JP3104680B2 - 半導体装置の封止用キャップ及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置の封止用キャップ及びその製造方法Info
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- JP3104680B2 JP3104680B2 JP10161725A JP16172598A JP3104680B2 JP 3104680 B2 JP3104680 B2 JP 3104680B2 JP 10161725 A JP10161725 A JP 10161725A JP 16172598 A JP16172598 A JP 16172598A JP 3104680 B2 JP3104680 B2 JP 3104680B2
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- Japan
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- cap
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- sealing cap
- sealing
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の封止用
キャップ及びその製造方法に係り、特に半導体基板に形
成されたキャビティを封止する半導体装置の封止用キャ
ップ及びその製造方法に関する。
キャップ及びその製造方法に係り、特に半導体基板に形
成されたキャビティを封止する半導体装置の封止用キャ
ップ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より知られている半導体装置の封止
用キャップは、上面に複数の半導体デバイスが搭載され
ているセラミック基板等の多層配線基板のメタライズパ
ターンに、ロウ材を用いてロウ接され、上記の複数の半
導体デバイスを気密封止するものがある（特開昭５９−
１６１８４７号公報）。
用キャップは、上面に複数の半導体デバイスが搭載され
ているセラミック基板等の多層配線基板のメタライズパ
ターンに、ロウ材を用いてロウ接され、上記の複数の半
導体デバイスを気密封止するものがある（特開昭５９−
１６１８４７号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、携帯電話に見ら
れる軽薄短小化が製品価値を高めるような傾向になって
おり、それに伴って封止用キャップも安価で、容量が小
さく、更にはスペース効率の良いものが求められるよう
になった。しかるに、従来の封止用キャップは、それ自
体には部品は実装されないためにある程度の容量が必要
で、小型化には一定の制約があり、また、通常は金属製
であり、多層配線基板とは材質が異なるために熱膨張や
熱ストレスに弱いという問題がある。
れる軽薄短小化が製品価値を高めるような傾向になって
おり、それに伴って封止用キャップも安価で、容量が小
さく、更にはスペース効率の良いものが求められるよう
になった。しかるに、従来の封止用キャップは、それ自
体には部品は実装されないためにある程度の容量が必要
で、小型化には一定の制約があり、また、通常は金属製
であり、多層配線基板とは材質が異なるために熱膨張や
熱ストレスに弱いという問題がある。
【０００４】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
製品容量の小型化を実現し得る半導体装置の封止用キャ
ップ及びその製造方法を提供することを目的とする。
製品容量の小型化を実現し得る半導体装置の封止用キャ
ップ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】また、本発明の他の目的は、熱膨張や熱ス
トレスに強い半導体装置の封止用キャップ及びその製造
方法を提供することにある。
トレスに強い半導体装置の封止用キャップ及びその製造
方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は半導体装置の基板本体に形成されたキャビ
ティを封止する封止用キャップにおいて、基板本体に形
成されるキャビティを打ち抜いたときに得られるキャッ
プ個片を用いて多層構造としたことを特徴とする。
め、本発明は半導体装置の基板本体に形成されたキャビ
ティを封止する封止用キャップにおいて、基板本体に形
成されるキャビティを打ち抜いたときに得られるキャッ
プ個片を用いて多層構造としたことを特徴とする。
【０００７】ここで、内層にペーストベタ印刷によりシ
ールド層が形成されていることを特徴とする。また、本
発明は、表面と裏面の少なくとも一方に、チップ部品が
搭載されることを特徴とする。
ールド層が形成されていることを特徴とする。また、本
発明は、表面と裏面の少なくとも一方に、チップ部品が
