JP3109843B2 - 焦点検出装置 - Google Patents
焦点検出装置Info
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Description
撮影画面内の任意の位置で焦点検出を行うことが可能な
焦点検出装置に関するものである。
て、撮影画面内の複数点の焦点検出が可能な装置が多数
提案されている。
は、上記焦点検出点各々に対応した有限個のセンサ列対
を同一基板上に配置したものである。具体的構成方法は
たとえば特開昭63−11906号公報,特開昭63−
172209号公報,特開平1−271716号公報等
に詳しく記載されている。その内の1つの従来例を図1
0の焦点検出光学系を用いて簡単に説明する。フィール
ドレンズ40,多孔視野マスク41,正レンズ2枚を並
設した2次結像レンズ42,そしてセンサ列対が複数配
列されたセンサチップ43から構成される。多孔視野マ
スク41は不図示の撮影レンズの予定焦点面近傍の位置
に設けられ、各開口41a,41b,41cはそれぞれ
撮影画面中の焦点検出すべき視野領域を決定している。
2次結像レンズ42は、開口41aで制限された複写体
像の一部をセンサ列対43aと43b上に再結像する。
同様に開口41bあるいは開口41cで制限された被写
体像は、それぞれセンサ列の対43cと43dあるいは
43eと43f上に再結像される。
から、対となる2つの被写体像は、撮影レンズのピント
の外れに応じて、互いに相対的位置関係を変位させてゆ
く。
して読み出され、処理装置内で焦点検出演算が実行され
る。このようにして各開口で決定された焦点検出視野内
の被写体に対する対物レンズの焦点状態が検出される。
画面に当てはめると、例えば、図11の撮影画面47の
49L,49C,49Rの位置に相当する。
位置が固定の場合には、上記例のようにセンサチップ上
に各検出視野位置に対応してセンサ列を離散的に配し、
チップ上の各センサ列の間の領域にはセンサ駆動用の回
路が設ける構成をとることが一般的である。
場合や、視野位置を状況に応じて変更したい場合には、
縦横2次元的に光電変換素子が規則正しく配列された、
いわゆるエリアセンサを用いることが望ましい。特に視
野位置を変更したい場合、視野マスクは、前述したよう
な焦点検出視野に対応する開口を有する多孔視野マスク
ではなく、図6の視野マスク41に示したように、複数
の焦点検出視野総てを包含する大きな開口41Rを1つ
だけ有するものを使用する。
図10の従来形を踏襲しているので、同一構成部材には
同一の番号を付している。視野マスク41は不図示の撮
影レンズの予定結像面近傍の位置に設けられ、単一の広
い開口41Rの制限するに領域が焦点検出可能な範囲と
なる。2次結像レンズ42の手前には絞り板44が置か
れ、絞り孔44P,44Q各々が各正レンズに入射する
光束を規制している。絞り板44の位置はフィールドレ
ンズ40のパワーにより撮影レンズの射出瞳の位置に略
々結像関係に置かれている。一対の正レンズ2枚からな
る2次結像レンズ42は開口41Rで決定された被写体
像をエリアセンサの対43Pと43Q上に再結像する。
2つのエリアセンサ上の被写体像情報は電気信号として
読み出され、処理装置内で焦点検出演算が実行される。
れた受光領域43P,43Qを有するものとして表され
ているが、所定の制御性が得られものならば、一続きの
受光領域であってももちろん良い。
写体とその背景が同時に並存しているので、焦点検出の
対象となる画面領域は何らかの形で限定されなくてはな
らない。
の各開口が光学的な領域限定の役目を果たしている。ま
た、それ故に2次結像レンズの予定結像面上には、各開
口に対応した形状のセンサ列だけを配すれば良いのであ
る。
は、光学的に領域を限定する手段を持たないため、電気
的な手段を構じなければならない。具体的には、例え
ば、エリアセンサの受光領域の一部分の被写体情報を選
択的に読み出したり、あるいは広い範囲で読み出した被
写体像情報のなかの特定の領域の情報を選択的に演算処
理することによって、撮影画面の任意の局所領域に於け
る焦点状態の検出が行われる。
態の焦点検出装置では、以下に説明するような問題が生
じるおそれがある。
なり、センサ周辺に結像される像は2次光学系の収差の
影響を受けて少なからず歪んでくる。
では、構成上の制約もあって一般に収差が大きい。
での長方形の領域210a,210b,210cは、セ
ンサチップ230上では図4に示す如く、それぞれ(2
30a,230b),(230c,230d),(23
0e,230f)の領域に対応し、特に周辺部はゆるく
弧を描く形となる。もちろん、光学系の構造によっては
逆方向に曲がることもあり得る。
位量と撮影ピントの関係も変化してくる。
2像の相対変位量をΔZとする。
の位置yに対するΔZの関係を表している。
中に焦点検出視野領域50a〜50gを想定すると、各
領域でのΔZ値はそれぞれ51a〜51gのようにな
る。これの意味するところは、画面中央位置では2像の
相対変位量が0のとき撮影ピントも合焦なるが、画面周
辺位置では2像の相対位置変位が0のとき非合焦とな
る、ということであり、周辺部の位置においては正しい
焦点検出が行われなくなってしまう。
解消を目的としており、その要旨は次の通りである。
る焦点検出結果に対して焦点検出用光学系の光学特性に
関わる補正情報を記憶しておくとともに、所定位置のセ
ンサー領域と前記基準位置との位置関係及び前記補正情
報に持つづいて該所定位置のセンサー領域に対する補正
情報を算出し、該算出された補正情報を用いて前記所定
位置のセンサー領域で検出される焦点検出結果に対して
補正を行う。
も光学系の収差の影響を受けることなく、正確な焦点検
出を可能とするものである。
る。
路60が接続され、後述する領域指定や蓄積制御を行わ
れる。インターフェイス回路60は処理装置であるマイ
クロコンピュータ61に接続される。マイクロコンピュ
ータ61はCPU(中央処理部),ROM,RAM,E
EPROM(電気的消去可能プログラマブルROM)を
有し、ROMに格納されているプログラムに従って焦点
検出処理を実行してゆく。
基準位置における補正情報が、調整工程等によってあら
かじめ格納されている。
ログラムの概略フローを図2に示す。
を開始すると、ステップ(01)を経て、ステップ(0
2)のセンサ蓄積を実行し、次のステップ(03)にて
センサに蓄積された被写体像信号の読み出しを行う。セ
ンサの制御に関しては後で詳しく説明するが、本実施例
では、図4に示した3対の領域(230a,230
b),(230c,230d),(230e,230
f)を比較的広くカバーする領域をセンサに対して指定
するものとする。
と、次のステップ(04)へ移行する。
の決定を行う。ここでの領域の選定は、画面中央領域優
先や前回の選択結果優先といったルールがよく使われる
が、領域の選定に関しては本発明と直接関係がないので
詳しい説明は省略する。
焦点検出領域が決定されると、次のステップ(05)で
はその領域の被写体像信号に対して焦点検出処理が施さ
れるわけであるが、実際に焦点検出処理を行う場合、実
施形の位相差検出タイプでは1次元方向の位相差を検出
するものであるから、2次元の方向を有する領域の被写
体情報を1次元の情報に変換する必要がある。そのため
には、マイクロコンピュータ内部でRAMに格納されて
いる被写体像信号を用いて、水平方向の画素単位毎に、
領域内の垂直方向の像信号を加算して1次元の像信号を
作ればよい。そして、公知の位相差検出型の焦点検出処
理演算によるデフォーカス量算出が1次元信号に対して
行われる。
た焦点検出結果に対する補正を行う。
タのEEPROMには補正情報が格納されているから、
焦点検出領域の位置から補正量を算出する。
Z」のグラフの形状をそのまま格納しておいて、領域位
置に応じてテーブル参照で補正量を求めても良いし、あ
るいは何点かの位置での補正量を記憶しておいて、領域
位置に近い2点の補正量を補間して求めても良い。
撮影画面領域の焦点状態を検出することが出来る。
13に示す。ステップ(101)ではステップ(04)
にて決定された領域に対応した図12に示されるE2P
ROMにストアーされているΔZに対応する補正値fを
求める。該補正値fは例えば上記ΔZに対応するデフォ
ーカス量を表わしている。ステップ(102)ではステ
ップ(05)にて求めた領域におけるデフォーカス量に
対して上記ステップ(101)で読み出された補正量f
を加算し正確な焦点状態の検出を行う。
いて説明する。エリアセンサ43は以下の機能を有して
いる。 (1)焦点検出を行うべき領域を複数個任意に指定でき
る。 (2)指定された領域での光量のピーク値を検出可能。 (3)ピーク値を検出する画素方向と直交する方向に光
量信号を加算することが可能。
P,23Qの内、片側の構造について述べる。
細に説明する。
アセンサのR〜R+1行,j〜j+1列部のブロック図
である。1画素の構成要素について、R行,j列部に着
目し説明する。1は測距領域を指定するためのSRAM
部,2と3はアンプ部,4はスイッチ,5は垂直方向に
並んだ画素で、かつ指定された領域でのピーク値(光量
信号の)を出力する出力ラインPoutj,6は光電交
換用フォトダイオード部,7,8は電荷転送用CCDで
ある。アンプ2と3は9に示す電源V1に接続され、そ
れぞれのゲートはj列部で共通の垂直ライン10,11
によりφj,1,φj,2パルスが印加可能になっている。
又、1に示すSRAMへは、垂直ライン12により、パ
ルスφj,4、水平ライン13によりパルスΦR,1が印加可
能となっている。光電変換部6はアンプ2と3のゲート
下のセンシングチャネル部14,15と16を介して接
続されている。
水平読出しライン18に接続され、このライン18に
は、信号読出し容量CT,Rがつながり、さらにスイッチ
19を介して、共通の垂直読出しライン20に接続され
ている。又、光電変換部であるフォトダイオード上面に
は、酸化膜を介して電極21が設けられ、共通の垂直ラ
イン22を通してパルスφj,3が印加される。CCD
7,8には、共通の垂直ライン23,24によりパルス
φj,5,φj,6が印加される。
部と光電変換部の素子断面図を図8に、アンプ部2,3
のソース,ゲート,ドレイン部での素子断面図を図9に
示す。25はアンプ2,3のゲート電極で、ゲート容量
低減のため、下部のチャネル層との間の酸化膜厚が約1
000Åとなっている。26は光電変換部上の電極部
で、25,26の電極に印加するバイアス関係により、
光電変換部に蓄積されたキャリアをアンプのセンシング
チャネル部へ転送可能となる。27は絶縁層(たとえば
SiO2層),28はSiとSiO2との界面に空気層が
接することを防止するためのn型拡散層で暗電流の発生
が抑制できる。29はPウェル層、31はn型基板で、
上記Pウェル、期間は逆バイアスが印加されているため
Pウェル部は空乏化している。又、30は28のn層よ
り深く形成されたn層で、上記n層とPウェルとの界面
32に光電変換部で発生したキャリア(この場合電子)
33が転送され、このキャリアにより31,32に示す
ドレイン,ソース間を流れるキャリア(ホール)34が
変調される。これにより、増幅機能をもつ。
ついて説明する。
スφj,4ΦR,1(j,Rは選択領域の列番号、行番号)に
より書き込む。この書き込まれた画素がR行、j列の時
SRAMの出力がスイッチ5に接続されているため、ア
ンプ2の出力端子40がピーク検出用垂直ライン5に接
続される。
る。
j,1、φj,2、φj,3、φj,5、φj,6において、アンプ2
のセンシングチャネル部がポテンシャルとして最も高く
なるように印加する。このポテンシャルにより光電変換
部で発生したキャリアは、すべてピーク検出用アンプ2
のセンシングチャネル部14に流れ込む。図9に示す原
理により、このセンシング部のキャリアによりアンプの
出力が変調され、ピーク検出用垂直ライン5に出力され
る。
発生した電子とは異なる領域により、再結合は生じな
い。
積期間中に、各ピーク値出力ラインPout.jより検
出される。したがって、測距用領域のうち、像信号を検
出したい垂直ラインのピーク出力をインターフェース回
路60を介しマイクロコンピュータ61にてモニター
し,モニター信号が所望の値に達した時、インターフェ
ース回路60の作用にて指定された画素部におけるパル
スφj,1、φj,2、φj,3によりポテンシャルをアンプ3
のセンシングチャネル15部が最も高くなるようにす
る。これにより、アンプ2のセンシングチャネル部14
に蓄積していた光電変換により発生したキャリアは、1
6を介してアンプ3のセンシングチャネル部15に転送
され、水平読出しライン40を通して、増幅された信号
が容量CT,Rに読出される。
によりスイッチ19を介して、出力ライン20に出力さ
れるインターフェース回路60を介してコンピューター
61に入力される。
際し上記図4に示した3対の領域を指定することで、上
記の如く指定領域に対する像信号の読み出し処理等が実
行されることとなる。
対する加算動作につき説明する。
た垂直ラインのピーク値が、システムで要求される最大
の蓄積時間においても、十分でない場合、下記に示す横
方向の画素の加算を行う。
の経過後、各画素列のフォトダイオードに接続されたC
CD(たとえばj列の場合は8に示すCCD)に、ピー
ク検出用アンプ2のセンシングチャネル部に蓄積してい
た信号キャリアを転送する。たとえば、j列の場合は、
パルスφj,1、φj,3、φj,5により実行できる。
えば、(j+1)列の信号をj列にたし上げる場合、パ
ルスφj+1,5、φj+1,6により、(j+1)列部の画素部
のCCDのキャリアを8に示すCCDの方へ転送する。
この動作によりj列とj+1列のキャリアが加算され
る。加算後、パルスφj,2、φj,3、φj,8により読出し
用アンプ3のセンシングチャネル部15のポテンシャル
を高くし、キャリアを15に転送し読出しを行えば、加
算信号が水平ラインに出力される。
ついて説明したが、この加算は2列だけでなくCCDの
パルスにより多数列の加算も可能であることは言うまで
もない。
まず蓄積し、そのピーク検出を行い、着目している列の
信号が不足している場合加算を行うものである。
で、蓄積動作中に加算を行う方式について次に説明す
る。
に設けられたSRAMにパルスφj,4、ΦR,1により書き
込むことで行われる。
元領域に対して、j列と(j+1)列の加算を蓄積動作
時から行う列について説明する。この場合はパルスφ
j,1,φj,2、φj,3、φj,5、φj,6、φj+1,1、
φj+1,2、φj+1,3、φj+1,5、φj+1,6によりきま
る各半導体層のポテンシャルをそれぞれ、Vφj,1、
Vφj,2、Vφj,3、Vφj,5、Vφj,6、Vφj+1,1、V
φj+1,2、Vφj+1,3、Vφj+1,5、Vφj+1,6とする。
φj+1,5、<φj,6、<φj,3(2) (1)、(2)を満足するように、上記パルスを印加す
る。
で発生したキャリアは、以上のようなポテンシャルの関
係にしておけばすべてアンプ2のセンシングチャネル部
14に集められる。これにより、蓄積期間中に水平方向
2画素分の加算信号がピーク出力ラインに読出される。
を指定し、上述の如くセンサーを作動させ指定領域から
の像信号を取り出し、以後上述の本発明の信号処理の実
行がなされる。
ては図7に示されるもの以外でも良い。例えば図10に
示した従来センサーを更に複数設けて、そのセンサーに
対して領域指定を行っても良いことはもちろんである。
この場合は信号補正は図7のセンサーの場合と全く同様
に行われるものである。
撮影画面の基準となる位置における、焦点検出結果に対
する焦点検出光学系の光学特性に関する補正を予め記憶
しておき、撮影画面上で焦点検出すべき領域が決定され
ると、センサーから読み出だした被写体像信号の選択を
行い、選択された像信号に基づいて焦点検出演算を行
う。その後、前記領域の位置に対する補正量を基準位置
の前記補正情報と基準位置と選択領域の位置関係から算
出し、焦点検出結果に対して補正を行うようにしたの
で、画面の周辺部においても光学系の収差の影響を受け
ることなく、正確な焦点検出が可能となる。
フロー図である。
るための説明図である。
る。
である。
サの画素の構成図である。
面図である。
ス、ゲート、ドレイン部の断面図である。
る。
を示す説明図である。
ある。
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の光電変換素子が配設されたセンサ
ーチップ手段と、画面における異なる所定位置の焦点検
出領域にそれぞれ対応するセンサーチップ手段の光電変
換素子領域からの像信号に応じて所定位置の焦点検出領
域における焦点状態を検出する焦点検出装置において、
基準位置における光電変換素子領域の焦点検出用光学系
の光学特性に関わる補正情報を記憶する記憶手段からの
前記補正情報及び、前記所定位置の焦点検出領域に対応
する光電変換素子領域の位置と前記基準位置との位置関
係に基づいて前記所定位置の焦点検出領域に対応する光
電変換素子領域での補正情報を算出し、前記所定位置の
焦点検出領域に対応する光電変換素子領域で検出される
焦点状態を算出された補正情報で補正する補正手段を有
することを特徴とする焦点検出装置。 - 【請求項2】前記焦点検出用光学系は複数の焦点検出領
域を包含する単一の開口を有する視野マスクが使用され
ることを特徴とする請求項1に記載の焦点検出装置。
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