JPH06190584A - はんだ付け方法 - Google Patents
はんだ付け方法Info
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- JPH06190584A JPH06190584A JP34606092A JP34606092A JPH06190584A JP H06190584 A JPH06190584 A JP H06190584A JP 34606092 A JP34606092 A JP 34606092A JP 34606092 A JP34606092 A JP 34606092A JP H06190584 A JPH06190584 A JP H06190584A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フラックスを使用せずに、雰囲気ガスにより
はんだ付け部分を活性化し、はんだ付け部の後洗浄が不
要なはんだ付け方法を提供する。 【構成】 はんだ付けの雰囲気ガスとして、還元性ガス
とカルボン酸ガスとの混合ガス、あるいはこれに不活性
ガスを混合したガスを用いる。
はんだ付け部分を活性化し、はんだ付け部の後洗浄が不
要なはんだ付け方法を提供する。 【構成】 はんだ付けの雰囲気ガスとして、還元性ガス
とカルボン酸ガスとの混合ガス、あるいはこれに不活性
ガスを混合したガスを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、はんだ付け方法に関
し、詳しくは、活性雰囲気中ではんだ付けを行う方法に
おいて、はんだ付け後の洗浄工程を省略することができ
る雰囲気ガスを用いたはんだ付け方法に関する。
し、詳しくは、活性雰囲気中ではんだ付けを行う方法に
おいて、はんだ付け後の洗浄工程を省略することができ
る雰囲気ガスを用いたはんだ付け方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】はんだ付けを行う際には、はんだ材が溶
融する時点で母材の表面が清浄であることが必要であ
る。このため、一般には、フラックスを用いてこの表面
清浄化（活性化）を行っている。このフラックスを使用
したはんだ付けは、大別して次の３工程で行われる。
融する時点で母材の表面が清浄であることが必要であ
る。このため、一般には、フラックスを用いてこの表面
清浄化（活性化）を行っている。このフラックスを使用
したはんだ付けは、大別して次の３工程で行われる。
【０００３】加熱により表面を活性化させながらフラ
ックスではんだ付け部を覆い、活性状態を維持する。
はんだ材が溶融し、活性化した母材表面に濡れ広がる。
冷却してはんだ材を固化させ、母材とはんだ材とを接
合させる。
ックスではんだ付け部を覆い、活性状態を維持する。
はんだ材が溶融し、活性化した母材表面に濡れ広がる。
冷却してはんだ材を固化させ、母材とはんだ材とを接
合させる。
【０００４】この工程で使用されたフラックスは、はん
だ付け時の加熱により、ある程度気化するが、一部はは
んだ付け部に残る。この残ったフラックスをそのままに
放置しておくと、空気中の水分（湿気）と反応してはん
だ付け部を腐食させたり、絶縁抵抗を低下させたりし
て、電子機器の機能を劣化させる不都合が生じる。した
がって、信頼性を重視するものでは、はんだ付け後にフ
ラックスを除去するための洗浄工程を行う必要がある。
だ付け時の加熱により、ある程度気化するが、一部はは
んだ付け部に残る。この残ったフラックスをそのままに
放置しておくと、空気中の水分（湿気）と反応してはん
だ付け部を腐食させたり、絶縁抵抗を低下させたりし
て、電子機器の機能を劣化させる不都合が生じる。した
がって、信頼性を重視するものでは、はんだ付け後にフ
ラックスを除去するための洗浄工程を行う必要がある。
【０００５】例えば、フラックスの代表的なものとし
て、ロジンに、アミンのハロゲン化物のような活性剤を
添加したものがあり、これを除去する溶剤としては、フ
ロンやトリクレンが優れた効果を有している。
て、ロジンに、アミンのハロゲン化物のような活性剤を
添加したものがあり、これを除去する溶剤としては、フ
ロンやトリクレンが優れた効果を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
溶剤は、地球をとりまくオゾン層を破壊して有害な紫外
線を多量に到達させたり、地下水を汚染したりすること
から、その使用が規制されるようになってきている。こ
のような状況により、近年、電子機器のはんだ付け工場
では、上記溶剤を使用しない洗浄方法の検討が行われて
おり、水溶性の洗剤やアルコール等の代替洗浄剤が提案
されているが、洗浄剤の後処理やその装置に多大の費用
を要する不都合があり、後洗浄自体が不要なフラック
ス、あるいはフラックスを必要としないはんだ付け法の
開発が望まれている。
溶剤は、地球をとりまくオゾン層を破壊して有害な紫外
線を多量に到達させたり、地下水を汚染したりすること
から、その使用が規制されるようになってきている。こ
のような状況により、近年、電子機器のはんだ付け工場
では、上記溶剤を使用しない洗浄方法の検討が行われて
おり、水溶性の洗剤やアルコール等の代替洗浄剤が提案
されているが、洗浄剤の後処理やその装置に多大の費用
を要する不都合があり、後洗浄自体が不要なフラック
ス、あるいはフラックスを必要としないはんだ付け法の
開発が望まれている。
【０００７】そこで本発明は、フラックスを使用せず
に、雰囲気ガスによりはんだ付け部分を活性化し、はん
だ付け部の後洗浄が不要なはんだ付け方法を提供するこ
とを目的としている。
に、雰囲気ガスによりはんだ付け部分を活性化し、はん
だ付け部の後洗浄が不要なはんだ付け方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明のはんだ付け方法は、はんだ付けの雰囲気
ガスとして、還元性ガス、例えば水素，一酸化炭素，ア
ンモニアのいずれか一種のガス又は二種以上の混合ガス
と、カルボン酸ガス、例えば蟻酸，酢酸，プロピオン
酸，ブチリック酸，バレリック酸，カプロン酸，エナン
ト酸，カプリル酸，ペラルゴン酸，蓚酸，マロン酸，コ
ハク酸，アクリル酸，サリチル酸，乳酸のいずれか一種
のガス又は二種以上の混合ガスとを混合した混合ガス、
あるいはこれに不活性ガス、例えば窒素，二酸化炭素，
アルゴン，ヘリウムのいずれか一種のガス又は二種以上
の混合ガスを混合したガスを用いることを特徴としてい
る。
ため、本発明のはんだ付け方法は、はんだ付けの雰囲気
ガスとして、還元性ガス、例えば水素，一酸化炭素，ア
ンモニアのいずれか一種のガス又は二種以上の混合ガス
と、カルボン酸ガス、例えば蟻酸，酢酸，プロピオン
酸，ブチリック酸，バレリック酸，カプロン酸，エナン
ト酸，カプリル酸，ペラルゴン酸，蓚酸，マロン酸，コ
ハク酸，アクリル酸，サリチル酸，乳酸のいずれか一種
のガス又は二種以上の混合ガスとを混合した混合ガス、
あるいはこれに不活性ガス、例えば窒素，二酸化炭素，
アルゴン，ヘリウムのいずれか一種のガス又は二種以上
の混合ガスを混合したガスを用いることを特徴としてい
る。
【０００９】はんだ付け後の洗浄を不要とするための雰
囲気ガスとしての条件は、まず、雰囲気ガスに母材及び
はんだ表面の酸化膜を還元する性質があること、次には
んだ付け時に雰囲気ガス成分がはんだ材や母材内に溶け
込まないこと、あるいは溶け込んでも絶縁抵抗低下や腐
食物の生成がないことなどである。
囲気ガスとしての条件は、まず、雰囲気ガスに母材及び
はんだ表面の酸化膜を還元する性質があること、次には
んだ付け時に雰囲気ガス成分がはんだ材や母材内に溶け
込まないこと、あるいは溶け込んでも絶縁抵抗低下や腐
食物の生成がないことなどである。
【００１０】前記還元性ガス、例えば水素やカルボン酸
は、上記条件を満たすものであって、例えば母材が銅の
場合、銅の表面は、下記の化学反応により還元される。 Ｈ2 ＋ＣｕＯ＝Ｃｕ＋Ｈ2 Ｏ (1) ２（Ｒ−ＣＯＯＨ）＋ＣｕＯ＝（Ｒ−ＣＯＯ）2 Ｃｕ＋Ｈ2 ０ (2) （式中、Ｒは水素又は各種炭化水素基を表す。）
は、上記条件を満たすものであって、例えば母材が銅の
場合、銅の表面は、下記の化学反応により還元される。 Ｈ2 ＋ＣｕＯ＝Ｃｕ＋Ｈ2 Ｏ (1) ２（Ｒ−ＣＯＯＨ）＋ＣｕＯ＝（Ｒ−ＣＯＯ）2 Ｃｕ＋Ｈ2 ０ (2) （式中、Ｒは水素又は各種炭化水素基を表す。）
【００１１】しかしながら、実際には還元性ガスやカル
ボン酸ガス単体の雰囲気により２００℃ではんだ付けす
る場合、還元力が微弱であるため、酸化膜を完全に除去
することができず、はんだ材が溶融しても母材表面に濡
れ広がることがない。例えば、還元ガスである水素は、
およそ３５０℃以上でなければ、銅表面の酸化物を還元
することはできない。また、モノカルボン酸である蟻酸
の場合は、ハロゲン成分を微量添加しなければ、銅表面
の還元を行うことができない。すなわち、還元性ガスや
カルボン酸ガスを単独で用いた場合、温度を高くすれば
母材を活性化する効果は得られるが、２５０℃以上に加
熱することは、電子部品に悪影響を及ぼす可能性があり
好ましくない。
ボン酸ガス単体の雰囲気により２００℃ではんだ付けす
る場合、還元力が微弱であるため、酸化膜を完全に除去
することができず、はんだ材が溶融しても母材表面に濡
れ広がることがない。例えば、還元ガスである水素は、
およそ３５０℃以上でなければ、銅表面の酸化物を還元
することはできない。また、モノカルボン酸である蟻酸
の場合は、ハロゲン成分を微量添加しなければ、銅表面
の還元を行うことができない。すなわち、還元性ガスや
カルボン酸ガスを単独で用いた場合、温度を高くすれば
母材を活性化する効果は得られるが、２５０℃以上に加
熱することは、電子部品に悪影響を及ぼす可能性があり
好ましくない。
【００１２】そこで本発明は、これらのガスの相互作用
を利用し、例えば、カルボン酸と酸化銅との前記式
（２）の反応により生成した（Ｒ−ＣＯＯ）2 Ｃｕを、
還元性ガスの水素等によって下記の反応により銅に還元
するものである。 （Ｒ−ＣＯＯ）2 Ｃｕ＋Ｈ2 ＝２（Ｒ−ＣＯＯＨ）＋Ｃｕ (3) この反応は、銅の表面を観察することによっても推察す
ることができ、カルボン酸のみを使用した場合は、反応
生成物である（Ｒ−ＣＯＯ）2 Ｃｕにより銅表面が緑色
になるが、水素を添加することによって、金属光沢のあ
る銅表面が現れてくる。
を利用し、例えば、カルボン酸と酸化銅との前記式
（２）の反応により生成した（Ｒ−ＣＯＯ）2 Ｃｕを、
還元性ガスの水素等によって下記の反応により銅に還元
するものである。 （Ｒ−ＣＯＯ）2 Ｃｕ＋Ｈ2 ＝２（Ｒ−ＣＯＯＨ）＋Ｃｕ (3) この反応は、銅の表面を観察することによっても推察す
ることができ、カルボン酸のみを使用した場合は、反応
生成物である（Ｒ−ＣＯＯ）2 Ｃｕにより銅表面が緑色
になるが、水素を添加することによって、金属光沢のあ
る銅表面が現れてくる。
【００１３】すなわち、はんだ付けの雰囲気ガスとして
還元性ガスとカルボン酸との混合ガス、あるいは還元性
ガスとカルボン酸と不活性ガスとの混合ガスを用いるこ
とにより、例えば銅表面の酸化銅は、前記式（２），式
（３）の反応で銅に還元され、表面が活性化される。
還元性ガスとカルボン酸との混合ガス、あるいは還元性
ガスとカルボン酸と不活性ガスとの混合ガスを用いるこ
とにより、例えば銅表面の酸化銅は、前記式（２），式
（３）の反応で銅に還元され、表面が活性化される。
【００１４】本発明で使用する還元性ガスとしては、上
記水素の他、一酸化炭素，アンモニアが適当であり、一
酸化炭素は、前記式（２）で生成する水分と反応して下
記式により水素を生成する。 ＣＯ＋Ｈ2 Ｏ＝ＣＯ2 ＋Ｈ2 また、アンモニアは、下記式のように分解することで水
素を生成する。 ２ＮＨ3 ＝Ｎ2 ＋３Ｈ2
記水素の他、一酸化炭素，アンモニアが適当であり、一
酸化炭素は、前記式（２）で生成する水分と反応して下
記式により水素を生成する。 ＣＯ＋Ｈ2 Ｏ＝ＣＯ2 ＋Ｈ2 また、アンモニアは、下記式のように分解することで水
素を生成する。 ２ＮＨ3 ＝Ｎ2 ＋３Ｈ2
【００１５】また、カルボン酸としては、各種のものを
使用することができるが、はんだ付け工程時の温度、す
なわち、はんだ付けの工程は、母材の予熱，はんだ材の
溶融，母材とはんだ材の冷却、の３工程に大別され、母
材表面の還元は、母材の予熱工程から始める必要がある
ため、予熱時の温度で、即ち一般的な予熱温度である１
００〜２５０℃でガス化するカルボン酸を選定する必要
がある。本発明に用いるカルボン酸として適当なもの
を、その沸点と共に以下に示す。
使用することができるが、はんだ付け工程時の温度、す
なわち、はんだ付けの工程は、母材の予熱，はんだ材の
溶融，母材とはんだ材の冷却、の３工程に大別され、母
材表面の還元は、母材の予熱工程から始める必要がある
ため、予熱時の温度で、即ち一般的な予熱温度である１
００〜２５０℃でガス化するカルボン酸を選定する必要
がある。本発明に用いるカルボン酸として適当なもの
を、その沸点と共に以下に示す。
【００１６】 蟻酸 ＨＣＯＯＨ １０１℃ 酢酸 ＣＨ3 ＣＯＯＨ １１９℃ プロピオン酸 ＣＨ3 （ＣＨ2 ）ＣＯＯＨ １４１℃ ブチリック酸 ＣＨ3 （ＣＨ2 ）2 ＣＯＯＨ １６４℃ バレリック酸 ＣＨ3 （ＣＨ2 ）3 ＣＯＯＨ １８６℃ カプロン酸 ＣＨ3 （ＣＨ2 ）4 ＣＯＯＨ ２０５℃ エナント酸 ＣＨ3 （ＣＨ2 ）5 ＣＯＯＨ ２３３℃ カプリル酸 ＣＨ3 （ＣＨ2 ）6 ＣＯＯＨ ２３９℃ ペラルゴン酸 ＣＨ3 （ＣＨ2 ）7 ＣＯＯＨ ２５３℃ 蓚酸 （ＨＣＯＯＨ）2 １５７℃（昇華） マロン酸 ＨＯＯＣ（ＣＨ2 ）ＣＯＯＨ １４０℃ コハク酸 ＨＯＯＣ（ＣＨ2 ）2 ＣＯＯＨ ２３５℃（昇華） アクリル酸 ＣＨ2 ＣＨＣＯＯＨ １４１℃ サリチル酸 Ｃ6 Ｈ4 （ＯＨ）ＣＯＯＨ ２１１℃（昇華） 乳酸 ＣＨ3 ＣＨ（ＯＨ）ＣＯＯＨ １１９℃
【００１７】本発明では、上記還元性ガスとカルボン酸
ガスとを母材表面の状態に応じて混合し、これをはんだ
付けの雰囲気ガスとして用いることができるが、これに
不活性ガスを混合して還元性ガス及びカルボン酸ガスを
希釈することにより、例えば可燃性ガスである水素の濃
度や、許容濃度が比較的低いカルボン酸の濃度を下げる
ことでき、安全性や経済性を向上させることができる。
このとき用いる不活性ガスは、従来からはんだ付け時の
雰囲気ガスとして用いられている窒素ガスをはじめとし
て、二酸化炭素，アルゴン，ヘリウム等を用いることが
できる。
ガスとを母材表面の状態に応じて混合し、これをはんだ
付けの雰囲気ガスとして用いることができるが、これに
不活性ガスを混合して還元性ガス及びカルボン酸ガスを
希釈することにより、例えば可燃性ガスである水素の濃
度や、許容濃度が比較的低いカルボン酸の濃度を下げる
ことでき、安全性や経済性を向上させることができる。
このとき用いる不活性ガスは、従来からはんだ付け時の
雰囲気ガスとして用いられている窒素ガスをはじめとし
て、二酸化炭素，アルゴン，ヘリウム等を用いることが
できる。
【００１８】これらのガスの混合比は、母材の種類，母
材表面の状態，はんだ付け時の温度，各ガスの種類，そ
の他の条件に応じて最適な範囲に設定すればよく、母材
表面の酸化膜が比較的薄い場合には、還元性ガス及びカ
ルボン酸ガスの濃度を下げて安全性や経済性をより向上
させることができる。
材表面の状態，はんだ付け時の温度，各ガスの種類，そ
の他の条件に応じて最適な範囲に設定すればよく、母材
表面の酸化膜が比較的薄い場合には、還元性ガス及びカ
ルボン酸ガスの濃度を下げて安全性や経済性をより向上
させることができる。
【００１９】このように、はんだ付けの雰囲気ガスとし
て、還元性ガスとカルボン酸の混合ガス、あるいは還元
性ガスとカルボン酸と不活性ガスとの混合ガスを用いる
ことにより、雰囲気ガスに含まれる還元性ガスやカルボ
ン酸ガスが、母材及びはんだ表面の酸化膜を還元活性化
して母材とはんだ材との良好な濡れ性が得られ、また、
この雰囲気ガスの成分は、はんだ材や母材内にほとんど
溶け込まないので絶縁抵抗低下や腐食物の生成がなく、
良好なはんだ付けを行うことができる。さらに、従来の
ように、はんだ付け部にフラックスが残るようなことが
ないので、はんだ付け後の洗浄工程が不要になり、洗浄
装置の省略により設備コストの低減とランニングコスト
の低減が図れる。また、フロン等の溶剤を使用しないの
で環境汚染のおそれもなく、洗浄に水溶性洗剤を使用し
たときの水処理が不要になり、洗浄装置と共に水処理装
置の設置スペースも不要になる。
て、還元性ガスとカルボン酸の混合ガス、あるいは還元
性ガスとカルボン酸と不活性ガスとの混合ガスを用いる
ことにより、雰囲気ガスに含まれる還元性ガスやカルボ
ン酸ガスが、母材及びはんだ表面の酸化膜を還元活性化
して母材とはんだ材との良好な濡れ性が得られ、また、
この雰囲気ガスの成分は、はんだ材や母材内にほとんど
溶け込まないので絶縁抵抗低下や腐食物の生成がなく、
良好なはんだ付けを行うことができる。さらに、従来の
ように、はんだ付け部にフラックスが残るようなことが
ないので、はんだ付け後の洗浄工程が不要になり、洗浄
装置の省略により設備コストの低減とランニングコスト
の低減が図れる。また、フロン等の溶剤を使用しないの
で環境汚染のおそれもなく、洗浄に水溶性洗剤を使用し
たときの水処理が不要になり、洗浄装置と共に水処理装
置の設置スペースも不要になる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例を説明す
る。 実施例１ 還元性ガスとして、水素２０％，カルボン酸ガスとして
蟻酸４％，残部が不活性ガスの窒素からなる雰囲気ガス
を用い、研磨銅板及び酸化銅板の上に、スズ６３％，鉛
３７％のリング状はんだ材を置いて、２００℃，２５０
℃，３００℃に加熱したときの状態を観察した。その結
果を表１に示す。
る。 実施例１ 還元性ガスとして、水素２０％，カルボン酸ガスとして
蟻酸４％，残部が不活性ガスの窒素からなる雰囲気ガス
を用い、研磨銅板及び酸化銅板の上に、スズ６３％，鉛
３７％のリング状はんだ材を置いて、２００℃，２５０
℃，３００℃に加熱したときの状態を観察した。その結
果を表１に示す。
【００２１】実施例２ 水素４０％，酢酸４％，残部窒素からなる雰囲気ガスを
用いて、実施例１と同様にして研磨銅板及び酸化銅板の
はんだ付け実験を行った。その結果を表１に示す。
用いて、実施例１と同様にして研磨銅板及び酸化銅板の
はんだ付け実験を行った。その結果を表１に示す。
【００２２】比較例 比較として、窒素のみ、水素のみ、蟻酸４％を含
む窒素、酢酸４％を含む窒素、をそれぞれ雰囲気ガス
として実施例１及び実施例２と同条件ではんだ付け実験
を行った。その結果を表１に示す。
む窒素、酢酸４％を含む窒素、をそれぞれ雰囲気ガス
として実施例１及び実施例２と同条件ではんだ付け実験
を行った。その結果を表１に示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のはんだ付
け方法によれば、フラックスを用いることなく、通常の
電子部品のはんだ付け温度である２５０℃以下で母材及
びはんだ表面を活性化することができ、良好なはんだ付
けを行うことができるとともに、後洗浄が不要になり、
設備費やランニングコストの低減が図れる。
け方法によれば、フラックスを用いることなく、通常の
電子部品のはんだ付け温度である２５０℃以下で母材及
びはんだ表面を活性化することができ、良好なはんだ付
けを行うことができるとともに、後洗浄が不要になり、
設備費やランニングコストの低減が図れる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 有賀 敬記 神奈川県川崎市幸区塚越４−320 日本酸 素株式会社内 (72)発明者 奥野 哲也 東京都足立区千住橋戸町23番地 千住金属 工業株式会社内 (72)発明者 飯野 知彦 東京都足立区千住橋戸町23番地 千住金属 工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 はんだ付けの雰囲気ガスとして、還元性
ガスとカルボン酸との混合ガス、あるいは還元性ガスと
カルボン酸と不活性ガスとの混合ガスを用いることを特
徴とするはんだ付け方法。 - 【請求項２】 前記還元性ガスは、水素，一酸化炭素，
アンモニアのいずれか一種のガス又は二種以上の混合ガ
スであることを特徴とする請求項１記載のはんだ付け方
法。 - 【請求項３】 前記カルボン酸ガスは、蟻酸，酢酸，プ
ロピオン酸，ブチリック酸，バレリック酸，カプロン
酸，エナント酸，カプリル酸，ペラルゴン酸，蓚酸，マ
ロン酸，コハク酸，アクリル酸，サリチル酸，乳酸のい
ずれか一種のガス又は二種以上の混合ガスであることを
特徴とする請求項１記載のはんだ付け方法。 - 【請求項４】 前記不活性ガスは、窒素，二酸化炭素，
アルゴン，ヘリウムのいずれか一種のガス又は二種以上
の混合ガスであることを特徴とする請求項１記載のはん
だ付け方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04346060A JP3138782B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | はんだ付け方法 |
| EP94903047A EP0628370A4 (en) | 1992-12-25 | 1993-12-24 | WELDING METHOD AND APPARATUS. |
| PCT/JP1993/001868 WO1994014563A1 (en) | 1992-12-25 | 1993-12-24 | Soldering method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04346060A JP3138782B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | はんだ付け方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06190584A true JPH06190584A (ja) | 1994-07-12 |
| JP3138782B2 JP3138782B2 (ja) | 2001-02-26 |
Family
ID=18380872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04346060A Expired - Fee Related JP3138782B2 (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | はんだ付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3138782B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6344407B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-02-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing solder bumps and solder joints using formic acid |
| US6732911B2 (en) | 2001-01-18 | 2004-05-11 | Fujitsu Limited | Solder jointing system, solder jointing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing system |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP04346060A patent/JP3138782B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6344407B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-02-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing solder bumps and solder joints using formic acid |
| US6666369B2 (en) | 1999-12-20 | 2003-12-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method, electronic parts mounting method and heating/melting process equipment |
| US6732911B2 (en) | 2001-01-18 | 2004-05-11 | Fujitsu Limited | Solder jointing system, solder jointing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3138782B2 (ja) | 2001-02-26 |
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