JP3104704B1 - Ni−W合金の連続めっき方法 - Google Patents
Ni−W合金の連続めっき方法Info
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Abstract
を老化させずに連続めっきを可能とする。 【解決手段】Ni−W合金の電気めっきにおいて、カチ
オン交換膜を用いて陽極室とめっき室に分離した2槽構
造のめっき装置を用いることにより、めっき液に含有さ
れる有機錯化剤の陽極における酸化分解を抑制する。ま
た、金属ニッケルと金属タングステンの2つの可溶性陽
極を併用し、めっき液中のニッケル成分とタングステン
成分を析出量に応じて補給することにより、めっき液を
老化させることなく連続めっきする。
Description
耗性ならびに耐食性に優れたNi−W合金の電気めっき
の形成に関するものであり、成形金型、鋳造鋳型、ロー
ルなどの厚めっきとしての工業用めっき、電子部品、装
飾性の小物などへのめっき皮膜を提供するものである。
は、タングステン成分として、タングステン酸のナトリ
ウムやアンモニウムなどの塩が用いられている。このタ
ングステン酸イオンは、めっき液のpHが4以下の酸性
になるとタングステン酸の溶解度が著しく低いため、供
せられるめっき液のpHは5から12程度に維持され
る。一方、めっき液の合金めっき成分であるニッケルイ
オン等は、このpH範囲では水酸化物を形成し沈殿して
しまう。このため、めっき液には、タングステン酸イオ
ンならびにニッケルイオンを錯化させ、めっき液中で安
定に存在させるために有機錯化剤が添加されている。こ
の有機錯化剤としては、クエン酸、マロン酸、酒石酸な
どのナトリウム、カリウム、アンモニウム塩等が用いら
れている。
には電気ニッケル、白金、ステンレス等が用いられる。
これらの陽極は、めっき過程においては、ほとんど溶解
しない。このため、めっき時においては、陽極上でクエ
ン酸などの有機錯化剤の酸化分解反応と酸素発生が生じ
る。有機錯化剤の酸化分解においては、カルボキシル基
成分の酸化による二酸化炭素発生と残存部分の酸化やア
ミノ化を受け、複雑な構造を有する有機ポリマーが生成
する。有機錯化剤が陽極で分解すると、めっき液中の錯
化剤濃度の低下によるタングステン酸塩の沈殿生成とそ
れに伴うめっき皮膜の合金成分の変動、分解生成物の蓄
積によるめっき応力の増加ならびにめっき皮膜の割れ、
ピットなどの欠陥が発生するため、一定時間電解した後
のめっき液は老化廃液として処分される。
の分解反応を抑制する陽極として金属酸化物陽極が開発
されている。このような電極としては、特開昭63−2
03800号のイリジウムとタンタル複合酸化物やルテ
ニウムとチタンの酸化物からなる貴金属酸化物などが用
いられている。これらの電極をタングステン合金めっき
に利用する場合には、めっき液中の錯化剤の分解速度は
ステンレス電極の1/5に低下できると言われている。
しかし、これらの電極は、その作製方法が複雑で高額で
あり、電極表面全体において均一な電極触媒性を維持し
たものの作製が困難であるほか、連続めっき使用におい
て電極表面の酸化物層の性能低下や電極寿命の問題など
がある。また、このような金属酸化物電極をたとえ用い
たとしても、陽極での有機錯化剤の酸化分解反応を完全
に抑制することはできず、その液寿命の延命にとどまる
ものであった。
行う場合には、不溶性の陽極を用いるため、めっき皮膜
として析出することによって消耗しためっき金属イオン
とタングステン酸イオンの補給法が必要である。陽極に
ニッケル電極を用いることによってニッケル陽極を20
から40%の効率で溶解させることは可能であるが、前
述のようにニッケル陽極ではクエン酸の分解反応が生じ
るため、連続めっきにおいて望ましいものではない。ク
エン酸の分解が起こりにくいとされるステンレスや貴金
属酸化物電極などの不溶性陽極を用いる場合には、陽極
からのニッケルの補給はない。このため、めっき時間に
応じて硫酸ニッケルなどのニッケル塩を補給しなければ
ならない。この場合、めっき時間に応じてめっき液中に
硫酸イオンが蓄積する。
テン酸イオンの補給法としては、タングステン酸のナト
リウムやアンモニウム塩などが用いられる。特開昭63
−203800号では、特にタングステン酸イオンの補
給方法としてパラタングステン酸アンモニウムとクエン
酸の混合液による補給法が提案されている。この場合に
もタングステン酸イオンの補給のために添加された塩の
成分であるナトリウムイオンならびにアンモニウムイオ
ン、クエン酸イオン等は補給につれてめっき液中に蓄積
する。特開平4−214892号ではタングステン酸塩
の連続補給装置が考案されているが、アンモニウム塩と
クエン酸分解生成物の蓄積は避けられない。めっき反応
に関係しない硫酸イオンやアンモニウムイオン、ナトリ
ウムイオン等がめっき液に一定量以上に蓄積する場合に
は、めっき液の粘性の増加、薬品の沈殿生成、めっき皮
膜の組成や物性の変化、高電流密度領域での焼け、めっ
き皮膜のピット、クラック等のめっき欠陥が生じる。こ
のため金属塩の補給は一定量に限られており、一定時間
めっきした液は、老化廃液として破棄される。
解されるギ酸などの犠牲陽極分解剤をめっき液に添加す
ることによって有機錯化剤の分解速度を低下させ、浴寿
命を延命させる方法としては特開平11−229176
号がある。この方法では、犠牲陽極分解剤の効果により
有機錯化剤の分解を抑えることが可能であるが、陽極電
流密度を2A/dm2 以下の低い領域に保たなければ、
クエン酸の分解が起こる。この電流密度は、限られため
っき槽内で達成することが難しいことが多いため、有機
錯化剤の分解を完全に抑制するものではない。また、ニ
ッケルの補給法としては、犠牲陽極分解剤の成分を含む
ギ酸ニッケルなどの薬品が使われるが、浴中のニッケル
成分を保つには補給を頻繁に繰り返す必要があり、その
間におけるめっき液組成の変動ならびに作業の煩雑さを
伴う。
グステン合金の電気めっきでは、めっき液成分である有
機錯化剤を陽極で分解させないこと、並びに、薬品補給
により硫酸イオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイ
オン等が蓄積しない連続めっき法を確立することがその
工業的利用において必要である。
における上述の欠点を克服することを目的とするもので
あり、めっき液の有効成分である有機錯化剤の酸化分解
を防止でき、また、連続めっきする場合の金属イオンを
可溶性陽極を用いて補給し、補給液の成分である硫酸イ
オン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン等を蓄積
させないようにして廃浴がでない連続めっき方法を提供
することを課題とする。
ス、白金などの不溶性陽極とめっき液が接触しないよう
にするために、陽極とめっき室の間にカチオン選択性の
隔膜を固着し、さえぎった2槽からなるめっき装置を用
いる。めっき液と陽極液をさえぎるための隔膜として
は、粒子や分子の大きさの選択性があるセロファン、布
あるいはイオン選択性のあるアニオン交換膜、カチオン
交換膜などの膜を用いることが可能である。本発明にお
いては、Ni−W合金めっき液中でのクエン酸等の有機
錯化剤の存在状態がアニオンであるためアニオンを透過
しない選択性膜として、請求項に記述したカチオン交換
膜に限定し、これを陽極室とめっき室間の隔膜として用
いる。
陽極室とめっき室とを分離すると、クエン酸などの有機
錯化剤のアニオンはカチオン交換膜を透過できない。一
方、水素イオンなどのカチオンは、カチオン交換膜を容
易に透過することができ、隔膜による大きな電気抵抗は
生じない。カチオン交換膜を用いることにより、不溶性
陽極とめっき液の直接的接触が妨げられるとともに、め
っき液のアニオンの陽極室への移動は起こらない。この
ため、連続めっきしてもめっき液の有効成分である有機
錯化剤の陽極上での酸化分解は完全に阻止することがで
きる。
硝酸ならびにその塩を除くニッケル塩あるいは硫酸など
が用いることができる。塩酸ならびに硝酸とその塩は、
不溶性陽極上で、有害な塩素ガス、酸化窒素ガスを発生
するため用いられない。ニッケルを含む硫酸塩を用いる
場合には、不溶性陽極上での酸素発生により、陽極液は
次第に希硫酸に変化する。なお、不溶性陽極で発生した
水素イオンは、通電流量に応じてカチオン交換膜を透過
することができ、めっき室に運ばれるので、陽極室濃度
は一定に保たれている。陽極室の容積は、めっき室のp
Hに影響しないように、小さいものが望まれる。また、
不溶性陽極の構造と配置は、発生した酸素ガスがすみや
かに電極から離脱し液移動が容易なメッシュ構造が望ま
しい。
連続めっきする場合には、めっき室では電析反応によ
り、めっき液中のニッケルイオンは減少する。これを補
給するために、金属ニッケル陽極が用いられる。この金
属ニッケル陽極としては、電解ニッケル、S−ニッケル
など公知のニッケルめっきに利用できる板、チップなど
が挙げられる。チップを利用する場合には、チタン製の
バスケットに入れて使用する。ニッケル陽極の溶解状態
はカチオンであるため、この金属ニッケル極の配置は、
めっき室あるいは陽極室のいずれの槽内に配置しても良
い。なお、陽極として電解ニッケル陽極を使う場合に
は、ニッケルが100%の陽極効率となるようにめっき
液に塩化物イオンを微量添加しなければならない。S−
ニッケルでは、塩化物イオンの有無にかかわらず通電し
た電気量に応じてニッケルを溶解させることができるた
め、あえて塩化物を添加する必要はない。
の取り込みによりめっき液中の濃度は減少する。めっき
液へのタングステン酸の補給法としては、タングステン
酸のナトリウム塩やアンモニウム塩などを補給する方法
がある。しかし、前述したように、これらの塩をめっき
液に連続して補給するとナトリウム、アンモニウムイオ
ンがめっき液に蓄積する。これを防止するには、金属タ
ングステンを陽極に用い、タングステン成分をめっき液
に補給する。タングステン陽極としては、板状あるいは
チップ状のものが用いられる。チップを利用する場合に
は、チタン製のバスケットに入れて使用する。
金属タングステンを陽極に用いて連続めっきするには、
金属ニッケル、金属タングステン、不溶性陽極の各電極
に流す電流を、めっき皮膜の析出反応に応じて制御する
ことが肝要である。例えば、タングステンを35wt%
含むめっき皮膜でその析出電流効率が60%であるなら
ば、めっき皮膜のタングステン析出量に応じた電流をタ
ングステン陽極に、ニッケル析出量に応じた電流をニッ
ケル陽極に、その残りの水素発生量に応じた電流を不溶
性陽極に通じる必要がある。この電流値は、Ni−W合
金めっきで得られる任意の組成のめっき皮膜に応じて変
化させることによって、連続めっきにおけるめっき液の
イオン組成、pHを一定に保つことができる。表1に、
めっき皮膜の電流効率とタングステン含有量での各陽極
への電流分担比の例を示す。
き液を汲み出し、そこで金属ニッケル陽極ならびに金属
タングステン陽極を電解して金属イオン成分を補給して
元のめっき槽に戻すような場合にも前記のめっき装置を
用いることができる。
施例1のめっき装置の構造を説明する。1はめっき室、
2は陽極室であり、陽極室2とめっき室1との間に設け
た孔3にはカチオン交換膜4を配してある。5は不溶性
陽極であり、白金チタン電極、鉛、白金、貴金属酸化電
極などが利用できる。6は金属ニッケル陽極であり、金
属板あるいはチップが用いられる。なお、ニッケルがチ
ップである場合は、一般のチタンバスケットに収納し陽
極とする。金属ニッケル陽極6の位置は、めっき室1あ
るいは陽極室2のいずれにも設置できる。7は金属タン
グステン陽極で、金属板、金属チップなどが利用でき
る。金属チップの場合には、一般のチタンバスケットに
収納し陽極とする。8はめっき品である。9,10,1
1は電流計であり、各陽極5,6,7に流れる直流電流
を計測し、計算量の電流になるように12,13,14
の直流電源を制御する。各陽極5,6,7に流れる直流
電流の制御は分配器ならびに抵抗を用いると、電源の数
を減じることができる。
ル0.2M、タングステン酸ナトリウム0.2M、クエ
ン酸アンモニウム0.4M、ギ酸ナトリウム0.2Mの
めっき液5Lを用いて、図1に示す構造のめっき装置を
用いて連続めっきを行った。不溶性陽極には、DSA電
極(酸化ルテニウム付きチタン板)とし、陽極室の液量
は約0.3Lとした。ニッケル陽極にはS−ニッケルチ
ップ(約100g)を入れたチタンバスケット、タング
ステン陽極には、金属タングステンチップ(約100
g)を入れたチタンバスケットを用いた。めっき品であ
る陰極に銅板(面積0.5dm2 )を用いて、液温65
℃、pH6.0、通電量5A(めっき電流密度10A/
dm2 )のめっき条件で連続めっきを行った。なお、め
っき時はめっきの析出効率に応じ、DSA電極に2.2
A、ニッケル電極に1.8A、タングステン電極に1.
0Aの電流を通じ、その析出量に応じて微調整した。連
続めっき時においては、ニッケルチップならびにタング
ステンチップを各陽極バスケットに適宜補給し、陽極室
に純水を補給した。電解時間100時間後においても異
臭ならびに沈殿生成はまったく認められず、めっき液の
pHの変動も0.3以下であった。得られためっき皮膜
は、図2に示すようにW含有量約35〜40%、めっき
電流効率約60%と安定していた。ニッケルならびにタ
ングステンの各陽極の溶解効率は、約102%であっ
た。また、めっき液中のクエン酸は、100時間後も減
少しなかった。
て、硫酸ニッケル0.2M、タングステン酸ナトリウム
0.2M、クエン酸アンモニウム0.4Mのめっき液
0.5Lを用いて、陽極にニッケル板、陰極に銅板と
し、液温65℃、pH6.0、通電量0.5A(めっき
電流密度10A/dm2 、陽極電流密度0.1A/dm
2 )のめっき条件で連続めっきを行った。めっき液に
は、1時間毎に、めっき皮膜析出量に応じた硫酸ニッケ
ル、タングステン酸ナトリウムを添加した。浴のpH調
整には、希硫酸ならびにアンモニア水を用いた。2時間
の電解において、めっき液は黄緑色へ変色し、さらに臭
気が発生した。電解時間15時間後では、めっき液中に
沈殿が形成され、不溶性生成物がめっき液に浮遊し、め
っき皮膜組成を維持できなくなった。得られためっき皮
膜は、図3に示すようにW含有量約32〜35%、初期
電流効率は58%であるが、15時間後には65%まで
増加した。15時間後のめっき液中のクエン酸濃度は、
約20%減少した。
て、硫酸ニッケル0.2M、タングステン酸ナトリウム
0.2M、クエン酸アンモニウム0.4M、ギ酸ナトリ
ウム0.2Mのめっき液0.5Lを用いて、陽極にニッ
ケル板、陰極に銅板とし、液温65℃、pH6.0、通
電量0.5A(めっき電流密度10A/dm2 、陽極電
流密度0.1A/dm2 )のめっき条件で連続めっきを
行った。なお、めっき液には、1時間毎に、めっき皮膜
析出量に応じたギ酸ニッケル、タングステン酸ナトリウ
ムならびに陽極で分解するギ酸計算量に応じたギ酸を添
加した。浴のpH調整には、希硫酸ならびにアンモニア
水を用いた。電解時間7時間で臭気発生がみられた。得
られためっき皮膜は、図4に示すようにW含有量約35
〜40%、めっき電流効率約60%で安定したが、40
時間後には、めっき液中のクエン酸量は約15%減少し
ていた。
チオン交換膜によって陽極室とめっき室間を仕切ること
により、クエン酸などの有機錯化剤を分解させることな
く、Ni−W合金めっきが可能となり、また、不溶性陽
極、ニッケル、タングステンの各陽極に流れる電流を制
御することによって、めっき組成ならびに電流効率を安
定させることができ、廃浴を発生させることなく連続め
っきできる。
置の概略構成図である。
置で連続めっきした場合におけるめっきの電流効率、タ
ングステン含有量ならびにめっき液中のクエン酸濃度の
経時変化を示す図である。
装置を用いた連続めっきの電流効率、タングステン含有
量ならびにめっき液中のクエン酸濃度の経時変化を示す
図である。
剤を用いた連続めっきの電流効率、タングステン含有量
ならびにめっき液中のクエン酸濃度の経時変化を示す図
である。
Claims (2)
- 【請求項1】 有機錯化剤をアニオン状態で含むNi
−W合金の電気めっき液にタングステン成分とニッケル
成分をそれぞれ補給するタングステン及びニッケルの各
可溶性陽極と、前記めっき液とカチオン交換膜を用いて
分離された電解液中の不溶性陽極とに並列的に通電する
ことを特徴とするNi−W合金の連続めっき方法。 - 【請求項2】 請求項1において、めっき皮膜のタン
グステン析出量に応じた電流をタングステン陽極に、ニ
ッケル析出量に応じた電流をニッケル陽極に、水素発生
量に応じた電流を不溶性陽極に流すことを特徴とするN
i−W合金の連続めっき方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP11341785A JP3104704B1 (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | Ni−W合金の連続めっき方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP11341785A JP3104704B1 (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | Ni−W合金の連続めっき方法 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP11341785A Expired - Lifetime JP3104704B1 (ja) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | Ni−W合金の連続めっき方法 |
Country Status (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004011698A1 (ja) * | 2002-07-25 | 2004-02-05 | Shinryo Electronics Co., Ltd. | 錫−銀−銅含有めっき液及び同めっき被膜並びにそのめっき方法 |
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1999
- 1999-12-01 JP JP11341785A patent/JP3104704B1/ja not_active Expired - Lifetime
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