搭載されることを特徴とする。
【０００８】また、本発明方法は、セラミックシートに
回路形成に必要なパターン印刷をする第１の工程と、パ
ターン印刷された前記セラミックシートを、キャビティ
形成のために打ち抜く第２の工程と、第２の工程の打ち
抜きにより得られた複数のキャップ個片を、キャップ積
層金型に積層する第３の工程と、積層した複数のキャッ
プ個片を圧着接合する第４の工程と、圧着接合したキャ
ップを焼成して封止用キャップを製造する第５の工程と
を含むことを特徴とする。
回路形成に必要なパターン印刷をする第１の工程と、パ
ターン印刷された前記セラミックシートを、キャビティ
形成のために打ち抜く第２の工程と、第２の工程の打ち
抜きにより得られた複数のキャップ個片を、キャップ積
層金型に積層する第３の工程と、積層した複数のキャッ
プ個片を圧着接合する第４の工程と、圧着接合したキャ
ップを焼成して封止用キャップを製造する第５の工程と
を含むことを特徴とする。
【０００９】また、本発明は、第４の工程は、キャップ
積層金型及びその上の複数のキャップ個片をビニール袋
内に入れて真空パックした後、温水等方圧ラミネータに
入れて圧着接合することを特徴とする。
積層金型及びその上の複数のキャップ個片をビニール袋
内に入れて真空パックした後、温水等方圧ラミネータに
入れて圧着接合することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は本発明になる半導体装置
の封止用キャップの一実施の形態の断面図、図２は本発
明になる半導体装置の封止用キャップの一実施の形態の
外観斜視図を示す。両図中、同一構成部分には同一符号
を付してある。この実施の形態の封止用キャップである
セラミックキャップ１は多層構造であり、内層に図１及
び図２に示すように、シールド層３がペーストベタ印刷
により形成されている。セラミックキャップ１の表面１
ａと裏面１ｂのうち、裏面１ｂとこれに対向する基板本
体２とが接合ペースト４により接合され、これにより基
板本体２のキャビティ５を封止する。
て図面と共に説明する。図１は本発明になる半導体装置
の封止用キャップの一実施の形態の断面図、図２は本発
明になる半導体装置の封止用キャップの一実施の形態の
外観斜視図を示す。両図中、同一構成部分には同一符号
を付してある。この実施の形態の封止用キャップである
セラミックキャップ１は多層構造であり、内層に図１及
び図２に示すように、シールド層３がペーストベタ印刷
により形成されている。セラミックキャップ１の表面１
ａと裏面１ｂのうち、裏面１ｂとこれに対向する基板本
体２とが接合ペースト４により接合され、これにより基
板本体２のキャビティ５を封止する。
【００１１】この実施の形態のセラミックキャップ１
は、図３及び図４に示すように、その表面１ａと裏面１
ｂにそれぞれチップ部品６及び７を搭載でき、これらは
ビアホール８で互いに電気的に接続可能とされている。
これにより、製品容量を小さくできる。なお、基板本体
２のキャビティ５内にはビアチップ９が搭載され、内層
ビアホール１０を介して内層パターン１１に接続され、
また表層パターン１２が形成されている。
は、図３及び図４に示すように、その表面１ａと裏面１
ｂにそれぞれチップ部品６及び７を搭載でき、これらは
ビアホール８で互いに電気的に接続可能とされている。
これにより、製品容量を小さくできる。なお、基板本体
２のキャビティ５内にはビアチップ９が搭載され、内層
ビアホール１０を介して内層パターン１１に接続され、
また表層パターン１２が形成されている。
【００１２】図５は本発明の他の実施の形態の斜視図を
示す。この実施の形態のセラミックキャップ１１−１〜
１１−７は、内層シールド機能を有しており、集積回路
１４が搭載されている基板本体１２に設けられた７つの
キャビティ１３−１〜１３−７のそれぞれをロー付けに
より封止する。キャビティ１３−１〜１３−７内には電
子部品が実装される。
示す。この実施の形態のセラミックキャップ１１−１〜
１１−７は、内層シールド機能を有しており、集積回路
１４が搭載されている基板本体１２に設けられた７つの
キャビティ１３−１〜１３−７のそれぞれをロー付けに
より封止する。キャビティ１３−１〜１３−７内には電
子部品が実装される。
【００１３】次に、本発明になる半導体装置の封止用キ
ャップの製造方法の一実施の形態について、図６と共に
説明する。材料は本出願人が開発したＰｂフリーガラス
セラミックシートとＡｇＰｄペーストを使用した例であ
る。まず、パターン印刷を行う（ステップ）。このパ
ターン印刷工程では、図６に示すように、印刷台２１の
上にグリーンシート２２を載置し、回路形式に必要なパ
ターンのマスク２３を通してペースト２４により印刷す
る。グリーンシート１枚ずつについて図６に２５で示す
ように印刷する。この際、セラミックキャップの部分に
も必要な、ベタ、ロー付けパターンを印刷する。
ャップの製造方法の一実施の形態について、図６と共に
説明する。材料は本出願人が開発したＰｂフリーガラス
セラミックシートとＡｇＰｄペーストを使用した例であ
る。まず、パターン印刷を行う（ステップ）。このパ
ターン印刷工程では、図６に示すように、印刷台２１の
上にグリーンシート２２を載置し、回路形式に必要なパ
ターンのマスク２３を通してペースト２４により印刷す
る。グリーンシート１枚ずつについて図６に２５で示す
ように印刷する。この際、セラミックキャップの部分に
も必要な、ベタ、ロー付けパターンを印刷する。
【００１４】次に、グリーンシート１枚１枚について別
々にキャビティを形成する（ステップ）。すなわち、
このキャビティ形成工程では、キャビティの凸形状のボ
トムキャスト２６上にグリーンシート２２とキャビティ
の凹形状のアッパーキャスト２７を順次乗せ、アッパー
キャスト２７上にローラ２８を転動させてアッパーキャ
スト２７を押し込み、グリーンシート２２にボトムキャ
スト２６とアッパーキャスト２７によりキャビティを抜
く。これにより、打ち抜かれたキャビティのシート部分
がキャップ個片２９になり、キャビティ形成後のグリー
ンシートは３０で示す如くになる。
々にキャビティを形成する（ステップ）。すなわち、
このキャビティ形成工程では、キャビティの凸形状のボ
トムキャスト２６上にグリーンシート２２とキャビティ
の凹形状のアッパーキャスト２７を順次乗せ、アッパー
キャスト２７上にローラ２８を転動させてアッパーキャ
スト２７を押し込み、グリーンシート２２にボトムキャ
スト２６とアッパーキャスト２７によりキャビティを抜
く。これにより、打ち抜かれたキャビティのシート部分
がキャップ個片２９になり、キャビティ形成後のグリー
ンシートは３０で示す如くになる。
【００１５】次に、キャップ積層金型３１にキャップ個
片２９を積層する（ステップ）。続いて、積層したキ
ャップ個片２９を圧着接合する（ステップ）。すなわ
ち、この工程では、積層したキャップ個片２９を、金型
ごとビニール袋で３２で示す如く真空パックした後、Ｗ
ＩＰ（温水等方圧ラミネータ）３３の９０℃程度の温水
に入れ、約３００ｋｇの圧力をかけることにより、キャ
ップ個片を圧着接合する。これが、セラミックキャップ
になる。このシートは圧力が高いと焼成時の収縮率が小
さくなる特性を持っているため、基板の圧力より小さく
設定する。
片２９を積層する（ステップ）。続いて、積層したキ
ャップ個片２９を圧着接合する（ステップ）。すなわ
ち、この工程では、積層したキャップ個片２９を、金型
ごとビニール袋で３２で示す如く真空パックした後、Ｗ
ＩＰ（温水等方圧ラミネータ）３３の９０℃程度の温水
に入れ、約３００ｋｇの圧力をかけることにより、キャ
ップ個片を圧着接合する。これが、セラミックキャップ
になる。このシートは圧力が高いと焼成時の収縮率が小
さくなる特性を持っているため、基板の圧力より小さく
設定する。
【００１６】次に、焼成を行う（ステップ）。すなわ
ち、ＷＩＰ３３より取り出し、真空パック及び積層金型
からセラミックキャップを取り外し、そのセラミックキ
ャップ３４を焼成炉３５の中に入れ、約９００℃（シー
トとペーストとマッチングポイント）で焼成することに
より、セラミックキャップを製造する。
ち、ＷＩＰ３３より取り出し、真空パック及び積層金型
からセラミックキャップを取り外し、そのセラミックキ
ャップ３４を焼成炉３５の中に入れ、約９００℃（シー
トとペーストとマッチングポイント）で焼成することに
より、セラミックキャップを製造する。
【００１７】このように、この実施の形態では、従来は
廃材として捨てられていた打ち抜かれたキャップ個片を
基板と平行して製造し、キャップセラミックとして製造
できる。
廃材として捨てられていた打ち抜かれたキャップ個片を
基板と平行して製造し、キャップセラミックとして製造
できる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板本体に形成されるキャビティを打ち抜いたときに得
られるキャップ個片を用いて多層構造としたため、キャ
ップ用の材料費を不要にでき、よって封止用キャップを
安価に構成できる。
基板本体に形成されるキャビティを打ち抜いたときに得
られるキャップ個片を用いて多層構造としたため、キャ
ップ用の材料費を不要にでき、よって封止用キャップを
安価に構成できる。
【００１９】また、本発明によれば、表面と裏面の少な
くとも一方に、チップ部品が搭載されることを特徴とす
るため、製品容量を小さくできる。更に、本発明によれ
ば、基板とキャップが同一材料であるため、熱膨張、熱
ストレスに強い封止用キャップを得ることができる。
くとも一方に、チップ部品が搭載されることを特徴とす
るため、製品容量を小さくできる。更に、本発明によれ
ば、基板とキャップが同一材料であるため、熱膨張、熱
ストレスに強い封止用キャップを得ることができる。
【図１】本発明になる半導体装置の封止用キャップの一
実施の形態の断面図である。
実施の形態の断面図である。
【図２】本発明になる半導体装置の封止用キャップの一
実施の形態の外観斜視図である。
実施の形態の外観斜視図である。
【図３】表面と裏面にチップ部品を実装した本発明の一
実施の形態の断面図である。
実施の形態の断面図である。
【図４】表面と裏面にチップ部品を実装した本発明の一
実施の形態の斜視図である。
実施の形態の斜視図である。
【図５】本発明の他の実施の形態の斜視図である。
【図６】本発明製造方法の一実施の形態の説明図であ
る。
る。
１、１１−１〜１１−７ セラミックキャップ １ａ セラミックキャップの表面 １ｂ セラミックキャップの裏面 ２、１２ 基板本体 ３ シールド層 ４ 接合ペースト ５、１３−１〜１３−７ キャビティ ６、７ チップ部品 ８ ビアホール ９ ビアチップ ２２ グリーンシート ２８ ローラ ３３ ＷＩＰ層 ３５ 焼成炉
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体装置の基板本体に形成されたキャ
ビティを封止する封止用キャップにおいて、 前記基板本体に形成されるキャビティを打ち抜いたとき
に得られるキャップ個片を用いて多層構造としたことを
特徴とする半導体装置の封止用キャップ。 - 【請求項２】 内層にペーストベタ印刷によりシールド
層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の封止用キャップ。 - 【請求項３】 表面と裏面の少なくとも一方に、チップ
部品が搭載されることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の封止用キャップ。 - 【請求項４】 セラミックシートに回路形成に必要なパ
ターン印刷をする第１の工程と、 前記パターン印刷された前記セラミックシートを、キャ
ビティ形成のために打ち抜く第２の工程と、 前記第２の工程の打ち抜きにより得られた複数のキャッ
プ個片を、キャップ積層金型に積層する第３の工程と、 前記積層した複数のキャップ個片を圧着接合する第４の
工程と、 前記圧着接合したキャップを焼成して封止用キャップを
製造する第５の工程とを含むことを特徴とする半導体装
置の封止用キャップの製造方法。 - 【請求項５】 前記第４の工程は、前記キャップ積層金
型及びその上の複数のキャップ個片をビニール袋内に入
れて真空パックした後、温水等方圧ラミネータに入れて
圧着接合することを特徴とする請求項４記載の半導体装
置の封止用キャップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10161725A JP3104680B2 (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 半導体装置の封止用キャップ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10161725A JP3104680B2 (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 半導体装置の封止用キャップ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354663A JPH11354663A (ja) | 1999-12-24 |
| JP3104680B2 true JP3104680B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=15740706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10161725A Expired - Fee Related JP3104680B2 (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 半導体装置の封止用キャップ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3104680B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100485910C (zh) | 2004-12-02 | 2009-05-06 | 株式会社村田制作所 | 电子元器件及其制造方法 |
| JP4968079B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2012-07-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP10161725A patent/JP3104680B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11354663A (ja) | 1999-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |