JPH06204229A - Bump formation method and semiconductor device - Google Patents

Bump formation method and semiconductor device

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Publication number
JPH06204229A
JPH06204229A JP34905592A JP34905592A JPH06204229A JP H06204229 A JPH06204229 A JP H06204229A JP 34905592 A JP34905592 A JP 34905592A JP 34905592 A JP34905592 A JP 34905592A JP H06204229 A JPH06204229 A JP H06204229A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bumps
substrate
mask
metal paste
screen printing
Prior art date
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Pending
Application number
JP34905592A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsumi Samejima
克己 鮫島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
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Publication of JPH06204229A publication Critical patent/JPH06204229A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007Surface contacts, e.g. bumps

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide the easily forming method of a lot of tall fine bumps by screen printing step. CONSTITUTION:Molded bodies 13 are formed by screen-printing an electrode pad 2 on the surface of a substrate 1 with a metallic paste 9 and after finishing the drying-up step, the screen printing step and the drying-up step are repeated. Later, bumps 14 are to be formed by baking the metallic paste molded bodies 13 using an RTA device irradiating the substrate 1 with the beams of a halogen lamp, etc.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップなどの基
板の周縁部に設けられた電極パッド上に、外部リードと
の接続用に設けられた金属突起物であるバンプを形成す
るバンプ形成法およびその方法を用いた半導体装置に関
する。さらに詳しくは、スクリーン印刷を用いたバンプ
形成法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bump forming method for forming bumps, which are metal projections provided for connection with external leads, on electrode pads provided on the peripheral portion of a substrate such as a semiconductor chip. And a semiconductor device using the method. More specifically, it relates to a bump forming method using screen printing.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、電子機器の小形化に伴い、集積回
路(IC)などを組み込んだ半導体装置も、樹脂でモー
ルドしてリード線を導出したものでなく、COB、CO
GまたはTABなどのように、半導体チップの電極パッ
ド上に直接、外部接続用の金属突起物であるバンプが形
成された半導体チップ(いわゆるベアチップ)が用いら
れるようになっている。この種の半導体チップは、直接
プリント基板などの配線リードに接続(いわゆるワイヤ
レスボンディング)して使用するので、電子機器の小形
化に都合がよく、便利に用いられている。
2. Description of the Related Art With the recent miniaturization of electronic equipment, semiconductor devices incorporating integrated circuits (ICs) have not been molded with resin and lead wires have been led out.
A semiconductor chip (so-called bare chip) in which bumps, which are metal projections for external connection, are formed directly on the electrode pads of the semiconductor chip, such as G or TAB, has been used. This type of semiconductor chip is used by directly connecting it to wiring leads such as a printed circuit board (so-called wireless bonding), and is therefore convenient and convenient for downsizing electronic devices.

【0003】このような半導体チップのバンプ部を図4
に示された断面図により説明する。半導体基板1の半導
体回路の外部接続用電極端子はアルミニウム配線など
で、半導体チップの周縁部に導出され、電極パッド41が
形成される。この電極パッド41の上に金属バンプ44が形
成される。しかし、多くのばあい、電極パッド41はアル
ミニウムから構成され、バンプ44を構成するハンダなど
とはなじまず接着しないので、通常複数層のバリアメタ
ル42を介在させて、その上にバンプ44が形成され、バン
プを形成しない部分はシリコン酸化膜、シリコンチッ化
膜などからなるパッシベーション膜43で覆われている。
A bump portion of such a semiconductor chip is shown in FIG.
This will be described with reference to the sectional view shown in FIG. The electrode terminals for external connection of the semiconductor circuit of the semiconductor substrate 1 are aluminum wiring or the like and are led out to the peripheral portion of the semiconductor chip to form the electrode pads 41. Metal bumps 44 are formed on the electrode pads 41. However, in many cases, since the electrode pad 41 is made of aluminum and does not adhere to the solder and the like that form the bump 44, the bumps 44 are usually formed by interposing a plurality of layers of the barrier metal 42. The portion where no bump is formed is covered with a passivation film 43 made of a silicon oxide film, a silicon nitride film, or the like.

【0004】このようなバンプ44は、従来、一般に電解
メッキ法により形成される。その他、スクリーン印刷、
転写や蒸着といった方法も研究されている。スクリーン
印刷の方法によってバンプを形成するばあい、印刷され
た金属ペースト成形体を乾燥させ、焼成させる必要があ
り、通常、オーブンなどで乾燥、焼成が行われている。
Conventionally, such bumps 44 are generally formed by electrolytic plating. Other, screen printing,
Methods such as transfer and vapor deposition are also being studied. When forming bumps by the screen printing method, it is necessary to dry and bake the printed metal paste molded body, which is usually dried and baked in an oven or the like.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、金属ペースト
を印刷して乾燥し、焼成すると、金属ペースト内の溶剤
や残留ガスが表面から抜けて収縮し乾燥する。その結
果、充分な高さ(30μm以上)をうることができず、外
部リードとの接続の際、基板の他のリードなどと接触し
たり、バンプでの接続部が不充分で導通不良になったり
するという問題がある。また、金属ペースト内の残留ガ
スが充分抜けないと、内部に空隙が生じ、電気抵抗が増
大する。
However, when the metal paste is printed, dried and fired, the solvent and residual gas in the metal paste escape from the surface and shrink and dry. As a result, it is not possible to obtain a sufficient height (30 μm or more), and when connecting to external leads, it may come into contact with other leads on the board, or the bumps may not be connected enough to cause poor conduction. There is a problem that. Also, if the residual gas in the metal paste does not escape sufficiently, voids are generated inside and the electrical resistance increases.

【0006】一方、乾燥後も充分な高さのバンプをうる
ために、マスクの厚さを厚くしておくことが考えられる
が、アスペクト比を大きくできず、微細加工が困難であ
るという問題もある。
On the other hand, it is possible to increase the thickness of the mask in order to obtain bumps of sufficient height even after drying, but there is also the problem that the aspect ratio cannot be increased and fine processing is difficult. is there.

【0007】本発明では、かかる問題を解消し、バンプ
中に空隙を生じさせず、充分な高さのバンプを形成する
ことができ、しかも、スクリーン印刷により簡単にバン
プを形成できるバンプ形成法を提供することを目的とす
る。
According to the present invention, there is provided a bump forming method which solves such a problem, can form bumps of sufficient height without forming voids in the bumps, and can easily form bumps by screen printing. The purpose is to provide.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明のバ
ンプ形成法は、(a)基板に設けられた電極パッドに対
応する孔を有するマスクを前記基板上に位置合わせして
配設し、(b)該マスク上からスクリーン印刷により金
属ペーストを印刷し、前記金属ペーストを乾燥させ、
(c)さらに少なくとも(b)の工程を1回以上繰り返
し、(d)ついで焼成するものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a bump forming method, comprising: (a) arranging a mask having holes corresponding to electrode pads provided on a substrate in alignment with the substrate. , (B) printing a metal paste by screen printing on the mask, drying the metal paste,
(C) Further, at least the step of (b) is repeated once or more, and (d) is followed by firing.

【0009】さらに、請求項2記載の発明のバンプ形成
法は、(a)基板に設けられた電極パッドに対応する孔
を有するマスクを前記基板上に位置合わせして配設し、
(b)該マスク上からスクリーン印刷により金属ペース
トを印刷し、(c)前記金属ペーストを乾燥させ、つい
で、焼成し、(d)さらに少なくとも(b)と(c)の
工程を1回以上繰り返すものである。
Further, in the bump forming method according to the second aspect of the present invention, (a) a mask having holes corresponding to the electrode pads provided on the substrate is aligned and disposed on the substrate,
(B) A metal paste is printed on the mask by screen printing, (c) the metal paste is dried and then fired, and (d) the steps of (b) and (c) are repeated at least once. It is a thing.

【0010】また、本発明の半導体装置は、バンプが形
成される半導体装置であって、前記バンプがスクリーン
印刷を2回以上繰り返すことにより形成されてなるもの
である。
Further, the semiconductor device of the present invention is a semiconductor device in which bumps are formed, and the bumps are formed by repeating screen printing twice or more.

