JP3100499B2 - グレーティングカップラーおよびこれを有する光導波路素子 - Google Patents
グレーティングカップラーおよびこれを有する光導波路素子Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光集積回路を初めとす
る各種光デバイスにおける、光導波路部分への光結合を
行うグレーティングカップラーおよびこれを利用した光
導波路素子に関するものである。
る各種光デバイスにおける、光導波路部分への光結合を
行うグレーティングカップラーおよびこれを利用した光
導波路素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】グレーティングカップラーは導波路素子
に対し、導波路外部からの入射光を導波路内部の導波光
(導波路を伝搬する光、以下、導波モードという)に結
合させる手段として、従来から多用されている。
に対し、導波路外部からの入射光を導波路内部の導波光
(導波路を伝搬する光、以下、導波モードという)に結
合させる手段として、従来から多用されている。
【0003】例えば、図10に示すような光磁気ディス
クの信号検出用光導波路素子を考える。この場合、グレ
ーティングカップラーはディスクからの反射光をこの光
導波路素子の導波モードに結合させる役割を果たしてい
る、現在、このグレーティングカップラーには、以下に
示す二つの大きな技術上の課題がある。すなわち、 (1)導波路外部から導波路へ入射する光と導波モード
との光結合効率の向上 (2)入射光の波長変動による光結合効率の変動の抑制 という課題である。
クの信号検出用光導波路素子を考える。この場合、グレ
ーティングカップラーはディスクからの反射光をこの光
導波路素子の導波モードに結合させる役割を果たしてい
る、現在、このグレーティングカップラーには、以下に
示す二つの大きな技術上の課題がある。すなわち、 (1)導波路外部から導波路へ入射する光と導波モード
との光結合効率の向上 (2)入射光の波長変動による光結合効率の変動の抑制 という課題である。
【0004】この内、(1)の光結合効率の向上という
課題については、これまでにも、反射基板を利用する方
法やグレーティングカップラーを導波層の上下に設ける
方法等、様々な方法が提案されている。
課題については、これまでにも、反射基板を利用する方
法やグレーティングカップラーを導波層の上下に設ける
方法等、様々な方法が提案されている。
【0005】しかし、これらの方法は(2)の入射光の
波長変動による光結合効率の変動の抑制という課題に対
しては改善効果が小さい。
波長変動による光結合効率の変動の抑制という課題に対
しては改善効果が小さい。
【0006】(2)に対する具体的な対策として、入射
光の入射ビーム径を小さくする方法がよく知られてい
る。図11に、一般的なグレーティングカップラー40
0の断面を示す。このグレーティングカップラー400
は基板410上に導波層401とクラッド層402がこ
の順に積層され、クラッド層402の表面に格子周期Λ
の結合用グレーティング403が形成されている。この
ような構造のグレーティングカップラー400に入射ビ
ーム径w、波長λの入射光が入射角θiで入射した場
合、導波路の実効屈折率をNとすると、結合可能波長範
囲Δλは、下記式で示される。
光の入射ビーム径を小さくする方法がよく知られてい
る。図11に、一般的なグレーティングカップラー40
0の断面を示す。このグレーティングカップラー400
は基板410上に導波層401とクラッド層402がこ
の順に積層され、クラッド層402の表面に格子周期Λ
の結合用グレーティング403が形成されている。この
ような構造のグレーティングカップラー400に入射ビ
ーム径w、波長λの入射光が入射角θiで入射した場
合、導波路の実効屈折率をNとすると、結合可能波長範
囲Δλは、下記式で示される。
【0007】 △λ=(−0.884・COSθi/w)/(dN/dλ−1/Λ)・・・ この方法では使用する光の入射ビーム径wとの関係から
結合可能波長範囲△λに限界がある。
結合可能波長範囲△λに限界がある。
【0008】そこで、波長変動対策用として機能しうる
素子を補助的に利用することで、実質的に波長変動対策
を行う方法が考えられている。この方法について図12
を用いて説明する。
素子を補助的に利用することで、実質的に波長変動対策
を行う方法が考えられている。この方法について図12
を用いて説明する。
【0009】図12に、グレーティングカップラー50
0と波長変動補償用素子501(以下、単に補償用素子
501という)を用いた光結合素子の構成を示す。この
光結合素子のグレーティングカップラー500は、基板
503上に導波層504とクラッド層505がこの順に
積層されており、クラッド層505の表面上に結合用格
子506が周期Λdで配設されている。補償用素子50
1はクラッド層505表面上に配設角γを成して配設さ
れている。この補償用素子501の表面には周期Λaで
格子502が配設されている。この補償用素子501
に、グレーティングカップラー500に平行な方向か
ら、波長λの光が入射し、1次回析光がグレーティング
カップラー500に入射角Θで入射すると、これらγ、
Λa、λ、Θの間には下記式の関係が成立する。
0と波長変動補償用素子501(以下、単に補償用素子
501という)を用いた光結合素子の構成を示す。この
光結合素子のグレーティングカップラー500は、基板
503上に導波層504とクラッド層505がこの順に
積層されており、クラッド層505の表面上に結合用格
子506が周期Λdで配設されている。補償用素子50
1はクラッド層505表面上に配設角γを成して配設さ
れている。この補償用素子501の表面には周期Λaで
格子502が配設されている。この補償用素子501
に、グレーティングカップラー500に平行な方向か
ら、波長λの光が入射し、1次回析光がグレーティング
カップラー500に入射角Θで入射すると、これらγ、
Λa、λ、Θの間には下記式の関係が成立する。
【0010】 sinγ/λ+1/Λa=cos(Θ−γ)/λ・・・ 光源に波長変動があると、1次回析光のグレーティング
カップラー500への入射角Θは上記式を満足するよ
うに変化する。式中、補償用素子501の格子周期Λa
と補償用素子501の配設角γは波長λには関係しな
い。
カップラー500への入射角Θは上記式を満足するよ
うに変化する。式中、補償用素子501の格子周期Λa
と補償用素子501の配設角γは波長λには関係しな
い。
【0011】他方、グレーティングカップラー500に
おいて1次回析光と導波モードとの光結合効率が最大と
なるような1次回析光の入射角、すなわち最適入射角φ
は、導波層504の実効屈折率をNとして、この実効屈
折率Nが下記式を満たすような条件の下で変化する。
おいて1次回析光と導波モードとの光結合効率が最大と
なるような1次回析光の入射角、すなわち最適入射角φ
は、導波層504の実効屈折率をNとして、この実効屈
折率Nが下記式を満たすような条件の下で変化する。
【0012】sinφ+λ/Λd=N・・・ この最適入射角φの変化の方向は入射角Θの変化の方向
と一致している。従って光源に波長変動があった場合で
も、導波層504を導波モードが伝送するエネルギーの
低下を防ぐように補償用素子501を設計できる。具体
的には、補償用素子501の配設角γ、補償用素子50
1の格子周期Λaの最適値は、設計波長λd近傍におい
て、波長λの変化によってグレーティングカップラー5
00への1次回析光の入射角Θが変化する割合と最適入
射角φが変化する割合とが等しいという条件を示す下記
式、および設計波長λdにおけるグレーティングカッ
プラー500への1次回析光の入射角Θと最適入射角φ
とが等しいという条件を示す下記式を解くことによっ
て得られる。
と一致している。従って光源に波長変動があった場合で
も、導波層504を導波モードが伝送するエネルギーの
低下を防ぐように補償用素子501を設計できる。具体
的には、補償用素子501の配設角γ、補償用素子50
1の格子周期Λaの最適値は、設計波長λd近傍におい
て、波長λの変化によってグレーティングカップラー5
00への1次回析光の入射角Θが変化する割合と最適入
射角φが変化する割合とが等しいという条件を示す下記
式、および設計波長λdにおけるグレーティングカッ
プラー500への1次回析光の入射角Θと最適入射角φ
とが等しいという条件を示す下記式を解くことによっ
て得られる。
【0013】 λ=λdにおいて dΘ/dλ=dφ/dλ・・・ Θ(λd)=φ(λd)=Θd・・・ Θdは設計入射角である。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】上記した、図12に示
す方法を用いて、光源の波長変動対策を行おうとする場
合、グレーティングカップラーの他に波長変動補償用素
子が別途必要となり、装置の小型化が図れない。また、
この波長変動補償用素子への入射角は精度良く定める必
要があり、装置構成に手間がかかる。
す方法を用いて、光源の波長変動対策を行おうとする場
合、グレーティングカップラーの他に波長変動補償用素
子が別途必要となり、装置の小型化が図れない。また、
この波長変動補償用素子への入射角は精度良く定める必
要があり、装置構成に手間がかかる。
【0015】本発明は、光結合効率の向上が図られてい
るとともに、入射光の光源の波長変動対策が、波長変動
補償用素子を用いず単独で行える構成を有するグレーテ
ィングカップラーとこれを備えた光導波路素子を提供す
ることを目的とする。
るとともに、入射光の光源の波長変動対策が、波長変動
補償用素子を用いず単独で行える構成を有するグレーテ
ィングカップラーとこれを備えた光導波路素子を提供す
ることを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明のグレーティング
カップラーは、異なる伝搬定数を持つ複数の導波光が伝
搬するグレーティングカップラーであって、基板上に、
複数の導波層と、該導波層に光を閉じ込める光閉じ込め
層とが交互に形成され、該基板、該導波層、該光閉じ込
め層のいずれか一つの表面にグレーティングが設けられ
ており、そのことにより上記目的が達成される。
カップラーは、異なる伝搬定数を持つ複数の導波光が伝
搬するグレーティングカップラーであって、基板上に、
複数の導波層と、該導波層に光を閉じ込める光閉じ込め
層とが交互に形成され、該基板、該導波層、該光閉じ込
め層のいずれか一つの表面にグレーティングが設けられ
ており、そのことにより上記目的が達成される。
【0017】ある実施例では、前記導波層に外部から入
射する光の最大波長をλmax、該光の波長変動範囲をΔ
λorg、該光の入射角をθi、該グレーティングの格子周
期をΛ、該導波層に励起される全モード数をM、m次
(m=0、1、2、・・・、M−1)の導波モードの結
合中心波長をλmとした場合に、該m次の導波モードの
実効屈折率NmがNm=sinθi+λm/Λおよびλm=
λmax−(2m+1)・(Δλorg/2・M)を満足する
ように該導波層および前記隔離層の各層厚を定める。
射する光の最大波長をλmax、該光の波長変動範囲をΔ
λorg、該光の入射角をθi、該グレーティングの格子周
期をΛ、該導波層に励起される全モード数をM、m次
(m=0、1、2、・・・、M−1)の導波モードの結
合中心波長をλmとした場合に、該m次の導波モードの
実効屈折率NmがNm=sinθi+λm/Λおよびλm=
λmax−(2m+1)・(Δλorg/2・M)を満足する
ように該導波層および前記隔離層の各層厚を定める。
【0018】本発明の光導波路素子は、一つの導波層か
らなる光導波路部と接続される光導波路素子であって、
上記のグレーティングカップラーと、該グレーティング
カップラーと該一つの導波層からなる光導波路部とが接
続できるよう、該グレーティングカップラーの前記複数
の導波層の内の一つの導波層を除いた残りの導波層が、
層に沿って傾斜を成すことによって形成された接続部と
を有し、そのことにより上記目的が達成される。
らなる光導波路部と接続される光導波路素子であって、
上記のグレーティングカップラーと、該グレーティング
カップラーと該一つの導波層からなる光導波路部とが接
続できるよう、該グレーティングカップラーの前記複数
の導波層の内の一つの導波層を除いた残りの導波層が、
層に沿って傾斜を成すことによって形成された接続部と
を有し、そのことにより上記目的が達成される。
【0019】
【作用】上記のような構成によれば、多層導波層を有す
るグレーティングカップラーの各層の導波光が近接した
実効屈折率を持つ。
るグレーティングカップラーの各層の導波光が近接した
実効屈折率を持つ。
【0020】単一導波層の光導波路部と本発明に係るグ
レーティングカップラーとの接続が、このグレーティン
グカップラーのテーパ形状の層構造を有する接続部によ
って接続される。
レーティングカップラーとの接続が、このグレーティン
グカップラーのテーパ形状の層構造を有する接続部によ
って接続される。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例を示す。本実施例によ
って本発明が限定されるものではない。
って本発明が限定されるものではない。
【0022】(実施例1)本発明においては、任意のモ
ード数Mの導波路でグレーティングカップラーを構成す
ることが可能であるが、実施例1においてはグレーティ
ングカップラーが3モードの導波路を有する場合につい
て説明する。図1に本実施例1の3モード多層グレーテ
ィングカップラーの構造を示す。
ード数Mの導波路でグレーティングカップラーを構成す
ることが可能であるが、実施例1においてはグレーティ
ングカップラーが3モードの導波路を有する場合につい
て説明する。図1に本実施例1の3モード多層グレーテ
ィングカップラーの構造を示す。
【0023】このグレーティングカップラーは、基板7
上に三つの導波層2、4、6を有する。三つの導波層
2、4、6の内、最も伝搬定数の大きな導波モードが伝
搬し、伝送されるエネルギーが最も集中する導波層が主
導波層4である。この主導波層4を挟む二つの導波層を
副導波層2、6と呼ぶ。これらの各導波層2、4、6の
間は中間層3、5でしきられている。副導波層2の上部
にはクラッド層1が形成されている。このクラッド層1
の上に、結合用グレーティング8が形成されている。各
層6、5、4、3、2、1は基板7の上にスパッタリン
グ等の薄膜形成法により積層形成されるが、結合用グレ
ーティング8の位置はクラッド層1の表面に限らず、導
波路中のどの層の上に形成してもよい。副導波層2は主
導波層4と同じないしは、これより高い屈折率を持つ材
料で形成する。中間層3、5は主導波層4より低い屈折
率を持つ材料で形成する。この中間層3、5は隣接する
導波層との境界において光線光学的には光がこの境界で
全反射し、主導波層や副導波層との間のモードの相互作
用を封じる働きをする。このように、本実施例1のグレ
ーティングカップラーは高屈折率層と低屈折率層との繰
り返しの積層構造を含む。
上に三つの導波層2、4、6を有する。三つの導波層
2、4、6の内、最も伝搬定数の大きな導波モードが伝
搬し、伝送されるエネルギーが最も集中する導波層が主
導波層4である。この主導波層4を挟む二つの導波層を
副導波層2、6と呼ぶ。これらの各導波層2、4、6の
間は中間層3、5でしきられている。副導波層2の上部
にはクラッド層1が形成されている。このクラッド層1
の上に、結合用グレーティング8が形成されている。各
層6、5、4、3、2、1は基板7の上にスパッタリン
グ等の薄膜形成法により積層形成されるが、結合用グレ
ーティング8の位置はクラッド層1の表面に限らず、導
波路中のどの層の上に形成してもよい。副導波層2は主
導波層4と同じないしは、これより高い屈折率を持つ材
料で形成する。中間層3、5は主導波層4より低い屈折
率を持つ材料で形成する。この中間層3、5は隣接する
導波層との境界において光線光学的には光がこの境界で
全反射し、主導波層や副導波層との間のモードの相互作
用を封じる働きをする。このように、本実施例1のグレ
ーティングカップラーは高屈折率層と低屈折率層との繰
り返しの積層構造を含む。
【0024】図2に上記に示した図1のグレーティング
カップラーの具体的構成を示す。各構成要素に附した番
号は図1の場合と同様である。
カップラーの具体的構成を示す。各構成要素に附した番
号は図1の場合と同様である。
【0025】本実施例1のグレーティングカップラーの
主導波層4は無アルカリガラス(例えばコーニング社製
♯7059ガラス)で形成され、副導波層2、6はTa
2O5(五酸化タンタル)で形成されている。クラッド層
1と二つの中間層3、5および基板7はそれぞれSiO
2(酸化シリコン)で形成されている。
主導波層4は無アルカリガラス(例えばコーニング社製
♯7059ガラス)で形成され、副導波層2、6はTa
2O5(五酸化タンタル)で形成されている。クラッド層
1と二つの中間層3、5および基板7はそれぞれSiO
2(酸化シリコン)で形成されている。
【0026】ここで本発明のグレーティングカップラー
の光結合原理を説明する。本発明においては、導波層を
多層モードにし、各導波層の実効屈折率が近接した値を
もつようにする。そのことによって入射光がどんな波長
の入射光であってもいずれかの導波モードに結合させよ
うとするものである。図3に各導波層の実効屈折率が近
接した値をもつようにするための構成を示す。
の光結合原理を説明する。本発明においては、導波層を
多層モードにし、各導波層の実効屈折率が近接した値を
もつようにする。そのことによって入射光がどんな波長
の入射光であってもいずれかの導波モードに結合させよ
うとするものである。図3に各導波層の実効屈折率が近
接した値をもつようにするための構成を示す。
【0027】図3において、Δλorgは入射光の波長変
動範囲、λmax、λminはそれぞれ波長変動範囲の最大波
長と最小波長である。この波長変動範囲Δλorgをモー
ド数Mで等分したのが結合可能波長範囲Δλである。M
個のモードのm次(m=0、1、・・・、M−1)の結
合中心波長λmを図3のように結合可能波長範囲Δλの
中心で定義する。このような構成においてm次導波モー
ドの結合中心波長λmを最大波長λmax、次数m、結合可
能波長範囲Δλおよび全モード数Mで表すと下記式の
ようになる。
動範囲、λmax、λminはそれぞれ波長変動範囲の最大波
長と最小波長である。この波長変動範囲Δλorgをモー
ド数Mで等分したのが結合可能波長範囲Δλである。M
個のモードのm次(m=0、1、・・・、M−1)の結
合中心波長λmを図3のように結合可能波長範囲Δλの
中心で定義する。このような構成においてm次導波モー
ドの結合中心波長λmを最大波長λmax、次数m、結合可
能波長範囲Δλおよび全モード数Mで表すと下記式の
ようになる。
【0028】 λm=λmax−(2m+1)・(Δλorg/2・M)・・・ 他方、θiを入射光のグレーティングカップラーへの入
射角、Λをグレーティングカップラーの格子周期とし
て、m次のモードの実効屈折率Nmは下記式で設定さ
れる。
射角、Λをグレーティングカップラーの格子周期とし
て、m次のモードの実効屈折率Nmは下記式で設定さ
れる。
【0029】Nm=sinθi+λm/Λ・・・ さて、上記のような本発明の光結合原理に基づいて、各
層の層厚は以下のようにして決定される。
層の層厚は以下のようにして決定される。
【0030】層厚と各層の材料の屈折率とは各層の電界
成分で関連付けられる。このための詳細な理論式につい
ての説明は本発明の主眼ではないのでここでは省略する
が、この層厚(層方向の距離)と各層の材料の屈折率を
変数にもつ各層の電界成分を表す理論式に、下記表1の
各層の材料の屈折率を代入し、各層の電界成分を各層厚
で表す。本実施例1のグレーティングカップラーを構成
する上記各層の材料の設計波長λd=780nmにおけ
る屈折率を表1に示す。屈折率の波長分散特性は設計の
結果には大きく影響せず、ここでは示していない。
成分で関連付けられる。このための詳細な理論式につい
ての説明は本発明の主眼ではないのでここでは省略する
が、この層厚(層方向の距離)と各層の材料の屈折率を
変数にもつ各層の電界成分を表す理論式に、下記表1の
各層の材料の屈折率を代入し、各層の電界成分を各層厚
で表す。本実施例1のグレーティングカップラーを構成
する上記各層の材料の設計波長λd=780nmにおけ
る屈折率を表1に示す。屈折率の波長分散特性は設計の
結果には大きく影響せず、ここでは示していない。
【0031】
【表1】
【0032】そして、上記各層の電界成分を表す理論式
から、各電界成分の層の境界における値(電界成分の境
界値)が等しいという条件から、層厚を変数に含む各層
の導波モードの伝搬定数βmが求まる。この伝搬定数βm
を波数k0=2π/λ0(λ0は真空中における光の波
長)で規格化した実効屈折率Nm'=βm/k0の値と前記
式および式で定められる実効屈折率Nmの値とが近
接するようにして各層の層厚を決定する。
から、各電界成分の層の境界における値(電界成分の境
界値)が等しいという条件から、層厚を変数に含む各層
の導波モードの伝搬定数βmが求まる。この伝搬定数βm
を波数k0=2π/λ0(λ0は真空中における光の波
長)で規格化した実効屈折率Nm'=βm/k0の値と前記
式および式で定められる実効屈折率Nmの値とが近
接するようにして各層の層厚を決定する。
【0033】また、それぞれの導波モードTEmについ
て、各導波モードTEmの結合可能波長範囲Δλがおよ
そΔλorg/Mになるように式から入射ビーム径wを
定める。このことにより、波長変動範囲Δλorgで全て
の導波モードTEmと入射光との光結合効率がほぼ一定
の値になる。
て、各導波モードTEmの結合可能波長範囲Δλがおよ
そΔλorg/Mになるように式から入射ビーム径wを
定める。このことにより、波長変動範囲Δλorgで全て
の導波モードTEmと入射光との光結合効率がほぼ一定
の値になる。
【0034】すなわち、各導波モードTEmの結合中心
波長λmの境界が重なるので、境界においても各導波モ
ードTEmの光結合効率の低下はほとんど生じない。
波長λmの境界が重なるので、境界においても各導波モ
ードTEmの光結合効率の低下はほとんど生じない。
【0035】例えば、本実施例1の3モード多層構造の
グレーティングカップラーにおいて、その格子周期Λを
1μmとし、結合中心波長λm=780nmの光が入射
角θi=47゜で入射した場合を考える。導波モード
は、電界の向きが基板に平行な偏光面を持つTEmモー
ド(M=3、m=0、1、2)とし、Δλorgを20n
mとする。TE0、TE1、TE2モードそれぞれの実効
屈折率N0、N1、N2を前記式および式に基づいて
設定するとN0=1.519、N1=1.511、N2=1.
505という値になる。この実効屈折率N0、N1、N2
の値に、各層の電界成分を表す理論式から求まるN0'、
N1'、N2'の値が近い値になるように各層の層厚を決定
する。
グレーティングカップラーにおいて、その格子周期Λを
1μmとし、結合中心波長λm=780nmの光が入射
角θi=47゜で入射した場合を考える。導波モード
は、電界の向きが基板に平行な偏光面を持つTEmモー
ド(M=3、m=0、1、2)とし、Δλorgを20n
mとする。TE0、TE1、TE2モードそれぞれの実効
屈折率N0、N1、N2を前記式および式に基づいて
設定するとN0=1.519、N1=1.511、N2=1.
505という値になる。この実効屈折率N0、N1、N2
の値に、各層の電界成分を表す理論式から求まるN0'、
N1'、N2'の値が近い値になるように各層の層厚を決定
する。
【0036】この結果、本実施例1のグレーティングカ
ップラーにおいては、副導波層2の層厚t1=64n
m、副導波層6の層厚t2=60nm、主導波層4の層
厚h1=600nm、中間層3、5の層厚d2、d3はと
もに650nm、クラッド層1の層厚d1=700nm
となる。
ップラーにおいては、副導波層2の層厚t1=64n
m、副導波層6の層厚t2=60nm、主導波層4の層
厚h1=600nm、中間層3、5の層厚d2、d3はと
もに650nm、クラッド層1の層厚d1=700nm
となる。
【0037】また、結合可能波長範囲ΔλをおよそΔλ
org/3=20nm/3(≒6.6nm)とするのに必要
な入射ビーム径wは式から71μmとなる。
org/3=20nm/3(≒6.6nm)とするのに必要
な入射ビーム径wは式から71μmとなる。
【0038】さて、グレーティングカップラーでは入射
光の波長λ、格子周期Λ、導波路への入射角θiによっ
て、下記式で定義される結合最適値NBEST(入射光が
導波路内部の導波モードに最も効率良く結合する実効屈
折率)が決まる。
光の波長λ、格子周期Λ、導波路への入射角θiによっ
て、下記式で定義される結合最適値NBEST(入射光が
導波路内部の導波モードに最も効率良く結合する実効屈
折率)が決まる。
【0039】NBEST=sinθi−λ/Λ・・・ 図4に式で示される結合最適値NBESTの直線と本実施
例1の3モード多層構造のグレーティングカップラーに
伝搬し得る三つのモードTE0、TE1、およびTE2の
実効屈折率N0、N1、N2の波長特性線を示す。各導波
モードTE0、TE1、およびTE2は、結合最適値N
BESTの直線とそれぞれの波長特性線とが交差する位置の
波長λを中心に±Δλ/2の範囲の波長の入射光と結合
する。
例1の3モード多層構造のグレーティングカップラーに
伝搬し得る三つのモードTE0、TE1、およびTE2の
実効屈折率N0、N1、N2の波長特性線を示す。各導波
モードTE0、TE1、およびTE2は、結合最適値N
BESTの直線とそれぞれの波長特性線とが交差する位置の
波長λを中心に±Δλ/2の範囲の波長の入射光と結合
する。
【0040】ここで、式を用いて、それぞれのモード
の結合可能波長範囲Δλが近接するように入射ビーム径
wを定めれば、波長変動により結合最適値NBESTが変動
しても、グレーティングカップラーではいずれかの導波
モードが励起され、この励起された導波モードと結合可
能な入射光の波長範囲は実質的にグレーティングカップ
ラーに励起されるモード数倍、つまり、本実施例1の3
モード多層グレーティングカップラー(M=3)におい
ては、3・(±Δλ/2)となる。
の結合可能波長範囲Δλが近接するように入射ビーム径
wを定めれば、波長変動により結合最適値NBESTが変動
しても、グレーティングカップラーではいずれかの導波
モードが励起され、この励起された導波モードと結合可
能な入射光の波長範囲は実質的にグレーティングカップ
ラーに励起されるモード数倍、つまり、本実施例1の3
モード多層グレーティングカップラー(M=3)におい
ては、3・(±Δλ/2)となる。
【0041】いま、導波層の上面のみに格子を形成し、
この格子に入射ビーム径wが64μmの光が入射する場
合を考える。この場合、従来型のグレーティングカップ
ラーにおいては、結合可能波長範囲Δλが式からおよ
そ±3.4nmと求められる。
この格子に入射ビーム径wが64μmの光が入射する場
合を考える。この場合、従来型のグレーティングカップ
ラーにおいては、結合可能波長範囲Δλが式からおよ
そ±3.4nmと求められる。
【0042】本実施例1のグレーティングカップラーで
は、図4に示した実効屈折率の波長特性から理解される
ように、入射光と導波モードとの結合可能波長範囲Δλ
は従来型のおよそ3倍になる。
は、図4に示した実効屈折率の波長特性から理解される
ように、入射光と導波モードとの結合可能波長範囲Δλ
は従来型のおよそ3倍になる。
【0043】なお、本実施例1の積層構造においてクラ
ッド層1は基板7と同じ材料のSiO2(酸化シリコ
ン)で形成したが、このことにより、導波路の積層方向
の構造的対称性が増し、このことだけでも構造的に対称
の位置にあるTE1とTE2モードの実効屈折率N1、N2
の差を小さくできる。従って、TE0モードをTE1とT
E2モードのいずれかのモードに近づけるだけで、三つ
のモードの実効屈折率の値を接近させることができる。
ッド層1は基板7と同じ材料のSiO2(酸化シリコ
ン)で形成したが、このことにより、導波路の積層方向
の構造的対称性が増し、このことだけでも構造的に対称
の位置にあるTE1とTE2モードの実効屈折率N1、N2
の差を小さくできる。従って、TE0モードをTE1とT
E2モードのいずれかのモードに近づけるだけで、三つ
のモードの実効屈折率の値を接近させることができる。
【0044】(実施例2)実施例2においては、前記実
施例1で示したグレーティングカップラーのクラッド層
より大きい屈折率を有する材料でクラッド層を形成した
構造を採用する。屈折率の大きい材料で層を形成する
と、膜厚が薄くてもモード上は同じ効果が得られ、従っ
て、積層時間の短縮を図ることができる。ただし、クラ
ッド層を基板材と異なる材料で形成すると、前記実施例
1の項で述べた構造的対称性がくずれるので、クラッド
層は一層ではなく、内部に面した側に基板と同じ材料の
SiO2を用いた層を形成して基板との対称性を保ち、
この上にSiO2より屈折率の大きいTa2O5の層を形
成する二層構造とする。二層にしてもクラッド層の部分
については全体として膜厚を薄くすることができるの
で、積層時間の短縮をはかることができる。
施例1で示したグレーティングカップラーのクラッド層
より大きい屈折率を有する材料でクラッド層を形成した
構造を採用する。屈折率の大きい材料で層を形成する
と、膜厚が薄くてもモード上は同じ効果が得られ、従っ
て、積層時間の短縮を図ることができる。ただし、クラ
ッド層を基板材と異なる材料で形成すると、前記実施例
1の項で述べた構造的対称性がくずれるので、クラッド
層は一層ではなく、内部に面した側に基板と同じ材料の
SiO2を用いた層を形成して基板との対称性を保ち、
この上にSiO2より屈折率の大きいTa2O5の層を形
成する二層構造とする。二層にしてもクラッド層の部分
については全体として膜厚を薄くすることができるの
で、積層時間の短縮をはかることができる。
【0045】図5に本実施例2に係るグレーティングカ
ップラーの断面を示す。このグレーティングカップラー
はSiO2の基板18上に、層厚t17のTa2O5からな
る副導波層17、層厚d16のSiO2からなる中間層1
6、層厚h15の♯7059ガラスからなる主導波層1
5、層厚d14のSiO2からなる中間層14、および層
厚t1 3のTa2O5からなる副導波層13がこの順で積層
された多層導波路が形成され、この多層導波路層の最上
層の副導波層13の上に、層厚t12のSiO2からなる
第1クラッド層12、層厚t11のTa2O5からなる第2
クラッド層11がこの順で積層された2層構造のクラッ
ド層が形成されている。
ップラーの断面を示す。このグレーティングカップラー
はSiO2の基板18上に、層厚t17のTa2O5からな
る副導波層17、層厚d16のSiO2からなる中間層1
6、層厚h15の♯7059ガラスからなる主導波層1
5、層厚d14のSiO2からなる中間層14、および層
厚t1 3のTa2O5からなる副導波層13がこの順で積層
された多層導波路が形成され、この多層導波路層の最上
層の副導波層13の上に、層厚t12のSiO2からなる
第1クラッド層12、層厚t11のTa2O5からなる第2
クラッド層11がこの順で積層された2層構造のクラッ
ド層が形成されている。
【0046】そして、結合用グレーティング19が第2
クラッド層11の上に形成されている。
クラッド層11の上に形成されている。
【0047】上記した図5の構造において、入射角θi
=47.1゜、格子周期Λ=1μmとし、結合可能波長
範囲Δλ=±10nmを実現するために、三つのモード
TE0、TE1、TE2それぞれの実効屈折率N0、N1、
N2の値を1.520、1.513、1.505と設定し、
実施例1で示したのと同様の要領で各実効屈折率N0、
N1、N2の値に基づいて各層の層厚を最適化した結果、
副導波層17の層厚t17=60nm、主導波層15の層
厚h15=550nm、副導波層13の層厚t13=64n
mとなる。中間層16、14の層厚d16、d14はともに
700nm、第1クラッド層12の層厚d12は300n
m、第2クラッド層11の層厚t11は60nmとなる。
=47.1゜、格子周期Λ=1μmとし、結合可能波長
範囲Δλ=±10nmを実現するために、三つのモード
TE0、TE1、TE2それぞれの実効屈折率N0、N1、
N2の値を1.520、1.513、1.505と設定し、
実施例1で示したのと同様の要領で各実効屈折率N0、
N1、N2の値に基づいて各層の層厚を最適化した結果、
副導波層17の層厚t17=60nm、主導波層15の層
厚h15=550nm、副導波層13の層厚t13=64n
mとなる。中間層16、14の層厚d16、d14はともに
700nm、第1クラッド層12の層厚d12は300n
m、第2クラッド層11の層厚t11は60nmとなる。
【0048】本実施例2のグレーティングカップラーの
構造によれば、クラッド層全体(第1および第2のクラ
ッド層の二層)の厚さ(t11+d12)が実施例1の場合
のほぼ半分の360nmですみ、結合可能波長範囲Δλ
については実施例1と同じ効果を奏しつつ、積層時間が
短縮できる。
構造によれば、クラッド層全体(第1および第2のクラ
ッド層の二層)の厚さ(t11+d12)が実施例1の場合
のほぼ半分の360nmですみ、結合可能波長範囲Δλ
については実施例1と同じ効果を奏しつつ、積層時間が
短縮できる。
【0049】(実施例3)実施例3においては、多層導
波路(多モード)を有するグレーティングカップラーに
おいて、副導波層の材料、及び膜厚が異なり、従って、
導波路内の層に垂直な方向の導波モードの電界分布が非
対称となるような構造を有するグレーティングカップラ
ーを取り挙げる。そして、非対称構造であっても、前記
実施例で実現できた効果が実現されることを示す。
波路(多モード)を有するグレーティングカップラーに
おいて、副導波層の材料、及び膜厚が異なり、従って、
導波路内の層に垂直な方向の導波モードの電界分布が非
対称となるような構造を有するグレーティングカップラ
ーを取り挙げる。そして、非対称構造であっても、前記
実施例で実現できた効果が実現されることを示す。
【0050】本実施例3のグレーティングカップラーの
作製手順においては、先述の実施例2の対称構造のグレ
ーティングカップラーで設定された最適層厚を基に、層
の積層順序だけを変えて非対称構造を実現したものを初
期条件とする。
作製手順においては、先述の実施例2の対称構造のグレ
ーティングカップラーで設定された最適層厚を基に、層
の積層順序だけを変えて非対称構造を実現したものを初
期条件とする。
【0051】そして、この初期条件の層厚を補正最適化
するという手順をとる。この最適化は、Ta2O5層の厚
さ、主導波層の厚さはそのままで、これらの層間に介在
する層の膜厚のみを調整するものである。
するという手順をとる。この最適化は、Ta2O5層の厚
さ、主導波層の厚さはそのままで、これらの層間に介在
する層の膜厚のみを調整するものである。
【0052】図6に本実施例3に係るグレーティングカ
ップラーの断面を示す。このグレーティングカップラー
はSiO2で形成された基板28の上に、層厚h27の♯
7059ガラスからなる主導波層27、層厚d26のSi
O2からなる中間層26、層厚t25のTa2O5からなる
副導波層25、層厚d24のSiO2からなる中間層2
4、および層厚t23のTa2O5からなる副導波層23が
この順で積層された多層導波路が形成されている。この
多層導波路の最上層の副導波層23の上に、層厚d22の
SiO2からなる第1クラッド層22、層厚t21のTa2
O5からなる第2クラッド層21がこの順で積層された
2層構造のクラッド層が形成されている。各層厚は主導
波層27の層厚h27=550nm、副導波層25の層厚
t25=64nm、副導波層23の層厚t23=60nm、
中間層26の層厚d26=700nm、中間層24の層厚
d24=800nm、第1クラッド層22の層厚d22=3
00nm、第2クラッド層21の層厚t21=60nmで
ある。第2クラッド層11の上に結合用グレーティング
29が形成されている。この結合用グレーティング29
格子周期Λは実施例2と同じく1μmである。
ップラーの断面を示す。このグレーティングカップラー
はSiO2で形成された基板28の上に、層厚h27の♯
7059ガラスからなる主導波層27、層厚d26のSi
O2からなる中間層26、層厚t25のTa2O5からなる
副導波層25、層厚d24のSiO2からなる中間層2
4、および層厚t23のTa2O5からなる副導波層23が
この順で積層された多層導波路が形成されている。この
多層導波路の最上層の副導波層23の上に、層厚d22の
SiO2からなる第1クラッド層22、層厚t21のTa2
O5からなる第2クラッド層21がこの順で積層された
2層構造のクラッド層が形成されている。各層厚は主導
波層27の層厚h27=550nm、副導波層25の層厚
t25=64nm、副導波層23の層厚t23=60nm、
中間層26の層厚d26=700nm、中間層24の層厚
d24=800nm、第1クラッド層22の層厚d22=3
00nm、第2クラッド層21の層厚t21=60nmで
ある。第2クラッド層11の上に結合用グレーティング
29が形成されている。この結合用グレーティング29
格子周期Λは実施例2と同じく1μmである。
【0053】本実施例3のこのグレーティングカップラ
ーの積層構造を前記実施例2と比較すると、基板28の
材料とクラッド層(第1、第2)の構成が実施例2と同
様であり、導波層、中間層の積層順が異なっている。
ーの積層構造を前記実施例2と比較すると、基板28の
材料とクラッド層(第1、第2)の構成が実施例2と同
様であり、導波層、中間層の積層順が異なっている。
【0054】このような積層構造を有する本実施例3の
構造において、各層厚と各層の電界成分の理論式から求
めた三つのモードTE0、TE1、TE2それぞれの実効
屈折率N'0、N'1、N'2の値は1.519、1.512、
1.502となる。
構造において、各層厚と各層の電界成分の理論式から求
めた三つのモードTE0、TE1、TE2それぞれの実効
屈折率N'0、N'1、N'2の値は1.519、1.512、
1.502となる。
【0055】本実施例3のこの構造のグレーティングカ
ップラーに対し、入射角θi=47°で光を入射させる
と実施例2のグレーティングカップラーと同様の結合可
能波長範囲Δλ=±10nmが実現できた。
ップラーに対し、入射角θi=47°で光を入射させる
と実施例2のグレーティングカップラーと同様の結合可
能波長範囲Δλ=±10nmが実現できた。
【0056】本実施例3で示したように、本発明の多層
グレーティングカップラーは導波路の構造の対称性(導
波路内の基板に垂直な方向の電界分布が対称性を持
つ)、非対称性に関係なく、結合効率の拡大が図れる。
グレーティングカップラーは導波路の構造の対称性(導
波路内の基板に垂直な方向の電界分布が対称性を持
つ)、非対称性に関係なく、結合効率の拡大が図れる。
【0057】(実施例4)グレーティングカップラー
は、導波路のTEモード(電界の向きが基板に平行な偏
光面を持つ光)、TMモード(電界の向きが基板に垂直
な偏光面を持つ光)の双方が、入射光との結合において
波長変動の影響を受けにくい構造を必要とする場合があ
る。実施例4では、このような効果を奏する構造を有す
るグレーティングカップラーを採用する。図7に本実施
例4のグレーティングカップラーの断面を示す。
は、導波路のTEモード(電界の向きが基板に平行な偏
光面を持つ光)、TMモード(電界の向きが基板に垂直
な偏光面を持つ光)の双方が、入射光との結合において
波長変動の影響を受けにくい構造を必要とする場合があ
る。実施例4では、このような効果を奏する構造を有す
るグレーティングカップラーを採用する。図7に本実施
例4のグレーティングカップラーの断面を示す。
【0058】本実施例4のグレーティングカップラーは
副導波層の材料としてTa2O5ではなく、主導波層と同
じ#7059ガラスを用いた多層導波路を有する。図に
示すように、SiO2で形成された基板37の上に、層
厚h36の#7059ガラスから成る副導波層36、層厚
d35のSiO2から成る中間層35、層厚h34の#70
59ガラスから成る主導波層34、層厚d33のSiO2
から成る中間層33、層厚h32の#7059ガラスから
成る副導波層32、層厚d31のSiO2から成るクラッ
ド層31がこの順に積層形成されている。格子周期Λは
1μmである。この構造において導波層36の層厚h36
を380nm、導波層34の層厚h34=430nm、導
波層32の層厚h32=380nm、中間層35、36の
層厚d35、d36はそれぞれ600nm、クラッド層31
の層厚d31=200nmとし、電界成分の理論式から算
出したTEモードの各実効屈折率N'E0、N'E1、N'E2
はそれぞれ1.502、1.491、1.481となり、
TMモードの各実効屈折率N'M0、N'M 1、N'M2は1.4
96、1.485、1.471となった。
副導波層の材料としてTa2O5ではなく、主導波層と同
じ#7059ガラスを用いた多層導波路を有する。図に
示すように、SiO2で形成された基板37の上に、層
厚h36の#7059ガラスから成る副導波層36、層厚
d35のSiO2から成る中間層35、層厚h34の#70
59ガラスから成る主導波層34、層厚d33のSiO2
から成る中間層33、層厚h32の#7059ガラスから
成る副導波層32、層厚d31のSiO2から成るクラッ
ド層31がこの順に積層形成されている。格子周期Λは
1μmである。この構造において導波層36の層厚h36
を380nm、導波層34の層厚h34=430nm、導
波層32の層厚h32=380nm、中間層35、36の
層厚d35、d36はそれぞれ600nm、クラッド層31
の層厚d31=200nmとし、電界成分の理論式から算
出したTEモードの各実効屈折率N'E0、N'E1、N'E2
はそれぞれ1.502、1.491、1.481となり、
TMモードの各実効屈折率N'M0、N'M 1、N'M2は1.4
96、1.485、1.471となった。
【0059】このような構造のグレーティングカップラ
ーにおいて、TEモードに対し、結合中心波長λm=7
80nmの光を入射角θi=46°で入射させたときの
結合可能波長範囲Δλは±12nmとなった。また、T
Mモードに対して結合中心波長λm=780nmの光を
入射角θi=45°で入射させたときには、767nm
から792nmの範囲の波長(結合可能波長範囲Δλ=
25nmでほぼλ=780nm±12nm)にわたって
導波モードとの結合が実現できた。
ーにおいて、TEモードに対し、結合中心波長λm=7
80nmの光を入射角θi=46°で入射させたときの
結合可能波長範囲Δλは±12nmとなった。また、T
Mモードに対して結合中心波長λm=780nmの光を
入射角θi=45°で入射させたときには、767nm
から792nmの範囲の波長(結合可能波長範囲Δλ=
25nmでほぼλ=780nm±12nm)にわたって
導波モードとの結合が実現できた。
【0060】このように、本発明は導波路のTEモード
とTMモードの双方において、入射光の波長変動の影響
を受けにくい多層グレーティングカップラーを提供でき
る。 (実施例5)実施例5においては本発明の多層グレーテ
ィングカップラーを、入射光と導波路の導波モードとを
結合させる光導波路素子に用いた例を説明する。本実施
例5においては、最も利用分野の広い単一モード光導波
路(導波路を伝搬し得るモードが基本モードのみ)に光
結合を行わせる光導波路素子を取り挙げるが、実施にあ
たっては、これに限定されるものではなく、多モード光
導波路にも適用可能である。この単一モードの光導波路
に光を結合させる多層グレーティングカップラーとして
は、実施例1で取り挙げた図2のものを例にとる。単一
モード光導波路素子はSiO2基板、#7059ガラス
導波層、SiO2クラッド層がこの順に積層して形成さ
れた構成のものとする。
とTMモードの双方において、入射光の波長変動の影響
を受けにくい多層グレーティングカップラーを提供でき
る。 (実施例5)実施例5においては本発明の多層グレーテ
ィングカップラーを、入射光と導波路の導波モードとを
結合させる光導波路素子に用いた例を説明する。本実施
例5においては、最も利用分野の広い単一モード光導波
路(導波路を伝搬し得るモードが基本モードのみ)に光
結合を行わせる光導波路素子を取り挙げるが、実施にあ
たっては、これに限定されるものではなく、多モード光
導波路にも適用可能である。この単一モードの光導波路
に光を結合させる多層グレーティングカップラーとして
は、実施例1で取り挙げた図2のものを例にとる。単一
モード光導波路素子はSiO2基板、#7059ガラス
導波層、SiO2クラッド層がこの順に積層して形成さ
れた構成のものとする。
【0061】図8に、本実施例5に係る光導波路素子の
断面を示す。この光導波路素子は、図に示すように、基
板200上に、この基板200面に沿ってカップラー部
201、接続部202および単一モード光導波路部20
3がこの順に並置されている。カップラー部201は実
施例1で取り挙げた図2の場合と同じ構造を有し、接続
部202は、基板200上に形成された副導波層204
がカップラー部201との接続面での層厚を最大とし、
隣接する単一モード光導波路部203との境界面で層厚
が0となる形状のテーパーを有する。この副導波層20
4上に形成された中間層205、主導波層206および
中間層207は、上記のテーパーに沿って、カップラー
部201との接合部での層厚のままで、単一モード光導
波路部203に達している。中間層207の上に形成さ
れたもう一つの副導波層208はカップラー部201と
の接合面での層厚を最大とし、隣接する単一モード光導
波路部203との境界面で層厚が0となる形状のテーパ
ーを有する。副導波層208上に形成されたクラッド層
209はこの副導波層208に沿って、カップラー部2
01との接合部での層厚のままで、単一モード光導波路
部203に達している。
断面を示す。この光導波路素子は、図に示すように、基
板200上に、この基板200面に沿ってカップラー部
201、接続部202および単一モード光導波路部20
3がこの順に並置されている。カップラー部201は実
施例1で取り挙げた図2の場合と同じ構造を有し、接続
部202は、基板200上に形成された副導波層204
がカップラー部201との接続面での層厚を最大とし、
隣接する単一モード光導波路部203との境界面で層厚
が0となる形状のテーパーを有する。この副導波層20
4上に形成された中間層205、主導波層206および
中間層207は、上記のテーパーに沿って、カップラー
部201との接合部での層厚のままで、単一モード光導
波路部203に達している。中間層207の上に形成さ
れたもう一つの副導波層208はカップラー部201と
の接合面での層厚を最大とし、隣接する単一モード光導
波路部203との境界面で層厚が0となる形状のテーパ
ーを有する。副導波層208上に形成されたクラッド層
209はこの副導波層208に沿って、カップラー部2
01との接合部での層厚のままで、単一モード光導波路
部203に達している。
【0062】接続部202の副導波層204、208が
上記のように断面が導波方向にテーパーをなす形状を有
するので、この光導波路素子は、多モードのカップラー
部201が単一モード光導波路部203に形状的に接続
可能となっている。
上記のように断面が導波方向にテーパーをなす形状を有
するので、この光導波路素子は、多モードのカップラー
部201が単一モード光導波路部203に形状的に接続
可能となっている。
【0063】カップラー部201で励起された各導波モ
ードはテーパ状接続部202を通ることで単一モード光
導波路部203の導波モードに変換される。これは、屈
折率の大きい副導波層204、208が接続部202に
おいて、導波方向に沿って徐々に薄くなるため、副導波
層204、208の導波モードが持つエネルギーの一部
の閉じ込め効果が徐々に失われることによるものであ
る。こうして、最終的には多モードのカップラー部20
1の各層で励起された導波モードがすべて単一モード導
波路部203側の基本モードに変換される。
ードはテーパ状接続部202を通ることで単一モード光
導波路部203の導波モードに変換される。これは、屈
折率の大きい副導波層204、208が接続部202に
おいて、導波方向に沿って徐々に薄くなるため、副導波
層204、208の導波モードが持つエネルギーの一部
の閉じ込め効果が徐々に失われることによるものであ
る。こうして、最終的には多モードのカップラー部20
1の各層で励起された導波モードがすべて単一モード導
波路部203側の基本モードに変換される。
【0064】(実施例6)実施例6においては、カップ
ラー部301に、先述の実施例3で取り挙げた図6に示
す、非対称構造の多モードグレーティングカップラーを
用いた光導波路素子を採用する。図9に本実施例6に係
る光導波路素子示す。本実施例6の素子においては、カ
ップラー部301と単一モード導波路部303との接続
に、3層のテーパ状の高屈折率層を含むテーパ状接続部
302を用いている。本実施例6においても、高屈折率
の副導波層304、305、306をテーパ状に薄く形
成することにより、先述の実施例5の場合と同様な原理
によって、副導波層304、305、306の導波モー
ドの持つエネルギーの一部を閉じ込める効果が弱まり、
単一モード導波路部303における基本モードへの変換
が可能となる。
ラー部301に、先述の実施例3で取り挙げた図6に示
す、非対称構造の多モードグレーティングカップラーを
用いた光導波路素子を採用する。図9に本実施例6に係
る光導波路素子示す。本実施例6の素子においては、カ
ップラー部301と単一モード導波路部303との接続
に、3層のテーパ状の高屈折率層を含むテーパ状接続部
302を用いている。本実施例6においても、高屈折率
の副導波層304、305、306をテーパ状に薄く形
成することにより、先述の実施例5の場合と同様な原理
によって、副導波層304、305、306の導波モー
ドの持つエネルギーの一部を閉じ込める効果が弱まり、
単一モード導波路部303における基本モードへの変換
が可能となる。
【0065】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のグレーテ
ィングカップラーにおいては、カップラー部が多層構造
を有し、各導波層の実効屈折率が近接した値を有するの
で、入射光が設定変動波長内のどんな波長であっても、
導波路のいずれかの導波モードにこれを結合させること
ができる。すなわち、光源の波長変動によって光結合効
率が変動(低下)しない。
ィングカップラーにおいては、カップラー部が多層構造
を有し、各導波層の実効屈折率が近接した値を有するの
で、入射光が設定変動波長内のどんな波長であっても、
導波路のいずれかの導波モードにこれを結合させること
ができる。すなわち、光源の波長変動によって光結合効
率が変動(低下)しない。
【0066】また、任意のモード数が得られるので、入
射ビーム径が同じでも、多層構造を利用しないグレーテ
ィングカップラーのモード数倍の波長変動許容幅が得ら
れる。 このような本発明のグレーティングカップラー
を用いれば、他の素子を使わず、グレーティングカップ
ラー部分単独で波長変動対策が行えるので、光結合機能
を有する光導波路素子の小型化が図れる。
射ビーム径が同じでも、多層構造を利用しないグレーテ
ィングカップラーのモード数倍の波長変動許容幅が得ら
れる。 このような本発明のグレーティングカップラー
を用いれば、他の素子を使わず、グレーティングカップ
ラー部分単独で波長変動対策が行えるので、光結合機能
を有する光導波路素子の小型化が図れる。
【図1】本発明に係るグレーティングカップラーの原理
を示すための断面図。
を示すための断面図。
【図2】本実施例1に係るグレーティングカップラーの
断面図。
断面図。
【図3】本発明の光結合原理を示す図。
【図4】実効屈折率と波長との関係(実効屈折率の波長
特性)を示す図。
特性)を示す図。
【図5】本実施例2に係るグレーティングカップラーの
断面図。
断面図。
【図6】本実施例3に係るグレーティングカップラーの
断面図。
断面図。
【図7】本実施例4に係るグレーティングカップラーの
断面図。
断面図。
【図8】本実施例5に係るグレーティングカップラーの
断面図。
断面図。
【図9】本実施例6に係るグレーティングカップラーの
断面図。
断面図。
【図10】光磁気ディスクの信号検出用光導波路素子の
斜視図。
斜視図。
【図11】一般的なグレーティングカップラーの一例を
示す図。
示す図。
【図12】補償用素子とグレーティングカップラーとの
組合せで構成された光導波路素子の断面図。
組合せで構成された光導波路素子の断面図。
1 クラッド層 2、6 副導波層 3、5 中間層 4 主導波層 7 基板 8 結合用グレーティング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 圭男 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 倉田 幸夫 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−96605(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/34 G02B 6/122
Claims (3)
- 【請求項1】 異なる伝搬定数を持つ複数の導波光が伝
搬するグレーティングカップラーであって、 基板上に、複数の導波層と、該導波層に光を閉じ込める
光閉じ込め層とが交互に形成され、該基板、該導波層、
該光閉じ込め層のいずれか一つの表面にグレーティング
が設けられたグレーティングカップラー。 - 【請求項2】 前記導波層に外部から入射する光の最大
波長をλmax、該光の波長変動範囲をΔλorg、該光の入
射角をθi、該グレーティングの格子周期をΛ、該導波
層に励起される全モード数をM、m次(m=0、1、
2、・・・、M−1)の導波モードの結合中心波長をλ
mとした場合に、該m次の導波モードの実効屈折率Nmが
Nm=sinθi+λm/Λおよびλm=λmax−(2m+
1)・(Δλorg/2・M)を満足するように該導波層
および前記隔離層の各層厚が定められた請求項1に記載
のグレーティングカップラー。 - 【請求項3】 一つの導波層からなる光導波路部と接続
される光導波路素子であって、 請求項1または2のいずれかに記載のグレーティングカ
ップラーと、 該グレーティングカップラーと該一つの導波層からなる
光導波路部とが接続できるよう、該グレーティングカッ
プラーの前記複数の導波層の内の一つの導波層を除いた
残りの導波層が、層に沿って傾斜を成すことによって形
成された接続部とを有する光導波路素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29567793A JP3100499B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | グレーティングカップラーおよびこれを有する光導波路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29567793A JP3100499B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | グレーティングカップラーおよびこれを有する光導波路素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07146418A JPH07146418A (ja) | 1995-06-06 |
JP3100499B2 true JP3100499B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=17823765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29567793A Expired - Fee Related JP3100499B2 (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | グレーティングカップラーおよびこれを有する光導波路素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3100499B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2877884A2 (en) * | 2012-07-25 | 2015-06-03 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Method to optimize a light coupling waveguide |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI128573B (en) * | 2018-03-28 | 2020-08-14 | Dispelix Oy | Waveguide display element |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP29567793A patent/JP3100499B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP2877884A2 (en) * | 2012-07-25 | 2015-06-03 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Method to optimize a light coupling waveguide |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07146418A (ja) | 1995-06-06 |
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