JP3083401B2 - Ｆｉｂアシストデポジション装置のガス供給装置 - Google Patents
Ｆｉｂアシストデポジション装置のガス供給装置Info
- Publication number
- JP3083401B2 JP3083401B2 JP04118857A JP11885792A JP3083401B2 JP 3083401 B2 JP3083401 B2 JP 3083401B2 JP 04118857 A JP04118857 A JP 04118857A JP 11885792 A JP11885792 A JP 11885792A JP 3083401 B2 JP3083401 B2 JP 3083401B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- gas
- nozzle
- cylinder
- piston
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集束イオンビーム（Ｆ
ＩＢ）を用い、ガス雰囲気中で金属原子を特定パターン
に沿って材料上に堆積させるようにしたＦＩＢアシスト
デポジション装置のガス供給装置に関する。
ＩＢ）を用い、ガス雰囲気中で金属原子を特定パターン
に沿って材料上に堆積させるようにしたＦＩＢアシスト
デポジション装置のガス供給装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＩＢアシストデポジションと呼ばれる
技術は、集積回路の結線などの導体パターンの形成や、
エッチング後に形成された孔への導体の堆積などに用い
られている。この技術は、有機金属ガス雰囲気中でガリ
ウムイオン（Ｇａ＋）などを材料に照射し、金属原子を
材料上に堆積させるものであるが、これに用いられるガ
ス源としては、常温で固体のもの、例えば、タングステ
ン・ヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）が用いられる。
図１はこのＦＩＢアシストデポジション装置の概略構成
を示しており、１は集束イオンビーム（ＦＩＢ）カラム
である。このカラム１内にはガリウムイオン源２、集束
レンズ３，４が設けられている。もちろん、図示してい
ないが、イオンビームを偏向する偏向器も備えられてい
る。５はＦＩＢカラム１の下部に設けられたデポジショ
ン室であり、このデポジション室５内には材料６が配置
されている。デポジション室５の内部は排気ポンプ７に
よって排気される。
技術は、集積回路の結線などの導体パターンの形成や、
エッチング後に形成された孔への導体の堆積などに用い
られている。この技術は、有機金属ガス雰囲気中でガリ
ウムイオン（Ｇａ＋）などを材料に照射し、金属原子を
材料上に堆積させるものであるが、これに用いられるガ
ス源としては、常温で固体のもの、例えば、タングステ
ン・ヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）が用いられる。
図１はこのＦＩＢアシストデポジション装置の概略構成
を示しており、１は集束イオンビーム（ＦＩＢ）カラム
である。このカラム１内にはガリウムイオン源２、集束
レンズ３，４が設けられている。もちろん、図示してい
ないが、イオンビームを偏向する偏向器も備えられてい
る。５はＦＩＢカラム１の下部に設けられたデポジショ
ン室であり、このデポジション室５内には材料６が配置
されている。デポジション室５の内部は排気ポンプ７に
よって排気される。
【０００３】８は常温で固体の金属、例えばＷ（ＣＯ）
６などの有機金属９が入れられたガス源容器であり、容
器８はヒータ１０によって加熱され、有機金属を蒸発あ
るいは昇華できるように構成されている。容器８内部で
発生した有機金属ガスは、ガス導入管１１を介してデポ
ジション室５内部に導入され、ガス導入管１１の先端部
に設けられたノズル１２より材料６に向けて吹き出され
る。なお、導入管１１やノズル１２は、それらの内部で
有機金属ガスが凝結しないようにヒータ１３によって加
熱される。ガス導入管１１の途中には、バルブ１４と三
方バルブ１５が設けられており、三方バルブ１５には排
気管１６が接続されている。排気管１６はターボ分子ポ
ンプ１６と回転ポンプ１７につながれている。このよう
な構成の動作を以下に説明する。
６などの有機金属９が入れられたガス源容器であり、容
器８はヒータ１０によって加熱され、有機金属を蒸発あ
るいは昇華できるように構成されている。容器８内部で
発生した有機金属ガスは、ガス導入管１１を介してデポ
ジション室５内部に導入され、ガス導入管１１の先端部
に設けられたノズル１２より材料６に向けて吹き出され
る。なお、導入管１１やノズル１２は、それらの内部で
有機金属ガスが凝結しないようにヒータ１３によって加
熱される。ガス導入管１１の途中には、バルブ１４と三
方バルブ１５が設けられており、三方バルブ１５には排
気管１６が接続されている。排気管１６はターボ分子ポ
ンプ１６と回転ポンプ１７につながれている。このよう
な構成の動作を以下に説明する。
【０００４】まず、排気ポンプ７によってデポジション
室５内部を所定の圧力にまで排気すると共に、バルブ１
４を開とし、三方バルブ１５のガス源容器８側を閉、排
気管１６側を開としてガス導入管１１とノズル１２内の
