JP3090507B2 - 第二高調波発生装置 - Google Patents
第二高調波発生装置Info
- Publication number
- JP3090507B2 JP3090507B2 JP03226039A JP22603991A JP3090507B2 JP 3090507 B2 JP3090507 B2 JP 3090507B2 JP 03226039 A JP03226039 A JP 03226039A JP 22603991 A JP22603991 A JP 22603991A JP 3090507 B2 JP3090507 B2 JP 3090507B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- solid
- harmonic
- light
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は第二高調波発生装置に関
する。
する。
【０００２】レーザ光の第二高調波は、例えば光記録の
分野において、記録の高密度化を可能とするものとして
期待されている。
分野において、記録の高密度化を可能とするものとして
期待されている。
【０００３】光記録等に使用しうる第二高調波は、光強
度が高いものであること、及び取扱う信号との関係で例
えば数１００ＭＨｚもの高い周波数で変調されたもので
あることが必要である。
度が高いものであること、及び取扱う信号との関係で例
えば数１００ＭＨｚもの高い周波数で変調されたもので
あることが必要である。
【０００４】従って、第二高調波発生装置は、光強度の
高い第二高調波を発生可能であり、しかも数１００ＭＨ
ｚもの高い周波数領域まで変調可能なものであることが
必要とされる。
高い第二高調波を発生可能であり、しかも数１００ＭＨ
ｚもの高い周波数領域まで変調可能なものであることが
必要とされる。
【０００５】
【従来の技術】図１０は従来の１例の第二高調波発生装
置１であり、レーザダイオード（以下ＬＤという）２
と、ＬｉＮｂＯ3 の結晶３を組合わせた構成である。
置１であり、レーザダイオード（以下ＬＤという）２
と、ＬｉＮｂＯ3 の結晶３を組合わせた構成である。
【０００６】ＬＤ２よりのレーザ光４が結晶３内に入
り、結晶３より、レーザ光４の第二高調波５が出力され
る。
り、結晶３より、レーザ光４の第二高調波５が出力され
る。
【０００７】図１１は従来の別の例の第二高調波発生装
置１０を示す。
置１０を示す。
【０００８】１１はＹＡＧ（Ｙ3 Ａｌ5 Ｏ12）結晶、１
２は光共振器、１３はＹＡＧレーザである。
２は光共振器、１３はＹＡＧレーザである。
【０００９】１４はＫＮｂＯ3 結晶である。
【００１０】１５はＬＤであり、励起用であり、周波数
変調された信号によって駆動される。
変調された信号によって駆動される。
【００１１】ＬＤ１５よりのレーザ光１６が光共振器１
２内に入り、ここに閉じ込められ、ＹＡＧ結晶１１のＮ
ｄ原子を励起する。
２内に入り、ここに閉じ込められ、ＹＡＧ結晶１１のＮ
ｄ原子を励起する。
【００１２】Ｎｄ原子が基底状態に戻るときに光１７を
放出する。
放出する。
【００１３】放出された光１７は光共振器１２内で強め
られる。
られる。
【００１４】強められたレーザ光１８がＹＡＧレーザ１
３（光共振器１２）より出て、結晶１４内に入り、結晶
１４から、レーザ光１８の第二高調波１９が出力され
る。
３（光共振器１２）より出て、結晶１４内に入り、結晶
１４から、レーザ光１８の第二高調波１９が出力され
る。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】図１０の装置１では、
ＬＤ２の出力が低く、従って第二高調波５の光強度は低
い。
ＬＤ２の出力が低く、従って第二高調波５の光強度は低
い。
【００１６】図１１の装置１０では、ＹＡＧ結晶１１を
励起してレーザ光１８を得ているため、光強度の高い第
二高調波１８が得られる。
励起してレーザ光１８を得ているため、光強度の高い第
二高調波１８が得られる。
【００１７】しかし、ＬＤ１５がオフとされたときのＮ
ｄの放出は自然放出であり、これには、数１００μs の
時間を要する。
ｄの放出は自然放出であり、これには、数１００μs の
