JP3079085B2 - 狭帯域出力カプラを備えるレーザ - Google Patents
狭帯域出力カプラを備えるレーザInfo
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0811—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
- H01S3/0812—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は狭帯域レーザのため
のデバイスに関し、特にグレーティングに基づく狭帯域
デバイスに関する。
のデバイスに関し、特にグレーティングに基づく狭帯域
デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】狭帯域技術 レーザの出力のバンド幅を減少させるための技術はよく
知られている。エキシマレーザで使用される係る技術の
いくつかは、Laser Handbook（Vol.5、North-Holland P
hysics Publishing、Elsevier Science Publishers B.
V.）の４４乃至５０頁でJhon F. Reintjesによって議論
されている。これらの技術は、波長選択のためのエシェ
ルグレーティングを含む、グレーティングの利用を含
む。グレーティングの前方でビーム拡張プリズムを使用
することにより、グレーティングの効率を向上すること
ができる。狭帯域ＫｒＦエキシマレーザの従来技術を図
１に示す。エキシマレーザの共鳴キャビティ２は、（１
０％部分反射ミラーである）出力カプラ４と、エシェル
グレーティングとによって形成される。（水平方向に約
３ｍｍ、垂直方向に約２０ｍｍの断面を有する）レーザ
出力ビーム２０の部分はレーザチャンバ３の後ろから出
る。ビームのこの部分はプリズム８、１０、１２によっ
て水平方向に拡大され、ミラー１４からエシェル格子１
６へ反射される。ミラー１４はレーザー２について狭帯
域出力を選択するために設けられる。格子１６はリトロ
ー形態に構成されているので、波長の選択された狭帯域
はミラー１４から反射され、プリズム１２、１０、８を
通してレーザーチャンバー３の中へ戻されて増幅する。
選択された狭帯域の外側の波長の光は分配されるので、
この分配された帯域外の光はレーザーチャンバーの中へ
は反射されない。パルスモードで作動する典型的なＫｒ
Ｆレーザーは、長さ約１ｍのキャビティを有し、約１５
乃至２５ｎｓの継続時間を有するパルスを作り出す。か
くして、共振空胴内の光子は、共振空胴内で、平均し
て、約２乃至４往復をする。往復毎に、ビームの約９０
％が出力カプラーを出て、約１０％が更なる増幅及びラ
インナローイングのために送り返される。ビームは、外
ビームがラインナローイングモジュールを通ると、繰り
返し線が細くなる。
知られている。エキシマレーザで使用される係る技術の
いくつかは、Laser Handbook（Vol.5、North-Holland P
hysics Publishing、Elsevier Science Publishers B.
V.）の４４乃至５０頁でJhon F. Reintjesによって議論
されている。これらの技術は、波長選択のためのエシェ
ルグレーティングを含む、グレーティングの利用を含
む。グレーティングの前方でビーム拡張プリズムを使用
することにより、グレーティングの効率を向上すること
ができる。狭帯域ＫｒＦエキシマレーザの従来技術を図
１に示す。エキシマレーザの共鳴キャビティ２は、（１
０％部分反射ミラーである）出力カプラ４と、エシェル
グレーティングとによって形成される。（水平方向に約
３ｍｍ、垂直方向に約２０ｍｍの断面を有する）レーザ
出力ビーム２０の部分はレーザチャンバ３の後ろから出
る。ビームのこの部分はプリズム８、１０、１２によっ
て水平方向に拡大され、ミラー１４からエシェル格子１
６へ反射される。ミラー１４はレーザー２について狭帯
域出力を選択するために設けられる。格子１６はリトロ
ー形態に構成されているので、波長の選択された狭帯域
はミラー１４から反射され、プリズム１２、１０、８を
通してレーザーチャンバー３の中へ戻されて増幅する。
選択された狭帯域の外側の波長の光は分配されるので、
この分配された帯域外の光はレーザーチャンバーの中へ
は反射されない。パルスモードで作動する典型的なＫｒ
Ｆレーザーは、長さ約１ｍのキャビティを有し、約１５
乃至２５ｎｓの継続時間を有するパルスを作り出す。か
くして、共振空胴内の光子は、共振空胴内で、平均し
て、約２乃至４往復をする。往復毎に、ビームの約９０
％が出力カプラーを出て、約１０％が更なる増幅及びラ
インナローイングのために送り返される。ビームは、外
ビームがラインナローイングモジュールを通ると、繰り
返し線が細くなる。
【０００３】この先行技術の装置では、KrFレーザーの
帯域幅は約３００ｐｍの固有帯域幅（半波高全幅値即ち
ＦＷＨＭ）から約０．８ｐｍまで減ぜられる。KrFレー
ザーのある適用では帯域幅のより大きなナローイングを
要求する。このような適用は、０．６ｐｍまたはそれよ
り大きなレーザバンド幅を要求し、０．２５μより小さ
い解像度を達成するための２４８ｎｍマイクロリソグラ
フィーである。ィーを含む。必要とされることはレーザ
ービームのバンド幅のより大きいナローイングをもたら
す先行技術のラインナローイングユニットの改良であ
る。
帯域幅は約３００ｐｍの固有帯域幅（半波高全幅値即ち
ＦＷＨＭ）から約０．８ｐｍまで減ぜられる。KrFレー
ザーのある適用では帯域幅のより大きなナローイングを
要求する。このような適用は、０．６ｐｍまたはそれよ
り大きなレーザバンド幅を要求し、０．２５μより小さ
い解像度を達成するための２４８ｎｍマイクロリソグラ
フィーである。ィーを含む。必要とされることはレーザ
ービームのバンド幅のより大きいナローイングをもたら
す先行技術のラインナローイングユニットの改良であ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、線狭帯域出力
カプラを有するレーザを提供する。この出力カプラは、
利得媒体に発生する光の一部を反射し、反射された光の
スペクトル狭帯域化を提供する。線狭帯域化ビームの一
部を、更なる増幅のために利得媒体内に戻すように指し
向け、一部をレーザ出力の一部として透過させる。好ま
しい実施形態では、レーザはリアにおいて線狭帯域化さ
れ、並びに、線狭帯域出力カプラによって線狭帯域化さ
れる。
カプラを有するレーザを提供する。この出力カプラは、
利得媒体に発生する光の一部を反射し、反射された光の
スペクトル狭帯域化を提供する。線狭帯域化ビームの一
部を、更なる増幅のために利得媒体内に戻すように指し
向け、一部をレーザ出力の一部として透過させる。好ま
しい実施形態では、レーザはリアにおいて線狭帯域化さ
れ、並びに、線狭帯域出力カプラによって線狭帯域化さ
れる。
【０００５】
【発明の実施の形態】第１の好ましい実施形態 本発明の第１の好ましい実施形態を図２に示す。このレ
ーザシステムは、この明細書の背景の項目で示して、説
明した図１に示されているものと全く同じように、その
後ろに狭帯域化パッケージ（ＬＮＰ）を有する。しかし
ながら、従来技術の配置の出力カプラは、出力レーザビ
ームに対して垂直に配置された１０％の部分反射ミラー
である。この実施形態では、その出力カプラは、狭帯域
出力カプラと一緒に配置されている。この特定の狭帯域
出力カプラは、在庫から入手できる従来技術ＬＮＰと、
部分反射ミラー５と、高反射ミラー４とを利用する。部
分反射ミラー５は、出力ビーム方向に対して垂直な面に
関して４５度傾斜した面に向けられており、約４０％の
反射率を有する。従って、レーザチャンバ３からの光の
４０％はミラー５で反射され、ビーム拡張プリズム８，
１０及び１２とグレーティング１６とによって狭帯域化
される。ミラー１４は、レーザの後ろでＬＮＰと同じス
ペクトルレンジを選択するように回転させることができ
る。グレーティング１６から反射された狭帯域スペクト
ルは、４０％の光を更なる増幅のためにレーザチャンバ
内に戻るように転送する部分反射ミラー５に戻る。狭帯
域化されたスペクトルの約６０％がミラー５を通過し、
（スプリット・オフビーム方向に対して垂直に配置され
た）全反射ミラー４から反射される。次いで、この光の
４０％がミラー５によって反射され、出力ビームと結合
する。約６０％がミラー５を透過し、プリズム８，１０
及び１２とグレーティング１６とによって更に狭帯域化
される。この二重狭帯域化された光は、その４０％がレ
ーザに戻るように転送し、６０％を通過させる部分反射
ミラー５に戻り、ミラー４によって反射される。従っ
て、光はミラー４とＬＮＰとの間を前後に跳ね返るのを
維持し、毎回レーザに戻ったり、出力ビームに対する反
射のそのエネルギを損失する。
ーザシステムは、この明細書の背景の項目で示して、説
明した図１に示されているものと全く同じように、その
後ろに狭帯域化パッケージ（ＬＮＰ）を有する。しかし
ながら、従来技術の配置の出力カプラは、出力レーザビ
ームに対して垂直に配置された１０％の部分反射ミラー
である。この実施形態では、その出力カプラは、狭帯域
出力カプラと一緒に配置されている。この特定の狭帯域
出力カプラは、在庫から入手できる従来技術ＬＮＰと、
部分反射ミラー５と、高反射ミラー４とを利用する。部
分反射ミラー５は、出力ビーム方向に対して垂直な面に
関して４５度傾斜した面に向けられており、約４０％の
反射率を有する。従って、レーザチャンバ３からの光の
４０％はミラー５で反射され、ビーム拡張プリズム８，
１０及び１２とグレーティング１６とによって狭帯域化
される。ミラー１４は、レーザの後ろでＬＮＰと同じス
ペクトルレンジを選択するように回転させることができ
る。グレーティング１６から反射された狭帯域スペクト
ルは、４０％の光を更なる増幅のためにレーザチャンバ
内に戻るように転送する部分反射ミラー５に戻る。狭帯
域化されたスペクトルの約６０％がミラー５を通過し、
（スプリット・オフビーム方向に対して垂直に配置され
た）全反射ミラー４から反射される。次いで、この光の
４０％がミラー５によって反射され、出力ビームと結合
する。約６０％がミラー５を透過し、プリズム８，１０
及び１２とグレーティング１６とによって更に狭帯域化
される。この二重狭帯域化された光は、その４０％がレ
ーザに戻るように転送し、６０％を通過させる部分反射
ミラー５に戻り、ミラー４によって反射される。従っ
て、光はミラー４とＬＮＰとの間を前後に跳ね返るのを
維持し、毎回レーザに戻ったり、出力ビームに対する反
射のそのエネルギを損失する。
【０００６】これらの「有用な」反射に加え、ＬＮＰ内
の吸収による損失がある。その吸収は光がＬＮＰを通過
する度に生じる。損失は、ＬＮＰの反射率及びミラー５
の反射率に依存する。表１は、本発明の出力カプラによ
って導入される損失の概要であり、ＬＮＰの反射率は５
０，６０又は７０％であり、ミラー５の反射率は３０又
は４０％である。
の吸収による損失がある。その吸収は光がＬＮＰを通過
する度に生じる。損失は、ＬＮＰの反射率及びミラー５
の反射率に依存する。表１は、本発明の出力カプラによ
って導入される損失の概要であり、ＬＮＰの反射率は５
０，６０又は７０％であり、ミラー５の反射率は３０又
は４０％である。
【０００７】 表１ フロントＬＮＰ ミラー５の 放射光 反射光 出力カプラにの反射率（％） 反射率（％） （％） （％） おける損失（％） ５０ ３０ ７４ ６ ２０ ６０ ３０ ７５ ８ １７ ７０ ３０ ７７ １０ １３ ５０ ４０ ６６ １０ ２４ ６０ ４０ ６８ １２ ２０ ７０ ４０ ６９ １５ １６ 従来技術出力カプラ ９０ １０ ０ 第１列はＬＮＰの反射率を示す。この反射率と１００％
との間の差は、ＬＮＰにおける吸収損失である。第２列
は、ミラー５の反射率を示す。吸収はないと仮定し、反
射しない部分は全て透過する。続く３つの列は、この出
力カプラの光結合の特徴を示す。
との間の差は、ＬＮＰにおける吸収損失である。第２列
は、ミラー５の反射率を示す。吸収はないと仮定し、反
射しない部分は全て透過する。続く３つの列は、この出
力カプラの光結合の特徴を示す。
【０００８】ＫｒＦ狭帯域レーザの通常の作動に関し
て、レーザへの戻りが少なくとも１０％である出力カプ
ラの反射率が通常要求される。従来技術の出力カプラの
場合では、残りの光（約９０％）が出力ビームとして出
る。表１は、狭帯域化されたスペクトルに関して最適の
反射率が本発明の出力カプラで同様に達成されることを
示す。ＬＮＰに依存するので、ミラー５の最適の反射率
がわずかに変化することがまた分かるであろう。従っ
て、ミラー５の好ましい反射率は、７０％反射率ＬＮＰ
に関して約３０％であり、より低効率の５０％反射率Ｌ
ＮＰに関しては約４０％まで上がる。表１から、４０％
の反射率を有するミラー５が、ＬＮＰの全ての範囲に関
して適切な結合を提供することがまた分かる。この場
合、従来技術の出力カプラの比較して、更に１６乃至２
４％の損失が期待される。これらの損失は、他の全ての
パラメータと同様にパルスエネルギを１６乃至２４％低
減することを意味する。出願人は、この新しい出力カプ
ラが、この明細書の背景の項目で議論した従来技術にお
いて典型的である約０．８ｐｍと比較して、約０．４乃
至０．５ｐｍ（ＦＷＨＭ）までレーザの線幅を低減しう
ることを期待する。 他の実施形態
て、レーザへの戻りが少なくとも１０％である出力カプ
ラの反射率が通常要求される。従来技術の出力カプラの
場合では、残りの光（約９０％）が出力ビームとして出
る。表１は、狭帯域化されたスペクトルに関して最適の
反射率が本発明の出力カプラで同様に達成されることを
示す。ＬＮＰに依存するので、ミラー５の最適の反射率
がわずかに変化することがまた分かるであろう。従っ
て、ミラー５の好ましい反射率は、７０％反射率ＬＮＰ
に関して約３０％であり、より低効率の５０％反射率Ｌ
ＮＰに関しては約４０％まで上がる。表１から、４０％
の反射率を有するミラー５が、ＬＮＰの全ての範囲に関
して適切な結合を提供することがまた分かる。この場
合、従来技術の出力カプラの比較して、更に１６乃至２
４％の損失が期待される。これらの損失は、他の全ての
パラメータと同様にパルスエネルギを１６乃至２４％低
減することを意味する。出願人は、この新しい出力カプ
ラが、この明細書の背景の項目で議論した従来技術にお
いて典型的である約０．８ｐｍと比較して、約０．４乃
至０．５ｐｍ（ＦＷＨＭ）までレーザの線幅を低減しう
ることを期待する。 他の実施形態
【０００９】図３乃至８は、本発明の種々の実施形態を
示す線図である。図３は、レーザの後ろのＬＮＰが、全
ての狭帯域化が狭帯域出力カプラによって達成されるよ
うに全反射ミラーで再配置されることを除いて、上の記
載と、図２に示される実施形態の線図である。図４は、
図２を詳細に示した実施形態の線図である。図５は、フ
ァブリ・ペロー・エタロンが部分反射ミラーとビームエ
キスパンダとの間に提供されることを除いて、図３に示
された実施形態とちょうど同じである。このエタロン
は、調整可能ピエゾ、調整可能圧力、若しくは、さもな
ければＬＮＰと同じ波長の周知の従来技術によって調整
可能ないずれかのものである。図６は、ＬＮＰによって
後ろに再配置された全反射ミラーを除いて、図５に示し
た実施形態とまさしく同じである。
示す線図である。図３は、レーザの後ろのＬＮＰが、全
ての狭帯域化が狭帯域出力カプラによって達成されるよ
うに全反射ミラーで再配置されることを除いて、上の記
載と、図２に示される実施形態の線図である。図４は、
図２を詳細に示した実施形態の線図である。図５は、フ
ァブリ・ペロー・エタロンが部分反射ミラーとビームエ
キスパンダとの間に提供されることを除いて、図３に示
された実施形態とちょうど同じである。このエタロン
は、調整可能ピエゾ、調整可能圧力、若しくは、さもな
ければＬＮＰと同じ波長の周知の従来技術によって調整
可能ないずれかのものである。図６は、ＬＮＰによって
後ろに再配置された全反射ミラーを除いて、図５に示し
た実施形態とまさしく同じである。
【００１０】図７は、エタロンが部分反射ミラーと全反
射ミラーとの間にある実施形態である。図８は、出力カ
プラが、部分反射ミラー５と２つの全反射ミラー４とか
ら構成されている実施形態である。これらの全反射ミラ
ーは、２つの線狭帯域化機能を提供する。第１に、それ
らは、更に線狭帯域化するＬＮＰの後ろに向かって出力
の部分を反射する。第２に、それらはレーザ出力の線狭
帯域化を効率的に高めるインターフェースを提供するよ
うに機能する。そのインターフェースは、エタロン・フ
ァブリ・ペローに対しても同様に働き、所望の範囲の波
長で最大構成干渉を達成するために２つのミラーの間の
適切な空間を提供することが重要である。従って、好ま
しい微少な特定の調整器（図示せず）が図８の実施形態
のミラー４のために提供される。別の実施形態として、
これらの微少調整器は自動化することができ、出力ビー
ムの波長測定によって制御されるフィードバックシステ
ムで制御される。
射ミラーとの間にある実施形態である。図８は、出力カ
プラが、部分反射ミラー５と２つの全反射ミラー４とか
ら構成されている実施形態である。これらの全反射ミラ
ーは、２つの線狭帯域化機能を提供する。第１に、それ
らは、更に線狭帯域化するＬＮＰの後ろに向かって出力
の部分を反射する。第２に、それらはレーザ出力の線狭
帯域化を効率的に高めるインターフェースを提供するよ
うに機能する。そのインターフェースは、エタロン・フ
ァブリ・ペローに対しても同様に働き、所望の範囲の波
長で最大構成干渉を達成するために２つのミラーの間の
適切な空間を提供することが重要である。従って、好ま
しい微少な特定の調整器（図示せず）が図８の実施形態
のミラー４のために提供される。別の実施形態として、
これらの微少調整器は自動化することができ、出力ビー
ムの波長測定によって制御されるフィードバックシステ
ムで制御される。
【００１１】この非常に狭いバンドレーザを特定の実施
形態について記載したけれども、種々の適用及び変形が
可能であることは明らかである。例えば、部分反射ミラ
ー５は、性能に実質的な影響を与えることなく４５度以
外の角度に配置することが可能である。しかしながら、
角度が４５度から逸脱すると、レイアウトを達成するの
がより複雑になる。また、投射角度が９０度に近づく
と、所望の部分反射を得るのがより難しくなる。従っ
て、好ましい角度の範囲は、１０度と８０度との間であ
る。更に、２４８ｎｍの公称波長で作動するＫｒＦレー
ザで使用するために記載された技術をまた、ＡｒＦレー
ザに適用することができが、光学系を１９３ｎｍ用に設
計する必要がある。従って、発明は添付した特許請求の
範囲によってのみ制限される。
形態について記載したけれども、種々の適用及び変形が
可能であることは明らかである。例えば、部分反射ミラ
ー５は、性能に実質的な影響を与えることなく４５度以
外の角度に配置することが可能である。しかしながら、
角度が４５度から逸脱すると、レイアウトを達成するの
がより複雑になる。また、投射角度が９０度に近づく
と、所望の部分反射を得るのがより難しくなる。従っ
て、好ましい角度の範囲は、１０度と８０度との間であ
る。更に、２４８ｎｍの公称波長で作動するＫｒＦレー
ザで使用するために記載された技術をまた、ＡｒＦレー
ザに適用することができが、光学系を１９３ｎｍ用に設
計する必要がある。従って、発明は添付した特許請求の
範囲によってのみ制限される。
【図１】線狭帯域化技術の従来技術である。
【図２】本発明の好ましい実施形態を示す線図である。
【図３】本発明の変形実施形態である。
【図４】本発明の変形実施形態である。
【図５】本発明の変形実施形態である。
【図６】本発明の変形実施形態である。
【図７】本発明の変形実施形態である。
【図８】本発明の変形実施形態である。
３ チャンバ ４ 出力カプラ ５ 部分反射ミラー ８ ビーム拡張プリズム １０ ビーム拡張プリズム １２ ビーム拡張プリズム １４ ミラー １６ グレーティング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−26174（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−228038（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−273980（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−91483（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−72782（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−13890（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/136 - 3/139 H01S 3/105 - 3/1055
Claims (10)
- 【請求項１】 Ａ．利得媒体から光の一部分を単一の出
力ビームのコンポーネントとして透過させ、且つ、前記
利得媒体からの光の一部分を反射させることができるよ
うに、出力ビームの方向に対して垂直な面と１０乃至８
０度の角度の面に向けられた部分反射ミラーと、 Ｂ．高反射光学素子と、 Ｃ．前記部分反射ミラーから反射された光のスペクトル
を狭くし、線狭帯域化された光の一部が更なる増幅のた
めに前記利得媒体に戻るように前記部分反射ミラーから
反射され、前記線狭帯域化された光の一部が前記部分反
射ミラーを介して透過されるような方向に、線狭帯域化
された光を前記部分反射ミラーに戻すように反射され、
次いで、前記高反射光学素子から反射され、次いで、前
記単一の出力ビームの追加のコンポーネントとして前記
部分反射ミラーによって前記レーザシステムの外に部分
的に反射され、線狭帯域化手段によって更に線狭帯域化
するように前記部分反射ミラーを介して部分的に透過さ
れるように構成された線狭帯域化手段と、 を有し、 光ビームを狭帯域化し、レーザシステムの利得媒体から
の出力ビーム方向を決めるための線狭帯域出力カプラ。 - 【請求項２】 前記線狭帯域化手段が、少なくとも１つ
のビームエキスパンダとグレーティングとを有すること
を特徴とする、請求項１に記載の線狭帯域化出力カプ
ラ。 - 【請求項３】 前記少なくとも１つのビームエキスパン
ダが、３つのプリズムビームエキスパンダであり、前記
グレーティングがエシェルグレーティングであることを
特徴とする、請求項２に記載の線狭帯域出力カプラ。 - 【請求項４】 前記線狭帯域化手段が更に調整ミラーを
有することを特徴とする、請求項３に記載の線狭帯域出
力カプラ。 - 【請求項５】 前記高反射光学素子が全反射ミラーであ
ることを特徴とする、請求項１に記載の線狭帯域出力カ
プラ。 - 【請求項６】 前記線狭帯域手段が更にエタロンを有す
ることを特徴とする、請求項２に記載の線狭帯域出力カ
プラ。 - 【請求項７】 前記線狭帯域化手段が、所望の波長の範
囲で光の強めあう干渉を作り出すように、前記全反射ミ
ラーの反射面に位置決められた２つの全反射ミラーを有
することを特徴とする、請求項１に記載の線狭帯域化出
力カプラ。 - 【請求項８】 前記角度が約４５度であることを特徴と
する、請求項１に記載の線狭帯域化カプラ。 - 【請求項９】 Ａ．レーザチャンバと、 Ｂ．前記レーザチャンバの後部から出る光を狭帯域化さ
せるように位置決めされたリア線狭帯域化手段と、 Ｃ．単一の出力ビームのコンポーネントとして前記レー
ザチャンバの外に出す前記レーザチャンバからの光の一
部を透過させ、フロントエンド線狭帯域光を構成する光
の一部分を狭帯域化し、更に増幅するためにレーザチャ
ンバ内に前記フロントエンド線狭帯域光の少なくとも一
部を戻すように反射させ、フロントエンド線狭帯域光を
前記単一の出力ビームの追加のコンポーネントとして前
記レーザシステムの外に反射させるように配置された線
狭帯域出力カプラ手段と、 を有する、狭帯域バンドレーザシステム。 - 【請求項１０】 前記レーザチャンバがエキシマレーザ
チャンバであることを特徴とする、請求項９に記載の線
狭帯域化出力カプラ。
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