JP3123446B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は食品や流体等を加熱
するための高周波加熱装置に関し、さらに詳しく言え
ば、その電源装置に高周波電力を発生するインバータ回
路を用いた高周波加熱装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図５は電子レンジ用のマグネトロン駆動
電源の一実施例の回路図である。

【０００３】商用電源１３は整流フィルター部１によっ
て単方向電源に波形成形され、インバータ部２で２０〜
５０KHZの高周波電力に変換される。昇圧トランス７で
変換される電力は高周波化されているため、昇圧トラン
ス７は小型化することができる。またスイッチング素子
たるパワートランジスタ２５のＯＮ／ＯＦＦを器体制御
回路８からの指令を受けたインバータ制御回路３が適宜
コントロールすることによって２次側への電力供給をコ
ントロールして、マイクロ波出力を無段階に可変できる
こともインバータを用いたマグネトロン駆動電源の特長
といえる。

【０００４】昇圧トランス７の２次側は半波倍電圧整流
方式でマグネトロン６のアノード−カソード間に高圧直
流電圧を印加し、かつ昇圧トランス７からヒーターに電
力を供給しカソードを加熱して電子の放射を促進してい
る。ここで、点線に囲んだ部分については複数部品をプ
リント基板上に部品配置して、１ユニットのインバータ
基板５として構成されている。また周辺部品とのインタ
ーフェイスはＣＮ１〜ＣＮ４までの接続部で結合されて
いる。

【０００５】以上が電子レンジ用のマグネトロン駆動電
源の概略の構成である。次ぎに電子レンジへの電源の実
装に関して述べる。

【０００６】図６は電子レンジの正面からの外観斜視図
である。器体１４は露出金属もしくは表面をプレコート
塗装した基材で覆われている。コートは絶縁材としての
充分な機能を有していないため、人が触る恐れのある金
属部と考えるべきであろう。ドアー１５は器体１４前面
に具備され開閉自在であり、オーブン庫内への被加熱物
の出し入れを可能にし、閉時はマイクロ波の漏洩をシー
ルドする。コントロールパネル１６は電子レンジと使用
者のマン−マシンインターフェイスとしての機能を有
し、機械室内には使用者の入力指令を受けて所定の電気
的制御を実効する器体制御回路８が実装されている。

【０００７】図７は器体１４のカバーを取り外した時の
電子レンジの機械室側から見た外観斜視図である。加熱
室たるオーブン３１の側面には庫内にマイクロ波エネル
ギーを照射するマグネトロン６が取り付けられている。

【０００８】ここで第１の接続部９はインバータ基板５
がアース取付金具１７と基板パターン面で圧接する様に
アース締め付けビス１８で取り付けられている。またア
ース取付金具１７はもう一方では器体１４の露出金属部
にビス締めされ電気的に導通した状態で固定されてい
る。その詳細な構造を示したものが図８である。

【０００９】ビス孔を穿ったインバータ基板５は周辺に
ハトメ２４が配されており、アース締め付けビス１８締
め付け時にアース取付金具１７とハトメ２４とは接触し
て電気的接触が図られる。これにより器体アース２３が
行われる。またハトメ２４は、インバータ基板５のパタ
ーン面においてマグネトロン６のアノード側と電気的に
接続される高圧ダイオード２７のカソード（高圧回路４
のアース電位）と同一電位のパターンにハンダ付けによ
って接続されている。

【００１０】このような構成にすることによって、高圧
回路４のアース電位はマグネトロン６のアノードと金属
シャーシを介して接続され、アノード電流はこの経路を
通って流れる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術の
構成ではアース取付金具１７の形状、大きさでインバー
タ基板５の機械室内に配置する位置が限定されてしまう
という問題があった。例えば、図７で示すような実装形
態ではなく、基板のパターン面がオーブン３１の機械室
側側面に平行に配するような、即ち基板を鉛直方向に立
てる様な構成にした場合、たちまちアース取付金具１７
の形状は複雑で実装困難な形状に変わってくる。幸運に
もインバータ基板５のアース締め付け穴（第１の接続部
９）が器体金属シャーシの近傍に位置する構成では、設
計に窮することはなかろうが、第１の接続部９が遠く離
れた位置になってしまった場合、取付構成は構造的に非
常に大がかりなものになってしまう可能性が極めて高
い。また基板の部品面をオーブン３１の機械室側に配す
るような設計的ニーズが生じた場合、アース取付金具１
７の形状あるいはビスの締め付け、組立の順序、作業
性、故障時のサービスの容易性も含めて、相当技巧をこ
らした実装構造的上の工夫をしなければ、インバータ基
板５の器体金属シャーシへの接続は難しく、深刻な状況
に陥ることは自明である。

