JP3105877B2 - 光パワー分割器及びその製作方法 - Google Patents

光パワー分割器及びその製作方法

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JP3105877B2 JP10314854A JP31485498A JP3105877B2 JP 3105877 B2 JP3105877 B2 JP 3105877B2 JP 10314854 A JP10314854 A JP 10314854A JP 31485498 A JP31485498 A JP 31485498A JP 3105877 B2 JP3105877 B2 JP 3105877B2
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祐 ヒュク 張
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光パワー分割器に係
り、特に、ビーム分割子及びビーム拡張子を用いた光パ
ワー分割器及びその製作方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、光パワー分割器は入力光をある
所から望む多くの所に分配する素子である。前記光パワ
ー分割器は光通信システムや光加入者網等、その応用分
野が広く、光通信で用いられる基本素子のうちの一つで
ある。また、光パワー分割器は出力端の数により1×
2、1×4、1×8、...、1×N(ここでN=2m、mは
自然数)に区分される。各出力端で出力光比は一般に均
一になるが、特別な目的のために分割比を不均一になる
場合もある。図5(A)及び図5(B)に示したよう
に、一般に光パワー分割器は、二つの出力端を有するY
字形の分岐光導波路を木状で直、並列に連結して拡張す
る。即ち、1×4(図5(A))は3個の1×2Y字形の
分岐光導波路を直、並列に連結し、1×8(図5(B))
は7個の1×2Y字形の分岐光導波路を直、並列に連結
して構成されている。
【0003】この方法で拡張する場合、出力端の数が多
くなるほど、引続き直列に連結が必要である。1×2分
岐光導波路を基準として1×4分岐光導波路は2倍以
上、1×8分岐光導波路は3倍以上に素子が長くなる。
これに伴い、素子が長くなりながら、これを伝播する光
の伝播損失も大きくなる。この構造で分岐角θを大きく
することにより、Y字形の分岐光導波路の長さを縮めら
れる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、分岐角θが
大きくなるにつれて分岐領域での輻射損失が大きくな
り、分岐光導波路素子の長さの縮小に限界が生じる。従
って、輻射損失を小さく維持しながら分岐角を大きくす
るために、分岐領域を特別の構造で設計したり[H.P.C
han、and P.S.Chung.Lett.、vol.32、pp.65
2-654、1996.]、分岐領域にマイクロプリズム
構造を挿入して輻射損失が小さいながらも分岐角を大き
くできる研究結果が発表されたりした[H.-B.Lin、R.
-S.Cheng、and W.-S.Wang、IEEE Phton.Technol.L
ett.、vol.6、pp.825-827、1994.]。
【0005】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、その目的は、光パワー分割器の出
力端を拡張する時、素子の長さを増加させないだけでな
く、大きい追加損失を発生させないために、ビーム分割
子及びビーム拡張子を用いた光パワー分割器を提供する
ことにある。
【0006】本発明の他の目的は、光パワー分割器の出
力端を拡張する時、素子の長さを増加させないだけでな
く、大きい追加損失を発生させないために、ビーム分割
子及びビーム拡張子を用いた光パワー分割器を製作する
光パワー分割器の製作方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の第1の発明による光パワー分割器
は、入力光を受け入れる入力ポートを具備し、当該入力
ポートに入射された入力光を導波する入力光導波路と、
少なくとも二つ以上の出力ポートを具備し、前記入力光
導波路を通じて入射された光を当該出力ポートに出力す
る当該出力ポートと同数の出力光導波路と、前記入射光
が前記入力光導波路から出力光導波路に分岐する領域に
配置され、当該入力光導波路及び出力光導波路のコア屈
折率より低い屈折率を有する物質よりなり、当該出力光
導波路に出力される光を所定の割合で分配させるビーム
分割子とを備えたことを要旨とする。従って、光パワー
分割器の出力端を拡張する時、素子の長さを増加させな
いだけでなく、大きい追加損失を発生させない。前記入
射光が前記入力光導波路から出力光導波路に分岐する領
域の外側に隣接した所に配置され、前記入力光導波路及
び出力光導波路のクラッディング領域より高い屈折率を
有する物質よりなり、前記出力ポートに出力される光を
所定の割合で分配させるビーム拡張子をさらに具備する
ことを要旨とする。前記ビーム分割子の形態は三角形で
あり、前記出力ポートに出力される光は当該ビーム分割
子の屈折率、当該三角形の高さ及び一辺の長さにより所
定の割合で分配されることを要旨とする。
【0008】上記目的を達成するために、請求項4記載
の第4の発明による光パワー分割器は、入力光を受け入
れる入力ポートを具備し、当該入力ポートに入射された
入力光を導波する入力光導波路と、少なくとも二つ以上
の出力ポートを具備し、前記入力光導波路を通じて入射
された光を当該出力ポートに出力する当該出力ポートと
同数の出力光導波路と、前記入射光が前記入力光導波路
から出力光導波路に分岐する領域の外側に隣接した所に
配置され、当該入力光導波路及び出力光導波路のクラッ
ディング領域より高い屈折率を有する物質よりなり、前
記出力ポートに出力される光を所定の割合で分配させる
ビーム拡張子とを備えたことを要旨とする。従って、光
パワー分割器の出力端を拡張する時、素子の長さを増加
させないだけでなく、大きい追加損失を発生させない。
前記ビーム拡張子の形状は三角形であり、前記出力ポー
トに出力される光は当該ビーム拡張子の屈折率、当該三
角形の高さ及び一辺の長さにより所定の割合で分配され
ることを要旨とする。
【0009】上記目的を達成するために、請求項6記載
の第6の発明による光パワー分割器は、入力光を受け入
れる入力ポートを具備し、当該入力ポートに入射された
入力光を導波する入力光導波路と、4個の出力ポートを
具備し、前記入力光導波路を通じて入射された光を前記
出力ポートに出力する4個の出力光導波路と、前記入射
光が入力光導波路から4個の出力光導波路に分岐する領
域の上下対称の地点に三角形の形状で配置され、当該入
力光導波路及び出力光導波路のコア屈折率より低い屈折
率を有する物質よりなり、当該屈折率、当該三角形の高
さ及び一辺の長さに従って前記4個の出力ポートに出力
される光を所定の割合で分配させるビーム分割子と、前
記入射光が入力光導波路から出力光導波路に分岐する領
域の外側に隣接した所に配置され、当該入力光導波路及
び出力光導波路のクラッディング領域より高い屈折率を
有する物質よりなり、当該屈折率、当該三角形の高さ及
び一辺の長さにより、前記4個の出力ポートに出力され
る光を所定の割合で分配させるビーム拡張子とを備えた
ことを要旨とする。従って、光パワー分割器の出力端を
拡張する時、素子の長さを増加させないだけでなく、大
きい追加損失を発生させない。前記ビーム分割子の屈折
率は、前記入力光導波路及び出力光導波路のクラッディ
ング領域の屈折率と同一であり、前記ビーム拡張子の屈
折率は、前記入力光導波路及び出力光導波路のコア屈折
率と同一であることを要旨とする。前記4個の出力光導
波路は、当該出力光導波路間の分岐角(branch angle)が
同一であることを要旨とする。前記4個の出力光導波路
を上から順に第1、第2、第3及び第4出力光導波路と
し、前記入力光導波路の幅方向であり当該第1出力光導
波路と第4出力光導波路の内側面が交差する点bを通過
する仮想線分をAA'、前記入力光導波路の幅方向であり
前記第2出力光導波路と第3出力光導波路の内側面が交
差する点cを通過する仮想線分をBB'とする時、前記ビー
ム分割子は前記仮想線分AA'と前記仮想線分BB'との間の
分岐領域の略中央に位置し、前記ビーム分割子の形状は
底辺の中央が前記点cで、長さが同じ両側辺が交わる頂
点が点bの二等辺三角形であることを要旨とする。前記
ビーム拡張子は前記仮想線分AA'と前記仮想線分BB'との
間の第1出力光導波路及び第4出力光導波路の外側に三
角形状で配置され、当該三角形の一辺が前記仮想線分B
B'の一部分であり、当該三角形の一頂点が前記仮想線分
AA'の上に位置することを要旨とする。前記4個の出力
光導波路を上から順に第1、第2、第3及び第4出力光
導波路とし、前記入力光導波路の幅方向であり当該第1
出力光導波路と第4出力光導波路の内側面が交差する点
bを通過する仮想線分をAA'、前記入力光導波路の幅方向
であり当該第2出力光導波路と第3出力光導波路の内側
面が交差する点cを通過する仮想線分をBB'とする時、前
記ビーム分割子は、前記仮想線分AA'と前記仮想線分BB'
との間の分岐領域の上下対称の略中央に位置し、前記ビ
ーム分割子の形状は長さが同じ両側辺が交わる頂点が前
記点bであり、高さが前記仮想成分AA'及びBB'間隔より
大きい二等辺三角形であることを要旨とする。前記ビー
ム拡張子は前記仮想線分AA'と前記仮想線分BB'との間の
第1出力光導波路及び第4出力光導波路の両側に三角形
状で配置され、当該三角形の一頂点が前記仮想成分AA'
上に位置し、当該三角形の高さが当該仮想線分AA'とBB'
の間隔より大きいことを要旨とする。前記4個の出力光
導波路を上から順に第1、第2、第3及び第4出力光導
波路とし、前記入力光導波路の幅方向であり当該第1出
力光導波路と第4出力光導波路の内側面が交差する点b
を通過する仮想線分をAA'、前記入力光導波路の幅方向
であり当該第2出力光導波路と第3出力光導波路の内側
面が交差する点cを通過する仮想線分をBB'とする時、前
記ビーム分割子は、前記仮想線分AA'と前記仮想線分BB'
との間の分岐領域の略中央に位置し、前記ビーム分割子
の形状は、底辺の中央が前記点cで、長さが同じ両側辺
が交わる頂点が点bの二等辺三角形であり、前記仮想成
分BB'上の第2出力光導波路及び第3出力光導波路との
間隔が、前記ビーム分割子の底辺の長さと同一であるこ
とを要旨とする。
【0010】上記他の目的を達成するために、請求項1
4記載の第14の発明の光パワー分割器の製作方法は、
入射される光を導波する入力光導波路と、前記入力光導
波路を通じて導波された入力光を導波して出力する少な
くとも2個の出力光導波路と、入射光を分配させるため
に当該入射光が入力光導波路から出力光導波路に分岐す
る領域に配置されて、前記入力及び出力光導波路のコア
屈折率より低い屈折率を有する物質よりなるビーム分割
子と、入射光を分配させるために当該入射光が入力光導
波路から出力光導波路に分岐する領域の外側に隣接した
所に位置し、前記入力及び出力光導波路のクラッディン
グ領域の屈折率より高い屈折率を有するビーム拡張子よ
りなる光パワー分割器の製作方法において、基板上に下
部クラッドとして使われる薄膜を形成する下部クラッド
形成過程と、前記薄膜上に当該薄膜より屈折率が高いコ
アとして使われる薄膜を成長させるコア形成過程と、選
択的蝕刻工程を使用して前記光パワー分割器構造を形成
する過程と、前記結果物上に上部クラッドを成長させる
上部クラッド形成過程とを有することを要旨とする。従
って、光パワー分割器の出力端を拡張する時、素子の長
さを増加させないだけでなく、大きい追加損失を発生さ
せないために、ビーム分割子及びビーム拡張子を用いた
光パワー分割器を製作できる。前記基板の材質はSi、Ga
As及びInPのうち、何れか一つであり、下部クラッド、
コア及び上部クラッドは半導体薄膜よりなることを要旨
とする。前記基板の材質はシリコンまたは溶融シリカで
あり、前記下部クラッド、コア及び上部クラッドの材質
はシリカであることを要旨とする。前記基板の材質はシ
リコンまたは溶融シリカであり、前記下部クラッド、コ
ア及び上部クラッドの材質はポリマーであることを要旨
とする。
【0011】上記他の目的を達成するために、請求項1
8記載の第18の発明の光パワー分割器の製作方法は、
入射される光を導波する入力光導波路と、前記入力光導
波路を通じて導波された入力光を導波して出力する少な
くとも2個の出力光導波路と、入射光を分配させるため
に当該入射光が入力光導波路から出力光導波路に分岐す
る領域に位置して、前記入力及び出力光導波路のコア屈
折率より低い屈折率を有する物質よりなるビーム分割子
と、入射光を分配させるために当該入射光が入力光導波
路から出力光導波路に分岐する領域の外側に隣接した所
に位置し、前記入力及び出力光導波路のクラッディング
領域の屈折率より高い屈折率を有するビーム拡張子より
なる光パワー分割器の製作方法において、強誘電体の基
板上に当該強誘電体より屈折率が大きいコア層を形成す
る第1過程と、蝕刻工程を使用して前記光パワー分割器
構造を形成する第2過程と、前記第2過程で形成された
光導波路上に上部クラッディング層を形成する第3過程
とを有することを要旨とする。従って、光パワー分割器
の出力端を拡張する時、素子の長さを増加させないだけ
でなく、大きい追加損失を発生させないために、ビーム
分割子及びビーム拡張子を用いた光パワー分割器を製作
できる。前記強誘電体はLiNbO3及びLiTaO3のうち、何れ
か一つであることを要旨とする。
【0012】上記他の目的を達成するために、請求項2
0記載の第20の発明の光パワー分割器の製作方法は、
入射される光を導波する入力光導波路と、前記入力光導
波路を通じて導波された入力光を導波して出力する少な
くとも2個の出力光導波路と、入射光を分配させるため
に当該入射光が入力光導波路から出力光導波路に分岐す
る領域に位置して、前記入力及び出力光導波路のコア屈
折率より低い屈折率を有する物質よりなるビーム分割子
と、入射光を分配させるために当該入射光が入力光導波
路から出力光導波路に分岐する領域の外側に隣接した所
に位置し、前記入力及び出力光導波路のクラッディング
領域の屈折率より高い屈折率を有するビーム拡張子より
なる光パワー分割器の製作方法において、強誘電体の基
板上に前記光パワー分割器構造の所定領域の屈折率を増
加させて光導波路を形成する過程と、前記光導波路上に
上部クラッド層を形成する過程とを有することを要旨と
する。従って、光パワー分割器の出力端を拡張する時、
素子の長さを増加させないだけでなく、大きい追加損失
を発生させないために、ビーム分割子及びビーム拡張子
を用いた光パワー分割器を製作できる。前記強誘電体は
LiNbO3及びLiTaO3のうち、何れか一つであることを要旨
とする。前記屈折率の増加は、前記強誘電体の基板内の
リチウムイオンを水素イオンに置換する陽子交換方法よ
りなることを要旨とする。前記屈折率の増加は金属薄膜
を内部拡散させてなることを要旨とする。前記金属薄膜
はチタニウム薄膜及びニッケル薄膜のうち、何れか一つ
であることを要旨とする。前記上部クラッド層はシリカ
薄膜及びアルミナ薄膜のうち、何れか一つであることを
要旨とする。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい実施の形態を詳細に説明する。本発明の
光パワー分割器は、入力光導波路と、複数の出力光導波
路と、ビーム分割子と、ビーム拡張子とを備えている。
前記入力光導波路は入力光を受け入れる入力ポートを具
備し、当該入力ポートに入射した入力光を導波する。前
記複数の出力光導波路は少なくとも二つ以上の出力ポー
トを具備し、前記入力光導波路を通じて入射した光を当
該出力ポートに出力する。
【0014】前記ビーム分割子は、前記入力光が入力光
導波路から出力光導波路に分岐する領域に三角形状で配
置されている。また、ビーム分割子は前記入力光導波路
及び出力光導波路のコアの屈折率より低い屈折率を有す
る物質よりなり、当該出力光導波路に出力される光を所
定の割合で分配させる。ここで、前記出力ポートに出力
される光の分配比率は前記ビーム分割子の屈折率、前記
三角形の高さ及び底辺の長さにより変わる。
【0015】前記ビーム拡張子は、前記入射光が入力光
導波路から出力光導波路に分岐する領域の外側に隣接し
た所に三角形状で配置されている。また、ビーム拡張子
は、前記入力光導波路及び出力光導波路のクラッディン
グ領域の屈折率より高い屈折率を有する物質よりなり、
前記出力ポートに出力される光を所定の割合で分配させ
る。ここで、前記出力ポートに出力される光の分配比率
は、前記ビーム拡張子の屈折率、前記三角形の高さ及び
底辺の長さによって変わる。
【0016】前記光パワー分割器を説明する前に本発明
の基本的な概念をまず説明する。入力ポートに入射する
光が入力光導波路により導波された後、少なくとも二つ
以上の出力光導波路に分割されて出力される時、当該分
割される比率は前記ビーム分割子及びビーム拡張子を通
じて調節されることが本発明の基本概念である。即ち、
入射される光が一つの入力光導波路から多数の出力光導
波路に分岐する時、分岐する領域に前記導波路のコアよ
り屈折率が低いビーム分割子を配置することにより、前
記入力光が分岐する時に発生する光の中央への偏り現象
を緩和する。そして、前記分岐領域の外側に隣接した所
に前記光導波路のクラッディング領域の屈折率より高い
屈折率を有するビーム拡張子を配置することにより、光
がいくつかの出力光導波路に分岐する時、中央に偏らな
く外側に広まるようにする。従って、前記出力光導波路
の個数と屈折率により、前記ビーム分割子及びビーム拡
張子のうち、何れか一つだけを使用することもできる。
【0017】図1は前記光パワー分割器の望ましい実施
の形態として1×4光パワー分割器の基本構造を示す図
である。これは、従来のY字形の分岐光導波路の上下側
面に2個の光導波路を追加した構造である。
【0018】従来のY字形の分岐光導波路(1×2光パワ
ー分割器)は、幅がwである単一モード直線光導波路のあ
る終端aa'に分岐角をθとして同じ幅の2個の光導波
路、即ち、第2ポート及び第3ポートをお互い連結した
構造である。前記Y字形の分岐光導波路の上下外側面に
2個の光導波路、即ち、第1ポートと第4ポートをaa'
基準にして分岐角が3θになるように付け加えれば4分
岐光導波路となる。この際、各々の光導波路と近隣光導
波路との分岐角は図1に示したようにθとなる。追加さ
れた出力端第1ポート(P1)及び第4ポート(P4)の内側面
が交差する点bを通過して光の進行方向と垂直の線AA'
を、第2ポート(P2)及び第3ポート(P3)の内側面の交差
点cを通過して光の進行方向と垂直の線BB'を仮想線とす
る。前記仮想線AA'とBB'との間の分岐領域内にビーム分
割子200とビーム拡張子210で名付けられた三角形
状の構造を挿入する。
【0019】前記ビーム分割子200は底辺の長さがx
1の二等辺三角形として分岐領域内の略中央に位置し、
その屈折率は光が通過する光導波路部分でないクラッデ
ィング領域と同じである。そして、前記ビーム拡張子2
10はビーム分割子200を中心として対称的に、分岐
領域の両側部分に一面の長さがX2の三角形状で配置さ
れて、その屈折率は光が通過する光導波路部分のコア領
域と同じである。このようなビーム分割子200とビー
ム拡張子210の配置によって得られる形状は、仮想線
AA'とBB'との間の梯形状の分岐領域を仮想線分bcに沿っ
て二つに分けて特定角度に広げた構造に似ている。
【0020】図2及び図3は図1の1×4光分割器の変
形した例を示す図である。ビーム分割子とビーム拡張子
を利用して素子の長さを変化させずに出口を拡張したも
のである。図2は図1の構造と同じであるが、ビーム分
割子300とビーム拡張子310が仮想線BB’を越えて
光の進行方向により長く延びている。この構造は図1と
動作原理は同じであるが、図1の第2ポートと第3ポー
ト間の交差点cを除去することによって、クサビ状の各
ポート間の尖端部分の数を減らして素子製作を容易にし
た例である。図3は第2ポートと第3ポートをビーム分
割子400の底辺の長さのx1と同じ距離ほど引き離し
たものであって、図2に示した構造の利点と同じように
クサビ状の尖端点の数を減らす。
【0021】図1に示した1×4光パワー分割器の動作
を説明する。まず、ビーム分割子とビーム拡張子がない
時、入力ポートに入射した入力光は分岐角が小さな内側
出口(第2、第3ポート)に伝播される。従って、本発明
の光パワー分割器の対称的構造により内側出口(第2、
第3ポート)が外側出口(第1、第4ポート)より大きい
出力光強度を有することになる。しかし、適当な長さx
1、x2を有するビーム分割子200とビーム拡張子2
10は、4個の出力ポートに入力光を均等に分配させ
る。詳細には、ビーム分割子200は入力光を分岐点の
中心として、各々両側二つの出口(第2、第3ポート)に
均等に分け、当該ビーム拡張子210はこのように両側
に分離された入力光が内側出口(第2、第3ポート)に偏
らないように、ビームを外側に広げる役割をする。これ
により、外側及び内側出口から出力光が均一に出られる
ように調節する。導波光の導波モードと分岐角の大きさ
により適切なビーム分割子とビーム拡張子の一面のx
1、x2が異なり、分岐角の小さな場合には、ビーム分
割子、ビーム拡張子のうち、一つだけを使用しても均等
な出力特性を得られる。
【0022】本発明の一実施の形態による図1に示した
構造を有する1×4光パワー分割器を設計するために、
2次元有限差分ビーム伝播方法を使用して光導波路素子
を説明した。数値摸写をするために設定された設計パラ
メータはチャンネル光導波路幅w=6μm、分岐角θ=1
゜、クラッディングとコアの有効屈折率は各々Ncl=1.
5248、Nc=1.5276とした。前記ビーム分割子
とビーム拡張子の一辺の長さx1、x2による外側(第
1、第4ポート)と内側(第2、第3ポート)出口間の出
力光パワーの対数分割比(単位dB)10×Log10(P1、
4/P2、3)を図4(A)に示した。図4(A)に示し
たようにビーム分割子とビーム拡張子の長さが適切な
時、各出力ポートから均等な出力光を得ることが分か
る。また、数値摸写結果から、特別な目的のために出力
光パワー比を特定値で設計できることも分かる。図4
(B)はビーム分割子とビーム拡張子の各々の長さx
1、x2に従う追加損失の対数値(単位dB)10×Log10
(P1+P2+P3+P4)の大きさを示している。図4
(B)に示したようにビーム拡張子が短いほど追加損失
が小さいのが分かる。均等な出力光を得るためのビーム
分割子とビーム拡張子の長さの前記範囲内で発生する追
加損失は、−0.09〜−0.17dB程度で比較的小さ
な値であることが分かる。
【0023】一方、本発明による光パワー分割器の製作
方法について説明する。前記光パワー分割器は色々な材
料を利用して多様な方法により製作できる。まず、根幹
になる光導波路の基板材質としてSi、GaAs及びInPなど
の半導体が使用できる。半導体基板上に下部クラッドと
して使われる半導体薄膜を形成させ、その上に屈折率が
多少高いコア半導体薄膜を成長させる。それから、湿式
または乾式蝕刻を通じて光パワー分割器構造を形成した
後、その上に再び上部クラッドとして使われる半導体膜
を成長させて光パワー分割器を製作する。
【0024】また、基板材料としてLiNbO3、LiTaO3など
の強誘電体が使用できる。この場合、基板上に別の下部
クラッドの形成なく基板を直ちに下部クラッドとして使
用する。光導波路は屈折率が基板より大きいコアを基板
全面に形成した後、乾式または湿式蝕刻により形成でき
る。しかし、これよりは光導波路になる基板の一部領域
に屈折率を増加させて光導波路を形成する方法を使用す
る。代表的な方法としては、基板内のリチウムイオンを
水素イオンに置換して屈折率を増加させる陽子交換方法
と、チタンやニッケル薄膜のような金属薄膜を内部拡散
させて屈折率を増加させる方法とがある。この方式で製
作された光導波路は、電子の半導体光導波路での階段状
の屈折率分布とは異なり傾斜型屈折率分布を有する。光
導波路を形成した後、コア層上に特別な上部クラッドで
なく空気を上部クラッドとして使用する場合もあるが、
特殊な場合に上部クラッドとしてシリカやアルミナ薄膜
を使用する場合もある。
【0025】また、他の光パワー分割器を製作するため
に、シリコンまたは溶融シリカ基板上に多層で形成され
たシリカ薄膜またはポリマー薄膜を利用して光パワー分
割器が製作できる。製作方法は半導体基板を使用した光
パワー分割器の製作方法に似ている。まず、基板上に下
部クラッディング層を形成した後、屈折率がクラッディ
ング層より大きいコア層を形成する。前記コア層で光導
波路になる部分を除外した残りの領域を選択的に蝕刻
し、この上に上部クラッディングを形成して光パワー分
割器を製作する。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来技術では1×2から1×4に拡張する時、Y字形の
分岐光導波路を直列に2段に連結すべき反面、本発明に
よる光パワー分割器は1×2のY字形の分岐光導波路を
1段のみ使用して拡張するので、長さの面で従来の1×
4光パワー分割器と比較して1/2未満に素子を縮めう
るので、素子の長さを短くできる。即ち、1×2光パワ
ー分割器を直、並列に連結して1×4光パワー分割器を
構成する従来の方法とは異なり、1×2光パワー分割器
の両外側面に二つの光導波路を付加して1×4光パワー
分割器を構成するため、素子の長さが従来の方法に比べ
て1/2未満である。単位光パワー分割器を直、並列に
連結して1×N光パワー分割器を構成する時、本発明に
よる1×4光パワー分割器を単位光パワー分割器として
使用すれば、1×N光パワー分割器素子を大きく縮めう
る利点がある。例えば、1×16光パワー分割器の場
合、本発明で提案した1×4光パワー分割器5個を2段
直、並列に連結して簡単に構成できる。反面、従来の技
術では1×2光パワー分割器15個を4段直並列に連結
するので、構造がかなり複雑になり併せて素子が非常に
長くなる。
【0027】第二は、挿入損失(導波損失+輻射損失)を
減らしうる。本発明による光パワー分割器は素子を縮め
ることができ、光が光導波路を通過しながら発生する導
波損失が従来技術に比べて少ない。そして、分岐領域及
び分岐点の個数が減って輻射損失が縮む。従って、光導
波路進行時に発生する伝播損失と分岐点での輻射損失が
少ないため、全体的な素子の挿入損失が少ない。光はY
字形の分岐光導波路の分岐点を通過する時に願わないモ
ード結合により、分岐点で光の一部が輻射されて損失と
して作用する。従来技術では1×4の構成時、入口から
出口までの経路で2個の分岐点を有する反面、本発明に
よる光パワー分割器は1個の分岐点のみ有するので、輻
射損失も従来技術に比べて少ない。
【0028】第三は、ビーム分割子とビーム拡張子の一
辺の長さを調節して、内外側出力間の分割比が異なる特
別な用途の光パワー分割器を容易に設計できる。また光
パワー分割器の出力光パワー分割比を調整できる。即
ち、本発明による1×4光パワー分割器は、出力光パワ
ー分割比をチューニングするためにビーム分割子とビー
ム拡張子を有している。これらの大きさを調節すること
により、光パワー分割比を素子機能に適合するようにチ
ューニングできて素子の活用範囲を広めうる。
【0029】第四は、光パワー分割器の製作にかかるコ
ストを減少できる。本発明による光パワー分割器は従来
の方法に比べて短いため、同じ基板面積に多くの素子が
集積できる。従って、製作コストが節減する利点を有す
る。一般に、光パワー分割器の製作において最も注意す
べき事項は、光導波路が分岐する分岐領域を誤差なしに
製作すべきことである。本発明で提供する光パワー分割
器は、分岐領域が従来の方法に比べて非常に狭くて、ま
た、一つしかないため、製作工程上にしばしばありうる
色々な欠陥、例えばホコリや薄膜の不純物による欠陥等
に対して比較的強い。従って、素子の製作時に良品収率
を高めうるので、素子の製作コストを節減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態による拡張したY字形の
分岐光導波路を用いた1×4光パワー分割器の基本構造
を示す図である。
【図2】本発明の他の実施の形態による1×4光パワー
分割器を示す図である。
【図3】本発明のさらに他の実施の形態による1×4光
パワー分割器を示す図である。
【図4】(A)は本発明によるビーム分割子とビーム拡
張子の長さx1、x2による光パワー分割比を示す図であ
り、(B)は本発明によるビーム分割子とビーム拡張子
の長さx1、x2による追加損失を示す図である。
【図5】従来の1×4光パワー分割器を示す図であり、
(B)は従来の1×8光パワー分割器を示す図である。
【符号の説明】
200、300、400 ビーム分割子 210、310、410 ビーム拡張子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 張 祐 ヒュク 大韓民国京畿道龍仁市器興邑旧葛里396 番地漢陽アパート103棟702号 (72)発明者 李 泰 衡 大韓民国京畿道城南市盆唐区亭子洞121 番地常緑マウル宇成アパート315棟1202 号 (56)参考文献 特開 昭63−63007(JP,A) 特開 昭56−126809(JP,A) 特開 平3−185405(JP,A) 特開 昭62−62304(JP,A) 特開 昭62−136611(JP,A) 特開 平5−11130(JP,A) 特開 平8−327836(JP,A) 特開 平6−222408(JP,A) ELECTRONICS LETTE RS,Vol.24(22)(27th Oc tober 1988),pp.1365−1366 ELECTRONICS LETTE RS,Vol.30(5)(3rd Ma rch 1994),pp.408−409 IEEE PHOTONICS TE CHNOLOGY LETTERS,V ol.10(12)(December 1998),pp.1760−1762 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/12 - 6/14

Claims (24)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力光を受け入れる1つの入力ポートを
    有し、前記入力ポートに入射された入力光を導波する入
    力光導波路と、 前記入力光導波路に接続される出力光導波路であって、
    1つのY字型光分岐路と前記Y字型光分岐路に分岐路長
    手方向に対して両外側で前記Y字型分岐路の分岐領域に
    付加された光分岐路対とを備え、さらに前記全ての光分
    岐路と同数の出力ポートを有し、前記入力光導波路から
    入射された光を前記各出力ポートに出力するものと、 前記出力光導波路で前記Y字型光分岐路が分岐する領域
    に配置され、前記出力光導波路の各光分岐路に出力され
    る光を所定の割合で分配させるビーム分割子であって、
    三角形状を成してその1頂点が前記付加された光分岐路
    対の内側面が交差する点に位置し前記出力ポート側に向
    かって幅が漸次増大するものであり、前記入力導波路及
    び光出力導波路のコア屈折率より低い屈折率を有する物
    質から成るものと、 前記出力光導波路で前記付加された各光分岐路が分岐す
    る領域の前記導波路長手方向外側に隣接して配置され、
    前記出力光導波路の各光分岐路に出力される光を所定の
    割合で分配させるビーム拡張子であって、三角形状を成
    してその1頂点が前記付加された光分岐路対の内側面が
    交差する点の長手方向の位置(A−A’)で前記付加さ
    れた各光分岐路に隣接して配置され、前記出力ポート側
    に向かって幅が漸次増大するものであり、前記入力光導
    波路のクラッディング領域より高い屈折率を有する物質
    から成るものと、 を備えることを特徴とする光パワー分割器。
  2. 【請求項2】 前記出力ポートに出力される光は前記ビ
    ーム分割子の屈折率、前記三角形状の光分岐路長手方向
    の長さ、および最大幅より所定の割合で分配されること
    を特徴とする請求項1に記載の光パワー分割器。
  3. 【請求項3】 前記各出力ポートに出力される光は前記
    ビーム分割子の屈折率、前記三角形状の光分岐路長手方
    向の長さ、および最大幅により所定の割合で分配される
    ことを特徴とする請求項1に記載の光パワー分割器。
  4. 【請求項4】 入力光を受け入れる一つの入力ポートを
    有し、前記入力ポートに入射された入力光を導波する入
    力導波路と、 出力光導波路であって、1つのY字型光分岐路と前記Y
    字型光分岐路に分岐路長手方向に対して両外側で前記分
    岐路の分岐領域に付加された1対の光分岐路とを備え、
    前記各光分岐路が接続される4個の出力ポートを有し、
    前記入力光導波路から入射された光を前記各出力ポート
    に出力するものと、 前記出力光導波路で前記Y字型光分岐路が分岐する領域
    に配置され、前記出力光導波路の各光分岐路に出力され
    る光を所定の割合で分配させるビーム分割子であって、
    三角形状を成してその1頂点が前記付加された光分岐路
    の内側面が交差する点に位置し前記出力ポートに向かっ
    て幅が漸次増大し、前記入力導波路及び光出力導波路の
    コア屈折率より低い屈折率を有する物質から成るもの
    と、 前記出力光導波路で前記付加された各光分岐路が分岐す
    る領域の前記導波路長手方向外側に隣接して配置され、
    前記出力光導波路の各光分岐路に出力される光を所定の
    割合で分配させるビーム拡張子であって、三角形状を成
    してその1頂点が前記付加された光分岐路に隣接し、前
    記出力ポートに向かって幅が漸次増大し、前記入力光導
    波路のクラッディング領域より高い屈折率を有する物質
    から成るものと、 を備えることを特徴とする1×4光パワー分割器。
  5. 【請求項5】 前記ビーム分割子の屈折率は、前記入力
    光導波路及び出力光導波路のクラッディング領域の屈折
    率と同一であり、 前記ビーム拡張子の屈折率は、前記入力光導波路及び出
    力光導波路のコア領域の屈折率と同一であることを特徴
    とする請求項4に記載の1×4光パワー分割器。
  6. 【請求項6】 前記4個の出力光分岐路は、相互の分岐
    角が同一であることを特徴とする請求項4または5に記
    載の1×4光パワー分割器。
  7. 【請求項7】 前記付加された光分岐路の対が前記出力
    導波路の長手方向に対して対称に配置され、 前記ビーム分割子が、 前記付加された光分岐路の内側面が交差する点(b)の
    ある長手方向の位置(A−A’)と、前記Y字型光分岐
    路の内側面が交差する点(c)のある長手方向の位置
    (B−B’)との間に配置され、 前記ビーム分割子の三角形状の前記1頂点が長さの等し
    い側辺によって形成される二等辺三角形であることを特
    徴とする請求項4に記載の1×4光パワー分割器。
  8. 【請求項8】 前記ビーム分割子の三角形状の前記1頂
    点に相対する底辺が前記Y字型光分岐路の内側面が交差
    する点(c)のある長手方向の位置(B−B’)にある
    ことを特徴とする請求項7に記載の1×4光パワー分割
    器。
  9. 【請求項9】 前記ビーム分割子の三角形状の前記1頂
    点に相対する底辺が前記Y字型光分岐路の内側面が交差
    する点(c)のある長手方向の位置(B−B’)より出
    力ポート側にあることを特徴とする請求項7に記載の1
    ×4光パワー分割器。
  10. 【請求項10】 前記ビーム拡張子の三角形状の前記1
    頂点が前記付加された光分岐路の内側面が交差する点
    (b)のある長手方向の位置(A−A’)にあることを
    特徴とする請求項4に記載の1×4光パワー分割器。
  11. 【請求項11】 前記ビーム拡張子の三角形状の前記1
    頂点が前記付加された光分岐路の内側面が交差する点
    (b)のある長手方向の位置(A−A’)より出力ポー
    ト側にあることを特徴とする請求項4に記載の1×4光
    パワー分割器。
  12. 【請求項12】 前記ビーム拡張子の三角形状の前記1
    頂点に相対する底辺が前記Y字型光分岐路の内側面が交
    差する点(c)のある長手方向の位置(B−B’)にあ
    ることを特徴とする請求項10に記載の1×4光パワー
    分割器。
  13. 【請求項13】 前記ビーム拡張子の三角形状の前記1
    頂点に相対する底辺が前記Y字型光分岐路の内側面が交
    差する点(c)のある長手方向の位置(B−B’)より
    出力ポート側にあることを特徴とする請求項4または1
    0に記載の1×4光パワー分割器。
  14. 【請求項14】 入力光を受け入れる一つの入力ポート
    を有し、前記入力ポートに入射された入力光を導波する
    入力導波路と、 出力光導波路であって、1つのY字型光分岐路と前記Y
    字型光分岐路に分岐路長手方向に対して両外側で前記分
    岐路の分岐領域に付加された1対の光分岐路とを備え、
    前記各光分岐路が接続される4個の出力ポートを有し、
    前記入力光導波路から入射された光を前記各出力ポート
    に出力するものと、 前記出力光導波路で前記Y字型光分岐路が分岐する領域
    に配置され、前記出力光導波路の各光分岐路に出力され
    る光を所定の割合で分配させるビーム分割子であって、
    二等辺三角形を成してその頂点が前記Y字型光分岐路の
    内側面が交差する点に位置し前記出力ポートに向かって
    幅が漸増し最大幅が前記Y字型分岐路相互の間隔に等し
    く、前記入力導波路及び光出力導波路のコア屈折率より
    低い屈折率を有する物質から成るものと、 前記出力光導波路で前記付加された各光分岐路が分岐す
    る領域の前記導波路長手方向外側に隣接して配置され、
    前記出力光導波路の各光分岐路に出力される光を所定の
    割合で分配させるビーム拡張子であって、三角形状を成
    してその1頂点が前記付加された光分岐路に隣接し、前
    記出力ポートに向かって幅が漸増し、前記入力光導波路
    のクラッディング領域より高い屈折率を有する物質から
    成るものと、 を備えることを特徴とする1×4光パワー分割器。
  15. 【請求項15】 入力光を受け入れる一つの入力ポート
    を有し、前記入力ポートに入射された入力光を導波する
    入力光導波路と、 前記入力光導波路に接続される出力光導波路であって、
    1つのY字型光分岐路と前記Y字型光分岐路に分岐路長
    手方向に対して両外側で前記Y字型分岐路の分岐領域に
    付加された光分岐路対とを備え、さらに前記全ての光分
    岐路と同数の出力ポートを有し、前記入力光導波路から
    入射された光を前記各出力ポートに出力するものと、 前記出力光導波路で前記Y字型光分岐路が分岐する領域
    に配置され、前記出力光導波路の各光分岐路に出力され
    る光を所定の割合で分配させるビーム分割子であって、
    三角形状を成してその1頂点が前記付加された光分岐路
    対の内側面が交差する点に位置し前記出力ポート側に向
    かって幅が漸次増大するものであり、前記入力導波路及
    び光出力導波路のコア屈折率より低い屈折率を有する物
    質から成るものと、 前記出力光導波路で前記付加された各光分岐路が分岐す
    る領域の前記導波路長手方向外側に隣接して配置され、
    前記出力光導波路の各光分岐路に出力される光を所定の
    割合で分配させるビーム拡張子であって、三角形状を成
    してその1頂点が前記付加された光分岐路対の内側面が
