JP3132461B2 - 電界放出形表示素子及びその製造方法 - Google Patents
電界放出形表示素子及びその製造方法Info
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- JP3132461B2 JP3132461B2 JP10074278A JP7427898A JP3132461B2 JP 3132461 B2 JP3132461 B2 JP 3132461B2 JP 10074278 A JP10074278 A JP 10074278A JP 7427898 A JP7427898 A JP 7427898A JP 3132461 B2 JP3132461 B2 JP 3132461B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子源として電界
放出陰極(Field Emission Cathode, FEC) を有し、陽極
には透明なＩＴＯ膜を有する電界放出形表示素子(Field
Emission Dis-play, FED)の製造方法に関する。
放出陰極(Field Emission Cathode, FEC) を有し、陽極
には透明なＩＴＯ膜を有する電界放出形表示素子(Field
Emission Dis-play, FED)の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に電界放出形表示素子（ＦＥＤ）
は、図５に示すように、陽極基板１と陰極基板２を対面
させて周囲を封止した外囲器を有している。電子源であ
る電界放出陰極３（ＦＥＣ）は陰極基板２の内面に形成
され、発光部である陽極４は陰極基板２に対面する陽極
基板１の内面に形成されている。ＦＥＣ３は、陰極基板
２に形成された陰極導体５と、その上に形成された絶縁
層６と、その上に形成されたゲート７と、絶縁層６とゲ
ート７に形成されたホール８と、ホール８内の陰極導体
５上に形成されたコーン形状のエミッタ９を有してい
る。陽極４は、陽極基板１に陽極導体として形成された
透明なＩＴＯ膜１０と、その上に形成された蛍光体層１
１から構成されている。ＦＥＣ３から放出された電子は
陽極４の蛍光体層１１に射突してこれを発光させる。蛍
光体層１１の発光は、透光性のＩＴＯ膜１０と陽極基板
１を介して陽極基板１の外側から観察される。
は、図５に示すように、陽極基板１と陰極基板２を対面
させて周囲を封止した外囲器を有している。電子源であ
る電界放出陰極３（ＦＥＣ）は陰極基板２の内面に形成
され、発光部である陽極４は陰極基板２に対面する陽極
基板１の内面に形成されている。ＦＥＣ３は、陰極基板
２に形成された陰極導体５と、その上に形成された絶縁
層６と、その上に形成されたゲート７と、絶縁層６とゲ
ート７に形成されたホール８と、ホール８内の陰極導体
５上に形成されたコーン形状のエミッタ９を有してい
る。陽極４は、陽極基板１に陽極導体として形成された
透明なＩＴＯ膜１０と、その上に形成された蛍光体層１
１から構成されている。ＦＥＣ３から放出された電子は
陽極４の蛍光体層１１に射突してこれを発光させる。蛍
光体層１１の発光は、透光性のＩＴＯ膜１０と陽極基板
１を介して陽極基板１の外側から観察される。
【０００３】前記電界放出形表示素子の製造工程を陽極
基板の製造を中心に説明する。まず、陽極基板のＩＴＯ
膜を製造する。陽極基板の内面に、アモルファスＩＴＯ
（以下ａ−ＩＴＯと略称する）の被膜を形成する。ａ−
ＩＴＯで形成した膜は茶色であり、不透明である。これ
を所定の形状にパターニングする。パターニングは、Ａ
ＤＣやＰＶＡ等の感光性樹脂を利用したスラリー法が利
用可能である。そして、これを例えば５４５℃程度の温
度で約１０分程度保持して蛍光体層の焼成を行う。本工
程では、スラリーの残渣をとばすとともにＩＴＯ中のガ
スを放出させて透明なポリＩＴＯ膜に変化させる。その
後、この陽極基板に、ＦＥＣが形成された陰極基板をシ
ール材を介して組み合わせ、約５００℃で１０分間保持
してシール焼成を行う。さらにその後、約４８０℃で封
着排気を行う。
基板の製造を中心に説明する。まず、陽極基板のＩＴＯ
膜を製造する。陽極基板の内面に、アモルファスＩＴＯ
