JP3109664B2 - 有害ガス浄化装置 - Google Patents

有害ガス浄化装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば動力発生機
関、産業施設又は焼却炉等から排出される排気ガスを浄
化する、殊に電子ビームを用いて排気ガスを解離して排
気ガスに含まれる有害成分を無害成分に変換する有害ガ
ス浄化装置関する。
【0002】
【従来の技術】このような有害ガス浄化装置及び方法と
しては、産業施設等で排出される排気ガスは多種にわた
り、これら排気ガス中に含まれる各種の有害成分を低減
するに際して、強力な運動エネルギー状態の電子ビーム
を発生し、この電子ビームを排気ガスに照射すること
で、この排気ガスに含まれる有害成分を無害成分に変換
するようにした。
【0003】では、このような電子ビームを照射するこ
とで排気ガスに含まれる有害成分を処理する、従来の有
害ガス浄化方法としては、韓国特許公開第96−211
12号公報に開示された電子ビーム照射排気ガス処理方
法及び処理装置がある。
【0004】このような有害ガス浄化装置及びその方法
としては、硫酸化物(SOx)や窒素酸化物(NOx)
が主に含まれる排気ガスにアンモニアを添加した後、電
子ビームを照射して硫酸化物及び窒素酸化物をそれぞれ
硫酸アンモニウムと窒酸アンモニウムとに変化させるこ
とで、排気ガスから有害成分である硫酸化物や窒素酸化
物を除去するようにしている。
【0005】また、米国特許第4,915,916号に
はアンモニアを使用しない電子ビームによる有害ガス浄
化装置及びその方法が開示されている。
【0006】この有害ガス浄化方法及びその方法として
は、排気ガスの一部に電子ビームを照射することで排気
ガスに含まれた酸素と水とを解離し、発生基酸素[O]
又はOH−ラジカルのような活性基を生成し、これをさ
らに残りの排気ガスと反応させてNOxとSOxを粉塵
又は霧等の形態に変換した後、集塵装置に捕集して除去
するようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記韓
国特許公開第96−21112号公報の有害ガス浄化装
置及びその方法によれば、有害成分を除去するのにアン
モニアガスを使用するため、電子ビームが排気ガスに対
して一様に作用しないと反応が不完全となり、アンモニ
アを排出してしまい、却って有害となる、さらにアンモ
ニアガスと排気ガスとを混合する別途装置が必要となる
といった問題点があった。
【0008】また、上記米国特許第4,915,916
号の有害ガス浄化装置及びその方法によれば、電子ビー
ム照射領域と反応領域とが分離して、有害物質の除去効
率が劣り、装置の規模が大きくなるといった問題点があ
った。
【0009】このように上述した従来の電子ビームによ
る有害ガス浄化装置及びその方法によれば、電子ビーム
の照射領域が排気ガスの通路全体に及ばなく、電子ビー
ムの密度が低いために、処理速度及び処理効率が劣ると
いった問題点があった。
【0010】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、アンモニ
アのような別途媒介物質を必要とせず、さらには装置が
小型でありながらも、電子ビーム照射領域及び排気ガス
の反応領域が同一で効率の高い有害ガス浄化装置及び有
害ガス浄化方法を提供することにある。
【0011】本発明の他の目的とするところは、有害ガ
スの通路全体に高密度の電子ビームを照射し、処理効率
が高く、かつ処理速度の速い有害ガス浄化装置及び有害
ガス浄化方法を提供することにある。
【0012】
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の有害ガス浄化装置は、排気ガスの通路中に基
体レーザーと電子ビームを照射して排気ガス中の有害物
質を低減させる有害ガス浄化装置において、外側には中
空形の板材からなる複数個の電子ビーム放出セルが積層
され、内側には円筒形の電子ビームポールが備えられ、
前記複数個の電子ビーム放出セルと前記電子ビームポー
ルとの間に排気ガスの通路が形成され、前記排気ガスの
通路には前記電子ビーム放出セルから前記電子ビームポ
ールに気体レーザーと電子ビームが照射される反応領域
が形成される反応ユニットと、前記電子ビームポールに
供給される高周波高圧が発生される高周波高圧発生ユニ
ットと、前記高周波高圧を前記電子ビームポールに供給
し、前記反応ユニットが固定支持されるエネルギー供給
ユニットと、が含まれ、前記各電子ビーム放出セルはそ
の外周部が円形を成し、内周部には三角形の電極の頂点
がそれぞれ前記電子ビーム放出セルの中心に向かう状態
で放射状に連続して複数個形成されると共に、前記各電
子ビーム放出セルのうち互いに上下に隣接した一対の電
子ビーム放出セルに対応する前記電極が円周方向に10
°〜15°互いにずれるように積層され、前記電子ビー
ムポールは円筒形の壁面に長手方向の反応ホールが前記
各電極に対向するように撚れて長手方向に螺旋状に形成
されていることを特徴とする。
【0014】本発明の好適な実施形態では、前記エネル
ギー供給ユニットは、前記電子ビームポールと連結する
中央フレームと、この中央フレームを取り囲みながら、
前記電子ビーム放出セルと連結するケースと、前記中央
フレームとケースとの絶縁状態を保ちながら、中央フレ
ームとケースとを連結し、中央フレームに高周波電圧信
号を供給する結合部材とを有することを特徴とする。
【0015】本発明のさらに好適な実施形態では、前記
ガス通路の反応領域に所定量の圧縮空気を供給する圧縮
空気供給ユニットを具備したことを特徴とする。
【0016】本発明のさらに好適な実施形態では、前記
反応ユニットを固定支持し、前記高周波高圧発生ユニッ
トからの高周波高圧信号を反応ユニットに供給するエネ
ルギー供給ユニットを具備し、前記圧縮空気供給ユニッ
トからの圧縮空気は、このエネルギー供給ユニットを介
して反応ユニットに供給することを特徴とする。
【0017】
【0018】
【0019】また、本発明の有害ガス浄化装置に使用さ
れる高周波高圧発生ユニットは、排気ガスに含まれる有
害成分を無害成分に変換する電子ビームを発生させるた
めの高周波高圧信号を発生する高周波高圧ユニットにあ
って、交流電圧供給用第1、第2及び第3の1次巻線
と、これら1次巻線にそれぞれ関わる第1、第2及び第
3の2次巻線とを備える昇圧器と、前記第1の1次巻線
の両端間には、直列接続されたキャパシタと抵抗器とを
有する第1の入力発振回路と、前記第2の1次巻線に接
続されたトリガダイオードを有する第2の入力発振回路
と、前記第3の1次巻線に接続され、入力発振信号を生
成する第3の入力発振回路と、前記第1の2次巻線に接
続され、高圧の直流出力信号を生成する第1の出力端
と、前記第2の2次巻線に接続され、ピーク間の幅が入
力発振信号より大きいパルス信号を生成する第2の出力
端とを備え、前記第1の出力端、第2の出力端及び第3
の2次巻線の出力が相互結合されて高周波高圧信号を生
成するようにした。
【0020】
【0021】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を示す有害ガス浄化装置について説明する。
【0022】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置は、
商用交流電圧を利用して低消費電力で気体レーザー及び
電子ビームの発生に要する連続性を備えた高周波高圧を
発生させる高周波高圧発生ユニット(図6参照)と、こ
れら気体レーザー及び電子ビームを発生して、これら気
体レーザー及び電子ビームを有害ガスに照射すること
で、この有害ガスに化学反応を発生させる反応ユニット
(図1乃至図5参照)と、前記高周波高圧発生ユニット
から反応ユニットに高周波高圧信号を供給し、反応ユニ
ットを構造的に支持するエネルギー供給ユニット(図1
3乃至図15参照)との3種のユニットで構成する。
【0023】尚、気体レーザーとは、高レベルの電子ビ
ームをガスに照射して刺激を与えることで発生するもの
であり、いわば、高レベルの電子ビーム発生に伴って付
帯的に発生するものである。
【0024】先ず、図1乃至図5を参照して本実施の形
態に示す有害ガス浄化装置の反応ユニットについて説明
する。図1は本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の反
応器10の斜視図である。
【0025】図1に示す反応器10は、エネルギー供給
ユニット200の上段及び下段にそれぞれ三つの反応ユ
ニット100が連結されていることを示している。尚、
このような反応器10は、一つのエネルギー供給ユニッ
ト200の上段又は下段にのみ一つ以上の反応ユニット
100を連結することができるものである。
【0026】図2は各反応ユニット100の内部構成を
詳細に示す一部破断した状態を示す斜視図である。
【0027】図2に示すように反応ユニット100は、
複数個の電子ビーム放出セル110が積層された電子ビ
ーム放出セル組立体と、その内部空間に配置された電子
ビームポール120とで構成されている。
【0028】図3は各電子ビーム放出セル110を示し
た斜視図である。この電子ビーム放出セル110は、円
形状の板材を穿孔することで、外周部113を円形と
し、内周部には複数個の三角形の電極111が円周方向
に連続して形成されている。
【0029】また、この電子ビーム放出セル110に
は、外周部113から中心側に離隔された位置に、例え
ばボルトで締結することで、各電子ビーム放出セル11
0を積層固定するための孔115が形成されている。図
4(a)は電子ビーム放出セル110の積層構造である電
子ビーム放出セル組立体110aを示す平面図、図4
(b)は電子ビーム放出セル組立体110aを示す側面
図である。
【0030】図4(a)に示す電子ビーム放出セル組立
体110aは、一つの電極111に対して、下方の電子
ビーム放出セル110の隣接した電極111が円周方向
で若干離隔される状態に積層され、図4(a)に示すよ
うな平面図から見たとき、上下の電極111が互いに重
なり合わないようになっている。
【0031】つまり、この電子ビーム放出セル組立体1
10aは、その上下に隣接した電極111が互いに重な
り合わないようにすることで、これら電極111同士で
螺旋状を構成するようにしている。
【0032】また、各電子ビーム放出セル110は、上
下に隣接した電極111が触れ合わないようにスペーサ
板150によって互いに離隔され、電子ビーム放出セル
110の孔115とスペーサ板150の孔151と連通
するように組み立てられている。
【0033】図5は反応ユニット100を構成する電子
ビームポール120の斜視図である。
【0034】この電子ビームポール120には、円筒形
状の壁面121の上下段にフランジ面123を設け、こ
のフランジ面123には複数個の電子ビームポール12
0を互いに連結するための締結孔127が形成してあ
る。
【0035】さらに、壁面121には、電子ビーム放出
セル110の各電極111に対向する位置に反応ホール
125が形成してある。この反応ホール125は、壁面
121の上下方向に長く形成されていて、電子ビーム放
出セル110の電極111が積層された状態で上下に隣
接した電極111同士が螺旋状をなすため、反応ホール
125も、これに対向して対応する螺旋状を成してい
る。
【0036】尚、このような螺旋の角度は、後述するよ
うに、10゜〜15゜の範囲が高密度の気体レーザー及
び電子ビームを生成するのに有利であるので、積層され
る電子ビーム放出セル110の枚数と、各電子ビーム放
出セル110の電極111の数と円周方向に離隔された
角度を、これに合わせて設定することができる。
【0037】図6は本実施の形態に示す有害ガス浄化装
置に適合した高周波高圧信号を生成するための高周波高
圧発生ユニット300内部の概略構成を示す回路であ
る。図7(a)及び図7(b)は高周波高圧発生ユニッ
ト300の出力電圧(OUT)を示す波形である。図8
乃至図10は当該高周波高圧発生ユニット300の第
1、第2及び第3出力電圧(OUT1,OUT2,OU
T3)を示す波形である。
【0038】図6に示す高周波高圧発生ユニット300
は、昇圧器(T)の1次側には三つの入力発振回路が接
続されている。
【0039】第1の入力発振回路310には、第1の入
力電圧(VIN1)が入力され、キャパシタC1、抵抗
器RF1及びコイルL1が設けられている。図6に示し
たキャパシタC1、抵抗器RF1、コイルL1は発振機
能を行うと同時に雑音を抑え、コイルL4から安定した
出力を得るために設けられている。
【0040】第2の入力発振回路320は、コイルL
2、キャパシタC2及びトリガダイオードT1からなる
一種の発振回路で、第2の入力電圧(VIN2)が入力
される。尚、トリガダイオードT1は、双方向性トリガ
ダイオードであって、一定値以上の入力電圧(VIN
2)のみ通過させて発振時間を調節し、図9に示した周
期的なスパイク波形を第2の出力電圧(OUT2)に持
たせることができる。
【0041】第1及び第2の入力発振回路310、32
0のキャパシタC1、C2としては、例えば入力電圧の
2.5〜3倍の内圧を有するマイラキャパシタ(Myler
Capacitor)を使用すれば、優れた内圧容量特性が得ら
れる。
【0042】前記キャパシタC1及びC2は、1μF以
下の容量を維持しなければならず、外装は絶縁ケースで
構成し、かつエポキシで成形する。なお、抵抗器RF1
は、キャパシタC1の充放電時定数を構成し、全体高周
波高圧発生ユニットとの整合をとるために可変抵抗とす
る必要があり、抵抗値は1KΩ以下にし、温度変化の幅
が小さいセラミック抵抗器を使用する。
【0043】第3の入力発振回路330には、第3の入
力電圧(VIN3)が入力され、中性点G1を取るため
のキャパシタC4とC5が接続されている。コイルL3
には、スイッチングトランジスタQ1のコレクタが接続
され、トランジスタQ1のエミッタとアースとの間には
抵抗器Rcが接続されている。トランジスタQ1のベー
スにはキャパシタC3を介して抵抗器RF2及びRF3
が接続されている。
【0044】尚、抵抗器RF2は、キャパシタC3の充
放電時定数を構成し、システムとの整合を図るために可
変抵抗にする必要があり、抵抗値は1KΩ以下にし、温
度変化の幅の小さいセラミック抵抗器を使用する。ま
た、抵抗器RF3及びRcは、トランジスタQ1の増幅
率と保護用抵抗であり、キャパシタC3は、結合容量キ
ャパシタである。
【0045】また、第3の入力発振回路330のトラン
ジスタQ1は、例えばNPNバイポーラトランジスタで
あって、抵抗器RF3にバイアス電圧以上がかかる時に
のみ、ターンオンされて発振信号を作り出す。トランジ
スタQ1は、−40〜80℃の温度特性を有するものが
良く、放熱設計をしなければならない。なお、トランジ
スタQ1は図1の高周波高圧発生ユニット300が使用
される環境に適合した規格の使用温度と保存温度特性と
を有するものを選択し、高速スイッチングと低損失のト
ランジスタが望ましい。
【0046】中性点G1は、図10に示した第3の出力
波形(OUT3)の電位が0Vを中心にして振動するよ
うにするもので、中性点G1の両端に連結されているキ
ャパシタC4及びC5は、例えば、セラミック系列の素
子で内圧が3000V以上、1000〜2000pF以
下の静電容量を有するものが良い。
【0047】第1〜第3の入力発振回路310、32
0、330の入力電圧(VIN1〜VIN3)は100
〜200Vの単相交流であり、スライダックスを使用し
て可変的に供給することもできる。入力電圧(VIN1
〜VIN3)の周波数は50〜60Hzである。入力電
圧の電圧変動率と周波数偏差のために、特性の歪みが生
じることを防止するために、キャパシタC1、C2、C
3を可変キャパシタ(バリコン)にすることもできるの
で、所望の入力周波数に同調されるようにする。
【0048】各入力発振回路310、320、330の
コイルL1、L2、L3は、昇圧器(T)の1次巻線を
構成し、コイルL4、L5、L6は昇圧器(T)の2次
巻線を構成し、各々の出力端と連結されている。ここで
注目すべき点は、2次巻線を構成するコイルL4〜L6
は一方が接地されているということである。これらコイ
ルL1〜L6の内電圧強度は、例えば3000Vで10
分間耐えなければならず、巻取時に絶縁被覆が損傷され
なければならない。
【0049】1次巻線コイルL1、L2、L3としては
1種絶縁コイルを使用し、劣化及び老朽化を防ぐために
広幅に巻き取る。2次巻線コイルL4〜L6も1種絶縁
コイルを使用し、L6は電流生成よりはピーク値の高圧
生成を主な目的にするため、L4とL5よりも直径の小
さい絶縁コイルで構成し、その巻線の数を5倍以上にし
て製作することによって、高圧出力(OUT1、OUT
2)の高電圧が逆流しないようにする。なお、コイルを
巻くために、セクションボビンを使用すれば良いが、ボ
ビンにコイルを巻く時には信頼性を高めるために、1筒
当り300回以下の巻線となるようにすることが重要で
ある。
【0050】1筒当り300回以上巻くと、巻線層間の
漏れ損失によって電位差があまりにも大きくなって劣化
により損傷され易い。また、システムに強いインパルス
が生じる場合は、このインパルスとリング波形の雑音等
によって昇圧器(T)が劣化・損傷されることがある。
また、この部分には熱硬化性エポキシ樹脂で絶縁充電す
る方が良いが、熱硬化性エポキシ樹脂の代わりに常温硬
化樹脂を使用する場合には、絶縁樹脂に含まれる硬化剤
添加物によって磁場が漏れることもある。
【0051】このような磁場漏れが発生する場合には、
動作電圧には異常がないが、システム全体の運営におい
て一部ガスの低減効率が落ちる現象の主な原因となり得
るので、昇圧器は成形作業時にも全体絶縁充電部分の5
0%程度で1次に真空脱包後、完全熱硬化乾燥した後、
2次に50%の絶縁成形を完成しなければならず、急激
な硬化作業は避ける。
【0052】昇圧器(T)の鉄心としてはケイ素鋼板を
使用するのが良く、ニッケルクロム鋼板を使用すること
もできる。また、この鉄心には錆や水分浸透を防止する
ために絶縁ワニスを含浸させて外装する。鉄心は、厚さ
が0.8mmで、放熱効果が優れ、初期磁化性に優れた材
料を使用する。
【0053】なお、昇圧器(T)は、その鉄心から熱が
発生して電流供給が不規則になるという問題がある。こ
のような問題を解消するために、鉄心外装に放熱器(図
示せず)を設け、その外部には適当な直径の配管を数回
巻いて管内に冷却水を流して鉄心を冷却させることによ
り、パルス電流を安定させる。
【0054】この配管は、銅配管を使用するのがパルス
電流の安定化において有利で、非磁化または絶縁性配管
は、熱伝導性やパルス電流の安定化に不利であることが
わかる。
【0055】2次巻線コイルL4には、例えば、3段の
平滑回路HD1・HC1、HD2・HC2、HD3・H
C3を有する第1の出力端340が接続されている。
【0056】各平滑回路は、例えば、高圧整流ダイオー
ドHD1、HD2、HD3と、キャパシタHC1、HC
2、HC3で構成されている。コイルL4にかかった交
流は平滑回路を経ながら整流・平滑され、図8に示した
直流波形を第1の出力電圧(OUT1)として出力す
る。
【0057】前記高圧整流ダイオードHD1〜HD3
は、出力対比120%の内圧特性を有する高圧整流ダイ
オードである。キャパシタHC1〜HC3は、その内圧
が例えば10kV以上で、キャパシタの容量値はHC1
<HC2<HC3にする。特に、キャパシタHC3は、
安全を考慮して10〜15kVの範囲で使用することが
望ましい。
【0058】第1の出力端340による出力電圧(OU
T1)は、図8に示した波形を有する整流された直流高
圧波形であってVPDが10〜12kVで、キャパシタ
HC3の内圧を高める場合には、より安定した直流高圧
が得られる。
【0059】2次巻線コイルL5には二つの平滑回路、
即ちHD4、HD5、HC4及びHD6、HC5とイン
ピーダンス整合のための整合コイルLmを有する第2の
出力端350が接続されている。
【0060】ダイオードHD4〜HD6は高圧整流ダイ
オードで、出力対比120%の内圧特性を有する。ダイ
オードHD4、HD5は高圧ダイオードの電流を高めて
逆方向に電流が流れることを防ぐ。キャパシタHC4、
HC5は同一な内圧特性と同一な静電容量値を有するこ
とが良く、容量値が互いに異なる場合には、キャパシタ
により漏れ電流が増加する。
【0061】第2の出力端350からの出力電圧(OU
T2)の波形は図9に示したように、一定の電圧だけオ
フセットされた周期的なスパイク波形となる。この2次
電流はダイオードHD4、HD5によって決まる。
【0062】第3の出力電圧(OUT3)の波形は、2
次巻線コイルL6から直に出力されるが、例えば、図1
0に示したようなリング波形で出力される。リング波形
は最大ピーク値Vpの後にスパイク波形が後続するが、
この波形においてスパイク波形は無視でき、重要な点は
ピーク値Vpである。このピーク値Vpは10〜20k
Vに設定され、電極で電子ビームを発生させて加速さ
せ、これによって気体レーザーが発生される反応ユニッ
ト100の重要な特性値の変数であり、この値は反応ユ
ニット100内の電気的絶縁定数とも一致させなければ
ならない。
【0063】上記3つの出力電圧(OUT1〜OUT
3)は、抵抗器Rx及びキャパシタCxとマッチングさ
れ、最終出力電圧(OUT)として出力されてシステム
にエネルギーを供給する。
【0064】抵抗器Rxは、反応ユニット100と高周
波高圧発生ユニット300との間の過度充電を防止する
ためのもので、抵抗値は500〜700MΩとすれば良
い。尚、抵抗値が700MΩを超える場合には、測定装
備が静電気現象によって損傷する虞があるので、その抵
抗値500〜700MΩとするのが望ましい。
【0065】図6に示した高周波高圧発生ユニット30
0の出力電圧(OUT)は、図7(a)及び図7(b)
に示すような出力波形を有し、出力電圧(OUT)をμ
秒(10−6秒)単位の時間軸で表現したものを図7
(a)に示し、出力電圧(OUT)をm秒(10−3
秒)単位の時間軸で表現したものを図7(b)に示す。
【0066】かかる出力電圧(OUT)を従来の技術に
よる電子ビームエネルギー供給ユニットの出力波形と比
較するために、従来の出力波形を図12(a)(μ秒単
位の時間軸使用)と図12(b)(m秒単位の時間軸使
用)に示した。
【0067】二つの出力波形を比較してみれば、従来の
出力波形は0Vを基準にしてVpだけ振動する波形であ
るが、本発明による出力波形(OUT)は、図7(a)
に示したように、第1の出力電圧(OUT1)の直流電
圧(VPD)だけ上昇(=DCオフセット)された状態
でスパイクが周期的に現れる波形であることがわかる。
【0068】一方、図11に示したように、第1の出力
電圧(OUT1)及び第3の出力電圧(OUT3)を合
わせた場合も、第1の出力電圧(OUT1)の電圧値
(VPD)だけ上昇された波形を得ることができるが、
これは本発明が目的とする連続性電子ビームを得るには
電圧が不安定でかつ弱いため、第2の出力電圧(OUT
2)の波形がさらに合わせられて生成される最終出力電
圧(OUT)を使用して光パルスを作る。
【0069】上記のような構成の高周波高圧発生ユニッ
ト300で発生した波形の最終出力電圧(OUT)は本
発明によるエネルギー供給ユニット200を通じて反応
ユニット100に供給される。エネルギー供給ユニット
200は、反応ユニット100に高周波高圧を供給する
だけでなく、反応ユニット100の電子ビーム放出セル
組立体110aと電子ビームポール120とを互いに結
合させる役割も果す。
【0070】では、次に、このようなエネルギー供給ユ
ニット200を図13乃至図15に基づいて説明する。
図13はエネルギー供給ユニット200を示す斜視図で
ある。
【0071】このエネルギー供給ユニット200は、反
応ユニット100の電子ビームポール120と連結する
中央フレーム210と、この中央フレーム210を取り
囲みながら電子ビーム放出セル組立体110aと結合す
るケース220と、前記中央フレーム210とケース2
20とを絶縁状態で結合し、中央フレーム210に高周
波高圧発生ユニット300からの高周波高圧信号が供給
されるように電気的に導通する結合部材230とで構成
する。
【0072】このようなエネルギー供給ユニット200
の構成が容易に示されるように、図14には、このエネ
ルギー供給ユニットのケース220が一部破断した状態
で示されている。
【0073】図14において中央フレーム210は、反
応ユニット100の電子ビームポール120と同一直径
の円筒形状壁面211と、フランジ面213とを有し、
このフランジ面213には電子ビームポール120のフ
ランジ面127と連結するための締結孔215が形成し
てある。
【0074】また、ケース220は上段面と下段面とが
開放されたボックス形状であり、上段面と下段面との周
りにフランジ面223が形成され、このフランジ面22
3にそれぞれ蓋部(図示せず)が締結孔225で締結さ
れる。
【0075】この蓋部は、外側に電子ビーム放出セル1
10が結合され、内側には中央フレーム210と電子ビ
ームポール120が貫通され、有害ガスが流通できるよ
うに切開された板材で構成する。
【0076】また、ケース220には両側面から外側に
円筒状に延びた丸い円筒部227が形成されており、こ
の円筒部227の両側面には、さらに円筒状に延びた絶
縁端子取付部229が形成されている。
【0077】さらに、前記結合部材230には、中央で
中央フレーム210に導電状態で結合された中心軸23
1と、この中心軸231の両端に直交状態で結合された
補強軸232と、中心部が両補強軸232の両端に取付
けられ、周りがケース220の円筒部227側面に結合
された絶縁性材質の複数個の絶縁端子233と、ケース
220の円筒部227の端部に絶縁状態で取付けられ、
中心軸231に導電状態で連結されて高周波高圧発生ユ
ニット300から供給された高周波電圧信号が電子ビー
ムポール120に供給されるようにするエネルギー入力
端子240が具備されている。
【0078】図15はエネルギー入力端子240を示す
斜視図である。
【0079】このエネルギー入力端子240には、図1
5に示すように、ケース220の円筒部227の端部に
取付けられる絶縁性材質で、円板形状のベース板241
と、このベース板241と高周波高圧発生ユニット30
0から引出される導線(図示せず)の絶縁状態を良好に
する絶縁パイプ245が具備されている。
【0080】また、このエネルギー入力端子240には
反応ユニット100に圧縮空気を供給するポート243
が設けられており、このポート243を介して供給され
た空気はベース板241と絶縁パイプ245との間に設
けられた空隙を通じて供給される。
【0081】では、本実施の形態に示す有害ガス浄化装
置の有害ガスを浄化する過程について説明する。
【0082】先ず、高周波高圧発生ユニット300にお
いて、本発明の有害ガス浄化装置に要する気体レーザー
と電子ビームを発生するための高圧の高周波高圧信号を
発生させる過程と、ここで発生された高周波高圧信号を
反応ユニット100に供給し、気体レーザー及び電子ビ
ームを発生する過程を説明し、最後に、このように発生
された気体レーザー及び電子ビームによって排気ガス中
の有害成分が低減される過程を説明する。
【0083】図6に示す高周波高圧発生ユニット300
は、第1〜第3の入力発振回路310、320、330
に入力信号(VIN1〜VIN3)として周波数50〜
60Hz、100〜200Vの単相交流が入力され、第
1の入力発振回路310、第2の入力発振回路320、
第3の入力発振回路330でそれぞれ発振が行われる。
【0084】第1〜第3の入力発振回路310、32
0、330で夫々発振されたパルスは昇圧器(T)でそ
れぞれ昇圧される。
【0085】この昇圧器(T)の2次巻線コイルL4に
かかった高圧は、第1の出力端340の平滑回路を経な
がら整流・平滑され、図8に示した直流高圧波形が第1
の出力電圧(OUT1)として出力される。
【0086】2次巻線コイルL5にかかった高圧は、二
つの平滑回路、即ちHD4、HD5、HC4及びHD
6、HC5とインピーダンス整合のための整合コイルL
mを有する第2の出力端350を経て、図9に示した周
期的なスパイク波形が第2の出力電圧(OUT2)とし
て出力される。
【0087】第3の出力電圧(OUT3)は、図10に
示したリング波形で2次巻線コイルL6から直に出力さ
れる。このような三つの出力電圧(OUT1〜OUT
3)は、抵抗器Rx及びキャパシタCxとマッチングさ
れ、最終的な波形の出力電圧(OUT)として出力され
る。
【0088】図6に示した高周波高圧発生ユニット30
0の出力電圧(OUT)は、図7(a)と図7(b)に
示したように、周期が10ns程度で非常に短く、電圧
が10kV以上の高周波高圧である。
【0089】このような高圧の高周波エネルギーは、絶
縁高圧ケーブルによってエネルギー供給ユニット200
を経て反応ユニット100の電子ビームポール120に
印加される。
【0090】前述のような過程により電子ビームポール
120と電子ビーム放出セル110の電極111との間
に電磁場が形成され、電子ビーム放出セル111の電極
111から電子ビームポール120の反応ホール125
に電子ビームが照射される。
【0091】このような電子ビームは、図7(a)に示
したように、常時10kV以上の直流静電気力現象の維
持された状態でパルスが印加されるため、コヒーレンス
のレーザービームが同時に発生するようになる。
【0092】さらに、図9に示したように、電子ビーム
放出セル110の電極111の積層状態に応じて、反応
ホール125の捻れによって前述のビームの幅が拡張さ
れ、入射波から新たなコヒーレンスのレーザービームが
拡張され照射される。
【0093】一方、前述したような構成の反応ユニット
100を電気的機能に沿って概略的に示すと、図18の
ように置換えられる。図18のような反応ユニット10
0内で、一つの電極111と電子ビームポール120は
一つのキャパシタと見ることができるので、図18の右
側の回路図の如く表現できる。
【0094】このように反応ユニット100は、複数個
のキャパシタC1乃至Cnが並列で接続されているの
で、その作動時に酷い騒音が発生する。このような騒音
は、排気ガスの流れに応じて外部に放出される。
【0095】しかし、図1に示したように反応ユニット
100は、連結器140と排気ガスの流出入口130と
が連結されることにより、流入された排気ガスが反応ユ
ニット100、連結器140及び流出入口130を経な
がら膨張と収縮とを繰り返す過程で、装置全体が吸音材
の役割を果して、騒音を小さく抑えることができる。
【0096】図4(a)に示したように、このような気
体レーザー及び電子ビームの照射状態を反応ユニット1
00の上段面から見ると、各電極111から反応ホール
125に数本の電子ビームが放出されるように見られ、
これは電極111と電子ビームポール120との間の領
域(以下、「反応領域」という)に数千メッシュ(me
sh)に相当する網の形態で気体レーザー及び電子ビー
ムが照射されることになる。また、この反応領域の中心
部分には白色波現象が見られ、強いイオン風が発生し、
電流流れの逆方向から左側に、即ち図4(a)の反時計
回り方向に強い回折風が発生するようになる。
【0097】このように形成された反応領域に窒素酸化
物(NOx)、硫酸化物(SOx)、炭化水素(HC)
のような有害成分を含有する排気ガスが流入されると、
高密度の電子ビームによって排気ガス成分が解離される
ことにより酸化/還元反応を通じて有害物質が除去され
ることがわかった。
【0098】例えば反応領域にNOxが流入された場合
は、電子ビームによって結果的にN2とO2が排出される
ことを実験で確認した。なお、ディーゼル機関のような
排気ガス中にNOxとHCが多量に含まれている場合
は、これらの混合ガスを浄化可能な性能を持たなければ
ならないので、これに対して低減試験を施してみた。
【0099】すると、NOxの除去に関連する酸化性ラ
ジカルは、主にO、HO2、OHであり、その他にオゾ
ン(O3)がNOxの酸化に寄与することもわかった。
【0100】オゾンは電子ビーム現象の反応ユニット1
00内で酸素(O2)の解離によって発生基酸素(O)
と共に発生する有害成分であってNOxの除去に寄与
し、大部分が大気に放出されずに、電子ビーム放出セル
111と電子ビームポール120とに少量吸着されてい
る炭素成分に吸着された。
【0101】なお、硫酸化物(SOx)の場合にも、S
Ox→S+[O]xの解離反応によって解離され除去さ
れる。
【0102】また、窒素の解離によって発生した単原子
窒素(N)もNOxの除去に影響を及ぼす。即ち、N+
NOx→N2+Oxの反応が起こる。
【0103】しかし、窒素(N)の場合は、NはOH、
HO2、O2と反応してNOを生成するので、NOxの効
果的な除去のためには反応領域に圧縮空気を流入するこ
とが有利であるという事実がわかった。
【0104】即ち、排気ガスの外に、別途の圧縮空気を
流入することによって圧縮空気中の水分が解離(H2O
→H2+ +2[O])されて反応が促進された。圧縮
空気は、図15に示したエネルギー供給端子240の圧
縮空気入力ポート243を介して反応ユニット100に
流入される。
【0105】また、上記のような有害ガス浄化装置は、
図17に示すように、一つの高周波高圧発生ユニット3
00と一つのエネルギー供給ユニット200に複数個の
反応ユニット100をエネルギー供給ユニット200の
上段と下段に取付けて使用するようにしても良い。
【0106】図17に示す有害ガス浄化装置において
は、中央にエネルギー供給ユニット200を配置し、そ
の上段と下段とにそれぞれ三つの反応ユニット100を
結合させている。
【0107】この有害ガス浄化装置においては、有害ガ
スがA位置から流入されて、浄化されたガスがB位置か
ら排出される。A位置とB位置との間で有害ガスは電子
ビーム放出セル110と電子ビームポール120との間
の電子ビームが照射される反応領域を通過しながら有害
成分が除去される。
【0108】ところで、このような流れは非常に高速で
あるが、前述したように、反応ユニット100内の気体
レーザー及び電子ビームは、その密度が非常に高く、反
応ユニット100が円形なので、排気ガスの通路中、気
体レーザーと電子ビームが照射されない領域がないた
め、有害ガスが未反応状態で、この装置を通過すること
はない。
【0109】また、排気ガスが高速で反応領域を通過す
るにしても、本発明による気体レーザー及び電子ビーム
は、非常に短い波長で照射されるので、A位置からB位
置へ移動する間に、排気ガス中の有害成分を必ず気体レ
ーザー及び電子ビームに露出されて反応が起こるように
なる。
【0110】このような構成の有害ガス浄化装置は、車
両のように少量の排気システムに一つのみを装着するこ
ともでき、図19に示したように、焼却炉に複数個のユ
ニットが直列で連結された反応器10を複数個並列で連
結して使用することによって処理効率と処理容量を容易
に増大させることができる。
【0111】一方、本発明の有害ガス浄化装置及び方法
によれば、気体レーザー及び電子ビームを有害ガスに照
射することで、その成分が解離されて種々の反応が起こ
りかつ促進されるので、このような装置と方法は多様な
分野に利用することができる。
【0112】例えば、焼却炉、産業施設、各種動力発生
機関等から発生する排気ガスの処理に使用できることは
勿論、空気浄化、脱臭等の機能をするので、生活空間、
産業施設、トンネルのような地下空間で空気清浄器とし
ても利用できる。
【0113】また、オゾンの発生機能を有するので、殺
菌及び滅菌装置としても利用でき、医療機器及び酸素発
生装置または食品衛生処理装置としても利用できる。そ
の他にも集中冷暖房施設用浄化装置と廃水処理装置また
は地下埋立用の廃棄物処理装置、VOC処理装置、人工
降雨装置または各種台所用装置等の各種分野に応用でき
るということは、本発明の技術分野の当業者にとっては
自明である。
【0114】前述したように構成された本発明の有害ガ
ス浄化装置及び方法を利用して排気ガスを処理し、その
低減効率の性能を評価する実験を行った結果、下記の
(表1)のような結果を得た。この時、有害ガス浄化装
置10の高周波高圧発生ユニット300に供給された電
流は、AC100V、400mAであった。
【0115】
【表1】 なお、排気ガスに含まれ、生体物に大変有害なダイオキ
シンのように、その組成や化学的な構造が正確に知られ
ていない未確認物質が本発明による有害ガス浄化装置に
より分解できるかをも動物実験で間接的に確認してみ
た。
【0116】先ず、ゴミや廃タイヤの燃焼により発生し
たガスを集め蒸溜水に溶解させて、この濃縮液100c
cを魚の入っている10リットル容積の金魚鉢に入れて
みた。その結果、すべての魚が数分後に死んでしまっ
た。しかし、前述した燃焼ガスを本発明の装置を通過さ
せて処理し、その濃縮液を同様に、金魚鉢に入れた結
果、魚が何等の異常なく、繁殖していくことが確認され
た。
【0117】上記のように、直接的な低減率の測定及び
生物体を用いた間接実験の結果からみて、本発明の有害
ガス浄化装置によって排気ガス中の有害物質が相当量除
去されるのに優れた効果があることがわかった。
【0118】また、本発明によれば、小型装置でありな
がらも高密度の気体レーザーと電子ビームを発生させる
ことにより、運搬と設置が容易で、小型自動車等にも安
い費用で取付けることができる有害ガス浄化装置を提供
することができる。
【0119】さらに、本発明の有害ガス浄化装置は、複
数個の反応ユニット100を直列で連結してその処理効
率を簡単に高めることができ、並列で連結して大容量の
排気ガス排出機関または大型の焼却炉にも簡単に適用す
ることができる。
【0120】
【発明の効果】上記のように構成された本発明よれ
ば、電子ビーム照射領域および排気ガス反応領域を同一
として、ガス通路全体に高密度の電子ビームを照射する
ことができるようにしたので、アンモニアのような別途
媒介物質を使用することなく、さらには装置の小型化を
図ることができると共に、有害成分除去に関わる処理効
率及び処理速度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す有害ガス浄化装置で
ある反応器の外観を示す斜視図である。
【図2】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の反応ユ
ニットの一部を破断した斜視図である。
【図3】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の電子ビ
ーム放出セルを示す斜視図である。
【図4】(a)本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の
電子ビーム放出セル組立体を示す平面図である。 (b)同側面図。
【図5】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の電子ビ
ームポールを示す斜視図である。
【図6】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の高周波
高圧発生ユニットの概略構成を示す回路図である。
【図7】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の高周波
高圧発生ユニットの出力電圧を示す説明図である。 (a)μsec単位 (b)msec単位
【図8】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の高周波
高圧発生ユニットにおける第1出力直流高圧の波形図で
ある。
【図9】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の高周波
高圧発生ユニットにおける第2出力直流電圧の波形図で
ある。
【図10】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の高周
波高圧発生ユニットにおける第3出力直流電圧の波形図
である。
【図11】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の高周
波高圧発生ユニットにおける高周波高圧出力の波形図で
ある。
【図12】従来の技術による高周波高圧発生ユニットか
ら出力される高周波高圧の説明図である。 (a)μsec単位 (b)msec単位
【図13】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置のエネ
ルギー供給ユニットを示す斜視図である。
【図14】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置のエネ
ルギー供給ユニットの一部を破断した状態を示す斜視図
である。
【図15】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置のエネ
ルギー供給端子を示す斜視図である。
【図16】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置におけ
る電子ビーム放出セルの電極及び電子ビームポールの反
応ホール間の作用を説明するための斜視図である。
【図17】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の一部
を断面した断面図である。
【図18】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置の電子
ビーム放出セルを電気回路に置換した説明図である。
【図19】本実施の形態に示す有害ガス浄化装置を適用
した焼却炉を示す斜視図である。
【符号の説明】
10 反応器 100 反応ユニット 110 電子ビーム放出セル 120 電子ビームポール 130 流出入口 140 連結器 200 エネルギー供給ユニット 210 中央フレーム 220 ケース 230 結合部材 240 エネルギー入力端子 300 高周波高圧発生ユニット 310 第1の入力発振回路 320 第2の入力発振回路 330 第3の入力発振回路 340 第1の出力端 350 第2の出力端
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−251026(JP,A) 特開 昭51−119374(JP,A) 特開 昭57−7231(JP,A) 特開 昭62−14921(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01D 53/32 A62D 3/00 B01J 19/00 - 19/32 H02M 5/16

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 排気ガスの通路中に気体レーザーと電子
    ビームを照射して排気ガス中の有害物質を低減させる有
    害ガス浄化装置において、 外側には中空形の板材からなる複数個の電子ビーム放出
    セルが積層され、内側には円筒形の電子ビームポールが
    備えられ、前記複数個の電子ビーム放出セルと前記電子
    ビームポールとの間に排気ガスの通路が形成され、前記
    排気ガスの通路には前記電子ビーム放出セルから前記電
    子ビームポールに気体レーザーと電子ビームが照射され
    る反応領域が形成される反応ユニットと、 前記電子ビームポールに供給される高周波高圧が発生さ
    れる高周波高圧発生ユニットと、 前記高周波高圧を前記電子ビームポールに供給し、前記
    反応ユニットが固定支持されるエネルギー供給ユニット
    と、 が含まれ、 前記各電子ビーム放出セルはその外周部が円形をなし、
    内周部には三角形の電極の頂点がそれぞれ前記電子ビー
    ム放出セルの中心に向かう状態で放射状に連続して複数
    個形成されると共に、前記各電子ビーム放出セルのうち
    互いに上下に隣接した一対の電子ビーム放出セルに対応
    する前記電極が円周方向に10°〜15°互いにずれる
    ように積層され、 前記電子ビームポールは円筒形の壁面に長手方向の反応
    ホールが前記各電極に対向するように撚れて長手方向に
    螺旋状に形成されていることを特徴とする有害ガス浄化
    装置。
  2. 【請求項2】 前記エネルギー供給ユニットは、 前記電子ビームポールと連結する中央フレームと、 この中央フレームを取り囲みながら、前記電子ビーム放
    出セルと連結するケースと、 前記中央フレームとケースとの絶縁状態を保ちながら、
    中央フレームとケースとを連結し、中央フレームに高周
    波電圧信号を供給する結合部材とを有することを特徴と
    する請求項1記載の有害ガス浄化装置。
  3. 【請求項3】 前記ガス通路の反応領域に所定量の圧縮
    空気を供給する圧縮空気供給ユニットを具備したことを
    特徴とする請求項1記載の有害ガス浄化装置。
  4. 【請求項4】 前記反応ユニットを固定支持し、前記高
    周波高圧発生ユニットからの高周波高圧信号を反応ユニ
    ットに供給するエネルギー供給ユニットを具備し、 前記圧縮空気供給ユニットからの圧縮空気は、このエネ
    ルギー供給ユニットを介して反応ユニットに供給するこ
    とを特徴とする請求項3記載の有害ガス浄化装置。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000009579A (ko) * 1998-07-27 2000-02-15 박진규 기체 레이저와 전자빔을 이용한 유해 가스 정화방법 및 장치
US6504308B1 (en) * 1998-10-16 2003-01-07 Kronos Air Technologies, Inc. Electrostatic fluid accelerator
DE10006575A1 (de) * 2000-02-14 2001-08-16 Gerhard Schroeder Verfahren zum Entkeimen mindestens eines umschlossenen Raumes und Anlage zur Entkeimung eines in einem Raum einzuleitenden Fluids durch Bestrahlung
US7189978B2 (en) * 2000-06-20 2007-03-13 Advanced Electron Beams, Inc. Air sterilizing system
US6623706B2 (en) * 2000-06-20 2003-09-23 Advanced Electron Beams, Inc. Air sterilizing system
US6937455B2 (en) * 2002-07-03 2005-08-30 Kronos Advanced Technologies, Inc. Spark management method and device
US6727657B2 (en) 2002-07-03 2004-04-27 Kronos Advanced Technologies, Inc. Electrostatic fluid accelerator for and a method of controlling fluid flow
US6664741B1 (en) 2002-06-21 2003-12-16 Igor A. Krichtafovitch Method of and apparatus for electrostatic fluid acceleration control of a fluid flow
US7150780B2 (en) * 2004-01-08 2006-12-19 Kronos Advanced Technology, Inc. Electrostatic air cleaning device
US7157704B2 (en) * 2003-12-02 2007-01-02 Kronos Advanced Technologies, Inc. Corona discharge electrode and method of operating the same
EP1638614A1 (en) 2003-06-12 2006-03-29 Safe Haven, Inc. Methods and apparatus for sterilization of air and objects
WO2005034140A2 (en) * 2003-09-04 2005-04-14 Scantech Holdings, Llc Stack gas decontamination system
US20090205947A1 (en) * 2005-02-10 2009-08-20 John Barkanic Method for the reduction of malodorous compounds
WO2006107390A2 (en) * 2005-04-04 2006-10-12 Kronos Advanced Technologies, Inc. An electrostatic fluid accelerator for and method of controlling a fluid flow
CN103752150B (zh) * 2014-01-02 2015-10-07 上海大学 一种去除大气颗粒物pm2.5中苯甲醛类化合物的方法
CN106714932A (zh) 2014-09-02 2017-05-24 安吉洛·狄·诺伊 用于灰尘和其他污染物的过滤装置
CN107072023B (zh) * 2017-01-23 2023-03-21 中科新天地(合肥)环保科技有限公司 一种高效率低温等离子发生器
CN106890552A (zh) * 2017-03-13 2017-06-27 苏州盟力环境科技有限公司 一种等离子体气体处理装置
KR102023658B1 (ko) * 2018-02-07 2019-09-24 (주)썬앤씨 엔진 배기가스의 질소산화물 저감장치 및 저감방법
CN112076595B (zh) * 2019-06-12 2023-07-28 中国石油化工股份有限公司 用于等离子体发生器的控制装置、方法及等离子体发生装置
CN115121095B (zh) * 2021-03-24 2023-04-25 湖北湛澜环保科技有限公司 一种MRTO磁控中温等离子VOCs消解装置、系统及工艺

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2350842A (en) * 1939-11-24 1944-06-06 Tsuno Shozo Ozonizer
US3787730A (en) * 1971-12-29 1974-01-22 United Aircraft Corp Bilateral high voltage dc system
NL159223C (ja) * 1973-10-10
US4398132A (en) * 1979-12-26 1983-08-09 Razin Gennady I Electron beam current stabilizing device
DE3039951A1 (de) * 1980-10-23 1982-05-27 Andreas Dipl.-Ing. 6420 Lauterbach Ahlbrandt Vorrichtung zum behandeln der oberflaeche von gegenstaenden durch elektrische spruehentladung
FR2544579B1 (fr) * 1983-04-15 1986-05-16 Cgr Mev Modulateur de puissance muni d'un transformateur
JPS62250933A (ja) 1986-04-24 1987-10-31 Ebara Corp 電子線照射による排ガス処理方法および装置
WO1990004448A1 (en) * 1988-10-28 1990-05-03 Ebara Corporation Method of and apparatus for treating waste gas by irradiation with electron beam
PL288355A1 (en) * 1989-12-22 1991-09-23 Ebara Corp Method of desulfurizing and denitrogenizing outlet gases by multi-step exposure to an electron beam and apparatus therefor
JP2812824B2 (ja) * 1990-11-14 1998-10-22 三菱電機株式会社 直流−直流変換器
DE4112161C2 (de) * 1991-04-13 1994-11-24 Fraunhofer Ges Forschung Gasentladungseinrichtung
ATE146986T1 (de) 1991-05-21 1997-01-15 Inst Of Nuclear Chemistry And Verfahren und vorrichtung zur entfernung von so2 und no aus verbrennungsabgasen
WO1994017899A1 (en) * 1993-02-05 1994-08-18 Massachusetts Institute Of Technology Tunable compact electron beam generated plasma system for the destruction of gaseous toxic compounds
JPH0847618A (ja) 1994-06-03 1996-02-20 Ebara Corp 排ガス処理用電子線照射方法
JP3361200B2 (ja) 1994-12-12 2003-01-07 日本原子力研究所 電子ビーム照射排ガス処理法及び装置
US5602897A (en) * 1995-06-29 1997-02-11 Picker International, Inc. High-voltage power supply for x-ray tubes
FR2739576B1 (fr) * 1995-10-09 1997-12-12 Electricite De France Reacteur catalytique en phase gazeuse
US6203427B1 (en) * 1997-07-03 2001-03-20 Walker Digital, Llc Method and apparatus for securing a computer-based game of chance
KR20000009579A (ko) * 1998-07-27 2000-02-15 박진규 기체 레이저와 전자빔을 이용한 유해 가스 정화방법 및 장치

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