時間を要する。
【００１８】従って、ＹＡＧレーザ１３よりのレーザ光
１８は、ＬＤ１５をオフとした後も、図１２（Ａ）中、
線２０で示すように、弱まりながらも出続けることにな
る。このため、ＬＤ１５の励起を、同図（Ｂ）中、線２
１で示すように変調した場合には、ＹＡＧレーザ１３よ
りのレーザ光１８の光強度は同図（Ｃ）中、線２２で示
す如くになり、第二高調波１９の光強度は同図（Ｄ）中
線２３で示す如くになる。
１８は、ＬＤ１５をオフとした後も、図１２（Ａ）中、
線２０で示すように、弱まりながらも出続けることにな
る。このため、ＬＤ１５の励起を、同図（Ｂ）中、線２
１で示すように変調した場合には、ＹＡＧレーザ１３よ
りのレーザ光１８の光強度は同図（Ｃ）中、線２２で示
す如くになり、第二高調波１９の光強度は同図（Ｄ）中
線２３で示す如くになる。
【００１９】このように、レーザ光１８及び第二高調波
１９の出力が立下がるのに数１００μs もの時間ｔ1 を
要するため、変調周波数の帯域は数ｋＨｚに制限され、
それ以上の変調は不可能となり、有用性に欠ける。
１９の出力が立下がるのに数１００μs もの時間ｔ1 を
要するため、変調周波数の帯域は数ｋＨｚに制限され、
それ以上の変調は不可能となり、有用性に欠ける。
【００２０】そこで、本発明は、高光強度化及び変調周
波数の高域化を実現した第二高調波発生装置を提供する
ことを目的とする。
波数の高域化を実現した第二高調波発生装置を提供する
ことを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、所定
の発振線幅を有する固体レーザ媒体を光共振器内に設け
てなる固体レーザと、該固体レーザの該固体レーザ媒体
を励起するレーザ光を出力する第１の半導体レーザと、
上記固体レーザ媒体の上記発振線幅内で周波数変調され
たシード光を出力して上記固体レーザ媒体に入射させる
第２の半導体レーザと、波長依存性を有し、該固体レー
ザよりのレーザ光を入射されてその第二高調波を発生さ
せる非線形光学結晶とよりなり、上記固体レーザ媒体
が、上記第１の半導体レーザよりの上記レーザ光によっ
て励起された状態を維持し、上記固体レーザが、上記第
２の半導体レーザよりの上記シード光によって発振モー
ドを変調され、上記非線形光学結晶がその波長依存性に
よって光強度が変調された第二高調波を出力する構成と
したものである。
の発振線幅を有する固体レーザ媒体を光共振器内に設け
てなる固体レーザと、該固体レーザの該固体レーザ媒体
を励起するレーザ光を出力する第１の半導体レーザと、
上記固体レーザ媒体の上記発振線幅内で周波数変調され
たシード光を出力して上記固体レーザ媒体に入射させる
第２の半導体レーザと、波長依存性を有し、該固体レー
ザよりのレーザ光を入射されてその第二高調波を発生さ
せる非線形光学結晶とよりなり、上記固体レーザ媒体
が、上記第１の半導体レーザよりの上記レーザ光によっ
て励起された状態を維持し、上記固体レーザが、上記第
２の半導体レーザよりの上記シード光によって発振モー
ドを変調され、上記非線形光学結晶がその波長依存性に
よって光強度が変調された第二高調波を出力する構成と
したものである。
【００２２】請求項２の発明は、請求項１の非線形光学
結晶を、上記光共振器内に設けた構成としたものであ
る。
結晶を、上記光共振器内に設けた構成としたものであ
る。
【００２３】請求項３の発明は、請求項１の固体レーザ
を、過飽和吸収体を設けた構成としたものである。
を、過飽和吸収体を設けた構成としたものである。
【００２４】
【作用】請求項１の第１の半導体レーザは、固体レーザ
が常時発振モードを維持するように作用する。
が常時発振モードを維持するように作用する。
【００２５】第２の半導体レーザは、これが出力するシ
ード光によって固体レーザの発振モードを引き込むよう
に作用する。
ード光によって固体レーザの発振モードを引き込むよう
に作用する。
【００２６】ここで、固体レーザは常時発振モードを維
持するため、誘導放出寿命がｎｓオーダの短いものとな
り、固体レーザの発振モードは、数１００ＭＨｚもの高
い周波数帯域で変調される。
持するため、誘導放出寿命がｎｓオーダの短いものとな
り、固体レーザの発振モードは、数１００ＭＨｚもの高
い周波数帯域で変調される。
【００２７】即ち、第１，第２の半導体レーザは、固体
レーザを、波長可変範囲をその発振線幅内とする波長可
変レーザとするように作用する。
レーザを、波長可変範囲をその発振線幅内とする波長可
変レーザとするように作用する。
【００２８】非線形光学結晶の波長依存性を利用する構
成は、光強度が数１００ＭＨｚもの高い周波数で変調さ
れた第二高調波を出力するように作用する。
成は、光強度が数１００ＭＨｚもの高い周波数で変調さ
れた第二高調波を出力するように作用する。
【００２９】請求項２の非線形光学結晶を光共振器内に
設けた構成は、非線形光学結晶内を通るレーザ光の光強
度を強くするように作用する。
設けた構成は、非線形光学結晶内を通るレーザ光の光強
度を強くするように作用する。
【００３０】請求項３の固体レーザ内に過飽和吸収体を
設けた構成は、固体レーザを自己モードロックさせるよ
うに作用する。
設けた構成は、固体レーザを自己モードロックさせるよ
うに作用する。
【００３１】
【実施例】図１は本発明の第１実施例の第二高調波発生
装置３０であり、例えば光ディスクに情報信号を記録す
るためのレーザ光を出力するのに利用される。
装置３０であり、例えば光ディスクに情報信号を記録す
るためのレーザ光を出力するのに利用される。
【００３２】図中、図２に示す構成部分と対応する部分
には同一符号を付す。
には同一符号を付す。
【００３３】３１は波長可変半導体レーザであり、共振
器内に回折格子を設けた構成であり、シード光３２を出
力する。
器内に回折格子を設けた構成であり、シード光３２を出
力する。
【００３４】このシード光３２はＹＡＧ結晶１１に加え
られ、ＹＡＧ結晶１１は、後述するレーザの引込み動作
を行う。
られ、ＹＡＧ結晶１１は、後述するレーザの引込み動作
を行う。
【００３５】また、波長可変半導体レーザ３１には、端
子３３を介して光磁気ディスクに記録する情報信号が入
力される。レーザ３１からは、図２（Ｂ）に示すよう
に、上記情報信号に応じて波長が変化するシード光３
２，即ち数１００ＭＨｚで、周波数変調されたシード光
３２を出力する。
子３３を介して光磁気ディスクに記録する情報信号が入
力される。レーザ３１からは、図２（Ｂ）に示すよう
に、上記情報信号に応じて波長が変化するシード光３
２，即ち数１００ＭＨｚで、周波数変調されたシード光
３２を出力する。
【００３６】また、レーザ３１は、シード光３２の周波
数変調幅ａが後述するＹＡＧ結晶１１よりのレーザ光の
発振線幅ｂ（図４参照）内となるように定めてある。こ
れにより、シード光３２は、図３に示すように上記の発
振線幅ｂ内で周波数変調されたものとなる。
数変調幅ａが後述するＹＡＧ結晶１１よりのレーザ光の
発振線幅ｂ（図４参照）内となるように定めてある。こ
れにより、シード光３２は、図３に示すように上記の発
振線幅ｂ内で周波数変調されたものとなる。
【００３７】次に、上記構成の装置３０の動作について
説明する。
説明する。
【００３８】ＹＡＧ結晶１１には、励起用ＬＤ３４から
の図２（Ａ）に示すレーザ光３５と、波長可変ＬＤ３１
からの同図（Ｂ）に示すシード光３２とが入射する。
の図２（Ａ）に示すレーザ光３５と、波長可変ＬＤ３１
からの同図（Ｂ）に示すシード光３２とが入射する。
【００３９】励起用ＬＤ３４は、図１１の場合のように
変調されず、連続して一定状態で発振する。
変調されず、連続して一定状態で発振する。
【００４０】レーザ光３５によって、ＹＡＧ結晶１１は
励起され、Ｎｄイオンの原子が基底状態に戻るときに光
３６を放出する。
励起され、Ｎｄイオンの原子が基底状態に戻るときに光
３６を放出する。
【００４１】ここで、Ｎｄイオンの発振波長1.06μm は
単純な線ではない。この線は 4Ｆ3/ 2 → 4Ｉ11/2の遷移
といわれ、この線の幅は室温で６５cm-1となり、波長に
換算すると約0.7 nmとなる。
単純な線ではない。この線は 4Ｆ3/ 2 → 4Ｉ11/2の遷移
といわれ、この線の幅は室温で６５cm-1となり、波長に
換算すると約0.7 nmとなる。
【００４２】従って、ＹＡＧ結晶１１にレーザ光３５だ
けが入射している場合、ＹＡＧ結晶光共振器１２より出
力されるレーザ光３７の発振線３８は図４に示すよう
に、0.7 nmの幅ｂを有する。
けが入射している場合、ＹＡＧ結晶光共振器１２より出
力されるレーザ光３７の発振線３８は図４に示すよう
に、0.7 nmの幅ｂを有する。
【００４３】即ち、ＹＡＧ結晶光変換器１２は、0.7 nm
と極く狭い範囲ではあるけれども、波長可変レーザとな
る。
と極く狭い範囲ではあるけれども、波長可変レーザとな
る。
【００４４】ここで、励起用ＬＤ１４は継続的に動作し
ており、ＹＡＧ結晶１１には、図２（Ａ）に示すように
レーザ光３５が継続的に入射しており、ＹＡＧレーザ１
３は誘導放出を継続している。
ており、ＹＡＧ結晶１１には、図２（Ａ）に示すように
レーザ光３５が継続的に入射しており、ＹＡＧレーザ１
３は誘導放出を継続している。
【００４５】ＹＡＧ結晶１１には、シード光３２も入射
しており、これによって以下に説明するレーザの引込み
動作が行われる。
しており、これによって以下に説明するレーザの引込み
動作が行われる。
【００４６】一般に、レーザの発振波長は発振可能線幅
中であれば、どの値でも取りうる。その発振波長はむし
ろ偶然に左右されうる。しかし発振始めに特定波長の光
が入射されれば、引き込まれてその波長によって選択的
に誘導放出され、出力全体が特定波長で発振する。この
ような目的のために最初に別のレーザから注入する光を
シード光と呼ぶ。従って、このシード光の発振波長を制
御することによって、レーザの発振波長を制御すること
ができる。
中であれば、どの値でも取りうる。その発振波長はむし
ろ偶然に左右されうる。しかし発振始めに特定波長の光
が入射されれば、引き込まれてその波長によって選択的
に誘導放出され、出力全体が特定波長で発振する。この
ような目的のために最初に別のレーザから注入する光を
シード光と呼ぶ。従って、このシード光の発振波長を制
御することによって、レーザの発振波長を制御すること
ができる。
【００４７】ここで、ＹＡＧ結晶１１は励起状態を維持
し、ＹＡＧレーザ１３は誘導放出を接続しており、レー
ザ準位寿命は自然放出の寿命ではなく誘導放出の寿命と
なり、自然放出の寿命よりはるかに小さくなり、ｎｓオ
ーダとなる。
し、ＹＡＧレーザ１３は誘導放出を接続しており、レー
ザ準位寿命は自然放出の寿命ではなく誘導放出の寿命と
なり、自然放出の寿命よりはるかに小さくなり、ｎｓオ
ーダとなる。
【００４８】上記のシード光３２がＹＡＧ結晶１１に入
射することによって、ＹＡＧレーザ１３より射出される
出力の大なるレーザ光３９は、図２（Ｃ）に示すよう
に、シード光３２によって周波数変調されたものとな
る。
射することによって、ＹＡＧレーザ１３より射出される
出力の大なるレーザ光３９は、図２（Ｃ）に示すよう
に、シード光３２によって周波数変調されたものとな
る。
【００４９】上記のようにＹＡＧ結晶１１内における放
出寿命はｎｓオーダであるため、レーザ光３９の波長の
復帰の動作は瞬時に行われ、ＹＡＧレーザ１３は、レー
ザ光３９を数１００ＭＨｚに及ぶ高周波数帯域まで周波
数変調が可能となる。
出寿命はｎｓオーダであるため、レーザ光３９の波長の
復帰の動作は瞬時に行われ、ＹＡＧレーザ１３は、レー
ザ光３９を数１００ＭＨｚに及ぶ高周波数帯域まで周波
数変調が可能となる。
【００５０】このため、ＹＡＧレーザ１３は、数１００
Ｍｚで周波数変調されているシード光３２に十分に追従
できる速さで変調動作を行うことが出来、図２（Ｃ）に
示すように、光強度が高くて且つ一定であり、波長が数
１００Ｍｚで周波数変調されたレーザ光３９を出射す
る。
Ｍｚで周波数変調されているシード光３２に十分に追従
できる速さで変調動作を行うことが出来、図２（Ｃ）に
示すように、光強度が高くて且つ一定であり、波長が数
１００Ｍｚで周波数変調されたレーザ光３９を出射す
る。
【００５１】ここで、発振直後はシード光によって波長
が制御されるが、発振後は自らの発振波長によって誘導
放出が起きるため制御が出来ないという議論があるかも
しれない。しかし固体レーザの連続発振は必ずしも、時
間的に一定出力が出ているわけではない。連続発振とは
いってもｎｓのオーダでは断続的なスパイク発振してい
ることが知られている。これは緩和発振として知られて
いる現象で、固体レーザでは特徴的なものである。各ス
パイクは各々独立した波長で発振している。
が制御されるが、発振後は自らの発振波長によって誘導
放出が起きるため制御が出来ないという議論があるかも
