JP3122851B2 - 線形位置移動式トランスデューサ - Google Patents
線形位置移動式トランスデューサInfo
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- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、トランスデューサ、特
に、線形移動を測定するためのトランスデューサに関す
るものである。
に、線形移動を測定するためのトランスデューサに関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】1987年5月19日に発行された米国
特許明細書第4,667,158号におけるロバート
W.レドリッチの「線形位置移動式トランスデューサ及
び信号プロセッサ」では、直線移動を測定するためのト
ランスデューサを開示している。前記トランスデューサ
の種々の実施例が、前記特許に開示されており、その特
許明細書の記載及び図面を例として従来例を説明する。
特許明細書第4,667,158号におけるロバート
W.レドリッチの「線形位置移動式トランスデューサ及
び信号プロセッサ」では、直線移動を測定するためのト
ランスデューサを開示している。前記トランスデューサ
の種々の実施例が、前記特許に開示されており、その特
許明細書の記載及び図面を例として従来例を説明する。
【0003】概ね、図1及び図2に前記トランスデュー
サを示す。前記トランスデューサは、中空管状ボビン1
(プラスチックのような電気的絶縁素材からなる)と、
前記ボビン1の外周面に沿って取り囲んでいる螺旋コイ
ル2(銅のような良質な導体)と、前記ボビン1内を軸
線方向に可動し得る円筒状ロッドあるいは管3(銅ある
いはアルミニウムのような低透磁率を有する良質の導
体)と、検査物の移動を測定するための前記ロッド3に
連結している付属ロッド3Aと、前記トランスデューサ
の残部を囲みかつコイル2を介して流れる電流によって
発生する磁束を前記トランスデューサ内に閉じ込め、更
に、漂遊磁界からコイル2を遮蔽する外側遮蔽管4(高
導電率でしかも軟鉄あるいは低炭素銅のような高透磁率
を有する素材からなる)と、コイル2と遮蔽管4の間に
配設され、かつこの空間内の電磁抵抗を低値に抑える効
果を有する管状層13(硬化接着剤内に散布されたフェ
ライト粉のような高透磁率でしかも低導電率を有する素
材からなる)と、から構成されている。
サを示す。前記トランスデューサは、中空管状ボビン1
(プラスチックのような電気的絶縁素材からなる)と、
前記ボビン1の外周面に沿って取り囲んでいる螺旋コイ
ル2(銅のような良質な導体)と、前記ボビン1内を軸
線方向に可動し得る円筒状ロッドあるいは管3(銅ある
いはアルミニウムのような低透磁率を有する良質の導
体)と、検査物の移動を測定するための前記ロッド3に
連結している付属ロッド3Aと、前記トランスデューサ
の残部を囲みかつコイル2を介して流れる電流によって
発生する磁束を前記トランスデューサ内に閉じ込め、更
に、漂遊磁界からコイル2を遮蔽する外側遮蔽管4(高
導電率でしかも軟鉄あるいは低炭素銅のような高透磁率
を有する素材からなる)と、コイル2と遮蔽管4の間に
配設され、かつこの空間内の電磁抵抗を低値に抑える効
果を有する管状層13(硬化接着剤内に散布されたフェ
ライト粉のような高透磁率でしかも低導電率を有する素
材からなる)と、から構成されている。
【0004】更に、前記付属ロッド3Aが、測定される
検査物と接触すると、前記コイルが適切に活動を起こ
し、測定される検査物の位置変化が前記コイル2と関連
してロッド3の位置変化となり、コイル2と関連するロ
ッド3の移動が、表皮効果によってコイル2のインダク
タンスにおける変化を順々に生じさせる。そのインダク
タンスにおける変化をブリッジ回路等からなる信号処理
器によって測定することによって、検査物の線形移動を
示すことができる。
検査物と接触すると、前記コイルが適切に活動を起こ
し、測定される検査物の位置変化が前記コイル2と関連
してロッド3の位置変化となり、コイル2と関連するロ
ッド3の移動が、表皮効果によってコイル2のインダク
タンスにおける変化を順々に生じさせる。そのインダク
タンスにおける変化をブリッジ回路等からなる信号処理
器によって測定することによって、検査物の線形移動を
示すことができる。
【0005】前記米国特許明細書第4,667,158
号のコラム6の8乃至12行には、コイル2と外側遮蔽
管4間に配設されている管状層13は、高透磁率でしか
も低導電率を有するフェライト素材であると記載されて
いる。更に、同該明細書のコラム6の15乃至17行に
は、「フェライト13は、好ましくは硬化接着剤内に散
布されたフェライト粉である」と述べられている。
号のコラム6の8乃至12行には、コイル2と外側遮蔽
管4間に配設されている管状層13は、高透磁率でしか
も低導電率を有するフェライト素材であると記載されて
いる。更に、同該明細書のコラム6の15乃至17行に
は、「フェライト13は、好ましくは硬化接着剤内に散
