JP3116875B2 - 電源装置 - Google Patents
電源装置Info
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- JP3116875B2 JP3116875B2 JP09286486A JP28648697A JP3116875B2 JP 3116875 B2 JP3116875 B2 JP 3116875B2 JP 09286486 A JP09286486 A JP 09286486A JP 28648697 A JP28648697 A JP 28648697A JP 3116875 B2 JP3116875 B2 JP 3116875B2
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- Y02B70/126—
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- Y02B70/1433—
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- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Description
回路を使用した電源装置に関する。
に示すものが知られている。これは交流電源1にインダ
ンタ及びコンデンサからなるフイルタ回路2を介してダ
イオードブリッジからなる全波整流回路3の入力端子を
接続し、その全波整流回路3の出力端子にインダクタ4
を介してスイッチングトランジスタ5を接続すると共
に、さらにダイオード6を順極性に介して充電用平滑コ
ンデンサ7を接続している。そして平滑コンデンサ7に
高周波インバータ回路8を接続し、その高周波インバー
タ回路8の出力端子にコンデンサ9を介して放電灯10
の各フィラメント電極10a,10bの一端を接続して
いる。放電灯10の各フィラメント電極10a,10b
の他端間に始動用コンデンサ11を接続している。高周
波インバータ回路8はトランス12の1次巻線12aと
スイッチングトランジスタ13との直列回路と、トラン
ス12の1次巻線12aに並列に接続されて共振用コン
デンサ14と、スイッチングトランジスタ13に並列に
接続されたダイオード15からなり、トランス12の1
次巻線12aとスイッチングトランジスタ13との直列
回路を平滑コンデンサ7に並列に接続すると共にトラン
ス12の2次巻線12bを出力端子としている。
タ5が制御回路16により高周波スイッチング動作され
ると、トランジスタ5がオンのときに全波整流回路3に
て整流された脈流電圧から供給される電流によるインダ
クタ4への蓄積エネルギーがトランジスタ5のオフ時に
その脈流電圧に重畳しダイオード6を介して平滑コンデ
ンサ7に充電される。このスイッチングトランジスタ5
のスイッチング動作が連続して行われることにより平滑
コンデンサ7の充電電圧は平滑される。そして脈流電圧
に対応した包絡線をピークとした電流がインダクタ4に
流れる。このスイッチング電流はフイルタ回路2で交流
電源1の交流電圧と同相の正弦波電流となるので、入力
電流は高調波成分を含まず、かつ高力率となる。
バータ回路8の電源となり、スイッチングトランジスタ
13の高周波スイッチング動作によりトランス12の1
次巻線12aと共振用コンデンサ14との共振回路が動
作し、その共振電圧がトランス12の2次巻線12bに
伝達され、放電灯10に供給される。そしてコンデンサ
11により放電灯10の各フィラメント電極10a,1
0bが予熱されるとともにそのコンデンサ11の両端に
発生する高電圧が放電灯10の各フィラメント電極10
a,10b間に印加され、放電灯10は始動点灯される
ようになる。
ッパ制御により入力電流には高調波をほとんど含まない
が、インバータ回路8及び放電灯10を含む負荷回路の
損失分により直流入力ライン電流を脈流電圧のすべての
区間連続的に供給するため、各素子のエネルギー処理量
が大きく、素子の大容量化、すなわち大形化及び高価格
化を招く問題があった。またスイッチングトランジスタ
5をスイッチング制御する制御回路16は、瞬時値が常
に変化する脈流の直流電圧に対して常に連続的にかつイ
ンダクタ4へのエネルギー蓄積が残らないように、スイ
ッチングトランジスタ5を毎サイクルスイッチングする
ための制御方法も要求されるため構成が複雑化し、大形
化する問題があった。さらにスイッチングトランジスタ
5のスイッチングするエネルギー処理が脈流直流電圧の
すべての区間連続的に行われるため、スイッチングトラ
ンジスタ5のスイッチング損失が大きく、又スイッチン
グによって流れる電流も連続的な三角波となるため、ノ
イズの発生量が多くなる問題があった。さらにまた電源
の投入時に平滑コンデンサ7に対して過大な突入電流が
流れ込むため、これに対する対策として電源ラインに接
続される部品の容量を増加しなければならず、この点に
おいても大形化する問題があった。
成分を低減できるものにおいて、小形化、低価格化及び
構成の簡単化を図ることができるとともにノイズ発生量
を減少させることができる電源装置を提供しようとする
ものである。
交流電源に並列に接続された第1のコンデンサと、交流
電源からの交流を整流する整流回路と、この整流回路の
出力端子に並列に接続された第2のコンデンサと、充電
用コンデンサ,インダクタンス素子及びこのインダクタ
ンス素子と共振動作が得られるように設定された前記第
2のコンデンサからなり、充電用コンデンサに整流回路
出力のピーク値よりも低い直流電圧を蓄える振動回路
と、整流回路出力レベルが充電用コンデンサの充電レベ
ル以上のときには第1のコンデンサから入力電流が供給
され、整流回路出力レベルが充電用コンデンサの充電レ
ベルより低下すると充電用コンデンサから大半の入力電
流が供給され、かつ第1のコンデンサから一部の入力電
流が供給される高周波インバータ回路とからなり、高周
波インバータ回路出力を負荷に供給するものである。
明において、整流回路出力レベルの変動に応じて第2の
コンデンサの容量を可変制御する容量可変制御回路を設
けたものである。
応の発明において、振動回路は整流回路出力レベルが充
電用コンデンサの充電レベルより低下するに従って振動
電圧の振幅が大きくなるように振動条件を設定したもの
である。
3対応の発明において、振動回路は高周波インバータ回
路の発振動作に同期して振動電圧を発生し、かつ第2の
コンデンサは整流回路出力レベルが充電用コンデンサの
充電レベルより低下するに従って端子電圧を高くするも
のである。
ンデンサの充電電圧レベルが整流回路出力レベルよりも
低い区間においては、高周波インバータ回路が発振動作
を行うと、発振のオン時に高周波インバータ回路には主
に第1のコンデンサから入力電流が供給される。すなわ
ち高周波インバータ回路の必要とするエネルギーに見合
ったエネルギーが第1のコンデンサから供給され、さら
に交流電源側からそのエネルギーを補給する入力電流が
流入する。また発振のオフ時に振動回路により充電用コ
ンデンサが充電される。
ンデンサの充電電圧レベルよりも低くなると、この区間
においては発振のオン時に高周波インバータ回路には最
初に第2のコンデンサから入力電流が供給される。そし
て第2のコンデンサの容量は高周波インバータ回路の必
要とするエネルギーを供給するには不十分なため第2の
コンデンサのレベルは低下する。そして第2のコンデン
サのレベルが第1のコンデンサのレベルまで低下する
と、第1のコンデンサからのエネルギー供給が開始され
る。充電用コンデンサによる高周波インバータ回路への
放電はインダクタンス素子のため遅れ、高周波インバー
タ回路の発振がオフ動作する直前に行われる。そして発
振がオフ動作すると充電用コンデンサはインダクタンス
素子と第2のコンデンサに対する電圧供給源となる。こ
うして振動的共振が得られ第2のコンデンサに対する充
電が行われる。そしてこの充電は整流回路出力レベルが
低下する程振動的共振の振幅が大きくなり高められる。
こうして交流電源1から流入する入力電流は連続して行
われることになる。
明する。なお、本実施例は本発明を放電灯点灯装置に適
用したものについて述べる。図1に示すように、交流電
源21にノイズフイルタ用のインダクタ22を介して第
1のコンデンサ24を並列に接続し、その第1のコンデ
ンサ24にダイオードブリッジからなる全波整流回路2
3の入力端子を接続し、その全波整流回路23の出力端
子に第2のコンデンサ26を並列に接続している。
7を逆極性に介し、さらにインダクタ28を介して充電
用コンデンサ29を並列に接続している。また前記第2
のコンデンサ26に1石式高周波インバータ回路30を
接続している。この高周波インバータ回路30はトラン
ス31の1次巻線31aとスイッチングトランジスタ3
2との直列回路を設け、前記トランス31の1次巻線3
1aに共振用コンデンサ33を並列に接続し、前記スイ
ッチングトランジスタ32にダイオード34を並列に接
続している。そして前記トランス31の1次巻線31a
とスイッチングトランジスタ32との直列回路を前記第
2のコンデンサ26に並列に接続している。前記スイッ
チングトランジスタ32は駆動回路(図示せず)により
高周波スイッチング動作されるようになっている。
デンサ35を介して放電灯36の各フィラメント電極3
6a,36bの一端を接続している。前記放電灯36の
各フィラメント電極36a,36bの他端間には始動用
コンデンサ37が接続されている。前記トランス31に
3次巻線31cを設け、その3次巻線31cにダイオー
ド38を介して前記充電用コンデンサ29を並列に接続
している。前記第2のコンデンサ26、ダイオード2
7、インダクタ28、充電用コンデンサ29、トランス
31の3次巻線31c及びダイオード38からなる回路
は振動回路Aを形成している。
時においては第1のコンデンサ24の両端間には図2の
(a) に示す電圧Vc1が発生する。また説明を理解し易く
するためにインダクタ28が無く、かつ第2のコンデン
サ26の容量も高周波インバータ回路30の動作に支障
を与えることのないように十分な大きさにした場合に
は、第2のコンデンサ26の両端間には図2の(b)に示
す電圧Vc2′が発生する。
トランジスタ32のスイッチング動作によって発振動作
を行っていると、トランス31の1次巻線31aと共振
用コンデンサ33の共振作用によりトランス31の1次
巻線31aに高周波電圧が発生し、これにより3次巻線
31cにも1次巻線31aとの巻線比に応じた高周波電
圧が誘起される。そしてこの電圧によりダイオード38
を介して充電用コンデンサ29が充電される。この充電
用コンデンサ29の充電電圧Vc6は図2の(b)に示すよ
うに第2のコンデンサ26の両端間電圧Vc2′である脈
流電圧のピーク値Vpeakよりも低い。そこで脈流電圧が
充電用コンデンサ29の充電電圧Vc6よりも高い区間を
TA、低い区間をTB として以下、動作を説明する。
路30のトランジスタ32がオンすると、トランス31
の1次巻線31aへの電流の供給はほとんどが第1のコ
ンデンサ24から、一部が第2のコンデンサ26から行
われる。そして第1のコンデンサ24と第2のコンデン
サ26の合成容量は高周波インバータ回路30が必要と
するエネルギーを与えるに十分な容量となっている。こ
の第1のコンデンサ24と第2のコンデンサ26からの
電流供給に見合って交流電源21側からエネルギーが入
力電流I1 となって流入する。そして脈流電圧の変化に
対応してトランジスタ32のスイッチング動作に伴うよ
うにこの動作が行われ、交流電圧正弦波値上に沿ってイ
ンバータ動作の高周波の微少でかつ等しい振幅がTA の
全区間に重畳される。すなわちこのTA 区間では第1の
コンデンサ24と第2のコンデンサ26の合成値は供給
脈流電圧により与えられるエネルギーがインバータ回路
30の要求するエネルギーに対して満たされた値となっ
ている。
ル成分が小さく、また発熱も小さく、動作の信頼性を高
めることができる。そしてこのTA 区間においてトラン
ジスタ32のオフ時に3次巻線31cから充電用コンデ
ンサ29への充電が行われる。このTA 区間においては
充電用コンデンサ29からインバータ回路30側への放
電は行われない。
波電圧のレベルが低下し始めたときにトランジスタ32
がオンされると、トランス31の1次巻線31aへの電
流供給は最初に第2のコンデンサ26から行われる。そ
して第2のコンデンサ26の容量は高周波インバータ回
路30が必要とするエネルギーを与えるには不十分なた
め、トランジスタ32のオン後に1次巻線31aに流れ
る電流が増加するに従って第2のコンデンサ26の電圧
Vc2は低下する。そして電圧Vc2が第1のコンデンサ2
4の電圧Vc1まで低下した時点から第2のコンデンサ2
6で不足しているインバータ回路30へのエネルギー供
給を第1のコンデンサ24が行うようになる。
するまで行われるが、第1のコンデンサ24からのエネ
ルギー供給が開始されてから第2のコンデンサ26の電
圧Vc2の低下は少なくなる。また第1のコンデンサ24
からインバータ回路30へのエネルギー供給は、これに
見合った分のエネルギーを交流電源21側から入力電流
I1 として流入させる。
c6はインダクタ28の過渡インピーダンスによりエネル
ギーの放出が遅れ、トランジスタ32がオフする直前の
時点でエネルギーを放出するようになる。そしてトラン
ジスタ32がオフすると、充電用コンデンサ29の充電
電圧Vc6はインダクタ28、ダイオード27、第2のコ
ンデンサ26からなる直列回路への電圧供給源となる。
ここでインダクタ28及び第2のコンデンサ26は振動
的共振が得られるように設定されているので第2のコン
デンサ26への充電が正弦波状に行われる。そしてこの
充電はインバータ回路30においてトランジスタ32が
次にオンしたときエネルギー供給が不足とならないレベ
ルまで高められる。
して第1のコンデンサ24の電圧Vc1が低下するに従っ
て第2のコンデンサ26の電圧Vc2は低下し、それに従
いインダクタ28と第2のコンデンサ26による振幅が
大きくなる。また入力電流I1 は少なくなるが電流は連
続して流れ込む。
圧Vc2は図2の(c) に示す波形となる。また入力電流I
1 及び入力電圧V1 は図2の(d) に示す波形となる。こ
のように交流電源21からの入力電流I1 が連続して流
れることにより入力電流I1 に高調波成分が介入するの
を阻止している。
サ26の電圧Vc2の波形において正弦波電圧のピーク値
付近P1 、正弦波電圧が充電用コンデンサ29の充電電
圧Vc6よりやや低下しインダクタ28と第2のコンデン
サ26により振動を開始した時点P2 、正弦波電圧が略
0値になった時点P3 におけるトランジスタ32のコレ
クタ電流IQ1、第2のコンデンサ26に流れる電流IC
2、全波整流回路23に流れる電流IRec 、第2のコン
デンサ26の両端電圧VC2を示している。全波整流回路
23に流れる電流IRec は入力電流I1 と略等しい。な
お、図3の(a) は正弦波電圧のピーク値付近P1 の波形
を示し、図3の(b) は振動を開始した時点P2 の波形を
示し、図3の(c) は正弦波電圧が略0値になった時点P
3 の波形を示している。
流IQ1が流れるが、P1 点では供給電圧が最も高いの
で、コレクタ電流IQ1は大きい。P2 ,P3 点は充電電
圧VC6のレベルで決まった電流となるが、段階的に少な
くなる。第2のコンデンサ26に流れる電流IC2は、ト
ランジスタ32のオン時に流れる量は少なく、第1のコ
ンデンサ24から供給される。この供給は十分な量であ
るため電圧VC2の電圧変動はほとんど無い。そして交流
電源21より電流IRec をベースとした連続的な入力電
流I1 が流れることになる。
伴い、インダクタ28と第2のコンデンサ26による振
動電圧の振幅は大きくなり、トランジスタ32がオンす
る時点にそのトランジスタ32に十分なエネルギーを供
給するレベルまで高められ、第2のコンデンサ26の両
端間電圧VC2は図3の(c) に示すように十分なレベルま
で高められる。
全区間に亘ってインバータ回路30は安定した発振動作
を行うことになる。そして正弦波電圧がP1 点、P2
点、P3 点と低下するに従い、低下電圧に見合った電流
IRec が流れ、その電流IRecと等価な入力電流I1 が
交流電源21側から流入し、その結果入力電流I1 が連
続的に流れることになる。すなわち図2の(d) に示すよ
うに連続した高調波成分の極めて少ない入力電流I1 が
流れることになる。
においても、充電用コンデンサ29の充電電圧Vc6によ
って発生するインダクタ28と第2のコンデンサ26に
よる振動電圧が、インバータ回路30の発振動作が安定
して行われるようにトランジスタ32のオン、オフのタ
イミングに合って行われることが重要となる。
IQ1,IC2,IRec 及び電圧VC2の波形を示すように不
具合な動作となる。すなわちインダクタ28と第2のコ
ンデンサ26の振動回路での振動条件が悪く、第2のコ
ンデンサ26の電圧VC2が十分に高められずインバータ
回路30へのエネルギー供給が不足する。そしてエネル
ギー不足のためトランジスタ32に流れる電流IQ1は立
上がりがスパイク状の急俊な電流となる。このため図5
に示すように交流入力の電圧V1 に対応した入力電流I
1 は図中点線イで示すように半サイクルの前後で少なく
なって凹んだ高調波成分の多いものとなり、かつスパイ
ク状の電流となってしまう。なお、図中実線で示す入力
電流I1 は本実施例の入力電流波形を示す。
ク状の電流となることにより、トランジスタのスイッチ
ング損失が大きくなり、またノイズの発生量も多くなる
という問題が生じてしまう。またインダクタ28と第2
のコンデンサ26の振動数がインバータ回路30の発振
に対して高すぎる場合は、トランジスタ32に流れる電
流IQ1が不安定となり、その結果インバータ回路30の
発振動作が不安定となる。また入力電流I1も常に安定
した高調波成分の少ない電流とはならなくなる。
ダンスと容量値はインダクタ28と第2のコンデンサ2
6の振動回路に対して重要な要因となる。すなわち内部
インピーダンスは全体の振幅の高さを規制し、また容量
値が小さいと充電用コンデンサ29の放電による電圧低
下が図2の(c) に示す電圧波形VC2におけるP3 点付近
やP1 点への立上がり部において振幅が小さくなり、そ
の結果トランジスタ32にスパイク電流が流れる区間が
大きくなり前記同様の問題が生じてしまう。
ーダンスと容量値を適切に設定することが必要となる。
また第1のコンデンサ24の容量も適切に設定すること
が必要となる。すなわち容量が小さすぎると、インダク
タ28と第2のコンデンサ26の振動回路の振動幅が十
分であっても交流電源21側からのエネルギー供給が不
足し、図2の(b) におけるTB 区間での入力電流I1 が
極めて小さくなり、その結果入力電流が高調波成分の多
いスパイク状の電流となり前記同様の問題が生じること
になる。逆に容量が大きすぎると図2の(a) に示す電圧
波形Vc1において脈流電圧の低い部分においてかさ上げ
され、このかさ上げ電圧区間において小さなTB 区間が
発生し、その結果入力電流が流れず休止区間となり、高
調波成分の増加の要因となる。さらにトランジスタ32
のスイッチングリップルが入力電流I1 に重畳されても
第1のコンデンサ24によって除去される。
第2のコンデンサ24,26に対してはヒゲ状の突入電
流で、従来装置の突入電流に比べて無視できる程度に小
さく、電源ラインに接続される回路部品に対して何等支
障を与えるものではない。従って回路部品として耐圧の
低い小形のものが使用できる。しかも要部を第1、第2
のコンデンサ24,26、充電用コンデンサ29、イン
ダクタ28、ダイオード27,38、3次巻線31cに
よって構成することができ、構成が簡単である。以上、
本実施例においては、入力電流における高調波成分を低
減できるのは勿論、小形化、低価格化及び構成の簡単化
をも図ることができる。
説明する。なお、前記実施例と同一の部分には同一の符
号を付して詳細な説明は省略する。図6は高周波インバ
ータ回路としてハーフブリッジ形の高周波インバータ回
路40を使用したもので、このインバータ回路40は1
対のスイッチングトランジスタ41,42の直列回路及
び1対のコンデンサ43,44の直列回路を設け、その
各トランジスタ41,42の接続点と各コンデンサ4
3,44の接続点との間にインダクタ45を介して放電
灯36を接続している。そして前記インダクタ45にそ
のインダクタ45と磁気的に結合したコイル46を添設
し、そのコイル46にダイオード38を介して充電用コ
ンデンサ29を並列に接続している。
サ29はコイル46によって全波整流回路23からの脈
流電圧のピーク値よりも低い直流電圧を蓄えることがで
き、前記実施例と同様の効果が得られるものである。な
お、コンデンサ43,44の一方が無い変形ハーフブリ
ッジ形の高周波インバータ回路であってもよい。
ュプル形の高周波インバータ回路50を使用したもの
で、このインバータ回路50は1対のスイッチングトラ
ンジスタ51,52、トランス53、コンデンサ54を
設け、トランジスタ51のコレクタをトランス53の1
次巻線53aの一端に接続すると共にトランジスタ52
のコレクタをトランス53の1次巻線53aの他端に接
続し、コンデンサ54をトランス53の1次巻線53a
に並列に接続し、各トランジスタ51,52のエミッタ
を充電用コンデンサ29の負極側に接続している。そし
て第2のコンデンサ26の正極側をインダクタ55を介
して前記トランス53の1次巻線53aの中点に接続し
ている。前記トランス53の2次巻線53bに放電灯3
6を接続し、前記トランス53の3次巻線53cにダイ
オード38を介して充電用コンデンサ29を並列に接続
している。
サ29は3次巻線53cによって全波整流回路23から
の脈流電圧のピーク値よりも低い直流電圧を蓄えること
ができ、前記実施例と同様の効果が得られるものであ
る。
して1石式の高周波インバータ回路30を使用し、充電
用コンデンサ29とダイオード27の配置を交換し、か
つインダクタ28とダイオード27のカソードとの接続
点をダイオード57を介してスイッチングトランジスタ
32のコレクタに接続したものである。
と電源側からトランス31の1次巻線31aに電流が流
れると共に充電用コンデンサ29、インダクタ28及び
ダイオード57介して電流が流れ充電用コンデンサ29
が充電される。このときの充電用コンデンサ29の充電
電圧VC6はインピーダンス比で決まる。このようにして
も充電用コンデンサ29に対して全波整流回路23から
の脈流電圧のピーク値よりも低い直流電圧を蓄えること
ができ、前記実施例と同様の効果が得られるものであ
る。
して1石式の高周波インバータ回路30を使用し、充電
用コンデンサとして2つの充電用コンデンサ291,2
92を使用し、一方の充電用コンデンサ291の一端を
インダクタ28を介して第2のコンデンサ26の正極側
に接続し、他端をダイオード58のアノードに接続し、
他方の充電用コンデンサ292の一端を前記ダイオード
58のカソードに接続し、他端を第2のコンデンサ26
の負極側に接続している。そして一方の充電用コンデン
サ291とダイオード58との直列回路にダイオード5
9をそのカソードを一方の充電用コンデンサ291の一
端側にして並列に接続し、ダイオード58と他方の充電
用コンデンサ292との直列回路にダイオード60をそ
のカソードをダイオード58のアノード側にして並列に
接続したものである。
正弦波電圧のピーク値を2つの充電用コンデンサ29
1,292で分割して充電し、この各充電用コンデンサ
291,292の充電電圧より脈流正弦波電圧が低くな
ると各充電用コンデンサ291,292が放電してエネ
ルギーを第2のコンデンサ26とインダクタ28からな
る振動回路に供給する。従って本実施例においても前記
実施例と同様の効果が得られるものである。
容量可変制御回路61を設けたものである。この容量可
変制御回路61は第1のコンデンサ24に抵抗62とコ
ンデンサ63との直列回路を並列に接続し、そのコンデ
ンサ63に定電圧ダイオード64と抵抗65の直列回路
を並列に接続している。また全波整流回路23の出力端
子に抵抗66,67の直列回路を並列に接続している。
また第2のコンデンサ26に第3のコンデンサ68を介
してMOS形FET(電界効果トランジスタ)69を並
列に接続している。そしてPNP形トランジスタ70の
エミッタを抵抗71を介して前記定電圧ダイオード64
のカソードに接続し、そのコレクタを前記MOS形FE
T69のゲートに接続するとともに抵抗72を介してコ
ンデンサ63の負極側に接続し、かつそのベースを前記
抵抗66,67の接続点に接続している。
36の他方のフィラメント電極36bとの間にインダク
タ73を直列に介挿し、そのインダクタ73にそのイン
ダクタ73と磁気的に結合したコイル74を添設し、そ
のコイル74の一端を第2のコンデンサ26の負極側に
接続し、他端をダイオード75、定電圧ダイオード76
及びダイオード77を直列に介して前記トランジスタ7
0のベースに接続している。なお前記コイル74にはダ
イオード75を介してコンデンサ78が並列に接続され
ている。
ってもインバータ回路30は安定した発振動作を行う。
また高調波成分の低減化を図ることができる。これは入
力電圧変動に対してトランジスタ70の内部インピーダ
ンスが変化し、これによりMOS形FET69が制御さ
れて第3のコンデンサ68と第2のコンデンサ26との
合成容量が可変制御される。こうした動作により入力電
圧変動があっても第2のコンデンサ26の電圧VC2は略
一定に保持される。なお、本実施例においても前記実施
例と同様の効果が得られるのは勿論である。
装置に適用したものについて述べたが必ずしもこれに限
定されるものでないのは勿論である。
力電流における高調波成分を低減できるものにおいて、
小形化、低価格化及び構成の簡単化を図ることができる
とともにノイズ発生量を減少させることができる電源装
置を提供できるものである。
す図。
電流波形及び電圧波形を示す部分拡大波形図。
ングと一致しない場合の各部の電流波形及び電圧波形を
示す部分拡大波形図。
調波成分を含んだ入力電流波形を比較した図。
Claims (4)
- 【請求項1】 交流電源に並列に接続された第1のコン
デンサと、前記交流電源からの交流を整流する整流回路
と、この整流回路の出力端子に並列に接続された第2の
コンデンサと、充電用コンデンサ,インダクタンス素子
及びこのインダクタンス素子と共振動作が得られるよう
に設定された前記第2のコンデンサからなり、前記充電
用コンデンサに前記整流回路出力のピーク値よりも低い
直流電圧を蓄える振動回路と、前記整流回路出力レベル
が前記充電用コンデンサの充電レベル以上のときには前
記第1のコンデンサから入力電流が供給され、前記整流
回路出力レベルが前記充電用コンデンサの充電レベルよ
り低下すると前記第2のコンデンサから大半の入力電流
が供給され、かつ前記第1のコンデンサから一部の入力
電流が供給される高周波インバータ回路とからなり、前
記高周波インバータ回路出力を負荷に供給することを特
徴とする電源装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の電源装置において、さら
に整流回路出力レベルの変動に応じて第2のコンデンサ
の容量を可変制御する容量可変制御回路を設けたことを
特徴とする電源装置。 - 【請求項3】 振動回路は整流回路出力レベルが充電用
コンデンサの充電レベルより低下するに従って振動電圧
の振幅が大きくなるように振動条件を設定したことを特
徴とする請求項1又は2記載の電源装置。 - 【請求項4】 振動回路は高周波インバータ回路の発振
動作に同期して振動電圧を発生し、かつ第2のコンデン
サは整流回路出力レベルが充電用コンデンサの充電レベ
ルより低下するに従って端子電圧を高くすることを特徴
とする請求項1、2又は3記載の電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09286486A JP3116875B2 (ja) | 1991-11-20 | 1997-10-20 | 電源装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3-304946 | 1991-11-20 | ||
JP30494691 | 1991-11-20 | ||
JP09286486A JP3116875B2 (ja) | 1991-11-20 | 1997-10-20 | 電源装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4281458A Division JP2731093B2 (ja) | 1991-11-20 | 1992-10-20 | 電源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10108473A JPH10108473A (ja) | 1998-04-24 |
JP3116875B2 true JP3116875B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=26556343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09286486A Expired - Lifetime JP3116875B2 (ja) | 1991-11-20 | 1997-10-20 | 電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3116875B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101917134A (zh) * | 2010-08-31 | 2010-12-15 | 江苏艾索新能源股份有限公司 | 高频隔离并网逆变电路 |
KR101043586B1 (ko) * | 2011-01-25 | 2011-06-22 | 한빔 주식회사 | 스위칭 모드 전원 회로 |
-
1997
- 1997-10-20 JP JP09286486A patent/JP3116875B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10108473A (ja) | 1998-04-24 |
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