３,８２５,４２８、DE３,９２９,５２５、DE４,０２４,
７６０、DE４,００９,９０７、DE４,００７,０４０、DE
４,０１２,０５１、DE３,９３９,１１６、PCT／EP９０
／００１８６、WO９０／０８７５７、DE３,９２９,７６
４、DE４,００４,６５０、DE４,０１３,８５４およびDE
３,９１３,５５４に記載された方法によって製造される
のが好ましい。
【０２４２】Phe. (F,2)＝Phe.3FまたはPhe.3F5Fである
式IfF2-1〜IfF 2-4およびIfF3-1〜IfF3-8の１種以上の
化合物を含有する液晶混合物は誘電異方性Δεに関して
有利な値を有しているので好ましい。Phe. (F,2)＝Phe.
3FまたはPhe. 3F5Fであり、環A13または、存在するな
らば環A14が
式IfF2-1〜IfF 2-4およびIfF3-1〜IfF3-8の１種以上の
化合物を含有する液晶混合物は誘電異方性Δεに関して
有利な値を有しているので好ましい。Phe. (F,2)＝Phe.
3FまたはPhe. 3F5Fであり、環A13または、存在するな
らば環A14が
【０２４３】
【化５７】 である式IfF2-1〜IfF2-4およびIfF3-1〜IfF3-8の化合物
を含有する混合物が特に好ましい。
を含有する混合物が特に好ましい。
【０２４４】Phe. (F）がPhe、Phe. 3FまたはPhe.3F5F
である式IfF2-1〜IfF2-4の２環式化合物が特に好まし
い。Phe. (F)がPhe.2Fである式IfF2-1〜IfF2-4の２環式
化合物は他の液晶に対する良好な混和性を特徴とするの
で、さらに特に好ましい。これらの好ましい化合物を含
有する液晶混合物が好ましい。
である式IfF2-1〜IfF2-4の２環式化合物が特に好まし
い。Phe. (F)がPhe.2Fである式IfF2-1〜IfF2-4の２環式
化合物は他の液晶に対する良好な混和性を特徴とするの
で、さらに特に好ましい。これらの好ましい化合物を含
有する液晶混合物が好ましい。
【０２４５】以下の特に好ましい２環式化合物を１種以
上含有する液晶混合物がさらに特に好ましい。
上含有する液晶混合物がさらに特に好ましい。
【０２４６】 R1-Cyc-Phe-Ｆ IfF2-1a R1-Cyc-Phe. 2F-Ｆ IfF2-1b R1-Cyc-Phe. 3F-Ｆ IfF2-1c R1-Cyc-Phe. 3F5F-Ｆ IfF2-1d R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Ｆ IfF2-1e R1-Cyc-CH2CH2-Phe. 2F-Ｆ IfF2-1f R1-Cyc-CH2CH2-Phe. 3F-Ｆ IfF2-1g R1-Cyc-CH2CH2-Phe.3F5F-Ｆ IfF2-1h R1-Pyr-Phe-Ｆ IfF2-1i R1-Pyr-Phe. 2F-Ｆ IfF2-1k R1-Pyr-Phe. 3F-Ｆ IfF2-1l R1-Pyr-Phe. 3F5F-Ｆ IfF2-1m R1-Pyd-Phe-Ｆ IfF2-1n R1 -Pyd-Phe. 2F-Ｆ IfF2-1o R1-Pyd-Phe. 3F-Ｆ IfF2-1p R1-Pyd-Phe. 3F5F-Ｆ IfF2-1q R1-Dio-Phe-Ｆ IfF2-1r R1-Dio-Phe.2F-Ｆ IfF2-1s R1-Dio-Phe.3F-Ｆ IfF2-1t R1-Dio-Phe.3F5F-Ｆ IfF2-1u R1-Cyc-Phe-CF3 IfF2-2a R1-Cyc-Phe. 2F-CF3 IfF2-2b R1-Cyc-Phe. 3F-CF3 IfF2-2c R1-Cyc-Phe. 3F5F-CF3 IfF2-2d R1-Cyc-CH2CH2-Phe-CF3 IfF2-2e R1-Cyc-CH2CH2-Phe. 2F-CF3 IfF2-2f R1-Cyc-CH2CH2-Phe. 3F-CF3 IfF2-2g R1-Cyc-CH2CH2-Phe.3F5F-CF3 IfF2-2h R1-Pyr-Phe-CF3 IfF2-2i R1-Pyr-Phe. 2F-CF3 IfF2-2k R1-Pyr-Phe. 3F-CF3 IfF2-2l R1-Pyr-Phe. 3F5F-CF3 IfF2-2m R1-Pyd-Phe-CF3 IfF2-2n R1 -Pyd-Phe. 2F-CF3 IfF2-2o R1-Pyd-Phe. 3F-CF3 IfF2-2p R1-Pyd-Phe. 3F5F-CF3 IfF2-2q R1-Dio-Phe-CF3 IfF2-2r R1-Dio-Phe.2F-CF3 IfF2-2s R1-Dio-Phe.3F-CF3 IfF2-2t R1-Dio-Phe.3F5F-CF3 IfF2-2u R1-Cyc-Phe-OCF3 IfF2-3a R1-Cyc-Phe. 2F-OCF3 IfF2-3b R1-Cyc-Phe. 3F-OCF3 IfF2-3c R1-Cyc-Phe. 3F5F-OCF3 IfF2-3d R1-Cyc-CH2CH2-Phe-OCF3 IfF2-3e R1-Cyc-CH2CH2-Phe. 2F-OCF3 IfF2-3f R1-Cyc-CH2CH2-Phe. 3F-OCF3 IfF2-3g R1-Cyc-CH2CH2-Phe.3F5F-OCF3 IfF2-3h R1-Pyr-Phe-OCF3 IfF2-3i R1-Pyr-Phe. 2F-OCF3 IfF2-3k R1-Pyr-Phe. 3F-OCF3 IfF2-3l R1-Pyr-Phe. 3F5F-OCF3 IfF2-3m R1-Pyd-Phe-OCF3 IfF2-3n R1 -Pyd-Phe. 2F-OCF3 IfF2-3o R1-Pyd-Phe. 3F-OCF3 IfF2-3p R1-Pyd-Phe. 3F5F-OCF3 IfF2-3q R1-Dio-Phe-OCF3 IfF2-3r R1-Dio-Phe.2F-OCF3 IfF2-3s R1-Dio-Phe.3F-OCF3 IfF2-3t R1-Dio-Phe.3F5F-OCF3 IfF2-3u R1-Cyc-Phe-OCHF2 IfF2-4a R1-Cyc-Phe. 2F-OCHF2 IfF2-4b R1-Cyc-Phe. 3F-OCHF2 IfF2-4c R1-Cyc-Phe. 3F5F-OCHF2 IfF2-4d R1-Cyc-CH2CH2-Phe-OCHF2 IfF2-4e R1-Cyc-CH2CH2-Phe. 2F-OCHF2 IfF2-4f R1-Cyc-CH2CH2-Phe. 3F-OCHF2 IfF2-4g R1-Cyc-CH2CH2-Phe.3F5F-OCHF2 IfF2-4h R1-Pyr-Phe-OCHF2 IfF2-4i R1-Pyr-Phe. 2F-OCHF2 IfF2-4k R1-Pyr-Phe. 3F-OCHF2 IfF2-4l R1-Pyr-Phe. 3F5F-OCHF2 IfF2-4m R1-Pyd-Phe-OCHF2 IfF2-4n R1 -Pyd-Phe. 2F-OCHF2 IfF2-4o R1-Pyd-Phe. 3F-OCHF2 IfF2-4p R1-Pyd-Phe. 3F5F-OCHF2 IfF2-4q R1-Dio-Phe-OCHF2 IfF2-4r R1-Dio-Phe.2F-OCHF2 IfF2-4s R1-Dio-Phe.3F-OCHF2 IfF2-4t R1-Dio-Phe.3F5F-OCHF2 IfF2-4u 以下の小群の３環式化合物がさらに好ましい。
【０２４７】 R1-Phe-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -F IfF3 -1a R1-Phe-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -CF3 IfF3 -2a R1-Phe-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -OCF3 IfF3 -3a R1-Phe-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -OCHF2 IfF3 -4a R1-Cyc-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -F IfF3 -1b R1-Cyc-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -CF3 IfF3 -2b R1-Cyc-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -OCF3 IfF3 -3b R1-Cyc-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -OCHF2 IfF3 -4b R1-Cyc-Cyc-Z12-Phe. (F, 2) -F IfF3 -1c R1-Cyc-Cyc-Z1 2-Phe. (F, 2) -CF3 IfF3 -2c R1-Cyc-Cyc-Z12-Phe. (F, 2) -OCF3 IfF3 -3c R1-Cyc-Cyc-Z12-Phe. (F, 2) -OCHF2 IfF3 -4c R1-Pyd-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -F IfF3 -1d R1-Pyd-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -CF3 IfF3 -2d R1-Pyd-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -OCF3 IfF3 -3d R1-Pyd-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -OCHF2 IfF3 -4d R1-Pyr-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -F IfF3 -1e R1-Pyr-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -CF3 IfF3 -2e R1-Pyr-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -OCF3 IfF3 -3e R1-Pyr-Phe-Z12-Phe. (F, 2) -OCHF2 IfF3 -4e R1-Phe-Pyd-Z12-Phe. (F, 2) -F IfF3 -1f R1-Phe-Pyd-Z12-Phe. (F, 2) -CF3 IfF3 -2f R1-Phe-Pyd-Z12-Phe. (F, 2) -OCF3 IfF3 -3f R1-Phe-Pyd-Z12-Phe. (F, 2) -OCHF2 IfF3 -4f R1-Phe-Pyr-Z12-Phe. (F, 2) -F IfF3 -1g R1-Phe-Pyr-Z12-Phe. (F, 2) -CF3 IfF3 -2g R1-Phe-Pyr-Z12-Phe. (F, 2) -OCF3 IfF3 -3g R1-Phe-Pyr-Z12-Phe. (F, 2) -OCHF2 IfF3 -4g R1-Cyc-Dio-Z12-Phe. (F, 2) -F IfF3 -1h R1-Cyc-Dio-Z12-Phe. (F, 2) -CF3 IfF3 -2h R1-Cyc-Dio-Z12-Phe. (F, 2) -OCF3 IfF3 -3h R1-Cyc-Dio-Z12-Phe. (F, 2) -OCHF2 IfF3 -4h R1-Phe-Z11-Phe-Phe. (F, 2)-F IfF3 -5a R1-Phe-Z11-Phe-Phe. (F, 2)-CF3 IfF3 -6a R1-Phe-Z11-Phe-Phe. (F, 2) -OCF3 IfF3 -7a R1-Phe-Z11-Phe-Phe. (F, 2) -OCHF2 IfF3 -8a R1-Cyc-Z11-Phe-Phe. (F, 2)-F IfF3 -5b R1-Cyc-Z11-Phe-Phe. (F, 2)-CF3 IfF3 -6b R1-Cyc-Z11-Phe-Phe. (F, 2) -OCF3 IfF3 -7b R1-Cyc-Z11-Phe-Phe. (F, 2) -OCHF2 IfF3 -8b
【０２４８】これらの化合物において、Phe. (F, 2) は
特にPhe、Phe. 3FまたはPhe. 3F5Fである。Ｚ12が-COO-
であり、およびPhe. (F, 2)がPhe.2Fである式IfF3 -1a
〜1h、2a〜2h、3a〜3hおよび3a〜3hおよび4a〜4hの化合
物がさらに好ましい。Ｚ12が-CH2CH2-または単結合であ
り、およびPhe. (F, 2)がPhe、Phe. 2F、Phe. 3Fまたは
Phe. 3F5F、特にPhe、Phe.3FおよびPhe. 3F5Fである式I
fF3-1a〜1 h、2a〜2h、3a〜3hおよび4a〜4hの化合物が
さらに特に好ましい。式IfF-5a、6a、7a、8a、5b、6b、
7bおよび8bの化合物において、Ｚ11は-CH2CH2-または-C
OO-、特に-CH2CH2-であるのが好ましい。これらの好ま
しい化合物の１種以上を含有する液晶混合物は特に有利
な特性を有している。
特にPhe、Phe. 3FまたはPhe. 3F5Fである。Ｚ12が-COO-
であり、およびPhe. (F, 2)がPhe.2Fである式IfF3 -1a
〜1h、2a〜2h、3a〜3hおよび3a〜3hおよび4a〜4hの化合
物がさらに好ましい。Ｚ12が-CH2CH2-または単結合であ
り、およびPhe. (F, 2)がPhe、Phe. 2F、Phe. 3Fまたは
Phe. 3F5F、特にPhe、Phe.3FおよびPhe. 3F5Fである式I
fF3-1a〜1 h、2a〜2h、3a〜3hおよび4a〜4hの化合物が
さらに特に好ましい。式IfF-5a、6a、7a、8a、5b、6b、
7bおよび8bの化合物において、Ｚ11は-CH2CH2-または-C
OO-、特に-CH2CH2-であるのが好ましい。これらの好ま
しい化合物の１種以上を含有する液晶混合物は特に有利
な特性を有している。
【０２４９】以下の好ましい３環式化合物の少なくとも
１種を含有する液晶混合物がさらに特に好ましい。
１種を含有する液晶混合物がさらに特に好ましい。
【０２５０】 R1-Phe-Phe-Phe-F IfF3-1a1 R1-Phe-Phe-Phe. 2F-F IfF3-1a2 R1-Phe-Phe-Phe. 3F-F IfF3-1a3 R1-Phe-Phe-Phe. 3F5F-F IfF3-1a4 R1-Phe-Phe-Phe-CF3 IfF3-1a5 R1-Phe-Phe-Phe. 3F-CF3 IfF3-1a6 R1-Phe-Phe-Phe-OCF3 IfF3-1a7 R1-Phe-Phe-Phe. 3F-OCF3 IfF3-1a8 R1-Cyc-Phe-Phe-F IfF3-1b1 R1-Cyc-Phe-Phe. 2F-F IfF3-1b2 R1-Cyc-Phe-Phe. 3F-F IfF3-1b3 R1-Cyc-Phe-Phe. 3F5F-F IfF3-1b4 R1-Cyc-Phe-Phe-CF3 IfF3-1b5 R1-Cyc-Phe-Phe. 3F-CF3 IfF3-1b6 R1-Cyc-Phe-Phe-OCF3 IfF3-1b7 R 1-Cyc-Phe-Phe. 3F-OCF3 IfF3-1b8 R1-Cyc-Cyc-Phe-F IfF3-1c1 R1-Cyc-Cyc-Phe. 2F-F IfF3-1c2 R1-Cyc-Cyc-Phe. 3F-F IfF3-1c3 R1-Cyc-Cyc-Phe. 3F5F-F IfF3-1c4 R1-Cyc-Cyc-Phe-CF3 IfF3-1c5 R1-Cyc-Cyc-Phe. 3F-CF3 IfF3-1c6 R1-Cyc-Cyc-Phe-OCF3 IfF3-1c7 R1-Cyc-Cyc -Phe. 3F-OCF3 IfF3-1c8 R1-Pyd-Phe-Phe-F IfF3-1d1 R1-Pyd-Phe-Phe. 2F-F IfF3-1d2 R1-Pyd-Phe-Phe. 3F-F IfF3-1d3 R1-Pyd-Phe-Phe. 3F5F-F IfF3-1d4 R1-Pyd-Phe-Phe-CF3 IfF3-1d5 R1-Pyd-Phe-Phe. 3F-CF3 IfF3-1d6 R1-Pyd-Phe-Phe-OCF3 IfF3-1d7 R1-Pyd-Phe-Phe. 3F-OCF3 IfF3-1d8 R1-Pyr-Phe-Phe-F IfF3-1e1 R1-Pyr-Phe-Phe. 2F-F IfF3-1e2 R1-P yr-Phe-Phe. 3F-F IfF3-1e3 R1-Pyr-Phe-Phe. 3F5F-F IfF3-1e4 R1-Pyr-Phe-Phe-CF3 IfF3-1e5 R1-Pyr-Phe-Phe. 3F-CF3 IfF3-1e6 R1-Pyr-Phe-Phe-OCF3 IfF3-1e7 R1-Pyr-Phe-Phe. 3F-OCF3 IfF3-1e8
【０２５１】式IfF、特に好ましい下位式の１種以上の
化合物を含有する液晶混合物は広いメソゲニック範囲、
比較的高い透明点、複屈折およびフロー粘度関する有利
な値、マトリックスに使用されるポリマーに対する低い
混和性、および特に誘電異方性に関する有利な値および
高いUV および温度安定性を特徴とする。
化合物を含有する液晶混合物は広いメソゲニック範囲、
比較的高い透明点、複屈折およびフロー粘度関する有利
な値、マトリックスに使用されるポリマーに対する低い
混和性、および特に誘電異方性に関する有利な値および
高いUV および温度安定性を特徴とする。
【０２５２】液晶混合物は１〜４０％、特に５〜３０％
の式IfF、特に好まし下位式の化合物を含んでいるのが
好ましい。この場合、液晶混合物は１〜５種、特に１〜
３種の式IfF、特に好ましい下位式の化合物を含んでい
るのが好ましい。
の式IfF、特に好まし下位式の化合物を含んでいるのが
好ましい。この場合、液晶混合物は１〜５種、特に１〜
３種の式IfF、特に好ましい下位式の化合物を含んでい
るのが好ましい。
【０２５３】式IfF、特に式IfF2-1〜IfF2-4およびIfF3-
1〜IfF3-8、さらに特別には好ましい下位式の化合物群
から選択される１種以上の化合物とさらに式II1〜II2
8、III1〜III3およびV1〜VI8の化合物群から選択される
１種以上の化合物とを含有する混合物が特に好ましい液
晶混合物である。本発明によって使用される液晶混合物
中の式IfF、特に式IfF2およびIfF3、さらに特別には好
ましい下位式の少なくとも１種の化合物とさらに式II1
〜II28、III1〜III3およびIV1〜IV8の少なくとも１種の
化合物とから成る成分混合物の質量は１５％〜１００
％、特に２５％〜１００％であるのが好ましい。
1〜IfF3-8、さらに特別には好ましい下位式の化合物群
から選択される１種以上の化合物とさらに式II1〜II2
8、III1〜III3およびV1〜VI8の化合物群から選択される
１種以上の化合物とを含有する混合物が特に好ましい液
晶混合物である。本発明によって使用される液晶混合物
中の式IfF、特に式IfF2およびIfF3、さらに特別には好
ましい下位式の少なくとも１種の化合物とさらに式II1
〜II28、III1〜III3およびIV1〜IV8の少なくとも１種の
化合物とから成る成分混合物の質量は１５％〜１００
％、特に２５％〜１００％であるのが好ましい。
【０２５４】それぞれの場合に示した物質群からのそれ
ぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成分混合
物を基礎とする液晶混合物はマトリックス系に適用する
のに特に適しているが、特に液晶混合物中の式IfF、特
に好ましい下位式の化合物または他の末端を弗素化され
た化合物の質量が１０％以下、特に５％以下である場合
は、網目構造体系にはあまり適さない。
ぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成分混合
物を基礎とする液晶混合物はマトリックス系に適用する
のに特に適しているが、特に液晶混合物中の式IfF、特
に好ましい下位式の化合物または他の末端を弗素化され
た化合物の質量が１０％以下、特に５％以下である場合
は、網目構造体系にはあまり適さない。
【０２５５】
【表１８】
【０２５６】これに対し、この種の成分混合物を含有す
る液晶混合物は、これらの成分混合物中に含有される式
IfF、特に好ましい下位式の化合物または他の末端を弗
素化された化合物の質量が５％より大きい、特に１０％
より大きい、さらに特別には１２.５％以上である場合
は、一般に網目構造体系に適用するためにも好ましい。
上述の成分混合物の１種とさらに化合物Ia, Ic, Id, I
e, IfCl. F, Ig, IhまたはIi、特に好ましい下位式の化
合物の群から選択される１種以上の化合物とを含有する
液晶混合物もマトリックス系および網目構造体系の両方
に適用するために好ましい。これらの混合物において、
末端を弗素化された化合物の質量は５％以下にすること
ができる。U＝-CF2、-OCF2または-OCHFである式IfFの少
なくとも１種の化合物とさらに式II1〜II28、III1〜III
3およびIV1〜IV8の化合物群から選択される少なくとも
１種の化合物とを含有する液晶混合物もマトリックス系
および網目構造体系の両方に適用するために好ましい。
る液晶混合物は、これらの成分混合物中に含有される式
IfF、特に好ましい下位式の化合物または他の末端を弗
素化された化合物の質量が５％より大きい、特に１０％
より大きい、さらに特別には１２.５％以上である場合
は、一般に網目構造体系に適用するためにも好ましい。
上述の成分混合物の１種とさらに化合物Ia, Ic, Id, I
e, IfCl. F, Ig, IhまたはIi、特に好ましい下位式の化
合物の群から選択される１種以上の化合物とを含有する
液晶混合物もマトリックス系および網目構造体系の両方
に適用するために好ましい。これらの混合物において、
末端を弗素化された化合物の質量は５％以下にすること
ができる。U＝-CF2、-OCF2または-OCHFである式IfFの少
なくとも１種の化合物とさらに式II1〜II28、III1〜III
3およびIV1〜IV8の化合物群から選択される少なくとも
１種の化合物とを含有する液晶混合物もマトリックス系
および網目構造体系の両方に適用するために好ましい。
【０２５７】さらに、表示した物質群からのそれぞれ少
なくとも１種の化合物を含有する以下の成分混合物はマ
トリックス系および網目構造体系の両方に適している。
なくとも１種の化合物を含有する以下の成分混合物はマ
トリックス系および網目構造体系の両方に適している。
【０２５８】
【表１９】
【０２５９】
【表２０】
【０２６０】
【表２１】
【０２６１】それぞれの場合に述べた式の化合物群から
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物Ｔ(IfF)３０〜３５を基礎とする液晶混合物が
好ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物を
好ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、
好ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含ん
でいる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は
１００％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は
１０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別
には２５％〜１００％の間である。
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物Ｔ(IfF)３０〜３５を基礎とする液晶混合物が
好ましい。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物を
好ましい質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、
好ましくは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含ん
でいる。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は
１００％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は
１０％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別
には２５％〜１００％の間である。
【０２６２】
【表２２】 @079Ｔ2がＣｌである、およびｖが０である化合物
【０２６３】
【化５８】 （ただし、R1は上述の意味である）がさらに好ましい式
Ifの化合物である。
Ifの化合物である。
【０２６４】式IfClの化合物は下位式IfCl2-1〜IfCl2-8
およびIfCl3-1〜IfCl3-47の以下の好ましい２環式およ
び３環式化合物を含む。
およびIfCl3-1〜IfCl3-47の以下の好ましい２環式およ
び３環式化合物を含む。
【０２６５】 R1-Phe-Phe-Cl IfCl2-1 R1-Pyr-Phe-Cl IfCl2-2 R1-Cyc-Phe-Cl IfCl2-3 R1-Phe-C≡C-Phe-Cl IfCl2-4 R1-Phe-COO-Phe-Cl IfCl2-5 R1-Phe-OOC-Phe-Cl IfCl2-6 R1-Pyd-Phe-Cl IfCl2-7 R1-Cyc-COO-Phe-Cl IfCl2-8 R1-Phe-Phe-Phe-Cl IfCl3-1 R1-Cyc-Phe-Phe-Cl IfCl3-2 R1-Cyc-Cyc-Phe-Cl IfCl3-3 R1-Phe-Cyc-Phe-Cl IfCl3-4 R1-Phe-CH2CH2-Phe-Phe-Cl IfCl3-5 R1-Phe-COO-Phe-Phe-Cl IfCl3-6 R1-Phe-Phe-CH2CH2-Phe-Cl IfCl3-7 R1-Phe-Phe-COO-Phe-Cl IfCl3-8 R1-Phe-Phe-OOC-Phe-Cl IfCl3-9 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe-Cl IfCl3-10 R1-Cyc-COO-Phe-Phe-Cl IfCl3-11 R1- Cyc-Phe-CH2CH2-Cl IfCl3-12 R1-Cyc-Phe-C≡C-Phe-Cl IfCl3-13 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-C≡C-Phe-Cl IfCl3-14 R1-Cyc-Phe-COO-Phe-Cl IfCl3-15 R1-Cyc-Phe-OOC-Phe-Cl IfCl3-16 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-COO-Phe-Cl IfCl3-17 R1- Phe-Cyc-COO-Phe-Cl IfCl3-18 R1-Phe-COO-Cyc-Phe-Cl IfCl3-19 R1-Phe-OOC-Cyc-Phe-Cl IfCl3 -20 R1-Cyc- Cyc-CH2CH2-Phe-Cl IfCl3 -21 R1--Cyc- Cyc-COO-Phe-Cl IfCl3 -22 R1- Cyc- Cyc-OOC-Phe-Cl IfCl3 -23 R1-Cyc-CH2CH2-Cyc-COO-Phe-Cl IfCl3 -24 R1- Cyc- CH2CH2 -Cyc- Phe-Cl IfCl3-25 R1- Cyc-COO-Cyc-Phe-Cl IfCl3 -26 R1- Cyc-OOC-Cyc-Phe-Cl IfCl3-27 R1- Phe-COO- Phe-COO -Phe-Cl IfCl3-28 R1- Phe-COO- Phe-OOC -Phe-Cl IfCl3-29 R1- Phe-OOC- Phe-COO -Phe-Cl IfCl3-30 R1- Phe-OOC- Phe-OOC-Phe-Cl IfCl3-31 R1- Cyc-COO- Phe-COO -Phe-Cl IfCl3-32 R1- Cyc-COO- Phe-OOC -Phe-Cl IfCl3-33 R1- Cyc-OOC- Phe-OOC -Phe-Cl IfCl3-34 R1- Cyc-OOC- Phe-COO-Phe-Cl IfCl3-35 R1- Cyc-COO- Cyc-COO -Phe-Cl IfCl3-36 R1- Cyc-OOC- Cyc-COO-Phe-Cl IfCl3-37 R1- Cyc-COO- Cyc-OOC -Phe-Cl IfCl3-38 R1- Cyc-OOC- Cyc-OOC -Phe-Cl IfCl3-39 R1-Pyr-Phe-Phe-Cl IfCl340 R1-Pyd-Phe-Phe-Cl IfCl3-41 R1-Phe-Pyr-Phe-Cl IfCl3-42 R1-Phe-Pyd-Phe-Cl IfCl3-43 R1-Cyc-Pyr-Phe-Cl IfCl3-44 R1-Cyc-Pyd-Phe-Cl IfCl3-45 R1-Pyr-CH2CH2-Phe-Phe-Cl IfCl3-46 R1-Pyd-Ch2CH2-Phe-Phe-Cl IfCl3-47
【０２６６】式IfCl2および IfCl3の化合物において、R
1は直鎖基であるのが好ましい１〜１０、特に１〜８個
のC原子を有するアルキル、アルケニルまたはアルコキ
シであるのが好ましい。n-アルコキシアルキル化合物、
特にn-アルコキシメチルおよびn-アルコキシエチル化合
物がさらに好ましい。
1は直鎖基であるのが好ましい１〜１０、特に１〜８個
のC原子を有するアルキル、アルケニルまたはアルコキ
シであるのが好ましい。n-アルコキシアルキル化合物、
特にn-アルコキシメチルおよびn-アルコキシエチル化合
物がさらに好ましい。
【０２６７】 R1-Phe-Phe-Cl IfCl2-1 R1-Pyr-Phe-Cl IfCl2-2 R1-Cyc-Phe-Cl IfCl2-3 R1-Phe-C≡C-Phe-Cl IfCl2-4 R1-Phe-COO-Phe-Cl IfCl2-5 R1-Phe-OOC-Phe-Cl IfCl2-6 R1-Pyd-Phe-Cl IfCl2-7 R1-Cyc-COO-Phe-Cl IfCl2-8 R1-Phe-Phe-Phe-Cl IfCl3-1 R1-Cyc-Phe-Phe-Cl IfCl3-2 R1-Cyc-Cyc-Phe-Cl IfCl3-3 R1-Phe-Cyc-Phe-Cl IfCl3-4 R1-Phe-CH2CH2-Phe-Phe-Cl IfCl3-5 R1-Phe-COO-Phe-Phe-Cl IfCl3-6 R1-Phe-Phe- CH2CH2-Phe-Cl IfCl3-7 R1-Phe-Phe-COO-Phe-Cl IfCl3-8 R1-Phe-Phe-OOC-Phe-Cl IfCl3-9 R1-Cyc- CH2CH2-Phe-Phe-Cl IfCl3-10 R1-Cyc-COO-Phe-Phe-Cl IfCl3-11 R1--Cyc- Phe- CH2CH2-- Cl IfCl3-12 R1-Cyc- Phe- C≡C-Phe-Cl IfCl3-13 R1-Cyc-CH2CH2-Phe- C≡C-Phe-Cl IfCl3-14 R1-Cyc- Ph-COO-Phe- Cl IfCl3-15 R1-Cyc- Phe-OOC-Phe- Cl IfCl3-16 R1-Cyc- CH2CH2-Phe-COO-Phe-Cl IfCl3-17 R1- Phe-Cyc-COO-Phe- Cl IfCl3 -18 R1- Phe-COO-Cyc-Phe- Cl IfCl3 -19 R1-Phe-OOC-Cyc-Phe-Cl IfCl3 -20 R1-Cyc- Cyc-CH2CH2-Phe-Cl IfCl3 -21 R1--Cyc- Cyc-COO-Phe-Cl IfCl3 -22 R1- Cyc- Cyc-OOC-Phe-Cl IfCl3 -23 R1- Cyc- CH2CH2 -Cyc-COO-Phe-Cl IfCl3-24 R1- Cyc- CH2CH2 -Cyc- Phe-Cl IfCl3-25 R1- Cyc-COO-Cyc-Phe-Cl IfCl3 -26 R1- Cyc-OOC-Cyc-Phe-Cl IfCl3-27 R1- Phe-COO- Phe-COO -Phe-Cl IfCl3-28 R1- Phe-COO- Phe-OOC -Phe-Cl IfCl3-29 R1- Phe-OOC- Phe-COO -Phe-Cl IfCl3-30 R1- Phe-OOC- Phe-OOC-Phe-Cl IfCl3-31 R1- Cyc-COO- Phe-COO -Phe-Cl IfCl3-32 R1- Cyc-COO- Phe-OOC -Phe-Cl IfCl3-33 R1- Cyc-OOC- Phe-OOC -Phe-Cl IfCl3-34 R1- Cyc-OOC- Phe-COO-Phe-Cl IfCl3-35 R1- Cyc-COO- Cyc-COO -Phe-Cl IfCl3-36 R1- Cyc-OOC- Cyc-COO-Phe-Cl IfCl3-37 R1- Cyc-COO- Cyc-OOC -Phe-Cl IfCl3-38 R1- Cyc-OOC- Cyc-OOC -Phe-Cl IfCl3-39 R1-Pyr-Phe-PheCl IfCl340 R1-Pyd-Phe-Phe-Cl IfCl3-41 R1-Phe-Pyr-Phe-Cl IfCl3-42 R1-Phe-Pyd-Phe-Cl IfCl3-43 R1-Cyc-Pyr-Phe-Cl IfCl3-44 R1-Cyc-Pyd-Phe-Cl IfCl3-45 R1-Pyr-CH2CH2-Phe-Phe-Cl IfCl3-46 R1-Pyd-Ch2CH2-Phe-Phe-Cl IfCl3-47
【０２６８】式IfCl2および IfCl3の化合物において、R
1は直鎖基であるのが好ましい１〜１０、特に１〜８個
のC原子を有するアルキル、アルケニルまたはアルコキ
シであるのが好ましい。n-アルコキシアルキル化合物、
特にn-アルコキシメチルおよびn-アルコキシエチル化合
物がさらに好ましい。
1は直鎖基であるのが好ましい１〜１０、特に１〜８個
のC原子を有するアルキル、アルケニルまたはアルコキ
シであるのが好ましい。n-アルコキシアルキル化合物、
特にn-アルコキシメチルおよびn-アルコキシエチル化合
物がさらに好ましい。
【０２６９】R1がメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ベンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘ
キソシル、ヘプトキシ、オクトキシ、メトキシメチル、
エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、
メトキシエチル、エトキシエチルまたはプロポキシエチ
ルである式IfCl2-1〜IfCl2-8およびIfCl3-１〜IfCl3-47
の化合物が特に非常に好ましい化合物である。
ベンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル、メトキシ、エトキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘ
キソシル、ヘプトキシ、オクトキシ、メトキシメチル、
エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、
メトキシエチル、エトキシエチルまたはプロポキシエチ
ルである式IfCl2-1〜IfCl2-8およびIfCl3-１〜IfCl3-47
の化合物が特に非常に好ましい化合物である。
【０２７０】式IfClおよび好ましい下位式IfCl2-2〜IfC
l2-8およびIfCl3-1〜IfCl3-37の化合物は、大部分は知
られており、例えば、JP６０／２６０６７９A２；JP５
９／８１３７５A２；EP０,１２３,９０７；JP５８／７
９９３８A２；DE3,１３６,６２４；Ｊ．マルセート（Ma
lthete）等、Mol. Cryst. Liq. Cryst. 23, 233 (197
3)；Ｊ．マルセート等、J. Phys. Colloq., 37,Ｃ31（1
976）；J.P.バンメター(van Meter) 等、Mol. Cryst. L
iq. Cryst., 22, 271 (1973)；M.E. ニューバート(Neub
ert)等、Mol. Cryst. Liq. Cryst., 135, 283 (1986)；
JP／５６／１２０６４１A２；EP１５２,０１４；DE３,
１３９,１３０；H.J.ミュラー(Muller)等、Mol. Cryst.
Liq. Cryst., 92, 63 (1983)；JP６１／２２５１４７A
２；JP５７／１８３７２７A２：DE３,１３９,１３０；
G.W.グレー（Gray)およびJ.W.グッドバイ(Goodby)、Mo
l. Cryst. Liq. Cryst. , 37, 157 (1976)；JP５７／
１８５３８A２；Ｈ．タカツ（Takatsu)等、Mol. Cryst.
Liq. Cryst., 100 345 (1983) ；DE３,２３３,６４
１,：GB２,０７１,１１３１；S.M.ケリー(Kelly)および
Hp.シャッド(Sshad)、Helv. Chim. Acta, 68, 1444
(1985)；USP4,７２６,９１０；R.ダブロウスキー(Dabro
wski)等、Moll Cryst. Liq. Crysyt. 107, 411 (1984);
JP５６／１２０６４１A２；JP５７／３１６４５A２；J
P６０／４１６３８A２；JP 59／２９６４０A２；DE３,
３１７,５０７；GB２,０７０,５９３；JP５７／５４１
４８A２；Ｈ.タカツ等、Ｍol. Cryst. Liq. Cryst., 10
8, 157 (1984); JP５９／１１３０８１A２；EP１０
２，０４７，；Ｊ.Ｐ．バンメター、Mol.Cryst. Liq. C
ryst., 22, 285 (1973)；H.-J.ドイッチャー(Deutsche
r)等、J. Prakt. Chem., 321, 47 (1979)；Ｈ.-Ｊ. ド
イッチャー等、J. Parkt. Chem., 321, 969 (1979)；JP
５８／４７ ４５A2に記載されている。
l2-8およびIfCl3-1〜IfCl3-37の化合物は、大部分は知
られており、例えば、JP６０／２６０６７９A２；JP５
９／８１３７５A２；EP０,１２３,９０７；JP５８／７
９９３８A２；DE3,１３６,６２４；Ｊ．マルセート（Ma
lthete）等、Mol. Cryst. Liq. Cryst. 23, 233 (197
3)；Ｊ．マルセート等、J. Phys. Colloq., 37,Ｃ31（1
976）；J.P.バンメター(van Meter) 等、Mol. Cryst. L
iq. Cryst., 22, 271 (1973)；M.E. ニューバート(Neub
ert)等、Mol. Cryst. Liq. Cryst., 135, 283 (1986)；
JP／５６／１２０６４１A２；EP１５２,０１４；DE３,
１３９,１３０；H.J.ミュラー(Muller)等、Mol. Cryst.
Liq. Cryst., 92, 63 (1983)；JP６１／２２５１４７A
２；JP５７／１８３７２７A２：DE３,１３９,１３０；
G.W.グレー（Gray)およびJ.W.グッドバイ(Goodby)、Mo
l. Cryst. Liq. Cryst. , 37, 157 (1976)；JP５７／
１８５３８A２；Ｈ．タカツ（Takatsu)等、Mol. Cryst.
Liq. Cryst., 100 345 (1983) ；DE３,２３３,６４
１,：GB２,０７１,１１３１；S.M.ケリー(Kelly)および
Hp.シャッド(Sshad)、Helv. Chim. Acta, 68, 1444
(1985)；USP4,７２６,９１０；R.ダブロウスキー(Dabro
wski)等、Moll Cryst. Liq. Crysyt. 107, 411 (1984);
JP５６／１２０６４１A２；JP５７／３１６４５A２；J
P６０／４１６３８A２；JP 59／２９６４０A２；DE３,
３１７,５０７；GB２,０７０,５９３；JP５７／５４１
４８A２；Ｈ.タカツ等、Ｍol. Cryst. Liq. Cryst., 10
8, 157 (1984); JP５９／１１３０８１A２；EP１０
２，０４７，；Ｊ.Ｐ．バンメター、Mol.Cryst. Liq. C
ryst., 22, 285 (1973)；H.-J.ドイッチャー(Deutsche
r)等、J. Prakt. Chem., 321, 47 (1979)；Ｈ.-Ｊ. ド
イッチャー等、J. Parkt. Chem., 321, 969 (1979)；JP
５８／４７ ４５A2に記載されている。
【０２７１】式IfCl1の化合物、特に式IfCl2-1〜IfCl2-
8およびIfCl3-1〜IfCl3-47の好ましい化合物の群から選
択される１種以上の化合物を含有する液晶混合物は複屈
折Δnおよび誘電異方性に関する有利な値、高い安定
性、比較的簡単な製造性、マトリックスに使用されるポ
リマーに対する低い混和性、および特に広いメソゲニッ
ク範囲、比較的高い透明点およびフロー粘度および電気
光学パラメーターの温度依存性に関する有利な値を特徴
とする。
8およびIfCl3-1〜IfCl3-47の好ましい化合物の群から選
択される１種以上の化合物を含有する液晶混合物は複屈
折Δnおよび誘電異方性に関する有利な値、高い安定
性、比較的簡単な製造性、マトリックスに使用されるポ
リマーに対する低い混和性、および特に広いメソゲニッ
ク範囲、比較的高い透明点およびフロー粘度および電気
光学パラメーターの温度依存性に関する有利な値を特徴
とする。
【０２７２】本発明の液晶混合物は１〜４０％、特に５
〜３０％の式IfCl、特に好ましい下位式の化合物を含ん
でいるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式IfCl、
特に好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３種の化合物
を含有しているのが好ましい。
〜３０％の式IfCl、特に好ましい下位式の化合物を含ん
でいるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式IfCl、
特に好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３種の化合物
を含有しているのが好ましい。
【０２７３】式IfCl、特に式IfCl2-1〜IfCl2-8およびIf
Cl3-1〜IfCl3-47の化合物群から選択される１種以上の
化合物とさらに式II1〜II28、III1〜III3およびIV1〜IV
8の化合物群から選択される１種以上の化合物とを含有
する混合物が特に好ましい液晶混合物である。本発明に
よって使用される液晶混合物中の式IfCl、特に好ましい
下位式の少なくとも１種の化合物とさらに式II1〜II2
8、III1 〜III3およびIV1〜IV8の少なくとも１種の化合
物とから成る成分混合物の質量は１５％〜１００％、特
に２５％〜１００％であるのが好ましい。
Cl3-1〜IfCl3-47の化合物群から選択される１種以上の
化合物とさらに式II1〜II28、III1〜III3およびIV1〜IV
8の化合物群から選択される１種以上の化合物とを含有
する混合物が特に好ましい液晶混合物である。本発明に
よって使用される液晶混合物中の式IfCl、特に好ましい
下位式の少なくとも１種の化合物とさらに式II1〜II2
8、III1 〜III3およびIV1〜IV8の少なくとも１種の化合
物とから成る成分混合物の質量は１５％〜１００％、特
に２５％〜１００％であるのが好ましい。
【０２７４】以下のグループCからの少なくとも１種の
化合物および以下のグループDからの少なくとも１種の
化合物を含有する混合物が特に好ましい液晶混合物であ
る。
化合物および以下のグループDからの少なくとも１種の
化合物を含有する混合物が特に好ましい液晶混合物であ
る。
【０２７５】
【表２３】
【０２７６】それぞれの場合に述べた式の化合物群から
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物T(ICl)１〜３を基礎とする液晶混合物が好まし
い。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の好まし
い質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、好まし
くは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含んでい
る。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は１０
０％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は１０
％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別には
２５％〜１００％の間である。
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物T(ICl)１〜３を基礎とする液晶混合物が好まし
い。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の好まし
い質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、好まし
くは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含んでい
る。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は１０
０％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は１０
％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別には
２５％〜１００％の間である。
【０２７７】
【表２４】
【０２７８】
【化５９】 がPhe.3F-ClまたはPhe.3F5Fである式Ifの化合物
【０２７９】
【化６０】 （ただし、R1は上述の意味であり、およびX7はFまたはH
である）がさらに好ましい化合物である。
である）がさらに好ましい化合物である。
【０２８０】
【化６１】 の２環式および３環式化合物を含む。
【０２８１】式IfCl.F2の２環式化合物において、環A13
はPhe, Phe.F, Cyc, Pyr, PydまたはDio、特にPhe,Cyc,
PydまたはDioであるのが好ましい。Z11は単結合、-COO
-, -OCO-または-ＣＨ2ＣＨ2-、特に単結合、-CH2CH2-ま
たは-ＣＯＯ-である。
はPhe, Phe.F, Cyc, Pyr, PydまたはDio、特にPhe,Cyc,
PydまたはDioであるのが好ましい。Z11は単結合、-COO
-, -OCO-または-ＣＨ2ＣＨ2-、特に単結合、-CH2CH2-ま
たは-ＣＯＯ-である。
【０２８２】式IfCl.F2-1〜IfCl.F2-19の以下の小群の
２環式化合物が特に好ましい。
２環式化合物が特に好ましい。
【０２８３】 R1-Phe-Phe.3F-Cl IfCl.F2-１ R1-Phe-.3F-Phe.3F-Cl IfCl.F2-2 R1-Cyc-Phe.3F-Cl IfCl.F2-3 R1-Pyr-Phe.3F-Cl IfCl.F2-4 R1-Pyd-Phe.3F-Cl IfCl.F2-5 R1-Dio-Phe.3F-Cl IfCl.F2-6 R1-Phe-CH2CH2-Phe.3F-Cl IfCl.F2-7 R1-Phe-COO-Phe.3F-Cl IfCl.F2-8 R1-Cyc-CH2CH2-Phe.3F-Cl IfCl.F2-9 R1-Cyc-COO-Phe.3F-Cl IfCl.F2-10 R1-Cyc-OCO-Phe.3F-Cl IfCl.F2-11 R1-Phe-Phe.3F5F-Cl IfCl.F2-12 R1-Cyc-Phe.3F5F-Cl IfCl.F2-13 R1-Pyr-Phe.3F5F-Cl IfCl.F2-14 R1-Pyd-Phe.3F5F-Cl IfCl.F2-15 R1-Dio-Phe.3F5F-Cl IfCl.F2-16 R1-Phe-CH2CH2-Phe.3F5F-Cl IfCl.F2-17 R1-Phe-COO-Phe.3F5F-Cl IfCl.F2-18 R1-Cyc-CH2CH2-Phe.3F5F-Cl IfCl.F2-19 式IfCl.F3の３環式化合物において、Z11およびZ12は、
互いに独立して単結合、-COO-,-COC-または-ＣＨ2ＣＨ2
-であり、橋基Z11およびZ12の１つは単結合であるのが
好ましい。
互いに独立して単結合、-COO-,-COC-または-ＣＨ2ＣＨ2
-であり、橋基Z11およびZ12の１つは単結合であるのが
好ましい。
【０２８４】環A13および環A14は、互いに独立してPhe,
Phe.F, Cyc, Pyr, PydまたはDioであるのが好ましく、
環A13および環A14の一方が複素環化合物である場合、他
方の環はPhe, Phe.FまたはCyc、特にPh eまたはCycであ
るのが好ましい。
Phe.F, Cyc, Pyr, PydまたはDioであるのが好ましく、
環A13および環A14の一方が複素環化合物である場合、他
方の環はPhe, Phe.FまたはCyc、特にPh eまたはCycであ
るのが好ましい。
【０２８５】式IfCl.F3-1〜IfCl.F3-38の以下の小群の
３環式化合物が特に好ましい。
３環式化合物が特に好ましい。
【０２８６】 R1-Phe-Phe.F-Phe.3F-Cl IfCl.F3-1 R1-Phe-Phe-Phe.3F-Cl IfCl.F3-2 R1-Cyc-Phe-Phe.F-Phe.3F-Cl IfCl.F3-3 R1-Cyc-Cyc-Phe.3F-Cl IfCl.F3-4 R1-Phe-Pyr-Phe.3F-Cl IfCl.F3-5 R1-Phe-Pyd-Phe.3F-Cl IfCl.F3-6 R1-Dio-Cyc-Phe.3F-Cl IfCl.F3-7 R1-Dio-Phe-Phe.3F-Cl IfCl.F3-8 R1-Pyr-Phe-Phe.3F-Cl IfCl.F3-9 R1-Pyd-Phe-Phe.3F-Cl IfCl.F3-10 R1-Cyc-Pyr-Phe.3F-Cl IfCl.F3-11 R1-Cyc-Pyd-Phe.3F-Cl IfCl.F3-12 R1-Phe.F-Pyd-Phe.3F-Cl IfCl.F3-13 R1-Pyd-Phe.F-Phe.3F-Cl IfCl.F3-14 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe.3F-Cl IfCl.F3-15 R1-Cyc-Cyc-CH2CH2-Phe.3F-Cl IfCl.F3-16 R1-Dio-Cyc-CH2CH2-Phe.3F-Cl IfCl.F3-17 R1-Dio-Phe-CH2CH2-Phe.3F-Cl IfCl.F3-18 R1-Phe-Phe.F-CH2CH2-Phe.3F-Cl IfCl.F3-19 R1-Phe-COO-Phe.F-Phe.3F-Cl IfCl.F3-20 R1-Phe-COO-Phe-COO-Phe.3F-Cl IfCl.F3-21 R1-Cyc-COO-Phe-Phe.3F-Cl IfCl.F3-22 R1-Cyc-Phe-COO-Phe.3F-Cl IfCl.F3-23 R1-Cyc-COO-Cyc-Phe.3F-Cl IfCl.F3-24 R1-CyC-Cyc-COO-Phe.3F-Cl IfCl.F3-25 R1-Phe-Phe-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-26 R1-C yc-Phe-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-27 R1-Cyc-Cyc-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-28 R1-Pyr-Phe-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-29 R1-Pyd-Phe-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-30 R1-Phe-Pyr-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-31 R1-Phe-Pyd-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-32 R1-Doi-Phe-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-33 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-34 R1-Cyc-Cyc-CH2CH2-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-35 R1-Phe-Phe-COO-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-36 R1-Cyc-COO-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-37 R1-Cyc-CyC-COO-Phe.3F5F-Cl IfCl.F3-38
【０２８７】式IfCl.F、特に好ましい下位式IfCl.F2-1
〜IfCl.2-19およびIfCl.3-1〜IfCl.F3-38の化合物にお
いて、R1は１〜１０個のC原子を有するアルキル、アル
コキシ、アルコキシアルキルおよびアルケニルであるの
が好ましい。
〜IfCl.2-19およびIfCl.3-1〜IfCl.F3-38の化合物にお
いて、R1は１〜１０個のC原子を有するアルキル、アル
コキシ、アルコキシアルキルおよびアルケニルであるの
が好ましい。
【０２８８】R1はメチル、エチル、プロピル、ブチル、
ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペ
ントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、オクトキシ、ノニ
ルオキシ、デシルオキシ、メトキシエチル、エトキシエ
チル、またはプロポキシエチルであるのが好ましい。
ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デ
シル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペ
ントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、オクトキシ、ノニ
ルオキシ、デシルオキシ、メトキシエチル、エトキシエ
チル、またはプロポキシエチルであるのが好ましい。
【０２８９】式IfCl.F2およびIfCl.F3の化合物はDE３,
９２９,５２５に記載された方法によって製造するのが
好ましい。
９２９,５２５に記載された方法によって製造するのが
好ましい。
【０２９０】式IfCl.F、特に式IfCl.F2-1〜IfCl.F2-19
およびIfCl.F3-1〜IfCl.F3-38の化合物の群から選択さ
れる１種以上の化合物を含有する液晶混合物は複屈折、
透明点および粘度に関する有利な値、および特にΔεに
関する有利な値、高いUVおよび温度安定性および高い比
抵抗を特徴とする。これらの混合物は好ましい。
およびIfCl.F3-1〜IfCl.F3-38の化合物の群から選択さ
れる１種以上の化合物を含有する液晶混合物は複屈折、
透明点および粘度に関する有利な値、および特にΔεに
関する有利な値、高いUVおよび温度安定性および高い比
抵抗を特徴とする。これらの混合物は好ましい。
【０２９１】これらの液晶混合物は１〜４０％、特に５
〜３０％の式IfCl.F、特に好ましい下位式の化合物を含
んでいるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式IfC
l.F、特に好ましい下位式１〜５種、特に１〜３種の化
合物を含有しているのが好ましい。
〜３０％の式IfCl.F、特に好ましい下位式の化合物を含
んでいるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式IfC
l.F、特に好ましい下位式１〜５種、特に１〜３種の化
合物を含有しているのが好ましい。
【０２９２】当業者は、液晶およびそれを満たした電気
光学系が特定の用途に対して一定の範囲内で最適化され
るように発明的援助なしに式IfCl.Fの限定された化合物
の群、特に式IfCl.F2-1〜IfCl.F2-9およびIfCl.F3-1〜I
fCl.3-1〜IfCl.F3-38の小群の化合物から常に選択する
ことができる。液晶混合物が、例えば高いまたはさらに
非常に高い複屈折を有するようにしたい場合、当業者、
例えばIfCl.F2-1、IfCl.F2-2、IfCl.F2-4、IfCl.F2-
５、IfCl.F2-7、IfCl.F2-８、 IfCl.F2-12、IfCl.F2-1
4、IfCl.F2-15、 IfCl.F2-17、 IfCl.F2-18、 I fCl.F3
-1、 IfCl.F3-2、 IfCl.F3-5、IfCl.F3-6、 IfCl.F3-
9、 IfCl.F3-10、 IfCl.F3-13、 IfCl.F3-14、IfCl.F3-
19、IfCl.F3-20、 IfCl.F3-21、 IfCl.F3-26、 IfCl.F3
-29、 IfCl.F3-30、IfCl.F31、IfCl.F3-32および IfCl.
F3-36のような飽和環系を有しない式 IfCl.F、特に好ま
しい下位式の化合物を選択するのが好ましい。
光学系が特定の用途に対して一定の範囲内で最適化され
るように発明的援助なしに式IfCl.Fの限定された化合物
の群、特に式IfCl.F2-1〜IfCl.F2-9およびIfCl.F3-1〜I
fCl.3-1〜IfCl.F3-38の小群の化合物から常に選択する
ことができる。液晶混合物が、例えば高いまたはさらに
非常に高い複屈折を有するようにしたい場合、当業者、
例えばIfCl.F2-1、IfCl.F2-2、IfCl.F2-4、IfCl.F2-
５、IfCl.F2-7、IfCl.F2-８、 IfCl.F2-12、IfCl.F2-1
4、IfCl.F2-15、 IfCl.F2-17、 IfCl.F2-18、 I fCl.F3
-1、 IfCl.F3-2、 IfCl.F3-5、IfCl.F3-6、 IfCl.F3-
9、 IfCl.F3-10、 IfCl.F3-13、 IfCl.F3-14、IfCl.F3-
19、IfCl.F3-20、 IfCl.F3-21、 IfCl.F3-26、 IfCl.F3
-29、 IfCl.F3-30、IfCl.F31、IfCl.F3-32および IfCl.
F3-36のような飽和環系を有しない式 IfCl.F、特に好ま
しい下位式の化合物を選択するのが好ましい。
【０２９３】さらに、例えば、混合物が比較的高いまた
は高いΔεを有するようにするためには、ピリジンまた
はピリミジン環および／またはPhe.3F5F-Cl基を有する
化合物を有利に使用することができる。
は高いΔεを有するようにするためには、ピリジンまた
はピリミジン環および／またはPhe.3F5F-Cl基を有する
化合物を有利に使用することができる。
【０２９４】式IfCl.Fの化合物、特に式IfCl.F2-1〜IfC
l.F2-19 およびIfCl.F3-1〜IfCl.F3-38の好ましい化合
物の群から選択される１種以上の化合物とさらに化合物
II1〜II27、III1〜III3およびIV1〜IV8の群から選択さ
れる１種以上の化合物とを含有する混合物が特に好まし
い液晶混合物である。
l.F2-19 およびIfCl.F3-1〜IfCl.F3-38の好ましい化合
物の群から選択される１種以上の化合物とさらに化合物
II1〜II27、III1〜III3およびIV1〜IV8の群から選択さ
れる１種以上の化合物とを含有する混合物が特に好まし
い液晶混合物である。
【０２９５】本発明によって使用される液晶混合物中の
式IfCl.F、特に好ましい下位式の少なくとも１種の化合
物とさらに式II1〜II27、III1〜III3およびIV1〜IV8の
少なくとも１種の化合物とから成る成分混合物の質量は
１５％〜１００％、特に２５％〜１００％であるのが好
ましい。
式IfCl.F、特に好ましい下位式の少なくとも１種の化合
物とさらに式II1〜II27、III1〜III3およびIV1〜IV8の
少なくとも１種の化合物とから成る成分混合物の質量は
１５％〜１００％、特に２５％〜１００％であるのが好
ましい。
【０２９６】表示した化合物群からのそれぞれの少なく
とも１種の化合物を含有する以下の成分混合物Ｔ(IfCl.
F)は特に好ましく、マトリックス系および網目構造体系
の両方に適用するのに適している。
とも１種の化合物を含有する以下の成分混合物Ｔ(IfCl.
F)は特に好ましく、マトリックス系および網目構造体系
の両方に適用するのに適している。
【０２９７】
【表２５】
【０２９８】
【表２６】
【０２９９】Δε＞２の誘電的に正の化合物から成る誘
電的に正の成分A以外に、-２≦Δε≦+２の化合物から
成る誘電的に中性の成分Bおよび必要に応じてΔε＜-２
の化合物から成る誘電的に負の成分Ｃを含有する液晶混
合物がさらに好ましい。
電的に正の成分A以外に、-２≦Δε≦+２の化合物から
成る誘電的に中性の成分Bおよび必要に応じてΔε＜-２
の化合物から成る誘電的に負の成分Ｃを含有する液晶混
合物がさらに好ましい。
【０３００】液晶中の誘電的に正の化合物の質量をaと
して、誘電的に中性の化合物の質量をbとしおよび誘電
的に負の化合物の質量を同様にcとすると、aは≧３０
％、特に＞５０％である。誘電的に正の成分Aが、特に
カルボニトリルに基づくものであるある場合、逆平行的
に相関して双極子モーメントを有するダイマーの形成を
抑制するために液晶は誘電的に中性の成分を含んでいる
のが好ましい。誘電的に正の成分の質量を誘電的に中性
の成分の質量で割った値は３５≧a／b≧0.５、特に１５
≧a／b≧１であるのが好ましい。
して、誘電的に中性の化合物の質量をbとしおよび誘電
的に負の化合物の質量を同様にcとすると、aは≧３０
％、特に＞５０％である。誘電的に正の成分Aが、特に
カルボニトリルに基づくものであるある場合、逆平行的
に相関して双極子モーメントを有するダイマーの形成を
抑制するために液晶は誘電的に中性の成分を含んでいる
のが好ましい。誘電的に正の成分の質量を誘電的に中性
の成分の質量で割った値は３５≧a／b≧0.５、特に１５
≧a／b≧１であるのが好ましい。
【０３０１】一方、液晶が、極性末端基としてF, Cl, C
F3, OCF3, OCHF2またはNCSを有する液晶化合物を主成分
とする場合、誘電的に中性の化合物の含量は少なくてよ
く、また０でもよい。bは≦４５％、特に≦３５％、さ
らに特別には≦２５％であるのが好ましい。
F3, OCF3, OCHF2またはNCSを有する液晶化合物を主成分
とする場合、誘電的に中性の化合物の含量は少なくてよ
く、また０でもよい。bは≦４５％、特に≦３５％、さ
らに特別には≦２５％であるのが好ましい。
【０３０２】低い切り替え電圧が通常望ましいので、誘
電的に負の化合物の含量は一般に少ない。cは≦１０
％。特に≦５％であるのが好ましく、c≦ 3% である液
晶混合物が一般に特に好ましい。
電的に負の化合物の含量は一般に少ない。cは≦１０
％。特に≦５％であるのが好ましく、c≦ 3% である液
晶混合物が一般に特に好ましい。
【０３０３】式Ig Ｒ1−Ｑ4−ＣＯＯ−Ｑ5−Ｒ2 Ｉｇ （式中、Ｑ4およびＱ5は、それぞれの場合に互いに独立
して、
して、
【０３０４】
【化６２】 であり、そしてQ4およびQ5の一方は
【０３０５】
【化６３】 であり、およびR1およびR2は、それぞれの場合に互いに
独立して請求項１のR1に示した意味である）の１種以上
の誘電的に中性の化合物を含んでいる液晶が好ましい。
独立して請求項１のR1に示した意味である）の１種以上
の誘電的に中性の化合物を含んでいる液晶が好ましい。
【０３０６】式Igの化合物は好ましい次式Ig2-1およびI
g2-2の２環式化合物を含む。 R1-Phe-COO-Phe-R2 Ig2-1 R1-Cyc-COO-Phe-R2 Ig2-2
g2-2の２環式化合物を含む。 R1-Phe-COO-Phe-R2 Ig2-1 R1-Cyc-COO-Phe-R2 Ig2-2
【０３０７】式Ig2-1およびIg2-2の化合物において、R1
およびR2は、互いに独立して１〜１０、特に１〜８個
のC原子を有するアルキルまたはアルコキシであるのが
好ましく、さらにn-アルコキシアルキル、特にn-アルコ
キシメチルおよびn-アルコキシエチルでもある。式Ig2-
1の化合物の２つの2,4-フェニレン基の一方および式Ig2
-2の化合物の1,4-フェニレン基は２または３部位でClま
たはFによって、特に３部位でFによって置換することが
できる。
およびR2は、互いに独立して１〜１０、特に１〜８個
のC原子を有するアルキルまたはアルコキシであるのが
好ましく、さらにn-アルコキシアルキル、特にn-アルコ
キシメチルおよびn-アルコキシエチルでもある。式Ig2-
1の化合物の２つの2,4-フェニレン基の一方および式Ig2
-2の化合物の1,4-フェニレン基は２または３部位でClま
たはFによって、特に３部位でFによって置換することが
できる。
【０３０８】特に好ましい化合物は次式の化合物であ
る。
る。
【０３０９】 R1-Phe-COO-Phe-アルキルまたはアルコキシ Ig2-1a R1-Phe-COO-Phe.3F-アルキルまたはアルコキシ Ig2-1b R1-Phe-COO-Phe.2F-アルキルまたはアルコキシ Ig2-1c R1-Phe-COO-Phe.3F-アルコキシメチル Ig2-1d R1-Cyc-COO-Phe-アルキルまたはアルコキシ Ig2-2a R1-Cyc-COO-Phe.2F-アルキルまたはアルコキシ Ig2-2b R1-Cyc-COO-Phe.3F-アルキルまたはアルコキシ Ig2-2c 式Igの化合物は、基Q4およびQ5の一方が1,4-フェニレン
またはトランス-1,4-シクロヘキシレンであり、他方が
またはトランス-1,4-シクロヘキシレンであり、他方が
【０３１０】
【化６４】 である３環式化合物を含む。
【０３１１】 R1-Phe-COO-Phe.(F)-Phe.R2 Ig3-1 R1-Phe-Phe-COO-Phe.(F).R2 Ig3-2 R1-Cyc-Phe.(F)-COO-Phe.(F)-R2 Ig3-3 R1-Cyc-COO-Phe-COO-Phe.(F)-R2 Ig3-4 R1-Phe-COO-Phe.(F)-COO-Phe-R2 Ig3-5 R1-Cyc-Cyc-COO-Phe.(F)-R2 Ig3-6 R1-Phe-COO-Cyc-Cyc-R2 Ig3-7 R1-Cyc-COO-Phe-Cyc-R2 Ig3-8 R1-Cyc-COO-Phe.(F)-Phe-R2 Ig3-9 R1-Phe.(F)-Phe-COO-Cyc-R2 Ig3-10
【０３１２】下位式Ig3-1〜Ig3-10の化合物において、R
1およびR2は、互いに独立して１〜１０個のC原子を有す
るn-アルキルまたはn-アルコキシであるのが好ましく、
さらに１〜８個のC原子を有するn-アルコキシメチルお
よびn-アルコキシエチルでもある。式Ig3-1〜Ig3-10の
化合物は１,４-フェニレン基の１つをＸ＝ＦまたはClに
よってラテラルにモノ置換することができる。この場
合、３部位をFによって置換するのが好ましい。
1およびR2は、互いに独立して１〜１０個のC原子を有す
るn-アルキルまたはn-アルコキシであるのが好ましく、
さらに１〜８個のC原子を有するn-アルコキシメチルお
よびn-アルコキシエチルでもある。式Ig3-1〜Ig3-10の
化合物は１,４-フェニレン基の１つをＸ＝ＦまたはClに
よってラテラルにモノ置換することができる。この場
合、３部位をFによって置換するのが好ましい。
【０３１３】R1およびR2が、互いに独立してメチル、エ
チル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ペントキシ、ヘキソキシ、メトキシメチル、エト
キシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペン
トキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロ
ポキシエチル、ブトキシエチル、またはペントキシエチ
ルである式Ig3-1、Ig3-2、Ig3-3、Ig3-5、Ig3-6、Ig3-
8、Ig3-9およびIg3-10のラテラルに置換されていないま
たはモノ置換された化合物が特に好ましい。
チル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチ
ル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ペントキシ、ヘキソキシ、メトキシメチル、エト
キシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペン
トキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル、プロ
ポキシエチル、ブトキシエチル、またはペントキシエチ
ルである式Ig3-1、Ig3-2、Ig3-3、Ig3-5、Ig3-6、Ig3-
8、Ig3-9およびIg3-10のラテラルに置換されていないま
たはモノ置換された化合物が特に好ましい。
【０３１４】式Ig の化合物は、基Q4およびQ5が、それ
ぞれの場合に互いに独立して
ぞれの場合に互いに独立して
【０３１５】
【化６５】 である４環式化合物を含む。
【０３１６】好ましい化合物は次式Ig4-1〜Ig4-10の化
合物である。
合物である。
【０３１７】 R1-Phe-Phe-COO-Phe.(F)-Phe-R2 Ig4-1 R1-Phe.(F)-Phe-COO-Cyc-Phe-R2 Ig4-2 R1-Phe-Phe.(F)-COO-Phe-COO-Phe-R2 Ig4-3 R1-Phe-Phe.(F)-COO-Cyc-Cyc-R2 Ig4-4 R1-Cyc-Phe-COO-Phe.(F)-Phe-R2 Ig4-5 R1-Cyc-Phe-COO-Phe.(F)-COO-Phe.(F)-R2 Ig4-6 R1-Cyc-Phe-COO-Cyc-Cyc-R2 Ig4-7 R1-Cyc-Phe.(F)-COO-Phe-Cyc-R2 Ig4-8 R1-Cyc-Cyc-COO-Phe-Cyc-R2 Ig4-9 R1-Cyc-COO-Phe-COO-Phe.(F)-Phe-R2 Ig4-10
【０３１８】式Ig4-1〜Ig4-10の化合物におけるR1およ
びR2は、互いに独立してメチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、オクトキ
シ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチ
ル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル
またはプロポキシエチルであるのが好ましい。式Ig4-
1、Ig4-3、Ig4-4およびIg4-10の末端基を対称的に置換
された化合物が特に好ましい。式Ig4-1〜Ig4-10の化合
物は１、４-フェニレン基の１つをFまたはClによってラ
テラルにモノ置換することができる。この場合、２また
は３部位をFによって置換するのが好ましい。式Ig4-9の
化合物がさらに好ましい。
びR2は、互いに独立してメチル、エチル、プロピル、ブ
チル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニ
ル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキ
シ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、オクトキ
シ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチ
ル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル
またはプロポキシエチルであるのが好ましい。式Ig4-
1、Ig4-3、Ig4-4およびIg4-10の末端基を対称的に置換
された化合物が特に好ましい。式Ig4-1〜Ig4-10の化合
物は１、４-フェニレン基の１つをFまたはClによってラ
テラルにモノ置換することができる。この場合、２また
は３部位をFによって置換するのが好ましい。式Ig4-9の
化合物がさらに好ましい。
【０３１９】式Igの化合物は、例えばDE２,１６７,２５
２、DE２,８００,５５３、DE２,５３６,０４６、DE２,
１２３,１７５およびDE２,１３９,６２８に記載されて
いるように適切に置換されたフェノール類またはフェノ
キシド類を適切に置換されたカルボン酸または反応性カ
ルボン酸誘導体とエステル交換することによって製造す
るのが好ましい。
２、DE２,８００,５５３、DE２,５３６,０４６、DE２,
１２３,１７５およびDE２,１３９,６２８に記載されて
いるように適切に置換されたフェノール類またはフェノ
キシド類を適切に置換されたカルボン酸または反応性カ
ルボン酸誘導体とエステル交換することによって製造す
るのが好ましい。
【０３２０】式Ig、特にIg2-1、Ig2-2、Ig2-1a〜1d、Ig
2-2a〜2c、Ig3-1〜Ig3-10およびIg4-1〜Ig4-10の化合物
群から選択される１種以上の化合物を含有する液晶混合
物はΔεに関する有利な値、高い安定性、容易な製造
性、マトリックスに使用されるポリマーに対する低い混
和性、および特に広メソゲニック範囲、比較的高い透明
点および複屈折およびフロー粘度に関する有利な値を特
徴とする。
2-2a〜2c、Ig3-1〜Ig3-10およびIg4-1〜Ig4-10の化合物
群から選択される１種以上の化合物を含有する液晶混合
物はΔεに関する有利な値、高い安定性、容易な製造
性、マトリックスに使用されるポリマーに対する低い混
和性、および特に広メソゲニック範囲、比較的高い透明
点および複屈折およびフロー粘度に関する有利な値を特
徴とする。
【０３２１】これらの液晶混合物は１〜４０％、特に５
〜３０％の式Ig、特に好ましい下位式の化合物を含んで
いるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式Ig、特に
好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３の化合物を含有
しているのが好ましい。
〜３０％の式Ig、特に好ましい下位式の化合物を含んで
いるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式Ig、特に
好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３の化合物を含有
しているのが好ましい。
【０３２２】式Ig、特に好ましい式Ig2-1〜Ig2-2、Ig2-
1a〜1d、Ig2-2a〜２c、Ig3-1〜Ig3-10およびIg4-1〜Ig4
-10の化合物群から選択される１種以上の化合物とさら
に化合物II1〜II28、III1〜III3およびIV1〜IV8の群か
ら選択される１種以上の化合物とを含有する液晶混合物
が特に好ましい。
1a〜1d、Ig2-2a〜２c、Ig3-1〜Ig3-10およびIg4-1〜Ig4
-10の化合物群から選択される１種以上の化合物とさら
に化合物II1〜II28、III1〜III3およびIV1〜IV8の群か
ら選択される１種以上の化合物とを含有する液晶混合物
が特に好ましい。
【０３２３】本発明によって使用される液晶混合物中の
式Ig、特に好ましい下位式の少なくとも１種の化合物と
さらに式II1〜II28、III1〜およびIII3およびIV1〜IV8
の少なくとも１種の化合物とから成る成分混合物の質量
は１５％〜１００％、特に２５％〜１００％であるのが
好ましい。
式Ig、特に好ましい下位式の少なくとも１種の化合物と
さらに式II1〜II28、III1〜およびIII3およびIV1〜IV8
の少なくとも１種の化合物とから成る成分混合物の質量
は１５％〜１００％、特に２５％〜１００％であるのが
好ましい。
【０３２４】式Ig2-1のラテラルに置換されていない少
なくとも１種の化合物と式IV1の１種以上の化合物とか
ら成る成分混合物を基礎とする液晶混合物はマトリック
ス系に非常に好ましいが、それに反して網目構造体系に
はあまり好ましくない。しかしながら、これらの式の化
合物以外に式Ia, Ic, Id, Ie, IfF, IfCl, IfCl.F, Ih
またはIi、特に好ましい下位式の化合物群から選択され
る少なくとも１種の化合物を含有する液晶混合物は一般
に網目構造体系にも好ましい。
なくとも１種の化合物と式IV1の１種以上の化合物とか
ら成る成分混合物を基礎とする液晶混合物はマトリック
ス系に非常に好ましいが、それに反して網目構造体系に
はあまり好ましくない。しかしながら、これらの式の化
合物以外に式Ia, Ic, Id, Ie, IfF, IfCl, IfCl.F, Ih
またはIi、特に好ましい下位式の化合物群から選択され
る少なくとも１種の化合物を含有する液晶混合物は一般
に網目構造体系にも好ましい。
【０３２５】それぞれの場合に示した物質群からのそれ
ぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の小群の成
分混合物T(Ig)も特に好ましい。
ぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の小群の成
分混合物T(Ig)も特に好ましい。
【０３２６】
【表２７】
【０３２７】それぞれの場合に述べた式の化合物群から
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物T(Ig)４〜６を基礎とする液晶混合物が好まし
い。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の好まし
い質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、好まし
くは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含んでい
る。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は１０
０％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は１０
％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別には
２５％〜１００％の間である。
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物T(Ig)４〜６を基礎とする液晶混合物が好まし
い。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の好まし
い質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、好まし
くは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含んでい
る。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は１０
０％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は１０
％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別には
２５％〜１００％の間である。
【０３２８】
【表２８】
【０３２９】式Ih Ｒ1−Ｑ6−Ｃ≡Ｃ−Ｑ7−Ｒ2 Ｉｈ (式中２つの基R1およびR2の少なくとも１つは請求項１
のR1に示した意味であり、２つの基R1およびR2の一方は
F, Cl, OCF3, OCHF2またはCF3でもあり、Q6 およびQ
7は、それぞれの場合に互いに独立して、
のR1に示した意味であり、２つの基R1およびR2の一方は
F, Cl, OCF3, OCHF2またはCF3でもあり、Q6 およびQ
7は、それぞれの場合に互いに独立して、
【０３３０】
【化６６】 であり、Q6は
【０３３１】
【化６７】 であり、そしてQ7は
【０３３２】
【化６８】 でもある）の１種以上の化合物を含んでいる混合物がさ
らに好ましい液晶混合物である。
らに好ましい液晶混合物である。
【０３３３】式Ihの化合物は好ましい次式I2h-1〜I2h-3
の化合物であるのが好ましい２環式化合物を含む。
の化合物であるのが好ましい２環式化合物を含む。
【０３３４】 R1-Phe-C≡C-Phe-R2 Ih2-1 R1-Pyr-C≡C-Phe-R2 Ih2-2 R1-Pyd-C≡C-Phe-R2 Ih2-3
【０３３５】２つの無極性基を有する式Ih2-1〜Ih2-3の
化合物において、R1およびR2は、互いに独立して１〜１
０、特に１〜８個のC原子を有するアルキルまたはアル
コキシであるのが好ましく、さらにn-アルコキシアルキ
ル、特にn-アルコキシメチルおよびn-アルコキシエチル
でもある。式Ih2-1〜Ih2-3の化合物に含まれる1,4-フェ
ニレン基の１つは２または３部位でClまたはFによっ
て、特にFによって置換することができる。
化合物において、R1およびR2は、互いに独立して１〜１
０、特に１〜８個のC原子を有するアルキルまたはアル
コキシであるのが好ましく、さらにn-アルコキシアルキ
ル、特にn-アルコキシメチルおよびn-アルコキシエチル
でもある。式Ih2-1〜Ih2-3の化合物に含まれる1,4-フェ
ニレン基の１つは２または３部位でClまたはFによっ
て、特にFによって置換することができる。
【０３３６】 R1-Phe-C≡C-Phe-R2 Ih2-1d R1 -Phe.3F-C≡C-Phe-R2 Ih2-1e R1-Phe.2F-C≡C-Phe-R2 Ih2-1f R1 -Phe-C≡C-Phe.2F-R2 Ih2-1g R1-Phe-C≡C-Phe.3F-R2 Ih2-1h R1 -Phe-C≡C-Pyr-R2 Ih2-2b R1-Phe-C≡C-Pyd-R2 Ih2-3b R1 -Pyr-C≡C-Phe-R2 Ih2-2c R1 -Pyd-C≡C-Phe-R2 Ih2-3c （ただし、R1はF, Cl, OCF3, OCHF2,またはCF3であり、
およびR2は１〜７個のC原子を有するアルキルまたはア
ルコキシである）
およびR2は１〜７個のC原子を有するアルキルまたはア
ルコキシである）
【０３３７】式Ihの化合物は、以下の下位式Ih3-1〜Ih3
-10 の化合物であるのが好ましい３環式化合物を含む。
-10 の化合物であるのが好ましい３環式化合物を含む。
【０３３８】 R1-Phe-C≡C-Phe-Phe-R2 Ih3-1 R1 -Phe.(F)-C≡C-Phe-Cyc-R2 Ih3-2 R1-Pyr-C≡C-Phe-Phe-R2 Ih3-3 R1-Pyd-C≡C-Phe-Phe-R2 Ih3-4 R1 -Pyr-C≡C-Phe-Cyc-R2 Ih3-5 R1-Pyd-C≡C-Phe-Cyc-R2 Ih3-6 R1 -Cyc-CH2CH2-Phe-C≡C-Phe-R2 Ih3-7 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-C≡C-Pyd-R2 Ih3-8 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-C≡C-Pyr-R2 Ih3-9 R1 -Cyc-COO-Phe-C≡C-Phe.(F)-R2 Ih3-10 下位式Ih3-1〜Ih23-10の化合物において、２つの無極性
を有する化合物のR1およびR2は、互いに独立して１〜１
０個のC原子を有するn―アルキルまたはn―アルコキシ
であるものが好ましく、さらに１〜８個のC原子を有す
るn-アルコキシメチルまたはn-アルコキシエチルでもあ
る。極性基F, Cl, OCHF2, OCF3またはCF3を有する式Ih3
-1〜Ih3-10の化合物(ただし、他方の基は１〜８個のC原
子を有するアルキル基またはアルコキシである）が好ま
しい。式Ih3-1〜Ih3-10の化合物はそれぞれの場合に分
子中に存在す１,4―フェニレン基の１つをX＝FまたはCl
でラテラルにモノ置換することができる。以下のモノ置
換された式Ih3-1a〜1d,Ih3-2a〜2b,Ih3-5aおよびIh3-6a
〜6bの化合物が特に好ましい。
を有する化合物のR1およびR2は、互いに独立して１〜１
０個のC原子を有するn―アルキルまたはn―アルコキシ
であるものが好ましく、さらに１〜８個のC原子を有す
るn-アルコキシメチルまたはn-アルコキシエチルでもあ
る。極性基F, Cl, OCHF2, OCF3またはCF3を有する式Ih3
-1〜Ih3-10の化合物(ただし、他方の基は１〜８個のC原
子を有するアルキル基またはアルコキシである）が好ま
しい。式Ih3-1〜Ih3-10の化合物はそれぞれの場合に分
子中に存在す１,4―フェニレン基の１つをX＝FまたはCl
でラテラルにモノ置換することができる。以下のモノ置
換された式Ih3-1a〜1d,Ih3-2a〜2b,Ih3-5aおよびIh3-6a
〜6bの化合物が特に好ましい。
【０３３９】 R1-Phe-C≡C-Phe-Phe.3F-R2 Ih3-1a R1-Phe-C≡C-PhePhe.3Cl-R2 Ih3-1b R1-Phe-C≡C-Phe.3F-Phe-R2 Ih3-1c R1-Phe-C≡C-Phe.3Cl-Phe-R2 Ih3-1d R1-Phe-C≡C-Phe.3F-Cyc-R2 Ih3-2a R1-Phe-C≡C-Phe.3Cl-Cyc-R2 Ih3-2b R1-Pyr-C≡C-Phe-Phe.F-R2 Ih3-5a R1-Pyd-C≡C-Phe-Phe.F-R2 Ih3-6a R1-Pyd-C≡C-Phe.F-Phe-R2 Ih3-6b （ただし、式Ih3-1a〜1d, Ih3-5a およびIh3-6a〜6bの
化合物において、特にＲ2および式Ih3-2a〜2bの化合物
において、特にR1が極性基である）式Ihの化合物は、以
下の下位式Ih4-1〜Ih4-5の化合物であるのが好ましい４
環式化合物を含む。
化合物において、特にＲ2および式Ih3-2a〜2bの化合物
において、特にR1が極性基である）式Ihの化合物は、以
下の下位式Ih4-1〜Ih4-5の化合物であるのが好ましい４
環式化合物を含む。
【０３４０】 R1-Phe-Phe-C≡C-Phe.(F)-Phe.(F)-R2 Ih4-1 R1-Phe-Phe.(F)-C≡C-Phe-Cyc-R2 Ih4-2 R1-Cyc-Phe-C≡C-Phe.(F)-Cyc-R2 Ih4-3 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-C≡C-Phe.(F)-Cyc-R2 Ih4-4 R1-CyC-CH2CH2-Phe-C≡C-Phe.(F)-Cyc-R2 Ih4-5
【０３４１】式Ih4-1〜Ih4-5の化合物において、基R1お
よびR2の一方は極性基であるのが好ましく、また他方は
メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソ
キシ、ヘプトキシ、オクトキシ、メトキシメチル、エト
キシメチルまたはプロポキシメチルであるのが好まし
い。２つの無極性基を有する式Ih4-1およびIh4-3の対称
的に置換された化合物がさらに好ましい。式Ih4-1〜Ih4
-5の化合物は１,４-フェニレン基の１つをFまたはClに
よってラテラルにモノ置換することができる。この場
合、３部位の置換が好ましい。
よびR2の一方は極性基であるのが好ましく、また他方は
メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソ
キシ、ヘプトキシ、オクトキシ、メトキシメチル、エト
キシメチルまたはプロポキシメチルであるのが好まし
い。２つの無極性基を有する式Ih4-1およびIh4-3の対称
的に置換された化合物がさらに好ましい。式Ih4-1〜Ih4
-5の化合物は１,４-フェニレン基の１つをFまたはClに
よってラテラルにモノ置換することができる。この場
合、３部位の置換が好ましい。
【０３４２】式Ihの化合物は DE２,２２６,３７６、GB
２,１５５,４６５、GB２,１８９,７８５、DE３,７１１,
３０６、JP６１-２６０,０３１、DE３,７１０,０６９、
JP０２-0６２,８６１、J P６３-０６０,９７２、EP０,
２５５,７００およびEP０,２７６,０６７に記載された
方法によって製造するのが好ましい。
２,１５５,４６５、GB２,１８９,７８５、DE３,７１１,
３０６、JP６１-２６０,０３１、DE３,７１０,０６９、
JP０２-0６２,８６１、J P６３-０６０,９７２、EP０,
２５５,７００およびEP０,２７６,０６７に記載された
方法によって製造するのが好ましい。
【０３４３】化合物Ih、特に好ましい化合物Ih2-1〜Ih2
-3、Ih2-1a〜1h、Ih2-2a〜2c、Ih2-3a〜3c、Ih3-1〜Ih3
-10、Ih3-1a〜1d、Ih3-2a〜2b、Ih3-5a、Ih3-6a〜６bお
よびIh4-1〜Ih4-5の化合物群から選択される１種以上の
化合物を含有する液晶混合物は広いメソゲニック範囲、
比較的高い透明点、高い安定性、マトリックスに使用さ
れるポリマーに対する低い混和性、および特に誘電異方
性および粘度に関する有利な値および複屈折を特徴とす
る。
-3、Ih2-1a〜1h、Ih2-2a〜2c、Ih2-3a〜3c、Ih3-1〜Ih3
-10、Ih3-1a〜1d、Ih3-2a〜2b、Ih3-5a、Ih3-6a〜６bお
よびIh4-1〜Ih4-5の化合物群から選択される１種以上の
化合物を含有する液晶混合物は広いメソゲニック範囲、
比較的高い透明点、高い安定性、マトリックスに使用さ
れるポリマーに対する低い混和性、および特に誘電異方
性および粘度に関する有利な値および複屈折を特徴とす
る。
【０３４４】これらの液晶混合物は１〜４０％、特に５
〜３０％の式Ih、特に好ましい下位式の化合物を含んで
いるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式Ih、特に
好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３の化合物を含有
しているのが好ましい。
〜３０％の式Ih、特に好ましい下位式の化合物を含んで
いるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式Ih、特に
好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３の化合物を含有
しているのが好ましい。
【０３４５】式Ih、特に好ましい下位式の化合物群から
選択される少なくとも１種以上の化合物とさらに化合物
II1〜II28、III1〜III3およびIV1〜IV8の群から選択さ
れる１種以上の化合物とを含有する液晶混合物が特にこ
のましい。
選択される少なくとも１種以上の化合物とさらに化合物
II1〜II28、III1〜III3およびIV1〜IV8の群から選択さ
れる１種以上の化合物とを含有する液晶混合物が特にこ
のましい。
【０３４６】本発明によって使用される液晶混合物中の
式Ih、特に好ましい下位式の少なくとも１種の化合物と
さらに式II1〜II28、III1〜およびIII3およびIV1〜IV8
の少なくとも１種の化合物とから成る成分混合物の質量
は１５％〜１００％、特に２５％〜１００％であるのが
好ましい。
式Ih、特に好ましい下位式の少なくとも１種の化合物と
さらに式II1〜II28、III1〜およびIII3およびIV1〜IV8
の少なくとも１種の化合物とから成る成分混合物の質量
は１５％〜１００％、特に２５％〜１００％であるのが
好ましい。
【０３４７】式Ih2-1の少なくとも１種の化合物とさら
に式IV1および／またはIV2の少なくもの１種の化合物と
から成る成分混合物を基礎とする液晶混合物は一般にマ
トリックス系に適用するのが特に好ましいが、網目構造
体系に適用するにはあまり適していないことが多い。同
じことが、式Ih3-10および／またはIh3-2の少なくとも
１種の化合物と式IV4の少なくとも１種の化合物とを含
有する成分混合物を基礎とする液晶にも言える。しかし
ながら、この種の混合物の特性が化合物Ia, Ic, Id, I
e, IfF, IfCl, IfCl.F, IgおよびII1〜II28、特に好ま
しい下位式の化合物の群から選択される少なくとも１種
の化合物を添加することによって改良でき、その結果こ
れらの混合物も網目構造体系に適用することができるこ
とを見出した。
に式IV1および／またはIV2の少なくもの１種の化合物と
から成る成分混合物を基礎とする液晶混合物は一般にマ
トリックス系に適用するのが特に好ましいが、網目構造
体系に適用するにはあまり適していないことが多い。同
じことが、式Ih3-10および／またはIh3-2の少なくとも
１種の化合物と式IV4の少なくとも１種の化合物とを含
有する成分混合物を基礎とする液晶にも言える。しかし
ながら、この種の混合物の特性が化合物Ia, Ic, Id, I
e, IfF, IfCl, IfCl.F, IgおよびII1〜II28、特に好ま
しい下位式の化合物の群から選択される少なくとも１種
の化合物を添加することによって改良でき、その結果こ
れらの混合物も網目構造体系に適用することができるこ
とを見出した。
【０３４８】それぞれの場合に示した式の化合物群から
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の小
群の成分混合物T(Ih)を基礎とする液晶混合物はマトリ
ックス系および網目構造体系の両方に好ましい。下記の
表に、成分混合物中のこれらの化合物の好ましい質量
[％]をさらに示す。
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の小
群の成分混合物T(Ih)を基礎とする液晶混合物はマトリ
ックス系および網目構造体系の両方に好ましい。下記の
表に、成分混合物中のこれらの化合物の好ましい質量
[％]をさらに示す。
【０３４９】
【表２９】
【０３５０】それぞれの場合に示した化合物群からのそ
れぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の小群の
成分混合物がマトリックス系に適用するのに好ましく、
また網目構造体系に特に好ましい。
れぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の小群の
成分混合物がマトリックス系に適用するのに好ましく、
また網目構造体系に特に好ましい。
【０３５１】
【表３０】
【０３５２】式Ii Ｒ1−Ｑ8−ＣＨ2ＣＨ2−Ｑ9−Ｒ2 Ii [式中、R1およびR2は、それぞれ互いに独立して請求項
１のR1に示した意味であり、および Q8およびQ9は、そ
れぞれの場合に互いに独立して、トランス-１,４-シク
ロヘキシレン、１,４-フェニレン、４，４′-ビフェニ
リル、４，４′-シクロヘキシルフェニル、４，４′-フ
ェニルシクロヘキシルまたはトランス-、トランス-４，
４′-ビシクロヘキシリルである（ただし、分子中に存
在する１,４-フェニレン基の１つは弗素または塩素で置
換することもできる。）］の１種以上の化合物を含んで
いる液晶混合物がさらに好ましい。
１のR1に示した意味であり、および Q8およびQ9は、そ
れぞれの場合に互いに独立して、トランス-１,４-シク
ロヘキシレン、１,４-フェニレン、４，４′-ビフェニ
リル、４，４′-シクロヘキシルフェニル、４，４′-フ
ェニルシクロヘキシルまたはトランス-、トランス-４，
４′-ビシクロヘキシリルである（ただし、分子中に存
在する１,４-フェニレン基の１つは弗素または塩素で置
換することもできる。）］の１種以上の化合物を含んで
いる液晶混合物がさらに好ましい。
【０３５３】式Iiの化合物は好ましい次式Ii2-1およびI
i2-2の２環式化合物を含む。 R1-Phe-CH2CH2-Phe-R2 Ii2-1 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-R2 Ii2-2
i2-2の２環式化合物を含む。 R1-Phe-CH2CH2-Phe-R2 Ii2-1 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-R2 Ii2-2
【０３５４】式Ii2の化合物のR1およびR2は、互いに独
立して１〜１０、特に１〜８個のC原子を有するアルキ
ルまたはアルコシキであるのが好ましい。n -アルコキ
シアルキル化合物、特にn-アルコキシメチルおよびn-ア
ルコキシエチル化合物がさらに好ましい。２つの１,４-
フェニレン基の１つは２または３部位でClまたはFによ
って、特に３部位でFによって置換することができる。
立して１〜１０、特に１〜８個のC原子を有するアルキ
ルまたはアルコシキであるのが好ましい。n -アルコキ
シアルキル化合物、特にn-アルコキシメチルおよびn-ア
ルコキシエチル化合物がさらに好ましい。２つの１,４-
フェニレン基の１つは２または３部位でClまたはFによ
って、特に３部位でFによって置換することができる。
【０３５５】次式の化合物が特に好ましい。 アルキル又はアルコキシ-Phe-CH2CH2-Phe-R2 Ii2-1a アルキル又はアルコキシ-Phe.3F-CH2CH2-Phe-R2 Ii2-1b アルコシキメチル-Phe.2F-CH2CH2-Phe-R2 Ii2-1c アルキル又はアルコキシ-Cyc-CH2CH2-Phe-R2 Ii2-2a
【０３５６】式Iiの化合物は、以下の下位式Ii3-1〜Ii3
-5の化合物であるのが好ましい下位式Ii3の３環式化合
物を含む。 R1-Phe-CH2CH2-Phe-Phe -R2 Ii3-1 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe -R2 Ii3-2 R1-Phe-CH2CH2-Phe-Cyc- R2 Ii3-3 R1-Phe-Cyc-CH2CH2-Phe- R2 Ii3-4 R1-Cyc-CH2CH2- Phe-Cyc- R2 Ii3-5 R1-Cyc-Cyc-CH2CH2-Phe- R2 Ii3-6
-5の化合物であるのが好ましい下位式Ii3の３環式化合
物を含む。 R1-Phe-CH2CH2-Phe-Phe -R2 Ii3-1 R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe -R2 Ii3-2 R1-Phe-CH2CH2-Phe-Cyc- R2 Ii3-3 R1-Phe-Cyc-CH2CH2-Phe- R2 Ii3-4 R1-Cyc-CH2CH2- Phe-Cyc- R2 Ii3-5 R1-Cyc-Cyc-CH2CH2-Phe- R2 Ii3-6
【０３５７】式Ii3-1〜Ii3-6の化合物において、R1 お
よびR2は、互いに独立して１〜１０個のC原子を有するn
-アルキルまたはn-アルコキシであるのが好ましく、さ
らに１〜８個のC原子を有するn-アルコキシメチルまた
はn-アルコキシエチルでもある。式Ii3-1〜Ii3-6の化合
物は１,4-フェニレン基の１つのX＝FまたはClでラテラ
ルにモノ置換することができる。式Ii3-1〜 Ii3-6のラ
テラルに置換されていない化合物およびPhe.Xが２また
は３部位でFまたはClによってラテラルにモノ置換され
た１,４-フェニレン基である式Ii3-1a 〜1b，Ii3-2a、I
i3-3a、Ii3-6aおよびIi3-5aのラテラルにモノ置換され
た化合物が特に好ましい。
よびR2は、互いに独立して１〜１０個のC原子を有するn
-アルキルまたはn-アルコキシであるのが好ましく、さ
らに１〜８個のC原子を有するn-アルコキシメチルまた
はn-アルコキシエチルでもある。式Ii3-1〜Ii3-6の化合
物は１,4-フェニレン基の１つのX＝FまたはClでラテラ
ルにモノ置換することができる。式Ii3-1〜 Ii3-6のラ
テラルに置換されていない化合物およびPhe.Xが２また
は３部位でFまたはClによってラテラルにモノ置換され
た１,４-フェニレン基である式Ii3-1a 〜1b，Ii3-2a、I
i3-3a、Ii3-6aおよびIi3-5aのラテラルにモノ置換され
た化合物が特に好ましい。
【０３５８】 R1-Phe-CH2CH2-Phe-Phe.3X-R2 Ii3-1a R1-Phe-CH2CH2-Phe.X-Phe-R2 Ii3-1b R1-Cyc-CH2CH2-Phe-Phe.2X-R2 Ii3-2a R1-Phe-CH2CH2-Phe.X-Cyc-R2 Ii3-3a R1-Cyc-CH2CH2-Phe.2F-Cyc-R2 Ii3-5a R1-Cyc-Cyc-CH2CH2-Phe.F-R2 Ii3-6a 式Ii3-1〜Ii3-6のラテラルにモノ置換された化合物は一
般に対応する未置換化合物より低いフロー粘度を特徴と
する。
般に対応する未置換化合物より低いフロー粘度を特徴と
する。
【０３５９】Q8およびQ9が、それぞれの場合に互いに独
立して
立して
【０３６０】
【化６９】 ある４環式化合物をさらに含む。
【０３６１】 R1-Phe-Phe -CH2CH2-Phe.(F)-Phe-R2 Ii4-1 R1-Phe-Phe -CH2CH2-Phe.(F)-Cyc-R2 Ii4-2 R1-Phe-Cyc -CH2CH2-Phe.(F)-Phe.(F)-R2 Ii4-3 R1-Phe-Cyc -CH2CH2-Phe.(F)-Cyc-R2 Ii4-4 R1-Cyc-Phe.(F) -CH2CH2-Phe-Cyc-R2 Ii4-5 R1-Cyc-Cyc -CH2CH2-Phe.(F)-Phe-R2 Ii4-6
【０３６２】式Ii4-1〜Ii4-6の化合物におおける基R1お
よびR2は、互いに独立してメチル、エチル、プロピル、
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノ
ニル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、オクトキ
シ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチ
ル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル
またはプロポキシエチルであるのが好ましい。式Ii4-1
〜Ih4-６の化合物は１,４-フェニレン基の１つをFまた
はClによってラテラルにモノ置換することができる。こ
の場合、３部位の置換がが好ましい。これらのモノ置換
された４環式化合物は高い透明点および比較的低いフロ
ー粘度ηを特徴とする。
よびR2は、互いに独立してメチル、エチル、プロピル、
ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノ
ニル、デシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブト
キシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、オクトキ
シ、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチ
ル、ブトキシメチル、メトキシエチル、エトキシエチル
またはプロポキシエチルであるのが好ましい。式Ii4-1
〜Ih4-６の化合物は１,４-フェニレン基の１つをFまた
はClによってラテラルにモノ置換することができる。こ
の場合、３部位の置換がが好ましい。これらのモノ置換
された４環式化合物は高い透明点および比較的低いフロ
ー粘度ηを特徴とする。
【０３６３】式Iiの化合物は EP-０,０８４,１９４、JP
６１−０８７,７７７、GB２,２０１,４１５およびDE３,
２３７,３６７に記載された方法によって製造するのが
好ましい。
６１−０８７,７７７、GB２,２０１,４１５およびDE３,
２３７,３６７に記載された方法によって製造するのが
好ましい。
【０３６４】式Ii、特に好ましい式Ii2-1、Ii2-2、Ii2-
1a〜1c、Ii2-2a、Ii3-1〜Ii3-5、Ii3-1a〜1b、Ii3-2a、
Ii3-6a、Ii3-3a、Ii3-5aおよびIi4-1〜Ii4-5の化合物群
から選択される１種以上の化合物を含有する液晶混合物
は高い安定性、マトリックスに使用されるポリマーに対
する低い混和性、および特に広いメソゲニック範囲、比
較的高い透明点および光学異方性Δnおよびフロー粘度
ηに関する有利な値を特徴とする。
1a〜1c、Ii2-2a、Ii3-1〜Ii3-5、Ii3-1a〜1b、Ii3-2a、
Ii3-6a、Ii3-3a、Ii3-5aおよびIi4-1〜Ii4-5の化合物群
から選択される１種以上の化合物を含有する液晶混合物
は高い安定性、マトリックスに使用されるポリマーに対
する低い混和性、および特に広いメソゲニック範囲、比
較的高い透明点および光学異方性Δnおよびフロー粘度
ηに関する有利な値を特徴とする。
【０３６５】これらの液晶混合物は１〜４０％、特に５
〜３０％の式Ii、特に好ましい下位式の化合物を含んで
いるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式Ii、特に
好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３の化合物を含有
しているのが好ましい。
〜３０％の式Ii、特に好ましい下位式の化合物を含んで
いるのが好ましい。この場合、液晶混合物は式Ii、特に
好ましい下位式の１〜５種、特に１〜３の化合物を含有
しているのが好ましい。
【０３６６】式Ii、特に好ましい下位式の化合物群から
選択される少なくとも１種の化合物とさらに式II1〜II2
8、III1〜III3およびIV1〜IV8の化合物群から選択され
る１種以上の化合物とを含有する液晶混合物が特に好ま
しい。
選択される少なくとも１種の化合物とさらに式II1〜II2
8、III1〜III3およびIV1〜IV8の化合物群から選択され
る１種以上の化合物とを含有する液晶混合物が特に好ま
しい。
【０３６７】本発明によって使用される液晶混合物中の
式Ii、特に好ましい下位式の少なくとも１種の化合物と
さらに式II1〜II28、III1〜およびIII3およびIV1〜IV8
の少なくとも１種の化合物とから成る成分混合物の質量
は１５％〜１００％、特に２５％〜１００％であるのが
好ましい。これらの成分混合物は網目構造体系およびマ
トリックス系に好ましい。
式Ii、特に好ましい下位式の少なくとも１種の化合物と
さらに式II1〜II28、III1〜およびIII3およびIV1〜IV8
の少なくとも１種の化合物とから成る成分混合物の質量
は１５％〜１００％、特に２５％〜１００％であるのが
好ましい。これらの成分混合物は網目構造体系およびマ
トリックス系に好ましい。
【０３６８】本発明の液晶混合物は、式I、特に式Ia〜I
iの化合物群から選択される１種以上の化合物を含有し
ている。この場合、式I、特に式Ia〜Iiの１種以上の化
合物以外にさらにII〜IVの化合物群から選択される１種
以上の化合物を含んでいる液晶混合物が一般に好まし
い。
iの化合物群から選択される１種以上の化合物を含有し
ている。この場合、式I、特に式Ia〜Iiの１種以上の化
合物以外にさらにII〜IVの化合物群から選択される１種
以上の化合物を含んでいる液晶混合物が一般に好まし
い。
【０３６９】式Ia〜Iiの化合物群から選択された２つの
異なる化合物群からのそれぞれ少なくとも１種の化合物
を含有する液晶混合物がさらに好ましい。
異なる化合物群からのそれぞれ少なくとも１種の化合物
を含有する液晶混合物がさらに好ましい。
【０３７０】それぞれの場合に示した式の化合物質群か
らのそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の
小群の成分混合物T(Ii)が特に非常に好ましい。
らのそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の
小群の成分混合物T(Ii)が特に非常に好ましい。
【０３７１】
【表３１】
【０３７２】それぞれの場合に述べた式の化合物群から
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物T(Ii)9〜13を基礎とする液晶混合物が好まし
い。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の好まし
い質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、好まし
くは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含んでい
る。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は１０
０％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は１０
％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別には
２５％〜１００％の間である。
のそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以下の成
分混合物T(Ii)9〜13を基礎とする液晶混合物が好まし
い。下記表に、成分混合物中のこれらの化合物の好まし
い質量をさらに示す。成分混合物は２〜３８種、好まし
くは２〜３５種、特に２〜２５種の化合物を含んでい
る。成分混合物中のこれらの化合物の質量の合計は１０
０％である。本発明の液晶中の成分混合物の質量は１０
％〜１００％、特に１５％〜１００％、さらに特別には
２５％〜１００％の間である。
【０３７３】
【表３２】
【０３７４】以下に示す成分混合物Ｔ（I）はそれぞれ
の場合に示した化合物群からの少なくとも１種の化合物
を含んでおり、そしてこれらの成分混合物の１種以上を
含有する液晶混合物が特に非常に好ましい。
の場合に示した化合物群からの少なくとも１種の化合物
を含んでおり、そしてこれらの成分混合物の１種以上を
含有する液晶混合物が特に非常に好ましい。
【０３７５】
【表３３】
【０３７６】当業者は、液晶混合物が特定の用途に対し
て最適化されるようにこの限定した好ましい成分混合物
T(I)１〜T(I)２２の群から直ちに選択することができ
る。例えば、Ｔ(I) １は特に高い誘電異方性を有する
が、成分混合物Ｔ(I)１６〜Ｔ(I)１８は特に高い安定性
を有し、そして成分混合物Ｔ(I)４、Ｔ(I)１１およびT
（I)１９は比較的高い透明点を特徴とする。適切な成分
混合物を選択することは当業者によって困難なことでは
なく、なんらの発明的援助も必要としない。
て最適化されるようにこの限定した好ましい成分混合物
T(I)１〜T(I)２２の群から直ちに選択することができ
る。例えば、Ｔ(I) １は特に高い誘電異方性を有する
が、成分混合物Ｔ(I)１６〜Ｔ(I)１８は特に高い安定性
を有し、そして成分混合物Ｔ(I)４、Ｔ(I)１１およびT
（I)１９は比較的高い透明点を特徴とする。適切な成分
混合物を選択することは当業者によって困難なことでは
なく、なんらの発明的援助も必要としない。
【０３７７】化合物群Ia〜Iiから選択される２つの化合
物群からのそれぞれ少なくとも１種の化合物とさらに式
II1〜II28、III1〜III3およびIV1〜IV８の化合物群から
選択される少なくとも１種の化合物とを含有する液晶混
合物がさらに特に好ましい。この場合、好ましい成分混
合物Ｔ（Ｉ）〜Ｔ（Ｉ）２２の１種と式II1, II2, II3,
II4, II5, II6, II7, II8, II9, II10, II12, II13, I
I16, II17, II18, II19, II20, II21, II25, II27, II2
8, III1, III2, IV1, IV2, IV3, IV4, IV5 およびIV6の
化合物から選択される化合物とを含有する液晶混合物が
特に非常に好ましい。
物群からのそれぞれ少なくとも１種の化合物とさらに式
II1〜II28、III1〜III3およびIV1〜IV８の化合物群から
選択される少なくとも１種の化合物とを含有する液晶混
合物がさらに特に好ましい。この場合、好ましい成分混
合物Ｔ（Ｉ）〜Ｔ（Ｉ）２２の１種と式II1, II2, II3,
II4, II5, II6, II7, II8, II9, II10, II12, II13, I
I16, II17, II18, II19, II20, II21, II25, II27, II2
8, III1, III2, IV1, IV2, IV3, IV4, IV5 およびIV6の
化合物から選択される化合物とを含有する液晶混合物が
特に非常に好ましい。
【０３７８】化合物群Ia, Ib,Ic, Id, Ie, If, Ig およ
びIiから選択される１種以上の化合物および式II〜IVの
化合物群から選択される少なくとも１種の化合物以外に
さらに式Ih*
びIiから選択される１種以上の化合物および式II〜IVの
化合物群から選択される少なくとも１種の化合物以外に
さらに式Ih*
【０３７９】
【化７０】 （式中、R3は、ＣＨ2基を-O-または-CH=CH-で置き換え
ることもできる１〜１０のC原子を有するアルキル基で
あり、Z13は単結合、-COO-または-ＣＨ2ＣＨ2-であり、
X7およびX8は、互いに独立してCHまたはNであり、Ｌ1お
よびＬ2は、互いに独立してHまたはFであり、ｅは０ま
たは1であり、およびY3 はＦ，Cl, CF3, OCF3 またはO
CHF2である）の化合物群から選択される。なお別の化合
物を含有する液晶混合物がさらに特に好ましい。
ることもできる１〜１０のC原子を有するアルキル基で
あり、Z13は単結合、-COO-または-ＣＨ2ＣＨ2-であり、
X7およびX8は、互いに独立してCHまたはNであり、Ｌ1お
よびＬ2は、互いに独立してHまたはFであり、ｅは０ま
たは1であり、およびY3 はＦ，Cl, CF3, OCF3 またはO
CHF2である）の化合物群から選択される。なお別の化合
物を含有する液晶混合物がさらに特に好ましい。
【０３８０】式Ih*の化合物は、極性基F,Cl,CF3,OCF3ま
たはOCHF2を有し、式Ihの化合物の一部に入る。以下に
明示する化合物がそのさらに好ましい化合物である。
たはOCHF2を有し、式Ihの化合物の一部に入る。以下に
明示する化合物がそのさらに好ましい化合物である。
【０３８１】 R3-Phe-C≡C-Phe.3F5F-Y3 Ih*2-1 R3-Pyd-C≡C-Phe.3F5F-Y3 Ih*2-2 R3-Pyr-C≡C-Phe.3F5F-Y3 Ih*2-3 R3-Cyr-Pyr-C≡C-Phe.3F5F-Y3 Ih*3-1 R3-Cyc-Pyd-C≡C-Phe.(F,2)-Y3 Ih*3-2 R3-Cyc-CH2CH2-Pyr-C≡C-Phe.(F,2)-Y3 Ih*3-3 R3-Cyc-COO-Pyd-C≡C-Phe.(F,2)-Y3 Ih*3-4
【０３８２】式Ia〜Igの少なくとも１種の化合物および
式II〜IVの少なくとも１種の化合物以外に第三の必須成
分として式Ih*の少なくとも１種の化合物を含有する好
ましい液晶混合物は今述べた好ましい化合物の１種およ
び／または式Ih2-1〜Ih2-2、Ih2-1a〜1h、Ih2-2a〜2c、
Ih2-3a〜3c、Ih3-1〜Ih3-10、Ih3-1a〜1d、Ih3-2a〜2
b、Ih3-5a、Ih3-6a〜6bおよびIh4-1〜Ih4-5の好ましい
化合物の１種を含んでいるのが好ましい。
式II〜IVの少なくとも１種の化合物以外に第三の必須成
分として式Ih*の少なくとも１種の化合物を含有する好
ましい液晶混合物は今述べた好ましい化合物の１種およ
び／または式Ih2-1〜Ih2-2、Ih2-1a〜1h、Ih2-2a〜2c、
Ih2-3a〜3c、Ih3-1〜Ih3-10、Ih3-1a〜1d、Ih3-2a〜2
b、Ih3-5a、Ih3-6a〜6bおよびIh4-1〜Ih4-5の好ましい
化合物の１種を含んでいるのが好ましい。
【０３８３】これらの混合物は高い安定性および高い複
屈折を特徴とし、マトリックス系に適用するのに特に適
しており、また網目構造体系に特に非常に適している。
屈折を特徴とし、マトリックス系に適用するのに特に適
しており、また網目構造体系に特に非常に適している。
【０３８４】この場合、式IhおよびIh*の化合物群から
選択される化合物の質量は５％より多い、特に７.５％
以上、特に１０％より多い、さらに特別には２０％より
多いのが好ましい。これらの液晶混合物の第三の必須成
分は
選択される化合物の質量は５％より多い、特に７.５％
以上、特に１０％より多い、さらに特別には２０％より
多いのが好ましい。これらの液晶混合物の第三の必須成
分は
【０３８５】
【化７１】 （式中、L1、Y3およびeは上述の意味である）の化合物
を含んでいるのが特に非常に好ましい。
を含んでいるのが特に非常に好ましい。
【０３８６】式II の少なくとも１種の化合物、式IV1〜
IV8の少なくとも１種の化合物および式Ih*の少なくとも
１種の化合物を含有する成分混合物を基礎とする混合物
も特に好ましい。この場合、E, F, およびG群のそれぞ
れからのそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以
下の小群の成分混合物が特に好ましい。この場合、成分
混合物中のそれぞれの群からの化合物の質量は表示の質
量パーセント範囲にあるのが好ましい。
IV8の少なくとも１種の化合物および式Ih*の少なくとも
１種の化合物を含有する成分混合物を基礎とする混合物
も特に好ましい。この場合、E, F, およびG群のそれぞ
れからのそれぞれ少なくとも１種の化合物を含有する以
下の小群の成分混合物が特に好ましい。この場合、成分
混合物中のそれぞれの群からの化合物の質量は表示の質
量パーセント範囲にあるのが好ましい。
【０３８７】
【表３４】
【０３８８】成分混合物中のE, FおよびG群からの化合
物の質量の合計は１００％であり、また本発明によって
使用することができる液晶混合物中の成分混合物の質量
は２５〜１００％であることが好ましい。
物の質量の合計は１００％であり、また本発明によって
使用することができる液晶混合物中の成分混合物の質量
は２５〜１００％であることが好ましい。
【０３８９】化合物群Ia, Ib, Ic, Ie, Ig, IhおよびIi
から選択される１種以上の化合物および式II〜IVの化合
物群から選択される少なくとも１種の化合物以外にさら
に式If*
から選択される１種以上の化合物および式II〜IVの化合
物群から選択される少なくとも１種の化合物以外にさら
に式If*
【０３９０】
【化７２】 （式中環A15はトランス-１,４-シクロヘキシレンまたは
１,４-フェニレンであり、およびR3, Z13 , X7, X8,
L1, eおよびY3は上述の意味である）の化合物群から選
択される。なお別の化合物を含有する液晶混合物がさら
に特に好ましい。式If*の化合物は、式IfF,IfClおよびI
fCl.Fの化合物から選択される好ましい小群の化合物を
意味する。この種の少なくとも３成分の液晶混合物中の
式If*の化合物の質量は５％以上、特に１０％より多
い、さらに２０％より多く、特に好ましくは、５５％ま
で含有することができる。この種の液晶混合物は有利な
特性を有し、また特に高い安定性および光学パラメータ
ーの有利な値を特徴とする。式Ia〜IeおよびIg〜Iiの少
なくとも１種の化合物および式II〜IVの化合物以外に以
下の好ましい化合物の少なくとも１種を含有する液晶混
合物が特に非常に好ましい。
１,４-フェニレンであり、およびR3, Z13 , X7, X8,
L1, eおよびY3は上述の意味である）の化合物群から選
択される。なお別の化合物を含有する液晶混合物がさら
に特に好ましい。式If*の化合物は、式IfF,IfClおよびI
fCl.Fの化合物から選択される好ましい小群の化合物を
意味する。この種の少なくとも３成分の液晶混合物中の
式If*の化合物の質量は５％以上、特に１０％より多
い、さらに２０％より多く、特に好ましくは、５５％ま
で含有することができる。この種の液晶混合物は有利な
特性を有し、また特に高い安定性および光学パラメータ
ーの有利な値を特徴とする。式Ia〜IeおよびIg〜Iiの少
なくとも１種の化合物および式II〜IVの化合物以外に以
下の好ましい化合物の少なくとも１種を含有する液晶混
合物が特に非常に好ましい。
【０３９１】 R3-Phe-Phe.（F）-F R3-Phe-Phe.（F）-Cl R3-Pyd-Phe-F R3-Pyd-Phe.3F-F R3-Pyd-Phe-Cl R3-Pyd-Phe.3F-Cl R3-Pyr-Phe-F R3-Pyr-Phe.3F-F R3-Pyr-Phe-Cl R3-Pyr-Phe.3F-Cl
【０３９２】- 第一の必須成分が、成分混合物中の質
量が１０％〜９０％である式Ia〜Ieの少なくとも１種の
化合物を含み、- 第二の必須成分が化合物II1, II2, I
I3, II4, II5, II6, II7, II8,II9,II16, II17, II18,
II25, II26, II27, II28, III1, III2, IV1, IV2, IV3,
IV4,VI7およびIV8の群から選択される１種以上の化合
物を含み、成分混合物中のこの成分の質量が５〜８０％
であり、および- 第三の必須成分が上述の好ましい２
環式化合物の１種以上および／または以下の化合物 R3-Cyc-Phe-Phe.（F)-F R3-Cyc-Phe-Phe.（F)-Cl R3-Phe-Pyr-Phe.（F)-F R3-Phe-Pyr-Phe.（F）-Cl R3-Phe-Pyr-Phe.（F）-CF3 R3-Phe-Pyd-Phe.（F)-F R3-Phe-Pyr-Phe.（F）-Cl R3-Phe-Pyr-Phe.（F)-OCF3 の１種以上を含み、成分混合物中のその質量が５％〜６
５％、特に１０％〜６５％、さらに特別には１２.５％
〜６５％である成分混合物が特に好ましい。
量が１０％〜９０％である式Ia〜Ieの少なくとも１種の
化合物を含み、- 第二の必須成分が化合物II1, II2, I
I3, II4, II5, II6, II7, II8,II9,II16, II17, II18,
II25, II26, II27, II28, III1, III2, IV1, IV2, IV3,
IV4,VI7およびIV8の群から選択される１種以上の化合
物を含み、成分混合物中のこの成分の質量が５〜８０％
であり、および- 第三の必須成分が上述の好ましい２
環式化合物の１種以上および／または以下の化合物 R3-Cyc-Phe-Phe.（F)-F R3-Cyc-Phe-Phe.（F)-Cl R3-Phe-Pyr-Phe.（F)-F R3-Phe-Pyr-Phe.（F）-Cl R3-Phe-Pyr-Phe.（F）-CF3 R3-Phe-Pyd-Phe.（F)-F R3-Phe-Pyr-Phe.（F）-Cl R3-Phe-Pyr-Phe.（F)-OCF3 の１種以上を含み、成分混合物中のその質量が５％〜６
５％、特に１０％〜６５％、さらに特別には１２.５％
〜６５％である成分混合物が特に好ましい。
【０３９３】成分混合物中の質量の合計は１００％であ
り、また最適混合物中の成分混合物の質量は２５〜１０
０％であるのが好ましい。
り、また最適混合物中の成分混合物の質量は２５〜１０
０％であるのが好ましい。
【０３９４】式Ia〜IeおよびIg〜Iiの化合物群から選択
される１種以上の化合物および式II〜IVの化合物群から
選択される１種以上の化合物以外にさらに式If**
される１種以上の化合物および式II〜IVの化合物群から
選択される１種以上の化合物以外にさらに式If**
【０３９５】
【化７３】 （式中環A16はトランス-１,４-シクロヘキシレン、１,
４-フェニレンまたは３-フルオロ-１,４-フェニレンで
あり、およびZ13 , L1 , Y3, R3およびeは上述の意味で
ある）の少なくとも１種の化合物を含有する液晶混合物
がさらに特に好ましい。式If**の化合物は、式IfF, IfC
lおよびIfCl.Fの化合物から選択される好ましい小群の
化合物を意味する。
４-フェニレンまたは３-フルオロ-１,４-フェニレンで
あり、およびZ13 , L1 , Y3, R3およびeは上述の意味で
ある）の少なくとも１種の化合物を含有する液晶混合物
がさらに特に好ましい。式If**の化合物は、式IfF, IfC
lおよびIfCl.Fの化合物から選択される好ましい小群の
化合物を意味する。
【０３９６】式I a〜IeおよびIg〜Iiの化合物以外に式I
I〜IVの化合物とさらに式If**の化合物とを含有する液
晶混合物は好ましい特性、特に高い安定性、有利な使用
温度範囲および有利なしきい電圧を特徴とする。これら
の液晶混合物中の式If**の化合物の質量は５％より多
い、特に１０％より多い、さらに特別には１５％より多
きのが好ましい。式If**の以下の小群の化合物が特に非
常に好ましい。
I〜IVの化合物とさらに式If**の化合物とを含有する液
晶混合物は好ましい特性、特に高い安定性、有利な使用
温度範囲および有利なしきい電圧を特徴とする。これら
の液晶混合物中の式If**の化合物の質量は５％より多
い、特に１０％より多い、さらに特別には１５％より多
きのが好ましい。式If**の以下の小群の化合物が特に非
常に好ましい。
【０３９７】 R3-Cyc-COO-Phe.（F)-Y3 If**2-1 R3-Phe-COO-Phe.（F)-Y3 If**2-2 R3-Cyc-CycCOO-Phe.（F)-Y3 If**3-1 R3-Cyc-Phe-COO-Phe.（F)-Y3 If**3-2 さらに、以下により詳細に特徴を述べるH, I およびK群
からのそれぞれ少なくとも１種の化合物を表示の質量範
囲で含有する以下の液晶混合物が特に非常に好ましい。
からのそれぞれ少なくとも１種の化合物を表示の質量範
囲で含有する以下の液晶混合物が特に非常に好ましい。
【０３９８】
【表３５】
【０３９９】この場合、成分混合物中の質量の合計は１
００％であり、また本発明によって使用される液晶混合
物中の成分混合物の質量は１０〜８５％であるのが好ま
しい。
００％であり、また本発明によって使用される液晶混合
物中の成分混合物の質量は１０〜８５％であるのが好ま
しい。
【０４００】本発明の液晶は、本発明の式I、特に好ま
しい下位式、さらに詳細には好ましい液晶混合物の化合
物以外に、ネマチックまたはネマチック形成（単変性ま
たは等方性）物質、特にアゾキシベンゼン類、ベンジリ
デンアニリン類、ビフェニル類、テルフェニル類、安息
香酸フェニルまたはシクロヘキシル類、シクロヘキサン
カルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル
類、シクロヘキシル安息香酸のフェニルまたはシクロヘ
キシルエステル類、シクロヘキシルシクロヘキサンカル
ボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、安
息香酸、シクロヘキサンカルボンサン酸またはシクロヘ
キシルシクロヘキサンカルボン酸のシクロヘキシルフェ
ニルエステル類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘ
キシルビフェニル類、フェニルシクロヘキシルシクロヘ
キサン類、シクロヘキシルシクロヘキサン類、、シクロ
ヘキシルシクロヘキシルシクロヘキセン類、１,４-ビス
-シクロヘキシルベンゼン類、４,４´-ビス-シクロヘキ
シルビフェニル類、フェニルまたはシクロヘキシルピリ
ミジン類、フェニルまたはシクロヘキシルピリジン類、
フェニルまたはシクロヘキシルジオキサン類、フェニル
-またはシクロヘキシル-１,３-ジチアン類、１,２-ジフ
ェニルエタン類、１,２-ジシクロヘキシルエタン類、１
-フェニル-２-シクロヘキシルエタン類、１-シクロヘキ
シル-２-（４-フェニルシクロヘキシル）エタン類、１-
シクロヘキシル-２-ビフェニルエタン類、１-フェニル-
２-シクロヘキシルフェニルエタン類、必要に応じてハ
ロゲン化されたスチルベン類、ベンジルフェニルエーテ
ル類、トラン類および置換ケイ皮酸類から成る群の物質
から選択されるのが好ましい。さらに別の成分を含有す
ることができる。これらの化合物の１,４-フェニレン基
を弗素化することもできる。
しい下位式、さらに詳細には好ましい液晶混合物の化合
物以外に、ネマチックまたはネマチック形成（単変性ま
たは等方性）物質、特にアゾキシベンゼン類、ベンジリ
デンアニリン類、ビフェニル類、テルフェニル類、安息
香酸フェニルまたはシクロヘキシル類、シクロヘキサン
カルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル
類、シクロヘキシル安息香酸のフェニルまたはシクロヘ
キシルエステル類、シクロヘキシルシクロヘキサンカル
ボン酸のフェニルまたはシクロヘキシルエステル類、安
息香酸、シクロヘキサンカルボンサン酸またはシクロヘ
キシルシクロヘキサンカルボン酸のシクロヘキシルフェ
ニルエステル類、フェニルシクロヘキサン類、シクロヘ
キシルビフェニル類、フェニルシクロヘキシルシクロヘ
キサン類、シクロヘキシルシクロヘキサン類、、シクロ
ヘキシルシクロヘキシルシクロヘキセン類、１,４-ビス
-シクロヘキシルベンゼン類、４,４´-ビス-シクロヘキ
シルビフェニル類、フェニルまたはシクロヘキシルピリ
ミジン類、フェニルまたはシクロヘキシルピリジン類、
フェニルまたはシクロヘキシルジオキサン類、フェニル
-またはシクロヘキシル-１,３-ジチアン類、１,２-ジフ
ェニルエタン類、１,２-ジシクロヘキシルエタン類、１
-フェニル-２-シクロヘキシルエタン類、１-シクロヘキ
シル-２-（４-フェニルシクロヘキシル）エタン類、１-
シクロヘキシル-２-ビフェニルエタン類、１-フェニル-
２-シクロヘキシルフェニルエタン類、必要に応じてハ
ロゲン化されたスチルベン類、ベンジルフェニルエーテ
ル類、トラン類および置換ケイ皮酸類から成る群の物質
から選択されるのが好ましい。さらに別の成分を含有す
ることができる。これらの化合物の１,４-フェニレン基
を弗素化することもできる。
【０４０１】これらの化合物において、両末端基は、そ
れぞれの場合に互いに独立して８個までのC原子を有す
るアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルケニルオキ
シまたはアルカノイルオキシであるのが好ましい。これ
らの化合物の大部分において、両末端基は互いに異な
り、これらの基の１つは通常アルキルまたはアルケニル
である。
れぞれの場合に互いに独立して８個までのC原子を有す
るアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルケニルオキ
シまたはアルカノイルオキシであるのが好ましい。これ
らの化合物の大部分において、両末端基は互いに異な
り、これらの基の１つは通常アルキルまたはアルケニル
である。
【０４０２】しかしながら、一方および／または両末端
基が極性基-CN、 -NCS、 -F、 -Ｃｌまたは（O)iCXkH
3-k（ただし、iは０または１であり、kは１、２または
３であり、そしてXはFまたはClである）であることも可
能である。末端基の一方だけが上述の極性基の１つであ
る場合、他方はアルキルまたはアルケニルであるのが好
ましい。
基が極性基-CN、 -NCS、 -F、 -Ｃｌまたは（O)iCXkH
3-k（ただし、iは０または１であり、kは１、２または
３であり、そしてXはFまたはClである）であることも可
能である。末端基の一方だけが上述の極性基の１つであ
る場合、他方はアルキルまたはアルケニルであるのが好
ましい。
【０４０３】この種の多くの物質、あるいはまたそれら
の混合物は市販されている。これらの物質は全て文献に
よって知られた方法によってまたはそれらに準じて得ら
れる。
の混合物は市販されている。これらの物質は全て文献に
よって知られた方法によってまたはそれらに準じて得ら
れる。
【０４０４】本発明の電気光学液晶系に使用される液晶
は１％〜１０％、特に１０％から１００％、さらに特別
には２０％〜１００％の式Iの化合物を含んでいるのが
好ましい。この場合、１〜２０種、特に１〜１５種の式
Iの化合物を含有する液晶混合物が好ましい。式Iの液晶
化合物が式Ia〜Iiの１小群だけから選択される場合、液
晶混合物は式Iのこの下位式の化合物を１〜５種、特に
１〜３種含有するのが好ましい。
は１％〜１０％、特に１０％から１００％、さらに特別
には２０％〜１００％の式Iの化合物を含んでいるのが
好ましい。この場合、１〜２０種、特に１〜１５種の式
Iの化合物を含有する液晶混合物が好ましい。式Iの液晶
化合物が式Ia〜Iiの１小群だけから選択される場合、液
晶混合物は式Iのこの下位式の化合物を１〜５種、特に
１〜３種含有するのが好ましい。
【０４０５】本発明の液晶混合物は式I、II、IIIおよび
IVの群から選択される化合物を基礎とするのが好まし
い。液晶混合物中の式I、II、IIIおよびIVの群から選択
される化合物の質量は５％〜１００％、特に１０％〜１
００％、さらに特別には１５％〜９８％であるのが好ま
しい。本発明の液晶混合物は式I、II、III、VIおよびV
の群から選択される２〜４０種、特に２〜３８種、さら
に特別には２〜３５種の化合物を含んでいるのが好まし
い。
IVの群から選択される化合物を基礎とするのが好まし
い。液晶混合物中の式I、II、IIIおよびIVの群から選択
される化合物の質量は５％〜１００％、特に１０％〜１
００％、さらに特別には１５％〜９８％であるのが好ま
しい。本発明の液晶混合物は式I、II、III、VIおよびV
の群から選択される２〜４０種、特に２〜３８種、さら
に特別には２〜３５種の化合物を含んでいるのが好まし
い。
【０４０６】使用される液晶混合物の誘電異方性は正、
すなわちΔε＞０、好ましくはΔε＞３である。
すなわちΔε＞０、好ましくはΔε＞３である。
【０４０７】誘電異方性Δεの値が小さい場合、非常に
高いしきい電圧が認められる。特に好ましい値はΔε＞
５であり、Δε＞８であるのが特に非常に好ましい。
高いしきい電圧が認められる。特に好ましい値はΔε＞
５であり、Δε＞８であるのが特に非常に好ましい。
【０４０８】中程度の極性 ３≦Δε≦２０ （＊１）、特に ３≦Δε≦１５ （＊２） を有する化合物に基づく液晶混合物は特に有利な特性、
特に高い温度およびUV安定性および高い比抵抗を有して
いることを見出した。この種の混合物は、アクティブま
たはパッシブマトリックスを用いて制御される高情報量
を有する系、さらに特に比較的高い使用温度に耐えねば
ならない系（例えば、野外で使用するための系）にも特
に適している。液晶混合物中の中程度の極性の化合物の
質量は５０％以上、特の少なくとも６０％、さらに特別
には少なくとも６５％であるのが好ましい。
特に高い温度およびUV安定性および高い比抵抗を有して
いることを見出した。この種の混合物は、アクティブま
たはパッシブマトリックスを用いて制御される高情報量
を有する系、さらに特に比較的高い使用温度に耐えねば
ならない系（例えば、野外で使用するための系）にも特
に適している。液晶混合物中の中程度の極性の化合物の
質量は５０％以上、特の少なくとも６０％、さらに特別
には少なくとも６５％であるのが好ましい。
【０４０９】特にW＝-F、-Ｃｌ、-ＣＦ3、-OCF3、-OCHF
2またはNCS、特にWが-F、-Cl、-CF3、-OCF3または-OCHF
2である式Iの化合物は好ましい範囲（＊１）または（＊
２）内の誘電率をしばしば有し、一方W＝-CNである液晶
化合物は過度に高い誘電率をしばしば有し、この種の混
合物にあまり適さないことが証明された。中程度の極性
の化合物に基づく液晶混合物中の末端カルボニトリル基
を有する化合物の質量は１５％未満、特に１０％以下で
あるのが好ましい。例えば、しきい電圧を下げるために
Δε＞２０の高度に極性の添加剤を必要とする場合、一
方の末端基がR1に対して示した意味であり、他方の末端
基が
2またはNCS、特にWが-F、-Cl、-CF3、-OCF3または-OCHF
2である式Iの化合物は好ましい範囲（＊１）または（＊
２）内の誘電率をしばしば有し、一方W＝-CNである液晶
化合物は過度に高い誘電率をしばしば有し、この種の混
合物にあまり適さないことが証明された。中程度の極性
の化合物に基づく液晶混合物中の末端カルボニトリル基
を有する化合物の質量は１５％未満、特に１０％以下で
あるのが好ましい。例えば、しきい電圧を下げるために
Δε＞２０の高度に極性の添加剤を必要とする場合、一
方の末端基がR1に対して示した意味であり、他方の末端
基が
【０４１０】
【化７４】 （ただし、Wは-F、-Ｃｌ、-ＣＦ3、-OCF3または-OCHF2
であり、およびYはHまたはFである）によって示される
化合物を使用するのが好ましい。
であり、およびYはHまたはFである）によって示される
化合物を使用するのが好ましい。
【０４１１】W＝-Clである化合物は一般にW＝-Fである
対応する化合物と比べて高い複屈折Δnを特徴とし、し
たがって、例えば、不透明状態で散乱を高めるために高
い複屈折を望む場合にしばしば好まれる。
対応する化合物と比べて高い複屈折Δnを特徴とし、し
たがって、例えば、不透明状態で散乱を高めるために高
い複屈折を望む場合にしばしば好まれる。
【０４１２】本発明は、式I、詳細には式Ia〜Iiの特に
好ましい化合物および特に好ましい液晶成分混合物の限
定した群を当業者に提供する。式I、特に式Ia〜Iiの１
種以上の化合物、さらに特別には上述の成分混合物の少
なくとも１種を含有する液晶混合物は請求項１の前文に
したがう電気光学系で使用するために設定された冒頭で
述べた要件に相当し、特に高い程度でかつこれらの系に
従来称された液晶混合物より非常に良好な有利な特性を
有している。この場合、詳細な説明に基づいて、当業者
は、特定の用途に対する複屈折Δnおよび／または常光
線屈折率n0および／または他の屈折率および／または粘
度および／または誘電異方性および／または透明点およ
び／または液晶のさらに別のパラメーターおよび／また
はしきい電圧および／または系のさらに別のパラメータ
ーおよび／またはそれらの温度依存性および／または使
用温度範囲および／または重合用のモノマーまたはオリ
ゴマーおよび／または粗マトリックスまたは粗網目構造
体に対する液晶の溶解性および／または液晶および系の
さらに別のパラメーターを最適化するように発明的援助
なしに記載された群の好ましい液晶化合物および液晶混
合物から何時でも選択することができる。
好ましい化合物および特に好ましい液晶成分混合物の限
定した群を当業者に提供する。式I、特に式Ia〜Iiの１
種以上の化合物、さらに特別には上述の成分混合物の少
なくとも１種を含有する液晶混合物は請求項１の前文に
したがう電気光学系で使用するために設定された冒頭で
述べた要件に相当し、特に高い程度でかつこれらの系に
従来称された液晶混合物より非常に良好な有利な特性を
有している。この場合、詳細な説明に基づいて、当業者
は、特定の用途に対する複屈折Δnおよび／または常光
線屈折率n0および／または他の屈折率および／または粘
度および／または誘電異方性および／または透明点およ
び／または液晶のさらに別のパラメーターおよび／また
はしきい電圧および／または系のさらに別のパラメータ
ーおよび／またはそれらの温度依存性および／または使
用温度範囲および／または重合用のモノマーまたはオリ
ゴマーおよび／または粗マトリックスまたは粗網目構造
体に対する液晶の溶解性および／または液晶および系の
さらに別のパラメーターを最適化するように発明的援助
なしに記載された群の好ましい液晶化合物および液晶混
合物から何時でも選択することができる。
【０４１３】例えば、高い透明点が必要な場合、当業者
は、液晶混合物中の２環式化合物の質量が高くなり過ぎ
ないように式I、特に下位式Ia〜Iiの化合物および好ま
しい成分混合物の中から選択するのが好ましい。さら
に、当業者は、例えば式Ie4-1〜Ie4-4の４環式化合物あ
るいはまた、例えば R4-Phe-Phe-Cyc-R5 R4-Cyc-Phe-Phe-Cyc-R5 のような他の高透明点付与物質を液晶に添加することも
できる。
は、液晶混合物中の２環式化合物の質量が高くなり過ぎ
ないように式I、特に下位式Ia〜Iiの化合物および好ま
しい成分混合物の中から選択するのが好ましい。さら
に、当業者は、例えば式Ie4-1〜Ie4-4の４環式化合物あ
るいはまた、例えば R4-Phe-Phe-Cyc-R5 R4-Cyc-Phe-Phe-Cyc-R5 のような他の高透明点付与物質を液晶に添加することも
できる。
【０４１４】これらの化合物において、R4およびR5は、
それぞれの場合に互いに独立して１〜１５個のC原子を
有するアルキル、メトキシ、アルコキシカルボニルまた
はアルカノイルオキシであるのが好ましい。
それぞれの場合に互いに独立して１〜１５個のC原子を
有するアルキル、メトキシ、アルコキシカルボニルまた
はアルカノイルオキシであるのが好ましい。
【０４１５】この種の添加剤は当業者に公知であり、上
に挙げた物質群から問題なく選択することができる。こ
の場合、当業者は、特にΔnおよび／またはn0および／
または他の屈折率および／または本発明の電気光学系の
特定の実施態様における調節すべきΔεおよび／または
特定の用途に重要なΔεおよび／またはさらに別の物理
的パラメーターに容認できるおよび／または少しのおよ
び／または特に無視できる程度にしか影響を及ぼさない
ようにこの種の添加剤の濃度を選択するのが好ましい。
に挙げた物質群から問題なく選択することができる。こ
の場合、当業者は、特にΔnおよび／またはn0および／
または他の屈折率および／または本発明の電気光学系の
特定の実施態様における調節すべきΔεおよび／または
特定の用途に重要なΔεおよび／またはさらに別の物理
的パラメーターに容認できるおよび／または少しのおよ
び／または特に無視できる程度にしか影響を及ぼさない
ようにこの種の添加剤の濃度を選択するのが好ましい。
【０４１６】本発明の系を、例えば交流電圧を用いて制
御する場合、高粘性の液晶混合物を使用する必要があ
る。さもなければ、特に低または中周波数において、ち
らつきのある表示となる。粘度を上げるために、当業者
は高粘性の液晶化合物を液晶混合物に添加することがで
きる。これらの化合物を式I、詳細には式Ia〜Iiの化合
物群から選択するのが好ましいが、これらを上述の物質
群から採用することもできる。特に、DE ３,９１９,９
４２に記載されているように、１種以上の側鎖基を有す
るポリマーを添加して粘度を上げることもできる。一
方、電気光学系を、例えば高情報量のマトリックスディ
スプレイとして使用する場合、高粘度の液晶混合物が、
特に短い切り替え時間を達成するために適している。
御する場合、高粘性の液晶混合物を使用する必要があ
る。さもなければ、特に低または中周波数において、ち
らつきのある表示となる。粘度を上げるために、当業者
は高粘性の液晶化合物を液晶混合物に添加することがで
きる。これらの化合物を式I、詳細には式Ia〜Iiの化合
物群から選択するのが好ましいが、これらを上述の物質
群から採用することもできる。特に、DE ３,９１９,９
４２に記載されているように、１種以上の側鎖基を有す
るポリマーを添加して粘度を上げることもできる。一
方、電気光学系を、例えば高情報量のマトリックスディ
スプレイとして使用する場合、高粘度の液晶混合物が、
特に短い切り替え時間を達成するために適している。
【０４１７】この場合、当業者は、３および４環式化合
物の含量が高くなり過ぎないように式I、特に下位式Ia
〜Iiの化合物群から選択するのが好ましい。高透明点を
達成するために高含量の３および４環式化合物を使用す
る必要がある場合、当業者は一般に式Ia〜Iiのラテラル
に弗素化または塩素化された化合物を選ぶ。しかし、当
業者は、例えば R4-Cyc-Phe.3F-Phe-R5 のような低粘度を有する上に挙げた物質群から選択し
て、それらを本発明の液晶混合物に添加することもでき
る。例えとして挙げたこの化合物のR4およびR5は上述の
意味であるのが好ましい。
物の含量が高くなり過ぎないように式I、特に下位式Ia
〜Iiの化合物群から選択するのが好ましい。高透明点を
達成するために高含量の３および４環式化合物を使用す
る必要がある場合、当業者は一般に式Ia〜Iiのラテラル
に弗素化または塩素化された化合物を選ぶ。しかし、当
業者は、例えば R4-Cyc-Phe.3F-Phe-R5 のような低粘度を有する上に挙げた物質群から選択し
て、それらを本発明の液晶混合物に添加することもでき
る。例えとして挙げたこの化合物のR4およびR5は上述の
意味であるのが好ましい。
【０４１８】当業者は、例えばΔεおよび、粘度低減剤
を使用する場合は特にTcのような液晶混合物の重要なパ
ラメーターに容認できるおよび／または少しのおよび／
または無視できる程度にしか影響を及ぼさないように粘
度を改善するために使用する物質およびそれらの濃度を
選択する。
を使用する場合は特にTcのような液晶混合物の重要なパ
ラメーターに容認できるおよび／または少しのおよび／
または無視できる程度にしか影響を及ぼさないように粘
度を改善するために使用する物質およびそれらの濃度を
選択する。
【０４１９】所望ならば、他のパラメーター、特にマト
リックスに使用されるポリマーに対する液晶混合物の溶
解性がその添加によって過度に変化しないように当業者
が考慮して、例えば
リックスに使用されるポリマーに対する液晶混合物の溶
解性がその添加によって過度に変化しないように当業者
が考慮して、例えば
【０４２０】
【化７５】 のような高ネマチック形成物質を添加することができ
る。
る。
【０４２１】式II〜IVの化合物を含有する液晶混合物の
場合、例えば複屈折を改善するために、当業者は混合物
中のこれらの化合物の相対量を変えることができる。非
常に高いΔnを有する混合物に対しては、例えば式II1、
II16、IV3またはIV4の化合物を特に使用でき、一方比較
的低いΔn値を有する液晶混合物に対しては、例えば式I
II1〜III3の化合物が好ましい。もちろん、当業者は所
望のΔn値に関して問題なく式Iの化合物から好ましい選
択をすることができる。比較的高いまたは高いΔnを有
する混合物に対しては、例えば、式Igの化合物が一般に
好ましく、一方比較的低いまたは低いΔnを有する本発
明の液晶混合物に対しては、２またはそれ以上の飽和環
系の化合物が一般に特に適している。
場合、例えば複屈折を改善するために、当業者は混合物
中のこれらの化合物の相対量を変えることができる。非
常に高いΔnを有する混合物に対しては、例えば式II1、
II16、IV3またはIV4の化合物を特に使用でき、一方比較
的低いΔn値を有する液晶混合物に対しては、例えば式I
II1〜III3の化合物が好ましい。もちろん、当業者は所
望のΔn値に関して問題なく式Iの化合物から好ましい選
択をすることができる。比較的高いまたは高いΔnを有
する混合物に対しては、例えば、式Igの化合物が一般に
好ましく、一方比較的低いまたは低いΔnを有する本発
明の液晶混合物に対しては、２またはそれ以上の飽和環
系の化合物が一般に特に適している。
【０４２２】低いしきい電圧を達成するためには、非常
に高い誘電異方性Δεを有する液晶混合物が一般に必要
である。当業者は、Δεに対して好ましい値が得られる
ように式I、特に式Ia〜Iiの化合物群から、さらに式II
〜IVの化合物群および好ましい成分混合物の群から選択
することができる。Δεを高めるために、当業者は、例
えば式II6の化合物を液晶混合物に添加することができ
る。これらの化合物は極めて強い誘電的に正の化合物で
ある。例えばプロピル同族体（アルキル＝C3H7）はΔε
＝５０の値を有している。当業者は、液晶混合物が電気
光学系の特定の実施態様に最も適合するようにこの種の
添加剤の濃度を選択する。特に、液晶のΔnおよび／ま
たはn0および／または１種以上のさらに他の屈折率に容
認できるおよび／または少しのおよび／または無視でき
る程度にしか影響を及ぼさないように注意する。
に高い誘電異方性Δεを有する液晶混合物が一般に必要
である。当業者は、Δεに対して好ましい値が得られる
ように式I、特に式Ia〜Iiの化合物群から、さらに式II
〜IVの化合物群および好ましい成分混合物の群から選択
することができる。Δεを高めるために、当業者は、例
えば式II6の化合物を液晶混合物に添加することができ
る。これらの化合物は極めて強い誘電的に正の化合物で
ある。例えばプロピル同族体（アルキル＝C3H7）はΔε
＝５０の値を有している。当業者は、液晶混合物が電気
光学系の特定の実施態様に最も適合するようにこの種の
添加剤の濃度を選択する。特に、液晶のΔnおよび／ま
たはn0および／または１種以上のさらに他の屈折率に容
認できるおよび／または少しのおよび／または無視でき
る程度にしか影響を及ぼさないように注意する。
【０４２３】当業者は、液晶混合物を特定の用途に対し
最適化するように式I、特に式Ia〜Iiの化合物群から、
さらに必要に応じて式II〜IVの化合物群および好ましい
成分混合物の群から選択することによって特定の用途に
対し本発明の液晶混合物の特性を改質し、かつある範囲
内でそれらを最適化することができる。
最適化するように式I、特に式Ia〜Iiの化合物群から、
さらに必要に応じて式II〜IVの化合物群および好ましい
成分混合物の群から選択することによって特定の用途に
対し本発明の液晶混合物の特性を改質し、かつある範囲
内でそれらを最適化することができる。
【０４２４】しかしながら、式I、特に式Ia〜Iiの化合
物と、特に式II〜IVの１種以上の化合物を含有する液晶
混合物とを含んでいる液晶が本発明の電気光学液晶系に
使用するのに特に適していることが重要である。好まし
い成分混合物の１種以上を含有する混合物が特に非常に
適切な液晶混合物である。
物と、特に式II〜IVの１種以上の化合物を含有する液晶
混合物とを含んでいる液晶が本発明の電気光学液晶系に
使用するのに特に適していることが重要である。好まし
い成分混合物の１種以上を含有する混合物が特に非常に
適切な液晶混合物である。
【０４２５】式I、特に式Ia〜Iiの１種以上の化合物を
含有する本発明の液晶混合物は、混合物の他のパラメー
ターが同時に過度に変化することなく、また電気光学系
における混合物の効用が著しく不利な変化を被ることな
く特定の要件に対し上述の方法および／または添加剤に
よって一般に最適化することができる電気光学系に適用
するのに特に適した「安定構造混合物」も意味するもの
である。
含有する本発明の液晶混合物は、混合物の他のパラメー
ターが同時に過度に変化することなく、また電気光学系
における混合物の効用が著しく不利な変化を被ることな
く特定の要件に対し上述の方法および／または添加剤に
よって一般に最適化することができる電気光学系に適用
するのに特に適した「安定構造混合物」も意味するもの
である。
【０４２６】本発明の液晶混合物は請求項１の前文にし
たがう電気光学系に使用するのに特に適している。した
がって、かなりの商業上の重要性が本発明の液晶および
本発明の電気光学系に存在する。
たがう電気光学系に使用するのに特に適している。した
がって、かなりの商業上の重要性が本発明の液晶および
本発明の電気光学系に存在する。
【０４２７】本発明の液晶混合物は、請求項１の前文に
したがう電気光学系全てに使用できるようにさらに別の
添加剤によって改質することができる。
したがう電気光学系全てに使用できるようにさらに別の
添加剤によって改質することができる。
【０４２８】この種の添加剤は当業者に知られ、また文
献に詳細に記載されている。したがって、例えば多色染
料を添加して、着色電気光学系を製造することができ、
あるいはある種の物質を加えて、液晶の誘電異方性、光
学異方性、粘度および／または電気光学的パラメーター
の温度依存性を改良することができる。この種の物質
は、例えば、H.ケルカー(Kelker)およびＲ．ハッツ(Hat
z)、「液晶ハンドブック(Handbook of Liquid Crystal
s)」、化学出版社、ワインハイム（１９８０）、および
DE-OS２,２０９,１２７、２,２４０,８６４、２,３２
１,６３２、２,３３８,２８１、２,４５０,０８８、２,
６３７,４３０、２,８５３,７２８および２,９０２,１
７７に記載されている。
献に詳細に記載されている。したがって、例えば多色染
料を添加して、着色電気光学系を製造することができ、
あるいはある種の物質を加えて、液晶の誘電異方性、光
学異方性、粘度および／または電気光学的パラメーター
の温度依存性を改良することができる。この種の物質
は、例えば、H.ケルカー(Kelker)およびＲ．ハッツ(Hat
z)、「液晶ハンドブック(Handbook of Liquid Crystal
s)」、化学出版社、ワインハイム（１９８０）、および
DE-OS２,２０９,１２７、２,２４０,８６４、２,３２
１,６３２、２,３３８,２８１、２,４５０,０８８、２,
６３７,４３０、２,８５３,７２８および２,９０２,１
７７に記載されている。
【０４２９】０〜２５重量％、特に０〜２０重量％、さ
らに特別には０〜１５重量％の範囲で多色染料を液晶混
合物に添加した電気光学液晶系が好ましい。
らに特別には０〜１５重量％の範囲で多色染料を液晶混
合物に添加した電気光学液晶系が好ましい。
【０４３０】さらに、例えば、DE４,００７,０３９に記
載されているように、キラルメソゲニックあるいは非メ
ソゲニック化合物を本発明の液晶混合物に添加して、不
透明状態での散乱を増大させおよび／または電気光学曲
線の勾配に影響を与えることができる。本発明の液晶は
０〜１５％、特に０〜１０％のキラル添加剤を含有する
ものが好ましい。
載されているように、キラルメソゲニックあるいは非メ
ソゲニック化合物を本発明の液晶混合物に添加して、不
透明状態での散乱を増大させおよび／または電気光学曲
線の勾配に影響を与えることができる。本発明の液晶は
０〜１５％、特に０〜１０％のキラル添加剤を含有する
ものが好ましい。
【０４３１】本発明の電気光学液晶系は直流または交流
電圧を印加することによって切り替えることができる。
しかしながら、１〜２４ボルトの有効交流電圧振幅およ
び１０Hz〜１０kHzの交流電圧周波数の交流電圧を使用
するのが好ましい。２〜２２０ボルトの振幅および２０
〜１２０Hzの周波数が特に好ましい。交流電圧の振幅は
２〜１３０Ｖであるのが特に非常に好ましい。
電圧を印加することによって切り替えることができる。
しかしながら、１〜２４ボルトの有効交流電圧振幅およ
び１０Hz〜１０kHzの交流電圧周波数の交流電圧を使用
するのが好ましい。２〜２２０ボルトの振幅および２０
〜１２０Hzの周波数が特に好ましい。交流電圧の振幅は
２〜１３０Ｖであるのが特に非常に好ましい。
【０４３２】本発明によって使用することができる液晶
混合物はそれ自体通常の方法で製造される。一般に、少
量で用いられる、所望量の成分を便宜上高温で主成分を
構成する成分に溶解させる。それらの成分をそれぞれ有
機溶剤、例えばアセトン、クロロホルムまたはメタノー
ルに溶かした溶液を混合し、十分に混合後に、例えば蒸
留によって溶媒を再除去することも可能である。
混合物はそれ自体通常の方法で製造される。一般に、少
量で用いられる、所望量の成分を便宜上高温で主成分を
構成する成分に溶解させる。それらの成分をそれぞれ有
機溶剤、例えばアセトン、クロロホルムまたはメタノー
ルに溶かした溶液を混合し、十分に混合後に、例えば蒸
留によって溶媒を再除去することも可能である。
【０４３３】
【実施例】以下の実施例は本発明を説明するものであっ
て、本発明を限定するものではない。
て、本発明を限定するものではない。
【０４３４】実施例おける記号は以下の意味を有する。 K: 結晶固体 S: スメクチック相（表示は相の種類を表す）、 N: ネマチック相、 I: 等方性相。
【０４３５】２つの記号間の数字は℃基準の転移温度を
示す。表示％は重量％である。
示す。表示％は重量％である。
【０４３６】実施例１ a) 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気光
学液晶系： １４.４％のp-トランス-４-プロピルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １１.２％のp-トランス-４-ブチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； ２０％のp-トランス-４-ペンチルシクロヘキシルベンゾ
ニトリル； １２％のp-トランス-４-ヘプチルシクロヘキシルベンゾ
ニトリル； ５.６％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
-４′-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）ビフェ
ニル； ４.８％の４-ペンチル-４″-シアノテルフェニル； ６.４％のトランス-４-ブチルシクロヘキシルカルボン
酸４-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）フェニ
ル； ５.６％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
-４′-シアノビフェニル； ２０％の１-（４-（４-ペンチルフェニル）フェニル）-
２-（３-フルオロ-４-シアノフェニル）エタン。
学液晶系： １４.４％のp-トランス-４-プロピルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １１.２％のp-トランス-４-ブチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； ２０％のp-トランス-４-ペンチルシクロヘキシルベンゾ
ニトリル； １２％のp-トランス-４-ヘプチルシクロヘキシルベンゾ
ニトリル； ５.６％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
-４′-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）ビフェ
ニル； ４.８％の４-ペンチル-４″-シアノテルフェニル； ６.４％のトランス-４-ブチルシクロヘキシルカルボン
酸４-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）フェニ
ル； ５.６％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
-４′-シアノビフェニル； ２０％の１-（４-（４-ペンチルフェニル）フェニル）-
２-（３-フルオロ-４-シアノフェニル）エタン。
【０４３７】b) 上記電気光学液晶系を以下の種々の方
法１.１〜１.３および２によって製造する。 １. 微小液滴マトリックス系 １.１ a) の液晶混合物をUV照射によって硬化すること
ができる接着剤、NOA６５［ノーランド(Norland) 製］
と共に、透明溶液が得られるまで１.６：１の比率で室
温で撹拌する。この溶液をスペーサ（２０μｍ）と共に
電極層を設けた透明な２枚のガラス支持板の間に導入す
る。ガラス支持板を両方から加圧して、２０μｍの厚さ
の均一なフィルムを得る。これを１分間UV照射すること
によって硬化させる。
法１.１〜１.３および２によって製造する。 １. 微小液滴マトリックス系 １.１ a) の液晶混合物をUV照射によって硬化すること
ができる接着剤、NOA６５［ノーランド(Norland) 製］
と共に、透明溶液が得られるまで１.６：１の比率で室
温で撹拌する。この溶液をスペーサ（２０μｍ）と共に
電極層を設けた透明な２枚のガラス支持板の間に導入す
る。ガラス支持板を両方から加圧して、２０μｍの厚さ
の均一なフィルムを得る。これを１分間UV照射すること
によって硬化させる。
【０４３８】１.２ a) の液晶混合物をエピコート(Epi
kote)８２８およびキャップキュア(Capcure) ３-８００
［ミラー・ステフェンソン・カンパニー(Miller Stephe
nsonCompany)製］と共に、透明な溶液が得られるまで
１：１：１の比率で室温で撹拌する。溶液が約１／２時
間後には室温でもう硬化してしまうので、撹拌時間はで
きるだけ短くする。この溶液をスペーサ（２０μｍ）と
共に電極層を設けた透明な２枚のガラス支持板の間に導
入する。ガラス支持板を両方から加圧して、２０μｍの
厚さの均一なフィルムを得る。硬化工程を促進するため
に、フィルムを１００℃までの温度に加熱することがで
きる。
kote)８２８およびキャップキュア(Capcure) ３-８００
［ミラー・ステフェンソン・カンパニー(Miller Stephe
nsonCompany)製］と共に、透明な溶液が得られるまで
１：１：１の比率で室温で撹拌する。溶液が約１／２時
間後には室温でもう硬化してしまうので、撹拌時間はで
きるだけ短くする。この溶液をスペーサ（２０μｍ）と
共に電極層を設けた透明な２枚のガラス支持板の間に導
入する。ガラス支持板を両方から加圧して、２０μｍの
厚さの均一なフィルムを得る。硬化工程を促進するため
に、フィルムを１００℃までの温度に加熱することがで
きる。
【０４３９】１.３ a)の液晶混合物５gをPVAの２０％
水溶液１５gと共に２０００rpmで室温で２分間撹拌す
る。得られた溶液を２４時間脱気し、そして電極層を設
けたガラス支持板上にスペーサ（２０μｍ）と共に塗布
して薄層とする。この集成体を８５℃で１時間乾燥させ
た後、電極層を設けた第二のガラス支持板をその上にあ
てがい、２０μｍの厚さの均一なフィルムを得る。この
ようにして得られた系を８５℃でさらに２４時間乾燥さ
せる。 ２. 網目構造体系 a) の液晶混合物を重合性化合物としてトリメチロール
プロパントリアクリレートおよび光重合開始剤としての
２-ヒドロキシ-２-メチル-１-フェニルプロパン-１-オ
ン［ダロキュア(Darocure)１１７３、ダルムシュタット
のE. メルク社の商品］と共に８０：１９.８：０.２の
比率で撹拌する。これを電極層を設けた２枚のガラス支
持板の間に、２０μｍの厚さのスペーサーと共に導入す
る。ポリマーを硬化させるために、得られた系をハロゲ
ンランプ（７０Ｗ／cm）の放射線場を一定の速度（３m
／分）で通過させる。
水溶液１５gと共に２０００rpmで室温で２分間撹拌す
る。得られた溶液を２４時間脱気し、そして電極層を設
けたガラス支持板上にスペーサ（２０μｍ）と共に塗布
して薄層とする。この集成体を８５℃で１時間乾燥させ
た後、電極層を設けた第二のガラス支持板をその上にあ
てがい、２０μｍの厚さの均一なフィルムを得る。この
ようにして得られた系を８５℃でさらに２４時間乾燥さ
せる。 ２. 網目構造体系 a) の液晶混合物を重合性化合物としてトリメチロール
プロパントリアクリレートおよび光重合開始剤としての
２-ヒドロキシ-２-メチル-１-フェニルプロパン-１-オ
ン［ダロキュア(Darocure)１１７３、ダルムシュタット
のE. メルク社の商品］と共に８０：１９.８：０.２の
比率で撹拌する。これを電極層を設けた２枚のガラス支
持板の間に、２０μｍの厚さのスペーサーと共に導入す
る。ポリマーを硬化させるために、得られた系をハロゲ
ンランプ（７０Ｗ／cm）の放射線場を一定の速度（３m
／分）で通過させる。
【０４４０】方法b）１.１〜１.３および２によって製
造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメ
ーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な値、お
よび特に低いしきい電圧を特徴とする。
造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメ
ーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な値、お
よび特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０４４１】実施例２ a) 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ９％のp-トランス-４-プロピルシクロヘキシルベンゾニ
トリル； ７％のp-トランス-４-ブチルシクロヘキシルベンゾニト
リル； １２.５％のp-トランス-４-ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ７.５％のp-トランス-４-ヘプチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； ３.５％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
-４′-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）ビフェ
ニル； ８％の４-ペンチル-４″-シアノテルフェニル； ４％のトランス-４-ブチルシクロヘキシルカルボン酸４
-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）フェニル； １１％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）-
４′-シアノビフェニル； ３.５％の１-（４-（４-ペンチルフェニル）フェニル）
-２-（４-シアノフェニル）エタン； ３.５％の１-（４-（４-ペンチルフェニル）フェニル）
-２-（３-フルオロ-４-シアノフェニル）エタン； ３.５％の１-（４-（４-プロピルフェニル）フェニル）
-２-（３-フルオロ-４-シアノフェニル）エタン； ２.５％の４-プロピル-４′-シアノビフェニル； ７.５％の４-エチル-４′-シアノビフェニル； １７％の４-ペンチル-４′-シアノビフェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ９％のp-トランス-４-プロピルシクロヘキシルベンゾニ
トリル； ７％のp-トランス-４-ブチルシクロヘキシルベンゾニト
リル； １２.５％のp-トランス-４-ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ７.５％のp-トランス-４-ヘプチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； ３.５％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
-４′-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）ビフェ
ニル； ８％の４-ペンチル-４″-シアノテルフェニル； ４％のトランス-４-ブチルシクロヘキシルカルボン酸４
-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）フェニル； １１％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）-
４′-シアノビフェニル； ３.５％の１-（４-（４-ペンチルフェニル）フェニル）
-２-（４-シアノフェニル）エタン； ３.５％の１-（４-（４-ペンチルフェニル）フェニル）
-２-（３-フルオロ-４-シアノフェニル）エタン； ３.５％の１-（４-（４-プロピルフェニル）フェニル）
-２-（３-フルオロ-４-シアノフェニル）エタン； ２.５％の４-プロピル-４′-シアノビフェニル； ７.５％の４-エチル-４′-シアノビフェニル； １７％の４-ペンチル-４′-シアノビフェニル。
【０４４２】 透明点 Ｔｃ＝９３℃ 粘度 η＝３８mm2／秒（２０℃） 光学異方性 Δn＝0.２０（２０℃、５８９nm) 誘電異方性 Δε＝１５.２（２０℃、１kHz) ｂ） 上記電気光学液晶系を実施例１、１.１〜１.３お
よび２に記載した方法によって製造する。
よび２に記載した方法によって製造する。
【０４４３】参考例１ a) 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメー
ターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １１％の４-エチル-４′-シアノビフェニル； ５％の４-プロピル-４′-シアノビフェニル； １０％の４-ヘプチル-４′-シアノビフェニル； ３７％の４-ペンチル-４′-シアンビフェニル； １２％の４-オクトキシ-４′-シアノビフェニル； １５％の４-ペンチル３″,５″-ジフルオロ-４″-シア
ノテルフェニル； １０％の４-ペンチル３′,５′-ジフルオロ-４″-シア
ノテルフェニル。
ターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １１％の４-エチル-４′-シアノビフェニル； ５％の４-プロピル-４′-シアノビフェニル； １０％の４-ヘプチル-４′-シアノビフェニル； ３７％の４-ペンチル-４′-シアンビフェニル； １２％の４-オクトキシ-４′-シアノビフェニル； １５％の４-ペンチル３″,５″-ジフルオロ-４″-シア
ノテルフェニル； １０％の４-ペンチル３′,５′-ジフルオロ-４″-シア
ノテルフェニル。
【０４４４】 誘電異方性 Δε＝２０.０（２０℃、１kHz) 光学異方性 Δn＝0.２３３（２０℃、５８９nm) ｂ） 上記電気光学液晶系を実施例１、１.１〜１.３お
よぶ２に記載した方法によって製造する。
よぶ２に記載した方法によって製造する。
【０４４５】参考例２ a) 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気光
学液晶系： ２８％の２-（４-シアノフェニル）-５-エチルピリジ
ン； ２８％の２-（４-シアノフェニル）-５-プロピルピリジ
ン； ２９％の２-（４-シアノフェニル）-５-ペンチルピリジ
ン； １５％の４-ペンチル３″,５″-ジフルオロ-４″-シア
ノテルフェニル； ｂ） 上記電気光学液晶系を実施例１、b)に記載した方
法によって製造する。
学液晶系： ２８％の２-（４-シアノフェニル）-５-エチルピリジ
ン； ２８％の２-（４-シアノフェニル）-５-プロピルピリジ
ン； ２９％の２-（４-シアノフェニル）-５-ペンチルピリジ
ン； １５％の４-ペンチル３″,５″-ジフルオロ-４″-シア
ノテルフェニル； ｂ） 上記電気光学液晶系を実施例１、b)に記載した方
法によって製造する。
【０４４６】実施例３ a) 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気光
学液晶系： １９％の２-（４-シアノフェニル）-５-エチルピリミジ
ン； １９％の２-（４-シアノフェニル）-５-ブチルピリミジ
ン； １９％の２-（４-シアノフェニル）-５-ペンチルピリミ
ジン；ロ-４-シアノフェニル）エタン； １２％の４-ペンチル-４′-シアノビフェニル。
学液晶系： １９％の２-（４-シアノフェニル）-５-エチルピリミジ
ン； １９％の２-（４-シアノフェニル）-５-ブチルピリミジ
ン； １９％の２-（４-シアノフェニル）-５-ペンチルピリミ
ジン；ロ-４-シアノフェニル）エタン； １２％の４-ペンチル-４′-シアノビフェニル。
【０４４７】ｂ） 上記電気光学液晶系を実施例１、b)
に記載した方法によって製造する。
に記載した方法によって製造する。
【０４４８】参考例３ a) 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気光
学液晶系： ２０％の２-（４-シアノフェニル）-５-エチルピリミジ
ン； ２０％の２-（４-シアノフェニル）-５-プロピルピリミ
ジン； ２０％の２-（４-シアノフェニル）-５-ペンチルピリミ
ジン； ２０％の４-ペンチル３″,５″-ジフルオロ-４″-シア
ノテルフェニル； ２０％の４-ペンチル-４′-シアノビフェニル。
学液晶系： ２０％の２-（４-シアノフェニル）-５-エチルピリミジ
ン； ２０％の２-（４-シアノフェニル）-５-プロピルピリミ
ジン； ２０％の２-（４-シアノフェニル）-５-ペンチルピリミ
ジン； ２０％の４-ペンチル３″,５″-ジフルオロ-４″-シア
ノテルフェニル； ２０％の４-ペンチル-４′-シアノビフェニル。
【０４４９】ｂ） 上記電気光学液晶系を実施例１、b)
に記載した方法によって製造する。
に記載した方法によって製造する。
【０４５０】実施例４ a) 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気光
学液晶系： ２０％の１-（トランス-４-（トランス-４-プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル-２-（３-フルオロ-４-
シアノフェニル）エタン； １４.４％のp-トランス-４-プロピルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １１.２％のp-トランス-４-ブチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； ２０％のp-トランス-４-ペンチルシクロヘキシルベンゾ
ニトリル； １２％のp-トランス-４-ヘプチルシクロヘキシルベンゾ
ニトリル； ５.６％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
-４′-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）ビフェ
ニル； ４.８％の４-ペンチル-４″-シアノテルフェニル； ６.４％トランス-４-ブチルシクロヘキシルカルボン酸
４-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）フェニ
ル； ５.６％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
-４′-シアノビフェニル。
学液晶系： ２０％の１-（トランス-４-（トランス-４-プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシル-２-（３-フルオロ-４-
シアノフェニル）エタン； １４.４％のp-トランス-４-プロピルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １１.２％のp-トランス-４-ブチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； ２０％のp-トランス-４-ペンチルシクロヘキシルベンゾ
ニトリル； １２％のp-トランス-４-ヘプチルシクロヘキシルベンゾ
ニトリル； ５.６％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
-４′-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）ビフェ
ニル； ４.８％の４-ペンチル-４″-シアノテルフェニル； ６.４％トランス-４-ブチルシクロヘキシルカルボン酸
４-（トランス-４-プロピルシクロヘキシル）フェニ
ル； ５.６％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
-４′-シアノビフェニル。
【０４５１】b) 実施例１b) に記載した方法によって
製造した電気光学液晶系は広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
製造した電気光学液晶系は広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０４５２】参考例４ a) 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的デ
ータを有している： ４３％の４-ペンチル-４′-シアノビフェニル； １７％の４-プロポキシ-４′-シアノビフェニル； １３％の４-ペントキシ-４′-シアノビフェニル； １７％の４-オクトキシ-４′-シアノビフェニル； １０％の４-ペンチル-４″-シアノテルフェニル。
ータを有している： ４３％の４-ペンチル-４′-シアノビフェニル； １７％の４-プロポキシ-４′-シアノビフェニル； １３％の４-ペントキシ-４′-シアノビフェニル； １７％の４-オクトキシ-４′-シアノビフェニル； １０％の４-ペンチル-４″-シアノテルフェニル。
【０４５３】 複屈折 Δn ＝０.２４６（２０℃、５８９nm） しきい電圧 Ｖ ［９０．０．２０］＝１．４４Ｖ しきい電圧はd＝７μｍのセル間隔を有し、直交偏光子
間に設置されたTNセル（ねじれ角度Ψ＝π／４）中で測
定した。
間に設置されたTNセル（ねじれ角度Ψ＝π／４）中で測
定した。
【０４５４】b) 以下の化合物から成る液晶混合物は以
下の物理的特性を有している。
下の物理的特性を有している。
【０４５５】３０％の４-ペンチル-４′-シアノビフェ
ニル； １５％の４-エチル-４′-シアノビフェニル； ２０％の４-（プロピルフェニル）-３-フルオロ-４′-
シアノビフェニル； １０％の４-プロピル-２-フルオロ-４′-シアノビフェ
ニル； １５％の４-ペンチル-２-フルオロ-４′-シアノビフェ
ニル； １０％の４-ペンチル-４″-フルオロ-４″-シアノテル
フェニル。
ニル； １５％の４-エチル-４′-シアノビフェニル； ２０％の４-（プロピルフェニル）-３-フルオロ-４′-
シアノビフェニル； １０％の４-プロピル-２-フルオロ-４′-シアノビフェ
ニル； １５％の４-ペンチル-２-フルオロ-４′-シアノビフェ
ニル； １０％の４-ペンチル-４″-フルオロ-４″-シアノテル
フェニル。
【０４５６】 複屈折 Δn ＝０.２４６ しきい電圧 V ［９０.０.２０］＝１.２６V しきい電圧はd＝７μｍのセル間隔を有し、直交偏光子
間に設置されたTNセル（ねじれ角度Ψ＝π／４）中で測
定した。
間に設置されたTNセル（ねじれ角度Ψ＝π／４）中で測
定した。
【０４５７】本発明の混合物の有利な特性は参考例４a)
およびb)の結果の比較から明らかでる。
およびb)の結果の比較から明らかでる。
【０４５８】c) 電気光学系を参考例４a)およびb) の
混合物を用いて実施例１b) に記載した方法によって製
造した。参考例４b)の液晶混合物で製造した系は参考例
４a)の混合物で製造した系より有利な特性を有してお
り、特に低いしきい電圧を特徴とする。
混合物を用いて実施例１b) に記載した方法によって製
造した。参考例４b)の液晶混合物で製造した系は参考例
４a)の混合物で製造した系より有利な特性を有してお
り、特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０４５９】参考例５ a) 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的特
性を有している： ２０％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
ベンゾニトリル； １５％の４-ペンチル-４′-シアノビフェニル； １５％の４-エチル-４′-シアノテルフェニル； ５％の４-ペンチル-４″-シアノテルフェニル； １５％の４-（４-プロピルフェニル）-３-フルオロ−
４’−シアノビフェニル； １０％の４−プロピル−２−フルオロ−４’−シアノビ
フェニル； １５％の４−ペンチル−２−フルオロ−４’−シアノビ
フェニル； ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−シアノビフェニル。
性を有している： ２０％の４-（トランス-４-ペンチルシクロヘキシル）
ベンゾニトリル； １５％の４-ペンチル-４′-シアノビフェニル； １５％の４-エチル-４′-シアノテルフェニル； ５％の４-ペンチル-４″-シアノテルフェニル； １５％の４-（４-プロピルフェニル）-３-フルオロ−
４’−シアノビフェニル； １０％の４−プロピル−２−フルオロ−４’−シアノビ
フェニル； １５％の４−ペンチル−２−フルオロ−４’−シアノビ
フェニル； ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−シアノビフェニル。
【０４６０】 複屈折 △ｎ＝０．２１８（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ０＝１．５２２（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１６．７１（２０℃、１ｋＨｚ） しきい電圧 Ｖ［９０．０．２０］＝１．３３Ｖ しきい電圧はｄ＝７μｍのセル間隔を有し、直交偏光子
間に設置されたＴＮセル（ねじれ角度ψ＝π／４）で測
定した。
間に設置されたＴＮセル（ねじれ角度ψ＝π／４）で測
定した。
【０４６１】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０４６２】参考例６ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： １２％の４−エチル−４−シアノビフェニル； ４％の４−プロピル−４−シアノビフェニル； ２９．６％の４−ペンチル−４−シアノビフェニル； ８．８％の４−プロポキシ−４−シアノビフェニル； ８．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２０．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ５．６％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル； １２％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
−４’−シアノビフェニル。
特性を有している： １２％の４−エチル−４−シアノビフェニル； ４％の４−プロピル−４−シアノビフェニル； ２９．６％の４−ペンチル−４−シアノビフェニル； ８．８％の４−プロポキシ−４−シアノビフェニル； ８．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２０．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ５．６％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル； １２％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
−４’−シアノビフェニル。
【０４６３】 複屈折 △ｎ＝０．２８６（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５３０（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１３．５（２０℃、１ｋＨｚ） しきい電圧 Ｖ［９０．０．２０］＝１．６６Ｖ 吸光係数 γ＝１．６２９（λ：３５０ｎｍ） γ＝０．１３０（λ：３６０ｎｍ） γ＝０．００６（λ：３７０ｎｍ） 透明点 Ｎ １１３ Ｉ 吸光係数は式
【０４６４】
【数１】 （式中、Ａは吸光度であり、ｌは光が直交する液晶層の
ｃｍで示した厚さであり、およびＣＷは溶液１００ｍｌ
当りのｇ数で示した液晶の質量である）によって求め
る。
ｃｍで示した厚さであり、およびＣＷは溶液１００ｍｌ
当りのｇ数で示した液晶の質量である）によって求め
る。
【０４６５】しきい電圧は参考例５ａ）で示したように
測定した。
測定した。
【０４６６】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０４６７】参考例７ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： １４％の４−エチル−４−シアノビフェニル； ５％の４−プロピル−４−シアノビフェニル； ３３．０％の４−ペンチル−４−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４−シアノビフェニル； １０．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニ
ル； ２３．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ３．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル。
特性を有している： １４％の４−エチル−４−シアノビフェニル； ５％の４−プロピル−４−シアノビフェニル； ３３．０％の４−ペンチル−４−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４−シアノビフェニル； １０．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニ
ル； ２３．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ３．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル。
【０４６８】 複屈折 △ｎ＝０．２８７（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５３３（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１４．１（２０℃、１ｋＨｚ） しきい電圧 Ｖ［９０．０．２０］＝１．６０Ｖ 透明点 Ｎ ９６ Ｉ しきい電圧は参考例５ａ）で示したように測定した。
【０４６９】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０４７０】参考例８ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： ３５．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １４．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ６．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２３．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ３．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル； ７．０％の４−オクトキシ−４’シアノビフェニル。
特性を有している： ３５．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １４．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ６．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２３．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ３．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル； ７．０％の４−オクトキシ−４’シアノビフェニル。
【０４７１】 複屈折 △ｎ＝０．２８０（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５２７（２０℃） 誘電異方性 △ε＝１３．０（２０℃、１ｋＨｚ） しきい電圧 Ｖ［９０．０．２０］＝１．７１Ｖ 透明点 Ｎ ９７ Ｉ しきい電圧は参考例５ａ）で示したように測定した。
【０４７２】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０４７３】参考例９ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： ３２．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １３．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ８．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２２．０％の４−（４−プロピルフェニル）−４−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ３．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル； ５．０％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル。
特性を有している： ３２．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １３．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ８．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２２．０％の４−（４−プロピルフェニル）−４−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ３．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル； ５．０％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル。
【０４７４】 複屈折 △ｎ＝０．２８４（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５２６（２０℃、５８９ｎｍ） 透明点 Ｎ １０８ Ｉ ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０４７５】参考例１０ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： ３３．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １４．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １０．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニ
ル； ２３．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ３．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル； ５．０％の４−オクトキシ−４’シアノビフェニル。
特性を有している： ３３．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １４．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １０．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニ
ル； ２３．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ３．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル； ５．０％の４−オクトキシ−４’シアノビフェニル。
【０４７６】 複屈折 △ｎ＝０．２８８（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５２８（２０℃、５８９ｎｍ） 透明点 Ｎ １０５ Ｉ ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０４７７】参考例１１ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： ３０．０％の４−ヘキシル−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ７．０％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； １５．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ベンゾにトリル； ８．０％の１−プロポキシ−トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン； ２０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−４’−シアノビフェニル。
特性を有している： ３０．０％の４−ヘキシル−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ７．０％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； １５．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ベンゾにトリル； ８．０％の１−プロポキシ−トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサン； ２０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−４’−シアノビフェニル。
【０４７８】 複屈折 △ｎ＝０．２２９３（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５１５１（２０℃、５８９ｎｍ） 透明点 Ｎ １０２ Ｉ ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０４７９】参考例１２ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： ３２．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １３．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ６．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２３．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ３．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル； ５．０％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル。
特性を有している： ３２．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １３．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ６．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２３．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ３．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）フェニルカル
ボン酸４−（４−シアノフェニル）フェニル； ５．０％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル。
【０４８０】 複屈折 △ｎ＝０．２８３（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５６４（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１２．８（２０℃、１ｋＨｚ） しきい電圧 Ｖ［９０．０．２０］＝１．７３Ｖ 透明点 Ｎ １０８ Ｉ しきい電圧は実施例９ａ）で示したように測定した。
【０４８１】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０４８２】参考例１３ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： １０．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ７．０％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニル； ３１．０％の４−ヘキシル−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ２０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−４’−シアノビフェニル； １５．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’シアノビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル。
特性を有している： １０．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ７．０％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニル； ３１．０％の４−ヘキシル−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ２０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−４’−シアノビフェニル； １５．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’シアノビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル。
【０４８３】 複屈折 △ｎ＝０．２３７３（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５１８３（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１４．０ 透明点 Ｎ １０５ Ｉ ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０４８４】参考例１４ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： ２０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １０．０％の４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル； １０．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； ７．０％の４−プロピル−４−シアノビフェニル； １０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ８．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル。
特性を有している： ２０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １０．０％の４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル； １０．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； ７．０％の４−プロピル−４−シアノビフェニル； １０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； ８．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル。
【０４８５】 複屈折 △ｎ＝０．２０４２（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５１３２（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１４．８（２０℃、１ｋＨｚ） 透明点 Ｎ ８１ Ｉ ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０４８６】参考例１５ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： ３０．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １５．０％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； ２０．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−プロピル−２−フルオロ−４’−シア
ノビフェニル； １５．０％の４−ペンチル−２−フルオロ−４’−シア
ノビフェニル； １０．０％の４−ペンチル−３”−フルオロ−４”−シ
アノテルフェニル。
特性を有している： ３０．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １５．０％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； ２０．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−プロピル−２−フルオロ−４’−シア
ノビフェニル； １５．０％の４−ペンチル−２−フルオロ−４’−シア
ノビフェニル； １０．０％の４−ペンチル−３”−フルオロ−４”−シ
アノテルフェニル。
【０４８７】 複屈折 △ｎ＝０．２４６（２０℃、５８９ｎｍ） しきい電圧 Ｖ［９０．０．２０］＝１．２６Ｖ 透明点 Ｎ ６２ Ｉ しきい電圧は参考例５ａ）で示したように測定した。
【０４８８】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０４８９】実施例５ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： ２５．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １５．０％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； １８．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−プロピル−２−フルオロ−４’−シア
ノビフェニル； １０．０％の４−ペンチル−２−フルオロ−４’−シア
ノビフェニル； １０．０％の４−ペンチル−３”，５”−ジフルオロ−
４”−シアノテルフェニル； ６．０％の４−ノニル−３”−フルオロ−４”−シアノ
テルフェニル； ６．０％の１−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−２−［４−
（４−シアノフェニル）フェニル］エタン。
特性を有している： ２５．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １５．０％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； １８．０％の４−（４−プロピルフェニル）−３−フル
オロ−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−プロピル−２−フルオロ−４’−シア
ノビフェニル； １０．０％の４−ペンチル−２−フルオロ−４’−シア
ノビフェニル； １０．０％の４−ペンチル−３”，５”−ジフルオロ−
４”−シアノテルフェニル； ６．０％の４−ノニル−３”−フルオロ−４”−シアノ
テルフェニル； ６．０％の１−［トランス−４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−２−［４−
（４−シアノフェニル）フェニル］エタン。
【０４９０】 複屈折 △ｎ＝０．２５８（２０℃、５８９ｎｍ） しきい電圧 Ｖ［９０．０．２０］＝１．３３Ｖ 誘電異方性 △ε＝１９．７（２０℃、１ｋＨｚ） 透明点 Ｎ ８２ Ｉ しきい電圧は参考例５ａ）で示したように測定した。
【０４９１】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０４９２】参考例１６ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−
５−ペンチルピリミジン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）−
５−ペンチルピリミジン。
【０４９３】 粘度 η＝３４ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１５（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１７．８（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０４９４】参考例１７ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４’（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４’（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン。
【０４９５】 透明点 ＴＣ＝８０℃ 粘度 η＝３３ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１６（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１５．５（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０４９６】参考例１８ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．５％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リミジン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．５％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リミジン。
【０４９７】 透明点 ＴＣ＝８２℃ 粘度 η＝３４ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１６（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１６．１（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０４９８】参考例１９ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １７％の１−ジフルオロメトキシ−２−フルオロ−４−
［トランス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル］ベンゼン； １７％の１−ジフルオロメトキシ−２−フルオロ−４−
［トランス−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル］ベンゼン； １７％の１−ジフルオロメトキシ−２−フルオロ−４−
［トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル］ベンゼン； １１％の１−ジフルオロメトキシ−４−［トランス−４
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル］ベンゼン； ６％の１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−２−（４−ジフルオロメトキシフェニル）エタン； ６％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−２−（４−ジフルオロメトキシフェニル）エタン； ６％の１−ジフルオロメトキシ−４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）ベンゼン； ８％の４−プロピル−４’−ジフルオロメトキシビフェ
ニル； １２％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−ジフルオロメトキシビフェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １７％の１−ジフルオロメトキシ−２−フルオロ−４−
［トランス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル］ベンゼン； １７％の１−ジフルオロメトキシ−２−フルオロ−４−
［トランス−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル］ベンゼン； １７％の１−ジフルオロメトキシ−２−フルオロ−４−
［トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル］ベンゼン； １１％の１−ジフルオロメトキシ−４−［トランス−４
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル］ベンゼン； ６％の１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−２−（４−ジフルオロメトキシフェニル）エタン； ６％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−２−（４−ジフルオロメトキシフェニル）エタン； ６％の１−ジフルオロメトキシ−４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）ベンゼン； ８％の４−プロピル−４’−ジフルオロメトキシビフェ
ニル； １２％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−ジフルオロメトキシビフェニル。
【０４９９】 透明点 ＴＣ＝８７℃ 粘度 η＝１９ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．０９８５（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝６．３（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）、１．１〜１．３および２に記載し
た方法によって電気光学液晶系を製造する。
た方法によって電気光学液晶系を製造する。
【０５００】方法ｂ）１．１〜１．３および２によって
製造した電気光学系は良好な製造性、広い使用温度範
囲、電気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に
関する有利な値、低いしきい電圧および良好なコントラ
スト並びに、特に高い安定性を特徴とする。
製造した電気光学系は良好な製造性、広い使用温度範
囲、電気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に
関する有利な値、低いしきい電圧および良好なコントラ
スト並びに、特に高い安定性を特徴とする。
【０５０１】参考例２０ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； ２５％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １５％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル。
光学液晶系： ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； ２５％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １５％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル。
【０５０２】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０５０３】実施例６ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； ２０％の４−ペンチル−２−フルオロ−４’−シアノビ
フェニル； １０％の１−（４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル）−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）エタ
ン； １０％の４−ペンチル−４’−シアノテルフェニル。
光学液晶系： ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； ２０％の４−ペンチル−２−フルオロ−４’−シアノビ
フェニル； １０％の１−（４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル）−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）エタ
ン； １０％の４−ペンチル−４’−シアノテルフェニル。
【０５０４】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０５０５】実施例７ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： ３０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ３０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； １０％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペン
チルフェニル）ピリジン； １０％の１−（４−（５−ペンチルピリジニル−２）フ
ェニル）−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）
エタン。
光学液晶系： ３０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ３０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； １０％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペン
チルフェニル）ピリジン； １０％の１−（４−（５−ペンチルピリジニル−２）フ
ェニル）−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）
エタン。
【０５０６】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０５０７】実施例８ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： ３０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ３０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； １０％の１−（４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル）−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）エタ
ン； １０％の１−（４−ペンチルフェニル）−２−（４−
（４−シアノフェニル）フェニル）エタン。
光学液晶系： ３０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ３０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； １０％の１−（４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル）−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）エタ
ン； １０％の１−（４−ペンチルフェニル）−２−（４−
（４−シアノフェニル）フェニル）エタン。
【０５０８】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０５０９】参考例２１ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−エチルピリ
ミジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
ミリジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リミジン； ２０％の４−ペンチル−３”，５”−ジフルオロ−４”
−シアノテルフェニル； ２０％の２−フルオロ−４−ペンチル−４’−シアノビ
フェニル。
光学液晶系： ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−エチルピリ
ミジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
ミリジン； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リミジン； ２０％の４−ペンチル−３”，５”−ジフルオロ−４”
−シアノテルフェニル； ２０％の２−フルオロ−４−ペンチル−４’−シアノビ
フェニル。
【０５１０】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０５１１】参考例２２ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ル−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ル−１，３−ジオキサン； ２０．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １０．０％の４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ル−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ル−１，３−ジオキサン； ２０．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １０．０％の４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル。
【０５１２】 透明点 ＴＣ＝７６℃ 粘度 η＝３４ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１３１（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１７（１ｋＨｚ、２０℃） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０５１３】参考例２３ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ル−１，３−ジオキサン； １０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ル−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４’−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）ビフェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ル−１，３−ジオキサン； １０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ル−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４’−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）ビフェニル。
【０５１４】 透明点 ＴＣ＝６８℃ 粘度 η＝４５ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１３１（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１７（１ｋＨｚ、２０℃） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０５１５】参考例２４ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピル−
１，３−ジオキサン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル−
１，３−ジオキサン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチル−
１，３−ジオキサン； ２０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； ２０％の４’−ヘプチル−４’−シアノビフェニル； ５％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビ
フェニル； ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ビ
フェニル； ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビ
フェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピル−
１，３−ジオキサン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル−
１，３−ジオキサン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチル−
１，３−ジオキサン； ２０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； ２０％の４’−ヘプチル−４’−シアノビフェニル； ５％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビ
フェニル； ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ビ
フェニル； ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビ
フェニル。
【０５１６】 透明点 ＴＣ＝７２℃ 粘度 η＝３８ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１６６（５８９ｎｍ、２０℃） 誘電異方性 △ε＝２０（１ｋＨｚ、２０℃） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０５１７】参考例２５ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピル−
１，３−ジオキサン； １０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル−
１，３−ジオキサン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチル−
１，３−ジオキサン； ５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピリ
ミジン； １０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ヘプチルピ
リミジン； １５％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル； １０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル； １０％の４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル； ５％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビ
フェニル； ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビ
フェニル； ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビ
フェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピル−
１，３−ジオキサン； １０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル−
１，３−ジオキサン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチル−
１，３−ジオキサン； ５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピリ
ミジン； １０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ヘプチルピ
リミジン； １５％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル； １０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル； １０％の４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル； ５％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビ
フェニル； ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビ
フェニル； ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビ
フェニル。
【０５１８】 透明点 ＴＣ＝７６℃ 粘度 η＝３８ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１５（５８９ｎｍ、２０℃） 誘電異方性 △ε＝２１（１ｋＨｚ、２０℃） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０５１９】実施例９ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： ２０％の１−（４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル）−２−（４−シアノフェニル）エタン； １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル。
光学液晶系： ２０％の１−（４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル）−２−（４−シアノフェニル）エタン； １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル。
【０５２０】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０５２１】実施例１０ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−２−（４−シアノフェニル）エタン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−２−（４−シアノフェニル）エタン。
【０５２２】 透明点 ＴＣ＝８０℃ 粘度 η＝２９ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１４（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１１．８（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値並びに、特に低いしきい電圧および高いコントラスト
を特徴とする。
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値並びに、特に低いしきい電圧および高いコントラスト
を特徴とする。
【０５２３】参考例２６ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２１．２％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； ２１．２％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； ２１．２％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ２１．２％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； ５．０％の４−プロポキシ−４’−フルオロトラン； ５．０％の４−ブトキシ−４’−フルオロトラン； ５．０％の４−ペントキシ−４’−フルオロトラン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２１．２％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； ２１．２％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； ２１．２％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ２１．２％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； ５．０％の４−プロポキシ−４’−フルオロトラン； ５．０％の４−ブトキシ−４’−フルオロトラン； ５．０％の４−ペントキシ−４’−フルオロトラン。
【０５２４】 透明点 ＴＣ＝７５℃ 粘度 η＝５８ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．２６２７（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ０＝１．５２７７（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝２２．６（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧および高いコントラストを特徴とす
る。
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧および高いコントラストを特徴とす
る。
【０５２５】実施例１１ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： １６．９％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．７％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２２．５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １４．５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０．０％の１−［４−（トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン。
光学液晶系： １６．９％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．７％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２２．５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １４．５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０．０％の１−［４−（トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン。
【０５２６】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は良好な製造性、広い使用温度範
囲、電気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に
関する有利な値、低いしきい電圧および良好なコントラ
ストを特徴とする。
て製造した電気光学系は良好な製造性、広い使用温度範
囲、電気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に
関する有利な値、低いしきい電圧および良好なコントラ
ストを特徴とする。
【０５２７】参考例２７ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の３−（４−イソチオシアナトフェニル）−５−
ペンチルピリミジン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の３−（４−イソチオシアナトフェニル）−５−
ペンチルピリミジン。
【０５２８】 透明点 ＴＣ＝８３℃ 粘度 η＝２８ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１８（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１４．６（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧および良好なコントラストを特徴と
する。
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧および良好なコントラストを特徴と
する。
【０５２９】参考例２８ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： １６．２％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．６％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２２．５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．３％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．４％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ７．２％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ６．３％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
−４−イソチオシアナトベンゼン。
光学液晶系： １６．２％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．６％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２２．５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．３％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．４％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ７．２％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ６．３％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
−４−イソチオシアナトベンゼン。
【０５３０】ｂ） 実施例１ｂ）、１．１〜１．３およ
び２に記載した方法によって電気光学液晶系を製造す
る。
び２に記載した方法によって電気光学液晶系を製造す
る。
【０５３１】この方法によって製造した電気光学系は良
好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学パラメーター
およびそれらの温度依存性に関する有利な値、低いしき
い電圧および高いコントラストを特徴とする。
好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学パラメーター
およびそれらの温度依存性に関する有利な値、低いしき
い電圧および高いコントラストを特徴とする。
【０５３２】参考例２９ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １２％の１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４−イソチオシアナトベンゼン； ８％の１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−
４−イソチオシアナトベンゼン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １２％の１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４−イソチオシアナトベンゼン； ８％の１−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−
４−イソチオシアナトベンゼン。
【０５３３】 透明点 ＴＣ＝８０℃ 粘度 η＝２４ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１５（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１１．８（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）、１．１〜１．３および２に記載し
た方法によって電気光学液晶系を製造する。
た方法によって電気光学液晶系を製造する。
【０５３４】この方法によって製造した電気光学系は良
好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学パラメーター
およびそれらの温度依存性に関する有利な値、低いしき
い電圧および高いコントラストを特徴とする。
好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学パラメーター
およびそれらの温度依存性に関する有利な値、低いしき
い電圧および高いコントラストを特徴とする。
【０５３５】参考例３０ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−ジフルオロメトキシビフェニル； １０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−ジフルオロメトキシビフェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−ジフルオロメトキシビフェニル； １０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−ジフルオロメトキシビフェニル。
【０５３６】 透明点 ＴＣ＝１０２℃ 粘度 η＝３１ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１５（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１１．４（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧および良好なコントラストを特徴と
する。
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧および良好なコントラストを特徴と
する。
【０５３７】参考例３１ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： １６．２％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．６％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２２．５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ５．４％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ７．２％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ６．３％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０％の４−ペンチル−４”−ジフルオロメトキシテル
フェニル； １３．５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．３％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル
ビフェニル。
光学液晶系： １６．２％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．６％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２２．５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ５．４％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ７．２％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ６．３％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０％の４−ペンチル−４”−ジフルオロメトキシテル
フェニル； １３．５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．３％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル
ビフェニル。
【０５３８】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は良好な製造性、広い使用温度範
囲、電気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に
関する有利な値、低いしきい電圧および高いコントラス
トを特徴とする。
て製造した電気光学系は良好な製造性、広い使用温度範
囲、電気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に
関する有利な値、低いしきい電圧および高いコントラス
トを特徴とする。
【０５３９】参考例３２ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４−フルオロベンゼン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４−フルオロベンゼン。
【０５４０】 粘度 η＝２０ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１２（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１０．２（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧および良好なコントラストを特徴と
する。
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧および良好なコントラストを特徴と
する。
【０５４１】参考例３３ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の２−（４−（３，４−ジフルオロフェニル）フ
ェニル）−５−へプチルピリミジン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ２０％の２−（４−（３，４−ジフルオロフェニル）フ
ェニル）−５−へプチルピリミジン。
【０５４２】 透明点 ＴＣ＝９７℃ 粘度 η＝４８ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１６（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１２．９（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧および良好なコントラストを特徴と
する。
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧および良好なコントラストを特徴と
する。
【０５４３】参考例３４ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−クロロビフェニル； １７．１％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．３％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２３．８％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １４．３％の４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ６．７％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ６．７％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．７％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ７．６％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−４’−クロロビフェニル； １７．１％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．３％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２３．８％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １４．３％の４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ６．７％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ６．７％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．７％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ７．６％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル。
【０５４４】 透明点 ＴＣ＝９５℃ 光学異方性 △ｎ＝０．１５（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１１．６（２０℃、１ｋＨｚ） フロー粘度 η＝３１ｍｍ2／秒（２０℃） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値、および特に高いＵＶ安定性を特徴とす
る。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値、および特に高いＵＶ安定性を特徴とす
る。
【０５４５】参考例３５ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４−クロロベンゼンル； １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４−クロロベンゼンル； １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル。
【０５４６】 透明点 ＴＣ＝６９℃ 光学異方性 △ｎ＝０．１３（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１０．８（２０℃、１ｋＨｚ） フロー粘度 η＝２１ｍｍ2／秒（２０℃） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値、および特に高いＵＶ安定性を特徴とす
る。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値、および特に高いＵＶ安定性を特徴とす
る。
【０５４７】参考例３６ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ５．０％の２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）−３”，４”−ジフルオロテルフェ
ニル； ８．０％の１−［４−（２−フルオロ−４−プロピルフ
ェニル）−フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； １１．０％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）−フェニル］−２−（４−フルオロフェニ
ル）エタン； ７．０％の１−｛４−［４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）−２−フルオロフェニル］−フェニ
ル｝−２−（３，４−ジフルオロフェニル）エタン； ７．０％の１−｛４−［４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）−２−フルオロフェニル］−フェニ
ル｝−２−（３，４−ジフルオロフェニル）エタン； ２．０％の１−｛４−［４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）−２−フルオロフェニル］−フェニ
ル｝−２−（３−フルオロフェニル）エタン； ６．０％の１−｛４−［４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）−２−フルオロフェニル］−フェニ
ル｝−２−（３−フルオロフェニル）エタン； １０．０％の４−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル； １０．０％の１−（４−ペンチルフェニル）−２−［４
−（３，４−ジフルオロフェニル）−フェニル］エタ
ン； １０．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル； １０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル； ７．０％の４−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−３’，４’，５’−トリフルオロビフェニル； ７．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−３’，４’，５’−トリフルオロビフェニル； 透明点 ＴＣ＝９７℃ 光学異方性 △ｎ＝０．１６６０（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５１１５（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝７．６（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値、および特に高いＵＶ安定性を特徴とす
る。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ５．０％の２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）−３”，４”−ジフルオロテルフェ
ニル； ８．０％の１−［４−（２−フルオロ−４−プロピルフ
ェニル）−フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； １１．０％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）−フェニル］−２−（４−フルオロフェニ
ル）エタン； ７．０％の１−｛４−［４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）−２−フルオロフェニル］−フェニ
ル｝−２−（３，４−ジフルオロフェニル）エタン； ７．０％の１−｛４−［４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）−２−フルオロフェニル］−フェニ
ル｝−２−（３，４−ジフルオロフェニル）エタン； ２．０％の１−｛４−［４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）−２−フルオロフェニル］−フェニ
ル｝−２−（３−フルオロフェニル）エタン； ６．０％の１−｛４−［４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）−２−フルオロフェニル］−フェニ
ル｝−２−（３−フルオロフェニル）エタン； １０．０％の４−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル； １０．０％の１−（４−ペンチルフェニル）−２−［４
−（３，４−ジフルオロフェニル）−フェニル］エタ
ン； １０．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル； １０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル； ７．０％の４−（トランス−４−エチルシクロヘキシ
ル）−３’，４’，５’−トリフルオロビフェニル； ７．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−３’，４’，５’−トリフルオロビフェニル； 透明点 ＴＣ＝９７℃ 光学異方性 △ｎ＝０．１６６０（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ0＝１．５１１５（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝７．６（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値、および特に高いＵＶ安定性を特徴とす
る。
【０５４８】参考例３７ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １２．１％のトランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸３−フルオ
ロ−４−クロロフェニル； ９．９％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸３−フルオロ
−４−クロロフェニル； ９．０％のトランス−４−プロピルシクロヘキシルカル
ボン酸３−フルオロ−４−クロロフェニル； ９．０％のトランス−４−ペンチルシクロヘキシルカル
ボン酸３−フルオロ−４−クロロフェニル； １０．０％のトランス−４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオ
ロ−４−ペンチルフェニル； １０．０％のトランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオ
ロ−４−ペンチルフェニル； １０．０％のトランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオ
ロ−４−ペンチルフェニル； １５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １２．１％のトランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸３−フルオ
ロ−４−クロロフェニル； ９．９％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸３−フルオロ
−４−クロロフェニル； ９．０％のトランス−４−プロピルシクロヘキシルカル
ボン酸３−フルオロ−４−クロロフェニル； ９．０％のトランス−４−ペンチルシクロヘキシルカル
ボン酸３−フルオロ−４−クロロフェニル； １０．０％のトランス−４−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオ
ロ−４−ペンチルフェニル； １０．０％のトランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオ
ロ−４−ペンチルフェニル； １０．０％のトランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオ
ロ−４−ペンチルフェニル； １５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル。
【０５４９】 粘度 η＝３０．４ｍｍ2／秒（２０℃） 複屈折 △ｎ＝０．１１（２０℃、５８９ｎｍ） 透明点 Ｎ １１４．９ Ｉ ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値、および特に高いＵＶ安定性を特徴とす
る。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値、および特に高いＵＶ安定性を特徴とす
る。
【０５５０】参考例３８ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １２．１％のトランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸３−フルオ
ロ−４−クロロフェニル； ９．９％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸３−フルオロ
−４−クロロフェニル； ９．０％のトランス−４−プロピルシクロヘキシルカル
ボン酸３−フルオロ−４−クロロフェニル； ９．０％のトランス−４−ペンチルシクロヘキシルカル
ボン酸３−フルオロ−４−クロロフェニル； ８．０％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオロ
−４−ペンチルフェニル； ７．０％のトランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオロ
−４−ペンチルフェニル； ７．０％のトランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオロ
−４−プロピルフェニル； １５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １３．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ２．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ８．０％のトランス−４−プロピルシクロヘキシルカル
ボン酸４−ペンチルフェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １２．１％のトランス−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸３−フルオ
ロ−４−クロロフェニル； ９．９％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸３−フルオロ
−４−クロロフェニル； ９．０％のトランス−４−プロピルシクロヘキシルカル
ボン酸３−フルオロ−４−クロロフェニル； ９．０％のトランス−４−ペンチルシクロヘキシルカル
ボン酸３−フルオロ−４−クロロフェニル； ８．０％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオロ
−４−ペンチルフェニル； ７．０％のトランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオロ
−４−ペンチルフェニル； ７．０％のトランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸２−フルオロ
−４−プロピルフェニル； １５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １３．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ２．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ８．０％のトランス−４−プロピルシクロヘキシルカル
ボン酸４−ペンチルフェニル。
【０５５１】 粘度 η＝２５．９ｍｍ2／秒（２０℃） 複屈折 △ｎ＝０．１０（２０℃、５８９ｎｍ） 透明点 Ｎ ９４．２ Ｉ ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値、および特に高いＵＶ安定性を特徴とす
る。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値、および特に高いＵＶ安定性を特徴とす
る。
【０５５２】参考例３９ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ６％の安息香酸４−プロピルフェニル−４−ヘプチル； ７％の安息香酸４−ペンチルフェニル−４−ヘプチル； ７．０％の安息香酸４−ヘプチルフェニル−４−ヘプチ
ル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ６％の安息香酸４−プロピルフェニル−４−ヘプチル； ７％の安息香酸４−ペンチルフェニル−４−ヘプチル； ７．０％の安息香酸４−ヘプチルフェニル−４−ヘプチ
ル。
【０５５３】 透明点 ＴＣ＝７７℃ 粘度 η＝３４ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１４（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値および、特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値および、特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０５５４】参考例４０ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： １２％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル； ２０％の４−プロピル−４’−シアノビフェニル； １３％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； ２０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １５％の４−プロピル−３’−フルオロ−４”−シアノ
テルフェニル； ２０％の４−ペントキシ−４’−フルオロトラン。
光学液晶系： １２％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ベンゾニトリル； ２０％の４−プロピル−４’−シアノビフェニル； １３％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； ２０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １５％の４−プロピル−３’−フルオロ−４”−シアノ
テルフェニル； ２０％の４−ペントキシ−４’−フルオロトラン。
【０５５５】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は良好な製造性、広い使用温度範
囲、電気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に
関する有利な値、低いしきい電圧および高いコントラス
トを特徴とする。
て製造した電気光学系は良好な製造性、広い使用温度範
囲、電気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に
関する有利な値、低いしきい電圧および高いコントラス
トを特徴とする。
【０５５６】参考例４１ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １８％の４−シアノ−４’−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）ビフェニル； ３５％の４−シアノ−４’−ヘキシルビフェニル； ２２％の４−シアノ−４’−ペンチルビフェニル； ９％の４−シアノ−４”−ペンチルテルフェニル； ５％の４−シアノ−４’−イル−ビフェニル−４−ヘプ
チル−４’−イル−ビフェニルカルボキシレート； ５％の４−シアノ−４’−ノノキシビフェニル； ６％の１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−２−（４−ペンチル−２−フルオロ−４’−イル−ビ
フェニル）エタン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １８％の４−シアノ−４’−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）ビフェニル； ３５％の４−シアノ−４’−ヘキシルビフェニル； ２２％の４−シアノ−４’−ペンチルビフェニル； ９％の４−シアノ−４”−ペンチルテルフェニル； ５％の４−シアノ−４’−イル−ビフェニル−４−ヘプ
チル−４’−イル−ビフェニルカルボキシレート； ５％の４−シアノ−４’−ノノキシビフェニル； ６％の１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−２−（４−ペンチル−２−フルオロ−４’−イル−ビ
フェニル）エタン。
【０５５７】 透明点 ＴＣ＝１００℃ 粘度 η＝５５ｍｍ2／秒（２０℃） 誘電異方性 △ε＝１４．１（２０℃、５８９ｎｍ） 光学異方性 △ｎ＝０．２４（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値および、低い
しきい電圧、良好な製造性および高いコントラストを特
徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値および、低い
しきい電圧、良好な製造性および高いコントラストを特
徴とする。
【０５５８】参考例４２ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（ペンチル
フェニル）ピリジン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（ペンチル
フェニル）ピリジン。
【０５５９】 透明点 ＴＣ＝８５℃ 粘度 η＝７０ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．２６９（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝２４．１（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、低いしきい電圧および高いコントラストを特
徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、低いしきい電圧および高いコントラストを特
徴とする。
【０５６０】実施例１２ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １５．０％の１−［４−（４−プロピルフェニル）フェ
ニル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）エタ
ン； １５．０％の１−［４−（４−ペンチルフェニル）フェ
ニル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）エタ
ン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １５．０％の１−［４−（４−プロピルフェニル）フェ
ニル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）エタ
ン； １５．０％の１−［４−（４−ペンチルフェニル）フェ
ニル−２−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）エタ
ン。
【０５６１】 透明点 ＴＣ＝９４℃ 光学異方性 △ｎ＝０．２７２（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝２５．６（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、低いしきい電圧および高いコントラストを特
徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、低いしきい電圧および高いコントラストを特
徴とする。
【０５６２】実施例１３ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １０．０％の１−（４−プロピルフェニル）フェニル−
２−［４−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）フェ
ニル］エタン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １０．０％の１−（４−プロピルフェニル）フェニル−
２−［４−（３−フルオロ−４−シアノフェニル）フェ
ニル］エタン。
【０５６３】 透明点 ＴＣ＝８２℃ 粘度 η＝７４ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．２６０（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝２５（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、低いしきい電圧および高いコントラストを特
徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、低いしきい電圧および高いコントラストを特
徴とする。
【０５６４】参考例４３ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １０．０％の４−ペンチル−３”，５”−ジフルオロ−
４”−シアノテルフェニル。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ２２．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １０．０％の４−ペンチル−３”，５”−ジフルオロ−
４”−シアノテルフェニル。
【０５６５】 透明点 ＴＣ＝８４℃ 粘度 η＝７５ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．２６６（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝２６（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、低いしきい電圧および高いコントラストを特
徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、低いしきい電圧および高いコントラストを特
徴とする。
【０５６６】参考例４４ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １０．０％の２−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）−５−プロピルピリミジン； １０．０％の２−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）−５−ペンチルピリミジン。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １０．０％の２−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）−５−プロピルピリミジン； １０．０％の２−（３−フルオロ−４−シアノフェニ
ル）−５−ペンチルピリミジン。
【０５６７】 透明点 ＴＣ＝７１℃ 粘度 η＝６８ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．２５３（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝２９．５（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、低いしきい電圧および高いコントラストを特
徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、低いしきい電圧および高いコントラストを特
徴とする。
【０５６８】実施例１４ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ２０．０％の１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−２−（３−
フルオロ−４−シアノフェニル）エタン。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ２０．０％の１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−２−（３−
フルオロ−４−シアノフェニル）エタン。
【０５６９】 透明点 ＴＣ＝９８℃ 粘度 η＝３９ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１３９（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１４（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
【０５７０】実施例１５ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ２０．０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−２−（３−フルオロ−４−フェニル）エタン。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ２０．０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−２−（３−フルオロ−４−フェニル）エタン。
【０５７１】 透明点 ＴＣ＝７６℃ 粘度 η＝３０ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１３０（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１３（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
【０５７２】参考例４５ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ２０．０％の４−ペンチル−４’−クロロビフェニル。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ２０．０％の４−ペンチル−４’−クロロビフェニル。
【０５７３】 透明点 ＴＣ＝７４℃ 粘度 η＝２７ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１５０（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１１（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
【０５７４】参考例４６ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １６．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２３．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ６．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ７．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−メトキシトラン； ５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−エトキシトラン。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １６．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２３．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ６．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ７．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−メトキシトラン； ５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−エトキシトラン。
【０５７５】 透明点 ＴＣ＝１０６℃ 粘度 η＝３０ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１６３（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１０．５（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
【０５７６】参考例４７ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ２０．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−３’，４’，５’−トリフルオロビフェニル。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ２０．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−３’，４’，５’−トリフルオロビフェニル。
【０５７７】 透明点 ＴＣ＝８２℃ 粘度 η＝３２ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１３８（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１３．５（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
【０５７８】実施例１５ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； １０．０％の１−（トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−（４−
シアノフェニル）エタン； １０．０％の１−（トランス−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−（４−
シアノフェニル）エタン。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； １０．０％の１−（トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−（４−
シアノフェニル）エタン； １０．０％の１−（トランス−４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−（４−
シアノフェニル）エタン。
【０５７９】 透明点 ＴＣ＝１１１℃ 粘度 η＝３６ｍｍ2／秒（２０℃） 誘電異方性 △ε＝１１．８（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
【０５８０】参考例４８ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； １０．０％の１−（４−プロピルフェニル）−２−［４
−（２−フルオロ−４−ペンチルフェニル）フェニル］
エタン； １０．０％の１−（４−ペンチルフェニル）−２−［４
−（２−フルオロ−４−プロピルフェニル）フェニル］
エタン。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル−４’−シアノビフェニル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； １０．０％の１−（４−プロピルフェニル）−２−［４
−（２−フルオロ−４−ペンチルフェニル）フェニル］
エタン； １０．０％の１−（４−ペンチルフェニル）−２−［４
−（２−フルオロ−４−プロピルフェニル）フェニル］
エタン。
【０５８１】 透明点 ＴＣ＝８５℃ 粘度 η＝２９ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１４６（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
【０５８２】参考例４９ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ３４．６５％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニ
ル； １３．５％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １０．３５％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １３．５％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−４’−シアノビフェニル； ９．０％の４−［２−（ｐ−プロピルフェニル）エチ
ル］−４’−シアノビフェニル；および９．０％の４−
［２−（ｐ−ペンチルフェニル）エチル］−４’−シア
ノビフェニル。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ３４．６５％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニ
ル； １３．５％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １０．３５％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １３．５％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−４’−シアノビフェニル； ９．０％の４−［２−（ｐ−プロピルフェニル）エチ
ル］−４’−シアノビフェニル；および９．０％の４−
［２−（ｐ−ペンチルフェニル）エチル］−４’−シア
ノビフェニル。
【０５８３】 Ｎ−Ｉ ８４℃ △ｎ ０．２４７（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、およびコントラストの
角度依存性が小さいことを特徴とする。
【０５８４】参考例５０ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； ２３％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； １７％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニル； １３％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニル； １７％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニ
ル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； ２３％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； １７％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニル； １３％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニル； １７％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニ
ル。
【０５８５】 透明点 ＴＣ＝７０．４℃ 粘度 η＝６１ｍｍ2／秒（２０℃） しきい電圧 Ｖ［９０．０．２０］＝１．３１Ｖ しきい電圧は参考例５ａに示したように測定する。
【０５８６】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
電気光学液晶系を製造する。
電気光学液晶系を製造する。
【０５８７】参考例５１ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １２％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； １８％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； ９％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニル； ９％の４−ペンチル−４”−シアノビフェニル； ２２％の４−プロピル−２’−フルオロ−４”−シアノ
テルフェニル； １５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １２％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； １８％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； ９％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニル； ９％の４−ペンチル−４”−シアノビフェニル； ２２％の４−プロピル−２’−フルオロ−４”−シアノ
テルフェニル； １５％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル。
【０５８８】 透明点 ＴＣ＝１１４℃ 粘度 η＝８６．６ｍｍ2／秒（２０℃） しきい電圧 Ｖ［９０．０．２０］＝１．６９Ｖ しきい電圧は参考例５ａに示したように測定する。
【０５８９】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
電気光学液晶系を製造する。
電気光学液晶系を製造する。
【０５９０】参考例５２ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １２％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； ５％の４−シアノビフェニル； ８．５％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； ８．５％の４−プロピル−４’−シアノビフェニル； ２０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １７％の４−プロピル−２’−フルオロ−４”−シアノ
テルフェニル； ９％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １２％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； ５％の４−シアノビフェニル； ８．５％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； ８．５％の４−プロピル−４’−シアノビフェニル； ２０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １７％の４−プロピル−２’−フルオロ−４”−シアノ
テルフェニル； ９％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル。
【０５９１】 透明点 ＴＣ＝６９．６℃ 粘度 η＝５１ｍｍ2／秒（２０℃） しきい電圧 Ｖ［９０．０．２０］＝１．２９Ｖ しきい電圧は参考例５ａに示したように測定する。
【０５９２】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
電気光学液晶系を製造する。
電気光学液晶系を製造する。
【０５９３】参考例５３ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： １４．０％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； １５．０％の４−ブチル−４’−シアノビフェニル； ４１．９％の４−ヘキシル−４’−シアノビフェニル； ２．５％の４−メトキシ−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ７．６％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ３．０％の４−（４−ペンチルフェニル）安息香酸４−
（４−シアノフェニル）フェニル； ４．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）安息香酸４−
（３−シアノフェニル）フェニル。
特性を有している： １４．０％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； １５．０％の４−ブチル−４’−シアノビフェニル； ４１．９％の４−ヘキシル−４’−シアノビフェニル； ２．５％の４−メトキシ−４’−シアノビフェニル； １２．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； ７．６％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ３．０％の４−（４−ペンチルフェニル）安息香酸４−
（４−シアノフェニル）フェニル； ４．０％の４−（４−ヘプチルフェニル）安息香酸４−
（３−シアノフェニル）フェニル。
【０５９４】 複屈折 △ｎ＝０．２３２（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ０＝１．７６６（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１５．８（２０℃、１ｋＨｚ） しきい電圧 Ｖ［１０．０．２０］＝１．２３Ｖ 透明点 ＴＣ＝６４℃ しきい電圧は７μｍのセル間隔を有し、直交偏光子間に
設置されたＴＮセル（ねじれ角度ψ＝π／４）で測定し
た。
設置されたＴＮセル（ねじれ角度ψ＝π／４）で測定し
た。
【０５９５】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターに関する有利な値および、特に低いしきい電
圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターに関する有利な値および、特に低いしきい電
圧を特徴とする。
【０５９６】実施例１７ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： ３４．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １３．０％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １３．０％の４−（４−ペンチルフェニル）−４’−シ
アノフェニル； １０．０％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １０．０％の１−（トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−４−（４−シ
アノフェニル）フェニル）エタン。
特性を有している： ３４．０％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−プロポキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １３．０％の４−エチル−４’−シアノビフェニル； １０．０％の４−ペントキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １３．０％の４−（４−ペンチルフェニル）−４’−シ
アノフェニル； １０．０％の４−オクトキシ−４’−シアノビフェニ
ル； １０．０％の１−（トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−４−（４−シ
アノフェニル）フェニル）エタン。
【０５９７】 複屈折 △ｎ＝０．２４３（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ０＝１．７６５（２０℃、５８９ｎｍ） 透明点 ＴＣ＝９１℃ ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値および、特に低いしきい電圧を特徴とす
る。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターに
関する有利な値および、特に低いしきい電圧を特徴とす
る。
【０５９８】実施例１８ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： ２０．０％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニ
ル｝−２−（４−フルオロフェニル）エタン； １０．０％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニ
ル｝−２−（４−フルオロフェニル）エタン； ３０．０％の１−｛４−［２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； ３０．０％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； １０．０％の１−［４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニ
ル）エタン； 透明点 ＴＣ＝１０４℃ 光学異方性 △ｎ＝０．１８９（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
特性を有している： ２０．０％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニ
ル｝−２−（４−フルオロフェニル）エタン； １０．０％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニ
ル｝−２−（４−フルオロフェニル）エタン； ３０．０％の１−｛４−［２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； ３０．０％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； １０．０％の１−［４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニ
ル）エタン； 透明点 ＴＣ＝１０４℃ 光学異方性 △ｎ＝０．１８９（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
【０５９９】参考例５４ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： １７．５％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニ
ル｝−２−（４−フルオロフェニル）エタン； ８．５％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝
−２−（４−クロロフェニル）エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン。
特性を有している： １７．５％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニ
ル｝−２−（４−フルオロフェニル）エタン； ８．５％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝
−２−（４−クロロフェニル）エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン。
【０６００】 透明点 ＴＣ＝９８℃ 光学異性 △ｎ＝０．１７６（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝５．０（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
【０６０１】参考例５５ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： １７％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝−
２−（４−フルオロフェニル）エタン； ８．５％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝
−２−（４−クロロフェニル）エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ７．８％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−クロロベンゼン； ７．２％の４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ル）−１−クロロベンゼン。
特性を有している： １７％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝−
２−（４−フルオロフェニル）エタン； ８．５％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝
−２−（４−クロロフェニル）エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ７．８％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−クロロベンゼン； ７．２％の４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ル）−１−クロロベンゼン。
【０６０２】 透明点 ＴＣ＝８７℃ 光学異性 △ｎ＝０．１７１（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
【０６０３】参考例５６ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： １０％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝−
２−（４−フルオロフェニル）エタン； １０％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝−
２−（４−クロロフェニル）エタン； ２０％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチルフェ
ニル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）エタ
ン； １０％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチルフェ
ニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エタ
ン； １０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−クロロベンゼン； １０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−クロロベンゼン； １５％の４−プロピル−２’−フルオロ−４”−エチル
テルフェニル； １５％の４−エチル−２’−フルオロ−４”−プロピル
テルフェニル。
特性を有している： １０％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝−
２−（４−フルオロフェニル）エタン； １０％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝−
２−（４−クロロフェニル）エタン； ２０％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチルフェ
ニル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）エタ
ン； １０％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチルフェ
ニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エタ
ン； １０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−クロロベンゼン； １０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−クロロベンゼン； １５％の４−プロピル−２’−フルオロ−４”−エチル
テルフェニル； １５％の４−エチル−２’−フルオロ−４”−プロピル
テルフェニル。
【０６０４】 透明点 ＴＣ＝７５℃ 光学異方性 △ｎ＝０．１４２（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
【０６０５】参考例５７ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： １６．９％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニ
ル｝−２−（４−フルオロフェニル）エタン； ８．５％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝
−２−（４−クロロフェニル）エタン； ２５．３％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ２５．３％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； １５．５％の１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−２−（４−
クロロフェニル）エタン。
特性を有している： １６．９％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニ
ル｝−２−（４−フルオロフェニル）エタン； ８．５％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝
−２−（４−クロロフェニル）エタン； ２５．３％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ２５．３％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； １５．５％の１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−２−（４−
クロロフェニル）エタン。
【０６０６】 透明点 ＴＣ＝１１２℃ 光学異方性 △ｎ＝０．１７８（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
【０６０７】参考例５８ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物は以下の物理的
特性を有している： １７％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝−
２−（４−フルオロフェニル）エタン； ８．５％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝
−２−（４−クロロフェニル）エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル）フェニル］−２−（４−フルオロ
フェニル）エタン； ７．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−フルオロベンゼン； ７．４％の４−（トランス−４−ヘキシルシクロヘキシ
ル）−１−フルオロベンゼン； 透明点 ＴＣ＝８０℃ 光学異方性 △ｎ＝０．１７２（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
特性を有している： １７％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝−
２−（４−フルオロフェニル）エタン； ８．５％の１−｛４−［２−フルオロ−４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］フェニル｝
−２−（４−クロロフェニル）エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−フルオロフェニル）
エタン； ２５．５％の１−［４−（２−フルオロ−４−ペンチル
フェニル）フェニル］−２−（４−クロロフェニル）エ
タン； ８．５％の１−［４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル）フェニル］−２−（４−フルオロ
フェニル）エタン； ７．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−フルオロベンゼン； ７．４％の４−（トランス−４−ヘキシルシクロヘキシ
ル）−１−フルオロベンゼン； 透明点 ＴＣ＝８０℃ 光学異方性 △ｎ＝０．１７２（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、良好なコントラスト、コントラストの角度依
存性が小さいこと、および特に高いＵＶ安定性を特徴と
する。
【０６０８】参考例５９ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ６％の４−ヘプチル安息香酸４−プロピルフェニル ７％の４−ヘプチル安息香酸４−ペンチルフェニル ７％の４−ヘプチル安息香酸４−ヘプチルフェニル。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）ビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ６％の４−ヘプチル安息香酸４−プロピルフェニル ７％の４−ヘプチル安息香酸４−ペンチルフェニル ７％の４−ヘプチル安息香酸４−ヘプチルフェニル。
【０６０９】 透明点 ＴＣ＝７７．５℃ 粘度 η＝３４ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１４（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０６１０】参考例６０ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： ２０％の１−（トランス−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）−２−（３−フルオロ−４−フェニ
ル）エタン； １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’
−シアノビフェニル。
光学液晶系： ２０％の１−（トランス−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）−２−（３−フルオロ−４−フェニ
ル）エタン； １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’
−シアノビフェニル。
【０６１１】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
て製造した電気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パ
ラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０６１２】参考例６１ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的パラメ
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．５％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リミジン。
ーターを有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．５％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ２０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リミジン。
【０６１３】 透明点 ＴＣ＝８２．５℃ 粘度 η＝３４ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１６（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１６．１（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
気光学系は広い使用温度範囲、電気光学パラメーターお
よびそれらの温度依存性に関する有利な値、および特に
低いしきい電圧を特徴とする。
【０６１４】参考例６２ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルトル−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
トル−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルトル−１，３−ジオキサン； ２０．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １０．０％の４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ５．０％のトランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル； ５．０％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル； ５．０％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルトル−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
トル−１，３−ジオキサン； １５．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルトル−１，３−ジオキサン； ２０．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １５．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； １０．０％の４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキ
シル）ベンゾニトリル； ５．０％のトランス−４−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル； ５．０％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル； ５．０％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル。
【０６１５】 透明点 ＴＣ＝７６℃ 粘度 η＝３４ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１３１（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１７（１ｋＨｚ、２０℃） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
電気光学液晶系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電
気光学パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する
有利な値、および特に低いしきい電圧を特徴とする。
【０６１６】実施例１９ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： １６．９％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．７％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２２．５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １４．５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）フェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０．０％の１−［４−［トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン。 ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および良好なコントラストを特徴とする。
光学液晶系： １６．９％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １３．７％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２２．５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １４．５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）フェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０．０％の１−［４−［トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン。 ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、および良好なコントラストを特徴とする。
【０６１７】参考例６１ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）フェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−ジフルオロメトキシビフェニル； １０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−ジフルオロメトキシビフェニル； 透明点 ＴＣ＝１０２．３℃ 粘度 η＝３１ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１５（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１１．４（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧、および良好なコントラストを特徴
とする。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １４．４％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １１．２％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １２％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）フェニル； ４．８％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．４％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．６％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； １０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）−４’−ジフルオロメトキシビフェニル； １０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−ジフルオロメトキシビフェニル； 透明点 ＴＣ＝１０２．３℃ 粘度 η＝３１ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１５（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１１．４（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、低いしきい電圧、および良好なコントラストを特徴
とする。
【０６１８】参考例６２ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル； ２０．０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−２−（３−フルオロ−４−フェニル）エタン。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １５．０％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １０．０％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシル
ベンゾニトリル； ２０．０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； １２．０％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシ
ルベンゾニトリル； ６．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−４’−シアノビフェニル； ６．０％のトランス−４−ブチルシクロヘキシルカルボ
ン酸４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フ
ェニル； ５．０％の４−ペンチル−４”−シアノテルフェニル； ６．０％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル； ２０．０％の１−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−２−（３−フルオロ−４−フェニル）エタン。
【０６１９】 透明点 ＴＣ＝７６．３℃ 粘度 η＝３０ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．１３０（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝１３（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、良好なコントラスト、およびコントラストの角度依
存性が小さいことを特徴とする。
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーターおよびそれらの温度依存性に関する有利な
値、良好なコントラスト、およびコントラストの角度依
存性が小さいことを特徴とする。
【０６２０】参考例６３ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペン
チルフェニル）ピリジン。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピルピ
リジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチルピリ
ジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； ２５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペン
チルフェニル）ピリジン。
【０６２１】 透明点 ＴＣ＝８５℃ 粘度 η＝７０ｍｍ2／秒（２０℃） 光学異方性 △ｎ＝０．２６９（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝２４．１（１ｋＨｚ、２０℃） 常光線屈折率ｎ０＝１．５２９（２０℃、５８９ｎｍ） ｂ） 実施例１ｂ）、１．１、１．２、１．３および２
に記載した方法によって電気光学系を製造する。しか
し、１．１に準じる方法において、液晶対ＮＯＡ６５の
比率を１：１に選択し、および１０μｍのスペーサを使
用した。
に記載した方法によって電気光学系を製造する。しか
し、１．１に準じる方法において、液晶対ＮＯＡ６５の
比率を１：１に選択し、および１０μｍのスペーサを使
用した。
【０６２２】図１に、実施例１ｂ）、１．１に記載した
方法によって製造した電気光学系の相対透過率を印加電
圧［正弦波交流電圧（実効値）、周波数：１００Ｈｚ］
の関数として示す。この系は、特に良好なコントラスト
および低いしきい電圧を特徴とする。
方法によって製造した電気光学系の相対透過率を印加電
圧［正弦波交流電圧（実効値）、周波数：１００Ｈｚ］
の関数として示す。この系は、特に良好なコントラスト
および低いしきい電圧を特徴とする。
【０６２３】参考例６４ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： １５％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペン
チルフェニル）ピリジン； ７．５％の４−エトキシ−４’−フルオロトラン； ７．５％の４−ブトキシ−４’−フルオロトラン。 ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーター関する有利な値、低いしきい電圧、および
特に高い安定性を特徴とする。
光学液晶系： １５％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； ２０％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチルピ
リジン； １５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−ペン
チルフェニル）ピリジン； ７．５％の４−エトキシ−４’−フルオロトラン； ７．５％の４−ブトキシ−４’−フルオロトラン。 ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造した電
気光学系は良好な製造性、広い使用温度範囲、電気光学
パラメーター関する有利な値、低いしきい電圧、および
特に高い安定性を特徴とする。
【０６２４】参考例６５ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： １７．５％の４−プロピル−４’−シアノビフェニル； １７．５％の４−ブチル−４’−シアノビフェニル； １７．５％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シ）−４’−トリフルオロメトキシトラン； １５．０％の４−プロピル−４’−トリフルオロメトキ
シトラン。 ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学系は広い使用温度範囲、良好な製造性、電気光
学パラメーター関する有利な値、低いしきい電圧、およ
び特に高い安定性を特徴とする。
光学液晶系： １７．５％の４−プロピル−４’−シアノビフェニル； １７．５％の４−ブチル−４’−シアノビフェニル； １７．５％の４−ペンチル−４’−シアノビフェニル； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １５．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シ）−４’−トリフルオロメトキシトラン； １５．０％の４−プロピル−４’−トリフルオロメトキ
シトラン。 ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学系は広い使用温度範囲、良好な製造性、電気光
学パラメーター関する有利な値、低いしきい電圧、およ
び特に高い安定性を特徴とする。
【０６２５】実施例２０ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： １５％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １０％の２−（３，４−ジフルオロフェニル）−５−プ
ロピルピリミジン； １０％の２−（４−フルオロフェニル）−５−ペンチル
ピリミジン； １０％の１−［４−（４−プロピルフェニル）フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン； １０％の１−［４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン。 ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学系は広い使用温度範囲、良好な製造性、電気光
学パラメーターに関する有利な値、低いしきい電圧、お
よび特に高い安定性を特徴とする。
光学液晶系： １５％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １０％の２−（３，４−ジフルオロフェニル）−５−プ
ロピルピリミジン； １０％の２−（４−フルオロフェニル）−５−ペンチル
ピリミジン； １０％の１−［４−（４−プロピルフェニル）フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン； １０％の１−［４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン。 ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学系は広い使用温度範囲、良好な製造性、電気光
学パラメーターに関する有利な値、低いしきい電圧、お
よび特に高い安定性を特徴とする。
【０６２６】実施例２１ ａ） 以下の化合物から成る液晶混合物を含有する電気
光学液晶系： １５％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １０％の１−（５−プロピルピリジニル−２）−２−
（４−シアノフェニル）エタン； １０％の１−（５−ペンチルピリジニル−２）−２−
（４−シアノフェニル）エタン； ８％のトランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−フルオロフェ
ニル； ８％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−フルオロフェ
ニル； ４％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸３，４−ジフルオ
ロフェニル。
光学液晶系： １５％のｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ブチルシクロヘキシルベン
ゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ペンチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １５％のｐ−トランス−４−ヘプチルシクロヘキシルベ
ンゾニトリル； １０％の１−（５−プロピルピリジニル−２）−２−
（４−シアノフェニル）エタン； １０％の１−（５−ペンチルピリジニル−２）−２−
（４−シアノフェニル）エタン； ８％のトランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−フルオロフェ
ニル； ８％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸４−フルオロフェ
ニル； ４％のトランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシルカルボン酸３，４−ジフルオ
ロフェニル。
【０６２７】ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によっ
て製造される電気光学系は広い使用温度範囲、良好な製
造性、電気光学パラメーターに関する有利な値、低いし
きい電圧、および特に高い安定性を特徴とする。
て製造される電気光学系は広い使用温度範囲、良好な製
造性、電気光学パラメーターに関する有利な値、低いし
きい電圧、および特に高い安定性を特徴とする。
【０６２８】実施例２２ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １５．０の１−［４−（４−プロピルフェニル）フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン； １５．０の１−［４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン； 透明点 ＴＣ＝９４℃ 光学異方性 △ｎ＝０．２７２２（２０℃、５８９ｎ
ｍ） 誘電異方性 △ε＝２５．６（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学系は広い使用温度範囲、良好な製造性、電気光
学パラメーターに関する有利な値、および特に低いしき
い電圧を特徴とする。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； １７．５％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １５．０の１−［４−（４−プロピルフェニル）フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン； １５．０の１−［４−（４−ペンチルフェニル）フェニ
ル］−２−（４−シアノフェニル）エタン； 透明点 ＴＣ＝９４℃ 光学異方性 △ｎ＝０．２７２２（２０℃、５８９ｎ
ｍ） 誘電異方性 △ε＝２５．６（２０℃、１ｋＨｚ） ｂ） 実施例１ｂ）に記載した方法によって製造される
電気光学系は広い使用温度範囲、良好な製造性、電気光
学パラメーターに関する有利な値、および特に低いしき
い電圧を特徴とする。
【０６２９】参考例６６ ａ） 以下の化合物から成り、かつ以下の物理的特性を
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １０．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル； １０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル； 透明点 ＴＣ＝８６℃ 光学異方性 △ｎ＝０．２４３６（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ０＝１．５２５９（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝２１．８（１ｋＨｚ、２０℃） ｂ） 実施例１ｂ）、１．１、１．２、１．３および２
に記載した方法によって電気光学系を製造する。しか
し、１．１に準じる方法において、液晶対ＮＯＡ６５の
比率を１：１に選択し、および１０μｍのスペーサを使
用した。
有する液晶混合物を含有する電気光学液晶系： ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−プロピ
ルピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ブチル
ピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−ペンチ
ルピリジン； ２０．０％の２−（４−シアノフェニル）−５−（４−
ペンチルフェニル）ピリジン； １０．０％の４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル； １０．０％の４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−３’，４’−ジフルオロビフェニル； 透明点 ＴＣ＝８６℃ 光学異方性 △ｎ＝０．２４３６（２０℃、５８９ｎｍ） 常光線屈折率ｎ０＝１．５２５９（２０℃、５８９ｎｍ） 誘電異方性 △ε＝２１．８（１ｋＨｚ、２０℃） ｂ） 実施例１ｂ）、１．１、１．２、１．３および２
に記載した方法によって電気光学系を製造する。しか
し、１．１に準じる方法において、液晶対ＮＯＡ６５の
比率を１：１に選択し、および１０μｍのスペーサを使
用した。
【０６３０】図２に、実施例１ｂ）、１．１に記載した
方法によって製造した電気光学系の相対透過率を印加電
圧［正弦波交流電圧（実効値）、周波数：１００Ｈｚ］
の関数として示す。
方法によって製造した電気光学系の相対透過率を印加電
圧［正弦波交流電圧（実効値）、周波数：１００Ｈｚ］
の関数として示す。
【０６３１】この系は、低いしきい電圧、電気光学特性
の勾配に関する有利な値および高いＵＶ安定性を特徴と
する。
の勾配に関する有利な値および高いＵＶ安定性を特徴と
する。
【図１】本発明の液晶混合物を含有する電気光学液晶の
一例（参考例６３）の電気光学系の相対透過率を電圧の
関数として示した図である。
一例（参考例６３）の電気光学系の相対透過率を電圧の
関数として示した図である。
【図２】本発明の液晶混合物を含有する電気光学液晶系
の他の例（参考例６６）の電気光学系の相対透過率を電
圧の関数として示した図である。
の他の例（参考例６６）の電気光学系の相対透過率を電
圧の関数として示した図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (73)特許権者 591032596 Ｆｒａｎｋｆｕｒｔｅｒ Ｓｔｒ． 250，Ｄ−64293 Ｄａｒｍｓｔａｄｔ, Ｆｅｄｅｒａｌ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏ ｆ Ｇｅｒｍａｎｙ (72)発明者 マーデン， シャーリー 英国 ビーエイチ14 ８ティーピー ド ーセット プール パークストーン リ ングウッド ロード 244 (72)発明者 スミス， グラハム 英国 ビーエイチ17 ８エーエックス ドーセット プール キャンフォード ヒース ヘンバリー クローズ 10 (72)発明者 フィンケンツェラー， ウルリヒ ドイツ連邦共和国 デー−6831 プラン クシュタット ウアルトプファート 74 (72)発明者 ライフェンラート， フォルカー ドイツ連邦共和国 デー−6101 ロスド ルフ ヤーンシュトラーセ 18 (72)発明者 ヒティヒ， ラインハルト ドイツ連邦共和国 デー−6101 モダウ タール １ アム キルヒベルク 11 (72)発明者 ウィルヘルム， シュテファン ドイツ連邦共和国 デー−6100 ダルム シュタット アウグスト−ベーベル−シ ュトラーセ 11 (56)参考文献 特開 平２−32067（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−274794（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−62887（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−131144（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−66（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−167758（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−185936（ＪＰ，Ａ) 特表 昭63−502114（ＪＰ，Ａ) 欧州特許出願公開313053（ＥＰ，Ａ ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09K 19/42 G02F 1/13 500 ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (29)
- 【請求項１】 支持体シートに任意に設けられる２電極
間に誘電的に正の液晶混合物およびさらに光学的に透明
な媒体を含み、 その液晶分子が電源を切った状態で不規則に配向してお
り、 液晶混合物の屈折率の１つが光学的に透明な媒体の屈折
率ｎMと本質的に一致し、 および／または液晶混合物の質量を光学的に透明な媒体
の質量で割った値が１．５以上であり、および入射光の
偏光とは無関係に、２切換え状態の一方において他方の
状態に比べて低下した透過率を有する電気光学液晶系に
おいて、前記液晶混合物が式Ｉ 【化１】 （式中、Ｑ1は 【化２】 であり、 環Ａ1および環Ａ2は、互いに独立してトランス−１，４
−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオ
ロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェ
ニレンであり、そしてＡ1および、存在するならばＡ2の
１つはピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５
−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テト
ラヒドロピラン−２，５−ジイルまたはナフタレン−
２，６−ジイルでもあり、 Ｚ1およびＺ2は、互いに独立して単結合、−ＣＨ2ＣＨ2
−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ2Ｏ
−またはこれらの橋基の２種以上の組合せであるが、存
在するいずれか１つは−ＣＨ 2 ＣＨ 2 −であり、 ＹおよびＸは、互いに独立してＨまたはＦであり、また
ＸおよびＹの１つはＣｌでもあり、Ｗは−ＣＮであり、 Ｒ1は、その１つまたは隣接しない２つのＣＨ2基を−Ｏ
−または−ＣＨ＝ＣＨ−によって置き換えることもでき
る１〜１２個のＣ原子を有するアルキルであり、および
ｍは０、１または２である）の１種以上の化合物を含有
していることを特徴とする電気光学液晶系。 - 【請求項２】 前記液晶混合物が互いに境を画した区分
の形で光学的に透明な媒体中に埋め込まれていることを
特徴とする請求項１に記載の系。 - 【請求項３】 前記液晶混合物が光学的に透明な媒体中
で凝集性の連続相を形成していることを特徴とする請求
項１に記載の系。 - 【請求項４】 ＰＤＬＣ系であることを特徴とする請求
項２に記載の系。 - 【請求項５】 ＮＣＡＰ系であることを特徴とする請求
項２に記載の系。 - 【請求項６】 ＰＮ系であることを特徴とする請求項３
に記載の系。 - 【請求項７】 前記液晶混合物が式Ｉａ 【化３】 （式中、 環Ａ3および環Ａ4は、互いに独立して１，４−シクロヘ
キシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４
−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレン
であり、およびＲ 1 は請求項１の意味を示し、 Ｘ1はＨまたはＦであり、そして以下の番号の組合せ１
〜５がｎ、Ｚ3およびＺ4に当てはまる： 【表１】 の１種以上の化合物を含んでいることを特徴とする請求
項１ないし６のいずれか１項に記載の系。 - 【請求項８】 化合物Ｉａにおいて、 【化４】 が 【化５】 であることを特徴とする請求項７に記載の系。
- 【請求項９】 前記液晶混合物が以下の化合物群 【化６】 （ただし、環Ｃはトランス−１，４−シクロヘキシレン
または１，４−フェニレンであり、およびＲ1は請求項
１に示した意味である）から選択される化合物を基礎と
し、また誘電異方性を増大させるために次式 【化７】 （式中、 【化８】 は２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオ
ロ−１，４−フェニレンであり、 環Ｄはトランス−１，４−シクロヘキシレン、１，４−
フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは
３−フルオロ−１，４−フェニレンであり、およびｏは
０または１であり、そしてＲ1は請求項１に示した意味
である）の１種以上の化合物を５〜６０重量％含んでい
ることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に
記載の系。 - 【請求項１０】 前記液晶混合物が式Ｉｂ 【化９】 ［式中、 Ｑ2は 【化１０】 であり、環Ａ5および環Ａ6の一方は 【化１１】 （ただし、Ｖ1はＮまたはＨである）であり、そして他
方は、存在するならばトランス−１，４−シクロヘキシ
レンまたは１，４−フェニレンであり、 Ｘ2およびＹ2は、互いに独立してＨまたはＦであり、 Ｐは０または１であり、およびＺ5およびＺ6は、互いに
独立して単結合または−ＣＨ2ＣＨ2−であり、そしてＲ
1は請求項１に示した意味である］の１種以上の化合物
を含んでいることを特徴とする請求項１ないし７のいず
れか１項に記載の系。 - 【請求項１１】 Ｘ2およびＹ2の少なくとも一方がＦで
あることを特徴とする請求項１０に記載の系。 - 【請求項１２】 Ｘ2＝Ｙ2＝Ｈであることを特徴とする
請求項１０に記載の系。 - 【請求項１３】 前記液晶混合物が式Ｉｃ 【化１２】 ［式中、 Ｑ3は 【化１３】 であり、環Ａ7または環Ａ8の一方は 【化１４】 （ただし、Ｔ1は−ＣＨ2−または−Ｏ−である）であ
り、そして他方は、存在するならばトランス−１，４−
シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレン、２−フル
オロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４
−フェニレンであり、 Ｚ7およびＺ8は、互いに独立して単結合、−ＣＯＯ−、
−ＯＣＯ−または−ＣＨ2ＣＨ2−であり、 ｒおよびｑは、互いに独立して０または１であり、 Ｘ3はＦまたはＣｌであり、および 【化１５】 は２−フルオロ−または２−クロロ−１，４−フェニレ
ンまたは３−フルオロ−または３−クロロ−１，４−フ
ェニレンであり、そしてＲ1は請求項１に示した意味で
ある］の１種以上の化合物を含んでいることを特徴とす
る請求項１ないし７のいずれか１項に記載の系。 - 【請求項１４】 前記液晶混合物が式Ｉｄ 【化１６】 （式中、 環Ａ9は１，４−フェニレンまたはトランス−１，４−
シクロヘキシレンであり、 環Ａ10は１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−
フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレンまたは
トランス−１，４−シクロヘキシレンであり、 Ｚ9は単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−または−ＣＨ2Ｃ
Ｈ2−であり、 Ｚ10は単結合、−ＣＯＯ−または−ＣＨ2ＣＨ2−であ
り、およびｓは０または１であり、そしてＲ1は請求項
１に示した意味である）の１種以上の化合物を含んでい
ることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に
記載の系。 - 【請求項１５】 前記液晶混合物が式ＩｄＥ２−１およ
びＩｄＥ３−１〜ＩｄＥ３−８ 【化１７】 （式中、Ｒ1は請求項１に示した意味である）の化合物
群から選択される１種以上の化合物を含んでいることを
特徴とする請求項１４に記載の系。 - 【請求項１６】 前記液晶混合物が式Ｉｅ４−１〜Ｉｅ
４−４ 【化１８】 （式中、 環Ａ11は、それぞれの場合に互いに独立して、１，４−
フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−
フルオロ−１，４−フェニレンまたはトランス−１，４
−シクロヘキシレンであり、 環Ａ12は、それぞれの場合に互いに独立して、 【化１９】 であり、 ｔは０または１であり、および 【化２０】 は２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオ
ロ−１，４−フェニレンであり、そしてＲ1は請求項１
に示した意味である）のカルボニトリル類の群から選択
される１種以上の3又は４環式化合物を含んでいること
を特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の
系。 - 【請求項１７】 式Ｉｆ 【化２１】 （式中、 環Ａ13および、存在するならば環Ａ14の少なくとも１つ
は１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニ
レン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、トランス−
１，４−シクロヘキシレン、ピリジン−２，５−ジイ
ル、ピリミジン−２，５−ジイルまたは１，３−ジオキ
サン−２，５−ジイルであり、そして他方は、存在する
ならばトランス−１，４−シクロヘキシレン、１，４−
フェニレンであり、 Ｚ11およびＺ1 2は、それぞれの場合に互いに独立して
単結合、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＯＯ−、−
ＯＣＯ−またはこれらの橋構成員の２種以上の組合せで
あり、 ｖは０、１または２であり、 ａは０または１であり、 【化２２】 は２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオ
ロ−１，４−フェニレンであり、 【化２３】 は３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり、お
よびＴ2は−Ｃｌ、−Ｆ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3、−ＯＣ
ＨＦ2またはＮＣＳであり、そしてＲ1は請求項１に示し
た意味である）の１種以上の化合物を含んでいることを
特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の
系。 - 【請求項１８】 Ｔ2がＮＣＳであることを特徴とする
請求項１７に記載の系。 - 【請求項１９】 Ｔ2が−Ｆ、−ＣＦ3、−ＯＣＦ3また
は−ＯＣＨＦ2であることを特徴とする請求項１７に記
載の系。 - 【請求項２０】 Ｔ2がＣｌであることを特徴とする請
求項１７に記載の系。 - 【請求項２１】 ｖが１または２であることを特徴とす
る請求項２０に記載の系。 - 【請求項２２】 前記液晶混合物が、Δε＞２の誘電的
に正の化合物から成る誘電的に正の成分Ａ以外に、−２
≦Δε≦＋２の化合物から成る誘電的に中性の化合物
Ｂ、および必要に応じてΔε＜−２の化合物から成る誘
電的に負の成分Ｃを含んでいることを特徴とする請求項
１ないし７のいずれか１項に記載の系。 - 【請求項２３】 前記液晶混合物が式Ｉｇ Ｒ1−Ｑ4−ＣＯＯ−Ｑ5−Ｒ2 Ｉｇ （式中、 Ｑ4およびＱ5は、それぞれの場合に互いに独立して 【化２４】 であり、そしてＱ4およびＱ5の一方は 【化２５】 であり、およびＲ1およびＲ2は、それぞれの場合に互い
に独立して請求項１のＲ 1 に示した意味である）の１種
以上の化合物を含んでいることを特徴とする請求項１な
いし７のいずれか１項に記載の系。 - 【請求項２４】 前記液晶混合物が式Ｉｈ Ｒ1−Ｑ6−Ｃ≡Ｃ−Ｑ7−Ｒ2 Ｉｈ （式中、 基Ｒ1およびＲ2の少なくとも１つは請求項１のＲ 1 に示
した意味であり、 ２つの基Ｒ1およびＲ2の一方はＦ、Ｃｌ、ＯＣＦ3、Ｏ
ＣＨＦ2またはＣＦ3でもあり、 基Ｑ6またはＱ7は、それぞれの場合に互いに独立して 【化２６】 であり、Ｑ6は 【化２７】 でもあり、そしてＱ7は 【化２８】 でもある）の１種以上の化合物を含んでいることを特徴
とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の系。 - 【請求項２５】 前記液晶混合物が式Ii Ｒ1−Ｑ8−ＣＨ2ＣＨ2−Ｑ9−Ｒ2 Ii ［式中、 Ｒ1およびＲ2は、それぞれ互いに独立して請求項１のＲ
1に示した意味であり、およびＱ8およびＱ9は、それぞ
れの場合に互いに独立してトランス−１，４−シクロヘ
キシレン、１，４−フェニレン、４，４’−ビフェニリ
ル、４，４’−シクロヘキシルフェニルまたは４，４’
−フェニルシクロヘキシル（ただし、分子中に存在する
１，４−フェニレン基の１つは弗素または塩素で置換す
ることもできる）］の１種以上の化合物を含んでいるこ
とを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載
の系。 - 【請求項２６】 前記液晶混合物が化合物群II〜IV Ｔ−Ｗ1−Ｐｈｅ−ＣＮ II Ｒ−Ｗ1−Ｃｙｃ−ＣＮ III Ｔ−Ｖ−Ｐｈｅ−ＣＮ IV （式中、 Ｒは、それぞれの場合に互いに独立して、その１つまた
は隣接しない２つのＣＨ2基を−Ｏ−、−ＣＯ−および
／または−ＣＨ＝ＣＨで置き換えることもできる１〜１
５個のＣ原子を有するアルキル基であり、 Ｗ1はＰｈｅ.（Ｆ）−Ｙ1 または Ｃｙｃ−Ｙ1 であ
り、 Ｙ1は単結合、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり、 Ｖはピリジン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，
５−ジイルであり、 ＴはＲ、Ｒ−Ｐｈｅ.（Ｆ）−Ｙ1 または Ｒ−Ｃｙｃ
−Ｙ1 であり、およびＰｈｅ.（Ｆ）は１，４−フェニ
レン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フ
ルオロ−１，４−フェニレンであり、 Ｐｈｅは１，４−フェニレンであり、Ｃｙｃはトランス
−１，４−シクロヘシレンである ）から選択される１種
以上の化合物をさらに含んでいることを特徴とする請求
項１ないし７のいずれか１項に記載の系。 - 【請求項２７】 前記液晶混合物がΔε＞３の誘電異方
性を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれ
か１項に記載の系。 - 【請求項２８】 前記液晶混合物が多色性染料を含有し
ていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１
項に記載の系。 - 【請求項２９】 前記液晶混合物がドーピング成分を含
有していることを特徴とする請求項１ないし７のいずれ
か１項に記載の系。
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