JP3081311B2 - 回路基板の半田付け検査方法 - Google Patents

回路基板の半田付け検査方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はICパッケージをプリン
ト基板に半田付けした場合において、該ICパッケージ
のリード部とプリント基板の配線パターンとの半田付け
状態が正常か否かを検査するための回路基板の半田付け
検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器が正常に動作するためには、機
器内に組み込まれたプリント基板に実装されたICパッ
ケージが良品であるだけではなく、プリント基板の配線
パターンとICパッケージのリード部との半田付け接合
部が正しく接合されていなければならないため、組立工
程の最終段階で半田付け状態の検査を行うのが一般的で
ある。
【0003】従来において、この半田付け検査の方法と
しては、目視検査と自動検査が提案されていた。目視検
査は作業者が半田付け部分を目によって見て良否を判断
するものであり、また、自動検査はプリント基板上に半
田接合したICパッケージの半田接合部にレーザー光を
照射し、加熱された半田接合部の温度を赤外線検出器で
検出し、その温度パターンをマイクロプロセッサに取り
込み各種判断基準に従って判定する方法や、レーザー光
を半田接合部に照射し、その反射光の乱れによって半田
付け状態の良否を判定する方法である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した目
視検査方法は、人間の視覚により行なわれるので長時間
検査を行なっていると疲労により検査漏れや検査ミスが
生じたり能率が悪いという問題点があり、また、前記し
た自動検査方法は、いずれも装置が大型となり高価にな
るという問題点があった。
【0005】本発明は前記した問題点を解決せんとする
もので、その目的とするところは、基板に半田付けした
ICパッケージの一列に並んだリード部に対する半田付
け状態の良、不良をサーミスタを使用して各リード部の
温度を短時間で測定し、その温度パターンから判定する
回路基板の半田付け検査方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の回路基板の半田
付け検査方法は前記した目的を達成せんとするもので、
その手段は、プリント基板上に実装されたICパッケー
ジの半田付け状態を検査する方法において、前記ICパ
ッケージを動作状態とし、予め正常に半田付けされたI
Cパッケージの各リード部の温度を測定して、該各リー
ド部の温度測定部に対応した温度パターンを記憶し、
つ被測定ICパッケージの各リード部の温度測定を行っ
て、前記各リード部の温度測定部に対応する温度パター
ンを作成して、正常に半田付けされたICパッケージの
温度パターンと被測定ICパッケージの温度パターンと
の相違から半田付けの良否を判定するようにしたことで
ある。
【0007】
【作用】前記した如き本発明の回路基板の半田付け検査
方法は、半田付けしたICパッケージのリード部にサー
ミスタプローブの先端部を接触させると同時に、そのリ
ード部の温度を測定する。次いで、前記サーミスタプロ
ーブをリード部のピッチに合わせて移動させ各リード部
の温度を測定し、ICパッケージの各リード部に対応す
る温度パターンを得る。
【0008】そして、この得られた測定結果と予め半田
付けが正常であることを確認したICパッケージのリー
ド部の温度パターンと比較することにより、半田付けの
良否を判定することである。
【0009】
【実施例】次に、本発明の回路基板の半田付け検査方法
を実施するための装置の一実施例を図1、図2と共に説
明する。図1において、1はビード形サーミスタ等の感
熱素子にして、感熱部1aの表面にガラスが被覆され、
この感熱部1aからジュメット線よりなるリード線1b
が引き出されている。2は前記リード線1bに半田付け
された絶縁被覆リード線である。
【0010】3は前記リード線1b及び絶縁被覆リード
線2を覆うプラスチックあるいはセラミック等による絶
縁性パイプであって、端部が前記感熱部1aに隙間が生
じないように当接されている。4は前記感熱部1a及び
絶縁性パイプ3の表面を覆う金属薄膜層であって、アル
ミニウム等を蒸着して形成したものである。
【0011】このように構成した温度検知器Aは、図2
に示すように感熱素子1に接続された絶縁被覆リード線
2を温度による抵抗変化を電圧変化に変換する電圧変換
回路5に接続し、該電圧変換回路5の電圧出力をディジ
タル出力にA/D変換器6で変換する。
【0012】7はリード線7aが前記金属薄膜層4に、
リード線7bがICパッケージ9のリード部9aに接続
され、リード部9aの静電容量の変化を検出する静電容
量型タッチセンサ回路、8は該タッチセンサ回路7から
の出力を波形整形するシュミット回路である。
【0013】次に、前記した装置を使用して半田付け検
査方法を説明するに、被測定対象のICパッケージ9と
してTTL74191カウンタを使用し、プリント基板
10上に前記ICパッケージ9とその周辺回路を半田付
けして実験を行なった。実験は半田付けの良、不良の差
を調べるためにICパッケージ9のリード部9aの一部
に半田付け不良部を設けて、温度パターンの変化を検出
するというものである。
【0014】タッチセンサの電極を構成する金属薄膜層
4がリード部9aの表面に接触した時の静電容量の変化
をタッチセンサ回路7で電圧変換し、シュミット回路8
で波形整形し、この出力によって接触した座標値をマイ
クロコンピュータに読み込む。同時に金属薄膜層4が接
触した点のICパッケージ9のリード部9aの温度を感
熱素子1で抵抗変化として検出し、電圧変換回路5で電
圧に変換し、A/D変換器6でデジタル出力に変換し
て、この値をマイクロコンピュータに読み込む。
【0015】このようにしてICパッケージ9の各リー
ド部9aの温度変化を温度パターンとして表示すること
ができる。図3は前記した温度検知器Aの熱応答特性を
示すもので、横軸に温度検知器Aの先端部が被測定物体
に接触してからの時間(秒)を、縦軸にその時間に対す
る温度(°C)をとり、測定した結果を示した。
【0016】この測定は数十回繰り返し行なってみた
が、各測定点の温度測定誤差は3%以下であり非常に再
現性の良い結果が得られた。したがって接触時間を1秒
以下にしても安定した飽和温度の測定(予測)が可能で
ある。これら一連の動作及び測定は、温度測定と座標測
定を同時に行なうために、被測定物体に対し温度検知器
Aの接触面積と接触圧を出来る限り小さくすることが好
ましいので三次元自動測定器を使用した。
【0017】実験においては被測定物のICパッケージ
9の第6番目と第7番目ピンを半田付けしないで半田付
け不良部として測定した。図4は前記ICパッケージ9
の半田付け良品と半田付け不良部を有するICパッケー
ジ9の各リード部9aの温度測定結果を示すグラフであ
る。
【0018】横軸には被測定TTL−ICのピンの番
号、縦軸には各ピンの測定温度を示した。同図において
実線は半田付け不良のないICパッケージを動作させた
ときの各リード部の温度パターンを示し、破線は第6,
第7番目のピンを半田付け不良とした時の各リード部の
温度パターンを示す。
【0019】図4から明らかなように両者の温度パター
ンに相違が見られる。このことから、予め半田付けの正
常なICパッケージ9の各リード部9aの温度パターン
をコンピュータに記憶させておき、その温度パターンと
被測定ICパッケージの温度パターンを比較することに
より、リード部9aの半田付けの良否を判定することが
できる。
【0020】なお、ICパッケージ9の種類により温度
パターンが異なるので、予め各ICパッケージ9の温度
パターンをコンピュータに記憶させておく必要がある。
また、本発明は温度検知器が1個の場合について説明し
たが、ICパッケージのリード部のピッチに合わせ複数
本の温度検知器を用意すれば同時に各リード部の温度測
定ができ測定時間を大幅に短縮できる。
【0021】
【発明の効果】本発明は基板に半田付けしたICパッケ
ージの一列に並んだリード部に対する半田付け状態の
良、不良をサーミスタを使用して各リード部の温度を測
定する方法であるので、従来提案されている検査方法に
比べ、良否の判定が正確であると共に装置が安価で小型
化できるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の測定方法に使用する温度検知器の断面
図である。
【図2】本発明の測定方法を実施するための装置のブロ
ック図である。
【図3】測定方法に使用する温度検知器の熱応答特性を
示すグラフである。
【図4】ICパッケージにおける各リード部の温度測定
結果を示すグラフである。
【符号の説明】
A 温度検知器 5 サーミスタ電圧変換回路 6 A/D変換器 7 タッチセンサ回路 8 シュミット回路 9 ICパッケージ 9a リード部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−241641(JP,A) 特開 昭63−91542(JP,A) 特開 昭62−282770(JP,A) 特開 平1−126534(JP,A) 実開 昭62−140471(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01N 25/72

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プリント基板上に実装されたICパッケ
    ージの半田付け状態を検査する方法において、前記IC
    パッケージを動作状態とし、予め正常に半田付けされ
    Cパッケージの各リード部の温度を測定し該各リ
    ード部の温度測定部に対応した温度パターンを記憶し、
    かつ被測定ICパッケージの各リード部の温度測定を行
    って、前記各リード部の温度測定部に対応する温度パタ
    ーンを作成して、正常に半田付けされたICパッケージ
    の温度パターンと被測定ICパッケージの温度パターン
    との相違から半田付けの良否を判定するようにしたこと
    を特徴とする回路基板の半田付け検査方法。
JP03298819A 1991-11-14 1991-11-14 回路基板の半田付け検査方法 Expired - Fee Related JP3081311B2 (ja)

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