JP3118882B2

JP3118882B2 - マイクロメカニカル構造体の製造方法

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Publication number: JP3118882B2
Application number: JP20146791A
Authority: JP
Inventors: 誠内山
Original assignee: Nissan Motor Co Ltd
Current assignee: Nissan Motor Co Ltd
Priority date: 1991-07-16
Filing date: 1991-07-16
Publication date: 2000-12-18
Anticipated expiration: 2015-12-18
Also published as: JPH0526900A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体、金属等の基体
に対して多方面から半導体微細加工を施すことにより３
次元的なマイクロメカニカル構造体を製造する方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】現在までに提案、実現されているマイク
ロマシンやマイクロセンサ等のマイクロメカニカル構造
体は、そのほとんどが半導体製造プロセスと同様の半導
体加工により製造されている。具体的には、シリコン等
の半導体基板（ウェハ）の表面を複数の領域（セグメン
ト）に区画し、これらセグメントに対してフォトリソグ
ラフィ、拡散、イオン注入、各種エッチング、各種の薄
膜形成等の一連の工程からなる所望の半導体微細加工、
および、接合、研削等の半導体実装加工を施してマイク
ロメカニカル構造体を製造している。

【０００３】図１５は、マイクロメカニカル構造体の一
例である従来の半導体加速度センサを示す平面図、図１
６は断面図である（Roylance, L.M. et. al., "A Batch
-Fabricated Silicon Accelerometer" IEEE Trans. Ele
ctron Devices vol.ED-26,pp.1911, DEC. 1979 参
照）。これらの図において、１はシリコン基板、２はこ
のシリコン基板１に形成されたくり抜き部であり、この
くり抜き部２は、選択的エッチングによりその部分が取
り除かれるように形成されている。そして、このくり抜
き部２により、固定部５から突出する細く薄い片持ちは
り部３と、この片持ちはり部３の自由端側に一体的に設
けられる肉厚の重り部４が形成される。片持はり部３の
上面には、例えば拡散によるＰ型半導体としてピエゾ抵
抗６（ゲージ抵抗に相当）が形成されている。ピエゾ抵
抗６は、加速度により重り部４の重量を受けて片持はり
部３が撓んだときに発生する応力によりその抵抗値が変
化する。さらに、固定部５の上にもピエゾ抵抗６と同一
の抵抗７が形成されており、この抵抗７とピエゾ抵抗６
とがブリッジ接続され、センサ出力が出力端子８から取
り出される。このような半導体加速度センサは、ＩＣの
製造プロセスにより、いわゆるバッチ処理で製作するこ
とができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
マイクロメカニカル構造体の製造方法は、半導体基板そ
のものに半導体微細加工を施してマイクロメカニカル構
造体を製造していたので、次に述べるような問題を抱え
ていた。

【０００５】すなわち、通常の半導体微細加工によれ
ば、基板の表面（主平面）に垂直な方向に沿った加工は
非常に精度良く行うことができるが、基板の表面に水平
な方向に沿った加工は、一旦選択的エッチングにより基
板や薄膜部の一部を除去して基板表面に垂直な面を露出
させ、この垂直面に対してさらに選択的エッチング等を
行う以外に方法がない。しかも、ドライエッチングによ
りシリコン基板を垂直に掘り下げて溝を形成しても、そ
のエッチング速度より実用的深さはせいぜい数十μｍが
限度であり、その自由度に限界がある。

【０００６】また、フォトリソグラフィ工程は垂直面に
対してはほとんど不可能で、限られた種類の薄膜形成
や、斜め方向へのイオン注入により、基板表面に対して
垂直でない方向に沿った加工も可能であるが、加工の種
類およびその自由度にも大きな限界がある。以上のこと
から、従来の製造方法によっては、一基準面に対して２
次元的に薄膜を積層した構造を基本とするマイクロメカ
ニカル構造体しか実用的に製造することができなかっ
た。

【０００７】従って、３次元的形状を有するマイクロメ
カニカル構造体についての提案は既に存在するものの
（例えば、特開昭６２−１１８２６０号公報参照）、従
来の製造方法では、自由な３次元的形状を有するマイク
ロメカニカル構造体を製造することが困難であった。

【０００８】本発明の目的は、多方向からの半導体微細
加工を実現し、自由な３次元的形状を有するマイクロメ
カニカル構造体を簡易かつ正確に製造することの可能な
マイクロメカニカル構造体の製造方法を提供することに
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】一実施例を示す図１に対
応付けて説明すると、本発明は、マイクロメカニカル構
造体の製造方法を、半導体微細加工が施される複数の露
出面を備えた基体１０を製造する工程と、前記露出面の
うち少なくとも１つの面１０ａを露出させた状態で前記
基体１０を基板２０に固定する工程と、基板２０への基
体固定工程の後、前記露出された面１０ａに対して半導
体微細加工を施す工程とを含んだものとすることによ
り、上述の目的を達成している。

【００１０】

【作用】基板２０に固定された基体１０は、その露出面
のうち少なくとも１つの面１０ａが露出された状態にあ
るので、この露出された面１０ａに対して半導体微細加
工を施せば、従来の半導体製造プロセスにより基体１０
の任意の露出面に対して半導体微細加工を施すことがで
きる。

【００１１】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。

【００１２】

【実施例】

−第１実施例− 図１は、本発明によるマイクロメカニカル構造体の製造
方法の第１実施例の一部の工程を示す断面図、図２は平
面図である。これらの図において、１０はシリコン（半
導体）からなる外形が略立方体形状の基体、２０はシリ
コンからなる基板であり、基体の寸法によっては市販の
汎用シリコンウエハを加工して用いる。この基板２０の
表面には平面形状が矩形の凹部３０が多数形成され、こ
れら各凹部３０内には基体１０がそれぞれ嵌入されてい
る。基体１０の上面１０ａは、図１に示すように、基板
２０に嵌入された状態で、この基板２０の表面より若干
高い同一平面（ａ−ａ’）上に位置されている。

【００１３】基体１０は、例えば所定厚にスライスされ
たシリコンウェハがダイシングソー等の切断手段により
所定角に切断されて製造される。この基体１０は、真空
チャック等の把持手段により１個ずつ把持されて基板２
０の凹部３０付近にまで案内され、凹部３０内に嵌め込
まれる。あるいは、はさみ持つ手段を備えたロボットア
ームあるいは、ピンセット等を用いて手作業で凹部３０
内に嵌め込まれる。

【００１４】基板２０は、後述する半導体微細加工中に
高熱処理も含まれることから、熱膨張により基体１０と
凹部３０との間に隙間が形成されて嵌合度が変化するこ
とのないように、その熱膨張係数等の物性が基体１０の
物性になるべく近い物性を有する材質から形成されるこ
とが望ましい。本実施例では、基体１０および基板２０
はいずれもシリコンから形成されているため、高熱処理
等によっても基体１０と凹部３０との間に間隙が形成さ
れるような事態は生じない。

【００１５】また、基板２０の凹部３０以外の表面は、
後述する半導体微細加工により高熱のガスやプラズマ、
各種の酸、塩基性水溶液、液体有機物等に晒されるた
め、これら工程において耐性を有する材質であることが
好ましい。但し、少なくともこれら物質に対して耐性を
有する表面加工を施すことができればよい。

【００１６】この際、型による一体成形が可能な材質で
基板２０が形成されている場合は、基板２０と凹部３０
とを一体成形により形成すればよいが、本実施例のよう
にシリコン等の半導体で基板２０が形成されている場合
は、選択的エッチング等により垂直面を有する溝を形成
して凹部３０を形成すればよい。あるいは、基板２０が
金属で形成されている場合は、プレス加工または切削加
工等により凹部３０を形成すればよい。

【００１７】図１および図２に示すように基板２０の凹
部３０内に嵌入、固定された基体１０は、この基板２０
上に固定された状態で、その上面（図１に示すａ−ａ’
平面）１０ａに対して各種のフォトリソグラフィ、酸
化、拡散、イオン注入、各種エッチング、各種の薄膜形
成等の一連の工程からなる所望の半導体微細加工または
その応用工程が、通常の半導体ウェハに対してと同様に
施される。さらに、この基体１０の上面１０ａに対して
接合、研削等の半導体実装加工も施される。

【００１８】次いで、基体１０が基板２０の凹部３０か
ら取り外され、上述の真空チャック等の把持手段、ある
いは手作業により、既に加工された面と異なる面を上面
にして基体１０が再度基板２０の凹部３０内に嵌め込ま
れる。さらに、この上面に対して、所望の半導体微細加
工、半導体実装加工等が行われる。このようにして、基
体１０の少なくとも隣接する２主面について上述の工程
を繰り返すことにより、基体１０に対して３次元的な多
方面から半導体微細加工等を行い、マイクロメカニカル
構造体を製造することができる。

【００１９】従って、本実施例によれば、基体１０の露
出面のそれぞれに対してこれに垂直な方向に沿って半導
体微細加工等を行うことができるので、従来の半導体製
造プロセスを用いて３次元的な加工を容易に行え、もっ
て、自由な３次元的な形状を有するマイクロメカニカル
構造体を簡易かつ正確に製造することが可能となる。一
例として、図３に示すような複雑な形状を有する基体１
０を考えた場合、面α、α₁〜ψの合計18面のうち、
α、α₁、β₁、β₂、δ₁、ε₁、ε₂の一部や面δ₂の全
部については、フォトリソグラフィ工程や一部の成膜工
程（例えばスパッタリング成膜工程）に限ってその実施
が困難であるが、これ以外の面に対しての半導体微細加
工等は上述の方法により十分になしうる。また、上述の
面についても他の工程（例えばイオン注入工程）の適用
は可能である。

【００２０】しかも、本実施例では、基体１０の上面
（図１においてａ−ａ’）１０ａが基板２０の表面より
高い位置に配置されているので、上面以外の４つの側面
もその一部が基板２０から露出している。従って、基体
１０の４つの側面の露出部分についても同時に半導体微
細加工等を行うことができ、底面を除く基体１０の５面
に対して同時に半導体微細加工等が行える。このため、
基体１０の露出面を取り替える工程を経ることなくマイ
クロメカニカル構造体を製造することができる場合もあ
る。しかも、基体１０間の間隙を利用して、斜めイオン
注入や斜めからのフォトリソグラフィ等斜め方向に沿っ
た加工も可能である。

【００２１】−第１実施例の変形例− 上述の第１実施例では、基板２０上に固定された基体１
０は全て同一寸法であったが、図４に示すように、異な
る寸法を有する基体１０を基板２０上に固定して、その
上面１０ａに対して半導体微細加工等を施してもよい。
この場合、上面１０ａの高さ（図４においてa₂−a₂'）
を揃える場合は凹部３０の形状を適宜調整する必要があ
るが、全ての工程について全ての基体１０に共通に加工
を行う必要がない場合は、図５に示すように、凹部３０
の形状を変更せずに複数の上面高さ（図５においてa₃−
a₃'およびa₄−a₄'）を有するようにしてもよい。

【００２２】あるいは、上述の第１実施例では、基体１
０の上面１０ａが基板２０の表面より高い位置にあった
が、図６に示すように、基体１０の上面高さ（図６にお
いてa₅−a₅'）を基板２０の表面より低い位置に置いて
もよい。この場合、基体１０の角部保護に役立つ。ま
た、基体１０の上面１０ａと基板２０の表面とを同一平
面上に配置してもよい。

【００２３】−第２実施例− 図７は本発明によるマイクロメカニカル構造体の製造方
法の第２実施例を示す断面図である。本実施例では、基
体１１の外形が球状に形成されているのに対し、基板２
１の表面に形成された凹部３１は上述の実施例と同様に
平面形状が矩形に形成されている。従って、基体１１と
凹部３１との間には部分的に間隙が生ずるため、この基
体１１を基板２１に強固に固定する目的で、あるいは基
体１上部以外の基体１１表面を保護する目的で、凹部３
１内に充填材４１が充填されている。この充填材４１の
材質としては、ガラス類，樹脂などでその後の工程（少
なくとも直後の）に対して耐性がある物質でシリケート
ガラス、ポリイミド樹脂等が挙げられる。

【００２４】従って、本実施例によっても、基体１１の
上端部１１ａを同一平面（図７においてｂ−ｂ’）上に
配置した状態で基体１１を基板２１の凹部３１内に固定
し、この上端部１１ａに対して半導体微細加工等を行う
ことにより自由な３次元形状を有するマイクロメカニカ
ル構造体を製造することができる。よって、本実施例に
よっても、上述の第１実施例と同様の作用効果を得るこ
とができる。

【００２５】−第２実施例の変形例− 第２実施例では基体１１の外形が球状に形成されていた
が、例えば図８に示すように、外形が楕円体状に形成さ
れた基体１２であってもよく、この場合、基板２２に形
成される凹部３２の平面形状は長方形に形成されてい
る。なお、基体１２は、充填材４２を介して基板２２に
固定された状態で、その上端部１２ａが同一平面（図８
においてｃ−ｃ’）上に配置されている。

【００２６】あるいは、図９に示すように、外形が楕円
体状に形成された基体１３の一部に平坦面１３ａが存在
する場合、この平坦面１３ａが同一平面（図９において
ｄ−ｄ’）上に位置するように、充填材４３を介して基
体１３を基板２３の凹部３３に固定すればよい。この
際、基板２３を上部基板２３ａと下部基板２３ｂとに分
割し、下部基板２３ｂに平面形状が長方形の凹部３３ｂ
を形成するとともに、上部基板２３ａにその側壁の形状
が基体１３の上部形状に合致するような貫通孔３３ａを
穿設し、これら上部基板２３ａと下部基板２３ｂとで基
体１３を挟持すれば、基体１３の位置決めの精度が向上
してフォトリソグラフィ等の微細加工が精度良く行え
る。

【００２７】上部基板２３ａは必ずしも下部基板２３ｂ
と同じ材質で形成する必要はなく、例えば、ポリイミド
樹脂のように型による成形が可能な材質で形成してもよ
い。また、これら上部基板２３ａおよび下部基板２３ｂ
の間の接合方法も任意であり、周知の方法が適用され
る。例えば、上部基板２３ａおよび下部基板２３ｂがと
もにシリコンで形成される場合は、互いの接合面を鏡面
仕上げし、加熱状態で圧接して直接接合すればよい（但
し、高温９００℃以上であれば圧接しなくてもよい）。
一方、下部基板２３ｂがシリコンで形成され、上部基板
２３ａが異なる材質で形成されている場合は、上部基板
２３ａの接合面に低融点ガラスの薄膜を形成し、ガラス
薄膜側に負電圧を印加してシリコン（下部基板２３ｂ）
との静電引力により接合すればよい。

【００２８】−第３実施例− 図１０は本発明によるマイクロメカニカル構造体の製造
方法の第３実施例を示す断面図である。本実施例では、
基体１４および基板２４がともにシリコンで形成されて
いる。基体１４および基板２４は、その水平面の面方位
がそれぞれ（１００）とされ、これら基体１４および基
板２４に形成された凹部３４の側面は、塩基性溶液によ
る異方性エッチングにより形成された、例えば面方位
（１１１）の斜面とされている。

【００２９】また、上述の第２実施例の変形例と同様
に、基板２４は上部基板２４ａと下部基板２４ｂとに分
割され、下部基板２４ｂにはこの下部基板２４ｂを貫通
しない断面Ｖ字形の凹部３４ｂが形成されているととも
に、上部基板２４ａにはこの基板２４ａを貫通する貫通
孔３４ａが形成され、これら凹部３４ｂおよび貫通孔３
４ａにより基板２４の凹部３４が構成されている。

【００３０】上部基板２４ａおよび下部基板２４ｂは、
上述の第２実施例の変形例と同様に、互いの接合面を鏡
面仕上げし、加熱状態で圧接して直接接合すればよい。
あるいは、一方の接合面に低融点ガラスの薄膜を形成
し、ガラス薄膜側に負電圧を印加して他方の接合面との
静電引力により接合すればよい。但し、本実施例では基
体１４および基板２４がともにシリコンで形成されてい
るため、これら基体１４および基板２４が、上部基板２
４ａ、下部基板２４ｂの接合作業時に、その加熱処理に
より接合されてしまい基体と基板の分離に支障をきたす
ことを避ける必要がある。一例として、基体１４の側面
に、一連の加工処理後においてエッチングにより溶解さ
れ易い、リンを含有した酸化膜（ＰＳＧ）等を形成し、
所望時にＰＳＧを選択的に溶解すればよい。

【００３１】また、本実施例では、下部基板２４ｂの凹
部３４ｂの下部に空隙が形成されているが、基体１４と
凹部３４との密着性が良好である場合、この空隙内に気
体が封入されて上部基板２４ａ、下部基板２４ｂの接合
時に高温・高圧になる可能性があるので、これら基板２
４ａ、２４ｂの接合作業を真空に近い雰囲気下で行うこ
とが好ましい。あるいは、上述の第２実施例と同様に、
充填物を充填することが好ましい。

【００３２】従って、本実施例によっても、基体１４の
上面１４ａを同一平面（図１０においてｅ−ｅ’）上に
配置した状態で基体１４を基板２４の凹部３４内に固定
し、この上面１４ａに対して半導体微細加工等を行うこ
とにより自由な３次元形状を有するマイクロメカニカル
構造体を製造することができる。よって、本実施例によ
っても、上述の第１実施例と同様の作用効果を得ること
ができる。

【００３３】−第３実施例の変形例− 上述の第３実施例では、下部基板２４ｂに形成された凹
部３４ｂはこの下部基板２４ｂを貫通していなかった
が、図１１（ａ）に示すように、これを上部基板２４ａ
と同様に貫通孔３５ｂとしてもよい。この場合、基体１
５はその上下面１５ａ、１５ｂを同一平面（図１１にお
いてｆ−ｆ’およびｇ−ｇ’）上に配置した状態で基板
２５の凹部３５内に固定されるので、上下面１５ａ、１
５ｂに対して同時にウェット（溶液）エッチング等の半
導体微細加工が行える、という利点がある。また、図１
１（ｂ）に示すように基体の斜面に微細加工を施せる。

【００３４】−第４実施例− 図１２（ａ）は本発明によるマイクロメカニカル構造体
の製造方法の第４実施例を示す断面図である。本実施例
では、基体１６が上述の第３実施例と同様に異方性エッ
チングによるシリコンで形成されているとともに、基板
２６が合成樹脂により形成されている。基板２６の材質
は、金属、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等、比較的高
温に耐え、かつ、半導体微細加工の各工程の処理に対し
て耐性のある材料であればよく、何等限定されない。基
板２６は、基体１６を所定位置に配置し、この基体１６
の上下面１６ａ、１６ｂを露出させた状態で一体成形に
より形成される。ゆえに、凹部３６は基体１６の側面に
合致した形状に形成される。基板２６と基体１６とが類
似（少なくともある種の薬液等に対する溶解性等）のも
のである場合には、基体１６の上下を含め、充填材３７
で被覆して、基板のみを溶解することができる。充填材
３７の材質は、酸化膜または窒素膜等でよい。

【００３５】従って、本実施例によっても、基体１６の
上下面１６ａ、１６ｂを同一平面（図１２においてｈ−
ｈ’およびｉ−ｉ’）上に配置した状態で基体１６を基
板２６の凹部３６内に固定でき、この上下面１６ａ、１
６ｂに対して半導体微細加工等を行うことにより自由な
３次元形状を有するマイクロメカニカル構造体を製造す
ることができる。よって、本実施例によっても、上述の
第１実施例と同様の作用効果を得ることができる。ま
た、図１２（ｂ）により斜面にも加工を施せる。

【００３６】−第５実施例− 図１３は本発明によるマイクロメカニカル構造体の製造
方法の第５実施例を示す断面図である。本実施例では、
基体１８および基板２８はともにシリコンで形成されて
いるが、上述の各実施例と異なり、基板２８は平板状に
形成され、凹部は基板２８上に形成されていない。従っ
て、基体１８は、基板２８の表面に直接接合されてい
る。

【００３７】接合方法は任意であり、上述のごとく、互
いの接合面を鏡面仕上げし、加熱状態で直接接合すれば
よい。あるいは、一方の接合面に低融点ガラスの薄膜を
形成し、ガラス薄膜側に負電圧を印加して他方の接合面
との静電引力により接合すればよい。また、所望の一連
の半導体微細加工を施した後、基体１８を基板２８から
分離する必要があれば、化学的結合に基づく直接接合を
避けて他の周知の接合法を採用すればよい。

【００３８】従って、本実施例によっても、基体１８の
上面１８ａを同一平面（図１３においてab−ab’）上に
配置した状態で基体１８を基板２８の表面に固定し、こ
の上面１８ａに対して半導体微細加工等を行うことによ
り自由な３次元形状を有するマイクロメカニカル構造体
を製造することができる。よって、本実施例によって
も、上述の第１実施例と同様の作用効果を得ることがで
きる。

【００３９】−第５実施例の変形例− 上述の第５実施例では、基体１８の上面１８ａのみなら
ず４つの側面も露出しており、上面への半導体微細加工
時に側面も同時に加工されてしまう可能性がある。そこ
で、図１４に示すように、基体１９の４つの側面を上述
の充填材と同様の材質からなる被覆材４９で被覆し、側
面の保護を図ることもできる。

【００４０】なお、本発明のマイクロメカニカル構造体
の製造方法は、その細部が上述の実施例に限定されず、
種々の変形例が可能である。一例として、上述の実施例
は基体に半導体微細加工等を施すことによりマイクロメ
カニカル構造体を製造していたが、基板の一部を取り込
んでマイクロメカニカル構造体を製造してもよい。すな
わち、例えば基体と基板とがともにシリコンで形成され
る場合、基体と基板との接合に先立って基板のみに半導
体微細加工を施し、これら基体と基板とを直接接合して
一体化を図る、あるいは接合後に基体と基板との双方に
半導体微細加工等を施すことが可能である。このよう
に、基体と基板とが接合された実施例の場合、後に基体
・基板接合体をマイクロメカニカル構造体毎に切断する
必要があるが、この切断後に更に半導体微細加工等を施
してもよい。

【００４１】あるいは、基板の表面に半導体微細加工を
施した後、この基板を切断して上述の基体を製造し、そ
の後、切断面等を上面に露出させた状態でこの基体を別
の基板上に固定し、半導体微細加工等を施してマイクロ
メカニカル構造体を製造してもよい。なお、基体、基板
の材質の組合せは任意であり、上述の実施例に限定され
ない。

【００４２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、基体の露出面のそれぞれに対してこれに垂直な方
向に沿って半導体微細加工等を行うことができるので、
従来の半導体製造プロセスを用いて３次元的な加工を容
易に行え、もって、自由な３次元的な形状を有するマイ
クロメカニカル構造体を簡易かつ正確に製造することが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例であるマイクロメカニカル
構造体の製造方法の一部を示すための断面図であり、図
２のＡ−Ａ’線に沿う矢視断面図である。

【図２】第１実施例の製造方法の一部を示す平面図であ
る。

【図３】３次元的な形状を有するマイクロメカニカル構
造体の一例を示す斜視図である。

【図４】第１実施例の変形例を示す断面図である。

【図５】図４と同様の図である。

【図６】図５と同様の図である。

【図７】本発明の第２実施例であるマイクロメカニカル
構造体の製造方法の一部を示すための断面図である。

【図８】第２実施例の変形例を示す断面図である。

【図９】図８と同様の図である。

【図１０】本発明の第３実施例であるマイクロメカニカ
ル構造体の製造方法の一部を示すための断面図である。

【図１１】第３実施例の変形例を示す断面図である。

【図１２】本発明の第４実施例であるマイクロメカニカ
ル構造体の製造方法の一部を示すための断面図である。

【図１３】本発明の第５実施例であるマイクロメカニカ
ル構造体の製造方法の一部を示すための断面図である。

【図１４】第５実施例の変形例を示す断面図である。

【図１５】従来の半導体加速度センサの一例を示す平面
図である。

【図１６】図１５の断面図である。

【符号の説明】

１０〜１６、１８基体１０ａ〜１６ａ、１８ａ上面２０〜２６、２８基板３０〜３６凹

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B81C 1/00 C23C 16/44 G01P 15/12 H01L 29/84

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体微細加工が施される複数の露出面
を備えた基体を製造する工程と、前記露出面のうち少なくとも１つの面を露出させた状態
で前記基体を基板に固定する工程と、基板への基体固定工程の後、前記露出された面に対して
半導体微細加工を施す工程とを備えたことを特徴とする
マイクロメカニカル構造体の製造方法。