【００１２】以上に示してきた、インバータ基板５の実
装、配置の決定的な自由度のなさが機械室内の部品配置
を固定化してしまい、デザイン、意匠を陳腐なものと
し、機械室内の大きさにも制約を与えてきたという問題
を有していた。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、器体金属シャーシをアース電位とする器体
制御回路とインバータ回路の高圧回路のアース電位とを
配線接続することで電気的な結線を実現する構成を有す
るものである。

【００１４】上記発明によれば、インバータ基板は金属
部材を介して器体金属シャーシと高圧回路のアース電位
をビス締め固定して電気的接続を図る必要がないため、
実装、配置上の制約はなくなり、機械室内の中で自由な
形で実装が可能となる。

【００１５】また、器体金属シャーシをアース電位とす
る器体制御回路とインバータ回路の高圧回路のアース電
位を配線接続する結線と、器体制御回路とインバータ制
御回路を配線接続する結線群のうち、器体金属シャーシ
と同電位の結線を共通とし、かつその結線が未結線の場
合前記器体制御回路から指令信号が伝達されない構成を
有するものである。

【００１６】上記発明によれば、結線群が一カ所にかた
まり、配線の結束によるばらけが容易に回避できる構成
となる。さらにその共通の結線が万一脱線、切断したと
き記器体制御回路から指令信号が伝達されないため、高
圧回路のアース結線がなされないまま、インバータが動
作して未結線部の高圧回路に高圧が誘起するという不安
全につながるモードは回避することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明は、マイクロ波を放射しア
ノードは器体露出金属部と同電位としたマグネトロン
と、交流電源を全波整流及び高周波除去して直流電源に
変換する整流フィルター部と、少なくとも１個以上の半
導体スイッチング素子をＯＮ／ＯＦＦして直流電源を高
周波化するインバータ部と、インバータ部の高周波電力
を昇圧する昇圧トランスと、昇圧トランスの出力を整流
または逓倍電圧整流して高圧直流電圧に変換しマグネト
ロンに高圧直流電圧を印加してマイクロ波を照射させる
高圧回路と、インバータ部のスイッチング素子を制御し
インバータ動作させるインバータ制御回路と、インバー
タ制御回路にマグネトロンのマイクロ波出力の強弱及び
停止の指令信号を送り、かつ高周波加熱装置全体の制御
を司る器体制御回路とを備え、整流フィルター部、イン
バータ部、昇圧トランス、高圧回路、インバータ制御回
路とを同一のインバータ基板上に形成し、器体制御回路
とインバータ制御回路間を配線接続するとともに、器体
制御回路に設けた器体露出金属部と同電位の回路部位と
高圧回路の器体露出金属部と同電位の回路部位間を結線
接続を有するものである。

【００１８】そうすることで、インバータ基板と周辺部
品とのインターフェイスは全て配線接続によって構成さ
れるため、完全にインバータ基板の配置、設置に際して
の制約はなくなり、実装面での自由度は大幅に増すこと
になる。

【００１９】さらに、器体制御回路に設けた器体露出金
属部と同電位の回路部位と高圧回路の器体露出金属部と
同電位の回路部位を配線接続する結線と、器体制御回路
とインバータ制御回路を配線接続する結線群のうち、器
体露出金属部と同電位の回路部位間を接続する結線を共
通とし、かつその結線が未結線の場合やシャーシアース
へのみ接続等があった場合、器体制御回路から指令信号
が伝達されない構成を有するものである。

【００２０】そうすることで、配線の省線化、複数線の
結束処理の簡易性が可能になるとともに、結線が万一脱
線、断線、結線忘れ等が生じた際、インバータの動作が
停止し、高圧が発生しないというフェールセーフの構成
となる。

【００２１】さらに、マイクロ波を放射しアノードは器
体露出金属部と同電位としたマグネトロンと、交流電源
を全波整流及び高周波除去して直流電源に変換する整流
フィルター部と、少なくとも１個以上の半導体スイッチ
ング素子をＯＮ／ＯＦＦして直流電源を高周波化するイ
ンバータ部と、インバータ部の高周波電力を昇圧する昇
圧トランスと、昇圧トランスの出力を整流または逓倍電
圧整流して高圧直流電圧に変換しマグネトロンに高圧直
流電圧を印加してマイクロ波を照射させる高圧回路と、
インバータ部のスイッチング素子を制御しインバータ動
作させるインバータ制御回路と、インバータ制御回路に
前記マグネトロンのマイクロ波出力の強弱及び停止の指
令信号を送り、かつ高周波加熱装置全体の制御を司る器
体制御回路とを備え、整流フィルター部、インバータ
部、昇圧トランス、高圧回路、インバータ制御回路とを
同一基板上に形成し、器体制御回路に設けた器体露出金
属部と同電位の回路部位と高圧回路の器体露出金属部と
同電位の回路部位を配線接続する結線と、器体制御回路
とインバータ制御回路を配線接続する結線群を同一コネ
クタを用いて結線する構成を有するものである。

【００２２】そうすることで、単一の結線のみが未接続
となる確率は皆無となる。コネクタが何らかの理由では
ずれた場合、インバータが誤発振しない回路構成、即ち
はずれた端子に高圧が発生するという不安全な故障モー
ドは一切生じない安全な構成を実現することが出来る。

【００２３】さらに、器体制御回路に設けた器体露出金
属部と同電位の回路部位と前記高圧回路の器体露出金属
部と同電位の回路部位を配線接続する結線を複数化し、
器体制御回路とインバータ制御回路を配線接続する結線
群と同一コネクタを用いて結線する構成を有するもので
ある。

【００２４】そうすることで、結線の一つが断線しても
他の結線で回路構成が維持され、万一にもフローティン
グした線が高圧電位となる不安全問題は生じない。

【００２５】以下本発明の一実施例における高周波加熱
装置について図面に基づいて説明する。

【００２６】（実施例１）図１は本発明の実施例１にお
ける高周波加熱装置の回路図である。

【００２７】商用電源１３は、交流波形を全波整流する
ダイオードブリッジ３４と、チョークコイル１９及び平
滑コンデンサ２０で構成されたローパスフィルターから
なる整流フィルター部１によって単方向電源に波形成形
され、共振コンデンサ２１とトランス７のインダクタ成
分でタンク回路を構成した共振回路と、それに直列接続
されたパワートランジスタ２５とフライフォイルダイオ
ード２２とで併設してなるスイッチング素子とで構成さ
れたインバータ部２で、２０〜５０KHZの高周波電力に
変換される。昇圧トランス７の１次側に発生する高周波
電力は昇圧トランス７で昇圧され、２次側には高圧の高
周波電力が発生する。

【００２８】昇圧トランス７の２次側に接続された回路
は、高圧コンデンサ２６と高圧ダイオード２７からなる
半波倍電圧整流方式の高圧回路４で、マグネトロン６の
アノード−カソード間には高圧直流電圧が印加される。
かつ昇圧トランス７のもう一方の２次巻線からマグネト
ロン６のヒーターに電力が供給されカソードが加熱され
励起された電子がアノードに到達することによって、マ
イクロ波エネルギーがオーブン庫内の被加熱物に照射さ
れる。

【００２９】また器体制御回路８からの発振及び設定出
力指令を受けたインバータ制御回路３が、スイッチング
素子たるパワートランジスタ２５のＯＮ／ＯＦＦを適
宜、所定の制御則にしたがって変化させることによっ
て、２次側への電力供給をコントロールして、マイクロ
波出力の強弱をコントロールしている。本実施例におい
ては、カレントトランス３３により感知した入力電流を
負帰還制御によって一定にコントロールする制御則とな
っている。

【００３０】ここで、点線に囲んだ部分については複数
部品をプリント基板上に部品配置して、１ユニットのイ
ンバータ基板５として構成している。また周辺部品との
インターフェイスはＣＮ１〜ＣＮ３の接続部で結合され
ている。

【００３１】ここで高圧回路４の器体シャーシアースは
第１の接続部９を経由して器体制御回路８に接続され、
器体シャーシ電位を制御系のグランド電位とする器体制
御回路８内部で器体シャーシに接続され器体アース２３
される。

【００３２】このような構成にすることによって、イン
バータ基板は物理的にほぼフローティング状態（厳密に
は配線により部分的な自由度の制約がある）であり、冷
却構成、収納構成に応じて自由な形での取付形態が選択
でき、実装に関する設計的自由度は大幅に改善される。

【００３３】また高圧回路４から器体シャーシへの結線
は、第１の接続部９において複数本の配線構成となって
おり、万一１本が断線しても充分に本来の機能が果たせ
る構成となっている。

【００３４】また器体制御回路８からの発振及び設定出
力指令をインバータ制御回路３に送る配線と上記器体シ
ャーシへの結線が同一コネクタの中に含まれる構成とな
っているため、万一コネクタはずれ等が生じた場合、イ
ンバータの発振及び設定出力指令はカットされるため高
圧が発生することはない。したがってコネクタがはずれ
ても、高圧回路４と接続された端子に高圧が発生して周
辺回路との間で不安全な絶縁破壊を生じることはない。

【００３５】（実施例２）本発明の実施例２における高
周波加熱装置の要部回路図を図２に示す。同一番号を付
している部品、ブロックについては説明を割愛する。

【００３６】ここで、フォトカプラー３６はインバータ
制御回路３と器体制御回路８の電位差をもった回路間で
情報の伝達を行うための部品である。器体制御回路８に
実装されたマイクロコンピューター４１はフォトカプラ
ー３６との電圧レベル、論理、インピーダンスなどの信
号間整合をとるためのＩ／Ｆ回路（インターフェース回
路）４２を経由してフォトカプラー３６によりマグネト
ロンの動作を制御する（出力の高低、ＯＮ／ＯＦＦ
等）。信号としては、出力のコントロール指令の場合は
周波数信号またはパルス巾変調信号等が、ＯＮ／ＯＦＦ
の指令の場合は信号のＨｉｇｈ／Ｌｏｗの状態等があ
る。

【００３７】万一、Ａ部が断線した場合、フォトカプラ
３６の１次側ダイオードに電流が流れる経路が遮断され
るためインバータ制御回路３への指令信号は消滅する。
その場合において出力が停止する論理構成にさえしてお
けば高圧回路４に高圧が発生し続けることはなく、高圧
回路４と接続された端子に高圧が発生して周辺回路との
間で不安全な絶縁破壊が生じることはない。

【００３８】以上が電子レンジ用のマグネトロン駆動電
源の概略の構成である。次ぎに電子レンジへの電源の実
装に関して述べる。本発明ではインバータ基板５をアー
ス接続用の金具等を介してシャーシに結合する構成では
なく、配線によるアース接続になっているため自由な形
での実装が可能になる。図３（ａ）はインバータ取付板
３５にインバータ基板５を載置した構成で、充分な冷却
が要求される発熱部品であるマグネトロン６とインバー
タが極接近した形で配置され、その直後に冷却ファン３
２により、後面吸気で前方の発熱体に向けフレッシュエ
アーをあてている。このようにすれば、発熱体を密集さ
せ効果的に冷却することが可能となる。

【００３９】図３（ｂ）の場合、底面吸気の構成であ
る。これはインバータを直立させて配置しかつ（ａ）と
同様マグネトロン６とインバータが近接し被冷却部品が
冷却ファン３２の近傍に配されており、これも従来にな
い効果的な冷却が実現できる。

【００４０】図４（ａ）は図３（ａ）の派生的配置構成
であるが、インバータ基板５のパターン面が上になるよ
うに配置している、このような構成の方が温度的に厳し
い部品に冷却風があたり、冷却性能上好ましい場合もあ
る。

【００４１】図４（ｂ）の場合はインバータ基板５を斜
めに配し、マグネトロン６とで構成される集風経路に向
けて後上部に傾斜して配した冷却ファン３２から、後面
吸気のフレッシュエアーを前方の発熱体に向けあててい
る。上記に説明したごとく、構成の選択はこのように自
由度の高いものになる。

【００４２】

【発明の効果】以上のように本発明の高周波加熱装置に
おいては、以下のような効果が得られる。

【００４３】（１）整流フィルター部、インバータ部、
昇圧トランス、高圧回路、インバータ制御回路とを同一
のインバータ基板上に形成したマグネトロン駆動用電源
において、器体制御回路とインバータ制御回路間を配線
接続するとともに、器体制御回路に設けた器体露出金属
部と同電位の回路部位と高圧回路の器体露出金属部と同
電位の回路部位間を結線接続を有するものである。

【００４４】そうすることで、周辺部品とのインターフ
ェイスは全て配線接続によって構成されるため、従来、
インバータ基板を金属板金部材を用いて直接器体金属シ
ャーシにアース接続していたことによるインバータ基板
と器体金属シャーシ相互の物理的配置制約は大幅に緩和
でき、実装面での自由度は際限なく増す。これにより、
冷却のための最適部品配置による冷却性能の改善、機械
室内の有効活用による斬新な商品フォルムの実現など品
質、商品性のアップ等様々な効果への応用が期待でき
る。

【００４５】（２）器体制御回路に設けた器体露出金属
部と同電位の回路部位と高圧回路の器体露出金属部と同
電位の回路部位を配線接続する結線と、器体制御回路と
インバータ制御回路を配線接続する結線群のうち、器体
露出金属部と同電位の回路部位間を接続する結線を共通
とし、かつその結線が未結線あるいはシャーシアースさ
れていなかった場合、器体制御回路から指令信号が伝達
されない構成とすることで、配線の省線化、複数線の結
束処理の簡易性が可能になるとともに、結線が万一脱
線、断線、結線忘れ等が生じても、インバータの動作が
停止するため回路遮断部分に高圧が発生することはな
く、安全性の確保も確実に図れるという効果がある。

【００４６】（３）器体制御回路に設けた器体露出金属
部と同電位の回路部位と前記高圧回路の器体露出金属部
と同電位の回路部位を配線接続する結線と、器体制御回
路とインバータ制御回路を配線接続する結線群を同一コ
ネクタを用いて結線する構成とすることで、単一の結線
のみが未接続となる確率は皆無となりコネクタが何らか
の理由ではずれた場合、インバータの動作が即座に停止
するため回路遮断部分に高圧が発生することはなく、安
全性の確保も確実に図れるという効果がある。

【００４７】（４）器体制御回路に設けた器体露出金属
部と同電位の回路部位と高圧回路の器体露出金属部と同
電位の回路部位を配線接続する結線を複数化し、器体制
御回路とインバータ制御回路を配線接続する結線群と同
一コネクタを用いて結線する構成を有することで、上記
結線の一つが断線しても他の結線で回路構成が維持され
るため、万一にも断線部に高圧が流れ込むという不安全
問題は生じないという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の高周波加熱装置の回路図

【図２】本発明の実施例２の高周波加熱装置の要部回路
図

【図３】（ａ）同高周波加熱装置の部品実装例１を示す
側面断面図 （ｂ）同高周波加熱装置の部品実装例２を示す側面断面
図

【図４】（ａ）同高周波加熱装置の部品実装例３を示す
側面断面図 （ｂ）同高周波加熱装置の部品実装例４を示す側面断面
図

【図５】従来の高周波加熱装置の回路図

【図６】同高周波加熱装置の外観斜視図

【図７】同高周波加熱装置の機械室内の斜視図

【図８】同インバータ基板の器体シャーシ接続方法を示
す説明図

【符号の説明】

１ 整流フィルター部 ２ インバータ部 ３ インバータ制御回路 ４ 高圧回路 ５ インバータ基板 ６ マグネトロン ７ 昇圧トランス ８ 器体制御回路 ９ 第１の接続部 ２３ 器体アース ３７ ハーネス１

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安井 健治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−245963（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−20770（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−205868（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−203666（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−46993（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05B 6/66 - 6/68 F24C 7/02

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】マイクロ波を放射しアノードは器体露出金
   属部と同電位としたマグネトロンと、交流電源を全波整
   流及び高周波除去して直流電源に変換する整流フィルタ
   ー部と、少なくとも１個以上の半導体スイッチング素子
   をＯＮ／ＯＦＦして直流電源を高周波化するインバータ
   部と、前記インバータ部の高周波電力を昇圧する昇圧ト
   ランスと、前記昇圧トランスの出力を整流または逓倍電
   圧整流して高圧直流電圧に変換し前記マグネトロンに高
   圧直流電圧を印加してマイクロ波を照射させる高圧回路
   と、前記インバータ部のスイッチング素子を制御しイン
   バータを動作させるインバータ制御回路と、前記インバ
   ータ制御回路に前記マグネトロンのマイクロ波出力の強
   弱及び停止の指令信号を送り、かつ高周波加熱装置全体
   の制御を司る器体制御回路とを備え、前記整流フィルタ
   ー部、前記インバータ部、前記昇圧トランス、前記高圧
   回路、前記インバータ制御回路とを同一基板上に形成
   し、前記器体制御回路に設けた器体露出金属部と同電位
   の回路部位と前記高圧回路の器体露出金属部と同電位の
   回路部位間及び、前記器体制御回路と前記インバータ制
   御回路間を配線接続してなる高周波加熱装置。
2. 【請求項２】マイクロ波を放射しアノードは器体露出金
   属部と同電位としたマグネトロンと、交流電源を全波整
   流及び高周波除去して直流電源に変換する整流フィルタ
   ー部と、少なくとも１個以上の半導体スイッチング素子
   をＯＮ／ＯＦＦして直流電源を高周波化するインバータ
   部と、前記インバータ部の高周波電力を昇圧する昇圧ト
   ランスと、前記昇圧トランスの出力を整流または逓倍電
   圧整流して高圧直流電圧に変換し前記マグネトロンに高
   圧直流電圧を印加してマイクロ波を照射させる高圧回路
   と、前記インバータ部のスイッチング素子を制御しイン
   バータ動作させるインバータ制御回路と、前記インバー
   タ制御回路に前記マグネトロンのマイクロ波出力の強弱
   及び停止の指令信号を送り、かつ高周波加熱装置全体の
   制御を司る器体制御回路とを備え、前記整流フィルター
   部、前記インバータ部、前記昇圧トランス、前記高圧回
   路、前記インバータ制御回路とを同一基板上に形成し、
   前記器体制御回路に設けた器体露出金属部と同電位の回
   路部位と前記高圧回路の器体露出金属部と同電位の回路
   部位を配線接続する結線と、前記器体制御回路と前記イ
   ンバータ制御回路を配線接続する結線群のうち、器体露
   出金属部と同電位の回路部位間を接続する結線を共通と
   し、かつその結線が未結線の場合前記器体制御回路から
   指令信号が伝達されない構成とした高周波加熱装置。
3. 【請求項３】マイクロ波を放射しアノードは器体露出金
   属部と同電位としたマグネトロンと、交流電源を全波整
   流及び高周波除去して直流電源に変換する整流フィルタ
   ー部と、少なくとも１個以上の半導体スイッチング素子
   をＯＮ／ＯＦＦして直流電源を高周波化するインバータ
   部と、前記インバータ部の高周波電力を昇圧する昇圧ト
   ランスと、前記昇圧トランスの出力を整流または逓倍電
   圧整流して高圧直流電圧に変換し前記マグネトロンに高
   圧直流電圧を印加してマイクロ波を照射させる高圧回路
   と、前記インバータ部のスイッチング素子を制御しイン
   バータ動作させるインバータ制御回路と、前記インバー
   タ制御回路に前記マグネトロンのマイクロ波出力の強弱
   及び停止の指令信号を送り、かつ高周波加熱装置全体の
   制御を司る器体制御回路とを備え、前記整流フィルター
   部、前記インバータ部、前記昇圧トランス、前記高圧回
   路、前記インバータ制御回路とを同一基板上に形成し、
   前記器体制御回路に設けた器体露出金属部と同電位の回
   路部位と前記高圧回路の器体露出金属部と同電位の回路
   部位を配線接続する結線と、前記器体制御回路と前記イ
   ンバータ制御回路を配線接続する結線群を同一コネクタ
   を用いて結線する構成の高周波加熱装置。
4. 【請求項４】器体制御回路に設けた器体露出金属部と同
   電位の回路部位と高圧回路の器体露出金属部と同電位の
   回路部位を配線接続する結線を複数本設ける構成とした
   ことを特徴とする請求項３記載の高周波加熱装置。