CN109390141B - 绕线型线圈部件 - Google Patents

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Abstract

本发明在具有导线绕卷芯部重叠地卷绕有多层的结构的绕线型线圈部件中，为实现Q值的提高，对导线从下层侧转移到上层侧的攀升开始部提供适当的位置。在对于卷芯部(2)给出的四棱柱形状所具有的四个侧面，将朝向安装基板侧的侧面命名为第一侧面(S1)，将相对于第一侧面(S1)沿导线(8)的卷绕方向接连的侧面依次命名为第二侧面(S2)、第三侧面(S3)、第四侧面时，使导线(8)的攀升开始部(R)存在于覆盖第四侧面的区域以外的区域。

Description

绕线型线圈部件
技术领域
本发明涉及绕线型线圈部件，尤其涉及具有以下结构的绕线型线圈部件，即具备具有卷芯部的鼓状芯体，导线绕鼓状芯体的卷芯部以多层卷绕。
背景技术
例如，在日本特开2011-82463号公报(专利文献1)中记载了一种具有导线绕鼓状芯体的卷芯部以三层以上重叠卷绕的结构的绕线型线圈部件。
专利文献1所记载的技术的目的在于使谐振频率转移至低频侧，由此在所希望的频率中得到较高的阻抗。因此，在卷绕导线时，以比第一层的匝数少2匝以上的匝数来卷绕第二层。第二层的匝数会给自谐振频率带来较大的影响，通过将第二层的匝数设为比第一层的匝数少2匝以上的适当的匝数，将自谐振频率设定于所希望的频段。
专利文献1：日本特开2011-82463号公报
如专利文献1所记载的，在具有导线绕卷芯部以多层重叠卷绕的结构的绕线型线圈部件中，必须形成导线从下层侧转移到上层侧的攀升开始部。
另外，在绕线型线圈部件中，无法避免在卷绕的导线的线之间产生杂散电容。
本申请的发明人想到了在绕卷芯部卷绕导线时，根据将上述攀升开始部形成在卷芯部的周向上的哪个位置，绕线型线圈部件整体的杂散电容是不是会发生变化。可认为杂散电容的变化会对绕线型线圈部件的Q值、谐振频率产生影响。
然而，在专利文献1中，关于上述攀升开始部的位置没有任何启示。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种具备能够实现Q值的提高的攀升开始位置的绕线型线圈部件。
本发明提供一种绕线型线圈部件，具备：鼓状芯体，具有卷芯部和分别设置于卷芯部的彼此相反的端部的第一凸缘部和第二凸缘部；导线，以规定的卷绕方向绕卷芯部卷绕；以及第一端子电极和第二端子电极，分别设置于第一凸缘部和第二凸缘部的朝向安装基板侧的面。
导线形成绕卷芯部以多层卷绕而成的多层部分，多层部分具有导线从下层侧向上层侧转移的攀升开始部。
上述的卷绕方向为导线在多层部分的最下层朝向攀升开始部侧的卷绕方向。
第一端子电极与上述卷绕方向上的导线的始端连接，第二端子电极与上述卷绕方向上的导线的终端连接。
基于本发明的第一方面的特征在于，在具备这样的基本结构的绕线型线圈部件中，还具备如下结构。
卷芯部为n棱柱(n为3以上的自然数)形状，上述n棱柱形状具有沿连结第一凸缘部和第二凸缘部之间的方向延伸的中心轴线。而且，特征在于，在对于卷芯部所给出的n棱柱形状所具有的n个侧面，将朝向安装基板侧的侧面命名为第一侧面，将相对于第一侧面沿上述卷绕方向接连的其他多个侧面依次命名为第二侧面、…、第n侧面时，导线的攀升开始部包括存在于覆盖第n侧面的区域以外的区域的第一攀升开始部。
在本发明的第一方面，第一攀升开始部可以是存在于覆盖第n侧面以外的n棱柱形状所具有的一个侧面的区域的范围内的第一攀升开始部，也可以是存在于第一侧面至第n－1侧面之间且与位于相邻的侧面之间的棱线部分相对的位置的第一攀升开始部。根据前者的结构，能够得到导线稳定的卷绕状态。
在本发明的第一方面，卷芯部优选为四棱柱形状。由此，能够使卷芯部容易成型。
