JP3091050B2 - Support for disk-shaped substrate - Google Patents

Support for disk-shaped substrate

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JP3091050B2
JP3091050B2 JP05101618A JP10161893A JP3091050B2 JP 3091050 B2 JP3091050 B2 JP 3091050B2 JP 05101618 A JP05101618 A JP 05101618A JP 10161893 A JP10161893 A JP 10161893A JP 3091050 B2 JP3091050 B2 JP 3091050B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク用基板メ
ッキ治具等として使用されるディスク状基板用支持具に
関し、特に、基板を保持する環状溝を画成する溝壁部の
構造に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a support for a disk-shaped substrate used as a jig for plating a substrate for a magnetic disk, and more particularly to a structure of a groove wall defining an annular groove for holding a substrate. It is.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高密度記録再生用磁気ディスク装
置に使用される磁気ディスクは薄膜技術により成膜され
た薄膜磁気ディスクが主流となっている。この薄膜磁気
ディスクは、ディスク状アルミニウム合金基板の表面に
下地層として無電解メッキ法によりNi−P合金層を形
成した後、その上にスパッタ法で非磁性金属下地層,薄
膜磁性層を順次均一に成膜し、更にその上に保護潤滑膜
を形成したものである。
2. Description of the Related Art In recent years, as a magnetic disk used in a magnetic disk device for high-density recording / reproducing, a thin film magnetic disk formed by a thin film technique has become mainstream. In this thin-film magnetic disk, a Ni-P alloy layer is formed as an underlayer on the surface of a disk-shaped aluminum alloy substrate by an electroless plating method, and then a nonmagnetic metal underlayer and a thin-film magnetic layer are sequentially formed thereon by sputtering. And a protective lubricating film is further formed thereon.

【0003】このような磁気ディスクの製造において
は、欠陥が少なく且つ膜厚及び膜質の均一なNi−P合
金層を最下位層の下地層として形成することが要求され
る。
In the manufacture of such a magnetic disk, it is required to form a Ni-P alloy layer having a small number of defects and a uniform thickness and film quality as a lowermost underlayer.

【0004】従来一般に、Ni−P合金層を形成する無
電解メッキ工程においては、特開昭63−100614
号公報に開示の磁気ディスク用基板メッキ治具が使用さ
れている。図9及び図10に示すように、この磁気ディ
スク用基板メッキ治具1は、ポリプロピレン製,テフロ
ン(商品名)製,又はPPS(ポリフェニレンサルファ
イド)製の丸棒状の支持軸2とその一端に取付部3とを
備えており、支持軸2の周面には複数条の溝壁部4を有
し、両溝壁部4,4間に画成された環状溝5(例えば溝
幅cが0.5から1.5mm,溝深さが1.5〜3mm
程度)が複数輪形成されている。Ni−P合金層を形成
する無電解メッキ工程においては、その各環状溝5に一
枚ずつディスク状アルミニウム合金基板6のディスク穴
(基板穴)7側の内周端縁を差し込んでセットし、その
メッキ治具1を、前処理及びメッキ槽に取り付けた取付
け台(カローセルの回転盤)に取付部3にて水平に装着
し、その回転盤を回転駆動させてメッキ治具1を自転又
は自公転させることにより、セットされた複数の基板6
を自転又は自公転させながら基板6の両面に均一なNi
−P合金層を形成する。
Conventionally, generally, in an electroless plating process for forming a Ni-P alloy layer, Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-100614 is used.
The jig for plating a substrate for a magnetic disk disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. H10-209,086 is used. As shown in FIGS. 9 and 10, the magnetic disk substrate plating jig 1 is attached to a round bar-shaped support shaft 2 made of polypropylene, Teflon (trade name), or PPS (polyphenylene sulfide) and one end thereof. The support shaft 2 has a plurality of groove walls 4 on the peripheral surface thereof, and has an annular groove 5 defined between the groove walls 4 (for example, when the groove width c is 0). 0.5 to 1.5 mm, groove depth 1.5 to 3 mm
Degree) are formed in a plurality of rings. In the electroless plating step of forming the Ni-P alloy layer, the inner peripheral edge of the disk-shaped aluminum alloy substrate 6 on the disk hole (substrate hole) 7 side is inserted into each annular groove 5 and set one by one. The plating jig 1 is horizontally mounted on a mounting table (carousel rotary table) attached to the pretreatment and plating tank by the mounting section 3, and the rotary table is driven to rotate to rotate the plating jig 1 automatically or automatically. By revolving, the plurality of substrates 6 set
Is uniformly rotated on both surfaces of the substrate 6 while rotating or revolving.
Forming a P alloy layer;

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成の磁気ディスク用基板メッキ治具1にあっては
次のような問題点を有している。即ち、メッキ前処理及
びメッキ処理中においては、メッキ治具1の自転又は自
公転に追従して基板6も自転又は自公転するが、基板6
と環状溝5の一方の側面(溝壁部5の側面)とが常に接
触摺動しているため、その接触部分(ディスク穴7の内
周端縁部)に対する前処理及びメッキ処理の液流入不足
や液排出不足が起こり、膜厚の不均一化,ガスピット欠
陥及びノジュール欠陥等の発生を招いている。また、環
状溝5の溝側面が荒れていると、異常析出により基板側
の接触部分に傷が発生し、表面欠陥を招くという問題点
があった。
However, the magnetic disk substrate plating jig 1 having the above-mentioned conventional structure has the following problems. That is, during the pre-plating process and the plating process, the substrate 6 also rotates or revolves following the rotation or rotation of the plating jig 1.
And one side surface of the annular groove 5 (the side surface of the groove wall portion 5) is always in sliding contact with each other, so that the liquid flowing into the contact portion (the inner peripheral edge of the disk hole 7) in the pretreatment and the plating treatment Insufficiency and insufficient liquid discharge occur, leading to non-uniform film thickness, gas pit defects and nodule defects. Further, if the groove side surface of the annular groove 5 is rough, there is a problem that a contact portion on the substrate side is scratched due to abnormal deposition, thereby causing a surface defect.

【0006】そこで、本発明は上記問題点に鑑みて、基
板と溝側面の接触部分を極力少なくすることにより、デ
ィスク穴の内周端縁部へのメッキ液等の処理流体の流入
性及び排出性を高め、ガスピット欠陥,ノジュール欠陥
等を抑制し、膜厚及び膜質の均一化を図ると共に、また
溝側面の表面粗さを最適化することにより傷による表面
欠陥を抑制することが可能のディスク状基板用支持具を
実現することにある。
In view of the above problems, the present invention minimizes the contact portion between the substrate and the groove side surface to minimize the inflow and discharge of a processing fluid such as a plating solution into the inner peripheral edge of the disk hole. A disk that enhances its properties, suppresses gas pit defects, nodule defects, etc., achieves uniform film thickness and film quality, and suppresses surface defects due to scratches by optimizing the surface roughness of the groove side surfaces. It is an object of the present invention to realize a support for a glass substrate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の採用した手段は、磁気ディスク用基板メッ
キ治具としても使用できるディスク状基板支持具におい
て、環状溝を画成する溝壁部が周方向の複数の位置にそ
の両側の環状溝に連通する溝連結空隙を有していること
を特徴とする。かかる場合は、換言すると、溝壁部が周
方向に複数の突起を配列してなる突起環状列であること
にも相当する。突起自体の形状や突起配列個数等は種々
のものが可能であり、また、支持軸から切削加工により
突起を形成する場合や、成形品の突起を支持軸の孔に圧
入する場合等が可能である。具体的な突起形状として
は、例えば、環状溝側を面取り形成されてなる台形状突
起であっても良いし、また半球面状の頭部を有する円柱
突起や半楕円球面状の頭部を有する楕円柱突起でも良
い。更に、突起が実質上球体であっても良い。
Means for Solving the Problems To solve the above-mentioned problems, a means adopted by the present invention is a disk-shaped substrate support which can also be used as a magnetic disk substrate plating jig. The wall portion has a groove connection gap communicating with the annular grooves on both sides at a plurality of positions in the circumferential direction. In such a case, in other words, it corresponds to the groove wall portion being a ring-shaped projection array having a plurality of projections arranged in the circumferential direction. The shape of the projection itself, the number of projections, and the like can be various.In addition, it is possible to form the projection by cutting from the support shaft, or to press-fit the projection of the molded product into the hole of the support shaft. is there. As a specific projection shape, for example, a trapezoidal projection formed by chamfering the annular groove side may be used, or a columnar projection having a semispherical head or a semielliptical spherical head may be used. Elliptic column projections may be used. Further, the projection may be substantially spherical.

【0008】支持軸の軸方向に複数の突起環状列を所定
ピッチで一様パターンに配置することにより隣接する突
起環状列の間にディスク基板をセットできる環状溝を得
ることができるが、次のような突起パターンを呈する支
持具であっても良い。即ち、この突起パターンにおいて
は、複数輪の環状溝が第1群の環状溝と第2群の環状溝
からなり、第1群に属する環状溝は相隣接し相等しい一
対の第1の突起環状列の間に画成されていると共に、第
2群に属する環状溝は相隣接し相等しい一対の第2の突
起環状列の間に画成されており、一対の第1の突起環状
列と一対の第2の突起環状列とが支持軸上の軸方向に交
互に繰り返して形成され、相隣接する第1の突起環状列
と第2の突起環状列の突起群は周方向に相互平等にずら
して形成されてなることを特徴とする。
By arranging a plurality of annular arrays of protrusions at a predetermined pitch in a uniform pattern in the axial direction of the support shaft, it is possible to obtain annular grooves in which a disk substrate can be set between adjacent annular arrays of projections. A support tool having such a projection pattern may be used. That is, in this projection pattern, the annular grooves of a plurality of rings are composed of an annular groove of a first group and an annular groove of a second group, and the annular grooves belonging to the first group are a pair of adjacent and identical first annular protrusions. The annular grooves belonging to the second group and being defined between the rows are defined between a pair of adjacent and identical second annular rows of projections, and the pair of first annular annular rows of projections. A pair of second annular protrusions are alternately formed in the axial direction on the support shaft, and the adjacent first annular protrusions and the second annular protrusions are equally spaced in the circumferential direction. It is characterized by being formed shifted.

【0009】更に、環状溝の側面の表面粗さをRa0.
5μm以下とすることが望ましい。
Further, the surface roughness of the side surface of the annular groove is Ra0.
It is desirable that the thickness be 5 μm or less.

【0010】[0010]

【作用】上記の構成においては、隣接する環状溝間が溝
連結空隙で連通しており、溝壁部が突起環状列で構成さ
れているので、環状溝に保持された基板の内周端縁部の
溝連結空隙に臨む部分は処理流体(メッキ液処理の場合
はメッキ液)に直接晒されることになる。この結果、内
周端縁部に対する処理流体の流入性及び排出性は従来支
持具の場合に比して格段に良くなる。これは所定濃度に
管理された処理流体の基板の内周端縁部への供給が円滑
化することを意味する。隣接する突起環状列の間に基板
がセットされるので、接触面積も従来支持具の場合に比
して減少している。従って、内周端縁部の接触面積の減
少と処理物質の供給量増大との相乗作用によって、成膜
ないし処理の均一化を達成できるので、メッキ液処理の
場合は、内周端縁部の膜厚及び膜質の均一化,ガスピッ
トやノジュール欠陥の抑制を図ることができる。また接
触面積が少ないので、液切り性も良好となる。半球面状
の頭部を有する突起等である場合は、基板と突起とが線
接触又は点接触で接触する。特に、突起が実質的に球体
に形成されている場合には、点接触とすることができ
る。かかる場合、その接触面積が無限小になってくるた
め、処理流体がその接触部位間にも進入して、その進入
した流体が接触緩衝層を形成するものと推測される。突
起の大きさを小さくすればする程、上記効果は顕著なも
のとなる。
In the above construction, the adjacent annular grooves communicate with each other through the groove connecting gap, and the groove walls are formed by the annular annular projections, so that the inner peripheral edge of the substrate held by the annular grooves is formed. The portion of the portion facing the groove connection gap is directly exposed to the processing fluid (plating solution in the case of plating solution processing). As a result, the inflow property and the discharge property of the processing fluid to the inner peripheral edge are significantly improved as compared with the case of the conventional support. This means that the supply of the processing fluid controlled to the predetermined concentration to the inner peripheral edge of the substrate is smoothed. Since the substrate is set between adjacent annular rows of protrusions, the contact area is also reduced as compared with the case of the conventional support. Therefore, the uniformity of film formation or processing can be achieved by the synergistic effect of the reduction in the contact area of the inner peripheral edge and the increase in the supply amount of the processing substance. The thickness and quality of the film can be made uniform, and gas pits and nodule defects can be suppressed. Also, since the contact area is small, the liquid drainage property is also good. In the case of a projection or the like having a hemispherical head, the projection and the substrate come into contact with each other by line contact or point contact. In particular, when the projection is formed substantially in a spherical shape, point contact can be achieved. In such a case, since the contact area becomes infinitely small, it is presumed that the processing fluid enters between the contact portions, and the entered fluid forms a contact buffer layer. The effect becomes more remarkable as the size of the projection is reduced.

【0011】また、本発明では環状溝の側面をバフ研磨
加工又は成形品により表面粗さRa0.5μm以下に設
定すると、異常析出等を抑制できるから、傷による表面
欠陥の発生率を低減できる。
In the present invention, when the side surface of the annular groove is set to have a surface roughness Ra of 0.5 μm or less by buffing or molding, abnormal precipitation and the like can be suppressed, so that the incidence of surface defects due to scratches can be reduced.

【0012】上述のように、突起環状列を構成する突起
の大きさを極力小さくすることにより、基板との接触面
積を小さくできる訳であるが、この突起自体を小さくす
ると、環状溝ピッチも小さくなってしまい、隣接するデ
ィスク基板が処理中に接触してしまう場合もある。そこ
で、本発明においては、複数輪の環状溝を第1群の環状
溝と第2群の環状溝とに区分けし、第1群に属する環状
溝が相隣接し相等しい一対の第1の突起環状列の間に画
成されていると共に、第2群に属する環状溝が相隣接し
相等しい一対の第2の突起環状列の間に画成されてお
り、一対の第1の突起環状列と一対の第2の突起環状列
とが支持軸上の軸方向に交互に繰り返して形成され、相
隣接する第1の突起環状列と第2の突起環状列の突起群
は周方向に相互平等にずらして形成されてなる突起パタ
ーンを特徴としている。かかる突起パターンによれば、
隣接する一対の第1の突起環状列が第1群の環状溝を限
定し、隣接する一対の第2の突起環状列が第2群の環状
溝を限定しており、突起環状列を構成する突起の両側に
環状溝が位置するのではなく、片側にのみ環状溝が位置
するものであるため、環状溝を所定ピッチとすることが
でき、隣接するディスク基板の接触を防止できる。換言
すれば、環状溝を所定ピッチに確保したまま環状溝の溝
幅の変更設定を比較的自由に行なえる突起パターンであ
るため、設計上、厚さの異なる基板にも容易に対応可能
である。この環状溝のピッチを所定ピッチに確保できる
ことは、支持具への複数の基板を一挙にセットする操作
や、また支持具から複数の基板を一挙に取り出す操作に
おいて使用される従来の基板ラックケースのピッチと合
わせ込むことができ、新たなピッチの基板ラックケース
を用意せずに済む。
As described above, the area of contact with the substrate can be reduced by minimizing the size of the projections constituting the annular array of projections. However, when the size of the projections themselves is reduced, the pitch of the annular grooves is also reduced. In some cases, adjacent disk substrates come into contact during processing. Therefore, in the present invention, the plurality of annular grooves are divided into a first group of annular grooves and a second group of annular grooves, and the annular grooves belonging to the first group are adjacent and equal to each other. An annular groove defined between the annular rows and an annular groove belonging to the second group defined between a pair of adjacent and identical second annular rows of projections; And a pair of second projection annular rows are alternately and repeatedly formed in the axial direction on the support shaft, and the adjacent first projection annular row and second projection annular row projection groups are mutually equal in the circumferential direction. It is characterized by a projection pattern formed so as to be displaced from the other. According to such a projection pattern,
An adjacent pair of first annular protrusions defines a first group of annular grooves, and a pair of adjacent second annular protrusions defines a second group of annular grooves. Since the annular grooves are not located on both sides of the projection but are located only on one side, the annular grooves can have a predetermined pitch, and the contact between adjacent disk substrates can be prevented. In other words, since the protrusion pattern allows the change of the groove width of the annular groove to be relatively freely set while securing the annular groove at a predetermined pitch, it is possible to easily cope with substrates having different thicknesses in design. . The fact that the pitch of the annular groove can be ensured at a predetermined pitch can be achieved by a conventional board rack case used in an operation of setting a plurality of substrates on a support at a time and an operation of removing a plurality of substrates from the support at a time. The pitch can be matched with the pitch, and it is not necessary to prepare a board rack case with a new pitch.

【0013】[0013]

【実施例】次に、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

【0014】〔実施例1〕図1は本発明の実施例1に係
る磁気ディスク用基板メッキ治具を示す側面図である。
この実施例の磁気ディスク用基板メッキ治具10はピー
ク材(PEEK:ポリエーテルエーテルケトン)により
切削加工された支持軸2とその一端の取付部3とからな
り、支持軸2はその周面に複数輪の環状溝12を有して
いる。この環状溝12の溝壁部は周方向に8個の突起
(イボ状突起)14を配列してなる突起環状列により構
成されている。隣接する環状溝12,12は突起14を
区画する溝連結空隙16により連通されている。本例に
おける環状溝12のピッチは基板ラックケースのピッチ
に合わせるため、6.35mmとしてあり、また厚さ
1.25mmの基板を保持するため、環状溝12の溝幅
cは1.40mmとしてある。突起14は略台形状を呈
しており、軸方向長さ4.9mm,周方向長さ3.0m
m,高さ3.5mm程度で、図2に詳しく示すように、
環状溝12側を面取り加工面14aとして形成してあ
り、その各角部をR=1.0mmの曲面加工を施してあ
る。また、環状溝12の側面はバフ研磨により表面粗さ
Ra0.5μm以下に形成されている。
Embodiment 1 FIG. 1 is a side view showing a magnetic disk substrate plating jig according to Embodiment 1 of the present invention.
The magnetic disk substrate plating jig 10 of this embodiment includes a support shaft 2 cut with a peak material (PEEK: polyetheretherketone) and a mounting portion 3 at one end thereof. It has a plurality of annular grooves 12. The groove wall of the annular groove 12 is constituted by an annular row of projections in which eight projections (warp-shaped projections) 14 are arranged in the circumferential direction. The adjacent annular grooves 12, 12 are communicated with each other by a groove connecting space 16 that defines the protrusion 14. The pitch of the annular groove 12 in this example is 6.35 mm in order to match the pitch of the board rack case, and the groove width c of the annular groove 12 is 1.40 mm in order to hold a board having a thickness of 1.25 mm. . The protrusion 14 has a substantially trapezoidal shape, and has an axial length of 4.9 mm and a circumferential length of 3.0 m.
m, height about 3.5 mm, as shown in detail in FIG.
The annular groove 12 side is formed as a chamfered surface 14a, and each corner thereof is subjected to a curved surface processing of R = 1.0 mm. The side surface of the annular groove 12 is formed to have a surface roughness Ra of 0.5 μm or less by buffing.

【0015】図2は磁気ディスク用基板メッキ治具の環
状溝12に基板6をセットした状態を示す側面図で、図
3は図2中II−II線に沿って見た状態を示す断面図であ
る。
FIG. 2 is a side view showing a state where the substrate 6 is set in the annular groove 12 of the magnetic disk substrate plating jig. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the state taken along line II-II in FIG. It is.

【0016】ディスク基板6は支持軸2の先端面側Aよ
りディスク穴(基板穴)7を通して突起環状列間の環状
溝12に緩く嵌められ、基板の自重で、ディスク穴7の
内周端縁部の上部と突起環状列の一部が接触している。
支持軸2が軸回りに回転すると、それにつれた基板6も
回転する。このように複数枚(例えば20〜30枚)の
基板6をセットした治具10は、メッキの前処理槽及び
メッキ槽に設置された取付け台(カローセルの回転盤)
に取付部3にて装着される。取付け台には複数の治具1
0がリング状に水平に装着される。そして、取付け台を
回転させることにより各治具10はリングの中心を回転
中心にして公転しながら各々自転し、基板6にメッキ膜
の成膜が施される。
The disk substrate 6 is loosely fitted into the annular groove 12 between the annular annular projections through the disk hole (substrate hole) 7 from the front end side A of the support shaft 2, and due to the weight of the substrate, the inner peripheral edge of the disk hole 7. The upper part of the part is in contact with a part of the annular ring of projections.
When the support shaft 2 rotates around the axis, the substrate 6 attached thereto also rotates. The jig 10 in which a plurality of (for example, 20 to 30) substrates 6 are set as described above is mounted on a pretreatment tank for plating and a mounting table (carousel rotating plate) installed in the plating tank.
At the mounting part 3. Multiple jigs 1 on the mounting table
0 is mounted horizontally in a ring shape. Then, by rotating the mounting table, each jig 10 revolves around the center of the ring as the center of rotation while rotating, and a plating film is formed on the substrate 6.

【0017】このメッキ処理工程においては、溝連結空
隙16の存在により、ディスク穴7の内周端縁部が溝側
壁に接触摺動する割合が低くなっている。即ち、ディス
ク穴7の内周端縁部の上部は3つの突起14だけの溝側
壁面に接触しており、従前の接触面積に比し数分の1ま
で減少している。このため、内周端縁部に対する液流入
性及び液排出性が良好となり、また液切り性も良好とな
る。従って、ディスク穴7の内周端迄メッキ膜厚及び膜
質が均一化でき、ガスピットやノジュール欠陥を抑制す
ることができる。これは内周端縁部の液接触(液被曝)
割合の増大化と共に、基板6と環状溝12の側壁との接
触面積の縮小化も相乗的に寄与している。そして、その
接触面積を小さくしていくと、液がその接触部位間にも
進入して、その進入した液が接触緩衝層を形成するもの
と推測される。なお、本例においては基板の保持は3つ
の突起により行なわれているので、基板6の撓み振動等
も起こらない。
In this plating step, the ratio of the inner peripheral edge of the disk hole 7 sliding in contact with the groove side wall is reduced due to the presence of the groove connection gap 16. That is, the upper part of the inner peripheral edge of the disk hole 7 is in contact with the groove side wall surface of only the three projections 14, and is reduced to a fraction of the area of the conventional contact. For this reason, the liquid inflow property and the liquid discharge property with respect to the inner peripheral edge are improved, and the liquid drainage property is also improved. Therefore, the plating film thickness and film quality can be made uniform up to the inner peripheral end of the disk hole 7, and gas pits and nodule defects can be suppressed. This is the liquid contact of the inner peripheral edge (liquid exposure)
As the ratio increases, the reduction in the contact area between the substrate 6 and the side wall of the annular groove 12 also contributes synergistically. Then, as the contact area is reduced, it is presumed that the liquid enters between the contact sites, and the entered liquid forms a contact buffer layer. In this example, since the substrate is held by the three projections, the substrate 6 does not undergo bending vibration or the like.

【0018】〔実施例2〕図4は本発明の実施例2の使
用態様を示す断面図である。本例に突起18も実施例1
のものと同様に台形状を呈しており、軸方向長さ5.0
mm,周方向長さ3.5mm,高さ3.0mm程度で、
環状溝側を面取り加工面18aとして形成してあり、そ
の各角部をR=0.5mmの曲面加工を施してある。そ
して、このような突起18を支持軸の円周面に等分に4
個配列し、突起環状列を構成してある。実施例1の突起
環状列は8個の突起で構成されているが、本例は4個で
構成されている。従って、基板6を1個又は2個の突起
18で支持する形になり、実施例1に比して接触面積が
減少しているので、液流入性及び液排出性も更に向上す
る。この結果、メッキ膜厚の不均一,ガスピット等の発
生を一層抑制することが可能である。ただ、基板支持部
分が実質的に1箇所になる場合もあるので、支持安定性
は若干低い。
[Embodiment 2] FIG. 4 is a sectional view showing a mode of use of Embodiment 2 of the present invention. In the present embodiment, the protrusion 18 is also the first embodiment.
Has a trapezoidal shape, and has an axial length of 5.0.
mm, circumferential length 3.5mm, height 3.0mm,
The annular groove side is formed as a chamfered surface 18a, and each corner is subjected to a curved surface processing of R = 0.5 mm. Then, such projections 18 are equally divided into four on the circumferential surface of the support shaft.
They are arranged individually to form an annular row of projections. The annular ring array of the projections according to the first embodiment includes eight projections, but this example includes four projections. Accordingly, the substrate 6 is supported by one or two projections 18 and the contact area is reduced as compared with the first embodiment, so that the liquid inflow and liquid discharge properties are further improved. As a result, it is possible to further suppress the unevenness of the plating film thickness and the occurrence of gas pits and the like. However, since the substrate support portion may be substantially one place, the support stability is slightly low.

