JP3100112B2 - 導波路型縮小イメージセンサ - Google Patents
導波路型縮小イメージセンサInfo
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Description
み取る光学装置に使用されるイメージセンサに関し、特
に光導波路を用いた縮小型イメージセンサに関する。
ナ、デジタル複写機等で使用される画像の読み取り装置
の需要の増加に伴い、画像情報を電気信号に変換する一
次元イメージセンサの高性能化と小型化が要望されてい
る。従来、ファクシミリ等の一次元イメージセンサに
は、大別して、レンズによりCCD面上に1次元イメー
ジ像を縮小投影する縮小型と、1対1の光学系を用いて
等倍の結像画像を読み取る密着型(等倍型とも呼ばれ
る)の2種類の構造が利用されている。また、縮小型と
して、レンズに替え光導波路アレイを利用する導波路型
縮小イメージセンサが提案されている。
EDを直線状に配置したLEDアレイや、蛍光灯等の直
線状光源が広く用いられている。
明図である。原稿1は、直線上に配置された発光ダイオ
ード(以下、LEDと略す)アレイまたは蛍光灯等の直
線状の光源7により照明され、原稿1からの反射光はレ
ンズ40によりCCD等の光電変換素子アレイ30上に
縮小結像される。光電変換素子アレイ30は縮小結像さ
れた原稿のイメージ情報を時系列の電気信号に変換して
出力する。
換素子アレイ31の検出器は読み取り幅全体を覆うよう
に配置され、光源7で照射された原稿1からの反射光は
直接又はロットレンズアレイ41を介して光電変換素子
アレイ31に入射され、イメージ情報を電気信号に変換
する。
型イメージセンサの問題点を解決するため、導波路型縮
小イメージセンサが、特開平6−94336号公報に開
示されている。図10は導波路型縮小イメージセンサの
概略を示す図、図11は平面図である。原稿面幅に形成
されたマイクロレンズアレイ4と、入力画像から光電変
換素子アレイまで光を導く複数の3次元導波路(以下、
単に導波路と呼ぶ)が形成された光導波路基板2と光電
変換素子アレイ3を備え、導波路の入射端のピッチより
も出射端のピッチを狭くすることにより縮小画像を得る
ものである。導波路型イメージセンサは、結合光学系、
光導波路基板、光電変換素子アレイを一体化することに
より、組み立て時の調整が不要となり、耐震性に優れて
おり、低価格とすることができる。
メージセンサの分解能は、光電変換素子アレイ30の画
素ピッチとレンズ性能によって決定され、読み取り分解
能200dpi(1インチ当たり200ドット)、読み
取り幅256mmの場合は、原稿1と光電変換素子アレ
イ30までの距離(行路長)dは約330mmとなる。
縮小型イメージセンサは低価格であり高速読み取りが可
能である反面、レンズ40により集光する為、素子サイ
ズが大きく小型化できない、光学系の調整が複雑であり
1台毎に調整を必要とする。
ら光電変換素子アレイ31までの距離(行路長)dは小
さく、調整が不要という利点を有する反面、光電変換素
子アレイの寸法が大きく、また光電変換素子アレイを駆
動する複雑な電子回路が必要であり、このため低価格化
が困難である。
ンサの構成では、導波路への光結合部(導波路入射端
面)及び導波路側面凹凸の散乱による漏れ光が光電変換
素子アレイ3に入射した場合、ノイズレベルが上昇し、
S/N(信号/ノイズ比)の低下を招く。
27個直線状に配置されたLEDアレイが使用され、図
10に示すように、発生された光が原稿面に対し45度
に入射する位置に置かれている。LEDアレイは点光源
から直接原稿面を照射する構造であり、小型軽量化が困
難である、照射むらが発生する、照射光の広がりによる
エネルギー損失が大きい(低電圧駆動、低消費電力化が
困難)等の問題がある。
非結合光及び散乱光による光電変換信号のS/Nの低下
を防ぐ導波路型光検出手段と、均一な照射光量の得られ
る導波路型直線状光源を提供するとともに、これらを一
体化した小型・高性能な導波路型縮小イメージセンサを
提供することを目的とする。
目的は、読み取るべき原稿に光を照射する光源手段と前
記原稿からの反射光を検出して電気信号に変換する光検
出手段とを有する導波路型縮小イメージセンサであっ
て、前記光検出手段は、前記反射光の入射面に直線状に
配置されており前記反射光を集光するマイクロレンズの
アレイと、前記反射光の入射面と直交する面に設けられ
ており光を電気信号に変換する光電変換素子のアレイ
と、前記マイクロレンズによって集光された光を前記光
電変換素子に導くL字型の光導波路のアレイが設けられ
た光導波路基板とを備える導波路型縮小イメージセンサ
であり、前記光電変換素子のアレイは前記光導波路基板
の前記反射光の入射面と直交する一方の面に配置されて
いることを特徴とする請求項1に記載の導波路型縮小イ
メージセンサによって達成される。
べき原稿に光を照射する光源手段と前記原稿からの反射
光を検出して電気信号に変換する光検出手段とを有する
導波路型縮小イメージセンサであって、前記光検出手段
は、前記反射光の入射面に直線状に配置されており前記
反射光を集光するマイクロレンズのアレイと、前記反射
光の入射面と直交する面に設けられており光を電気信号
に変換する光電変換素子のアレイと、前記マイクロレン
ズによって集光された光を前記光電変換素子に導くL字
型の光導波路のアレイが設けられた光導波路基板とを備
える導波路型縮小イメージセンサであり、前記光電変換
素子のアレイは前記光導波路基板の前記反射光の入射面
と直交する2つの面に分割して配置されていることを特
徴とする請求項2に記載の導波路型縮小イメージセンサ
によって達成される。
べき原稿に光を照射する光源手段と前記原稿からの反射
光を検出して電気信号に変換する光検出手段とを有する
導波路型縮小イメージセンサであって、前記光源手段
は、光を発光する発光素子と、前記発光素子からの光を
原稿に直線状に照射するよう導く複数の光導波路が設け
られた光導波路基板とを備える導波路型縮小イメージセ
ンサであり、前記光導波路基板は前記導波路の夫々の発
光素子側の面に設けられたテーパ状導波路と前記導波路
の各照射側の面に接続されたプレーナ型導波路とを含ん
でおり、前記発光素子と前記光導波路基板との間にシリ
ンドリカルレンズが備えられていることを特徴とする請
求項3に記載の導波路型縮小イメージセンサによって達
成される。
べき原稿に光を照射する光源手段と前記原稿からの反射
光を検出して電気信号に変換する光検出手段とを有する
導波路型縮小イメージセンサであって、前記光源手段
は、光を発光する発光素子と、前記発光素子からの光を
原稿に直線状に照射するよう導く複数の光導波路が設け
られた光導波路基板とを備える導波路型縮小イメージセ
ンサであり、前記発光素子は前記光導波路基板の照射面
に直交する2つの面に分割して配置されていることを特
徴とする請求項4に記載の導波路型縮小イメージセンサ
によって達成される。
べき原稿に光を照射する光源手段と前記原稿からの反射
光を検出して電気信号に変換する光検出手段とを有する
導波路型縮小イメージセンサであって、前記光源手段
は、光を発光する発光素子と、前記発光素子からの光を
原稿に直線状に照射するよう導く複数の光導波路が設け
られた第1の光導波路基板とを備えており、前記光検出
手段は、前記反射光の入射面に直線状に配置されており
前記反射光を集光するマイクロレンズのアレイと、前記
反射光の入射面と直交する面に設けられており光を電気
信号に変換する光電変換素子のアレイと、前記マイクロ
レンズによって集光された光を前記光電変換素子に導く
L字型の光導波路のアレイが設けられた第2の光導波路
基板とを備えており、前記第1の光導波路基板と前記第
2の光導波路基板とが張り合わされていることを特徴と
する請求項5に記載の導波路型縮小イメージセンサによ
って達成される。
においては、光源手段により読み取るべき原稿に光が照
射され、マイクロレンズのアレイの夫々により反射光が
集光され、光導波路のアレイにより集光された光が対応
する光電変換素子に導かれ、各光電変換素子により導か
れた光が電気信号に変換される。光検出手段がマイクロ
レンズのアレイと光電変換素子のアレイとL字型の光導
波路が設けられた光導波路基板とで構成されていること
により、原稿面からの反射光をマイクロレンズアレイ等
の結合光学系により導波路に入射させる際の非結合光
が、光電変換素子アレイに迷光として入射することによ
る信号劣化を防ぐことができる。また、従来の導波路型
イメージセンサの構成に比べ、光導波路の曲がり部は1
ヶ所で済むため、導波路の曲がり部による光の損失を低
減することができる。ここで、光導波路のアレイにより
集光された光が光導波路基板の入射光と直交する一方の
面に配置された対応する光電変換素子に導かれる。光電
変換素子のアレイが光導波路基板の一方の面に配置され
ていることにより、光検出手段の構成が簡略化され、低
コストの導波路型縮小イメージセンサを提供することが
可能となる。
ンサにおいては、光導波路のアレイにより集光された光
が光導波路基板の入射光と直交する2つの面に分割して
配置された対応する光電変換素子に導かれる。光電変換
素子のアレイが光導波路基板の2つの面に分割して配置
されていることにより、光導波路を左右に分けて設ける
ことが可能となり、光導波路基板の幅を縮小することが
できるとともに、最長導波路の伝搬損失を半減すること
ができる。
ンサにおいては、シリンドリカルレンズにより発光素子
の発生した光がテーパ状導波路に集められ、テーパ状導
波路により光が光導波路に導かれ、光導波路の各照射面
側に接続されたプレーナ型導波路により、原稿に光が照
射される。これにより、均一な照射光強度分布を得るこ
とができると共に、発光素子の光を効率よく使用するこ
とが可能となり、発光素子の個数を減少させて低消費電
力化を図ることができる。
ンサにおいては、光導波路基板の照射面に直交する2つ
の面に分割して発光素子が配置される。これにより、光
導波路を左右に分けて設けることが可能となり、光導波
路基板の幅を縮小することができるとともに、最長導波
路の伝搬損失を半減することができる。
ンサにおいては、第1の光導波路基板に設けられた複数
の光導波路により発光素子の光が原稿に直線状に照射す
るよう導かれ、マイクロレンズのアレイの夫々により反
射光が集光され、第2の光導波路基板に設けられた光導
波路のアレイにより集光された光が対応する光電変換素
子に導かれ、各光電変換素子により導かれた光が電気信
号に変換される。第1の光導波路基板と第2の光導波路
基板とを張り合わせて一体化することにより、イメージ
センサを小型化出来るとともに、結合光学系、光導波路
基板、光電変換素子、光源が一体化されているため、組
み立て/調整が不要となり、製造工程を簡略化でき、耐
震性に優れたイメージセンサを提供することができる。
導波路基板に設けられる光導波路は、イオン拡散法、射
出成型法等により容易に任意の大きさの光導波路を作製
することができ、原稿幅に対応するイメージセンサが低
コストで作製可能となる。
の実施の形態を詳細に説明する。
piの分解能をもつG3型ファクシミリ用1次元イメー
ジセンサ(スキャン幅256mm:B4用紙対応)に適
用した例であり、光電変換素子としては、14μmピッ
チ、2048ピクセルの日本電気株式会社(NEC)製
のμPD3743Dを用いている。
サの第1の実施の形態の構成を説明する図である。図1
の導波路型イメージセンサは、導波路型光検出部と導波
路型直線状光源から構成されている。
波路型光検出部の構成を示す平面図である。光検出部
は、原稿1からの反射光を光導波路基板2の入射面に集
光するマイクロレンズアレイ4と、集光された光をCC
Dアレイ3に導く光導波路の設けられた光導波路基板2
と、導かれた光を電気信号に変換して出力する光電変換
素子であるCCDアレイ3とから構成されている。
×2mmのサイズであり、2048本の導波路が設けら
れている。入射端面21での各導波路ピッチは127μ
mであり、入射面21とこれと直交する出射面22に垂
直となるようL字型に形成されている。出射側端面の各
導波路のピッチは14μmである。導波路のコア部は幅
8μm、深さ8μmの矩形であり、屈曲部23の曲率半
径は2mmである。
報に開示されているキャピラリ法で作製する。
PMMA(polymethylmethacryla
te)を用い、導波路コア材料にはPMMAよりも屈折
率の大きいDAI(diallyl isophthl
alate)を使用した。
8μmの矩形導波路溝を上記パターンに形成した基板
(パターン基板)を作製し、次いで、図6に示すように
パターン基板と平面基板(PMMA基板)を導波路面側
が平面基板と密着するよう治具によりクランプする。
過酸化ベンゾイルを含むDAIモノマを使用し、クラン
プ基板とモノマ溶液を真空室中に設置する。真空室内を
10-4Torrの真空度まで排気し、DAIモノマ溶液
の脱ガス処理を行った後、上記クランプ基板の片方の開
口端をモノマ溶液に浸し、真空から大気圧まで除々に変
化するように真空室内をリークし、導波路溝にモノマ溶
液を充填する。その後、オーブンにより85℃の温度で
6時間加熱してDAIモノマ溶液を高分子化し、クラン
プ治具から取り外し、入射端面及び出射端面を研磨して
光導波路基板を作製する。
導波路では、PMMA高分子の屈折率は1.49、DA
Iの屈折率は1.59であった。これより、本導波路の
NA(開口数)は次の式、 NA=((n(コア))2 −n(クラッド)2 )1/2 から、0.55と見積もられる。
/cmであった。
m(B4原稿幅)にわたって、導波路ピッチと同様に直
径127μmのマイクロレンズが2048個直線状に設
けられている。
量の84%が以下に示す式(1)で示される直径wの円
盤状に集光されることが理論的に知られている。
波長であり、ここでは570nmである。ここではNA
が0.15のマイクロレンズを使用しており、従って直
径4.6μmに集光することができる。また、マイクロ
レンズに使用したガラス基板の厚さは、光導波路基板入
射端面で集光するように0.45mm厚としている。
ズのNAは0.15、導波路のNAは0.55であるか
ら、NAの不整合による結合損失は発生せず、原稿面か
らの反射光はマイクロレンズにより導波路と理想的に結
合することができる。
イ4、及びCCDアレイ3をそれぞれ基板屈折率と近い
屈折率を有する光学用接着剤、例えば東洋インキ製造株
式会社製LA−3556紫外線硬化型接着剤等により接
着し、光検出部を作製する。
検証するため、導波路出力光パターンを測定した結果を
図7に示す。光源は、従来のLEDアレイを使用し、白
色原稿の反射光を検出している。図6aは本発明の光検
出部の出力光パターンであり、図6bは図11の従来型
の出力光パターンである。従来型はノイズレベルが大き
くC/N(キャリア/ノイズ比)が小さい。一方、第1
の実施の形態の光検出部では、信号光ピーク強度は従来
型と同等であるがノイズレベルが低く、従って従来型に
比べ大きなC/Nが得られている。従来型でノイズレベ
ルが高いのは光源からの導波路非結合光等による迷光が
原因である。本発明の光検出部では、上記迷光の影響を
減少させることができ、C/Nの改善、従ってS/N
(信号/ノイズ比)の向上に効果のあることが判る。
面図である。図5は光源部6の周辺の構造を示す拡大図
である。導波路型直線状光源は、光源部6と導波路とプ
レーナ導波路から成る光導波路基板5から構成されてい
る。
×2mmのサイズであり、複数のL字型導波路51と原
稿面幅(260mm)に形成されたプレーナ導波路52
から構成されている。
部53及びLED光入射面54に垂直になるよう90度
に曲げられた導波路55を有している。第1の実施の形
態では、13本のL字型導波路が出射端(プレーナ導波
路結合部)間隔20mmで形成されており、更に入射側
には入射端面で広く、L字型導波路結合端で狭くなるテ
ーパ導波路56が形成されている。テーパ部広がり角は
1度である。ここでL字型導波路は、光検出部と同様8
μm×8μmの矩形に形成されている。
レーナ導波路結合部までの損失が異なるため、同一光量
を導波させると導波長に依存して出射光量が変化する。
照射光量を均一化するため、プレーナ導波路結合部で光
量が一定になるようテーパ導波路の端面での開口幅d1
を、光源に近くL字型導波路での伝搬損失の小さい導波
路に対しては狭く、導波長の長いL字型導波路では広く
することにより光量調整を行っている。
と導波路伝搬損失から設計することができる。例えば、
第1の実施の形態では、最も光源に近いL字型導波路5
6aでは開口幅約530μm、隣接L字導波路56bで
は約550μm、最も導波長の長いL字型導波路56c
では約920μmに形成されている。また、テーパ部の
長さ及び導波路間隔は各々テーパ導波路開口幅で変化し
ており、テーパ部広がり角(片側1度)と導波路開口幅
から設計することができる。例えば、第1の実施の形態
では、L字型導波路56aテーパ部長は1.52mm、
L字型導波路56bテーパ部長は1.58mm、導波路
間隔は540μmである。
導波路結合面幅240mm、出射端幅260mm、幅1
5mmで形成され、両端にはテーパ部が設けられてい
る。導波路結合面53には、既に述べた通り20mm間
隔で13本のL字型導波路が結合されている。L字型導
波路からの導波光は片側約33度の角度でプレーナ導波
路52に出射される。プレーナ導波路幅は、プレーナ導
波路出射面での光量を均一化するため、L字型導波路出
射光のプレーナ導波路出射面での広がり幅がL字型導波
路間隔と同じ20mmとなるように設計されている。従
って、プレーナ導波路幅を縮小するためには、プレーナ
導波路に結合されているL字型導波路間隔を縮小するこ
と、即ち導波路本数を増やすことで対応することがで
き、例えば、導波路間隔を10mm、導波路本数を26
本とすればプレーナ導波路幅は約7.5mmとすること
ができる。
たLEDアレイ61とシリンドリカルレンズ62から構
成され、光導波路基板5の入射端面に設けられている。
図5にLEDアレイからの光入射面の概略構成図を示
す。第1の実施の形態の光源部は、5個のLEDを直線
状に配し、NA0.15のシリンドリカルレンズにより
ストライプ状に集光される。
ンドリカルレンズによりテーパ導波路を有する光導波基
板入射面に集光し、L字導波路を導波してプレーナ導波
路内を導波路NAで決まる広がり角で伝搬し均一化さ
れ、プレーナ導波路端面から出射される。
平6−300807号公報に開示されているキャピラリ
法により、これまで述べた構成で作製した。
のため従来のLEDアレイ光源(LEDを直線状に27
個等間隔で配置した構造)の照度(L)分布を測定し
た。照度偏差ΔLは、式 ΔL=((LMAX −LMIN )/(LMAX +LMIN ))×
100 で定義される。従来型での最大照度偏差は約18%であ
るのに対し、導波路型光源では約10%であり、照射光
量分布の改善が図られていることが判る。
よれば、原稿面からの反射光をマイクロレンズアレイ等
の結合光学系により導波路に入射させる際の非結合光
が、光電変換素子アレイに迷光として入射することによ
る信号劣化を防ぐことができる。また、図11の導波路
型イメージセンサの構成に比べ、導波路の曲がり部は1
カ所で済み、曲がり導波路部での損失を低減することが
できる。
によれば、照射光量偏差の小さい照射光量の均一な直線
状光源を得ることができる。更に、LEDの個数を減少
させることができ、従って低消費電力化を図ることがで
きる。また、従来のLEDを等間隔で並べた光源に比べ
薄型化することができ、導波路型光検出部と組み合わせ
ることにより、小型・軽量なイメージセンサを構成する
ことができる。
組み立て、調整が不要となり、製造工程を簡略化できる
とともに耐震性に優れたイメージセンサを提供すること
ができる。
法等により容易に大きい原稿幅に対応するものが低コス
トで作製可能となる。
サの第2の実施の形態を図を参照しながら説明する。
明するための平面図である。図3は光検出部を示す図で
あり、光電変換素子アレイが2分割され、各々1024
本の導波路が結合されている。これにより、導波路基板
幅は、25mmから12.5mmに半減することができ
る。
り、光検出部と同様、光源部を2分割して導波路を分け
ることにより、導波路基板幅を25mmから20mmと
することができる。さらに、第1の実施の形態で述べた
通り、導波路の本数を2倍とし結合導波路間隔を10m
mとすれば導波路基板幅を17.5mmとすることがで
きる。また、光源を2分割することにより、最長導波路
長を半分にすることができ、導波損失を半減させること
ができる。
ことができ、これにより更に小型の導波路型縮小イメー
ジセンサを構成することができる。
定されるものではなく、本発明の範囲内で上記実施の形
態に多くの修正及び変更を加え得ることも可能である。
センサによれば、原稿面からの反射光をマイクロレンズ
アレイ等の結合光学系により導波路に入射させる際の非
結合光が、光電変換素子アレイに迷光として入射するこ
とによる信号劣化を防ぐことができる。また、従来の導
波路型イメージセンサの構成に比べ、光導波路の曲がり
部は1ヶ所で済み、導波路の曲がり部による光の損失を
低減することができる。また、光検出手段の構成が簡略
化され、低コストの導波路型縮小イメージセンサを提供
することが可能となる。
ンサによれば、光導波路を左右に分けて設けることが可
能となり、光導波路基板の幅を縮小することができると
ともに、最長導波路の伝搬損失を半減することができ
る。
ンサによれば、均一な照射光強度分布を得ることができ
ると共に、発光素子の光を効率よく使用することが可能
となり、発光素子の個数を減少させて低消費電力化を図
ることができる。
ンサによれば、光導波路を左右に分けて設けることが可
能となり、光導波路基板の幅を縮小することができると
ともに、最長導波路の伝搬損失を半減することができ
る。
ンサによれば、光検出手段と光源手段とを張り合わせて
一体化することにより、イメージセンサを小型化出来る
とともに、結合光学系、光導波路基板、光電変換素子、
光源が一体化されているため、組み立て/調整が不要と
なり、製造工程を簡略化でき、耐震性に優れたイメージ
センサを提供することができる。
導波路基板に設けられる光導波路は、イオン拡散法、射
出成型法等により容易に任意の大きさの光導波路を作製
することができ、原稿幅に対応するイメージセンサが低
コストで作製可能となる。
の形態の構成図である。
成を示す平面図である。
の形態の光検出部の構成を示す平面図である。
る。
る。
る。
である。
を示す平面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 読み取るべき原稿に光を照射する光源手
段と前記原稿からの反射光を検出して電気信号に変換す
る光検出手段とを有する導波路型縮小イメージセンサで
あって、前記光検出手段は、前記反射光の入射面に直線
状に配置されており前記反射光を集光するマイクロレン
ズのアレイと、前記反射光の入射面と直交する面に設け
られており光を電気信号に変換する光電変換素子のアレ
イと、前記マイクロレンズによって集光された光を前記
光電変換素子に導くL字型の光導波路のアレイが設けら
れた光導波路基板とを備える導波路型縮小イメージセン
サであり、 前記光電変換素子のアレイは前記光導波路基板の前記反
射光の入射面と直交する一方の面に配置されている こと
を特徴とする導波路型縮小イメージセンサ。 - 【請求項2】 読み取るべき原稿に光を照射する光源手
段と前記原稿からの反射光を検出して電気信号に変換す
る光検出手段とを有する導波路型縮小イメージセンサで
あって、前記光検出手段は、前記反射光の入射面に直線
状に配置されており前記反射光を集光するマイクロレン
ズのアレイと、前記反射光の入射面と直交する面に設け
られており光を電気信号に変換する光電変換素子のアレ
イと、前記マイクロレンズによって集光された光を前記
光電変換素子に導くL字型の光導波路のアレイが設けら
れた光導波路基板とを備える導波路型縮小イメージセン
サであり、 前記光電変換素子のアレイは前記光導波路基板の前記反
射光の入射面と直交する2つの面に分割して配置されて
いることを特徴とする導波路型縮小イメージセンサ。 - 【請求項3】 読み取るべき原稿に光を照射する光源手
段と前記原稿からの反射光を検出して電気信号に変換す
る光検出手段とを有する導波路型縮小イメージセンサで
あって、前記光源手段は、光を発光する発光素子と、前
記発光素子からの光を原稿に直線状に照射するよう導く
複数の光導波路が設けられた光導波路基板とを備える導
波路型縮小イメージセンサであり、 前記光導波路基板は前記導波路の夫々の発光素子側の面
に設けられたテーパ状導波路と前記導波路の各照射側の
面に接続されたプレーナ型導波路とを含んでお り、前記
発光素子と前記光導波路基板との間にシリンドリカルレ
ンズが備えられていることを特徴とする 導波路型縮小イ
メージセンサ。 - 【請求項4】 読み取るべき原稿に光を照射する光源手
段と前記原稿からの反射光を検出して電気信号に変換す
る光検出手段とを有する導波路型縮小イメージセンサで
あって、前記光源手段は、光を発光する発光素子と、前
記発光素子からの光を原稿に直線状に照射するよう導く
複数の光導波路が設けられた光導波路基板とを備える導
波路型縮小イメージセンサであり、 前記発光素子は前記光導波路基板の照射面に直交する2
つの面に分割して配置されている ことを特徴とする導波
路型縮小イメージセンサ。 - 【請求項5】 読み取るべき原稿に光を照射する光源手
段と前記原稿からの反射光を検出して電気信号に変換す
る光検出手段とを有する導波路型縮小イメージセンサで
あって、前記光源手段は、光を発光する発光素子と、前
記発光素子からの光を原稿に直線状に照射するよう導く
複数の光導波路が設けられた第1の光導波路基板とを備
えており、前記光検出手段は、前記反射光の入射面に直
線状に配置されており前記反射光を集光するマイクロレ
ンズのアレイと、前記反射光の入射面と直交する面に設
けられており光を電気信号に変換する光電変換素子のア
レイと、前記マイクロレンズによって集光された光を前
記光電変換素子に導くL字型の光導波路のアレイが設け
られた第2の光導波路基板とを備えており、前記第1の
光導波路基板と前記第2の光導波路基板とが張り合わさ
れていることを特徴とする導波路型縮小イメージセン
サ。
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- 1995-07-13 JP JP07177732A patent/JP3100112B2/ja not_active Expired - Fee Related
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