【0011】[0011]

【作用】本発明のバンプ形成法によれば、スクリーン印
刷によって短時間で簡単にバンプを形成でき、乾燥の際
に収縮した金属ペースト成形体の上にさらにスクリーン
印刷により金属ペーストを印刷して乾燥し、ついで焼成
しているため、背の高いバンプを短時間で簡単に形成す
ることができる。また、焼成後にスクリーン印刷を繰り
返し、さらに焼成まで繰り返すことにより、さらに充分
な高さのバンプを形成することができる。そのため、こ
の方法によりバンプが形成された半導体装置は小さな幅
で、充分背の高いバンプを形成でき、高集積化に対して
も充分な高信頼性を維持できる。
According to the bump forming method of the present invention, bumps can be easily formed in a short time by screen printing, and a metal paste is screen-printed and dried on the metal paste molded body that has shrunk during drying. However, since the baking is performed, tall bumps can be easily formed in a short time. In addition, by repeating screen printing after firing and further repeating firing, bumps having a sufficient height can be formed. Therefore, a semiconductor device having bumps formed by this method can form bumps with a small width and a sufficiently high height, and can maintain a sufficiently high reliability even for high integration.

【0012】[0012]

【実施例】つぎに図面を参照しながら本発明について説
明する。図1は本発明のバンプ形成法の一実施例のう
ち、金属ペーストを印刷し、乾燥し、焼成する一連の工
程を説明する図、図2は前記印刷、乾燥の工程を繰り返
したときの金属ペースト成形体の高さの変化を説明する
図である。
The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram for explaining a series of steps of printing, drying, and baking a metal paste in one embodiment of the bump forming method of the present invention, and FIG. 2 is a metal when the printing and drying steps are repeated. It is a figure explaining the change of the height of a paste molding.

【0013】図1において、1は半導体基板や回路基板
などの基板、2は電極パッド、5はメタルマスク、6は
孔を示し、電極パッド2は基板1の周縁部に露出してお
り、孔6はメタルマスク5における電極パッド2に対応
する位置に開けられている。
In FIG. 1, 1 is a substrate such as a semiconductor substrate or circuit board, 2 is an electrode pad, 5 is a metal mask, and 6 is a hole. The electrode pad 2 is exposed at the peripheral edge of the substrate 1, 6 is opened in the metal mask 5 at a position corresponding to the electrode pad 2.

【0014】ここで、メタルマスク5はステンレス、ニ
ッケルやタングステンなどの薄膜からなり、バンプを形
成すべき基板1に設けられた電極パッド2に対応して孔
6が形成されている。このメタルマスク5は通常50〜30
0 μmの厚さで形成されている。あまり厚すぎると孔6
が垂直に形成されなくなり、薄すぎるとバンプの形成高
さが低くなり、他の膜などから突出させることができな
くなるからである。
Here, the metal mask 5 is made of a thin film of stainless steel, nickel, tungsten or the like, and the holes 6 are formed corresponding to the electrode pads 2 provided on the substrate 1 on which bumps are to be formed. This metal mask 5 is usually 50-30
It is formed with a thickness of 0 μm. Hole 6 if too thick
Is not formed vertically, and if it is too thin, the formation height of the bump becomes low and it becomes impossible to project it from another film or the like.

【0015】まず、図1(a)に示されるように、基板
1を固定治具3の上に載置し、位置合わせしてから、固
定治具3の上表面に開口する吸着孔4より真空に引き、
基板1を固定治具3上にしっかりと固定する。
First, as shown in FIG. 1 (a), the substrate 1 is placed on the fixing jig 3 and aligned, and then the suction holes 4 opened on the upper surface of the fixing jig 3 are used. Evacuate,
The substrate 1 is firmly fixed onto the fixing jig 3.