しれない。しかし固体レーザの連続発振は必ずしも、時
間的に一定出力が出ているわけではない。連続発振とは
いってもｎｓのオーダでは断続的なスパイク発振してい
ることが知られている。これは緩和発振として知られて
いる現象で、固体レーザでは特徴的なものである。各ス
パイクは各々独立した波長で発振している。
【００５２】このレーザ光３９がＫＮｂＯ3 結晶１３に
入射される。
入射される。
【００５３】この結晶１３から第二高調波を効率よく出
力たるためには、位相整合を図る必要がある。
力たるためには、位相整合を図る必要がある。
【００５４】この結晶１３において、位相整合が成り立
つための入射するレーザ光３９の波長の許容幅ｃは、約
0.06nm・cmである。
つための入射するレーザ光３９の波長の許容幅ｃは、約
0.06nm・cmである。
【００５５】結晶１３についての入射レーザ光と第二高
調波との関係は、図５に示す如くになる。
調波との関係は、図５に示す如くになる。
【００５６】入射レーザ光を、線４５に示すように、光
強度は変えずに波長を変えた場合、第二高調波の光強度
は、線４６で示す如くになる。
強度は変えずに波長を変えた場合、第二高調波の光強度
は、線４６で示す如くになる。
【００５７】即ち、入射レーザ光の波長が許容幅ｃ内に
入ると、位相が整合して結晶１３より第二高調波が出力
される。入射レーザ光の波長が許容幅ｃより外れると、
位相が不整合となって、第二高調波の出力は略零となっ
てしまう。
入ると、位相が整合して結晶１３より第二高調波が出力
される。入射レーザ光の波長が許容幅ｃより外れると、
位相が不整合となって、第二高調波の出力は略零となっ
てしまう。
【００５８】このように、結晶１３は波長依存性を有す
る。
る。
【００５９】本発明はこの波長依存性を利用している。
【００６０】この波長依存性が利用できるように、許容
幅ｃと前記の発振線幅ｂとは、図３及び図４に示すよう
に、ｃ≪ｂの関係となっている。
幅ｃと前記の発振線幅ｂとは、図３及び図４に示すよう
に、ｃ≪ｂの関係となっている。
【００６１】前記のレーザ光３９は波長が発振線幅ｃが
周波数変調されたものであるため、これが結晶１３に入
射すると、波長が許容幅ｃ内に出入りし、位相整合と不
整合の状態が繰り返される。
周波数変調されたものであるため、これが結晶１３に入
射すると、波長が許容幅ｃ内に出入りし、位相整合と不
整合の状態が繰り返される。
【００６２】結晶１３は、位相整合した時のみ第二高調
波を出力し、位相不整合の時には第二高調波を出力しな
い。
波を出力し、位相不整合の時には第二高調波を出力しな
い。
【００６３】これにより、結晶１３からは、図２（Ｄ）
に示すように、光強度が数１００ＭＨｚの高い周波数で
周波数変調された第二高調波４０が出力される。
に示すように、光強度が数１００ＭＨｚの高い周波数で
周波数変調された第二高調波４０が出力される。
【００６４】従って、上記の装置３０は、数１００ＭＨ
ｚの高い周波数で変調されている情報信号の入来に応じ
て、光強度が高く、且つ波長がＹＡＧレーザ１３のレー
ザ光３９の半分であり、光強度が情報信号に対応して数
１００ＭＨｚの高い周波数によって周波数変調された第
二高調波４０を出力する。
ｚの高い周波数で変調されている情報信号の入来に応じ
て、光強度が高く、且つ波長がＹＡＧレーザ１３のレー
ザ光３９の半分であり、光強度が情報信号に対応して数
１００ＭＨｚの高い周波数によって周波数変調された第
二高調波４０を出力する。
【００６５】なお、上記の装置３０は光ディスク用に限
らず、光通信用等他の分野においても利用できる。
らず、光通信用等他の分野においても利用できる。
【００６６】また、ＹＡＧ結晶１１に代えて、別の固体
レーザ結晶を使用してもよい。
レーザ結晶を使用してもよい。
【００６７】また、ＫＮｂＯ3 結晶１３に代えて、Ｌｉ
ＮｂＯ3結晶又はＬｉＴｉＯ3 結晶を設けてもよい。
ＮｂＯ3結晶又はＬｉＴｉＯ3 結晶を設けてもよい。
【００６８】図６は本発明の第２実施例の第二高調波発
生装置５０を示す。
生装置５０を示す。
【００６９】この装置５０は、前記の装置３０とは異な
り、ＫＮｂＯ3 結晶１３を共振器５１内に設けた構成で
ある。
り、ＫＮｂＯ3 結晶１３を共振器５１内に設けた構成で
ある。
