JP3121464B2 - Bump forming method and bump manufacturing apparatus - Google Patents
Bump forming method and bump manufacturing apparatusInfo
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- JP3121464B2 JP3121464B2 JP04349056A JP34905692A JP3121464B2 JP 3121464 B2 JP3121464 B2 JP 3121464B2 JP 04349056 A JP04349056 A JP 04349056A JP 34905692 A JP34905692 A JP 34905692A JP 3121464 B2 JP3121464 B2 JP 3121464B2
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- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップなどの基
板の周縁部に設けられた電極パッド上に、外部リードと
の接続用に設けられた金属突起物であるバンプを形成す
るバンプ形成法およびバンプ製造装置に関する。さらに
詳しくは、スクリーン印刷を用いたバンプ形成法および
バンプ製造装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bump forming method for forming bumps, which are metal protrusions provided for connection to external leads, on electrode pads provided on a peripheral portion of a substrate such as a semiconductor chip. And a bump manufacturing apparatus. More specifically, the present invention relates to a bump forming method using screen printing and a bump manufacturing apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近、電子機器の小形化に伴い、集積回
路(IC)などを組み込んだ半導体装置も、樹脂でモー
ルドしてリード線を導出したものでなく、COB、CO
GまたはTABなどのように、半導体チップの電極パッ
ド上に直接、外部接続用の金属突起物であるバンプが形
成された半導体チップ(いわゆるベアチップ)が用いら
れるようになっている。この種の半導体チップは、直接
プリント基板などの配線リードに接続(いわゆるワイヤ
レスボンディング)して使用するので電子機器の小形化
に都合よく貢献している。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of electronic equipment, semiconductor devices incorporating integrated circuits (ICs) and the like do not have lead wires derived by molding with resin, but COB, COB.
Semiconductor chips (so-called bare chips), such as G or TAB, in which bumps, which are metal projections for external connection, are formed directly on electrode pads of the semiconductor chip are used. Since this type of semiconductor chip is used by directly connecting to a wiring lead of a printed circuit board or the like (so-called wireless bonding), it advantageously contributes to downsizing of electronic devices.
【0003】このような半導体チップのバンプ部を図4
に示された断面図により説明する。半導体基板1の半導
体回路の外部接続用電極端子はアルミニウム配線など
で、半導体チップの周縁部に導出され、電極パッド11が
形成される。この電極パッド11の上に金属バンプ14bが
形成される。しかし、多くのばあい、電極パッド11を構
成するアルミニウムとバンプ14bを構成するハンダなど
はなじまず接着しないので、通常複数層のバリアメタル
12を介在させて、その上にバンプ14bが形成され、バン
プを形成しない部分はシリコン酸化膜、シリコンチッ化
膜などからなるパッシベーション膜13で覆われている。FIG. 4 shows a bump portion of such a semiconductor chip.
This will be described with reference to the cross-sectional view shown in FIG. The electrode terminals for external connection of the semiconductor circuit of the semiconductor substrate 1 are led out to the periphery of the semiconductor chip by aluminum wiring or the like, and the electrode pads 11 are formed. A metal bump 14b is formed on the electrode pad 11. However, in many cases, the aluminum constituting the electrode pad 11 and the solder constituting the bump 14b do not adhere to each other and do not adhere to each other.
A bump 14b is formed thereon with the interposition of 12, and a portion where no bump is formed is covered with a passivation film 13 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like.
【0004】このようなバンプ14bは、従来、一般に電
解メッキ法により形成される。その他、スクリーン印
刷、転写や蒸着といった方法も研究されている。スクリ
ーン印刷の方法によってバンプを形成するばあい、印刷
された金属ペースト成形体を乾燥させ、焼成させる必要
があり、通常、オーブンなどで乾燥、焼成が行われてい
る。Conventionally, such bumps 14b are generally formed by electrolytic plating. In addition, methods such as screen printing, transfer and vapor deposition have been studied. When bumps are formed by a screen printing method, it is necessary to dry and fire the printed metal paste molded body, and drying and firing are usually performed in an oven or the like.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、バンプをオー
ブンで乾燥させたばあい、バンプの表面から乾燥が開始
されるので、内部の溶剤やガスが放出されずにバンプ内
に残留してしまい、脆く、電気抵抗が大きくなってバン
プの機能を果さないという問題がある。However, when the bumps are dried in an oven, the drying starts from the surface of the bumps, so that the solvent or gas inside the bumps is not released and remains in the bumps. There is a problem that it is brittle and has a high electrical resistance and does not fulfill the function of a bump.
【0006】本発明では、かかる問題を解消し、バンプ
中に空隙を生ぜず、スクリーン印刷により簡単にバンプ
を形成できるバンプ形成法およびバンプ製造装置を提供
することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a bump forming method and a bump manufacturing apparatus capable of solving such a problem and forming a bump easily by screen printing without generating a gap in the bump.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のバンプ形成法
は、基板に設けられた電極パッドに対応する孔を有する
マスクを前記基板上に配設し、該マスク上からスクリー
ン印刷により金属ペーストを印刷し、前記基板の下側か
ら加熱して、前記金属ペーストを乾燥させ、ついで前記
乾燥とは異なる装置で前記金属ペーストを焼成すること
を特徴とするものである。According to the bump forming method of the present invention, a mask having holes corresponding to electrode pads provided on a substrate is provided on the substrate, and a metal paste is applied from the mask by screen printing. Printing, heating from under the substrate, drying the metal paste, then the
The method is characterized in that the metal paste is baked by an apparatus different from drying .
【0008】さらに、本発明のバンプ製造装置は、スク
リーン印刷により金属ペーストが印刷された基板を下側
から加熱処理する乾燥器と、該乾燥器によって乾燥が施
された前記基板を焼成する焼成器と、前記基板を搬送す
る搬送装置とからなり、該搬送装置で前記基板を搬送さ
せながら乾燥、焼成を連続して行うものである。[0008] Further, the bump manufacturing apparatus of the present invention comprises a drier for heating the substrate on which the metal paste is printed by screen printing from below, and a baking device for firing the substrate dried by the drier. And a transfer device for transferring the substrate, wherein drying and firing are continuously performed while the substrate is transferred by the transfer device.
【0009】[0009]
【作用】本発明のバンプ形成法によれば、スクリーン印
刷によって短時間で簡単にバンプを形成でき、基板の下
側から加熱して乾燥させることによってバンプ内のガス
を完全に除去して、強度が高く、電気抵抗が小さいバン
プを形成することができる。また、本発明のバンプ製造
装置によれば、スクリーン印刷からバンプの乾燥および
焼成まで連続して処理することができ、自動化すること
もできる。According to the bump forming method of the present invention, bumps can be easily formed in a short time by screen printing, and the gas in the bumps is completely removed by heating and drying from the lower side of the substrate, thereby improving the strength. And a bump having a low electric resistance can be formed. Moreover, according to the bump manufacturing apparatus of the present invention, the processes from screen printing to drying and baking of the bump can be continuously performed, and automation can be performed.
【0010】[0010]
【実施例】つぎに図面を参照しながら本発明について説
明する。図1は本発明のバンプ形成法を順をおって説明
するためのバンプ部分の断面説明図であり、1は半導体
基板や回路基板などの基板、2は電極パッド、5はメタ
ルマスク、6は孔を示し、電極パッド2は基板1の周縁
部に露出しており、孔6はメタルマスク5における電極
パッド2に対応する位置に開けられている。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view of a bump portion for explaining a bump forming method of the present invention in order, 1 is a substrate such as a semiconductor substrate or a circuit board, 2 is an electrode pad, 5 is a metal mask, and 6 is a metal mask. The electrode pad 2 is exposed at the periphery of the substrate 1, and the hole 6 is formed at a position corresponding to the electrode pad 2 on the metal mask 5.
【0011】ここで、メタルマスク5はステンレス、ニ
ッケルやタングステンなどの薄膜からなり、バンプを形
成すべき基板1に設けられた電極パッド2に対応して孔
6が形成されている。このメタルマスク5は通常50〜30
0 μmの厚さで形成されている。あまり厚すぎると孔6
が垂直に形成されなくなり、薄すぎるとバンプの形成高
さが低くなり、他の膜などから突出させることができな
くなるからである。Here, the metal mask 5 is made of a thin film of stainless steel, nickel, tungsten or the like, and has holes 6 corresponding to the electrode pads 2 provided on the substrate 1 on which bumps are to be formed. This metal mask 5 is usually 50-30
It is formed with a thickness of 0 μm. Hole 6 if too thick
Is not formed vertically, and if it is too thin, the height of the bumps becomes low, and it becomes impossible to protrude from other films or the like.
【0012】図1(a)に示されるように、まず、基板
1を固定治具3の上に載置し、位置合わせしてから、固
定治具3の上表面に開口する吸着孔4より真空に引き、
基板1を固定治具3上にしっかりと配設する。As shown in FIG. 1A, first, the substrate 1 is placed on a fixing jig 3 and aligned, and then the substrate 1 is removed from a suction hole 4 opened on the upper surface of the fixing jig 3. Vacuum,
The substrate 1 is securely placed on the fixing jig 3.
【0013】つぎに、図1(b)に示されるように、ス
クリーン印刷機により金属ペースト9を印刷する。金属
ペースト9としては、形成すべきバンプの目的に応じて
材料が選択されるが、たとえば銀ペースト、ハンダペー
スト、金ペースト、銅ペーストなどが用いられる。銀ペ
ーストは銀粉末とガラス粉末を溶剤ブチルカルビトール
アセテート(BCA)に混ぜてペースト状にしたもの
で、ハンダペーストは共晶ハンダの粉末がフラックスと
混ぜられてペースト状にしたものが使用される。具体例
として、メタルマスク5の孔6が電極パッド2の上にく
るようにしっかりと位置合わせしたのち、固定具7で三
方から固定して、スキージ8で金属ペースト9を孔6に
埋め込み、金属ペースト成形体14とする。この際、メタ
ルマスク5上に金属ペースト9が残らないようにする。
乾燥、焼成をするときメタルマスク5を除去して行うば
あいは金属ペースト9がメタルマスク5上に残存してい
てもよい。Next, as shown in FIG. 1B, a metal paste 9 is printed by a screen printing machine. As the metal paste 9, a material is selected according to the purpose of the bump to be formed. For example, a silver paste, a solder paste, a gold paste, a copper paste, or the like is used. The silver paste is a mixture of silver powder and glass powder in a solvent butyl carbitol acetate (BCA) to form a paste. The solder paste is a mixture of eutectic solder powder mixed with a flux to form a paste. . As a specific example, after firmly aligning the hole 6 of the metal mask 5 so as to be over the electrode pad 2, the metal mask 9 is fixed from all three directions with the fixture 7, the metal paste 9 is embedded in the hole 6 with the squeegee 8, This is referred to as a paste molded body 14. At this time, the metal paste 9 is not left on the metal mask 5.
If the metal mask 5 is removed when drying and firing, the metal paste 9 may remain on the metal mask 5.
【0014】つぎに、図1(c)に示すように、基板1
およびメタルマスク5をスクリーン印刷機より取り外
し、ホットプレートなどのヒーター10で下側から加熱す
る。すると、金属ペースト成形体14は基板1に面してい
る下側から乾燥を始め、金属ペースト成形体14内の溶剤
は蒸発して開放している上側から抜け下側から順次乾燥
する。そののち、メタルマスク5を取り外して図1
(d)に示すように、基板1の電極パッド2上にバンプ
14aが形成される。Next, as shown in FIG.
Then, the metal mask 5 is removed from the screen printing machine and heated from below by a heater 10 such as a hot plate. Then, the metal paste molded body 14 starts drying from the lower side facing the substrate 1, the solvent in the metal paste molded body 14 evaporates from the open upper side, and is dried sequentially from the lower side. After that, the metal mask 5 is removed, and FIG.
As shown in (d), bumps are formed on the electrode pads 2 of the substrate 1.
14a is formed.
【0015】なお、図1(c)において、メタルマスク
5は金属ペースト成形体14のダレを防ぐためのものであ
るので、ある程度の粘度を有する金属ペースト成形体14
を用いるばあいにはメタルマスク5を取り外して乾燥を
行ってもよい。In FIG. 1C, since the metal mask 5 is for preventing the metal paste molded body 14 from sagging, the metal paste molded body 14 having a certain viscosity is used.
When using, the metal mask 5 may be removed and drying may be performed.
【0016】前述のように乾燥を行ったあと、たとえば
図2に示されるようなRTA(RapidThermal Anneal)装
置15などを用いて金属ペースト成形体14の焼成を行って
バンプ14aを生成することが好ましい。ここにRTA装
置とは、たとえばハロゲンランプ、キセノンランプ、ア
ークランプもしくは放電灯などの光ランプ、レーザ光、
電子ビーム(EB)またはカーボンヒータなどの熱源で
ある光や熱線、ビームなどを照射することにより照射さ
れた表面から短時間(通常は10ns〜数分以内)で加熱処
理できる装置を意味する。このRTA装置によれば光や
ビームが照射される表面側から加熱され、温度が上昇す
る。また、光などが照射される材料により、透過性と吸
収性の差があるときは吸収性のよい材料が受けた光を熱
に変換してとくに温度が上昇する。After drying as described above, it is preferable to produce the bumps 14a by firing the metal paste molded body 14 using, for example, an RTA (Rapid Thermal Anneal) device 15 as shown in FIG. . Here, the RTA apparatus is, for example, a light lamp such as a halogen lamp, a xenon lamp, an arc lamp or a discharge lamp, a laser beam,
A device capable of performing heat treatment in a short time (usually within 10 ns to several minutes) from an irradiated surface by irradiating light, heat ray, beam, or the like as a heat source such as an electron beam (EB) or a carbon heater. According to this RTA apparatus, the surface is irradiated with light or a beam and heated, and the temperature rises. Further, when there is a difference between transmittance and absorptivity depending on a material to be irradiated with light or the like, light received by a material having good absorptivity is converted into heat, and the temperature rises.
【0017】この焼成は金属ペースト成形体の金属粉末
間の接触をよくして電気伝導性を向上させるためのもの
である。そのため、共晶ハンダバンプではたとえば210
〜220 ℃程度で約1〜60秒間程度加熱することにより焼
成され、完全に溶融状態(共晶ハンダの融点183 ℃)に
なり、そののち冷却されて固化することにより、ハンダ
の塊となって電気伝導を良好にしている。一方、銀バン
プではたとえば350 〜450 ℃程度で約5〜120 秒間程度
加熱することにより焼成され、この温度では銀粉末は溶
融状態には至らないが、ペーストにした溶剤は蒸発し、
粉末間の表面を連結状態にしてバンプ14aの電気伝導を
良好にしている。This firing is for improving the electrical conductivity by improving the contact between the metal powders of the metal paste compact. Therefore, for eutectic solder bumps, for example, 210
It is baked by heating at about 220 ° C. for about 1 to 60 seconds, completely melted (melting point of eutectic solder is 183 ° C.), and then cooled and solidified to form a lump of solder. Good electrical conduction. On the other hand, silver bumps are baked by heating at, for example, about 350 to 450 ° C. for about 5 to 120 seconds. At this temperature, the silver powder does not reach a molten state, but the solvent formed into a paste evaporates.
The surfaces between the powders are connected to improve the electrical conductivity of the bumps 14a.
【0018】RTA装置15は、蓋16aを有する密閉可能
な箱状体であるSUSチャンバー16と、SUSチャンバ
ー16の内部に設けられるハロゲンランプ21と、ハロゲン
ランプ21のさらに内側に、蓋16aに向かって開放するよ
うに設けられる筒状体である石英サセプタ17とからな
り、蓋16aに第一供給管18、石英サセプタ17の下方に基
板裏面の温度測定用開口管19、開放端と反対側に排気管
20が設けられている。この装置で、蓋16aを開けて石英
ウェハサセプタ22の上に基板1を載せ、基板1が石英サ
セプタ17の内部に位置するようにして、蓋16aを閉じ
る。そののち、ハロゲンランプ21を点灯して、金属ペー
スト成形体14の温度をその金属材料に適する焼成温度に
して焼成を行うことによりバンプが形成される。The RTA device 15 includes a SUS chamber 16 which is a sealable box having a lid 16a, a halogen lamp 21 provided inside the SUS chamber 16, and further inside the halogen lamp 21 toward the lid 16a. A first supply pipe 18 is provided on the lid 16a, a temperature measurement opening pipe 19 on the back surface of the substrate below the quartz susceptor 17, and a quartz susceptor 17 on the side opposite to the open end. Exhaust pipe
20 are provided. With this apparatus, the lid 16a is opened, the substrate 1 is placed on the quartz wafer susceptor 22, and the lid 16a is closed so that the substrate 1 is located inside the quartz susceptor 17. After that, the halogen lamp 21 is turned on, the temperature of the metal paste molded body 14 is set to a firing temperature suitable for the metal material, and firing is performed to form bumps.
【0019】具体例として前述の金属ペースト9に銀ペ
ーストを用い、たとえば約150 ℃のホットプレート上
に、1〜3分ほど載置させて乾燥し、そののち、RTA
装置によりたとえば約350 ℃で約1〜60秒間程度焼成し
た。As a specific example, a silver paste is used as the above-mentioned metal paste 9, for example, placed on a hot plate at about 150 ° C. for about 1 to 3 minutes, dried, and then RTA.
For example, it was baked at about 350 ° C. for about 1 to 60 seconds.
【0020】つぎに図3より、前述のバンプの形成を行
うバンプ製造装置を説明する。図3において、30はたと
えば、エンドレスベルトなどよりなる耐熱性の搬送装
置、31はスクリーン印刷機、32はヒーター10よりなる乾
燥器、33は基板1を搬送装置30から石英ウェハサセプタ
22に積載し、蓋16aを閉めることによって焼成を行う焼
成器である。Next, a bump manufacturing apparatus for forming the above-mentioned bump will be described with reference to FIG. In FIG. 3, reference numeral 30 denotes a heat-resistant transfer device made of, for example, an endless belt; 31, a screen printing machine; 32, a dryer made of a heater 10;
This is a firing device which is loaded on 22 and fires by closing the lid 16a.
【0021】スクリーン印刷機31によって金属ペースト
9が印刷され、金属ペースト成形体14が形成された基板
1は、搬送装置30によって乾燥器32に送られる。乾燥器
32ではヒータ10によって基板1を下側から加熱処理し、
バンプ14a内の溶剤やガスを外部に充分放出させて乾燥
させる。このとき、金属ペースト9が流出する惧れのあ
るものであれば、図1(c)に示すようなメタルマスク
5を被せたまま乾燥を行い、適宜排除するようにすれば
よい。The substrate 1 on which the metal paste 9 is printed by the screen printing machine 31 and the metal paste molded body 14 is formed is sent to the dryer 32 by the transfer device 30. Dryer
At 32, the substrate 1 is heat-treated from below by the heater 10,
The solvent and gas in the bump 14a are sufficiently released to the outside and dried. At this time, if there is a possibility that the metal paste 9 flows out, the metal paste 9 may be dried while being covered with the metal mask 5 as shown in FIG.
【0022】さらに、搬送装置30で基板1を焼成器33ま
で搬送し、図示されない送り装置で基板1を図面奥方向
に位置する蓋16aの突起状板、石英ウェハサセプタ22上
に移載し、蓋16aを閉めて、前述のように焼成を行う。
そのあと、蓋16aを開けて、図示されない送り装置で基
板1を図面手前方向の搬送装置上に戻し、完成品として
搬出する。Further, the substrate 1 is transported by the transport device 30 to the baking device 33, and the substrate 1 is transferred onto the protruding plate of the lid 16a and the quartz wafer susceptor 22 located in the depth direction of the drawing by a feeding device not shown. The lid 16a is closed and firing is performed as described above.
After that, the cover 16a is opened, and the substrate 1 is returned to the transporting device in the front direction of the drawing by a feeding device (not shown), and is carried out as a finished product.
【0023】また、金属ペースト9が流出する惧れのあ
るものであれば、図1(c)に示すようなメタルマスク
5を被せたまま乾燥および焼成を行い、適宜排除するよ
うにすればよい。If there is a possibility that the metal paste 9 flows out, drying and baking are performed with the metal mask 5 as shown in FIG. .
【0024】前記実施例では半導体チップに形成される
バンプを半導体ウェハの状態で形成したが、バンプは半
導体チップに限られず、リードレスで回路基板などに接
続されるリードレスの抵抗、コンデンサー、配線などの
他の電子部品にも形成され、本発明を適用することがで
きる。さらに、バンプは電子部品以外にも回路基板など
の接続部などにも形成されるばあいがあり、いずれのバ
ンプの形成のばあいにも本発明を適用することができ
る。In the above embodiment, the bumps formed on the semiconductor chip are formed in the state of the semiconductor wafer. However, the bumps are not limited to the semiconductor chip, but the leadless resistors, capacitors, and wirings connected to a circuit board or the like in a leadless manner. The present invention can be applied to other electronic components. Further, there are cases where bumps are formed not only on electronic components but also on connection portions of a circuit board or the like, and the present invention can be applied to any case of forming bumps.
【0025】[0025]
【発明の効果】本発明のバンプ形成法によれば、金属ペ
ースト成形体を基板の下側から加熱して乾燥させるの
で、金属ペーストは基板との接触部分である底部より乾
燥を始め、金属ペースト成形体内の溶剤を非接触の開放
部分から完全に外部に除去して、バンプ中に空隙として
残留させない。そのため、バンプの強度は甚大で、しか
も、電気抵抗が低くなり、良好なバンプをうることがで
きる。また、スクリーン印刷を用いることによって短時
間で簡単に大量の金属ペーストの焼結体を形成できる。
さらに、本発明のバンプ製造装置によれば、スクリーン
印刷からバンプの乾燥および焼成までを自動化により連
続して処理することができる。その結果、製造コストが
低減され、電子部品のコストダウンに寄与する。According to the bump forming method of the present invention, since the metal paste molded body is heated and dried from the lower side of the substrate, the metal paste starts drying from the bottom portion which is in contact with the substrate, The solvent in the molded body is completely removed to the outside from the non-contact open portion, and is not left as a void in the bump. Therefore, the strength of the bump is enormous, and the electrical resistance is reduced, so that a good bump can be obtained. Further, by using screen printing, a large amount of sintered body of metal paste can be easily formed in a short time.
Further, according to the bump manufacturing apparatus of the present invention, processes from screen printing to drying and baking of the bump can be continuously performed by automation. As a result, manufacturing costs are reduced, which contributes to cost reduction of electronic components.
【図1】本発明のバンプ形成法を順をおって説明するた
めのバンプ部分の断面説明図である。FIG. 1 is an explanatory sectional view of a bump portion for explaining a bump forming method of the present invention in order.
【図2】本発明のバンプ形成法の焼成工程に使用するR
TA装置の一例の断面説明図である。FIG. 2 shows R used in a firing step of the bump forming method of the present invention.
FIG. 3 is an explanatory cross-sectional view of an example of a TA device.
【図3】本発明のバンプ製造装置の構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a bump manufacturing apparatus of the present invention.
【図4】基板に形成されるバンプ部分の断面説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory sectional view of a bump portion formed on a substrate.
【符号の説明】 1 基板 2 電極パッド 5 メタルマスク 6 孔 9 金属ペースト 14 金属ペースト成形体 14a バンプ[Description of Signs] 1 Substrate 2 Electrode pad 5 Metal mask 6 Hole 9 Metal paste 14 Metal paste molded body 14a Bump
Claims (2)
孔を有するマスクを前記基板上に配設し、該マスク上か
らスクリーン印刷により金属ペーストを印刷し、前記基
板の下側から加熱して、前記金属ペーストを乾燥させ、
ついで前記乾燥とは異なる装置で前記金属ペーストを焼
成することを特徴とするバンプ形成法。1. A mask having holes corresponding to electrode pads provided on a substrate is provided on the substrate, a metal paste is printed on the mask by screen printing, and the metal paste is heated from below the substrate. Drying the metal paste,
Then , the metal paste is fired by an apparatus different from the drying method.
刷された基板を下側から加熱処理する乾燥器と、該乾燥
器によって乾燥が施された前記基板を焼成する焼成器
と、前記基板を搬送する搬送装置とからなり、該搬送装
置で前記基板を搬送させながら乾燥、焼成を連続して行
うバンプ製造装置。2. A dryer for heating the substrate on which the metal paste is printed by screen printing from below, a baking unit for baking the substrate dried by the dryer, and a transport for transporting the substrate. A bump manufacturing apparatus, comprising: an apparatus for continuously drying and firing while transporting the substrate by the transport apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04349056A JP3121464B2 (en) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | Bump forming method and bump manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04349056A JP3121464B2 (en) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | Bump forming method and bump manufacturing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06204230A JPH06204230A (en) | 1994-07-22 |
JP3121464B2 true JP3121464B2 (en) | 2000-12-25 |
Family
ID=18401198
Family Applications (1)
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