JP3111426B2 - キャパシタンス形成方法 - Google Patents
キャパシタンス形成方法Info
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- JP3111426B2 JP3111426B2 JP05256353A JP25635393A JP3111426B2 JP 3111426 B2 JP3111426 B2 JP 3111426B2 JP 05256353 A JP05256353 A JP 05256353A JP 25635393 A JP25635393 A JP 25635393A JP 3111426 B2 JP3111426 B2 JP 3111426B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ技術におけるキ
ャパシタンス形成方法の分野に関する。
ャパシタンス形成方法の分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＬＳＩの製造は、まず回路図面を
ＣＡＤで設計し、その回路図面を縮小してマスクを作成
し、これをシリコンウェハに焼き付ける工程から構成さ
れる。ＣＡＤで回路図面を設計するにはＬＳＩを構成す
る種々の素子、例えば、トランジスタ、抵抗、キャパシ
タンス等を配置してゆく。
ＣＡＤで設計し、その回路図面を縮小してマスクを作成
し、これをシリコンウェハに焼き付ける工程から構成さ
れる。ＣＡＤで回路図面を設計するにはＬＳＩを構成す
る種々の素子、例えば、トランジスタ、抵抗、キャパシ
タンス等を配置してゆく。
【０００３】この設計技術において、キャパシタンスを
配置する際、キャパシタンスの容量値を表示するために
は、通常次のような方法が取られている。図１に示すよ
うに、四角形をした１つのキャパシタンスを単位キャパ
シタンスとし、このキャパシタンスの面積に基づいて容
量形成を行なう方法が知られている。例えば、２倍容量
のキャパシタンスを作成するには２個の単位キャパシタ
ンスを、４倍容量のキャパシタンスが必要な時は、単位
キャパシタンスを４個配置することにより、容量値を作
成している。
配置する際、キャパシタンスの容量値を表示するために
は、通常次のような方法が取られている。図１に示すよ
うに、四角形をした１つのキャパシタンスを単位キャパ
シタンスとし、このキャパシタンスの面積に基づいて容
量形成を行なう方法が知られている。例えば、２倍容量
のキャパシタンスを作成するには２個の単位キャパシタ
ンスを、４倍容量のキャパシタンスが必要な時は、単位
キャパシタンスを４個配置することにより、容量値を作
成している。
【０００４】しかしながら、このような方法で例えば、
ＤＣＴ変換に用いられるｓｉｎ値のキャパシタンス容量
を作成する場合には困難を伴う。例として、ｓｉｎ１５
度（０．２５９）とｓｉｎ４５度（０．７０７）の場合
を挙げる。まず、下記に示すようにｓｉｎ１５度（０．
２５９）を単位キャパシタンス５個で作成すると、ｓｉ
ｎ４５度（０．７０７）は１４個のキャパシタンスで作
成される（図２参照）。つまり、最近似の整数倍値のキ
ャパシタンス数で作成される方法が取られる。しかしな
がら、本来求めたい容量値は１．０：２．７３であるに
も拘らず、この方法で得られた容量値は１．０：２．８
でしかない。すなわち、容量値の精度保障は確保されて
いない。
ＤＣＴ変換に用いられるｓｉｎ値のキャパシタンス容量
を作成する場合には困難を伴う。例として、ｓｉｎ１５
度（０．２５９）とｓｉｎ４５度（０．７０７）の場合
を挙げる。まず、下記に示すようにｓｉｎ１５度（０．
２５９）を単位キャパシタンス５個で作成すると、ｓｉ
ｎ４５度（０．７０７）は１４個のキャパシタンスで作
成される（図２参照）。つまり、最近似の整数倍値のキ
ャパシタンス数で作成される方法が取られる。しかしな
がら、本来求めたい容量値は１．０：２．７３であるに
も拘らず、この方法で得られた容量値は１．０：２．８
でしかない。すなわち、容量値の精度保障は確保されて
いない。
【０００５】 倍率（Ａ） キャパシタンス数（Ｂ） ｓｉｎ１５度 ＝ ０．２５９ １．００ ５（１．０） ｓｉｎ３０度 ＝ ０．５ １．９３ １０（２．０） ｓｉｎ４５度 ＝ ０．７０７ ２．７３ １４（２．８） ｓｉｎ６０度 ＝ ０．８６６ ３．３４ １７（３．４） ｓｉｎ７５度 ＝ ０．９６６ ３．７３ １９（３．８） ｓｉｎ９０度 ＝ １．０ ３．８６ １９（３．８）
【０００６】Ａ：ｓｉｎ１５度の値を１．００とした場
合の倍率。 Ｂ：ｓｉｎ１５度の値を単位キャパシタンス数を５とし
た場合の近似のキャパシタンス数。
合の倍率。 Ｂ：ｓｉｎ１５度の値を単位キャパシタンス数を５とし
た場合の近似のキャパシタンス数。
【０００７】そこで、上記の問題を解決して、より精度
の高い容量値を確保するためには、例えば、２５９個の
単位キャパシタンスを作成し、この２５９個に対して７
０７個の単位キャパシタンスを作成することにより、容
量値の精度を改善することも可能である。しかしなが
ら、２５９個と７０７個のキャパシタンスを作成するた
めには、回路規模が大きくなりすぎるという問題を抱え
ることになる。一方、回路を小規模にすれば、単位キャ
パシタンスの近似の整数倍でしか容量値を作成し得ず、
容量値の精度保証を確保し得ないという問題を抱えてい
る。
の高い容量値を確保するためには、例えば、２５９個の
単位キャパシタンスを作成し、この２５９個に対して７
０７個の単位キャパシタンスを作成することにより、容
量値の精度を改善することも可能である。しかしなが
ら、２５９個と７０７個のキャパシタンスを作成するた
めには、回路規模が大きくなりすぎるという問題を抱え
ることになる。一方、回路を小規模にすれば、単位キャ
パシタンスの近似の整数倍でしか容量値を作成し得ず、
容量値の精度保証を確保し得ないという問題を抱えてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来の問題点を解消すべく創案されたもので、単位キャパ
シタンスの整数倍でないキャパシタンス容量を数少ない
キャパシタンスで作成して回路の小規模化を図りつつ、
しかも容量値の精度保証を確保することを目的とする。
来の問題点を解消すべく創案されたもので、単位キャパ
シタンスの整数倍でないキャパシタンス容量を数少ない
キャパシタンスで作成して回路の小規模化を図りつつ、
しかも容量値の精度保証を確保することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るキャパシタ
ンス形成方法は、ＬＳＩ内の単位キャパシタンスパター
ンを正方形に形成し、更に該正方形の４辺に内接する大
きさの円形のキャパシタンスパターンを形成する方法で
ある。また、本発明は、ＬＳＩ内の単位キャパシタンス
パターンを３角形に形成し、更に該３角形の２辺に内接
する台形のキャパシタンスパターンを形成するキャパシ
タンス形成方法である。さらに、本発明は、ＬＳＩ内の
単位キャパシタンスパターンを６角形に形成し、更に該
６角形の任意の部分を有しないキャパシタンスパターン
を形成するキャパシタンス形成方法である。
ンス形成方法は、ＬＳＩ内の単位キャパシタンスパター
ンを正方形に形成し、更に該正方形の４辺に内接する大
きさの円形のキャパシタンスパターンを形成する方法で
ある。また、本発明は、ＬＳＩ内の単位キャパシタンス
パターンを３角形に形成し、更に該３角形の２辺に内接
する台形のキャパシタンスパターンを形成するキャパシ
タンス形成方法である。さらに、本発明は、ＬＳＩ内の
単位キャパシタンスパターンを６角形に形成し、更に該
６角形の任意の部分を有しないキャパシタンスパターン
を形成するキャパシタンス形成方法である。
【００１０】
【実施例】次に、本発明に係るキャパシタンス形成方法
の１実施例を図面に基づいて説明する。本発明に係るキ
ャパシタンス形成方法における単位キャパシタンスの形
状には図１の四角形、図３の円形、図７の六角形および
図８の三角形等がある。
の１実施例を図面に基づいて説明する。本発明に係るキ
ャパシタンス形成方法における単位キャパシタンスの形
状には図１の四角形、図３の円形、図７の六角形および
図８の三角形等がある。
【００１１】この単位キャパシタンスの整数倍のキャパ
シタンス容量を設定するには、従来の技術同様、整数倍
個の単位キャパシタンスをＣＡＤで作成するだけでよ
い。次に、この単位キャパシタンスの整数倍でない値、
例えば、１．５０倍の容量キャパシタンスを作成する方
法について説明する。従来、１．５０のキャパシタンス
容量を作成するには、単位キャパシタンス２個に対し３
個の単位キャパシタンスを配置することで容量値を作成
する。すなわち、整数倍比（２：３）に置き換え、キャ
パシタンス容量を作成する。
シタンス容量を設定するには、従来の技術同様、整数倍
個の単位キャパシタンスをＣＡＤで作成するだけでよ
い。次に、この単位キャパシタンスの整数倍でない値、
例えば、１．５０倍の容量キャパシタンスを作成する方
法について説明する。従来、１．５０のキャパシタンス
容量を作成するには、単位キャパシタンス２個に対し３
個の単位キャパシタンスを配置することで容量値を作成
する。すなわち、整数倍比（２：３）に置き換え、キャ
パシタンス容量を作成する。
【００１２】しかし、本発明に係るキャパシタンス形成
方法では、図４に示すようにまず単位キャパシタンス１
個（ここでは円形を例とする）とこの単位キャパシタン
ス１個の半分のみをＣＡＤで作成する。すなわち、０．
５０の部分は、単位キャパシタンスの形状の全てを形成
せずその形状の半分のみを形成することで作成する。こ
の方法では、単位キャパシタンスの１．５０倍のキャパ
シタンス容量を作成するためには１．５個の単位キャパ
シタンスですみ、回路も小規模である。前述の例と比較
すると、回路規模は１／２となる。
方法では、図４に示すようにまず単位キャパシタンス１
個（ここでは円形を例とする）とこの単位キャパシタン
ス１個の半分のみをＣＡＤで作成する。すなわち、０．
５０の部分は、単位キャパシタンスの形状の全てを形成
せずその形状の半分のみを形成することで作成する。こ
の方法では、単位キャパシタンスの１．５０倍のキャパ
シタンス容量を作成するためには１．５個の単位キャパ
シタンスですみ、回路も小規模である。前述の例と比較
すると、回路規模は１／２となる。
【００１３】なお、上記では例として１．５０のキャパ
シタンス容量を挙げたが、この程度の容量であれば、単
位キャパシタンスを整数倍換算してキャパシタンス容量
を実現するのは比較的簡単であり、また単位キャパシタ
ンスの形状の半分がＣＡＤで作成し得る限り、その形状
は問わない。この本発明たるキャパシタンス形成方法を
最も有効に活用し得るのは、例えば上記のｓｉｎ値、平
行根またはπ等、単位キャパシタンスの整数倍では作成
し難いキャパシタンス容量値の場合である。
シタンス容量を挙げたが、この程度の容量であれば、単
位キャパシタンスを整数倍換算してキャパシタンス容量
を実現するのは比較的簡単であり、また単位キャパシタ
ンスの形状の半分がＣＡＤで作成し得る限り、その形状
は問わない。この本発明たるキャパシタンス形成方法を
最も有効に活用し得るのは、例えば上記のｓｉｎ値、平
行根またはπ等、単位キャパシタンスの整数倍では作成
し難いキャパシタンス容量値の場合である。
【００１４】その１例を図５に示す。図５において、単
位キャパシタンスの形状は正方形であり、その面積は４
ｒ2である。この単位キャパシタンスに基づき、キャパ
シタンスパターンをマスクパターンで作成する際、ｒを
半径とする円部分のみを作成する。その面積はπｒ2で
あり、従って単位キャパシタンスに対してπ／４の容量
を有するキャパシタンスを形成し得る。これは、正に円
形状の特性を利用したキャパシタンス容量である。
位キャパシタンスの形状は正方形であり、その面積は４
ｒ2である。この単位キャパシタンスに基づき、キャパ
シタンスパターンをマスクパターンで作成する際、ｒを
半径とする円部分のみを作成する。その面積はπｒ2で
あり、従って単位キャパシタンスに対してπ／４の容量
を有するキャパシタンスを形成し得る。これは、正に円
形状の特性を利用したキャパシタンス容量である。
【００１５】図６に他の１例を示す。単位キャパシタン
スの形状が円の場合、円を例えば４つに分割し、それぞ
れの面積領域をＡ、Ｂ、ＣおよびＤとする時、これら面
積の任意の組合せにより異なる面積を得ることができ
る。任意の面積領域同士、例えば、面積Ａと、面積Ｃと
Ｄの合計値の比（Ａ／Ｃ＋Ｄ、またはＣ＋Ｄ／Ａ）に基
づいてキャパシタンス容量を作成することも可能であ
る。なお、単位キャパシタンスの形状は円以外の形状で
もよく、図７に示す６角形、図８に示す三角形などの多
角形を単位キャパシタンスとしてもよく、これら図形の
特性を活かしたキャパシタンス容量を作成し得るのは前
述の通りである。
スの形状が円の場合、円を例えば４つに分割し、それぞ
れの面積領域をＡ、Ｂ、ＣおよびＤとする時、これら面
積の任意の組合せにより異なる面積を得ることができ
る。任意の面積領域同士、例えば、面積Ａと、面積Ｃと
Ｄの合計値の比（Ａ／Ｃ＋Ｄ、またはＣ＋Ｄ／Ａ）に基
づいてキャパシタンス容量を作成することも可能であ
る。なお、単位キャパシタンスの形状は円以外の形状で
もよく、図７に示す６角形、図８に示す三角形などの多
角形を単位キャパシタンスとしてもよく、これら図形の
特性を活かしたキャパシタンス容量を作成し得るのは前
述の通りである。
【００１６】このように、単位キャパシタンスの形状の
任意の部分を形成することで、キャパシタンス容量の作
成が容易に実現可能となる。実際、ＣＡＤにおいては、
どのような形状の単位キャパシタンスをどのように形成
すればどのような容量値が得られるのか予め算出可能で
あり、予めプログラムしておき、任意に抽出するだでよ
い。
任意の部分を形成することで、キャパシタンス容量の作
成が容易に実現可能となる。実際、ＣＡＤにおいては、
どのような形状の単位キャパシタンスをどのように形成
すればどのような容量値が得られるのか予め算出可能で
あり、予めプログラムしておき、任意に抽出するだでよ
い。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るキャパシタ
ンス形成方法は、所定形状をした単位キャパシタンスを
形成する際、所定形状の一部分を形成せずにキャパシタ
ンスを形成することでキャパシタンスの面積を任意に設
定してキャパシタンス容量を設定することができるで、
単位キャパシタンスの整数倍でないキャパシタンス容量
を数少ないキャパシタンス数で作成して回路の小規模化
を図り、しかも容量値の精度保障を確保し得るという効
果を有する。
ンス形成方法は、所定形状をした単位キャパシタンスを
形成する際、所定形状の一部分を形成せずにキャパシタ
ンスを形成することでキャパシタンスの面積を任意に設
定してキャパシタンス容量を設定することができるで、
単位キャパシタンスの整数倍でないキャパシタンス容量
を数少ないキャパシタンス数で作成して回路の小規模化
を図り、しかも容量値の精度保障を確保し得るという効
果を有する。
【図１】単位キャパシタンスの概念図を示す図である。
【図２】整数倍でキャパシタンス容量を作成する１例の
概念図である。
概念図である。
【図３】円形の単位キャパシタンスの概念図である。
【図４】単位キャパシタンスの整数倍でないキャパシタ
ンス容量を作成する１例の概念図である。
ンス容量を作成する１例の概念図である。
【図５】円形の特性に基づきキャパシタンス容量を作成
する１例の概念図である。
する１例の概念図である。
【図６】キャパシタンス容量を作成する他の１例の概念
図である。
図である。
【図７】六角形の単位キャパシタンスの１例である。
【図８】三角形の単位キャパシタンスの１例である。
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ 面積領域 ｒ 半径
フロントページの続き (72)発明者 山本 誠 東京都世田谷区北沢３−５−18 鷹山ビ ル 株式会社鷹山内 (72)発明者 大澤 庶 東京都世田谷区北沢３−５−18 鷹山ビ ル 株式会社鷹山内 (72)発明者 漆畑 晶 東京都世田谷区北沢３−５−18 鷹山ビ ル 株式会社鷹山内 審査官 大嶋 洋一 (56)参考文献 特開 昭56−112750（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−119670（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/04 H01L 21/822 H01L 21/82
Claims (3)
- 【請求項１】 ＬＳＩ内の単位キャパシタンスパターン
を正方形に形成し、更に該正方形の４辺に内接する大き
さの円形のキャパシタンスパターンを形成することを特
徴とするキャパシタンス形成方法。 - 【請求項２】 ＬＳＩ内の単位キャパシタンスパターン
を３角形に形成し、更に該３角形の２辺に内接する台形
のキャパシタンスパターンを形成することを特徴とする
キャパシタンス形成方法。 - 【請求項３】 ＬＳＩ内の単位キャパシタンスパターン
を６角形に形成し、更に該６角形の任意の部分を有しな
いキャパシタンスパターンを形成することを特徴とする
キャパシタンス形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05256353A JP3111426B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | キャパシタンス形成方法 |
| KR1019940023687A KR100331658B1 (ko) | 1993-09-20 | 1994-09-16 | 커패시턴스형성방법 |
| CN 94116425 CN1108791A (zh) | 1993-09-20 | 1994-09-19 | 电容形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05256353A JP3111426B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | キャパシタンス形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794677A JPH0794677A (ja) | 1995-04-07 |
| JP3111426B2 true JP3111426B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=17291510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05256353A Expired - Fee Related JP3111426B2 (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | キャパシタンス形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3111426B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541627B1 (en) | 1997-12-04 | 2003-04-01 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Cellulose dispersion |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP05256353A patent/JP3111426B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6541627B1 (en) | 1997-12-04 | 2003-04-01 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Cellulose dispersion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0794677A (ja) | 1995-04-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |