JP3105536B2 - 半導体レーザ治療装置 - Google Patents

半導体レーザ治療装置

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JP3105536B2 JP02326016A JP32601690A JP3105536B2 JP 3105536 B2 JP3105536 B2 JP 3105536B2 JP 02326016 A JP02326016 A JP 02326016A JP 32601690 A JP32601690 A JP 32601690A JP 3105536 B2 JP3105536 B2 JP 3105536B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はたとえば眼内の疾患部にレーザ光を照射し
て治療する半導体レーザ治療装置に関する。
[従来技術] 半導体レーザは波長が810nmであり、この半導体レー
ザ光は、可視レーザ光のアルゴンレーザ光(波長480,51
4.5nm)、ダイレーザ光(波長577〜630nm)、クリプト
ンレーザ(波長647nm)に比較して長波長である。この
ため半導体レーザ光により眼底を光凝固した場合、網膜
の深層部や脈絡膜が中心に凝固される。凝固された部位
は、網膜の深層部や脈絡膜内に凝固斑として現れてくる
がその凝固斑は顕微鏡下では見えにくく、適正な条件で
凝固した場合でも、その凝固斑が白斑として現われるの
にしばらく時間がかかる。もし照射直後に凝固斑が観察
される場合は、過剰凝固である。
[発明が解決しようとする課題] したがって半導体レーザ光の照射条件の設定は非常に
難かしく、装置を使い慣れていない人が使用すると、照
射直後の凝固斑により判断するために過剰凝固となる危
険性がある。このため特に可視レーザの使用経験は多く
ても、半導体レーザの使用経験の浅いオペレータは、半
導体レーザの照射条件の設定を正確に行って安全かつ確
実に治療することが難かしい。
この発明は、半導体レーザ光を過剰凝固にならないよ
うに治療ができる半導体レーザ治療装置を提供すること
を目的とする。
この発明は特許請求の範囲に記載の半導体レーザ治療
装置を要旨としている。
[課題を解決するための手段] 第2図を参照する。
半導体レーザ治療装置は、半導体レーザ光L1を患者の
治療部に照射して治療する。
照射条件設定記憶部13は、半導体レーザ光L1の出力よ
り低出力のレーザ光による照射条件を設定して記憶する
ためのものである。
照射条件変換部60は、照射条件設定記憶部13による照
射条件を、半導体レーザ光L1の照射条件に変換する。
変換部補正変更手段70は、照射条件を変換した上記照
射条件変換部60を補正及び変更する。
照射制御部10は、照射条件変換部60で変換された照射
条件により、半導体レーザ光L1を治療部に照射させる。
[作 用] 使い慣れた、たとえばアルゴンレーザ装置を用いた凝
固部位に対する照射条件、すなわち網膜の状態や、中心
部、周辺部等の条件を加味した照射条件を設定すること
により、予め用意された換算量を基本にして、オペレー
タは半導体レーザ光を適正に発生させるための照射条件
を設定することができる。
[実 施 例] 第1図を参照する。
この半導体レーザ治療装置は、いわゆる眼内光凝固装
置である。本体部100はフットスイッチ110と眼内プロー
ブ120を備える。本体部100は小型であり、アルゴンレー
ザ装置に比べると非常にコンパクトである。
フットスイッチ110は本体部100に内蔵された半導体レ
ーザ装置2を作動して半導体レーザ光を照射するための
スイッチである。
本体部100の半導体レーザ装置2は、レーザダイオー
ドを用いており、照射条件は、たとえば照射出力が200
〜260mW、照射時間が0.5sec、スポットサイズが1000μ
mとなっている。凝固数は200〜1200である。このレー
ザダイオードの最高出力は1W、発振波長が810nm、放射
角は28度(接合面に垂直)と13度(接合面に平行)であ
る。
半導体レーザ光を本体部100から眼に導くために眼内