【0016】つぎに、図1(b)に示されるように、メ
タルマスク5の孔6を基板1の電極パッド2に位置合わ
せして、スクリーン印刷機により金属ペースト9を印刷
する。金属ペースト9としては、形成すべきバンプの目
的に応じて材料が選択されるが、たとえば銀ペースト、
ハンダペースト、金ペースト、銅ペーストなどが用いら
れる。銀ペーストは銀粉末とガラス粉末とを溶剤ブチル
カルビトールアセテート(BCA)に混ぜてペースト状
にしたもので、ハンダペーストは共晶ハンダの粉末がフ
ラックスと混ぜられてペースト状にしたものが使用され
る。具体例として、メタルマスク5の孔6が電極パッド
2の上にくるようにしっかりと位置合わせしたのち、固
定具7で三方から固定して、ゴム製のスキージ8で金属
ペースト9を孔6に埋め込み、金属ペースト成形体13と
する。この際、メタルマスク5上に金属ペースト9が残
らないようにする。乾燥、焼成をするときメタルマスク
5を除去して行うばあいは金属ペースト9がメタルマス
ク5上に残存していてもよい。
Next, as shown in FIG. 1B, the holes 6 of the metal mask 5 are aligned with the electrode pads 2 of the substrate 1, and the metal paste 9 is printed by a screen printer. The material of the metal paste 9 is selected according to the purpose of the bump to be formed. For example, silver paste,
Solder paste, gold paste, copper paste, etc. are used. The silver paste is made by mixing silver powder and glass powder with the solvent butyl carbitol acetate (BCA) to make a paste, and the solder paste is made by mixing eutectic solder powder with a flux to make a paste. It As a specific example, after the holes 6 of the metal mask 5 are firmly aligned so that they are on the electrode pads 2, the metal paste 9 is fixed to the holes 6 with a rubber squeegee 8 after being fixed from three sides with a fixture 7. The metal paste molded body 13 is embedded. At this time, the metal paste 9 is prevented from remaining on the metal mask 5. When the metal mask 5 is removed during drying and firing, the metal paste 9 may remain on the metal mask 5.

【0017】つぎに、図1(c)に示すように、基板1
およびメタルマスク5をスクリーン印刷機より取り外
し、たとえばホットプレートなどのヒーター10で下側か
ら加熱する。すると、金属ペースト成形体13は基板1に
面している下側から乾燥を始め、金属ペースト成形体13
内の溶剤は蒸発して開放している上側から抜け、図1
(d)に示すように、乾燥する。この乾燥は下側からの
加熱に限定されず、オーブン炉、環状炉、RTA装置な
どでもよい。
Next, as shown in FIG. 1C, the substrate 1
Then, the metal mask 5 is removed from the screen printing machine and heated from below by a heater 10 such as a hot plate. Then, the metal paste molded body 13 starts to dry from the lower side facing the substrate 1, and the metal paste molded body 13 is dried.
The solvent in the inside evaporates and escapes from the open upper side.
Dry as shown in (d). This drying is not limited to heating from the lower side, and may be an oven furnace, a ring furnace, an RTA device, or the like.

【0018】ここにRTA装置とは、たとえばハロゲン
ランプ、キセノンランプ、アークランプもしくは放電灯
などの光ランプ、レーザ光、電子ビーム(EB)または
カーボンヒータなどの熱源である光や熱線、ビームなど
を照射することにより照射された表面から短時間(通常
は10ns〜数分以内)で加熱処理できる装置(RapidTherma
l Anneal)を意味する。このRTA装置によれば光やビ
ームが照射される表面側から加熱され、温度が上昇す
る。また、光などが照射される材料により、透過性と吸
収性の差があるときは吸収性のよい材料が受けた光を熱
に変換してとくに温度が上昇する。
Here, the RTA device is, for example, a light source such as a halogen lamp, a xenon lamp, an optical lamp such as an arc lamp or a discharge lamp, a laser beam, an electron beam (EB) or a heat source such as a carbon heater, a heat ray, or a beam. A device that can perform heat treatment from the irradiated surface in a short time (usually within 10 ns to a few minutes) by irradiation (Rapid Therma
l Anneal). According to this RTA device, the surface is irradiated with light or a beam and is heated, and the temperature rises. Further, when there is a difference between the transmissivity and the absorptivity depending on the material to which light or the like is irradiated, the light received by the material having the good absorptivity is converted into heat, and the temperature rises especially.