【0019】〔実施例3〕 図5は本発明の実施例3の要部を示す側面図で、図6は
図5中 III−III 線に沿って見た状態を示す断面図であ
る。この実施例においては、メッキ治具の支持軸2の周
面に設けられた突起環状列は半球面状頭部を有する円柱
突起(丸ピン状突起)22を8個円周面に沿って等分配
置して構成されている。この円柱突起22の直径は4.
9mm,高さは3.5mmである。この円柱突起22は
ピーク材の成形品であり、側面の表面粗さをRa0.5
μm以下としてある。ピーク材で切削加工された支持軸
2には複数の差し込み穴(図示せず)が形成されてお
り、これらに円柱突起22の脚部(図示せず)を圧入す
ることより組み合わされる。このような円柱突起22で
突起環状列を構成すると、基板6と突起22との接触部
がほぼ略線接触状態となるため、総接触面積が頗る減少
する。このため、実質的には、ディスク穴7の内周端縁
部のすべてが液浸漬状態になるため、実施例1及び場合
よりも更に、メッキ膜厚の均一化,ガスピット及びノジ
ュールの発生抑制を図ることができる。また、8個の突
起22により突起環状列が形成されており、ディスク穴
7の内周端縁部の上部は必ず3つの突起により支持され
ているので、基板安定性も実施例2の場合に比して高
い。なお、突起22の頭部形状は半球面状に限らず、半
楕円球面状でも良い。また突起を球状頭部とその径より
も細い径の差込み支柱で形成し、その球状頭部で基板を
接触支持することもできる。かかる場合には、突起が実
質的に球体であるので実質的に点接触で支持することが
でき、総接触面積を一層減少をさせることができる。ま
た、この突起の大きさを小さくすることにより接触面積
を小さくできる。
Third Embodiment FIG. 5 is a side view showing a main part of a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. In this embodiment, the annular ring of projections provided on the peripheral surface of the support shaft 2 of the plating jig includes eight cylindrical projections (round pin-like projections) 22 having a hemispherical head along the circumferential surface. Minutes. The diameter of the cylindrical projection 22 is 4.
The height is 9 mm and the height is 3.5 mm. The cylindrical projection 22 is a molded product of a peak material, and has a side surface roughness of Ra0.5.
μm or less. A plurality of insertion holes (not shown) are formed in the support shaft 2 machined by the peak material, and these are assembled by press-fitting the legs (not shown) of the cylindrical projections 22 into these holes. When the annular columnar projections 22 are formed by such columnar projections 22, the contact portions between the substrate 6 and the projections 22 are substantially in line contact, so that the total contact area is significantly reduced. For this reason, substantially all of the inner peripheral edge of the disk hole 7 is in a liquid immersion state, so that the plating film thickness is more uniform and the generation of gas pits and nodules is suppressed more than in the first embodiment and the case. Can be planned. In addition, the annular ring of projections is formed by the eight projections 22, and the upper part of the inner peripheral edge of the disk hole 7 is always supported by three projections. Higher than. Note that the head shape of the projection 22 is not limited to a hemispherical shape, and may be a semi-elliptical spherical shape. Further, the projection may be formed by a spherical head and an insertion post having a diameter smaller than the diameter thereof, and the spherical head may contact and support the substrate. In such a case, since the projection is substantially spherical, it can be supported substantially by point contact, and the total contact area can be further reduced. Also, the contact area can be reduced by reducing the size of the projection.

【0020】〔実施例4〕 図7は本発明の実施例4を示す側面図である。この実施
例においては、支持軸2の周面上の環状溝は第1群の環
状溝aと第2群の環状溝bとからなる。第1群に属する
環状溝aは相隣接し相等しい一対の第1の突起環状列a
,aの間に画成されている。また、第2群に属
する環状溝bは相隣接し相等しい一対の第2の突起環状
列b,bの間に画成されている。第1の突起環
状列a,a及び第2の突起環状列b,b
は半球面状頭部を有する円柱突起32を9個配列してな
る。そして一対の第1の突起環状列a,aと一
対の第2の突起環状列b,bとが支持軸2上の
軸方向に交互に繰り返して形成されており、相隣接する
第1の突起環状列a(a),と第2の突起環状
列b(b)の突起群は周方向に相互平等にずら
して形成されている。本例における突起32の直径は
3.5mm,高さは3.5mmである。この円柱突起3
2はピーク材の成形品であり、側面の表面粗さをRa
0.5μm以下としてある。ピーク材で切削加工された
支持軸2には複数の差し込み穴(図示せず)が形成され
ており、これらに円柱突起32の脚部(図示せず)を圧
入することより組み合わされる。従って、本例の突起3
2の片側面側にのみ環状溝a又はbが位置する。このよ
うな突起パターンに形成した理由は、突起32の径を実
施例3の場合に比し小さくしたことにより、環状溝a,
b間の距離(溝ピッチ)を所定値(例えば6.35m
m)に確保するためである。突起寸法を小さくし、その
突起の両側に基板を支持する環状溝を設けると、隣接基
板との間隔が狭くなり、相互接触を招いてしまう。そこ
で、環状溝a,b間に必ず2列の突起環状列を入れるこ
とにより、接触面積を僅少にしながら、基板ピッチを確
保するものである。ここで、第1の突起環状列と第2の
突起環状列とが周方向に亘って相互20°ずらして配列
し、第1の突起環状列の突起と第2の突起環状列の突起
を非縦列に相互干渉しないようにすると、治具の設計
上、種々の突起寸法に対しても溝ピッチを一定のまま環
状溝の溝幅を比較的に自由に設定できる。
Embodiment 4 FIG. 7 is a side view showing Embodiment 4 of the present invention. In this embodiment, the annular grooves on the peripheral surface of the support shaft 2 include a first group of annular grooves a and a second group of annular grooves b. The annular groove a belonging to the first group is a pair of adjacent first and second annular annular projections a.
It is defined between the 1, a 2. The annular grooves b belonging to the second group are defined between a pair of adjacent and equal second annular annular rows b 1 and b 2 . The first annular annular rows a 1 , a 2 and the second annular annular rows b 1 , b 2.
Is composed of nine cylindrical projections 32 each having a hemispherical head. A pair of first annular projection rows a 1 and a 2 and a pair of second annular annular projection rows b 1 and b 2 are alternately formed in the axial direction on the support shaft 2 and are adjacent to each other. The projection groups of the first annular projection row a 1 (a 2 ) and the second annular projection row b 2 (b 1 ) are formed so as to be shifted evenly in the circumferential direction. In this example, the diameter of the projection 32 is 3.5 mm, and the height is 3.5 mm. This cylindrical projection 3
2 is a molded product of a peak material, and the surface roughness of the side surface is Ra.
It is 0.5 μm or less. A plurality of insertion holes (not shown) are formed in the support shaft 2 machined by the peak material, and are combined by press-fitting the legs (not shown) of the cylindrical projections 32 into these. Therefore, the protrusion 3 of the present example
2, the annular groove a or b is located only on one side. The reason for forming such a projection pattern is that the diameter of the projection 32 is made smaller than that of the third embodiment, so that the annular grooves a,
b to a predetermined value (for example, 6.35 m).
m). If the size of the protrusion is reduced and an annular groove for supporting the substrate is provided on both sides of the protrusion, the distance between adjacent substrates is reduced, and mutual contact is caused. Therefore, by always inserting two projection annular rows between the annular grooves a and b, the substrate pitch is ensured while reducing the contact area. Here, the first annular projection row and the second annular projection row are arranged so as to be shifted from each other by 20 ° in the circumferential direction, and the projections of the first annular annular row and the second annular row of projections are not aligned. If the columns do not interfere with each other, the groove width of the annular groove can be set relatively freely while keeping the groove pitch constant even for various projection sizes in the design of the jig.

【0021】次に、上記各実施例の効果を確認するため
に、環状溝の側面の表面粗さをバフ研磨又は成形加工に
より変化させ(実施例1はバフ研磨で、実施例1乃至実
施例4は成形加工で)、その表面粗さと傷による膜表面
欠陥の発生について試験した。その結果を表1に掲げ
る。
Next, in order to confirm the effect of each of the above embodiments, the surface roughness of the side surface of the annular groove is changed by buffing or forming (Example 1 is buffing, and No. 4 is a molding process), and the surface roughness and occurrence of film surface defects due to scratches were tested. Table 1 shows the results.

【0022】[0022]

【表1】 [Table 1]

【0023】この表から明らかなように、表面粗さをR
a0.5μm以下にすることにより、側面との接触傷に
より膜の表面欠陥は皆無となっている。実施例1の治具
において切削加工では、表面粗さRa1.0μmが限界
である。それ以下の表面粗さにするにはバフ研磨を施す
必要がある。従って、環状溝の側面がバフ研磨面であれ
ば表面欠陥の発生率を従来に比して抑制できる。
As is clear from this table, the surface roughness is expressed as R
By setting a to 0.5 μm or less, there is no surface defect of the film due to a contact flaw with the side surface. In the cutting process of the jig of the first embodiment, a surface roughness Ra of 1.0 μm is a limit. It is necessary to perform buff polishing to make the surface roughness less than that. Therefore, if the side surface of the annular groove is a buff polished surface, the incidence of surface defects can be suppressed as compared with the conventional case.

【0024】次に、上記各実施例及び従来例におけるメ
ッキ治具の材質を変えたときの特性及び表面欠陥につい
て試験した。その結果を表2に示す。
Next, the characteristics and surface defects when the material of the plating jig in each of the above embodiments and the conventional example were changed were tested. Table 2 shows the results.

【0025】[0025]

【表2】 [Table 2]

【0026】この表で、「PEEK」とはピーク材(ポ
リエーテルエーテルケトン)、「PP」とはポリプロピ
レン、「PPS」とはポリフェニレンサルファイド、
「PTFT」とはポリテトラフロロエチレン、「HT−
PVC 」とは耐熱塩化ビニールである。「耐薬品性」とは
強酸(硝酸,硫酸)及び強アルカリに対する耐蝕性であ
る。この表2から明らかなように、本実施例の突起環状
列を有する治具を採用すると、PP及びHT−PVC の材
質のみはやや耐薬品性は劣るものの、無めっき欠陥,め
っき膜不均一,ノジュール欠陥,ピット欠陥は皆無であ
った。
In this table, “PEEK” means peak material (polyetheretherketone), “PP” means polypropylene, “PPS” means polyphenylene sulfide,
“PTFT” refers to polytetrafluoroethylene, “HT-
"PVC" is heat-resistant vinyl chloride. "Chemical resistance" refers to corrosion resistance to strong acids (nitric acid, sulfuric acid) and strong alkalis. As is apparent from Table 2, when the jig having the annular rows of the projections of this embodiment is employed, only the PP and HT-PVC materials are slightly inferior in chemical resistance. There were no nodule defects and no pit defects.

【0027】次に、種々の突起形状を有する治具及び従
来例に対する表面欠陥を試験した。
Next, jigs having various projection shapes and surface defects of the conventional example were tested.

【0028】その結果を表3に示す。Table 3 shows the results.

【0029】[0029]

【表3】 [Table 3]

【0030】この表で、「円柱ピン形」とは実施例3の
円柱突起の形状であり、図8(a)に示すものである。
「楕円柱形」とは断面楕円の柱を持ち、図8(b)に示
す形状である。「台形」とは実施例1に示す突起形状で
あり、図8(c)に示す形状である。また、「面取り台
形」とは 図8(c)に示す「台形」に更に面取りを施
した図8(d)に示す形状である。この表から明らかな
ように、面取り台形の突起を有する治具だけピット欠陥
やノジュール欠陥がやや発生したものの、本例の突起形
状のすべてにおいて表面欠陥の発生を効果的に抑制でき
た。
In this table, the "cylindrical pin shape" is the shape of the cylindrical projection of the third embodiment, as shown in FIG.
The “elliptical column shape” has a column having an elliptical cross section and has a shape shown in FIG. The “trapezoid” is the projection shape shown in the first embodiment, and is the shape shown in FIG. The “chamfered trapezoid” has a shape shown in FIG. 8D in which the “trapezoid” shown in FIG. 8C is further chamfered. As is clear from this table, although the pit defect and the nodule defect were slightly generated only in the jig having the chamfered trapezoidal protrusion, the generation of the surface defect was effectively suppressed in all of the protrusion shapes of this example.

【0031】なお、上記実施例に示す磁気ディスク基板
メッキ治具は、磁気ディスク用基板の表面に下地層とし
て無電解メッキ法でニッケル−合金層を形成する際に、
メッキ処理及びその前処理を行なうために基板を保持す
るものであるが、このような治具はめっき処理の場合に
限らずCVD,スパッタ法等の成膜処理において基板成
膜用支持具として用いることができるし、またエッチン
グ処理においても基板浸漬用支持具として用いることが
できる。
The magnetic disk substrate plating jig shown in the above embodiment is used for forming a nickel-alloy layer by electroless plating as a base layer on the surface of a magnetic disk substrate.
The jig is used to hold a substrate for performing a plating process and a pretreatment thereof, but such a jig is used not only in the case of the plating process but also as a substrate film forming support in a film forming process such as a CVD or sputtering method. It can be used as a substrate immersion support in the etching process.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、隣接す
る環状溝間を溝連結空隙で連通し、溝壁部を実質的に突
起環状列で構成してなる点に特徴を有しているので、次
の効果を奏する。
As described above, the present invention is characterized in that adjacent annular grooves are communicated with each other by a groove connecting space, and the groove wall portion is substantially constituted by an annular array of projections. Has the following effects.

【0033】環状溝に保持された基板の内周端縁部の
溝連結空隙に臨む部分はメッキ液等の処理物質に直接晒
されることになるので、内周端縁部に対する処理流体の
流入性及び排出性は従来支持具の場合に比して格段に良
くなる。また接触面積も従来支持具の場合に比して減少
している。従って、内周端縁部の接触面積の減少と処理
流体の供給量増大との相互作用によって、内周端縁部の
膜厚及び膜質の均一化、ガスピットやノジュール欠陥の
抑制を図ることができる。
The portion of the inner peripheral edge of the substrate held in the annular groove, which faces the groove connection gap, is directly exposed to a processing substance such as a plating solution. In addition, the dischargeability is significantly improved as compared with the conventional support. Also, the contact area is reduced as compared with the conventional support. Therefore, by the interaction between the decrease in the contact area of the inner peripheral edge and the increase in the supply amount of the processing fluid, the film thickness and film quality of the inner peripheral edge can be made uniform, and gas pits and nodule defects can be suppressed. .

【0034】半球面状の頭部を有する突起等である場
合は、基板と突起とが線接触又は点接触で接触する。か
かる場合、その接触面積が無限小になってくるため、処
理流体がその接触部位間にも進入して、その進入液が接
触緩衝層を形成するものと推測される。突起の大きさを
小さくすればする程、上記効果は顕著なものとなる。
In the case of a projection or the like having a hemispherical head, the substrate and the projection come into contact with each other by line contact or point contact. In such a case, since the contact area becomes infinitely small, it is presumed that the processing fluid also enters between the contact portions, and the entering liquid forms a contact buffer layer. The effect becomes more remarkable as the size of the projection is reduced.

【0035】また、本発明では環状溝の側面の表面粗
さをRa0.5μm以下に設定すると、異常析出等が抑
制され、傷による表面欠陥の発生率を低減できる。
In the present invention, when the surface roughness of the side surface of the annular groove is set to Ra 0.5 μm or less, abnormal deposition and the like can be suppressed, and the incidence of surface defects due to scratches can be reduced.

【0036】更に、一対の第1の突起環状列と一対の
第2の突起環状列とが支持軸上の軸方向に交互に繰り返
して形成され、相隣接する第1の突起環状列と第2の突
起環状列の突起群は周方向に相互平等にずらして形成さ
れてなる突起パターンとした場合には、突起環状列を構
成する突起の両側に環状溝が位置するのではなく、片側
にのみ環状溝が位置するものであるため、環状溝を所定
ピッチとすることができ、隣接するディスク基板の接触
を防止できる。換言すれば、環状溝を所定ピッチに確保
したまま環状溝の溝幅の変更設定を比較的自由に行なえ
る突起パターンであるため、設計上、厚さの異なる基板
にも容易に対応可能である。
Furthermore, a pair of first annular projection rows and a pair of second annular annular rows are alternately and repeatedly formed in the axial direction on the support shaft, and the adjacent first annular annular rows and second annular projection rows are formed. When the projection group of the annular projection row is formed as a projection pattern formed so as to be shifted evenly in the circumferential direction, the annular grooves are not located on both sides of the projection constituting the annular projection row, but only on one side. Since the annular groove is located, the annular groove can be formed at a predetermined pitch, and contact between adjacent disk substrates can be prevented. In other words, since the protrusion pattern allows the change of the groove width of the annular groove to be relatively freely set while securing the annular groove at a predetermined pitch, it is possible to easily cope with substrates having different thicknesses in design. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例1に係る磁気ディスク用基板メ
ッキ治具を示す側面図である。
FIG. 1 is a side view showing a magnetic disk substrate plating jig according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同磁気ディスク用基板メッキ治具の環状溝に基
板をセットした状態を示す側面図である。
FIG. 2 is a side view showing a state where a substrate is set in an annular groove of the magnetic disk substrate plating jig.

【図3】図2中II−II線に沿って見た状態を示す断面図
である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state viewed along line II-II in FIG. 2;

【図4】本発明の実施例2に係る磁気ディスク用基板メ
ッキ治具の使用態様を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a usage state of a magnetic disk substrate plating jig according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施例3に係る磁気ディスク用基板メ
ッキ治具の要部を示す側面図でる。
FIG. 5 is a side view showing a main part of a jig for plating a magnetic disk substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図6】図5中 III−III 線に沿って見た状態を示す断
面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state viewed along line III-III in FIG. 5;

【図7】本発明の実施例4に係る磁気ディスク用基板メ
ッキ治具を示す側面図である。
FIG. 7 is a side view showing a magnetic disk substrate plating jig according to Embodiment 4 of the present invention.

【図8】本発明の実施例における各突起形状を示す斜視
図である。
FIG. 8 is a perspective view showing the shape of each protrusion in the embodiment of the present invention.

【図9】従来の磁気ディスク用基板メッキ治具を示す側
面図でる。
FIG. 9 is a side view showing a conventional magnetic disk substrate plating jig.

【図10】図10中A−A線に沿って見た状態を示す断
面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a state viewed along line AA in FIG. 10;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…支持軸 3…取付部 6…基板 7…ディスク穴(基板穴) 10…磁気ディスク用基板メッキ治具 12…環状溝 14…突起(イボ状突起) 14a…面取り加工面 16…溝連結空隙 18…突起 22,32…円柱突起 a1,2 …第1の突起環状列 b1,2 …第2の突起環状列 A…先端面側DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 ... Support shaft 3 ... Mounting part 6 ... Substrate 7 ... Disk hole (substrate hole) 10 ... Magnetic disk substrate plating jig 12 ... Circular groove 14 ... Protrusion (warp-shaped projection) 14a ... Chamfered surface 16 ... Groove connection gap 18 ... projections 22, 32 ... cylindrical projections a 1, a 2 ... a first protrusion annular array b 1, b 2 ... second protrusion annular rows a ... front-end surface side

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 幸伯 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 渡辺 典久 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内 (72)発明者 武井 寿雄 長野県諏訪郡下諏訪町社133−4番地 中原化興株式会社内 (72)発明者 杉山 昇 長野県諏訪郡下諏訪町社133−4番地 中原化興株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C23C 18/00 - 18/54 C23C 14/50 C23C 16/44 C23F 1/08 102 G11B 5/84 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yukihisa Ishii 1-1, Tanabe-Nitta, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fuji Electric Co., Ltd. No. 1 Inside Fuji Electric Co., Ltd. (72) Inventor Toshio Takei 133-4 Shimosuwa-cho, Suwa-gun, Nagano Prefecture Inside Nakahara Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Noboru Sugiyama 133-4 Shimosuwa-cho, Suwa-gun, Nagano Prefecture Nakahara (58) Investigated field (Int.Cl. 7 , DB name) C23C 18/00-18/54 C23C 14/50 C23C 16/44 C23F 1/08 102 G11B 5/84

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 周面に複数輪の環状溝を有する支持軸を
備えたディスク状基板用支持具であって、 前記環状溝を画成する溝壁部は周方向の複数の位置に両
側の環状溝に連通する溝連結空隙を有していることを特
徴とするディスク状基板用支持具。
A disk-shaped substrate support provided with a support shaft having a plurality of annular grooves on a peripheral surface thereof, wherein a groove wall defining the annular groove has a plurality of circumferential grooves. A support for a disk-shaped substrate, characterized in that the support has a groove connection gap communicating with the annular grooves on both sides.
【請求項2】 周面に複数輪の環状溝を有する支持軸を
備えたディスク状基板用支持具であって、前記環状溝を
画成する溝壁部は周方向に複数の突起を配列してなる突
起環状列であることを特徴とするディスク状基板用支持
具。
2. A disk-like substrate support having a support shaft having a plurality of annular grooves on a peripheral surface thereof, wherein a groove wall defining the annular groove has a plurality of circumferentially extending grooves. A support for a disk-shaped substrate, wherein the support is an annular row of projections in which projections are arranged.
【請求項3】 請求項2に記載のディスク状基板用支持
具において、前記突起は前記環状溝側を面取り形成され
てなる台形状突起であることを特徴とするディスク状基
板用支持具。
3. The support for a disk-shaped substrate according to claim 2, wherein said projection is a trapezoidal projection formed by chamfering said annular groove.
【請求項4】 請求項3に記載のディスク状基板用支持
具において、前記台形状突起の側面はバフ研磨面である
ことを特徴とするディスク状基板用支持具。
4. The disk-shaped substrate support according to claim 3, wherein a side surface of the trapezoidal projection is a buffed surface.
【請求項5】 請求項2に記載のディスク状基板用支持
具において、複数輪の前記環状溝は第1群の環状溝と第
2群の環状溝からなり、第1群に属する環状溝は相隣接
し相等しい一対の第1の突起環状列の間に画成されてい
ると共に、第2群に属する環状溝は相隣接し相等しい一
対の第2の突起環状列の間に画成されており、一対の第
1の突起環状列と一対の第2の突起環状列とが前記支持
軸上の軸方向に交互に繰り返して形成され、相隣接する
第1の突起環状列と第2の突起環状列の突起群は周方向
に相互平等にずらして形成されてなることを特徴とする
ディスク状基板用支持具。
5. The disk-shaped substrate support according to claim 2, wherein the annular grooves of a plurality of rings include a first group of annular grooves and a second group of annular grooves. The annular grooves belonging to the second group are defined between a pair of adjacent and equal second annular arrays of protrusions, and the annular grooves belonging to the second group are defined between a pair of adjacent annular arrays of first protrusions. A pair of first projection annular rows and a pair of second projection annular rows are formed alternately and repeatedly in the axial direction on the support shaft, and the adjacent first projection annular rows and second A projection for a disk-shaped substrate, wherein the projections in the annular projection row are formed so as to be shifted evenly in the circumferential direction.
【請求項6】 請求項2又は請求項5に記載のディスク
状基板用支持具において、前記突起は半球面状の頭部を
有する円柱突起であることを特徴とするディスク状基板
用支持具。
6. The support for a disk-shaped substrate according to claim 2, wherein the projection is a cylindrical projection having a hemispherical head.
【請求項7】 請求項2又は請求項5に記載のディスク
状基板用支持具において、前記突起は半楕円球面状の頭
部を有する楕円柱突起であることを特徴とするディスク
状基板用支持具。
7. The support for a disk-shaped substrate according to claim 2, wherein said projection is an elliptic columnar projection having a semi-elliptical spherical head. Utensils.
【請求項8】 請求項2又は請求項5に記載のディスク
状基板用支持具において、前記突起は実質的に球体であ
ることを特徴とするディスク状基板用支持具。
8. The support for a disk-shaped substrate according to claim 2, wherein the projection is substantially a sphere.
【請求項9】 請求項6乃至請求項8のいずれか一項に
記載のディスク状基板用支持具において、前記突起は成
形品であることを特徴とするディスク状基板用支持具。
9. The disk-shaped substrate support according to claim 6, wherein the projection is a molded product.
【請求項10】 請求項1乃至請求項9のいずれか一項
に記載のディスク状基板用支持具において、前記環状溝
の側面の粗さがRa0.5μm以下であることを特徴と
するディスク状基板用支持具。
10. The disk-shaped substrate support according to claim 1, wherein a side surface of said annular groove has a roughness of Ra 0.5 μm or less. Support for substrate.
【請求項11】 請求項1乃至請求項10のいずれか一
項に規定するディスク状基板用支持具は、磁気ディスク
用基板表面に下地層として無電解メッキ法でニッケル−
りん合金層を形成する際に、メッキ処理及びその前処理
を行うために前記基板を保持すべき磁気ディスク用基板
メッキ治具であることを特徴とするディスク状基板用支
持具。
11. The disk-shaped substrate support according to any one of claims 1 to 10, wherein the support for the disk-shaped substrate is formed on a surface of the magnetic disk substrate by nickel plating by an electroless plating method.
A disk-shaped substrate support jig, which is a magnetic disk substrate plating jig for holding said substrate for performing a plating process and a pretreatment when forming a phosphorus alloy layer.
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