【００７０】これにより、結晶１３内を通るレーザ光が
強くなって第二高調波がより効果的に発生し、図６に示
すように光強度の高い（Ｐ2 ＞Ｐ1 ）第二高調波５２が
出力される。
強くなって第二高調波がより効果的に発生し、図６に示
すように光強度の高い（Ｐ2 ＞Ｐ1 ）第二高調波５２が
出力される。
【００７１】また、結晶１３の長さが等価的に長くなっ
て、位相整合の許容幅が狭くなる。このため、波長可変
ＬＤ３１の波長可変幅をその分狭くしてもよいことにな
り、有利である。
て、位相整合の許容幅が狭くなる。このため、波長可変
ＬＤ３１の波長可変幅をその分狭くしてもよいことにな
り、有利である。
【００７２】図７は本発明の第３実施例の第二高調波発
生装置６０を示す。
生装置６０を示す。
【００７３】この装置６０は、過飽和吸収体６１を光共
振器１２内であってＹＡＧ結晶１１の射出側に設けた構
成である。
振器１２内であってＹＡＧ結晶１１の射出側に設けた構
成である。
【００７４】過飽和吸収体６１は、ＹＡＧ結晶１１より
出力されたレーザ光３９のうち光強度の低い部分のレー
ザ光を吸収する。
出力されたレーザ光３９のうち光強度の低い部分のレー
ザ光を吸収する。
【００７５】これにより、ＹＡＧレーザ１３の発振が自
己モードロックされ、ＹＡＧレーザ１３は、図８（Ａ）
に示すように、光強度のピークが図２（Ｃ）のＰ10より
高いＰ11であり、規則正しいＧＨｚオーダの連続パルス
よりなるレーザ光６２を出力する。
己モードロックされ、ＹＡＧレーザ１３は、図８（Ａ）
に示すように、光強度のピークが図２（Ｃ）のＰ10より
高いＰ11であり、規則正しいＧＨｚオーダの連続パルス
よりなるレーザ光６２を出力する。
【００７６】このように、ピークが高いため、結晶１３
は、第二高調波を効率良く発生し、図８（Ｂ）に示すよ
うに、図２（Ｄ）に比べて光強度の大なる第二高調波６
３が出力される。
は、第二高調波を効率良く発生し、図８（Ｂ）に示すよ
うに、図２（Ｄ）に比べて光強度の大なる第二高調波６
３が出力される。
【００７７】また、レーザ光６２に規則性があるため、
上記の第二高調波６３は従来に比べてノイズが少ないも
のとなる。
上記の第二高調波６３は従来に比べてノイズが少ないも
のとなる。
【００７８】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、固体レーザの発振モードを例えば数１００ＭＨｚ
もの高い周波数帯域で変調させることが出来る。また、
非線形光学結晶の波長依存性を利用することによって、
光強度が高く、しかも光強度が例えば数１００ＭＨｚも
の高い周波数で変調された第二高調波を発生することが
出来る。
れば、固体レーザの発振モードを例えば数１００ＭＨｚ
もの高い周波数帯域で変調させることが出来る。また、
非線形光学結晶の波長依存性を利用することによって、
光強度が高く、しかも光強度が例えば数１００ＭＨｚも
の高い周波数で変調された第二高調波を発生することが
出来る。
【００７９】請求項２の発明によれば、請求項１の発明
に比べて、光強度の高い第二高調波を発生することが出
来る。
に比べて、光強度の高い第二高調波を発生することが出
来る。
【００８０】請求項３の発明によれば、請求項１の発明
に比べて、光強度の高い第二高調波を発生することが出
来る。
に比べて、光強度の高い第二高調波を発生することが出
来る。
【図１】本発明の第１実施例になる第二高調波発生装置
を示す図である。
を示す図である。
【図２】図１の装置の各部のレーザ光及び第二高調波を
示す図である。
示す図である。
【図３】シード光の周波数変調幅、レーザ光の発振線
幅、及び位相整合の許容幅を示す図である。
幅、及び位相整合の許容幅を示す図である。
【図４】図１中、ＹＡＧレーザのレーザ光の発振線を示
す図である。
す図である。
【図５】図１中、ＫＮｂＯ3 結晶の波長依存性を説明す
る図である。
る図である。
【図６】本発明の第２実施例になる第二高調波発生装置
を示す図である。
を示す図である。
【図７】本発明の第２実施例になる第二高調波発生装置
を示す図である。
を示す図である。
【図８】本発明の第３実施例になる第二高調波発生装置
を示す図である。
を示す図である。
【図９】図８中のレーザ光及び第二高調波を示す図であ
る。
る。
【図１０】従来の１例を示す図である。
【図１１】従来の別の例を示す図である。
【図１２】図１１の装置の動作を説明する図である。
１１ ＹＡＧ結晶 １２，５１ 光共振器 １３ ＹＡＧレーザ １４ ＫＮｂＯ3 結晶 ３０，５０，６０ 第二高調波発生装置 ３１ 波長可変半導体レーザ ３２ シード光 ３３ 端子 ３４ 励起用半導体レーザ ３５ レーザ光 ３６ 光 ３７ レーザ光３５により励起されて出力されたレーザ
光 ３８ 発振線 ３９，６２ レーザ光３５及びシード光３２が入射して
いるときに出射されるレーザ光 ４０，５２，６３ 第二高調波 ６１ 過飽和吸収体 ａ シード光の周波数変調幅 ｂ レーザ光の発振線幅 ｃ 位相整合の許容幅
光 ３８ 発振線 ３９，６２ レーザ光３５及びシード光３２が入射して
いるときに出射されるレーザ光 ４０，５２，６３ 第二高調波 ６１ 過飽和吸収体 ａ シード光の周波数変調幅 ｂ レーザ光の発振線幅 ｃ 位相整合の許容幅
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の発振線幅（ｂ）を有する固体レー
ザ媒体（１１）を光共振器（１２）内に設けてなる固体
レーザ（１３）と、 該固体レーザの該固体レーザ媒体を励起するレーザ光
（３５）を出力する第１の半導体レーザ（３４）と、 上記固体レーザ媒体の上記発振線幅（ｂ）内で周波数変
調されたシード光（３２）を出力して上記固体レーザ媒
体に入射させる第２の半導体レーザ（３１）と、 波長依存性を有し、該固体レーザよりのレーザ光を入射
されてその第二高調波を発生させる非線形光学結晶（１
３）とよりなり、 上記固体レーザ媒体が、上記第１の半導体レーザよりの
上記レーザ光によって励起された状態を維持し、上記固
体レーザが、上記第２の半導体レーザよりの上記シード
光によって発振モードを変調され、上記非線形光学結晶
がその波長依存性によって光強度が変調された第二高調
波を出力する構成としたことを特徴とする第二高調波発
生装置。 - 【請求項２】 請求項１の非線形光学結晶を、上記光共
振器（５１）内に設けた構成としたことを特徴とする第
二高調波発生装置。 - 【請求項３】 請求項１の固体レーザを、過飽和吸収体
（６１）を設けた構成としたことを特徴とする第二高調
波発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03226039A JP3090507B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 第二高調波発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03226039A JP3090507B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 第二高調波発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566438A JPH0566438A (ja) | 1993-03-19 |
| JP3090507B2 true JP3090507B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=16838823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03226039A Expired - Fee Related JP3090507B2 (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | 第二高調波発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3090507B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168920U (ja) * | 1980-05-20 | 1981-12-14 |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP03226039A patent/JP3090507B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56168920U (ja) * | 1980-05-20 | 1981-12-14 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566438A (ja) | 1993-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5796761A (en) | High efficiency solid state raman laser system | |
| Risk et al. | Generation of blue light by intracavity frequency mixing of the laser and pump radiation of a miniature neodymium: yttrium aluminum garnet laser | |
| US8867584B2 (en) | Intra-cavity optical parametric oscillator | |
| KR960006210B1 (ko) | 레이저 시스템 및 그의 출력 파워 제어 방법 | |
| Baer et al. | Performance of diode-pumped Nd: YAG and Nd: YLF lasers in a tightly folded resonator configuration | |
| WO1993014542A1 (en) | High power laser employing fiber optic delivery means | |
| JP2002503396A (ja) | レーザー | |
| US6775307B2 (en) | Light wavelength conversion module | |
| US5625633A (en) | Laser light generating apparatus | |
| JP3350607B2 (ja) | レーザ装置 | |
| GB2250132A (en) | A titanium doped solid state laser | |
| JP3090507B2 (ja) | 第二高調波発生装置 | |
| US5297076A (en) | Spectral hole burning data storage system and method | |
| JP3059936B2 (ja) | 可変コヒーレンス長高輝度レーザ設計 | |
| JP2904189B2 (ja) | 光パラメトリック発振器 | |
| JPH05110179A (ja) | 短波長短パルス光源 | |
| JP2606101B2 (ja) | Ｓｈｇ固体レーザ光源 | |
| EP0695004A1 (en) | Second harmonic generating apparatus | |
| JP3271212B2 (ja) | 波長変換装置および方法 | |
| JP3329446B2 (ja) | コヒーレント光源およびその制御方法 | |
| JPH05299751A (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JPH09186381A (ja) | レーザ光発生装置 | |
| JP2820800B2 (ja) | 第二高調波発生装置 | |
| JPH0621537A (ja) | リングレーザ | |
| Wang et al. | Low-voltage electro-optic Q switching of 1.06-/spl mu/m microlasers by PLZT |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000704 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080721 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090721 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |