JP3098371B2 - 半導体結晶成長方法 - Google Patents
半導体結晶成長方法Info
- Publication number
- JP3098371B2 JP3098371B2 JP05330428A JP33042893A JP3098371B2 JP 3098371 B2 JP3098371 B2 JP 3098371B2 JP 05330428 A JP05330428 A JP 05330428A JP 33042893 A JP33042893 A JP 33042893A JP 3098371 B2 JP3098371 B2 JP 3098371B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- selective growth
- semiconductor
- atoms
- growth
- semiconductor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体結晶成長方法に
関し、特に半導体層の原子レベルでの規則度（自然超格
子）を形成・制御し、これにより半導体層の物性特性例
えばエネルギーギャッップ・光学異方性・電気伝導等を
従来技術に比較して大きく変化・制御させる事を可能と
する、選択結晶成長方法に関する。
関し、特に半導体層の原子レベルでの規則度（自然超格
子）を形成・制御し、これにより半導体層の物性特性例
えばエネルギーギャッップ・光学異方性・電気伝導等を
従来技術に比較して大きく変化・制御させる事を可能と
する、選択結晶成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体におい
て半導体基板上にＳｉＯ2 、ＳｉＮX等でストライプ状
にパターンを形成し、その露出部分へＭＯＶＰＥ，ＭＢ
Ｅ，ＶＰＥ法等を用いて、部分的に半導体層を選択成長
する事が試みられている（図３参照）。例えば、第５回
ＩｎＰ国際会議（５ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｉｎｄｉｕｍ Ｐｈｏｓ
ｐｈｉｄｅ ａｎｄｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ，１９９３）４４−４７，５２−５５頁に記載があ
る。この場合、飛来した成長寄与原子・分子種の表面の
脱吸着・マイグレーションの違い（拡散距離の違い）に
より、選択成長部での半導体層の組成を変化させる事が
可能となる。図３には、ＭＯＶＰＥ成長におるＩｎＧａ
Ａｓ半導体層のエネルギーギャップの選択マスク幅依存
性を示す。ここで飛来したＩｎ、Ｇａ原子において、Ｉ
ｎ原子は拡散距離が長くＧａ原子よりも選択成長部への
到達確率が高い。このため選択マスク幅が狭い程、選択
成長部でのＩｎ原子依存確率が増加しエネルギーギャッ
プが減少（Ｉｎ組成大）する。
て半導体基板上にＳｉＯ2 、ＳｉＮX等でストライプ状
にパターンを形成し、その露出部分へＭＯＶＰＥ，ＭＢ
Ｅ，ＶＰＥ法等を用いて、部分的に半導体層を選択成長
する事が試みられている（図３参照）。例えば、第５回
ＩｎＰ国際会議（５ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ
Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｉｎｄｉｕｍ Ｐｈｏｓ
ｐｈｉｄｅ ａｎｄｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ，１９９３）４４−４７，５２−５５頁に記載があ
る。この場合、飛来した成長寄与原子・分子種の表面の
脱吸着・マイグレーションの違い（拡散距離の違い）に
より、選択成長部での半導体層の組成を変化させる事が
可能となる。図３には、ＭＯＶＰＥ成長におるＩｎＧａ
Ａｓ半導体層のエネルギーギャップの選択マスク幅依存
性を示す。ここで飛来したＩｎ、Ｇａ原子において、Ｉ
ｎ原子は拡散距離が長くＧａ原子よりも選択成長部への
到達確率が高い。このため選択マスク幅が狭い程、選択
成長部でのＩｎ原子依存確率が増加しエネルギーギャッ
プが減少（Ｉｎ組成大）する。
【０００３】この様な選択成長技術は、基板平面内で２
次元的にエネルギーギャップの異なる領域形成を可能に
するもので、種々のデバイス応用が為されている。
次元的にエネルギーギャップの異なる領域形成を可能に
するもので、種々のデバイス応用が為されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、選択成長層の
エネルギーギャップ変化は、選択成長部での特定原子の
成長寄与確率増加による。従来技術において更なる応用
拡大を図るには、より大きな組成変化（エネルーギャッ
プ変化）が２次元内で形成される事が要求される。しか
しながら、特定原子が増加すると基板格子定数に対する
不整合を招き良質な単結晶エピタキシャル層が形成でき
ない。それ故、実際にはそれ程大きなエネルーギャップ
変化を得る事が出来ない。
エネルギーギャップ変化は、選択成長部での特定原子の
成長寄与確率増加による。従来技術において更なる応用
拡大を図るには、より大きな組成変化（エネルーギャッ
プ変化）が２次元内で形成される事が要求される。しか
しながら、特定原子が増加すると基板格子定数に対する
不整合を招き良質な単結晶エピタキシャル層が形成でき
ない。それ故、実際にはそれ程大きなエネルーギャップ
変化を得る事が出来ない。
【０００５】更に、従来技術においてはエネルギーギャ
ップ変化のみであるが、光学異方性・電気伝導等の他の
物質特性を基板平面内で２次元的に制御出来れば、光集
積回路等での大きな利用拡大がはかれる。
ップ変化のみであるが、光学異方性・電気伝導等の他の
物質特性を基板平面内で２次元的に制御出来れば、光集
積回路等での大きな利用拡大がはかれる。
【０００６】本発明の目的は、これらの問題点を解決し
て、大きなエネルギーギャップ変化を制御性良く選択成
長領域に生じせしめる、更には光学異方性・電気伝導等
の他の物質特性を基板平面内で２次元的に制御する、半
導体結晶成長方法に関する。
て、大きなエネルギーギャップ変化を制御性良く選択成
長領域に生じせしめる、更には光学異方性・電気伝導等
の他の物質特性を基板平面内で２次元的に制御する、半
導体結晶成長方法に関する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体結晶成長
方法は、半導体基板上の選択成長マスクを介して選択的
に自然超格子半導体層を形成する半導体結晶成長方法で
あって、選択成長部幅或いはマスク幅により前記自然超
格子半導体層の原子秩序度を制御することを特徴とす
る。
方法は、半導体基板上の選択成長マスクを介して選択的
に自然超格子半導体層を形成する半導体結晶成長方法で
あって、選択成長部幅或いはマスク幅により前記自然超
格子半導体層の原子秩序度を制御することを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】本発明は、上述の手段をとる事により従来技術
の課題を解決した。
の課題を解決した。
【０００９】図１には、本発明による半導体結晶成長方
法を示す。半導体基板１上にＳｉＯ2 ，ＳｉＮX 等でス
トライプ状にパターンを形成しマスク部２とし、マスク
が開にされた露出部分へＭＯＶＰＥ，ＭＢＥ，ＶＰＥ等
の結晶成長方法を用いて、部分的に半導体層を選択成長
させ、ここで、本発明の特徴は、半導体層成長条件によ
り原子レベルの規則度（自然超格子度）を制御する事に
ある。
法を示す。半導体基板１上にＳｉＯ2 ，ＳｉＮX 等でス
トライプ状にパターンを形成しマスク部２とし、マスク
が開にされた露出部分へＭＯＶＰＥ，ＭＢＥ，ＶＰＥ等
の結晶成長方法を用いて、部分的に半導体層を選択成長
させ、ここで、本発明の特徴は、半導体層成長条件によ
り原子レベルの規則度（自然超格子度）を制御する事に
ある。
【００１０】飛来した成長寄与原子は、基板表面での脱
吸着・マイグレーションの違いにより、選択成長部への
到達確率及び選択成長部での存在確率が変化する。ま
た、半導体結晶においてある成長条件下においては、構
成原子が特定面方位方向に秩序度を有して積層する事が
知られている（自然超格子）。これがエネルギーギャッ
プ・光学異方性・電気伝導異方性等の物性に影響を与
え、且つ秩序度の程度が物性変化量を支配している。自
然超格子は、経験的には成長温度・Ｖ／ＩＩＩ比等の成
長条件最適化により形成可能である。その形成機構は、
基板面上のステップ端における特定原子の選択的取り込
み及びＶ族原子の表面配列構造（Ｖ／ＩＩＩ比或いはＶ
族圧力に依存）が重要である。
吸着・マイグレーションの違いにより、選択成長部への
到達確率及び選択成長部での存在確率が変化する。ま
た、半導体結晶においてある成長条件下においては、構
成原子が特定面方位方向に秩序度を有して積層する事が
知られている（自然超格子）。これがエネルギーギャッ
プ・光学異方性・電気伝導異方性等の物性に影響を与
え、且つ秩序度の程度が物性変化量を支配している。自
然超格子は、経験的には成長温度・Ｖ／ＩＩＩ比等の成
長条件最適化により形成可能である。その形成機構は、
基板面上のステップ端における特定原子の選択的取り込
み及びＶ族原子の表面配列構造（Ｖ／ＩＩＩ比或いはＶ
族圧力に依存）が重要である。
【００１１】本発明では、選択成長部に自然超格子半導
体層を形成させる事により、原子秩序度が意図的に制御
可能となる。第一の理由は、選択成長の原理により選択
成長部サイズに依存して、選択成長部への成長寄与原子
の到達確率及び選択成長部での存在確率が変化する。こ
れにより、自然超格子形成におけるステップ端での特徴
原子の選択的取り込みが変化する。さらに、第二の理由
としては選択成長部の形状により、ミクロな領域でのＶ
族圧力或いは実効Ｖ／ＩＩＩ比を変化させ、Ｖ族原子の
表面配列構造を意図的に制御可能とする。ここで、原子
秩序度を制御する要素は選択成長幅（マスク開口幅）Ｗ
ｇ或いはマスク幅Ｗｍである。
体層を形成させる事により、原子秩序度が意図的に制御
可能となる。第一の理由は、選択成長の原理により選択
成長部サイズに依存して、選択成長部への成長寄与原子
の到達確率及び選択成長部での存在確率が変化する。こ
れにより、自然超格子形成におけるステップ端での特徴
原子の選択的取り込みが変化する。さらに、第二の理由
としては選択成長部の形状により、ミクロな領域でのＶ
族圧力或いは実効Ｖ／ＩＩＩ比を変化させ、Ｖ族原子の
表面配列構造を意図的に制御可能とする。ここで、原子
秩序度を制御する要素は選択成長幅（マスク開口幅）Ｗ
ｇ或いはマスク幅Ｗｍである。
【００１２】 以上、選択成長により自然超格子の秩序
度を自在制御し、選択成長層でのエネルギーギャップ・
光学異方性・電気伝導異方性等の物質特性を制御させる
事が出来る。ここで、マスクパターンの形状により基板
平面内で２次元的制御も可能となり、光集積回路等での
大きな利用拡大が図れる。
度を自在制御し、選択成長層でのエネルギーギャップ・
光学異方性・電気伝導異方性等の物質特性を制御させる
事が出来る。ここで、マスクパターンの形状により基板
平面内で２次元的制御も可能となり、光集積回路等での
大きな利用拡大が図れる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００１４】 図１には、本発明によるＭＯＶＰＥ成長
ＩｎＧａＡｓ半導体層の選択成長過程を示す。ＭＯＶＰ
Ｅ成長においては、Ｉｎ・ＧａのＩＩＩ族原子はＴＭＩ
ｎ・ＴＥＧａ等の有機金属材料により、ＡｓのＶ族原子
はＡｓＨ3 ガスにより供給される。更に反応管内での熱
分解により、基板表面にはＩｎ原子、Ｇａ原子、Ａｓ4
分子として到達する。ここで飛来したＩｎ、Ｇａ原子に
おいて、Ｉｎ原子は拡散距離が長くＧａ原子よりも選択
成長部への到達確率が高い。このため選択成長部３での
Ｉｎ原子存在確率が増加する。これは、Ｉｎ原子の基板
面上のステップ端における選択的取り込み助長するため
自然超格子を形成し易くする。
ＩｎＧａＡｓ半導体層の選択成長過程を示す。ＭＯＶＰ
Ｅ成長においては、Ｉｎ・ＧａのＩＩＩ族原子はＴＭＩ
ｎ・ＴＥＧａ等の有機金属材料により、ＡｓのＶ族原子
はＡｓＨ3 ガスにより供給される。更に反応管内での熱
分解により、基板表面にはＩｎ原子、Ｇａ原子、Ａｓ4
分子として到達する。ここで飛来したＩｎ、Ｇａ原子に
おいて、Ｉｎ原子は拡散距離が長くＧａ原子よりも選択
成長部への到達確率が高い。このため選択成長部３での
Ｉｎ原子存在確率が増加する。これは、Ｉｎ原子の基板
面上のステップ端における選択的取り込み助長するため
自然超格子を形成し易くする。
【００１５】更に、選択成長部幅Ｗｇ・マスク幅Ｗｍの
パターン形状により、選択成長領域でのＡｓＨ3 熱分解
によるＡｓ4 圧力久を実効的に変化させる事が可能であ
る。これにより、Ａｓ原子の表面配列構造を意図的に制
御し、自然超格子の秩序度を変える事が出来る。
パターン形状により、選択成長領域でのＡｓＨ3 熱分解
によるＡｓ4 圧力久を実効的に変化させる事が可能であ
る。これにより、Ａｓ原子の表面配列構造を意図的に制
御し、自然超格子の秩序度を変える事が出来る。
【００１６】この二つの作用により選択成長層は、図１
に示したようなＩｎ・Ｇａが特定結晶方向に秩序を有し
て配列した自然超格子を形成する。一般に、ＩｎＧａＡ
ｓ層においての自然超格子化はエネルギーギャップの減
少方向に作用する事が知られており、更にＩｎ組成増大
によるエネルーギャップ減少効果と併せて大きな変化が
得られる。
に示したようなＩｎ・Ｇａが特定結晶方向に秩序を有し
て配列した自然超格子を形成する。一般に、ＩｎＧａＡ
ｓ層においての自然超格子化はエネルギーギャップの減
少方向に作用する事が知られており、更にＩｎ組成増大
によるエネルーギャップ減少効果と併せて大きな変化が
得られる。
【００１７】図２には、本原理に従い形成したＩｎＧａ
Ａｓ選択成長層のエネルーギャップの選択成長幅（マス
ク開口幅）依存性を示す。従来技術に比較して本実施例
により形成されたＩｎＧａＡｓ層は、自然超格子の効果
により大きなエネルーギャップ変化を生じている。本実
施例では、エネルギーギャップ変化に注目しているが他
の物性特性例えば光学異方性・電気伝導異方性等にも選
択成長幅（マスク開口幅）依存性を生じるはずである。
Ａｓ選択成長層のエネルーギャップの選択成長幅（マス
ク開口幅）依存性を示す。従来技術に比較して本実施例
により形成されたＩｎＧａＡｓ層は、自然超格子の効果
により大きなエネルーギャップ変化を生じている。本実
施例では、エネルギーギャップ変化に注目しているが他
の物性特性例えば光学異方性・電気伝導異方性等にも選
択成長幅（マスク開口幅）依存性を生じるはずである。
【００１８】なお本実施例では、ＭＯＶＰＥ法によるも
のであるが、他のＭＢＥ・ガスソースＭＢＥ・ＶＰＥ等
でも実施可能である。
のであるが、他のＭＢＥ・ガスソースＭＢＥ・ＶＰＥ等
でも実施可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の選択成長に
よる自然超格子形成・制御は、半導体層のエネギルーギ
ャップ・光学異方性・電気伝導異方性等の物性特性を制
御させる事が出来る。更に、マスクパターン形状により
基板平面内で２次元的物性制御も可能となり、光集積回
路等での大きな利用拡大が図れる。
よる自然超格子形成・制御は、半導体層のエネギルーギ
ャップ・光学異方性・電気伝導異方性等の物性特性を制
御させる事が出来る。更に、マスクパターン形状により
基板平面内で２次元的物性制御も可能となり、光集積回
路等での大きな利用拡大が図れる。
【図１】本発明の基本原理及び実施例を説明するための
図。
図。
【図２】本発明と従来技術により形成したＩｎＧａＡｓ
選択成長層のエネルギーギャップの選択成長幅（マスク
開口幅）依存性を比較して示した図。
選択成長層のエネルギーギャップの選択成長幅（マスク
開口幅）依存性を比較して示した図。
【図３】従来技術による選択成長技術及びＩｎＧａＡｓ
選択成長層のエネルギーギャップの選択成長幅（マスク
開口幅）依存性を示す図。
選択成長層のエネルギーギャップの選択成長幅（マスク
開口幅）依存性を示す図。
１ 基板 ２ マスク部 ３ 選択成長部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−78129（ＪＰ，Ａ) Ｔ．Ｓａｓａｋｉ ｅｔ ａｌ，５Ｔ ｈ ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＣＯ ＮＦＥＲＥＮＣＥ ＯＮ ＩＮＤＩＵＭ ＰＨＯＳＨＩＤＥ ＡＮＤ ＲＥＬＡ ＴＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ（1993) ｐ．44−47 Ｙ．Ｃｈｅｎ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ. Ｌｅｔｔ．62［14］（1993）ｐ．1641− 1643 Ｊ．Ｆｉｎｄｅｒｓ ｅｔ ａｌ，Ｊ ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，107（1991）ｐ．151− 155
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上の選択成長マスクを介して
選択的に自然超格子半導体層を形成する半導体結晶成長
方法であって、選択成長部幅或いはマスク幅により前記
自然超格子半導体層の原子秩序度を制御することを特徴
とする半導体結晶成長方法。 - 【請求項２】 前記選択成長マスクのパターン形状によ
り、前記自然超格子半導体層の原子秩序度を基板平面内
で２次元的に制御することを特徴とする請求項１記載の
半導体結晶成長方法。 - 【請求項３】 前記半導体層がIII-V族化合物半導体で
あり、III族元素が２種類以上の元素からなることを特
徴とする請求項１又は２記載の半導体結晶成長方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05330428A JP3098371B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体結晶成長方法 |
| EP94120743A EP0660379A3 (en) | 1993-12-27 | 1994-12-27 | Process for selective growth of semiconductor crystals. |
| US08/801,249 US6165264A (en) | 1993-12-27 | 1997-02-19 | Method for semiconductor crystal growth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05330428A JP3098371B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体結晶成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192999A JPH07192999A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3098371B2 true JP3098371B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=18232509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05330428A Expired - Fee Related JP3098371B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 半導体結晶成長方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6165264A (ja) |
| EP (1) | EP0660379A3 (ja) |
| JP (1) | JP3098371B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10998452B2 (en) | 2017-10-17 | 2021-05-04 | King Abdullah University Of Science And Technology | Semiconductor device having a lateral semiconductor heterojunction and method |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2758598B2 (ja) * | 1987-07-08 | 1998-05-28 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ |
| JPH03208388A (ja) * | 1990-01-09 | 1991-09-11 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその製造方法と不純物拡散方法 |
| DE69128097T2 (de) * | 1990-08-24 | 1998-02-26 | Nippon Electric Co | Verfahren zur Herstellung einer optischen Halbleitervorrichtung |
| JPH04199589A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光面発光レーザ装置 |
| JP2997573B2 (ja) * | 1991-02-19 | 2000-01-11 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ装置 |
| JPH05251345A (ja) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Nec Corp | 半導体の結晶成長方法 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP05330428A patent/JP3098371B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-12-27 EP EP94120743A patent/EP0660379A3/en not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-02-19 US US08/801,249 patent/US6165264A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｊ．Ｆｉｎｄｅｒｓ ｅｔ ａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ，１０７（１９９１）ｐ．１５１−１５５ |
| Ｔ．Ｓａｓａｋｉ ｅｔ ａｌ，５Ｔｈ ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ ＯＮ ＩＮＤＩＵＭ ＰＨＯＳＨＩＤＥ ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ（１９９３）ｐ．４４−４７ |
| Ｙ．Ｃｈｅｎ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６２［１４］（１９９３）ｐ．１６４１−１６４３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0660379A2 (en) | 1995-06-28 |
| EP0660379A3 (en) | 1997-05-07 |
| US6165264A (en) | 2000-12-26 |
| JPH07192999A (ja) | 1995-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2923753B2 (ja) | Ｉｉｉ族原子層の形成方法 | |
| KR100319300B1 (ko) | 이종접합구조의 양자점 버퍼층을 가지는 반도체 소자 | |
| JPH0821748B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| KR930004239B1 (ko) | 웨이퍼기판 및 화합물 반도체층으로 구성된 반도체기판 | |
| Tatebayashi et al. | Area-controlled growth of InAs quantum dots and improvement of density and size distribution | |
| US5258326A (en) | Quantum device fabrication method | |
| JP4651759B2 (ja) | 量子ドットを備えた素子 | |
| JP4066002B2 (ja) | 半導体量子ドットの製造方法 | |
| JP3098371B2 (ja) | 半導体結晶成長方法 | |
| Wang et al. | Optical and electrical properties of InP/InGaAs grown selectively on SiO2‐masked InP | |
| JP2001237413A (ja) | 量子ドットの作製方法 | |
| US6265329B1 (en) | Quantum deposition distribution control | |
| JPH07335988A (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2950277B2 (ja) | 半導体の結晶成長方法及び半導体素子 | |
| JP3250495B2 (ja) | 半導体構造体及び半導体結晶成長方法 | |
| Lee et al. | Surface structure control of GaAs (111) A vicinal substrates by metal-organic vapor-phase epitaxy | |
| JPH05267175A (ja) | 化合物半導体基板 | |
| JPH0434920A (ja) | 異種基板上への３―ｖ族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長法 | |
| JP3421234B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH08186080A (ja) | 化合物半導体の結晶成長方法 | |
| JPH0334594A (ja) | 量子井戸構造の製造方法 | |
| JP2650770B2 (ja) | 縦型超格子素子の製造方法 | |
| JP3169064B2 (ja) | 半導体立体量子構造の作製方法 | |
| JPH02303068A (ja) | 半導体積層構造及びこれを有する半導体素子 | |
| US6452205B2 (en) | Sparse-carrier devices and method of fabrication |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980519 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070811 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080811 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080811 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090811 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090811 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 10 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120811 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |