JP3127023B2 - 不活性ガス発生装置を用いたはんだ付け方法 - Google Patents

不活性ガス発生装置を用いたはんだ付け方法

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好晴 辻本
弘充 尾西
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大阪酸素工業株式会社
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/012Soldering with the use of hot gas

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  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の分野】本発明は例えば電子部品等のはんだ付け
方法に関する。
【0002】
【従来技術の問題点】従来、電子部品のはんだ付けは空
気雰囲気中で行なわれていたために、活性の高いフラッ
クスを使用する必要があった。高活性のフラックスは、
はんだ付け前の部品及び母材の接合面の清浄化、あるい
は、酸素によるはんだ付け中の再酸化を抑える力が強
く、はんだ付け品質を良好とするがはんだ付け後に残留
するフラックス残渣は、配線パターンの腐食や吸湿によ
る絶縁性の劣化等の問題点をもっていた。これらの問題
を解決するために、フロン、トリクロロエタン等により
洗浄する必要があった。しかし、洗浄工程は、コスト・
時間を必要とするうえに環境破壊につながるので多くの
洗浄剤の使用が規制されてきている。
【0003】そこで、無洗浄でもフラックス残渣の信頼
性の高い低活性型フラックスが開発され、更に窒素ガス
等の不活性ガス中でのはんだ付け用の超低活性フラック
スによるはんだ付け方法も最近実用化されてきた。
【0004】はんだ付に使用される窒素ガスの供給方法
としては、液化窒素ガスを蒸発させて使用するのが一般
的であったが、比較的高価なこと、あるいは、液化窒素
ガスの様な高純度(低酸素濃度)が必要とされない場合
には、PSA(圧力変動吸着)式または膜式窒素ガス発
生装置が多く使用されるようになってきた。
【0005】従来の窒素ガスを用いたはんだ付方法で
は、液化窒素ガスを蒸発させた窒素ガスあるいは発生装
置から発生した常温の窒素ガスを流量計等を通して直接
はんだ付装置内に導入していたため、常温の窒素ガスに
より、はんだ付けされる基板や部品が冷却され、基板や
部品の予熱が不充分であったり、同一の基板でも場所に
より温度差が発生し、はんだ付けが均一にできないこと
が多かった。
【0006】
【発明の構成】本発明は、不活性ガス発生装置により発
生させた常温の少量の酸素を含む不活性ガスと水素ガス
供給手段により供給される常温の水素ガスを酸化触媒を
充填した触媒筒に通し、該不活性ガス中に存在する酸素
ガスと該水素ガスとを反応させ、その不活性ガス中の酸
素ガスの全部又は1部を除去し、そして反応熱により加
熱された高温の不活性ガスをはんだ付け装置内に導入し
てはんだ付けを行なうことを特徴とするはんだ付け方法
に関する。
【0007】本発明を詳しく説明すると、例えばPSA
又は膜式の窒素ガス発生装置を用いて発生させた低濃
度、例えば 0.5〜1%の酸素を含む窒素ガス等の不活性
ガスを、水素ガス供給手段により供給される水素ガスを
所定比率に混合した後、高活性の酸化触媒を充填した触
媒筒に通し、O2+2H2→2H2Oの発熱反応により不
活性ガス中の酸素の全部又は1部を除去し、更に発熱反
応によりガスを加熱する。典型的には1%の酸素を含む
窒素ガスを触媒により水素と反応させると、ガス温度は
約160℃上昇し、必要なガスの予熱は達成される。
【0008】このようにO2とH2との反応による触媒に
はDEOXO(商品名)などに代表される白金、パラジ
ウム、ロジウム等の貴金属をAl23に担持させたもの
や、Mn,Cu、Ni等の酸化物からなる触媒が使用で
きる。
【0009】従来の窒素ガス発生装置を用いたはんだ付
装置の構成を図1に示す。発生装置1により発生した窒
素ガスを流量計2−aを通してはんだ付装置3へ導入し
ていた。従って導入される窒素ガスは、発生装置の能力
に応じた濃度の酸素ガスを含み、温度は常温である。
【0010】一方本発明の好ましい態様によれば図2の
如く、発生装置1により発生させた窒素ガスを流量計2
−aにより、水素ガス供給設備4により供給される水素
ガスを流量計2−aを通し所定量混合したガスを、触媒
筒5を通してはんだ付装置3へ導入する。触媒筒5を出
たガスは、1で発生した窒素ガス中の酸素濃度と、2−
a,2−bの夫々の流量を調節することにより、所定量
のO2の濃度を含むか、又は、酸素を含まず発熱反応に
より予熱されたガスである。
【0011】
【発明の効果】ガラスエポキシ基板を用いて、同一基板
内の温度差を測定した。図3に従来法を、図4に本発明
による方法を用いた場合の温度プロファイルを示す。
【0012】従来法では、ピーク時の温度差が25℃で
あったが、本法では温度差が10℃になっている。また
予熱部での基板内温度差も小さくより均一に加熱されて
いる。
【0013】本発明では水素ガスと反応する不活性ガス
中の酸素ガスは、そのために不活性ガス中に加えるので
はない。不活性ガス発生装置から生ずるもっとも発生量
の多い電力原単位の低い、云い換えれば最も経済的に安
価な不活性ガス中には必然的に或る濃度の酸素ガスが含
まれている。本発明ではその酸素ガスと水素と反応させ
て不活性ガスを加熱すると同時に、不活性ガス中の酸素
を除去する役目を果すのである。勿論水素と反応前の不
活性ガス中に少量の酸素を加える態様も本発明に包含さ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術のはんだ付装置の概略図。
【図2】本発明の好ましい態様のはんだ付装置の概略
図。
【図3】従来法による装置内の温度プロファイル。
【図4】本発明による装置内の温度プロファイル。
【符号の説明】
1:窒素発生装置 2−a:窒素
ガス流量計 2−b:水素ガス流量計 3:はんだ付
け装置 4:水素ガス供給装置 5:触媒筒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−227133(JP,A) 特開 平4−371367(JP,A) 特開 昭48−78059(JP,A) 特開 平4−190967(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B23K 31/02 B01J 23/40 B23K 101:42

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不活性ガス発生装置により発生させた常
    温の少量の酸素を含む不活性ガスと水素ガス供給手段に
    より供給される常温の水素ガスを酸化触媒を充填した触
    媒筒に通し、該不活性ガス中に存在する酸素ガスと該水
    素ガスとを反応させ、その不活性ガス中の酸素ガスの全
    部又は1部を除去し、そして反応熱により加熱された高
    温の不活性ガスをはんだ付け装置内に導入して電子部品
    等のはんだ付けを行なうことを特徴とする電子部品等の
    はんだ付け方法。
  2. 【請求項2】 触媒は貴金属触媒である請求項1の方
    法。
  3. 【請求項3】 該不活性ガスと該水素ガスを流量計等で
    一定の比率に混合した後、触媒筒へ導入することからな
    る請求項1の方法。
  4. 【請求項4】 前記不活性ガス中に存在する酸素ガス濃
    度は0.5〜1%である請求項1の方法。
JP03332279A 1991-12-16 1991-12-16 不活性ガス発生装置を用いたはんだ付け方法 Expired - Fee Related JP3127023B2 (ja)

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DE69217542T DE69217542T2 (de) 1991-12-16 1992-12-14 Lötverfahren und -vorrichtung
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KR930000784B1 (ko) * 1988-03-21 1993-02-04 유니온 카바이드 코포레이션 다영역공정에서 흐름바이어스를 조절하는 방법 및 장치

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EP0547860B1 (en) 1997-02-19
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