在卷芯部为四棱柱形状的情况下，在提高Q值这一点上，尤其优选第一攀升开始部包括存在于覆盖第三侧面的区域的第一攀升开始部。
另外，在卷芯部为四棱柱形状的情况下，第一攀升开始部也可以包括存在于覆盖第一侧面的区域的第一攀升开始部。根据该结构，能够相对于相同的下层侧的匝数(以分数等级)增加上层侧的匝数，且能够增加相对于卷芯部的长度的匝数。
在本发明的第一方面，优选所有的攀升开始部为第一攀升开始部，存在于覆盖第n侧面的区域以外的区域。根据该结构，能够进一步提高Q值的提高效果。
本发明的第二方面的特征在于，在具备如上所述的基本结构的绕线型线圈部件中，还具备以下的结构。
特征在于，在用角度来表示导线中的沿着卷芯部的周向的位置时，导线的攀升开始部包括存在于卷芯部的周面的225°以上且315°以下的范围内的区域以外的区域的第一攀升开始部，其中，角度是以沿连结第一凸缘部和第二凸缘部之间的方向延伸的中心轴线为中心测定且以导线的始端与第一端子电极连接的位置为起点沿导线的卷绕方向测定出的角度。
上述第二方面中的特征性结构不仅适用于卷芯部为周面具有平面部分的n棱柱形状的情况，也能够适用于如圆柱形状、椭圆柱形状那样的周面不具有平面部分的形状的情况。
在本发明的第二方面，优选所有的攀升开始部为第一攀升开始部，存在于卷芯部的周面的225°以上且315°以下的范围内的区域以外的区域。根据该结构，能够进一步提高Q值的提高效果。
在本发明中，优选第一攀升开始部以导线的任一匝中的将导线的始端与第一端子电极连接的位置为起点存在于0匝以上的区域，更加优选存在于1/4匝以上的区域，进一步优选存在于1/2匝以上的区域。这样，通过使导线的攀升开始部位于导线的匝的尽可能靠后半部分，杂散电容进一步减少，电抗进一步提高，最终能够使Q值进一步提高。
在本发明所涉及的绕线型线圈部件中，导线也可以具有多个多层部分，多个多层部分也可以沿着卷芯部的中心轴线排列。
根据本发明，由后述的数据可知，能够提高绕线型线圈部件的Q值。推测其理由是因为导线的线间所具有的杂散电容减少，电抗提高。
附图说明
图1是从安装基板侧表示本发明的第一实施方式的绕线型线圈部件1的图。
图2是为了对图1所示的绕线型线圈部件1中的导线8的卷绕状态进行说明，而示意性表示绕线型线圈部件1的剖视图。
图3是表示图1所示的绕线型线圈部件1所具备的鼓状芯体3的沿着图1的III-III线的剖视图。
图4是从图3所示的第二侧面方向S2表示图1所示的绕线型线圈部件1的图。
图5是放大表示图4的一部分的图，是用于对导线8的攀升开始部R进行说明的图。
图6中，(A)是对绕线型线圈部件表示电感值的频率特性的图，(B)是对绕线型线圈部件表示Q值的频率特性的图，都是对使导线的攀升开始部位于图3所示的第一侧面S1的试样ES1、使导线的攀升开始部位于第二侧面S2的试样ES2、以及使导线的攀升开始部位于第四侧面S4的试样ES4进行比较的图。
图7是用于对形成于导线8的线间的杂散电容进行说明的示意性的剖视图，(A)表示攀升开始部所在的侧面的前一个侧面上的导线8的状态，(B)表示攀升开始部R所在的侧面上的导线8的状态，(C)表示攀升开始部所在的侧面的后一个侧面上的导线8的状态。
图8是表示本发明的第二实施方式的绕线型线圈部件1a的与图5相对应的图。
图9是示意性表示本发明的第三实施方式的绕线型线圈部件1b的与图2相对应的图。
图10是示意性表示本发明的第四实施方式的绕线型线圈部件1c的与图2相对应的图。
附图标记说明：
1、1a、1b、1c…绕线型线圈部件；2…卷芯部；3…鼓状芯体；4、5…凸缘部；6、7…端子电极；8…导线；8a…始端；8b…终端；9a、9b、9c、9d、9e…多层部分；10…中心轴线；11…卷绕方向；13…棱线部分；R…攀升开始部；S1…第一侧面；S2…第二侧面；S3…第三侧面；S4…第四侧面。
具体实施方式
参照图1～图6，对本发明的第一实施方式的绕线型线圈部件1进行说明。
如图1明确所示，绕线型线圈部件1具备鼓状芯体3，鼓状芯体3具有卷芯部2。鼓状芯体3具备分别设置于卷芯部2的彼此相反的端部的第一凸缘部4以及第二凸缘部5。鼓状芯体3由电绝缘性材料构成，更具体而言，由氧化铝这样的非磁性体、铁素体这样的磁性体、或者树脂等构成。由图3可知，鼓状芯体3所具备的卷芯部2、第一凸缘部4和第二凸缘部5呈具有四边形的剖面形状的四棱柱形状。如图3所示，优选对四棱柱形状的卷芯部2、凸缘部4和凸缘部5的各个棱线部分实施R倒角。
在第一凸缘部4以及第二凸缘部5中的朝向安装基板(未图示)侧的面，分别设置第一端子电极6以及第二端子电极7。通常端子电极6以及端子电极7例如通过以银为导电成分的导电性浆料的烧结而形成，在这之后，也可以根据需要，依次实施镀镍、镀铜以及镀锡。除此以外，端子电极6以及端子电极7也可以通过将由导电性金属构成的端子配件粘合于凸缘部4以及凸缘部5来设置。
绕线型线圈部件1具备以规定的卷绕方向绕卷芯部2卷绕的导线8。导线8例如由被聚酯酰亚胺绝缘覆盖的铜线构成。作为导线8，通常使用具有圆形剖面的导线，但是也可以使用具有矩形剖面的扁线。
导线8形成了绕卷芯部2以多层例如三层卷绕的3个多层部分9a、9b以及9c。图2示出了绕线型线圈部件1中的导线8的卷绕状态。此外，图2所示的导线8的匝数比图1所示的导线8的匝数少。由此，应理解为图2是简化表示绕线型线圈部件1的图。
如图1所示，导线8的上述卷绕方向上的始端8a连接于第一端子电极6，上述卷绕方向上的导线8的终端8b连接于第二端子电极7。导线8的始端8a为第一多层部分9a中的最下层亦即第一层的始端。
参照图2，在第一多层部分9a中，首先，在卷芯部2上，导线8如箭头A1所示，从第一凸缘部4侧朝向第二凸缘部5侧卷绕而形成第一层。接下来，导线8如箭头A2所示，从第一层转移到第二层。接下来，导线8如与箭头A1方向相反的箭头A3所示，从第二凸缘部5侧朝向第一凸缘部4侧卷绕而形成第二层。接下来，导线8如箭头A4所示，从第二层转移到第三层。接下来，导线8在第三层中在以不足一匝的匝数卷绕之后，如箭头A5所示，被引导至与卷芯部2接触的位置，在这里提供第二多层部分9b中的始端。
接下来，导线8在第二多层部分9b以及第三多层部分9c中，以与第一多层部分9a的情况相同的方式重复卷绕。之后，导线8中的成为第三多层部分9c的终端的导线8的端部8b与第二端子电极7(参照图1)连接。
此外，对于导线8与端子电极6以及端子电极7的连接例如应用基于热压接的接合。
在上述的多层部分9a、9b以及9c中，分别具有导线8沿着其卷绕方向从下层侧转移到上层侧的攀升开始部。在本发明中，使攀升开始部位于卷芯部2的周面上的哪一位置是重要因素。此外，导线8的卷绕方向为导线8在多层部分9a～9c的最下层朝向攀升开始部侧的卷绕方向。
参照图3，卷芯部2如上所述呈四棱柱形状。该四棱柱形状具有沿连结第一凸缘部4与第二凸缘部5之间的方向延伸的中心轴线10。为了便于说明，对于这样的卷芯部2所给出的四棱柱形状所具有的四个侧面，将朝向安装基板侧的侧面，即在凸缘部4以及凸缘部5中位于设置有端子电极6以及端子电极7的侧的侧面命名为第一侧面S1，将相对于第一侧面S1沿导线8的卷绕方向11相连的其他三个侧面依次命名为第二侧面S2、第三侧面S3、第四侧面S4。
图4从第二侧面S2方向表示绕线型线圈部件1。在图4中，用虚线表示涂层部件12，其中，涂层部件12在凸缘部4以及凸缘部5的与设置有端子电极6以及端子电极7的侧相反侧被设置为连结一对凸缘部4与5之间。涂层部件12是根据需要而设置的，也可以代替涂层部件12，安装预先准备的板状部件，以便连结一对凸缘部4与5之间。图5是放大表示图4的一部分的图，是用于对导线8的攀升开始部R进行说明的图。
参照图4和图5，若关注第一多层部分9a，则从导线8的第一层侧转移到第二层侧的攀升开始部R存在于覆盖第二侧面S2的区域。在图5中，为了能够明确区分导线8的第一层与第二层，以虚线表示第一层，以实线表示第二层。
在第二多层部分9b以及第三多层部分9c中，由图4可知，从导线8的第一层侧转移到第二层侧的攀升开始部R也存在于覆盖第二侧面S2的区域。
另外，在第一多层部分9a～第三多层部分9c中，从导线8的第二层侧转移到第三层侧的攀升开始部R如图1所示，存在于覆盖第一侧面S1的区域。
总之，导线8的攀升开始部R存在于覆盖第四侧面S4的区域以外的区域是非常重要的。
图6中，对绕线型线圈部件1利用使导线8的攀升开始部R位于第一侧面S1的试样ES1、使导线8的攀升开始部R位于第二侧面S2的试样ES2以及使导线8的攀升开始部R位于第四侧面S4的试样ES4进行比较，并且(A)示出电感值的频率特性，(B)示出Q值的频率特性。
作为为了得到图6所示的数据而准备的绕线型线圈部件1所具备的鼓状芯体3，使用由平面尺寸为2.0mm×1.5mm的氧化铝构成的部件。另外，为了形成端子电极6以及端子电极7，涂覆银浆，在峰值温度700℃下烧结后，通过电解电镀，依次形成了厚度3μm的镍膜、厚度5μm的铜膜以及厚度16μm的锡膜。作为导线8，使用线径40μm的聚酯酰亚胺漆包铜线，对于导线8与端子电极6以及端子电极7的连接应用510℃下的热压接。另外，作为涂层部件12，使用UV固化树脂，通过利用UV线使之固化来形成了涂层部件12。
在上述规格的绕线型线圈部件1中，以图1和图4所示的方式卷绕导线8，制成使导线8的攀升开始部R位于第一侧面S1的试样ES1、使导线8的攀升开始部R位于第二侧面S2的试样ES2、以及使导线8的攀升开始部R位于第四侧面S4的试样ES4。在这些试样ES1、ES2以及ES4中，使导线8的整体匝数相同，并且使攀升开始部R之后的匝数也相同。
关于电感值的频率特性，如图6的(A)所示，能够看到在试样ES1、ES2和ES4之间几乎是相同的。另一方面，关于Q值的频率特性，如图6的(B)所示，与使攀升开始部R位于第四侧面S4的试样ES4相比，使攀升开始部R位于第一侧面S1的试样ES1几乎在整个频率范围内显示出较高的Q值，使攀升开始部R位于第二侧面S2的试样ES2几乎在整个频率范围内显示出更高的Q值。
此外，若更加细微地观察图6的(A)，则电感值按照试样ES4、试样ES1、试样ES2的顺序变更低。由此，通常会认为试样ES1以及ES2与试样ES4相比，Q值也低。但是，尽管试样ES1以及ES2与试样ES4相比，电感值更低，但如图6的(B)所示，Q值是更高的。通过该现象，能够推测根据试样ES1以及ES2，与试样ES4相比，能够使Q值提高到能够克服电感值降低的程度以上。
可认为上述试样ES1以及ES2中的Q值的上升是由杂散电容的减少引起的。对此，参照图7进行研究。
在图7中，(A)表示攀升开始部所在的侧面的前一个侧面上的导线8的状态，(B)表示攀升开始部R所在的侧面上的导线8的状态，(C)表示攀升开始部所在的侧面的后一个侧面上的导线8的状态。图7的(A)、(B)、(C)中分别示出了导线8的四个匝部分T1、T2、T3以及T4，另外，用C1、C2、C3以及C4的附图标记示出了与导线8的匝部分T1相关联地形成的杂散电容。
如图7的(A)所示，在攀升开始部所在的侧面的前一个侧面中，在接下来将要攀升的导线8的匝部分T1和与其相邻的匝部分T2之间形成有杂散电容C1。
接下来，如图7的(B)所示，在攀升开始部R所在的侧面中，在位于上层侧的提供攀升开始部R的匝部分T1与位于下层侧的匝部分T2之间形成有杂散电容C2。这里，杂散电容C2与上述杂散电容C1大致相等。
接下来，如图7的(C)所示，在攀升开始部所在的侧面的下一个侧面中，作为与攀升后的位于上层侧的匝部分T1相邻接的部分，存在位于下层侧的两个匝部分T2以及T3。因此，在匝部分T1与匝部分T2之间形成杂散电容C3，并且在匝部分T1与匝部分T3之间形成杂散电容C4。即，在攀升开始部所在的侧面的下一个侧面中，形成有比杂散电容C1以及杂散电容C2的任一个都大的杂散电容C3+C4。
根据以上可知，图7的(B)所示的在导线8开始向上层侧攀升的侧面上的杂散电容C2并未比图7的(A)所示的攀升前的侧面上的杂散电容C1增加，但在图7的(C)所示的完全攀升后所到的侧面，形成有更大的杂散电容C3+C4。
因此，若像上述的试样ES4那样，使攀升开始部R位于第四侧面S4，则在上层侧的最初的匝部分，杂散电容从开始卷绕的第一侧面S1起开始增大。即，杂散电容遍及最初的匝部分的整周增大。
与此相对，若像试样ES1那样，使攀升开始部R位于第一侧面S1，则在上层侧的最初的匝部分，杂散电容只从中途即第二侧面S2开始增大，因此能够减少上层侧的最初的匝部分的杂散电容。
同样在像试样ES2那样，使攀升开始部R位于第二侧面S2的情况下，在上层侧的最初的匝部分，杂散电容也只从中途开始增大。进而在该情况下，由于杂散电容只从比上述第二侧面S2靠后的第三侧面S3开始增大，因此与试样ES1的情况相比，能够进一步减少杂散电容。
通过以上的试样ES1与试样ES2的比较，虽然并未图示，但是能够容易推断出若使攀升开始部R位于覆盖第三侧面S3的区域，则能够进一步减少杂散电容。另外，也能够容易推测出攀升开始部R尽可能地位于导线8的匝的后半部分，即将导线8的任一匝中的导线8的始端8a与第一端子电极6连接的位置作为起点而存在于1/2匝以上的区域对于进一步减少杂散电容有效。
此外，虽然也考虑到采用试样ES4中的攀升开始部R的位置，并且使攀升开始部R延迟一匝的量，但在该情况下，仅仅是在下层侧匝数增加一匝，会给产品设计带来较大影响。因此，可以说像试样ES1、试样ES2那样，使攀升开始部R存在于覆盖第四侧面S4的区域以外的区域对于不改变匝数地减少杂散电容有效。
另外，由上述可知，只要能够在某一处减少杂散电容，Q值便会提高。即，在以上的说明中，虽然所有的攀升开始部R都是存在于覆盖第四侧面S4的区域以外的区域的第一攀升开始部，但是并不局限于此，只要第一攀升开始部至少存在一个即可。以下，为了与“R”相区分，对攀升开始部R中存在于覆盖第四侧面S4的区域以外的区域的第一攀升开始部标注“R1”的附图标记。
换句话说，导线8的攀升开始部R包含存在于覆盖第四侧面S4的区域以外的区域的第一攀升开始部R1即可。该情况下，与所有的攀升开始部R都存在于覆盖第四侧面S4的区域的情况相比，能够减少杂散电容。
从减少杂散电容的观点来看，攀升开始部R中的第一攀升开始部R1越多，越能够减少杂散电容，在像上述绕线型线圈部件1那样，所有的攀升开始部R为第一攀升开始部R1的情况下，能够进一步提高Q值。
从与减少杂散电容不同的观点来看，优选第一攀升开始部R1存在于覆盖第一侧面S1的区域。具体而言，该情况下，在杂散电容减少的同时，也能够相对于相同的下层侧的匝数增加实际的上层侧的匝数，并能够增加相对于卷芯部的长度的匝数。
在以上的说明中，卷芯部2为具有四个侧面S1～S4的四棱柱形状，但是也可以为四棱柱形状以外的棱柱形状、或者圆柱形状或椭圆柱形状。
在将棱柱形状概括而表述为n棱柱(n为3以上的自然数)形状的情况下，能够将本发明的特征性结构规定如下。即，特征性结构在于：对于卷芯部所给出的n棱柱形状所具有的n个侧面，将朝向安装基板侧的侧面命名为第一侧面，将相对于第一侧面沿导线的卷绕方向接连的其他多个侧面依次命名为第二侧面、…、第n侧面时，导线的攀升开始部包括存在于覆盖第n侧面的区域以外的区域的第一攀升开始部。
另外，本发明的特征性结构也能够以图3所示的角度进行规定。即，特征性结构在于：在用以沿连结第一凸缘部4和第二凸缘部5之间的方向延伸的中心轴线10为中心测定且将导线8的始端8a与第一端子电极6连接的位置作为起点(0°)沿导线8的卷绕方向11测定出的角度来表示卷芯部2的周面的周向上的位置时，导线的攀升开始部R包含存在于处于卷芯部的周面的225°以上且315°以下的范围内的区域以外的区域的第一攀升开始部。
上述的基于角度的规定内容与在卷芯部2为剖面呈正方形的正四棱柱形状的情况下，与使攀升开始部R1存在于覆盖第四侧面S4的区域以外的区域相一致。但在图示的实施方式那样，卷芯部2的剖面并非为正方形的情况下，上述的基于角度的规定内容也大致适用。
另外，上述的基于角度的规定内容并不局限于卷芯部2为周面具有平面部分的n棱柱形状的情况，也能够适用于像圆柱形状、椭圆柱形状那样，周面不具有平面部分的形状的情况。
另外，在以上说明的实施方式中，如图5明确所示，导线8的攀升开始部R存在于覆盖卷芯部2的例如第二侧面S2那样的第四侧面以外的四棱柱形状所具有的一个侧面的区域的范围内。另外，在概括成卷芯部2为n棱柱形状的情况下，为导线8的攀升开始部R存在于覆盖第n侧面以外的n棱柱形状所具有的一个侧面的区域的范围内。根据该结构，能够得到导线的稳定的卷绕状态。
但在概括成卷芯部2为n棱柱形状的情况下，导线8的攀升开始部R也可以存在于在第一侧面至第n－1侧面之间且与位于相邻的侧面之间的棱线部分对置的位置。参照图8，对该结构的一个具体例子进行说明。
图8是与图5相对应的图，表示本发明的第二实施方式的绕线型线圈部件1a。在图8中，对于与图5所示的元件相当的元件，标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
如图8所示，导线8的攀升开始部R存在于与位于相邻的第二侧面S2和第三侧面S3之间的棱线部分13对置的位置。其他的结构由于与上述的第一实施方式的情况相同，因此省略进一步的说明。
图9是与图2相对应的图，示意性地示出了本发明的第三实施方式的绕线型线圈部件1b。在图9中，对于与图2所示的元件相当的元件，标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
在图9所示的实施方式中，导线8所形成的多层部分9d为一个。导线8的其卷绕方向上的始端8a与第一端子电极6(参照图1)连接。该导线8的始端8a为多层部分9d中的最下层亦即第一层的始端。
在多层部分9d中，首先，在卷芯部2上，导线8如箭头A6所示，从第一凸缘部4侧向第二凸缘部5侧卷绕，形成第一层。接下来，导线8如箭头A7所示，从第一层转移到第二层。接下来，导线8如与箭头A6方向相反的箭头A8所示，从第二凸缘部5侧向第一凸缘部4侧卷绕，形成第二层。接下来，导线8如箭头A9所示，从第二层转移到第三层。接下来，导线8在第三层以不足一匝的匝数卷绕之后，如箭头A10所示，被引向第二凸缘部5，这里，成为多层部分9d的终端的导线8的终端8b与第二端子电极7(参照图1)连接。
图10是与图2相对应的图，示意性地示出了本发明的第四实施方式的绕线型线圈部件1c。在图10中，对于与图2所示的元件相当的元件，标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
图10所示的实施方式也与图9所示的实施方式的情况相同，导线8所形成的多层部分9e为一个。导线8的其卷绕方向上的始端8a与第一端子电极6(参照图1)连接。该导线8的始端8a成为多层部分9e中的最下层亦即第一层的始端。
在多层部分9e中，首先，在卷芯部2上，导线8如箭头A11所示，从第一凸缘部4侧向第二凸缘部5侧卷绕，形成第一层。接下来，导线8如与箭头A11方向相反的箭头A12所示，从第一层转移到第二层。接下来，在第二层中以不足一匝的匝数卷绕后，如与箭头A11相反且与箭头A12方向相同的箭头A13所示，从第二层转移到第三层。接下来，导线8在第三层，如与箭头A11方向相同的箭头A14所示，向第二凸缘部5卷绕，这里，成为多层部分9e的终端的导线8的终端8b与第二端子电极7(参照图1)连接。
上文中，虽然与图示的实施方式相关联地进行了说明，但在本发明的范围内，也能够实现其他各种变形例。
例如，多层部分中导线的匝数、层数能够根据所需的设计而任意地改变。
另外，沿卷芯部的轴线方向分布的多层部分的数量也可以是图示的三个或一个以外的数量。
另外，导线的攀升开始部可以在多个多层部分之间不处于相同的位置，另外也可以在一个多层部分内的不同的层之间不处于相同的位置。
另外，本发明所涉及的绕线型线圈部件所具备的导线也可以为两根以上，例如也能够将本发明应用于构成共模扼流线圈的线圈部件。
另外，在不同的实施方式之间，也能够进行结构的部分替换或者组合。

Claims (16)

1.一种绕线型线圈部件，其特征在于，具备：
鼓状芯体，具有卷芯部以及分别设置于所述卷芯部的彼此相反的端部的第一凸缘部和第二凸缘部；
导线，以规定的卷绕方向绕所述卷芯部卷绕；以及
第一端子电极和第二端子电极，分别设置于所述第一凸缘部和第二凸缘部的朝向安装基板侧的面，
所述导线形成绕所述卷芯部以多层卷绕而成的多层部分，所述多层部分具有所述导线从下层侧转移到上层侧的攀升开始部，
所述卷绕方向在所述多层部分的最下层为所述导线朝向所述攀升开始部侧的第一卷绕方向，所述卷绕方向在所述多层部分的所述最下层的上层侧的第二层从所述攀升开始部起为与所述第一卷绕方向相反的第二卷绕方向，所述导线在所述最下层沿所述第一卷绕方向卷绕多匝，
所述第一端子电极与所述卷绕方向上的所述导线的始端连接，所述第二端子电极与所述卷绕方向上的所述导线的终端连接，
所述卷芯部为n棱柱形状，所述n棱柱形状具有沿连结所述第一凸缘部与第二凸缘部之间的方向延伸的中心轴线，其中，n为3以上的自然数，
在对于所述卷芯部所给出的所述n棱柱形状所具有的n个侧面，将朝向安装基板侧的侧面命名为第一侧面，并将相对于所述第一侧面沿所述卷绕方向接连的其他多个侧面依次命名为第二侧面、…、第n侧面时，所述导线的所述攀升开始部包括存在于覆盖第二侧面至第n－1侧面的区域的第一攀升开始部。
2.根据权利要求1所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述第一攀升开始部包括存在于覆盖第二侧面至第n－1侧面的所述n棱柱形状所具有的一个侧面的区域的范围内的第一攀升开始部。
3.根据权利要求1或2所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述第一攀升开始部包括存在于第二侧面至第n－1侧面之间且与位于相邻的所述侧面之间的棱线部分对置的位置的第一攀升开始部。
4.根据权利要求1或2所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述卷芯部为四棱柱形状。
5.根据权利要求4所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述第一攀升开始部包括存在于覆盖第三侧面的区域的第一攀升开始部。
6.根据权利要求1或2所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所有的所述攀升开始部为所述第一攀升开始部，而存在于覆盖第二侧面至第n－1侧面的区域。
7.根据权利要求1或2所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述第一攀升开始部存在于所述导线的任一匝中的以所述导线的所述始端与所述第一端子电极连接的位置为起点零匝以上的区域。
8.根据权利要求7所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述第一攀升开始部存在于所述导线的任一匝中的以所述导线的所述始端与所述第一端子电极连接的位置为起点1/4匝以上的区域。
9.根据权利要求8所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述第一攀升开始部存在于所述导线的任一匝中的以所述导线的所述始端与所述第一端子电极连接的位置为起点1/2匝以上的区域。
10.根据权利要求1或2所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述导线具有多个所述多层部分，多个所述多层部分沿着所述卷芯部的中心轴线排列。
11.一种绕线型线圈部件，其特征在于，具备：
鼓状芯体，具有卷芯部以及分别设置于所述卷芯部的彼此相反的端部的第一凸缘部和第二凸缘部；
导线，以规定的卷绕方向绕所述卷芯部卷绕；以及
第一端子电极和第二端子电极，分别设置于所述第一凸缘部和第二凸缘部的朝向安装基板侧的面，
所述导线形成绕所述卷芯部以多层卷绕而成的多层部分，所述多层部分具有所述导线从下层侧转移到上层侧的攀升开始部，
所述卷绕方向在所述多层部分的最下层为所述导线朝向所述攀升开始部侧的第一卷绕方向，所述卷绕方向在所述多层部分的所述最下层的上层侧的第二层从所述攀升开始部起为与所述第一卷绕方向相反的第二卷绕方向，所述导线在所述最下层沿所述第一卷绕方向卷绕多匝，
所述第一端子电极与所述卷绕方向上的所述导线的始端连接，所述第二端子电极与所述卷绕方向上的所述导线的终端连接，
在用角度表示所述导线中的沿着所述卷芯部的周向的位置时，所述导线的所述攀升开始部包括存在于所述卷芯部的周面的45°以上且225°以下的范围内的区域的第一攀升开始部，其中，所述角度是以沿连结所述第一凸缘部与第二凸缘部之间的方向延伸的中心轴线为中心测定且以所述导线的所述始端与所述第一端子电极连接的位置为起点沿所述导线的卷绕方向测定出的角度。
12.根据权利要求11所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所有的所述攀升开始部为所述第一攀升开始部，存在于卷芯部的周面的45°以上且225°以下的范围内的区域。
13.根据权利要求11或12所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述第一攀升开始部存在于所述导线的任一匝中的以所述导线的所述始端与所述第一端子电极连接的位置为起点零匝以上的区域。
14.根据权利要求13所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述第一攀升开始部存在于所述导线的任一匝中的以所述导线的所述始端与所述第一端子电极连接的位置为起点1/4匝以上的区域。
15.根据权利要求14所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述第一攀升开始部存在于所述导线的任一匝中的以所述导线的所述始端与所述第一端子电极连接的位置为起点1/2匝以上的区域。
16.根据权利要求11或12所述的绕线型线圈部件，其特征在于，
所述导线具有多个所述多层部分，多个所述多层部分沿着所述卷芯部的中心轴线排列。
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