（以下ａ−ＩＴＯと略称する）の被膜を形成する。ａ−
ＩＴＯで形成した膜は茶色であり、不透明である。これ
を所定の形状にパターニングする。パターニングは、Ａ
ＤＣやＰＶＡ等の感光性樹脂を利用したスラリー法が利
用可能である。そして、これを例えば５４５℃程度の温
度で約１０分程度保持して蛍光体層の焼成を行う。本工
程では、スラリーの残渣をとばすとともにＩＴＯ中のガ
スを放出させて透明なポリＩＴＯ膜に変化させる。その
後、この陽極基板に、ＦＥＣが形成された陰極基板をシ
ール材を介して組み合わせ、約５００℃で１０分間保持
してシール焼成を行う。さらにその後、約４８０℃で封
着排気を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように製造さ
れる電界放出形表示素子においては、ＦＥＣからの電子
のエミッション（放出）は経時的に低下していくことが
知られていた。前述した電界放出形表示素子の経時的な
エミッション低下の原因としては、ＦＥＣの一構成要素
であるエミッタの先端が酸化、汚染等により劣化し、エ
ミッション性能が低下するためと考えられる。
れる電界放出形表示素子においては、ＦＥＣからの電子
のエミッション（放出）は経時的に低下していくことが
知られていた。前述した電界放出形表示素子の経時的な
エミッション低下の原因としては、ＦＥＣの一構成要素
であるエミッタの先端が酸化、汚染等により劣化し、エ
ミッション性能が低下するためと考えられる。
【０００５】本発明は、経時変化によるエミッタのエミ
ッション低下が起きにくく、寿命の長い電界放出形表示
素子と、その製造方法を提供することを目的としてい
る。
ッション低下が起きにくく、寿命の長い電界放出形表示
素子と、その製造方法を提供することを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された電
界放出形表示素子は、所定間隔をおいて対面する陽極基
板と陰極基板の各外周部の間を封止した外囲器を有し、
前記陽極基板の内面にポリＩＴＯからなる透光性の陽極
導体と蛍光体層からなる陽極を有し、前記陰極基板の内
面に電界放出素子を有する電界放出形表示素子におい
て、前記陽極導体に吸蔵された水素が前記外囲器内を所
定分圧の水素ガス雰囲気に保持していることを特徴とし
ている。
界放出形表示素子は、所定間隔をおいて対面する陽極基
板と陰極基板の各外周部の間を封止した外囲器を有し、
前記陽極基板の内面にポリＩＴＯからなる透光性の陽極
導体と蛍光体層からなる陽極を有し、前記陰極基板の内
面に電界放出素子を有する電界放出形表示素子におい
て、前記陽極導体に吸蔵された水素が前記外囲器内を所
定分圧の水素ガス雰囲気に保持していることを特徴とし
ている。
【０００７】請求項２に記載された電界放出形表示素子
の製造方法は、ポリＩＴＯからなる透光性の陽極導体と
蛍光体層からなる陽極を陽極基板の内面に有し、前記陽
極基板に対面する陰極基板の内面に電界放出素子を有す
る電界放出形表示素子の製造方法において、水素をドー
プしたアモルファスＩＴＯの層を前記陽極基板の内面に
形成し、５２０℃以下の温度で焼成することを特徴とし
ている。
の製造方法は、ポリＩＴＯからなる透光性の陽極導体と
蛍光体層からなる陽極を陽極基板の内面に有し、前記陽
極基板に対面する陰極基板の内面に電界放出素子を有す
る電界放出形表示素子の製造方法において、水素をドー
プしたアモルファスＩＴＯの層を前記陽極基板の内面に
形成し、５２０℃以下の温度で焼成することを特徴とし
ている。
【０００８】請求項３に記載された電界放出形表示素子
の製造方法は、請求項２記載の電界放出形表示素子の製
造方法において、前記温度が、４５０℃から５２０℃の
範囲内の温度であることを特徴としている。
の製造方法は、請求項２記載の電界放出形表示素子の製
造方法において、前記温度が、４５０℃から５２０℃の
範囲内の温度であることを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】電界放出形表示素子における経時
的なエミッション低下の原因から考えて、本願発明者等
は、その改善には還元性ガスであるＨ2 ガスのクリーニ
ング作用が有効ではないかと考えた。そして、Ｈ2 ガス
でそのような効果を得るためには、電界放出形表示素子
の外囲器内が、ある一定のＨ2 ガスの分圧に保持される
ことが必要であると考えた。そのためには、素子の駆動
中に電界放出形表示素子の外囲器内の空間にＨ2 ガスが
放出されるように、Ｈ2 ガスが外囲器のいずれかの部分
に吸収された形で保持されていることが望ましいと考え
られる。
的なエミッション低下の原因から考えて、本願発明者等
は、その改善には還元性ガスであるＨ2 ガスのクリーニ
ング作用が有効ではないかと考えた。そして、Ｈ2 ガス
でそのような効果を得るためには、電界放出形表示素子
の外囲器内が、ある一定のＨ2 ガスの分圧に保持される
ことが必要であると考えた。そのためには、素子の駆動
中に電界放出形表示素子の外囲器内の空間にＨ2 ガスが
放出されるように、Ｈ2 ガスが外囲器のいずれかの部分
に吸収された形で保持されていることが望ましいと考え
られる。
【００１０】本願発明者等は、上記の認識に基づいて種
々の実験を試行した。その結果、陽極基板に蛍光体層を
スラリー法等で形成した後、シール焼成と蛍光体層の焼
成を同一工程にて５２０℃以下で行えば、ａ−ＩＴＯ中
に含まれているＨ2 ガスを相当程度に吸蔵させたままの
状態でａ−ＩＴＯをポリ化でき、これによってＦＥＤの
性能が向上することを確認した。即ち、上記工程で得た
陽極基板を用い、従来と同様の封着排気工程を経て電界
放出形表示素子を形成した場合、外囲器内にＨ 2 ガスが
一定の分圧で存在することが確認され、さらにこの電界
放出形表示素子の寿命が従来に比べて改善されている点
を確認した。以下、さらに具体的に説明する。
々の実験を試行した。その結果、陽極基板に蛍光体層を
スラリー法等で形成した後、シール焼成と蛍光体層の焼
成を同一工程にて５２０℃以下で行えば、ａ−ＩＴＯ中
に含まれているＨ2 ガスを相当程度に吸蔵させたままの
状態でａ−ＩＴＯをポリ化でき、これによってＦＥＤの
性能が向上することを確認した。即ち、上記工程で得た
陽極基板を用い、従来と同様の封着排気工程を経て電界
放出形表示素子を形成した場合、外囲器内にＨ 2 ガスが
一定の分圧で存在することが確認され、さらにこの電界
放出形表示素子の寿命が従来に比べて改善されている点
を確認した。以下、さらに具体的に説明する。
【００１１】本発明の実施の形態の一例を説明する。本
例は、ＦＥＤの製造において、特に水素をドープしたａ
−ＩＴＯを用いて陽極基板に陽極導体のパターニングを
行い、これを所定の温度条件で焼成することにより、水
素を保持した透明な導電性のポリＩＴＯ薄膜からなる陽
極導体を形成することを特徴としている。この陽極基板
を用いたＦＥＤによれば、ＩＴＯ膜から出てくる水素ガ
スによって外囲器内が一定の水素分圧に保持され、この
水素の還元作用によりＦＥＣのエミッション特性や寿命
が改善される。
例は、ＦＥＤの製造において、特に水素をドープしたａ
−ＩＴＯを用いて陽極基板に陽極導体のパターニングを
行い、これを所定の温度条件で焼成することにより、水
素を保持した透明な導電性のポリＩＴＯ薄膜からなる陽
極導体を形成することを特徴としている。この陽極基板
を用いたＦＥＤによれば、ＩＴＯ膜から出てくる水素ガ
スによって外囲器内が一定の水素分圧に保持され、この
水素の還元作用によりＦＥＣのエミッション特性や寿命
が改善される。
【００１２】製造工程をさらに具体的に説明する。ここ
では、製造の条件を変えて作製した４種類の陽極基板を
用い、４種類のＦＥＤを作製してその性能を比較した。
まず、ガラス製の陽極基板に、Ｈ2 ／Ａｒ雰囲気中でａ
−ＩＴＯの薄膜を１５００オングストロームの膜厚で形
成した。この上に蛍光体層を形成する。蛍光体はＺｎ
Ｏ：Ｚｎであり、これに導電材料であるＷＯ3 を０．１
５ｗｔ％添加した。塗布は、感光剤としてＰＶＡ−Ｓｂ
ｑを用いてスラリー法により行った。塗布後、乾燥させ
る。ここまでは共通の条件で行い、このような陽極基板
を４個作製した。
では、製造の条件を変えて作製した４種類の陽極基板を
用い、４種類のＦＥＤを作製してその性能を比較した。
まず、ガラス製の陽極基板に、Ｈ2 ／Ａｒ雰囲気中でａ
−ＩＴＯの薄膜を１５００オングストロームの膜厚で形
成した。この上に蛍光体層を形成する。蛍光体はＺｎ
Ｏ：Ｚｎであり、これに導電材料であるＷＯ3 を０．１
５ｗｔ％添加した。塗布は、感光剤としてＰＶＡ−Ｓｂ
ｑを用いてスラリー法により行った。塗布後、乾燥させ
る。ここまでは共通の条件で行い、このような陽極基板
を４個作製した。
【００１３】次に、各陽極基板の上面の外周部にシール
ガラスを塗布し、ベルト焼成炉を用いて焼成した。焼成
条件は、各陽極基板ごとに異なり、焼成温度４８０℃、
５００℃、５２０℃、５４０℃の各温度である。それぞ
れピークホールド時間は２０分間とした。
ガラスを塗布し、ベルト焼成炉を用いて焼成した。焼成
条件は、各陽極基板ごとに異なり、焼成温度４８０℃、
５００℃、５２０℃、５４０℃の各温度である。それぞ
れピークホールド時間は２０分間とした。
【００１４】以上のようにして作製した４つの陽極基板
を用い、通常の条件で封着・排気工程を行い、４種類の
ＦＥＤを作製した。ＦＥＤの基本構造は図５を参照して
説明した従来のものと同様である。これらのＦＥＤを駆
動して試験を行った。各ＦＥＤの駆動条件は共通であ
る。陽極電圧２００Ｖ、デューティ比１／２４０とし、
アノード電流をカソードラインあたり９．６ｍＡ（３２
０ドット、９６０コーン／ドット、約３１ｎＡ／コー
ン）とれるゲート電圧に設定し、室温にて寿命試験を行
った。図１は、この試験の結果である各ＦＥＤのエミッ
ションの寿命特性を示す。
を用い、通常の条件で封着・排気工程を行い、４種類の
ＦＥＤを作製した。ＦＥＤの基本構造は図５を参照して
説明した従来のものと同様である。これらのＦＥＤを駆
動して試験を行った。各ＦＥＤの駆動条件は共通であ
る。陽極電圧２００Ｖ、デューティ比１／２４０とし、
アノード電流をカソードラインあたり９．６ｍＡ（３２
０ドット、９６０コーン／ドット、約３１ｎＡ／コー
ン）とれるゲート電圧に設定し、室温にて寿命試験を行
った。図１は、この試験の結果である各ＦＥＤのエミッ
ションの寿命特性を示す。
【００１５】図１に示すように、ａ−ＩＴＯの焼成温度
が５２０℃以下であれば、点灯後１０００時間を経過し
ても輝度残存率が８０％以上あるが、５４０℃の例では
点灯後１０００時間で５０％以下に落ちてしまう。従っ
て、この結果からはａ−ＩＴＯの焼成温度は５２０℃以
下であれば効果が得られる。
が５２０℃以下であれば、点灯後１０００時間を経過し
ても輝度残存率が８０％以上あるが、５４０℃の例では
点灯後１０００時間で５０％以下に落ちてしまう。従っ
て、この結果からはａ−ＩＴＯの焼成温度は５２０℃以
下であれば効果が得られる。
【００１６】さらに、上述した例では説明しなかった
が、同様の条件で焼成温度を４５０℃とした場合には、
図１に示す焼成温度４８０℃の場合よりもさらに良好な
結果が得られた。従って、ａ−ＩＴＯの焼成温度は４５
０℃〜５２０℃の範囲であればさらに良い効果が得られ
る。
が、同様の条件で焼成温度を４５０℃とした場合には、
図１に示す焼成温度４８０℃の場合よりもさらに良好な
結果が得られた。従って、ａ−ＩＴＯの焼成温度は４５
０℃〜５２０℃の範囲であればさらに良い効果が得られ
る。
【００１７】焼成温度４５０℃の場合には、蛍光体層を
焼成する際に完全燃焼するようなバインダーを使用する
必要がある。例えば、蛍光体層を形成する際には、この
温度でも完全燃焼するように現状のビークルを改良した
ものを使用するか、変成アクリル樹脂を用いてスクリー
ン印刷するか、電着法を用いる等の手法が採用可能であ
る。
焼成する際に完全燃焼するようなバインダーを使用する
必要がある。例えば、蛍光体層を形成する際には、この
温度でも完全燃焼するように現状のビークルを改良した
ものを使用するか、変成アクリル樹脂を用いてスクリー
ン印刷するか、電着法を用いる等の手法が採用可能であ
る。
【００１８】尚、通常は蛍光体層の焼成を５４０℃で行
い、その後にシールを塗布して再度シール焼成を行って
いるが、その結果は図１に示した５４０℃での焼成と変
化はない。
い、その後にシールを塗布して再度シール焼成を行って
いるが、その結果は図１に示した５４０℃での焼成と変
化はない。
【００１９】次に、昇温離脱ガス質量分析（ＴＤＳ）を
行った。それぞれ異なるＩＴＯ系の薄膜を有する３種類
の陽極基板を用意し、１つずつ昇温離脱ガス質量分析装
置内に入れて実験を行う。即ち装置内を昇温させて陽極
基板から発生したガスを分析する。３種類の陽極基板
は、Ｈ2 をドープしたａ−ＩＴＯの未焼成品、Ｈ2
をドープしたａ−ＩＴＯを５２０℃で焼成したもの、
ポリＩＴＯ、である。昇温速度は室温〜６０℃／ｍｉｎ
である。結果を図２〜図４に示す。図２〜図４のグラフ
において、横軸は温度、縦軸は検出されたガスの強度を
示す。Ｍ／Ｚは、ガスの分子の質量Ｍを価数Ｚで除した
値である。図２〜図３のグラフ中の各曲線の近傍に、当
該ガスを示す分子量の値をかっこ書きした。Ｈは１、Ｈ
2 は２、ＣＨ3 、ＮＨは１５、ＣＨ4 、ＮＨ2 、Ｏは１
６、Ｈ2 Ｏは１８、Ｃ2 Ｈ4 、Ｎ2、ＣＯは２８であ
る。
行った。それぞれ異なるＩＴＯ系の薄膜を有する３種類
の陽極基板を用意し、１つずつ昇温離脱ガス質量分析装
置内に入れて実験を行う。即ち装置内を昇温させて陽極
基板から発生したガスを分析する。３種類の陽極基板
は、Ｈ2 をドープしたａ−ＩＴＯの未焼成品、Ｈ2
をドープしたａ−ＩＴＯを５２０℃で焼成したもの、
ポリＩＴＯ、である。昇温速度は室温〜６０℃／ｍｉｎ
である。結果を図２〜図４に示す。図２〜図４のグラフ
において、横軸は温度、縦軸は検出されたガスの強度を
示す。Ｍ／Ｚは、ガスの分子の質量Ｍを価数Ｚで除した
値である。図２〜図３のグラフ中の各曲線の近傍に、当
該ガスを示す分子量の値をかっこ書きした。Ｈは１、Ｈ
2 は２、ＣＨ3 、ＮＨは１５、ＣＨ4 、ＮＨ2 、Ｏは１
６、Ｈ2 Ｏは１８、Ｃ2 Ｈ4 、Ｎ2、ＣＯは２８であ
る。
【００２０】図２はＨ2 をドープしたａ−ＩＴＯの未
焼成品の結果である。（２）の曲線を見るとわかるよう
に、ここでは、３７０℃付近と５２０℃付近にＨ2 の放
出ピークがある。これは、本ＴＤＳ実験において３７０
℃付近と５２０℃付近でＨ2が放出されたことを意味す
る。
焼成品の結果である。（２）の曲線を見るとわかるよう
に、ここでは、３７０℃付近と５２０℃付近にＨ2 の放
出ピークがある。これは、本ＴＤＳ実験において３７０
℃付近と５２０℃付近でＨ2が放出されたことを意味す
る。
【００２１】図３はＨ2 をドープしたａ−ＩＴＯを５
２０℃で焼成した場合の結果である。ここでは、（２）
の曲線において５００℃以下の部分にはＨ2 の放出ピー
クは少ないが、５７０℃にピークがある。即ち、５２０
℃で焼成した場合には、吸蔵されているＨ2 の内、この
温度以下にピークを持つ部分はすでに放出されている
が、まだ放出されていない部分が５７０℃付近で放出さ
れたことを意味する。
２０℃で焼成した場合の結果である。ここでは、（２）
の曲線において５００℃以下の部分にはＨ2 の放出ピー
クは少ないが、５７０℃にピークがある。即ち、５２０
℃で焼成した場合には、吸蔵されているＨ2 の内、この
温度以下にピークを持つ部分はすでに放出されている
が、まだ放出されていない部分が５７０℃付近で放出さ
れたことを意味する。
【００２２】図４はポリＩＴＯの結果である。ここで
は、（２）の曲線はなだらかで顕著なピークがなく、Ｈ
2 の放出は認められるものの量は少なく、かつ高温側で
ある。
は、（２）の曲線はなだらかで顕著なピークがなく、Ｈ
2 の放出は認められるものの量は少なく、かつ高温側で
ある。
【００２３】以上のＴＤＳの結果から、Ｈ2 をドープし
たａ−ＩＴＯ膜を５２０℃以下の温度で大気焼成してＩ
ＴＯ膜を形成した場合には、ａ−ＩＴＯに含まれていた
Ｈ2の内、焼成時に放出されずに残った分が、ＦＥＤを
形成した後においても外囲器内のＨ2 の平衡ガス分圧を
保つものと考えられる。
たａ−ＩＴＯ膜を５２０℃以下の温度で大気焼成してＩ
ＴＯ膜を形成した場合には、ａ−ＩＴＯに含まれていた
Ｈ2の内、焼成時に放出されずに残った分が、ＦＥＤを
形成した後においても外囲器内のＨ2 の平衡ガス分圧を
保つものと考えられる。
【００２４】従って、本例によれば、ＦＥＤのエミッタ
の先端は常に還元性ガスであるＨ2の一定の分圧下にあ
るので、連続的な使用によってもエミッタの先端が酸
化、汚染しにくく、エミッション性能が低下しにくい。
このため、エミッタの酸化・汚染によって劣化しやすい
ＦＥＤの寿命を改善することができた。
の先端は常に還元性ガスであるＨ2の一定の分圧下にあ
るので、連続的な使用によってもエミッタの先端が酸
化、汚染しにくく、エミッション性能が低下しにくい。
このため、エミッタの酸化・汚染によって劣化しやすい
ＦＥＤの寿命を改善することができた。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、ＦＥＤのエミッタの先
端を常に還元性ガスであるＨ2 の適当な一定の分圧下に
おくことができるので、エミッタの先端が酸化、汚染し
にくい。このため、エミッション性能が低下しにくく、
ＦＥＤの寿命を改善することができる。
端を常に還元性ガスであるＨ2 の適当な一定の分圧下に
おくことができるので、エミッタの先端が酸化、汚染し
にくい。このため、エミッション性能が低下しにくく、
ＦＥＤの寿命を改善することができる。
【図１】本発明の実施の形態の３つの例と比較例のＦＥ
Ｄについて行った寿命試験の結果を示すグラフである。
Ｄについて行った寿命試験の結果を示すグラフである。
【図２】Ｈ2 をドープしたａ−ＩＴＯの未焼成品につい
て行ったＴＤＳの結果を示すグラフである。
て行ったＴＤＳの結果を示すグラフである。
【図３】Ｈ2 をドープしたａ−ＩＴＯを５２０℃で焼成
した陽極基板について行ったＴＤＳの結果を示すグラフ
である。
した陽極基板について行ったＴＤＳの結果を示すグラフ
である。
【図４】従来のポリＩＴＯを有する陽極基板について行
ったＴＤＳの結果を示すグラフである。
ったＴＤＳの結果を示すグラフである。
【図５】一般的な電界放出素子の断面図である。
１ 陽極基板 ２ 陰極基板 １０ 陽極導体 １１ 蛍光体層 ４ 陽極 ３ 電界放出素子（ＦＥＣ）
フロントページの続き (72)発明者 落合 久隆 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株 式会社内 (56)参考文献 特開 平10−55770（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−3872（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 31/12 H01J 9/02
Claims (3)
- 【請求項１】 所定間隔をおいて対面する陽極基板と陰
極基板の各外周部の間を封止した外囲器を有し、前記陽
極基板の内面にポリＩＴＯからなる透光性の陽極導体と
蛍光体層からなる陽極を有し、前記陰極基板の内面に電
界放出素子を有する電界放出形表示素子において、 前記陽極導体に吸蔵された水素が前記外囲器内を所定分
圧の水素ガス雰囲気に保持していることを特徴とする電
界放出形表示素子。 - 【請求項２】 ポリＩＴＯからなる透光性の陽極導体と
蛍光体層からなる陽極を陽極基板の内面に有し、前記陽
極基板に対面する陰極基板の内面に電界放出素子を有す
る電界放出形表示素子の製造方法において、 水素をドープしたアモルファスＩＴＯの層を前記陽極基
板の内面に形成し、５２０℃以下の温度で焼成したこと
を特徴とする電界放出形表示素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記温度が、４５０℃から５２０℃の範
囲内の温度である請求項２記載の電界放出形表示素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10074278A JP3132461B2 (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | 電界放出形表示素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10074278A JP3132461B2 (ja) | 1998-03-23 | 1998-03-23 | 電界放出形表示素子及びその製造方法 |
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1998
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