    交差する点の長手方向の位置(A−A’)で前記付加さ
    れた各光分岐路に隣接して配置され、前記出力ポート側
    に向かって幅が漸次増大するものであり、前記入力光導
    波路のクラッディング領域より高い屈折率を有する物質
    から成るものと、 を備える光パワー分割器の製造方法であって、 基板上に下部クラッドとして使われる薄膜を形成する下
    部クラッド形成過程と、 前記薄膜上に前記薄膜より屈折率が高いコアとして使わ
    れる薄膜を成長させるコア形成過程と、 選択的蝕刻工程を使用して前記光パワー分割器構造を形
    成する過程と、前記光パワー分割器構造上に上部クラッ
    ドを成長させる上部クラッド形成過程と、 から構成されることを特徴とする製造方法。
  16. 【請求項16】 前記基板の材料はSiAsおよびInPのう
    ち、いずれか1つであり、前記下部クラッド、コアおよ
    び上部クラッドは半導体薄膜よりなることを特徴とする
    請求項15に記載の製造方法。
  17. 【請求項17】 前記基板の材料はシリコンまたは溶融
    シリカであり、前記下部クラッド、コアおよび上部クラ
    ッドの材料はシリカであることを特徴とする請求項15
    に記載の製造方法。
  18. 【請求項18】 前記基板の材料はシリコンまたは溶融
    シリカであり、前記下部クラッド、コアおよび上部クラ
    ッドの材料はポリマーであることを特徴とする請求項1
    5に記載の製造方法。
  19. 【請求項19】 入力光を受け入れる一つの入力ポート
    を有し、前記入力ポートに入射された入力光を導波する
    入力導波路と、 出力光導波路であって、1つのY字型光分岐路と前記Y
    字型光分岐路に分岐路長手方向に対して両外側で前記分
    岐路の分岐領域に付加された1対の光分岐路とを備え、
    前記各光分岐路が接続される4個の出力ポートを有し、
    前記入力光導波路から入射された光を前記各出力ポート
    に出力するものと、 前記出力光導波路で前記Y字型光分岐路が分岐する領域
    に配置され、前記出力光導波路の各光分岐路に出力され
    る光を所定の割合で分配させるビーム分割子であって、
    三角形状を成してその1頂点が前記付加された光分岐路
    の内側面が交差する点に位置し前記出力ポートに向かっ
    て幅が漸次増大し、前記入力導波路及び光出力導波路の
    コア屈折率より低い屈折率を有する物質から成るもの
    と、 前記出力光導波路で前記付加された各光分岐路が分岐す
    る領域の前記導波路長手方向外側に隣接して配置され、
    前記出力光導波路の各光分岐路に出力される光を所定の
    割合で分配させるビーム拡張子であって、三角形状を成
    してその1頂点が前記付加された光分岐路に隣接し、前
    記出力ポートに向かって幅が漸次増大し、前記入力光導
    波路のクラッディング領域より高い屈折率を有する物質
    から成るものと、 を備える1×4光パワー分割器の製造方法であって、 強誘電体の基板上に前記強誘電体より屈折率が大きいコ
    ア層を形成する第1過程と、 蝕刻工程を使用して前記光パワー分割器構造を形成する
    第2過程と、 前記第2過程で形成された光導波路上に上部クラッド層
    を形成する第3過程と、 から構成されることを特徴とする製造方法。
  20. 【請求項20】 入力光を受け入れる一つの入力ポート
    を有し、前記入力ポートに入射された入力光を導波する
    入力導波路と、 出力光導波路であって、1つのY字型光分岐路と前記Y
    字型光分岐路に分岐路長手方向に対して両外側で前記分
    岐路の分岐領域に付加された1対の光分岐路とを備え、
    前記各光分岐路が接続される4個の出力ポートを有し、
    前記入力光導波路から入射された光を前記各出力ポート
    に出力するものと、 前記出力光導波路で前記Y字型光分岐路が分岐する領域
    に配置され、前記出力光導波路の各光分岐路に出力され
    る光を所定の割合で分配させるビーム分割子であって、
    三角形状を成してその1頂点が前記付加された光分岐路
    の内側面が交差する点に位置し前記出力ポートに向かっ
    て幅が漸次増大し、前記入力導波路及び光出力導波路の
    コア屈折率より低い屈折率を有する物質から成るもの
    と、 前記出力光導波路で前記付加された各光分岐路が分岐す
    る領域の前記導波路長手方向外側に隣接して配置され、
    前記出力光導波路の各光分岐路に出力される光を所定の
    割合で分配させるビーム拡張子であって、三角形状を成
    してその1頂点が前記付加された光分岐路に隣接し、前
    記出力ポートに向かって幅が漸次増大し、前記入力光導
    波路のクラッディング領域より高い屈折率を有する物質
    から成るものと、 を備える1×4光パワー分割器の製造方法であって、 強誘電体の基板上に前記光パワー分割器構造の所定領域
    の屈折率を増大させて光導波路を形成する過程と、 前記光導波路上に上部クラッド層を形成する過程と、 から構成されることを特徴とする製造方法。
  21. 【請求項21】 前記強誘電体はLiNbO3およびLiTaO3
    うちのいずれか1つであることを特徴とする請求項19
    または20に記載の製造方法。
  22. 【請求項22】 前記屈折率の増加は、前記強誘電体の
    基板内のリチウムイオンを水素イオンに置換する陽子交
    換法よりなることを特徴とする請求項20に記載の製造
    方法。
  23. 【請求項23】 前記屈折率の増加は金属薄膜を内部拡
    散させてなることを特徴とする請求項20に記載の製造
    方法。
  24. 【請求項24】 前記金属薄膜はチタニウム薄膜および
    ニッケル薄膜のうちのいずれか1つであることを特徴と
    する請求項20に記載の製造方法。
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