プローブ120を使用する。この眼内プローブ120は先端チ
ップ部130とファイバー部104よりなる。眼内光凝固を行
う時には、強膜切開孔(白眼に開けた孔)からチップ部
130の先端部を挿入して行う。この孔は硝子体手術時に
使用するカッターを挿入する孔と同一である。
本体部100の光学系とその他の要素は第2図のように
なっている。
半導体レーザ装置2は光学系3、光ファイバー104を
介して眼E内の疾患部に半導体レーザ光L1を照射するよ
うになっている。光学系3は、3つのレンズ系150,151,
152と部分透過ミラー153を有する。エーミング用のレー
ザダイオード16は半導体レーザ光L1の照射部分を照準す
るためのエーミング光L3を半導体レーザ光L1に重ねて疾
患部に送るようになっている。
半導体レーザ装置2の半導体レーザ光L1は、たとえば
眼底の疾患部を光凝固するのに用いる。特に網膜の深層
部や脈絡膜を中心に光凝固する。
半導体レーザ装置2の半導体レーザ光L1の波長域に比
べて、一般のアルゴンレーザ装置のアルゴンレーザ光の
波長域は短い。たとえばアルゴンレーザ光の波長は480,
あるいは514.5nmである。
半導体レーザ装置2には、照射制御部10が接続されて
いる。照射制御部10には電源11と出力部12および照射条
件変換部60が接続されている。出力部12は照射条件変換
部60と照射条件設定記憶部13と表示部14に接続されてい
る。オペレータは、照射条件設定入力部15のキーボード
を用いて照射条件ともいう凝固条件を照射条件設定記憶
部13にあらかじめ記憶させる。この記憶された照射条件
は、出力部12に出力されるとともにCRTディスプレイな
どの表示部14にその数値等が表示される。
照射条件には、少なくとも半導体レーザ光L1の照射出
力と照射時間を含み、さらに好ましくは半導体レーザ光
L1のスポットサイズも含む。これらの3つの照射条件は
治療目的により変更される。たとえば、網膜症や緑内症
のような複数種類の疾患に対して、アルゴンレーザ装置
のレーザ光照射用の複数の照射条件が、あらかじめ照射
条件設定入力部15のキーボードから照射条件設定記憶部
13に設定されているのである。
照射条件変換部60には、換算プログラムが設定されて
いる。この換算プログラムは、アルゴンレーザ装置を用
いて光凝固するためにすでに照射条件設定記憶部13に記
憶されている照射条件を、半導体レーザ装置2を用いて
光凝固するための照射条件に換算するためのものであ
る。
すなわちアルゴンレーザ光の照射出力、照射時間およ
びスポットサイズが、半導体レーザ光L1用の照射出力、
照射時間およびスポットサイズに変換されるのである。
たとえば、上述のようなアルゴンレーザ光の照射出力
が200mW、照射時間が200mSの場合に、半導体レーザ光L1
の照射出力が200〜260mW、照射時間が0.3secに換算され
るのである。これにより半導体レーザ光L1による治療条
件を最適化できる。
治療条件をより最適化するためにオペレータが換算プ
ログラムを変更あるいは一時的に補正して照射時間、照
射出力、およびスポットサイズを最適化する必要がある
と判断する場合には、補性変更装置70を用いて換算プロ
グラムの内容を書き変えることができる。これによりオ
ペレータの希望仕様に合せることができる。
第3図ではある疾患を半導体レーザL1を用いて治療す
る場合のフローチャートを示している。
オペレータは第2図の電源11をスイッチオンして、選
択部20を操作し病気と病状別の照射条件設定の選択をす
る。すなわちオペレータは選択部20を操作して、照射条
件設定記憶部13内に記憶されている適切なアルゴンレー
ザ光用の照射条件を出力部12を介して照射条件変換部60
に出力する。
照射条件変換部60は、アルゴンレーザ光L2の照射条件
を、半導体レーザ光L1の照射条件に換算する。この半導
体レーザ光L1の照射条件は、照射制御部10に与えられる
と、半導体レーザ装置2が作動される。これにより半導
体レーザ光L1が眼E内の疾患部に照射され、光凝固治療
が行われる。
半導体レーザの眼内光凝固による適正凝固斑の顕眼鏡
下での観察は、非常に難しいが適正であるかどうかは凝
固後しばらくして現われる凝固斑により判断しなければ
いけない。熟練したオペレータまたは術者は、慣れによ
りこの値をある程度正確に把握することができる。しか
し、使用経験の浅いものにとっては、そういった判断が
できず、アルゴンレーザに比べ出力の大きい半導体レー
ザでは過剰凝固となる危険性がある。そこで、アルゴン
レーザ光を用いた眼内光凝固に慣れた人でも、その凝固
効果に相当する半導体レーザ光用の照射条件を換算プロ
グラムにより得ることができる。さらに経験に応じて、
換算プログラムの変更、一時的補正等により、各ユーザ
に最適なプログラムにすることができる。
第4図を参照する。
第4図は半導体レーザ治療装置の別の実施例を示して
いる。なお、第1図の実施例と同様の箇所には同じ符号
を記す。この半導体レーザ治療装置はレーザ光を患者の
眼E内の疾患部に照射して凝固するものである。半導体
レーザ治療装置は、半導体レーザ装置2と、可視レーザ
たとえばアルゴンレーザ装置40をも有している。
操作部1はスリットランプを有する眼科用の光凝固装
置である。ここでスリットランプは被検眼の眼底を高倍
率で立体的に観察するために用いられる。操作部1に対
して次の各部が設けられている。
半導体レーザ装置2は光学系3を介して光ファイバ4
に光学的に接続されている。光学系3はたとえば集光レ
ンズなどである。半導体レーザ装置2のレーザ光L1は、
光ファイバ4、光ファイバ5とハンドピース6を介して
患者の眼E内の疾患部に照射されるのである。アルゴン
レーザ装置40は、アルゴンレーザ光L2を光学系45、光フ
ァイバ50、を介して患者の眼E内の疾患部に照射できる
ようになっている。アルゴンレーザ装置40のアルゴンレ
ーザ光L2の波長域は、半導体レーザ装置2のレーザ光L1
の波長域より短い。
半導体レーザ装置2とアルゴンレーザ装置40には、照
射制御部10が接続されている。照射制御部10には電源11
と出力部12および照射条件変換部60が接続されている。
出力部12は照射条件変換部60と照射条件設定記憶部13と
表示部14に接続されている。オペレータは照射条件設定
入力部15から照射条件ともいう凝固条件を照射条件設定
記憶部13にあらかじめ記憶させる。この記憶された照射
条件は、出力部12に出力されるとともにCRTディスプレ
イなどの表示部14にその数値等が表示される。
照射条件には、少なくとも照射出力と照射時間であ
り、さらには半導体レーザ光L1またはアルゴンレーザ光
L2のスポットサイズも含む。これらの3つの照射条件は
治療目的により変更される。たとえばアルゴンレーザ装
置40のアルゴンレーザ光L2を用いる場合に、糖尿病性網
膜症の場合、照射時間が200mS、レーザ光照射出力が200
mW、レーザ光スポットサイズは200μmとなる。また、
緑内障では、照射時間が20mS、照射出力が1W、レーザ光
スポットサイズが50μmとなる。
このような網膜症や緑内障のような複数種類の疾患に
対応して、アルゴンレーザ装置40のレーザ光L2の照射用
の複数の照射条件が、あらかじめ照射条件設定入力部15
のキーボードを用いて照射条件設定記憶部13に設定され
ているのである。
オペレータは選択部20を操作することにより、照射条
件設定記憶部13内に記憶された複数の照射条件の中から
所望の照射条件を選択できる。
照射条件変換部60には、換算プログラムが設けられて
いる。この換算プログラムは、アルゴンレーザ装置40を
用いて光凝固するために、すでに照射条件設定記憶部13
に記憶されている照射条件を、半導体レーザ装置2を用
いて光凝固するための照射条件に換算するためのもので
ある。
すなわち照射条件であるアルゴンレーザ光L2の照射出
力、照射時間およびスポットサイズは、半導体レーザ光
L1用の照射出力、照射時間およびスポットサイズに変換
できる。
なお、治療条件をより最適化するためにオペレータが
換算プログラムを変更あるいは一時的に補正して照射時
間、照射出力、およびスポットサイズを最適化する必要
があると判断する場合には、補正変更装置70を用いて換
算プログラムの内容を書き変えることができる。これに
より各レーザまたはオペレータの希望仕様に合せること
ができる。
第5図では、ある疾患を半導体レーザL1を用いて治療
する場合のフローチャートを示している。
オペレータは第4図の電源11をスイッチオンして、選
択部20を操作し病気と病状別の照射条件設定の選択をす
る。すなわちオペレータは選択部20を操作して、照射条
件設定記憶部13内に記憶されている適切なアルゴンレー
ザ光L2用の照射条件を出力部12を介して照射条件変換部
60に出力する。
照射条件変換部60は、アルゴンレーザ光L2の照射条件
を、半導体レーザ光L1の照射条件に換算する。この半導
体レーザ光L1の照射条件は、照射制御部10に与えられる
と、半導体レーザ装置2が作動される。これにより半導
体レーザ光L1が眼E内の疾患部に照射され、光凝固治療
が行われる。
もし、病状をみて半導体レーザ光L1を用いるのでなく
アルゴンレーザ光L2を用いる場合には、照射条件設定記
憶部13内の選択した照射条件を、出力部12を介して照射
制御部10を作動して、アルゴンレーザ装置40を制御して
アルゴンレーザ光L2を眼E内の疾患部に付与するように
すればよい。
ところでこの発明は上述の実施例に限定されない。実
施例ではアルゴンレーザ装置と半導体レーザ装置を選択
して使用できるようにして多様な治療ができるようにな
っている。眼内治療でなく他の部位の治療にも適用でき
る。
[発明の効果] この発明によれば、使い慣れたたとえばアルゴンレー
ザ装置のレーザ光の照射条件を設定することにより、あ
らかじめ用意された照射条件変換部での換算量により使
用が難しい半導体レーザ光の照射条件に換算できる。こ
のため術者またはオペレータにとって照射条件の調整が
容易であり、半導体レーザ装置の使用経験の浅いオペレ
ータが、過剰凝固にならないような最適な照射条件で半
導体レーザ光による治療を安全かつ確実に行える。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の半導体レーザ治療装置の実施例を示
す斜視図、第2図は半導体レーザ治療装置の構成を示す
ブロック図、第3図は治療の手順を示す図、第4図はこ
の発明の半導体レーザ治療装置の別の実施例を示す図、
第5図は治療の手順の例を示す図である。 2……半導体レーザ装置 10……照射制御部 13……照射条件設定記憶部 40……アルゴンレーザ装置 60……照射条件変換部 L1……半導体レーザ光

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザ光(L1)を患者の治療部に照
    射して治療する半導体レーザ治療装置において、 上記半導体レーザ光(L1)の波長域より短い波長域であ
    るレーザ光による照射条件を設定して記憶するための照
    射条件設定記憶部(13)と、 上記照射条件設定記憶部(13)による上記照射条件を、
    上記半導体レーザ光(L1)用の照射条件に変換するため
    の照射条件変換部(60)と、 上記照射条件を変換した上記照射条件変換部(60)を補
    正及び変更する変換部補正変更手段(70)と、 上記照射条件変換部(60)により変換された上記照射条
    件により上記半導体レーザ光(L1)を照射させる照射制
    御部(10)と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ
    治療装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102244046B1 (ko) 2020-10-20 2021-04-22 최승호 분체 공급용 고정장치

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KR102244046B1 (ko) 2020-10-20 2021-04-22 최승호 분체 공급용 고정장치

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