布されたフェライト粉である」と述べられている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】実際のところ、必須条
件であるフェライト粉は、特に所望どおりの形状を得る
のが困難であることが判っている。また更に、前記フェ
ライト粉から適切な管状層13を製造するには、所望す
るものより費用も時間もかかりかつまた複雑であること
が判っている。
件であるフェライト粉は、特に所望どおりの形状を得る
のが困難であることが判っている。また更に、前記フェ
ライト粉から適切な管状層13を製造するには、所望す
るものより費用も時間もかかりかつまた複雑であること
が判っている。
【0007】例えば、米国特許明細書第4,667,1
58号に記載された種類のトランスデューサを製造する
には、現在、ある1つの方法が利用されており、フェラ
イト粉製管状層13を使用するには、以下のような工
程、すなわち、まず最初に、フェライト粉及び接着剤の
適切な混合物を用意する段階、それから、この前記混合
物を遮蔽管4に充填し、かつその前記混合物が、前記遮
蔽管4内で均一に散布されることに十分配慮する段階、
次に、熱ランプを照らして遠心分離機で装荷シールドを
回転させる段階、更にその後、前記装荷シールドを一晩
中硬化させる段階、次に、トランスデューサの内部構成
部品用に空間ができるよう旋盤で前記装荷シールドを穴
開けする段階、そして、前記装荷シールド内にトランス
デューサの内部構成部品を組み立てる段階、とが必要と
されている。
58号に記載された種類のトランスデューサを製造する
には、現在、ある1つの方法が利用されており、フェラ
イト粉製管状層13を使用するには、以下のような工
程、すなわち、まず最初に、フェライト粉及び接着剤の
適切な混合物を用意する段階、それから、この前記混合
物を遮蔽管4に充填し、かつその前記混合物が、前記遮
蔽管4内で均一に散布されることに十分配慮する段階、
次に、熱ランプを照らして遠心分離機で装荷シールドを
回転させる段階、更にその後、前記装荷シールドを一晩
中硬化させる段階、次に、トランスデューサの内部構成
部品用に空間ができるよう旋盤で前記装荷シールドを穴
開けする段階、そして、前記装荷シールド内にトランス
デューサの内部構成部品を組み立てる段階、とが必要と
されている。
【0008】しかしながら、実際のところ、前述したよ
うなフェライト粉からの管状層13の形成にあたって
は、トランスデューサの温度が変わると変形を生じ、又
更に、均一な混合並びに散布がなかった場合には、トラ
ンスデューサの正確性を損なうことが判っている。
うなフェライト粉からの管状層13の形成にあたって
は、トランスデューサの温度が変わると変形を生じ、又
更に、均一な混合並びに散布がなかった場合には、トラ
ンスデューサの正確性を損なうことが判っている。
【0009】本発明による一つの目的は、製造するのに
比較的迅速かつ簡単でしかも安価であり、動作が正確な
線形位置移動式トランスデューサを提供することであ
る。
比較的迅速かつ簡単でしかも安価であり、動作が正確な
線形位置移動式トランスデューサを提供することであ
る。
【0010】更にもう一つの目的は温度特性及びS/N
比を改善することである。
比を改善することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも外
径の4倍の長さを有する絶縁素材の管と、前記管の周り
を取り囲んで巻かれかつ少なくとも前記外径の4倍の長
さを有する螺旋形電導コイルと、前記管内に嵌挿して収
容されかつ前記管内を軸線方向の往復滑動し得る導体、
すなわち非強磁性の延伸磁心と、前記コイルを取り囲み
かつ少なくとも前記外径の4倍の長さを有する少なくと
も1つのケイ素鋼箔層とから構成されることを特徴とす
るものである。
径の4倍の長さを有する絶縁素材の管と、前記管の周り
を取り囲んで巻かれかつ少なくとも前記外径の4倍の長
さを有する螺旋形電導コイルと、前記管内に嵌挿して収
容されかつ前記管内を軸線方向の往復滑動し得る導体、
すなわち非強磁性の延伸磁心と、前記コイルを取り囲み
かつ少なくとも前記外径の4倍の長さを有する少なくと
も1つのケイ素鋼箔層とから構成されることを特徴とす
るものである。
【0012】
【作用】本発明によれば、改良された温度動作特性を有
し、雑音比に対して改良された信号を供給できる線形位
置移動式トランスデューサを提供することである。
し、雑音比に対して改良された信号を供給できる線形位
置移動式トランスデューサを提供することである。
【0013】
【実施例】以下、本発明による目的及び特徴を好適実施
例を挙げ添付図面を参照して詳細に説明する。
例を挙げ添付図面を参照して詳細に説明する。
【0014】図3及び図4には、本発明により改良され
た線形位置移動式トランスデューサ100が図示してあ
る。
た線形位置移動式トランスデューサ100が図示してあ
る。
【0015】トランスデューサ100は、後に、詳細に
説明する点を除いては、前記図1及び図2に開示されて
いる線形位置移動式トランスデューサと同一である。
説明する点を除いては、前記図1及び図2に開示されて
いる線形位置移動式トランスデューサと同一である。
【0016】さらに、前記トランスデューサ100は、
中空管状ボビン101(プラスチックのような電気的絶
縁素材からなる)と、前記ボビン101の外周面に沿っ
て囲まれかつ適切な端子ピン(図示せず)に接続されて
いる両端102A、102Bを有する螺旋形コイル10
2(銅のような良質な電気導体からなる)と、前記ボビ
ン101内で軸線方向に可動し得る円筒状ロッドあるい
は管103(銅あるいはアルミニウムのような低透磁率
を有する良質の電気導体からなる)と、検査物の移動を
測定する前記ロッド103と連結している付属ロッド1
03Aと、前記トランスデューサの残部を囲みかつコイ
ル102を介して流れる電流によって発生する磁束を前
記トランスデューサ内に閉じ込め、更に、漂遊磁界から
コイル102を遮蔽する外側遮蔽管104(高導電率で
しかも軟鉄あるいは低炭素銅のような高透磁率を有する
素材からなる)と、コイル102と遮蔽管104の間に
配設され、かつコイル102と遮蔽管104の間に電流
路を供給することなくこの空間内の電磁抵抗を低値に抑
える効果を有する部材113(高透磁率でしかも低導電
率を有する素材からなる)と、から構成されている。
中空管状ボビン101(プラスチックのような電気的絶
縁素材からなる)と、前記ボビン101の外周面に沿っ
て囲まれかつ適切な端子ピン(図示せず)に接続されて
いる両端102A、102Bを有する螺旋形コイル10
2(銅のような良質な電気導体からなる)と、前記ボビ
ン101内で軸線方向に可動し得る円筒状ロッドあるい
は管103(銅あるいはアルミニウムのような低透磁率
を有する良質の電気導体からなる)と、検査物の移動を
測定する前記ロッド103と連結している付属ロッド1
03Aと、前記トランスデューサの残部を囲みかつコイ
ル102を介して流れる電流によって発生する磁束を前
記トランスデューサ内に閉じ込め、更に、漂遊磁界から
コイル102を遮蔽する外側遮蔽管104(高導電率で
しかも軟鉄あるいは低炭素銅のような高透磁率を有する
素材からなる)と、コイル102と遮蔽管104の間に
配設され、かつコイル102と遮蔽管104の間に電流
路を供給することなくこの空間内の電磁抵抗を低値に抑
える効果を有する部材113(高透磁率でしかも低導電
率を有する素材からなる)と、から構成されている。
【0017】トランスデューサ100のボビン101
は、前記従来例として示した図1,図2に開示されたト
ランスデューサのボビン1と本質的には同一であり、外
径の4倍以上の長さを有する。トランスデューサ100
の螺旋形コイル102は、前記図1,図2に開示された
トランスデューサの螺旋形コイル2と本質的には同一で
あり、外径の4倍以上の長さを有する。トランスデュー
サ100の円筒状ロッド103、トランスデューサ10
0の付属ロッド103A、更にトランスデューサ100
の外側遮蔽管104もそれぞれ前記図1,図2に示した
従来例と実質的に同一のものである。
は、前記従来例として示した図1,図2に開示されたト
ランスデューサのボビン1と本質的には同一であり、外
径の4倍以上の長さを有する。トランスデューサ100
の螺旋形コイル102は、前記図1,図2に開示された
トランスデューサの螺旋形コイル2と本質的には同一で
あり、外径の4倍以上の長さを有する。トランスデュー
サ100の円筒状ロッド103、トランスデューサ10
0の付属ロッド103A、更にトランスデューサ100
の外側遮蔽管104もそれぞれ前記図1,図2に示した
従来例と実質的に同一のものである。
【0018】また前記トランスデューサ100の部材1
13は、前記図1,図2に開示されたトランスデューサ
の管状層13と類似しているが、実質的には構成におい
て異なっており、その詳細については後で説明する。前
記部材113は、可能なかぎり高透磁率でしかも低導電
率であり更にコイル102と遮蔽管104間に電流路を
供給することなくコイル102と遮蔽管104間の空間
内の電磁抵抗を抑える効果を有するように形成される。
13は、前記図1,図2に開示されたトランスデューサ
の管状層13と類似しているが、実質的には構成におい
て異なっており、その詳細については後で説明する。前
記部材113は、可能なかぎり高透磁率でしかも低導電
率であり更にコイル102と遮蔽管104間に電流路を
供給することなくコイル102と遮蔽管104間の空間
内の電磁抵抗を抑える効果を有するように形成される。
【0019】前記部材113は、少なくともその部材の
一側面について電気絶縁体113Bで被覆された前記外
径の4倍以上の長さを有する一枚あるいはそれ以上のケ
イ素鋼箔シート材113Aからできている。
一側面について電気絶縁体113Bで被覆された前記外
径の4倍以上の長さを有する一枚あるいはそれ以上のケ
イ素鋼箔シート材113Aからできている。
【0020】その外側の周りを電気絶縁体113Bで巻
かれている前記ケイ素鋼箔シート材113Aは、前記コ
イル102と前記外側遮蔽管104間の間隙に挿入さ
れ、更に前記外側遮蔽管104と接触するまで解き拡げ
られる。これが生じると、電気絶縁体113Bは、前記
外側遮蔽管104と接触しかつ前記ケイ素鋼箔シート材
113Aが、遮蔽管104との直接的電気接触を防いで
いる。
かれている前記ケイ素鋼箔シート材113Aは、前記コ
イル102と前記外側遮蔽管104間の間隙に挿入さ
れ、更に前記外側遮蔽管104と接触するまで解き拡げ
られる。これが生じると、電気絶縁体113Bは、前記
外側遮蔽管104と接触しかつ前記ケイ素鋼箔シート材
113Aが、遮蔽管104との直接的電気接触を防いで
いる。
【0021】好ましくは、前記ケイ素鋼箔シート材11
3Aが、約0.001インチの厚さを有する冷間圧延さ
れた3%ケイ素鋼箔からなる方が良い。更に、このよう
なケイ素鋼箔は、広範囲な変形に利用されており、例え
ば、商標名シレクトロン(Silectron)に基づ
くアレグヘニールドラム(Allegheny Lud
lum)により販売されたケイ素鋼箔でる。また更に好
ましくは、前記ケイ素鋼箔シート材113Aは、コイル
102と遮蔽管104間に配設された少なくとも6枚の
箔である。実際のところは、3枚のケイ素鋼箔を使用し
ており、合計で9枚巻かれた製品がよく回転する。もち
ろん、トランスデューサの性能特性に依存するもので、
ケイ素鋼箔がより少ない枚数でも使用することができる
が、実際のところ、ケイ素鋼箔の使用枚数少なくすると
トランスデューサの非線形特性が出てしまう。また、よ
り少ないケイ素鋼箔を使用することによってトランスデ
ューサの温度動作特性を悪化させる傾向があることが判
っている。
3Aが、約0.001インチの厚さを有する冷間圧延さ
れた3%ケイ素鋼箔からなる方が良い。更に、このよう
なケイ素鋼箔は、広範囲な変形に利用されており、例え
ば、商標名シレクトロン(Silectron)に基づ
くアレグヘニールドラム(Allegheny Lud
lum)により販売されたケイ素鋼箔でる。また更に好
ましくは、前記ケイ素鋼箔シート材113Aは、コイル
102と遮蔽管104間に配設された少なくとも6枚の
箔である。実際のところは、3枚のケイ素鋼箔を使用し
ており、合計で9枚巻かれた製品がよく回転する。もち
ろん、トランスデューサの性能特性に依存するもので、
ケイ素鋼箔がより少ない枚数でも使用することができる
が、実際のところ、ケイ素鋼箔の使用枚数少なくすると
トランスデューサの非線形特性が出てしまう。また、よ
り少ないケイ素鋼箔を使用することによってトランスデ
ューサの温度動作特性を悪化させる傾向があることが判
っている。
【0022】ケイ素鋼箔113Aの隣接層が、絶縁体1
13Bの層によって他から絶縁されているので過電流を
形成する部材113内には閉路がないことが重要であ
る。また、ケイ素鋼箔113Aの断面領域が、トランス
デューサ内の磁界の結果として飽和状態に陥らないよう
な十分な大きさとなるように、ケイ素鋼箔113Aの枚
数が選定される。同時に、それぞれのケイ素鋼箔113
Aが電位コア損失を最少限にする非常に薄い状態に保持
される。
13Bの層によって他から絶縁されているので過電流を
形成する部材113内には閉路がないことが重要であ
る。また、ケイ素鋼箔113Aの断面領域が、トランス
デューサ内の磁界の結果として飽和状態に陥らないよう
な十分な大きさとなるように、ケイ素鋼箔113Aの枚
数が選定される。同時に、それぞれのケイ素鋼箔113
Aが電位コア損失を最少限にする非常に薄い状態に保持
される。
【0023】更に、絶縁体113Bは、好ましくは絶縁
体(ケイ素鋼箔113Aの外側層を遮蔽間104及び他
のものとの直接電気接触から妨げる)としても、更にト
ランスデューサ内の位置にケイ素鋼箔113Aを保持す
る接着材としての役割をも果たすような素材からなる。
また、前記絶縁体113Bは、絶縁と同様に比較的安定
した温度でなおかつ非吸湿性があることが重要である。
満足のいく絶縁または接着素材によって、広範囲な変形
を利用できる。例えば、商標名プリオボンド(PLIO
BOND)に基づくオハイオ州アクロンのW.J.ルス
コー(Ruscoe)カンパニーにより販売された絶縁
または接着材から構成されても良い。
体(ケイ素鋼箔113Aの外側層を遮蔽間104及び他
のものとの直接電気接触から妨げる)としても、更にト
ランスデューサ内の位置にケイ素鋼箔113Aを保持す
る接着材としての役割をも果たすような素材からなる。
また、前記絶縁体113Bは、絶縁と同様に比較的安定
した温度でなおかつ非吸湿性があることが重要である。
満足のいく絶縁または接着素材によって、広範囲な変形
を利用できる。例えば、商標名プリオボンド(PLIO
BOND)に基づくオハイオ州アクロンのW.J.ルス
コー(Ruscoe)カンパニーにより販売された絶縁
または接着材から構成されても良い。
【0024】絶縁または接着素材は、均一に形成された
十分な厚さでケイ素鋼箔113Aの外面に使用され、例
えば、効果的に絶縁あるいは接着素材が湿った場合、ほ
ぼ0.002インチの厚さで膨張しても良い。この絶縁
または接着素材は、ケイ素鋼箔113Aの外面に噴霧さ
れるかまたは、従来技術で周知の別の方法で適応するこ
とができる。またこの絶縁または接着素材が、ケイ素鋼
箔113Aの外面に使用されたのち、その絶縁または接
着素材は、剥離しないような十分な粘着性を有すること
が重要である。もし、トランスデューサ内に堅固にケイ
素鋼箔113Aを固着する必要があれば、更にその絶縁
または接着素材がヒートセットされる。
十分な厚さでケイ素鋼箔113Aの外面に使用され、例
えば、効果的に絶縁あるいは接着素材が湿った場合、ほ
ぼ0.002インチの厚さで膨張しても良い。この絶縁
または接着素材は、ケイ素鋼箔113Aの外面に噴霧さ
れるかまたは、従来技術で周知の別の方法で適応するこ
とができる。またこの絶縁または接着素材が、ケイ素鋼
箔113Aの外面に使用されたのち、その絶縁または接
着素材は、剥離しないような十分な粘着性を有すること
が重要である。もし、トランスデューサ内に堅固にケイ
素鋼箔113Aを固着する必要があれば、更にその絶縁
または接着素材がヒートセットされる。
【0025】この絶縁又は接着素材は、ケイ素鋼シリコ
ン製鋼箔113Aの外面に接着されたシート状の絶縁ま
たは接着素材からなる。
ン製鋼箔113Aの外面に接着されたシート状の絶縁ま
たは接着素材からなる。
【0026】ケイ素鋼箔113Aは、トランスデューサ
内の位置においてしっかりと保持されることが重要であ
る。万一、絶縁体113Bが絶縁体としてのみの機能を
有し接着剤としての機能を果たさない材料からなる場合
には、その他のものと遮蔽管104に対してケイ素鋼箔
層の適切な接着を施すために、付加的な接着素材をその
絶縁素材上に加える必要がある。
内の位置においてしっかりと保持されることが重要であ
る。万一、絶縁体113Bが絶縁体としてのみの機能を
有し接着剤としての機能を果たさない材料からなる場合
には、その他のものと遮蔽管104に対してケイ素鋼箔
層の適切な接着を施すために、付加的な接着素材をその
絶縁素材上に加える必要がある。
【0027】この絶縁体113Bは約0.001インチ
の厚さを有するカプトン(Kapton)(R)テープ
のような電気的絶縁テープからなる。もちろん、この1
13Bは、電気的絶縁テープであり、接着素材が他のも
のと遮蔽管104に対してシリコン層の適切な固着を促
すため、テープの外面に付加されている。
の厚さを有するカプトン(Kapton)(R)テープ
のような電気的絶縁テープからなる。もちろん、この1
13Bは、電気的絶縁テープであり、接着素材が他のも
のと遮蔽管104に対してシリコン層の適切な固着を促
すため、テープの外面に付加されている。
【0028】ケイ素鋼箔113A及び電気的絶縁体11
3Bが、高透磁率を有する層を備える部材113を形成
するので、コイル102と遮蔽管104間の間隙の電磁
抵抗を低値に抑えている。同時に、絶縁体113Bは、
コイル102が遮蔽管104と接触するのを防いでいる
ので、コイル102と遮蔽管104との間に電流路が供
給されない。
3Bが、高透磁率を有する層を備える部材113を形成
するので、コイル102と遮蔽管104間の間隙の電磁
抵抗を低値に抑えている。同時に、絶縁体113Bは、
コイル102が遮蔽管104と接触するのを防いでいる
ので、コイル102と遮蔽管104との間に電流路が供
給されない。
【0029】前述した構成によりトランスデューサを形
成する場合、ケイ素鋼鋼箔の透磁率が負荷された応力で
変化するので、ケイ素鋼箔113Aにおける応力を最少
限にすることが重要である。また、ケイ素鋼箔113A
の層が、箔のしわのない状態でトランスデューサ内に均
一に位置決めされることが大切であり、例えば、トラン
スデューサの線形性はトランスデューサ内の標遊磁界の
均一性に依存するので、従ってトランスデューサはケイ
素鋼箔層の均一性に依存する。前記層113がコイル1
02の周りに位置決めされた後、接着剤114がコイル
102と層113間の間隙に充填するのに使用される。
また、その接着剤114は、絶縁するのと同様に一定の
温度かつ非吸湿性である素材から形成される。更にその
接着剤114は、絶縁体113B(この場合、トランス
デューサのセルへ接着剤を流し込むために絶縁体113
B用に使用された素材より吸湿性のあるもので形成され
ることを除いて)を形成するのに使用された同じ絶縁又
は接着素材からなり、又は、従来技術で周知のような種
々の接着剤でも良い。更に、コイル102の両端102
A.102Bの電気的アクセスを供給する一方、トラン
スデューサの両端は、前述したトランスデューサの部材
間に何等かの電流路の発生を防ぐために従来技術で周知
の方法(図示せず)で覆われている。
成する場合、ケイ素鋼鋼箔の透磁率が負荷された応力で
変化するので、ケイ素鋼箔113Aにおける応力を最少
限にすることが重要である。また、ケイ素鋼箔113A
の層が、箔のしわのない状態でトランスデューサ内に均
一に位置決めされることが大切であり、例えば、トラン
スデューサの線形性はトランスデューサ内の標遊磁界の
均一性に依存するので、従ってトランスデューサはケイ
素鋼箔層の均一性に依存する。前記層113がコイル1
02の周りに位置決めされた後、接着剤114がコイル
102と層113間の間隙に充填するのに使用される。
また、その接着剤114は、絶縁するのと同様に一定の
温度かつ非吸湿性である素材から形成される。更にその
接着剤114は、絶縁体113B(この場合、トランス
デューサのセルへ接着剤を流し込むために絶縁体113
B用に使用された素材より吸湿性のあるもので形成され
ることを除いて)を形成するのに使用された同じ絶縁又
は接着素材からなり、又は、従来技術で周知のような種
々の接着剤でも良い。更に、コイル102の両端102
A.102Bの電気的アクセスを供給する一方、トラン
スデューサの両端は、前述したトランスデューサの部材
間に何等かの電流路の発生を防ぐために従来技術で周知
の方法(図示せず)で覆われている。
【0030】先の構成の結果として、付属ロッド103
Aが、測定される検査物の移動に接続されると、コイル
102が適切に活動し、測定される検査物の移動位置に
おける変化が、そのコイルと関連してロッド103の位
置変化となり、コイル2と関連するロッド3のこの可動
が表皮効果によってコイル2のインダクタンスにおける
変化を生じさせ、そのインダクタンスにおける変化が、
検査物の線形移動を示して測定することができる。これ
に関しては、前記従来例として示した米国特許明細書第
4,667,158号に開示されたような適切なコイル
活動及び信号プロセス装置が、本発明を構成する線形位
置移動式トランスデューサと共に利用されている。
Aが、測定される検査物の移動に接続されると、コイル
102が適切に活動し、測定される検査物の移動位置に
おける変化が、そのコイルと関連してロッド103の位
置変化となり、コイル2と関連するロッド3のこの可動
が表皮効果によってコイル2のインダクタンスにおける
変化を生じさせ、そのインダクタンスにおける変化が、
検査物の線形移動を示して測定することができる。これ
に関しては、前記従来例として示した米国特許明細書第
4,667,158号に開示されたような適切なコイル
活動及び信号プロセス装置が、本発明を構成する線形位
置移動式トランスデューサと共に利用されている。
【0031】更に、ここで説明した部材113を形成す
ることによって、より優れた温度動作特性及び雑音比
(S/N比)に対して改良された信号を有する改良され
た線形位置移動式トランスデューサが形成できる。
ることによって、より優れた温度動作特性及び雑音比
(S/N比)に対して改良された信号を有する改良され
た線形位置移動式トランスデューサが形成できる。
【0032】
【発明の効果】前述したように、本発明を駆使すること
により以下に開示する多くの効果を得ることができる。
により以下に開示する多くの効果を得ることができる。
【0033】一つは、製造するのに比較的、迅速かつ簡
単でしかも安価であり、動作が正確な線形位置移動式ト
ランスデューサを提供できることである。
単でしかも安価であり、動作が正確な線形位置移動式ト
ランスデューサを提供できることである。
【0034】更には、より優れた温度動作特性及び雑音
比に対して改良された信号を有する改良された線形位置
移動式トランスデューサを提供できることである。
比に対して改良された信号を有する改良された線形位置
移動式トランスデューサを提供できることである。
【図1】 管状層13を形成するのにフェライト粉を駆
使する従来技術の線形位置移動式トランスデューサの軸
線方向断面図。
使する従来技術の線形位置移動式トランスデューサの軸
線方向断面図。
【図2】 図1に示した従来技術の線形位置移動式トラ
ンスデューサの放射線方向断面図。
ンスデューサの放射線方向断面図。
【図3】 本発明により形成された改良された線形位置
移動式トランスデューサの軸線方向断面図。
移動式トランスデューサの軸線方向断面図。
【図4】 図3に示した改良された線形位置移動式トラ
ンスデューサの放射線方向断面図。
ンスデューサの放射線方向断面図。
100…トランスデューサ、101…ボビン、102…
螺旋形コイル、103…円筒状ロッド、103A…付属
ロッド、104…遮蔽管、113…部材、113A…ケ
イ素鋼箔、113B…絶縁体、114…接着剤。
螺旋形コイル、103…円筒状ロッド、103A…付属
ロッド、104…遮蔽管、113…部材、113A…ケ
イ素鋼箔、113B…絶縁体、114…接着剤。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−61571(JP,A) 特開 昭58−106403(JP,A) 実開 昭63−122208(JP,U) 米国特許4667158(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 7/00 - 7/34 G01D 5/20 - 5/22
Claims (17)
- 【請求項1】 少なくとも外径の4倍の長さを有する絶
縁素材の管と、前記管の周りを取り囲んで巻かれかつ少
なくとも前記外径の4倍の長さを有する螺旋形電導コイ
ルと、前記管内に嵌挿して収容されかつ前記管内を軸線
方向に往復滑動し得る導体、すなわち非強磁性の延伸磁
心と、前記コイルを取り囲みかつ少なくとも前記外径の
4倍の長さを有する少なくとも1つのケイ素鋼箔層とか
ら構成されることを特徴とする線形位置移動式トランス
デューサ。 - 【請求項2】 管状の電気導体シールドが、少なくとも
前記一つのケイ素鋼箔層を囲み、更に前記シールドと前
記一つのケイ素鋼箔層間に電流が流れるのを防ぐように
絶縁体が前記シールドと前記一つのケイ素鋼箔層間に配
設されていることを特徴とする請求項1記載の線形位置
移動式トランスデューサ。 - 【請求項3】 少なくとも前記一つのケイ素鋼箔層が前
記コイルに向かって配設された内側面及び前記シールド
に向かって配設された外側面からなり、さらに、前記絶
縁体が少なくとも前記一つのケイ素鋼箔層の前記外側面
に接着されていることを特徴とする請求項2記載の線形
位置移動式トランスデューサ。 - 【請求項4】 前記絶縁体が、少なくとも前記一つのケ
イ素鋼箔層を前記シールドに固着するための接着剤であ
ることを特徴とする請求項3記載の線形位置移動式トラ
ンスデューサ。 - 【請求項5】 前記絶縁体が、ほぼ0.002インチの
厚さであることを特徴とする請求項4記載の線形位置移
動式トランスデューサ。 - 【請求項6】 接着剤が、少なくとも前記一つのケイ素
鋼箔層を前記シールドに固着するために前記絶縁体と前
記シールド間に充填されることを特徴とする請求項3記
載の線形位置移動式トランスデューサ。 - 【請求項7】 前記絶縁体が、絶縁テープからなり、更
に前記接着剤が、前記絶縁体と前記シールド間に充填さ
れることを特徴とする請求項6記載の線形位置移動式ト
ランスデューサ。 - 【請求項8】 前記絶縁テープが、ほぼ0.001イン
チの厚さであることを特徴とする請求項7記載の線形位
置移動式トランスデューサ。 - 【請求項9】 前記少なくとも一つのケイ素鋼箔層が、
少なくとも6枚のケイ素鋼箔からなり、そのケイ素鋼箔
のそれぞれが約0.001インチの厚さを有する冷間圧
延された3%ケイ素鋼箔からなることを特徴とする請求
項1記載の線形位置移動式トランスデューサ。 - 【請求項10】 管状の電気導体シールドが、少なくと
も6枚のケイ素鋼箔の外側面を囲み、更にその6枚のケ
イ素鋼箔のそれぞれが、前記コイルに向かって配設され
た内側面及び前記シールドに向かって配設された外側面
からなるとともに絶縁体が、前記シールドと少なくとも
6枚のケイ素鋼箔の外側面との間に電流が流れるのを防
ぎ、かつ少なくとも6枚のケイ素鋼箔間に放射電流が流
れるのを防ぐように、少なくとも6枚のケイ素鋼箔のそ
れぞれの外側面に配設されていることを特徴とする請求
項9記載の線形位置移動式トランスデューサ。 - 【請求項11】 前記絶縁体が、少なくとも6枚のケイ
素鋼箔を他へ固着しかつ、少なくとも6枚のケイ素鋼箔
の外側面を前記シールドに固着するための接着剤である
ことを特徴とする請求項10記載の線形位置移動式トラ
ンスデューサ。 - 【請求項12】 前記絶縁体が、ほぼ0.002インチ
の厚さであることを特徴とする請求項11記載の線形位
置移動式トランスデューサ。 - 【請求項13】 接着剤は、少なくとも6枚のケイ素鋼
箔を他へ固着しかつ、少なくとも6枚のケイ素鋼箔の外
側面を前記シールドに固着するように前記絶縁体の上面
の少なくとも6枚のケイ素鋼箔の外側面に配設されるこ
とを特徴とする請求項10記載の線形位置移動式トラン
スデューサ。 - 【請求項14】 前記絶縁体が少なくとも6枚のケイ素
鋼箔からなり、鋼箔それぞれの外側面に絶縁テープを配
設したことを特徴とする請求項13記載の線形位置移動
式トランスデューサ。 - 【請求項15】 前記絶縁テープがほぼ0.001イン
チの厚さであることを特徴とする請求項14記載の線形
位置移動式トランスデューサ。 - 【請求項16】 前記少なくとも一つのケイ素鋼箔層
が、9枚のケイ素鋼箔からなり、かつそれぞれが約0.
001インチの厚さを有しており、冷間圧延さ れた3%
ケイ素鋼箔からなることを特徴とする請求項1記載の線
形位置移動式トランスデューサ。 - 【請求項17】 接着剤が、前記コイルと前記一つのコ
イルのケイ素鋼箔層間に配設されることを特徴とする請
求項1記載の線形位置移動式トランスデューサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/542,152 US5068607A (en) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Electrical linear position transducer with silicon steel foil shield surrounding transducer coil |
US07/542152 | 1990-06-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04252902A JPH04252902A (ja) | 1992-09-08 |
JP3122851B2 true JP3122851B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=24162558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03177671A Expired - Fee Related JP3122851B2 (ja) | 1990-06-22 | 1991-06-21 | 線形位置移動式トランスデューサ |
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Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0463236B1 (ja) |
JP (1) | JP3122851B2 (ja) |
AT (1) | ATE96901T1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3910297A1 (de) * | 1989-03-30 | 1990-10-04 | Micro Epsilon Messtechnik | Beruehrungslos arbeitendes wegmesssystem |
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DE19500982C2 (de) * | 1995-01-14 | 1997-07-17 | Bosch Gmbh Robert | Weggeber |
DE19806529C2 (de) * | 1998-02-17 | 2002-04-18 | Micro Epsilon Messtechnik | Weg-Winkel-Sensor |
DE10025661A1 (de) | 2000-05-24 | 2001-12-06 | Balluff Gebhard Feinmech | Wegmeßsystem |
US6828780B2 (en) | 2001-05-01 | 2004-12-07 | Balluff Gmbh | Position measuring system having an inductive element arranged on a flexible support |
RU2485439C2 (ru) * | 2011-07-26 | 2013-06-20 | Сергей Александрович Матюнин | Индуктивный датчик линейного перемещения |
SE541400C2 (en) * | 2017-02-27 | 2019-09-17 | Sem Ab | Inductive position sensor with improved plunger core design |
JP7063443B2 (ja) * | 2017-03-08 | 2022-05-09 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | フレキシブルプリント配線板 |
SE541423C2 (en) * | 2018-01-26 | 2019-09-24 | Borgwarner Sweden Ab | An electrical motor |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3346643A1 (de) * | 1983-12-23 | 1985-07-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Sensor fuer magnetisierbare materialien |
US4667158A (en) * | 1985-04-01 | 1987-05-19 | Redlich Robert W | Linear position transducer and signal processor |
GB8810214D0 (en) * | 1988-04-29 | 1988-06-02 | Lucas Ind Plc | Movement transducer |
-
1990
- 1990-06-22 US US07/542,152 patent/US5068607A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-22 AT AT90125349T patent/ATE96901T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-12-22 DE DE90125349T patent/DE69004421T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-22 EP EP90125349A patent/EP0463236B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-21 JP JP03177671A patent/JP3122851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5068607A (en) | 1991-11-26 |
DE69004421D1 (de) | 1993-12-09 |
EP0463236B1 (en) | 1993-11-03 |
DE69004421T2 (de) | 1994-03-10 |
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