JP3121224U - 積層インダクタ - Google Patents

Abstract

【課題】 インダクタンス増加が容易に行える積層インダクタを提供する。
【解決手段】 幅Ｗが高さＴよりも大きく、該幅Ｗの長さＬに対する比が０．６０〜０．７５の範囲内にあるため、基準となる長さと幅と高さの比が２：１：１に定められている従前の積層インダクタに比べ、幅Ｗを利用してコア１４の断面積を増やすことによりインダクタンス増加を容易に図ることができる。
【選択図】 図１

Description

本考案は、積層インダクタに関する。

積層インダクタは所定の長さ，幅及び高さを有する直方体形状を成しており、一般に基準となる長さと幅と高さの比は２：１：１に定められている。例えば、基準長さが１．０ｍｍの積層インダクタにおける基準幅は０．５ｍｍであり、基準高さは０．５ｍｍである。
特開２００１−２３８２３号公報 特開２０００−３０９４６号公報 特開平１１−９７２４４号公報 特開２００１−１５５９３８号公報

積層インダクタのインダクタンスＬは円筒状コイルの場合に［Ｌ＝ｋμＮ² Ｓ／Ｈ］で表される。同式中のｋは長岡係数、μは比透磁率、Ｎは巻き数、Ｓはコア断面積、Ｈは磁路長である。

依って、比透磁率μが同じ場合でインダクタンスＬを増加させるには巻き数Ｎとコア断面積Ｓの少なくとも一方を増やすか、或いは、磁路長Ｈを減らす必要がある。しかし、磁路長Ｈを減らすとコイルの線間距離が小さくなって浮遊容量が増加するため好ましいインダクタンス増加手法とは言えないし、また、基準幅の基準長さに対する比が０．５に定められてる関係からコア断面積Ｓを増やしてインダクタンスを増加するにも寸法上の限界がある。

つまり、基準となる長さと幅と高さの比が２：１：１に定められている従前の積層インダクタにおいて、比透磁率μが同じ場合でインダクタンスを増加するには巻き数Ｎを増やす手法以外に有効な手だてはない。

本考案は前記事情に鑑みて考え出されたもので、その目的とするところは、インダクタンス増加が容易に行える積層インダクタを提供することにある。

前記目的を達成するため、本考案は、所定の長さ，幅及び高さを有する直方体形状の積層インダクタであって、前記幅は前記高さよりも大きく、前記幅の前記長さに対する比は０．６０〜０．７５の範囲内にある、ことをその特徴とする。

この積層インダクタによれば、幅が高さよりも大きく、該幅の長さに対する比が０．６０〜０．７５の範囲内にあるため、基準となる長さと幅と高さの比が２：１：１に定められている従前の積層インダクタに比べ、幅を利用してコアの断面積を増やすことによりインダクタンス増加を容易に図ることができると共に、コイルの巻き数を増やすことによるインダクタンス増加が難しい場合でもコアの断面積を増やす手法によってインダクタンス増加を容易に行うことができる。

本考案によれば、インダクタンス増加が容易に行える積層インダクタを提供できる。

本考案の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。

図１〜図４は本考案の一実施形態を示す。図１は積層インダクタの上面図、図２は図１に示した積層インダクタの幅方向側面図、図３は図１に示した積層インダクタの長さ方向側面図、図４は図１に示したコイルの分解斜視図である。

図１〜図４に示した積層インダクタは、円筒状コイル１１を内蔵した直方体形状のチップ１２と、コイル１１の両端の引出し部分と導通するようにチップ１２の長さ方向両端部に設けられた１対の外部電極１３とを備える。

図１〜図３のＬは積層インダクタの長さを示し、Ｗは積層インダクタの幅を示し、Ｔは積層インダクタの高さを示す。この積層インダクタの幅Ｗは高さＴよりも大きく、該幅Ｗの長さＬに対する比は０．６０〜０．７５の範囲内にある。

具体的な数値を挙げれば、基準長さが１．００ｍｍの積層インダクタにあっては、長さＬは１．００±０．０５ｍｍ、幅Ｗは０．６５±０．０５ｍｍ、高さＴは０．５０±０．０５ｍｍまたは０．３０±０．０５ｍｍである。また、基準長さが０．６０ｍｍの積層インダクタにあっては、長さＬは０．６０±０．０３ｍｍ、幅Ｗは０．３９±０．０３ｍｍ、高さＴは０．３０±０．０３ｍｍまたは０．２０±０．０３ｍｍである。さらに、基準長さが０．４０ｍｍの積層インダクタにあっては、長さＬは０．４０±０．０２ｍｍ、幅Ｗは０．２６±０．０２ｍｍ、高さＴは０．２０±０．０２ｍｍまたは０．１２±０．０２ｍｍである。何れの場合も外部電極１３の厚さは数十μｍであるので、チップの長さ，幅及び高さも前記の長さＬ，幅Ｗ及び高さＴと近似した値となる。

図４に示すように、コイル１１は４つの単位導体線１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄをスルーホールＳＨａ，ＳＨｂ，ＳＨｃを介して高さ方向で接続した構造を有している。最上位の単位導体線１１ａと最下位の単位導体線１１ｄは引出し部分１１ａ１，１１ｄ１を一体に有しており、一方の引出し部分１１ａ１の端は一方の外部電極１３に接続され他方の引出し部分１１ｄ１は他方の外部電極に接続されている。図１〜図４に示したコイル１１の実質的な巻き数は２であるが、該巻き数は必要とするインダクタンスに応じて適宜増減できる。チップ１２のコイル１１の内側部分は横断面が略楕円形のコア１４となっている。

因みに、前記積層インダクタのチップ１２の材料はホウケイ酸ガラス（アルミナを含んでいてもよい）であり、コイル１１の材料は銀であり、外部電極１３の材料は銀でその表面にニッケルと錫が順にメッキされている。

前記積層インダクタは、ホウケイ酸ガラス粉末と有機バインダと有機溶剤等を含むスラリーをキャリアフィルム上に塗工し乾燥してシートを形成するステップと、シートに必要に応じてスルーホールを形成してから銀ペーストを印刷し乾燥して図４に示す４種類の単位導体線を形成するステップと、単位導体線が形成された４種類のシートを導体線非形成のシートと一緒に所定の順序で積層して圧着するステップと、圧着シートを部品サイズに分断するステップと、分断チップを所定条件で焼成するステップと、焼成チップの銀ペーストを塗布してから焼成して外部電極を形成するステップと、外部電極の表面にニッケルメッキ層と錫メッキ層を順に形成するステップとを経て製造される。

前記積層インダクタによれば、幅Ｗが高さＴよりも大きく、該幅Ｗの長さＬに対する比が０．６０〜０．７５の範囲内にあるため、基準となる長さと幅と高さの比が２：１：１に定められている従前の積層インダクタに比べ、幅Ｗを利用してコア１４の断面積を増やすことによりインダクタンス増加を容易に図ることができると共に、コイル１１の巻き数を増やすことによるインダクタンス増加が難しい場合でもコア１４の断面積を増やす手法によってインダクタンス増加を容易に行うことができる。

また、用途に適合したインダクタンス及び自己共振周波数の他に高いＱ値が求められている高周波回路用の積層インダクタにあっては、先に述べたコア１４の断面積を増やす手法によって、キャパシタンス成分の増加によるインダクタンス低下を抑制しつつＱ値向上を図ることが容易に行える。

尚、前述の実施形態では、チップ１２の材料としてホウケイ酸ガラスを用いたものを例示したが、フェライト系材料等をチップ１２に用いた場合でも前記同様の作用効果を得ることができる。

本考案の一実施形態を示す積層インダクタの上面図である。 図１に示した積層インダクタの幅方向側面図である。 図１に示した積層インダクタの長さ方向側面図である。 図１に示したコイルの分解斜視図である。

符号の説明

１１…コイル、１２…チップ、１３…外部電極、１４…コア、Ｌ…積層インダクタの長さ、Ｗ…積層インダクタの幅、Ｔ…積層インダクタの高さ。

Claims (4)

1. 所定の長さ，幅及び高さを有する直方体形状の積層インダクタであって、前記幅は前記高さよりも大きく、前記幅の前記長さに対する比は０．６０〜０．７５の範囲内にある、
   ことを特徴とする積層インダクタ。
2. 前記長さは１．００±０．０５ｍｍ、前記幅は０．６５±０．０５ｍｍ、前記高さは０．５０±０．０５ｍｍまたは０．３０±０．０５ｍｍである、
   ことを特徴とする請求項１に記載の積層インダクタ。
3. 前記長さは０．６０±０．０３ｍｍ、前記幅は０．３９±０．０３ｍｍ、前記高さは０．３０±０．０３ｍｍまたは０．２０±０．０３ｍｍである、
   ことを特徴とする請求項１に記載の積層インダクタ。
4. 前記長さは０．４０±０．０２ｍｍ、前記幅は０．２６±０．０２ｍｍ、前記高さは０．２０±０．０２ｍｍまたは０．１２±０．０２ｍｍである、
   ことを特徴とする請求項１に記載の積層インダクタ。

Images