残留ガスをポンプ１７，１８で排気する。デポジション
室５内が所定の真空度となった後にヒータ１０をオンに
して、容器８内の有機金属を加熱し蒸発させる。この
時、三方バルブ１５のガス源容器８側を開、排気管１６
側を閉とする。この結果、容器８内で蒸発した有機金属
は、導入管１１を通り、ノズル１２から材料６に向け吹
き出される。この有機金属の材料６への噴射と共に、イ
オン源２からの集束イオンビーム（ＦＩＢ）を所定のパ
ターンに応じて材料６上に照射することにより、パター
ンに沿って有機金属が材料６上に堆積することになる。
なお、材料６に向けて照射される有機金属ガスの量は、
バルブ１４のコンダクタンスを調整したり、三方バルブ
において容器８からのガスを一部排気管１６の方に流す
ように調整することにより、制御することができる。所
定のパターンの金属の堆積が終了したら、ヒータはオフ
にされ、三方バルブ１５のガス源容器８側を閉、排気管
１６側を開とし、ガス導入管１１，ノズル１２内の残留
ガスを排気する。
室５内部を所定の圧力にまで排気すると共に、バルブ１
４を開とし、三方バルブ１５のガス源容器８側を閉、排
気管１６側を開としてガス導入管１１とノズル１２内の
残留ガスをポンプ１７，１８で排気する。デポジション
室５内が所定の真空度となった後にヒータ１０をオンに
して、容器８内の有機金属を加熱し蒸発させる。この
時、三方バルブ１５のガス源容器８側を開、排気管１６
側を閉とする。この結果、容器８内で蒸発した有機金属
は、導入管１１を通り、ノズル１２から材料６に向け吹
き出される。この有機金属の材料６への噴射と共に、イ
オン源２からの集束イオンビーム（ＦＩＢ）を所定のパ
ターンに応じて材料６上に照射することにより、パター
ンに沿って有機金属が材料６上に堆積することになる。
なお、材料６に向けて照射される有機金属ガスの量は、
バルブ１４のコンダクタンスを調整したり、三方バルブ
において容器８からのガスを一部排気管１６の方に流す
ように調整することにより、制御することができる。所
定のパターンの金属の堆積が終了したら、ヒータはオフ
にされ、三方バルブ１５のガス源容器８側を閉、排気管
１６側を開とし、ガス導入管１１，ノズル１２内の残留
ガスを排気する。
【０００５】図２は材料６への有機金属ガスの供給を行
う他の例の要部を示しており、この例では、ガス源容器
２０がデポジション室５の壁２１に取り付けられてい
る。ガス源容器２０の中心部にはノズル２２と連通した
ガス通路となる管２３が配置されており、管２３の端部
はシャフト２４の先端と係合するようになっており、管
２３とシャフト２４とによりオン／オフバルブが形成さ
れている。シャフト２４はデポジション室５の壁２１の
外部のシャフト駆動部２５により図中矢印方向に駆動さ
れる。ガス源容器２０の内部には、有機金属２６が封入
されており、また、ガス源容器２０とノズル２２とは、
ヒータ２７によって加熱される。
う他の例の要部を示しており、この例では、ガス源容器
２０がデポジション室５の壁２１に取り付けられてい
る。ガス源容器２０の中心部にはノズル２２と連通した
ガス通路となる管２３が配置されており、管２３の端部
はシャフト２４の先端と係合するようになっており、管
２３とシャフト２４とによりオン／オフバルブが形成さ
れている。シャフト２４はデポジション室５の壁２１の
外部のシャフト駆動部２５により図中矢印方向に駆動さ
れる。ガス源容器２０の内部には、有機金属２６が封入
されており、また、ガス源容器２０とノズル２２とは、
ヒータ２７によって加熱される。
【０００６】このような構成で、初期状態においては、
管２３はシャフト２４が押し付けられ、ヒータ２７によ
って容器２０やノズル２２が加熱される。この加熱によ
り、有機金属２６は蒸発あるいは昇華する。そして、シ
ャフト駆動部２５によりシャフト２４を管２３の端部か
ら離すことにより、容器２０内で蒸発，昇華した有機金
属ガスは管２３内からノズル２２に導かれ、材料６面に
向けて噴射される。
管２３はシャフト２４が押し付けられ、ヒータ２７によ
って容器２０やノズル２２が加熱される。この加熱によ
り、有機金属２６は蒸発あるいは昇華する。そして、シ
ャフト駆動部２５によりシャフト２４を管２３の端部か
ら離すことにより、容器２０内で蒸発，昇華した有機金
属ガスは管２３内からノズル２２に導かれ、材料６面に
向けて噴射される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図２の構成では、ガス
源容器２０内で飽和蒸気圧まで達したガスが、シャフト
２４を管２３の端部から離しバルブを開いた瞬間にノズ
ルから急激にデポジション室５内部に吹き出し、瞬間的
にデポジション室５内部の圧力を高くしてしまう。その
結果、排気ポンプ７の異常を引き起こす恐れが生じる。
図２の構造に付加してリークバルブなどをガスの通路に
設けることも考えられるが、リークバルブのシール部を
十分に加熱しないとガスがシール部で凝結し、リークバ
ルブの役割が維持できなくなる。更に、図２の構造では
容器２０内部の圧力がモニタできないという欠点も有し
ている。この容器２０内の圧力を知ることは、材料６に
堆積させる金属の量を制御するために重要である。
源容器２０内で飽和蒸気圧まで達したガスが、シャフト
２４を管２３の端部から離しバルブを開いた瞬間にノズ
ルから急激にデポジション室５内部に吹き出し、瞬間的
