JPH04197351A - 半導体レーザ治療装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はたとえば眼内の疾患部にレーザ光を照射して
治療する半導体レーザ治療装置に関する。

［従来技術］ 半導体レーザは波長が８］、Ｏｎｍであり、この半導体
レーザ光は、可視レーザ光のアルゴンレーザ光（波長４
８０，５１４．５ｎｍ）、ダイレーザ光（波長５７７〜
６３０ｎｍ）、クリプトンレーザ（波長６４７　ｎｍ）
に比較して長波長である。このため半導体レーザ光にょ
り眼底を光凝固した場合、網膜の深層部や脈絡膜が中心
に凝固される。凝固された部位は、網膜の深層部や脈絡
膜内に凝固斑として現れてくるがその凝固斑は顕微鏡下
では見えにくく、適正な条件で凝固した場合でも、その
凝固斑が白斑として現われるのにしばらく時間がかかる
。もし照射直後に凝固斑が観察される場合は、過剰凝固
である。

［発明が解決しようとする課題］ したがって半導体レーザ光の照射条件の設定は非常に難
かしく、装置を使い慣れていない人が使用すると、照射
直後の凝固斑により判断するために過剰凝固となる危険
性がある。

このため特に可視レーザの使用経験は多くても、半導体
レーザの使用経験の浅いオペレータは、半導体レーザの
照射条件の設定を正確に行って安全かつ確実に治療する
ことが難かしい。

この発明は、半導体レーザ光を過剰凝固にならないよう
に治療ができる半導体レーザ治療装置を提供することを
目的とする。

この発明は特許請求の範囲に記載の半導体レーザ治療装
置を要旨としている。

［課題を解決するための手段］ 第２図を参照する。

半導体レーザ治療装置は、半導体レーザ光Ｌ１を患者の
治療部に照射して治療する。

照射条件設定記憶部１３は、半導体レーザ光Ｌ　］の出
力より低出力のレーザ光による照射条件を設定して記憶
するためのものである。

照射条件変換部６０は、照射条件設定記憶部１３による
照射条件を、半導体レーザ光Ｉ。

１の照射条件に変換する。

変換部補正変更手段７０は、照射条件を変換した上記照
射条件変換部６０を補正及び変更する。

照射制御部１０は、照射条件変換部６０で変換された照
射条件により、半導体レーザ光Ｌ　］を治療部に照射さ
せる。

［作　用］ 使い慣れた、たとえはアルゴンレーザ装置を用いた凝固
部位に対する照射条件、すなわち網膜の状態や、中心部
、周辺部等の条件を加味した照射条件を設定することに
より、予め用意された換算量を基本にして、オペレータ
は半導体レーザ光を適正に発生させるための照射条件を
設定することができる。

「実　施　例」 第１図を参照する。

この半導体レーザ治療装置は、いわゆる眼内光凝固装置
である。本体部１００はフ・ソトスイッチ１１０と眼内
プローブ１２０を備える。本体部１００は小型であり、
アルゴンレーザ装置に比べると非常にコンパクトである
。

フットスイッチ」］０は本体部］ＯＯに内蔵された半導
体レーザ装置２を作動して半導体レーザ光を照射するた
めのスイッチである。

本体部１００の半導体レーザ装置２は、レーザダイオー
ドを用いており、照射条件は、たとえば照射出力が２０
０〜２６０　ｍＷ、照射時間が０．５ｓｅｃ、スポット
サイズが１０００μｍとなっている。凝固数は２００〜
１２００である。このレーザダイオードの最高出力は１
Ｗ１発振波長が８１．　Ｏｎｍ、放射角は２８度（接合
面に垂直）と１３度（接合面に平行）である。

半導体レーザ光を本体部］００から眼に導くためには眼
内プローブ１２０を使用する。

この眼内プローブ１２０は先端のチップ部１３０とファ
イバ一部１０４よりなる。眼内光凝固を行う時には、強
膜切開孔（白眼に開けた孔）からチップ部１３０の先端
部を挿入して行う。この孔は硝子体手術時に使用するカ
ッターを挿入する孔と同一である。

本体部］００の光学系とその他の要素は第２図のように
なっている。

半導体レーザ装置２は光学系３、光ファイバー１０４を
介して眼Ｅ内の疾患部に半導体レーザ光Ｌ　Ｉを照射す
るようになっている。

光学系３は、３つのレンズ系１−５０．　１５１゜１５
２と部分透過ミラー］５３を有する。エーミング用のレ
ーザダイオード１６は半導体レーザ光Ｌ　１の照射部分
を照準するためのエーミング光Ｌ　３を半導体レー′ザ
光Ｌ　］に重ねて疾患部に送るようになっている。

半導体レーザ装置２の半導体レーザ光Ｌ　１は、たとえ
ば眼底の疾患部を光凝固するのに用いる。特に網膜の深
層部や脈絡膜を中心に光凝固する。

半導体レーザ装置２の半導体レーザ光Ｌ　１の波長域に
比べて、一般のアルゴンレーザ装置のアルゴンレーザ光
の波長域は短い。たとえばアルゴンレーザ光の波長は４
８０．あるいは５１４．５ｎｍである。

半導体レーザ装置２には、照射制御部１゜が接続されて
いる。照射制御部１０には電源１−１−と出力部１２お
よび照射条件変換部６゜が接続されている。出力部１２
は照射条件変換部６０と照射条件設定記憶部１３と表示
部１４に接続されている。オペレータは、照射条件設定
入力部１５のキーボードを用いて照射条件ともいう凝固
条件を照射条件設定記憶部１３にあらかじめ記憶させる
。この記憶された照射条件は、出力部１２に出力される
とともにＣＲＴデイスプレィなどの表示部１４にその数
値等が表示される。

照射条件には、少なくとも半導体レーザ光Ｌ　１の照射
出力と照射時間を含み、さらに好ましくは半導体レーザ
光Ｌ　１のスポットサイズも含む。これらの３つの照射
条件は治療目的により変更される。たとえは、網膜症や
線内症のような複数種類の疾患に対して、アルゴンレー
ザ装置のレーザ光照射用の複数の照射条件が、あらかじ
め照射条件設定入力部１５のキーボードから照射条件設
定記憶部１３に設定されているのである。

照射条件変換部６０には、換算プログラムか設定されて
いる。この換算プログラムは、アルゴンレーザ装置を用
いて光凝固するためにすでに照射条件設定記憶部１３に
記憶されている照射条件を、半導体レーザ装置２を用い
て光凝固するための照射条件に換算するためのものであ
る。

すなわちアルゴンレーザ光の照射出力、照射時間および
スポットサイズが、半導体レーザ光Ｌ１用の照射出力、
照射時間およびスポー　９　＝ ットツイズに変換されるのである。

たとえば、上述のようなアルゴンレーザ光の照射出力が
２００　ｍＷ、照射時間が２００ｍ５の場合に、半導体
レーザ光Ｌ　］の照照射部が２００〜２６０ｍＷ１照射
時間が０．３ｓｅｃに換算されるのである。これにより
半導体レーザ光■、１−による治療条件を最適化できる
。

治療条件をより最適化するためにオペレータが換算プロ
グラムを変更あるいは一時的に補正して照射時間、照射
出力、およびスポットサイズを最適化する必要があると
判断する場合には、補正変更装置７０を用いて換算プロ
グラムの内容を書き変えることができる。

これによりオペレータの希望仕様に合せることができる
。

第３図ではある疾患を半導体レーザＬ　１を用いて治療
する場合のフローチャートを示している。

オペレータは第２図の電源１−１をスイッチオンして、
選択部２０を操作し病気と病状別の照射条件設定の選択
をする。すなわちオペレータは選択部２０を操作して、
照射条件設定記憶部１３内に記憶されている適切なアル
ゴンレーザ光用の照射条件を出力部１２を介して照射条
件変換部６０に出力する。

照射条件変換部６０は、アルゴンレーザ光Ｌ　２の照射
条件を、半導体レーザ光Ｌ１の照射条件に換算する。こ
の゛１′、導体レーザ光Ｉ、１の照射条件は、照射制御
部１０に与えられると、半導体レーザ装置２が作動され
る。これにより半導体レーザ光Ｌ　１が眼Ｅ内の疾患部
に照射され、光凝固治療が行われる。

半導体レーザの眼内光凝固による適正凝固斑の顕眼鏡下
での観察は、非常に難しいが適正であるかどうかは凝固
後しばらくして現われる凝固斑により判断しなければい
けない。

−１」　− 熟練したオペレータまたは術者は、慣れによりこの値を
ある程度正確に把握することができる。しかし、使用経
験の浅いものにとっては、そういった判断ができず、ア
ルゴンレーザに比べ出力の大きい半導体レーザでは過剰
凝固となる危険性がある。そこで、アルゴンレーザ光を
用いた眼内光凝固に慣れた人でも、その凝固効果に相当
する半導体レーザ光用の照射条件を換算プログラムによ
り得ることができる。さらに経験に応じて、換算プログ
ラムの変更、−時的補正等により、各ユーザに最適なプ
ログラムにすることができる。

第４図を参照する。

第４図は半導体レーザ治療装置の別の実施例を示してい
る。なお、第１図の実施例と同様の箇所には同じ符号を
記す。この半導体レーザ治療装置はレーザ光を患者の眼
Ｅ内の疾患部に照射して凝固するものである。半導体レ
ーザ治療装置は、半導体レーザ装置２と、可視レーザた
とえはアルゴンレーザ装置４０をも有している。

操作部１はスリットランプを有する眼科用の光凝固装置
である。ここでスリットランプは被検眼の眼底を高倍率
で立体的に観察するために用いられる。操作部１に対し
て次の各部が設けられている。

半導体レーザ装置２は光学系３を介して光ファイバ４に
光学的に接続されている。光学系３はたとえば集光レン
ズなどである。半導体レーザ装置２のレーザ光Ｌ　］−
は、光ファイバ４、光ファイバ５とハンドピース６を介
して患者の眼Ｅ内の疾患部に照射されるのである。アル
ゴンレーザ装置４０は、アルゴンレーザ光Ｌ　２を光学
系４５、光ファイバ５０、を介して患者の眼Ｅ内の疾患
部に照射できるようになっている。アルゴンレーザ装置
４〇のアルゴンレーザ光Ｌ　２の波長域は、半導体レー
ザ装置２のレーザ光Ｌ　］の波長域より短い。

半導体レーザ装置２とアルゴンレーザ装置４０には、照
射制御部１０が接続されている。

照射制御部１０には電源１１と出力部１２および照射条
件変換部６０が接続されている。

出力部１２は照射条件変換部６０と照射条件設定記憶部
１３と表示部１４に接続されている。オペレータは照射
条件設定入力部１５から照射条件ともいう凝固条件を照
射条件設定記憶部１３にあらかじめ記憶させる。この記
憶された照射条件は、出力部」２に出力されるとともに
ＣＲＴデイスプレィなどの表示部１４にその数値等が表
示される。

照射条件には、少なくとも照射出力と照射時間であり、
さらには半導体レーザ光Ｌ　１またはアルゴンレーザ光
Ｌ　２のスポットサイズも含む。これらの３つの照射条
件は治療目的により変更される。たとえばアルゴンレー
ザ装置４０のアルゴンレーザ光Ｌ　２を用いる場合に、
糖尿病性網膜症の場合、照射時間が２００ＴＩＩＳ、レ
ーザ光照射出力が２００ｍＷ、レーザ光スポットサイズ
は２００μｍとなる。また、緑内障では、照射時間が２
０ｍ５、照射出力がＩＷ、レーザ光スポットサイズが５
０μｍとなる。

このような網膜症や緑内障のような複数種類の疾患に対
応して、アルゴンレーザ装置４０のレーザ光Ｌ　２の照
射用の複数の照射条件が、あらかじめ照射条件設定入力
部１５のキーボードを用いて照射条件設定記憶部１３に
設定されているのである。

オペレータは選択部２０を操作することにより、照射条
件設定記憶部１３内に記憶された複数の照射条件の中か
ら所望の照射条件を−１，５− 選択できる。

照射条件変換部６０には、換算プログラムが設けられて
いる。この換算プログラムは、アルゴンレーザ装置４０
を用いて光凝固するために、すでに照射条件設定記憶部
１３に記憶されている照射条件を、半導体レーザ装置２
を用いて光凝固するための照射条件に換算するためのも
のである。

すなわち照射条件であるアルゴンレーザ光Ｌ　２の照射
出力、照射時間およびスポットサイズは、半導体レーザ
光Ｌ　ｌ用の照射出力、照射時間およびスポットサイズ
に変換できる。

なお、治療条件をより最適化するためにオペレータが換
算プログラムを変更あるいは一時的に補正して照射時間
、照射出力、およびスポットサイズを最適化する必要が
あると判断する場合には、補正変更装置７０を用いて換
算プログラムの内容を書き変えることかできる。これに
より各レーザまたはオペレータの希望仕様に合せること
ができる。

第５図では、ある疾患を半導体レーザＬ　］を用いて治
療する場合のフローチャートを示している。

オペレータは第４図の電源１１をスイッチオンして、選
択部２０を操作し病気き病状別の照射条件設定の選択を
する。すなわちオペレータは選択部２０を操作して、照
射条件設定記憶部１３内に記憶されている適切なアルゴ
ンレーザ光Ｌ　２用の照射条件を出力部１２を介して照
射条件変換部６０に出力する。

照射条件変換部６０は、アルゴンレーザ光Ｌ２の照射条
件を、半導体レーザ光Ｌ　Ｌの照射条件に換算する。こ
の半導体レーザ光Ｌ１の照射条件は、照射制御部１０に
与えられると、半導体レーザ装置２が作動される。これ
により半導体レーザ光Ｌ　１が眼Ｅ内の疾患部に照射さ
れ、光凝固治療が行われる。

もし、病状をみて半導体レーザ光Ｌ　１を用いるのでな
くアルゴンレーザ光Ｌ　２を用いる場合には、照射条件
設定記憶部］３内の選択した照射条件を、出力部１２を
介して照射制御部１０を作動して、アルゴンレーザ装置
４０を制御してアルゴンレーザ光Ｌ　２を眼Ｅ内の疾患
部に付与するようにすればよい。

ところでこの発明は上述の実施例に限定されない。実施
例ではアルゴンレーザ装置と半導体レーザ装置を選択し
て使用できるようにして多様な治療ができるようになっ
ている。

眼内治療でなく他の部位の治療にも適用できる。

［発明の効果］ この発明によれば、使い慣れたたとえばアルゴンレーザ
装置のレーザ光の照射条件を設定することにより、あら
かじめ用意された照射条件変換部での換算量により使用
が難しい半導体レーザ光の照射条件に換算できる。この
ため術者またはオペレータにとって照射条件の調整が容
易であり、半導体レーザ装置の使用経験の浅いオペレー
タが、過剰凝固にならないような最適な照射条件で半導
体レーザ光による治療を安全かつ確実に行える。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の半導体レーザ治療装置の実施例を示
す斜視図、第２図は半導体レーザ治療装置の構成を示す
ブロック図、第３図は治療の手順を示す図、第４図はこ
の発明の半導体レーザ治療装置の別の実施例を示す図、
第５図は治療の手順の例を示す図である。 ２・・・・・・・・・・・・半導体レーザ装置１０・・
・・・・・・・照射制御部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．半導体レーザ光（Ｌ１）を患者の治療部に照射して
   治療する半導体レーザ治療装置において、 上記半導体レーザ光（Ｌ１）の波長域より短い波長域で
   あるレーザ光による照射条件を設定して記憶するための
   照射条件設定記憶部（１３）と、 上記照射条件設定記憶部（１３）による上記照射条件を
   、上記半導体レーザ光（Ｌ１）用の照射条件に変換する
   ための照射条件変換部（６０）と、 上記照射条件を変換した上記照射条件変換部（６０）を
   補正及び変更する変換部補正変更手段（７０）と、 上記照射条件変換部（６０）により変換された上記照射
   条件により上記半導体レーザ光（Ｌ１）を照射させる照
   射制御部（１０）と、を備えたことを特徴とする半導体
   レーザ治療装置。