【0019】なお、図1(c)において、メタルマスク
5は金属ペースト成形体13のダレを防ぐためのものであ
るので、ある程度の粘度を有する金属ペースト成形体13
を用いるばあいにはメタルマスク5を取り外して乾燥を
行ってもよい。
In FIG. 1 (c), since the metal mask 5 is for preventing sagging of the metal paste molded body 13, the metal paste molded body 13 having a certain degree of viscosity.
When using, the metal mask 5 may be removed and dried.

【0020】前述のように乾燥を行ったあと引き続き、
マスクの位置合わせからまたはメタルマスクをつけたま
ま乾燥するばあいはスクリーン印刷から前記乾燥までの
工程をさらに1回以上繰り返したのち、たとえば図3に
示されるようなRTA装置15などを用いて金属ペースト
成形体13の焼成を行ってバンプ14を生成する。この焼成
は金属ペースト成形体の金属粉末間の接触をよくして電
気伝導性を向上させるためのものである。そのため、共
晶ハンダパンプではたとえば210 〜220 ℃程度で約1〜
60秒間程度加熱することにより焼成され、完全に溶融状
態(共晶ハンダの融点183 ℃)になり、そののち冷却さ
れて固化することにより、ハンダの塊となって電気伝導
を良好にしている。一方、銀バンプではたとえば350 〜
450 ℃程度で約5〜120 秒間程度加熱することにより焼
成され、この温度では銀粉末は溶融状態には至らない
が、ペーストにした溶剤は蒸発し、粉末間の表面を連結
状態にしてバンプ14の電気伝導を良好にしている。
After drying as described above,
When the mask is aligned or when the mask is dried with the metal mask attached, the steps from the screen printing to the drying are repeated one or more times, and then the RTA device 15 as shown in FIG. The paste molded body 13 is fired to form bumps 14. This firing is for improving the contact between the metal powders of the metal paste compact and improving the electrical conductivity. Therefore, with eutectic solder bumps, for example, at about 210 to 220 ° C,
It is baked by heating for about 60 seconds to become completely in a molten state (melting point of eutectic solder: 183 ° C), and then cooled and solidified to form a lump of solder for good electric conduction. On the other hand, for silver bumps, for example, 350-
It is fired by heating at about 450 ° C for about 5 to 120 seconds. At this temperature, the silver powder does not reach a molten state, but the solvent made into a paste evaporates, and the surfaces of the powders are connected to form bumps. Has good electrical conductivity.

【0021】RTA装置15は、蓋16aを有する密閉可能
な箱状体、SUSチャンバー16と、SUSチャンバー16
の内部に設けられるハロゲンランプ21と、ハロゲンラン
プ21のさらに内側に、蓋16aに向かって開放するように
設けられる筒状体である石英サセプタ17とからなり、蓋
16aに第一供給管18、石英サセプタ17の下方に基板1の
裏面の温度を測定するための開放管19、開放端と反対側
に排気管20が設けられている。この装置で、蓋16aを開
けて石英ウェハサセプタ22の上に基板1を載せ、基板1
が石英サセプタ17の内部に位置するようにして、蓋16a
を閉じる。そののち、ハロゲンランプ21を点灯して、金
属ペースト成形体13の温度をその金属材料に適する焼成
温度にして焼成を行うことによりバンプ14が形成され
る。
The RTA device 15 includes a SUS chamber 16 and a SUS chamber 16 that can be sealed and has a lid 16a.
And a quartz susceptor 17 which is a cylindrical body provided inside the halogen lamp 21 so as to open toward the lid 16a.
A first supply pipe 18 is provided at 16a, an open pipe 19 for measuring the temperature of the back surface of the substrate 1 is provided below the quartz susceptor 17, and an exhaust pipe 20 is provided at the side opposite to the open end. With this device, the lid 16a is opened and the substrate 1 is placed on the quartz wafer susceptor 22.
Is placed inside the quartz susceptor 17, and the lid 16a
Close. After that, the halogen lamp 21 is turned on, and the temperature of the metal paste molded body 13 is set to a firing temperature suitable for the metal material to perform firing, whereby the bumps 14 are formed.

【0022】具体例として前述の金属ペースト9に銀ペ
ーストを用い、約150 ℃のホットプレート上に、1〜3
分ほど載置させて乾燥し、さらに銀ペーストの印刷、乾
燥を1回繰り返し、そののち、RTA装置により約350
℃で約1〜60秒間焼成した。
As a specific example, a silver paste is used as the above-mentioned metal paste 9, and a hot plate at about 150.degree.
Place it for about 5 minutes to dry, repeat silver paste printing and drying once, and then use an RTA device for about 350
Baking was performed at ℃ for about 1 to 60 seconds.

【0023】図2を参照しながらスクリーン印刷、乾燥
を繰り返すときの金属ペースト成形体13の高さについて
説明する。
The height of the metal paste molded body 13 when screen printing and drying are repeated will be described with reference to FIG.

【0024】図2(a)に示すように、1回目のスクリ
ーン印刷後の金属ペースト成形体13aは高さH1を有し
ている。しかし、基板1を加熱して乾燥させたのちの金
属ペースト13aは、図2(b)に示すように、高さはH
2に減じている。そこで、図1(a)のように、基板1
を再び治具3に固定して、図1(b)のように、マスク
5の孔6が金属ペースト成形体13aに一致するようにし
て2回目のスクリーン印刷を行う。すると、図2(c)
のように、高さH3の成形体13bが成形体13aの上にで
きる。この成形体13bも乾燥後には、高さH4に減じて
しまう。しかし、成形体13aと合わせてH2+H4の高
さの成形体とすることができる。これをさらに繰り返
し、焼成することによって必要な高さのバンプ14を形成
することができる。
As shown in FIG. 2A, the metal paste compact 13a after the first screen printing has a height H1. However, the height of the metal paste 13a after heating and drying the substrate 1 is H as shown in FIG. 2 (b).
It has been reduced to 2. Therefore, as shown in FIG.
Is again fixed to the jig 3, and the second screen printing is performed so that the holes 6 of the mask 5 are aligned with the metal paste molded body 13a as shown in FIG. 1 (b). Then, FIG. 2 (c)
As described above, the molded body 13b having the height H3 is formed on the molded body 13a. The molded body 13b is also reduced to the height H4 after drying. However, a molded body having a height of H2 + H4 can be combined with the molded body 13a. By repeating this and further firing, the bumps 14 having a required height can be formed.

【0025】前記基板1として、通常の半導体ウエハプ
ロセスの方法により半導体回路が形成された半導体基板
を用いることにより、バンプの形成されたベアチップか
らなる半導体装置がえられる。
By using as the substrate 1 a semiconductor substrate on which a semiconductor circuit is formed by an ordinary semiconductor wafer process method, a semiconductor device including a bare chip on which bumps are formed can be obtained.

【0026】なお、金属ペースト9の粘度によって基板
1からマスク5を取り外す時期については乾燥後であっ
てもよく、さらには焼成後であってもよい。しかし、ス
クリーン印刷を繰り返すばあい、少なくとも1回目の乾
燥を終了し、再度金属ペーストをスクリーン印刷するま
で基板上にマスクを被せたままとすることがスクリーン
印刷の位置合わせの点から好ましい。
The mask 5 may be removed from the substrate 1 depending on the viscosity of the metal paste 9 after the drying or after the firing. However, when the screen printing is repeated, it is preferable from the viewpoint of alignment of the screen printing to finish the drying of at least the first time and keep the mask on the substrate until the metal paste is screen printed again.

【0027】前記実施例では、マスクの位置合わせまた
はスクリーン印刷から乾燥までの工程を繰り返し、その
のち焼成したが、焼成工程での若干の収縮も補う(大部
分の収縮は乾燥工程で生じる)ためには、マスクの位置
合わせまたはスクリーン印刷から焼成までの工程を複数
回繰り返すと一層効果がある。
In the above-mentioned embodiment, the steps from mask alignment or screen printing to drying were repeated, and then firing was carried out, but some shrinkage in the firing step is also compensated (most shrinkage occurs in the drying step). It is more effective to repeat the steps from mask alignment or screen printing to baking a plurality of times.

【0028】また、スクリーン印刷を繰り返すばあい
に、メタルマスクの孔が小さいマスクを使用すれば、成
形体の上にメタルマスクを重ねることができ、一層高い
バンプを形成できる。
Further, when the screen printing is repeated and a mask having small holes is used, the metal mask can be overlaid on the molded body and higher bumps can be formed.

【0029】[0029]

【発明の効果】本発明のバンプ形成法によれば、少なく
とも金属ペーストのスクリーン印刷から乾燥または焼成
までの工程を繰り返しているので、高いバンプを大量に
簡単に形成できる。その結果、バンプにリードを接続す
るばあいに作業がやり易く、確実に接続できると共に、
接続リードが他の回路配線部との接触をさけることがで
き、信頼性が向上する。また、高集積化された半導体装
置においても、微細化された背の高いバンプを有する半
導体装置がえられる。
According to the bump forming method of the present invention, at least the steps from screen printing of the metal paste to drying or firing are repeated, so that a large number of high bumps can be easily formed. As a result, when connecting the leads to the bumps, the work is easy and the connection is reliable, and
The connection lead can avoid contact with other circuit wiring parts, improving reliability. Further, even in a highly integrated semiconductor device, a semiconductor device having a miniaturized tall bump can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のバンプ形成法の一実施例のうち、スク
リーン印刷、乾燥、焼成の一連の工程を説明する図であ
る。
FIG. 1 is a diagram illustrating a series of steps of screen printing, drying, and firing in one example of a bump forming method of the present invention.

【図2】図1の工程を繰り返したときの金属ペースト成
形体の高さの変化を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a change in height of a metal paste compact when the process of FIG. 1 is repeated.

【図3】焼成装置の一例の断面説明図である。FIG. 3 is a cross-sectional explanatory view of an example of a firing device.

【図4】基板に形成されるバンプ部分の断面説明図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional explanatory diagram of a bump portion formed on a substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 電極パッド 5 メタルマスク 6 孔 9 金属ペースト 13 金属ペースト成形体 14 バンプ 1 substrate 2 electrode pad 5 metal mask 6 hole 9 metal paste 13 metal paste molded body 14 bump

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)基板に設けられた電極パッドに対
応する孔を有するマスクを前記基板上に位置合わせして
配設し、 (b)該マスク上からスクリーン印刷により金属ペース
トを印刷し、前記金属ペーストを乾燥させ、 (c)さらに少なくとも(b)の工程を1回以上繰り返
し、 (d)ついで焼成することを特徴とするバンプ形成法。
1. (a) A mask having holes corresponding to electrode pads provided on a substrate is aligned and disposed on the substrate, and (b) a metal paste is printed on the mask by screen printing. A bump forming method, characterized in that the metal paste is dried, (c) the step of (b) is repeated at least once, and (d) then baked.
【請求項2】 (a)基板に設けられた電極パッドに対
応する孔を有するマスクを前記基板上に位置合わせして
配設し、 (b)該マスク上からスクリーン印刷により金属ペース
トを印刷し、 (c)前記金属ペーストを乾燥させ、ついで、焼成し、 (d)さらに少なくとも(b)と(c)の工程を1回以
上繰り返すことを特徴とするバンプ形成法。
2. (a) A mask having holes corresponding to electrode pads provided on the substrate is aligned and arranged on the substrate, and (b) a metal paste is printed on the mask by screen printing. (C) A method of forming a bump, characterized in that the metal paste is dried and then fired, and (d) the steps of (b) and (c) are repeated at least once.
【請求項3】 バンプが形成される半導体装置であっ
て、前記バンプがスクリーン印刷を2回以上繰り返すこ
とにより形成されてなる半導体装置。
3. A semiconductor device having bumps, wherein the bumps are formed by repeating screen printing twice or more.
JP34905592A 1992-12-28 1992-12-28 Bump formation method and semiconductor device Pending JPH06204229A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100382941B1 (en) * 2000-10-25 2003-05-09 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 device and method for forming bump of semiconductor package
US7358176B2 (en) * 2004-05-26 2008-04-15 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Screen printing method of forming conductive bumps

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100382941B1 (en) * 2000-10-25 2003-05-09 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 device and method for forming bump of semiconductor package
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