にデポジション室５内部の圧力を高くしてしまう。その
結果、排気ポンプ７の異常を引き起こす恐れが生じる。
図２の構造に付加してリークバルブなどをガスの通路に
設けることも考えられるが、リークバルブのシール部を
十分に加熱しないとガスがシール部で凝結し、リークバ
ルブの役割が維持できなくなる。更に、図２の構造では
容器２０内部の圧力がモニタできないという欠点も有し
ている。この容器２０内の圧力を知ることは、材料６に
堆積させる金属の量を制御するために重要である。
【０００８】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、ノズルから材料へ吹き出させるガ
スの量を制御することができるＦＩＢアシストデポジシ
ョン装置のガス供給装置を実現するにある。
もので、その目的は、ノズルから材料へ吹き出させるガ
スの量を制御することができるＦＩＢアシストデポジシ
ョン装置のガス供給装置を実現するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づくＦＩ
Ｂアシストデポジション装置のガス供給装置は、ノズル
から有機金属ガスを材料に向けて吹き出させると共に、
材料上でイオンビームにより所定のパターンを描画する
ようにしたＦＩＢアシストデポジション装置のガス供給
装置であって、加熱可能な第１の容器と、第１の容器の
一端に設けられ、ノズルと連通した第１の開口と、第１
の容器の他端に設けられ、排気系と連通した第２の開口
と、第１の容器内に配置されその内部にガス化物質が入
れられた第２の容器と、第１の容器の一方の端部内側と
第２の容器の一端とが構成する第１のバルブ構造と、第
１の容器の第２の開口部と第２の容器の他端が構成する
第２のバルブ構造と、第２の容器を第１の容器内で第１
の開口と第２の開口との間で移動させるための駆動手段
とを有したことを特徴としている。
Ｂアシストデポジション装置のガス供給装置は、ノズル
から有機金属ガスを材料に向けて吹き出させると共に、
材料上でイオンビームにより所定のパターンを描画する
ようにしたＦＩＢアシストデポジション装置のガス供給
装置であって、加熱可能な第１の容器と、第１の容器の
一端に設けられ、ノズルと連通した第１の開口と、第１
の容器の他端に設けられ、排気系と連通した第２の開口
と、第１の容器内に配置されその内部にガス化物質が入
れられた第２の容器と、第１の容器の一方の端部内側と
第２の容器の一端とが構成する第１のバルブ構造と、第
１の容器の第２の開口部と第２の容器の他端が構成する
第２のバルブ構造と、第２の容器を第１の容器内で第１
の開口と第２の開口との間で移動させるための駆動手段
とを有したことを特徴としている。
【００１０】また、第２の発明に基づくＦＩＢアシスト
デポジション装置のガス供給装置は、ノズルから有機金
属ガスを材料に向けて吹き出させると共に、材料上でイ
オンビームにより所定のパターンを描画するようにした
ＦＩＢアシストデポジション装置のガス供給装置であっ
て、一端がノズルに連通し、他端が排気系に接続された
シリンダと、ガス源容器と、ガス源容器からのガスをシ
リンダ内部に供給するための高コンタクダンスの管と低
コンダクタンスの管と、シリンダ内で移動されるピスト
ンと、ピストンを駆動する駆動手段とを有しており、シ
リンダ内のピストンの第１の位置でピストンによりシリ
ンダ内からノズルへのガスの供給が停止され、シリンダ
内のピストンの第２の位置で高コンダクタンスの管から
シリンダを介してノズルにガスが供給されることを防止
しつつ、低コンダクタンスの管からシリンダを介してノ
ズルにガスが供給され、ピストンの第３の位置で低コン
ダクタンスと高コンダクタンスの管からシリンダを介し
てノズルにガスが供給されるように構成されたことを特
徴としている。
デポジション装置のガス供給装置は、ノズルから有機金
属ガスを材料に向けて吹き出させると共に、材料上でイ
オンビームにより所定のパターンを描画するようにした
ＦＩＢアシストデポジション装置のガス供給装置であっ
て、一端がノズルに連通し、他端が排気系に接続された
シリンダと、ガス源容器と、ガス源容器からのガスをシ
リンダ内部に供給するための高コンタクダンスの管と低
コンダクタンスの管と、シリンダ内で移動されるピスト
ンと、ピストンを駆動する駆動手段とを有しており、シ
リンダ内のピストンの第１の位置でピストンによりシリ
ンダ内からノズルへのガスの供給が停止され、シリンダ
内のピストンの第２の位置で高コンダクタンスの管から
シリンダを介してノズルにガスが供給されることを防止
しつつ、低コンダクタンスの管からシリンダを介してノ
ズルにガスが供給され、ピストンの第３の位置で低コン
ダクタンスと高コンダクタンスの管からシリンダを介し
てノズルにガスが供給されるように構成されたことを特
徴としている。
【００１１】
【作用】第１の発明に基づくＦＩＢアシストデポジショ
ン装置のガス供給装置においては、第１の容器内で、そ
の内部にガス化物質が入れられた第２の容器を移動さ
せ、第１の容器中の第２の容器の位置に応じてノズルか
ら吹き出すガスの量を制御する。
ン装置のガス供給装置においては、第１の容器内で、そ
の内部にガス化物質が入れられた第２の容器を移動さ
せ、第１の容器中の第２の容器の位置に応じてノズルか
ら吹き出すガスの量を制御する。
【００１２】また、第２の発明に基づくＦＩＢアシスト
デポジション装置のガス供給装置においては、一端がノ
ズルに連通し、他端が排気系に接続されたシリンダと、
ガス源容器と、ガス源容器からのガスをシリンダ内部に
供給するための高コンダクタンスの管と低コンダクタン
スの管と、シリンダ内で移動されるピストンと、ピスト
ンを駆動する駆動手段とを有しており、シリンダ内のピ
ストンの位置に応じてノズルから吹き出すガスの量を制
御する。
デポジション装置のガス供給装置においては、一端がノ
ズルに連通し、他端が排気系に接続されたシリンダと、
ガス源容器と、ガス源容器からのガスをシリンダ内部に
供給するための高コンダクタンスの管と低コンダクタン
スの管と、シリンダ内で移動されるピストンと、ピスト
ンを駆動する駆動手段とを有しており、シリンダ内のピ
ストンの位置に応じてノズルから吹き出すガスの量を制
御する。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図３は本発明に基づくＦＩＢアシストデポ
ジション装置のガス供給装置部分を示しており、図１の
従来装置と同一部分は同一番号を付してその詳細な説明
を省略する。図中３０はデポジション室の壁２１に取り
付けられた外側容器であり、外側容器３０の一端にはノ
ズル３１が設けられている。外側容器３０の他端には、
排気口３２が設けられ、排気口３２はバルブ３３を介し
て排気ポンプ（図示せず）に接続されている。外側容器
３０の内部には駆動部３４によって移動可能な内側容器
３５が設けられている。内側容器３５の両端は棒状に形
成されており、その一端３６にはＯリングシール３７が
取り付けられ、この一端３６はノズル３１に繋がった外
側容器３０の端部開口３８に挿入されるように構成され
ており、容器３５の一端３６と開口３８とは第１のバル
ブ機構を形成している。容器３５の他端は壁２１の外側
に設けられた駆動部３４に接続されており、また、容器
３５の内部空間にはガス化物質である有機金属３９が入
れられている。内側容器３５の他端面４０と外側容器の
内側の端面４１とは接触により第２のバルブ機構を形成
しており、第２のバルブ機構が閉じられた状態では排気
口３２が塞がれ、外側容器３０内部の排気動作は停止さ
れる。なお、外側容器３０と内側容器３５にはそれぞれ
ヒータ４２が取り付けられており、各容器の加熱が行わ
れる。
に説明する。図３は本発明に基づくＦＩＢアシストデポ
ジション装置のガス供給装置部分を示しており、図１の
従来装置と同一部分は同一番号を付してその詳細な説明
を省略する。図中３０はデポジション室の壁２１に取り
付けられた外側容器であり、外側容器３０の一端にはノ
ズル３１が設けられている。外側容器３０の他端には、
排気口３２が設けられ、排気口３２はバルブ３３を介し
て排気ポンプ（図示せず）に接続されている。外側容器
３０の内部には駆動部３４によって移動可能な内側容器
３５が設けられている。内側容器３５の両端は棒状に形
成されており、その一端３６にはＯリングシール３７が
取り付けられ、この一端３６はノズル３１に繋がった外
側容器３０の端部開口３８に挿入されるように構成され
ており、容器３５の一端３６と開口３８とは第１のバル
ブ機構を形成している。容器３５の他端は壁２１の外側
に設けられた駆動部３４に接続されており、また、容器
３５の内部空間にはガス化物質である有機金属３９が入
れられている。内側容器３５の他端面４０と外側容器の
内側の端面４１とは接触により第２のバルブ機構を形成
しており、第２のバルブ機構が閉じられた状態では排気
口３２が塞がれ、外側容器３０内部の排気動作は停止さ
れる。なお、外側容器３０と内側容器３５にはそれぞれ
ヒータ４２が取り付けられており、各容器の加熱が行わ
れる。
【００１４】上記した構成で、外側容器３０と内側容器
３５をヒータ４２によって加熱することによって内側容
器３５内の有機金属３９は蒸発あるいは昇華する。ノズ
ル３１から有機金属ガスを試料６に向け流さない場合、
図３に示すように内側容器３５はその一端３６が開口３
８内部に挿入され、第１のバルブ機構が閉じられた状態
となる。その際、バルブ３３は開けられ、容器３０，３
５内部のガス化した有機金属は排気される。容器３０内
部のガスをノズル３１から試料６に向け流し始める場
合、駆動部３４によって内側容器３５は図中右側に移動
させられる。図４は内側容器３５が移動させられ、容器
３５の一端が開口３８から外され、第１のバルブ機構が
開けられた状態を示している。この図４の状態では、端
面４０と４１とが形成する第２のバルブ機構は依然とし
て開けられた状態で、排気口３２，バルブ３３を介して
容器３０，３５内部が排気されており、ノズル３１から
急激にガスが試料６に向け噴出することは防止される。
また、内側容器３５をより右側に移動させ、端面４０と
４１の形成する第２のバルブの排気コンダクタンスを制
御すれば、ノズル３１から吹き出されるガスの量を調整
することができる。駆動部３４により、更に内側容器３
５を図中右側に移動させ、図５の状態となると、内側容
器の他端の端面４０と外側容器３０の内側の端面４１と
が接触し、第２のバルブ機構が閉じられた状態となり、
容器内部の排気動作は停止されることになる。この図５
の状態で容器３５，３０内部の最大飽和蒸気圧のガス圧
が得られ、ノズル３１から試料に向け吹き出されるガス
の量は最大となる。また、ノズル３１のコンダクタンス
を適当に設計すれば、この図５の状態で一定のガス流量
が設定できる。なお、この実施例で排気口３２に接続し
た排気通路上に圧力計を設ければ、容器３０内の圧力を
２次的ではあるがモニターすることができる。
３５をヒータ４２によって加熱することによって内側容
器３５内の有機金属３９は蒸発あるいは昇華する。ノズ
ル３１から有機金属ガスを試料６に向け流さない場合、
図３に示すように内側容器３５はその一端３６が開口３
８内部に挿入され、第１のバルブ機構が閉じられた状態
となる。その際、バルブ３３は開けられ、容器３０，３
５内部のガス化した有機金属は排気される。容器３０内
部のガスをノズル３１から試料６に向け流し始める場
合、駆動部３４によって内側容器３５は図中右側に移動
させられる。図４は内側容器３５が移動させられ、容器
３５の一端が開口３８から外され、第１のバルブ機構が
開けられた状態を示している。この図４の状態では、端
面４０と４１とが形成する第２のバルブ機構は依然とし
て開けられた状態で、排気口３２，バルブ３３を介して
容器３０，３５内部が排気されており、ノズル３１から
急激にガスが試料６に向け噴出することは防止される。
また、内側容器３５をより右側に移動させ、端面４０と
４１の形成する第２のバルブの排気コンダクタンスを制
御すれば、ノズル３１から吹き出されるガスの量を調整
することができる。駆動部３４により、更に内側容器３
５を図中右側に移動させ、図５の状態となると、内側容
器の他端の端面４０と外側容器３０の内側の端面４１と
が接触し、第２のバルブ機構が閉じられた状態となり、
容器内部の排気動作は停止されることになる。この図５
の状態で容器３５，３０内部の最大飽和蒸気圧のガス圧
が得られ、ノズル３１から試料に向け吹き出されるガス
の量は最大となる。また、ノズル３１のコンダクタンス
を適当に設計すれば、この図５の状態で一定のガス流量
が設定できる。なお、この実施例で排気口３２に接続し
た排気通路上に圧力計を設ければ、容器３０内の圧力を
２次的ではあるがモニターすることができる。
【００１５】図６は本発明の他の実施例を示しており、
４５はノズルと繋がった配管であり、配管４５はシリン
ダ４６に接続されている。シリンダ４６の内部にはピス
トン４７がシャフト４８によって移動できるように設け
られている。シリンダ４６の上部右側端部には、排気管
４９が接続されており、排気管４９は図示していない排
気ポンプに接続されている。シリンダ４６の下部左側に
は補助パイプ５０の一端が接続されており、また、シリ
ンダ４６の下部中央部にはガス源容器５１に一端が接続
されたメインパイプ５２が接続されている。補助パイプ
５０の他端はメインパイプ５２の途中に接続されてい
る。配管４５は途中で分岐しており、分岐した管５３は
真空計５４に繋がっていると共に、バルブ５５を介して
デポジション室に接続されている。なお、点線で囲まれ
た領域が恒温ブロック５６となり、そのブロック内は一
定温度以上に加熱される。
４５はノズルと繋がった配管であり、配管４５はシリン
ダ４６に接続されている。シリンダ４６の内部にはピス
トン４７がシャフト４８によって移動できるように設け
られている。シリンダ４６の上部右側端部には、排気管
４９が接続されており、排気管４９は図示していない排
気ポンプに接続されている。シリンダ４６の下部左側に
は補助パイプ５０の一端が接続されており、また、シリ
ンダ４６の下部中央部にはガス源容器５１に一端が接続
されたメインパイプ５２が接続されている。補助パイプ
５０の他端はメインパイプ５２の途中に接続されてい
る。配管４５は途中で分岐しており、分岐した管５３は
真空計５４に繋がっていると共に、バルブ５５を介して
デポジション室に接続されている。なお、点線で囲まれ
た領域が恒温ブロック５６となり、そのブロック内は一
定温度以上に加熱される。
【００１６】図７〜図１１は、シリンダ４６中のピスト
ン４７の状態図であり、図７はピストン４７がシャフト
４８によってシリンダ４６の左端部に押し付けられた状
態である。この図７の状態で、ガス源容器５１内の有機
金属５７は加熱されて蒸発し、蒸発した有機金属はメイ
ンパイプ５２からシリンダ４６内に入り、さらに、排気
管４９を介して排気される。従って、配管４５に有機金
属ガスは流出せず、ノズル（図示せず）から試料へは有
機金属は供給されない。なお、この時、配管４５内はバ
ルブ５４を介してデポジション室の排気系によって排気
されている。次に、バルブ５４を閉じると共に、図８に
示すようにシャフト４８を右側に駆動し、ピストン４７
を右側に移動させ、シリンダ４６内でピストン４７を補
助パイプ５２の接続部とメインパイプ５２の接続部との
間に配置する。この図８の状態では、ガス源容器５１か
らの有機金属ガスのほとんどはメインパイプ５２とシリ
ンダー４６とを介して排気管４９によって排気される
が、その一部は補助パイプ５０を通りシリンダー４６内
を介して配管４５に入り、ノズルへと導かれる。この
時、補助パイプ５０の径は細く、低コンダクタンスであ
るので、少量の有機金属ガスがゆっくりとノズルへと導
かれることになる。
ン４７の状態図であり、図７はピストン４７がシャフト
４８によってシリンダ４６の左端部に押し付けられた状
態である。この図７の状態で、ガス源容器５１内の有機
金属５７は加熱されて蒸発し、蒸発した有機金属はメイ
ンパイプ５２からシリンダ４６内に入り、さらに、排気
管４９を介して排気される。従って、配管４５に有機金
属ガスは流出せず、ノズル（図示せず）から試料へは有
機金属は供給されない。なお、この時、配管４５内はバ
ルブ５４を介してデポジション室の排気系によって排気
されている。次に、バルブ５４を閉じると共に、図８に
示すようにシャフト４８を右側に駆動し、ピストン４７
を右側に移動させ、シリンダ４６内でピストン４７を補
助パイプ５２の接続部とメインパイプ５２の接続部との
間に配置する。この図８の状態では、ガス源容器５１か
らの有機金属ガスのほとんどはメインパイプ５２とシリ
ンダー４６とを介して排気管４９によって排気される
が、その一部は補助パイプ５０を通りシリンダー４６内
を介して配管４５に入り、ノズルへと導かれる。この
時、補助パイプ５０の径は細く、低コンダクタンスであ
るので、少量の有機金属ガスがゆっくりとノズルへと導
かれることになる。
【００１７】シャフト４８を移動し、ピストン４７を更
に右側に移動させ図９に示すようにピストン４７，メイ
ンパイプ５２の一部を塞ぐと、ガス源容器５１から蒸発
したガスの排気速度が弱まるため、補助パイプ５０を通
るガスの流量が増え始め、その結果、ノズルから試料へ
吹き出されるガス流量も増加する。更に、ピストン４７
を右側に移動させ、図１０に示すようにピストン４７，
メインパイプ６２を完全に塞ぐと、ガス源容器５１やメ
インパイプ５２内のガス圧が高まり、補助パイプ５０を
通るガス流量が最大となる。更に、ピストン４７を右側
に移動させ図１１に示すようにシリンダ４６の右端まで
移動させ、シリンダ４６内とメインパイプ５２とを完全
に連通させると、ガス源容器５１内の金属ガスはメイン
パイプ５２，シリンダ４６，配管４５を通ってノズルに
導かれる。この時が最大のガス量の有機金属をノズルに
送ることができる。このように、この実施例でも試料へ
のガスの供給の初期の状態においては、ガスがデポジシ
ョン室内に急激に吹き出すことは防止される。また、こ
の実施例では、ガスの供給装置をデポジション室の外に
配置できるので、ガス源容器などのメンテナンスが容易
となる。更に、ガスの流量の変更を可能とするようなノ
ズルの構造を設計することは困難であり、構造が複雑と
なるのでそのメンテナンスも面倒な作業となるが、それ
に対し、本実施例では、圧力（流量）抵抗をノズル以外
にも設け、これを真空外に設置したので流量設定の異な
る場合にこの変更が容易となる。そして、ガスラインの
バルブ総数が減るため、装置全体の大きさを縮小するこ
とができ、真空外で加熱される部分も少なくできる。
に右側に移動させ図９に示すようにピストン４７，メイ
ンパイプ５２の一部を塞ぐと、ガス源容器５１から蒸発
したガスの排気速度が弱まるため、補助パイプ５０を通
るガスの流量が増え始め、その結果、ノズルから試料へ
吹き出されるガス流量も増加する。更に、ピストン４７
を右側に移動させ、図１０に示すようにピストン４７，
メインパイプ６２を完全に塞ぐと、ガス源容器５１やメ
インパイプ５２内のガス圧が高まり、補助パイプ５０を
通るガス流量が最大となる。更に、ピストン４７を右側
に移動させ図１１に示すようにシリンダ４６の右端まで
移動させ、シリンダ４６内とメインパイプ５２とを完全
に連通させると、ガス源容器５１内の金属ガスはメイン
パイプ５２，シリンダ４６，配管４５を通ってノズルに
導かれる。この時が最大のガス量の有機金属をノズルに
送ることができる。このように、この実施例でも試料へ
のガスの供給の初期の状態においては、ガスがデポジシ
ョン室内に急激に吹き出すことは防止される。また、こ
の実施例では、ガスの供給装置をデポジション室の外に
配置できるので、ガス源容器などのメンテナンスが容易
となる。更に、ガスの流量の変更を可能とするようなノ
ズルの構造を設計することは困難であり、構造が複雑と
なるのでそのメンテナンスも面倒な作業となるが、それ
に対し、本実施例では、圧力（流量）抵抗をノズル以外
にも設け、これを真空外に設置したので流量設定の異な
る場合にこの変更が容易となる。そして、ガスラインの
バルブ総数が減るため、装置全体の大きさを縮小するこ
とができ、真空外で加熱される部分も少なくできる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明に基づ
くＦＩＢアシストデポジション装置のガス供給装置にお
いては、第１の容器内で、その内部にガス化物質が入れ
られた第２の容器を移動させ、第１の容器中の第２の容
器の位置に応じてノズルから吹き出すガスの量を制御す
るようにし、また、第２の発明に基づくＦＩＢアシスト
デポジション装置のガス供給装置においては、一端がノ
ズルに連通し、他端が排気系に接続されたシリンダと、
ガス源容器と、ガス源容器からのガスをシリンダ内部に
供給するための高コンダクタンスの管と低コンダクタン
スの管と、シリンダ内で移動されるピストンと、ピスト
ンを駆動する駆動手段とを設け、シリンダ内のピストン
の位置に応じてノズルから吹き出すガスの量を制御する
ように構成した。従って、簡単に、ノズルから材料へ吹
き出させるガスの量を制御することを可能となり、ま
た、試料へガスを吹き出させる初期の段階で急激にガス
がデポジション室内に入り込むことは防止される。
くＦＩＢアシストデポジション装置のガス供給装置にお
いては、第１の容器内で、その内部にガス化物質が入れ
られた第２の容器を移動させ、第１の容器中の第２の容
器の位置に応じてノズルから吹き出すガスの量を制御す
るようにし、また、第２の発明に基づくＦＩＢアシスト
デポジション装置のガス供給装置においては、一端がノ
ズルに連通し、他端が排気系に接続されたシリンダと、
ガス源容器と、ガス源容器からのガスをシリンダ内部に
供給するための高コンダクタンスの管と低コンダクタン
スの管と、シリンダ内で移動されるピストンと、ピスト
ンを駆動する駆動手段とを設け、シリンダ内のピストン
の位置に応じてノズルから吹き出すガスの量を制御する
ように構成した。従って、簡単に、ノズルから材料へ吹
き出させるガスの量を制御することを可能となり、ま
た、試料へガスを吹き出させる初期の段階で急激にガス
がデポジション室内に入り込むことは防止される。
【図１】従来のＦＩＢアシストデポジション装置の概略
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】試料へガスを供給する他の従来例の要部を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の一実施例の要部を示す図である。
【図４】図３の実施例において、内側容器３５が移動さ
れた状態を示す図である。
れた状態を示す図である。
【図５】図３の実施例において、内側容器３５が移動さ
れた状態を示す図である。
れた状態を示す図である。
【図６】本発明の他の実施例の要部を示す図である。
【図７】図６の実施例におけるシリンダ内のピストンの
状態図である。
状態図である。
【図８】図６の実施例におけるシリンダ内のピストンの
状態図である。
状態図である。
【図９】図６の実施例におけるシリンダ内のピストンの
状態図である。
状態図である。
【図１０】図６の実施例におけるシリンダ内のピストン
の状態図である。
の状態図である。
【図１１】図６の実施例におけるシリンダ内のピストン
の状態図である。
の状態図である。
【符号の説明】 ３０ 外側容器 ３１ ノズル ３２ 排気口 ３３ バルブ ３４ 駆動部 ３５ 内側容器 ３９ 有機金属 ４５ 配管 ４６ シリンダ ４７ ピストン ４９ 排気管 ５０ 補助パイプ ５１ ガス源容器 ５２ メインパイプ ５４ 真空計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/285 H01L 21/268
Claims (2)
- 【請求項１】 ノズルから有機金属ガスを材料に向けて
吹き出させると共に、材料上でイオンビームにより所定
のパターンを描画するようにしたＦＩＢアシストデポジ
ション装置のガス供給装置であって、加熱可能な第１の
容器と、第１の容器の一端に設けられ、ノズルと連通し
た第１の開口と、第１の容器の他端に設けられ、排気系
と連通した第２の開口と、第１の容器内に配置されその
内部にガス化物質が入れられた第２の容器と、第１の容
器の一方の端部内側と第２の容器の一端とが構成する第
１のバルブ構造と、第１の容器の第２の開口部と第２の
容器の他端が構成する第２のバルブ構造と、第２の容器
を第１の容器内で第１の開口と第２の開口との間で移動
させるための駆動手段とを有したＦＩＢアシストデポジ
ション装置のガス供給装置。 - 【請求項２】 ノズルから有機金属ガスを材料に向けて
吹き出させると共に、材料上でイオンビームにより所定
のパターンを描画するようにしたＦＩＢアシストデポジ
ション装置のガス供給装置であって、一端がノズルに連
通し、他端が排気系に接続されたシリンダと、ガス源容
器と、ガス源容器からのガスをシリンダ内部に供給する
ための高コンタクダンスの管と低コンダクタンスの管
と、シリンダ内で移動されるピストンと、ピストンを駆
動する駆動手段とを有しており、シリンダ内のピストン
の第１の位置でピストンによりシリンダ内からノズルへ
のガスの供給が停止され、シリンダ内のピストンの第２
の位置で高コンダクタンスの管からシリンダを介してノ
ズルにガスが供給されることを防止しつつ、低コンダク
タンスの管からシリンダを介してノズルにガスが供給さ
れ、ピストンの第３の位置で低コンダクタンスと高コン
ダクタンスの管からシリンダを介してノズルにガスが供
給されるように構成されたＦＩＢアシストデポジション
装置のガス供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04118857A JP3083401B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Ｆｉｂアシストデポジション装置のガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04118857A JP3083401B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Ｆｉｂアシストデポジション装置のガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315287A JPH05315287A (ja) | 1993-11-26 |
| JP3083401B2 true JP3083401B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=14746860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04118857A Expired - Fee Related JP3083401B2 (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Ｆｉｂアシストデポジション装置のガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3083401B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4774665B2 (ja) * | 2003-02-05 | 2011-09-14 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4572366B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2010-11-04 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ガスデポジション法のための原料ガス供給方法及び供給装置 |
| US9275823B2 (en) * | 2012-03-21 | 2016-03-01 | Fei Company | Multiple gas injection system |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP04118857A patent/JP3083401B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05315287A (ja) | 1993-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4643588B2 (ja) | 固体から昇華した蒸気の流れの制御 | |
| JP6196052B2 (ja) | 複数ガス注入システム | |
| JP5650234B2 (ja) | ビーム処理システムに対するガス送達 | |
| US5435850A (en) | Gas injection system | |
| KR101275907B1 (ko) | 기체의 도입을 통한 이온 주입 공정 중에 오염을 완화하여표면 특성을 수정하는 시스템 및 방법 | |
| TW476994B (en) | Semiconductor manufacturing system having a vaporizer which efficiently vaporizes a liquid material | |
| JP3457855B2 (ja) | Ｆｉｂ用アシストガス導入装置 | |
| TW466555B (en) | Vacuum operation apparatus | |
| CN1204289C (zh) | 真空蒸镀设备用的蒸镀装置 | |
| KR20100053631A (ko) | 증기 방출 장치, 유기 박막 증착 장치 및 유기 박막 증착 방법 | |
| JP3083401B2 (ja) | Ｆｉｂアシストデポジション装置のガス供給装置 | |
| TWI397595B (zh) | 蒸發系統 | |
| KR20070115806A (ko) | 물질을 증발하기 위해 증발기 튜브를 구비한 장치 | |
| US20050029091A1 (en) | Apparatus and method for reactive sputtering deposition | |
| JP3031079B2 (ja) | 配線膜形成装置 | |
| KR20210035731A (ko) | 액체 금속 이온원 및 집속 이온 빔 장치 | |
| JP2000146096A (ja) | 極高真空チャンバへの微量ガス導入機構 | |
| JP2003105526A (ja) | 珪素化合物膜の成膜方法 | |
| EP0221184B1 (en) | Mask repairing apparatus | |
| JPH10324966A (ja) | 真空蒸着装置及び真空蒸着法 | |
| CN109841510A (zh) | 蚀刻方法和蚀刻装置 | |
| JP2646581B2 (ja) | 電子ビーム銃 | |
| JP4336025B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JPH02205674A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
| JP3728925B2 (ja) | スパッタリング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000613 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080630 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090630 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |