JP3077539B2 - レーザ加工方法 - Google Patents

レーザ加工方法

Info

Publication number
JP3077539B2
JP3077539B2 JP06320238A JP32023894A JP3077539B2 JP 3077539 B2 JP3077539 B2 JP 3077539B2 JP 06320238 A JP06320238 A JP 06320238A JP 32023894 A JP32023894 A JP 32023894A JP 3077539 B2 JP3077539 B2 JP 3077539B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pair
stage
irradiation
laser beam
rectangular
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP06320238A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08174256A (ja
Inventor
俊治 岡田
出 中井
雄二 植杉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=18119270&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3077539(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP06320238A priority Critical patent/JP3077539B2/ja
Priority to US08/576,638 priority patent/US5690846A/en
Publication of JPH08174256A publication Critical patent/JPH08174256A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3077539B2 publication Critical patent/JP3077539B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017Etching of the substrate by chemical or physical means

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は被加工物の穴明け、切
断、溶接などに用いられるレーザ加工装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】図7に従来のレーザ加工装置を示す。レ
ーザ発振器31から出射されたレーザ光線32は、反射
ミラー33により下方に向きを変えられ、レンズ34で
集光されてXYステージ35上の被加工物に照射され
る。レーザ光線の照射位置の精度はXYステージの位置
決め精度により決定される。
【0003】図8に別の従来のレーザ加工装置を示す。
レーザ発振器31から出射されたレーザ光線32は、一
対の回転ミラー36により反射された後、フラットフィ
ールドレンズ37により被加工物38に集光、照射さ
れ、レーザ加工がなされる。また、被加工物はXYステ
ージ35の動作により、所定の範囲内にて移動可能とな
っている。但し、XYステージによる被加工物の移動
は、一対の回転ミラーの駆動によりレーザ光線の集光点
が位置決めされる領域が重なることなく、かつ領域間の
隙間が生じる事なく移動するように構成されていない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】第1の従来例において
は、レーザ光線の光軸が固定であるため、レーザ光線の
被加工物に対する照射点の位置決めがXYステージの移
動によりなされ、位置決めの精度は比較的高い。しか
し、レーザ光線の被加工物に対する照射速度は、XYス
テージの移動・位置決め速度により律則されることな
り、一般的にXYステージの移動・位置決め速度が毎秒
5〜10点程度であるため、回転ミラーによるレーザ光
線の位置決め速度の1/10以下になる。
【0005】第2の従来例は、基板状に散在しているチ
ップ抵抗部品を、一つずつ画像認識で位置を測定し、測
定結果を元にしてレーザ光線の照射位置を決め、トリミ
ングを行う用途や、局部的に被加工物にマーキングを行
う用途などに用いられる構成である。この構成では、X
Yステージによる被加工物が移動する際、一対の回転ミ
ラーの駆動によりレーザ光線の集光点が位置決めされる
領域が互いに重なったり、領域間に隙間が空いたりする
ため、加工領域内のレーザ光線照射点の位置を、1つの
座標系内の座標値で表することができない。そのため、
正確な位置にレーザ光線を照射するには、XYステージ
が移動する毎に画像認識等により基準位置を確認する必
要があり、加工時間が長びくと共に、基準位置を表す認
識マークを加工領域の各所に配置しなければならず、汎
用性に欠ける。本発明のレーザ加工装置は、前記課題を
解決し、広い加工領域に対して高速かつ正確にレーザ照
射を行うことができる方法を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、回転軸が互い
にねじれの位置関係にある一対の回転ミラーと、一対の
回転ミラーにより反射されるレーザ光線を所定の平面上
に集光させるためのフラットフィールドレンズと、レー
ザ光線が照射される加工対象物を搭載し移動させるため
のXYステージとを備え、一対の回転ミラーとフラット
フィールドレンズにより照射位置が決められるレーザ光
線が、加工対象物の所定の矩形平面領域内への、所定の
照射を終了した後、X軸ステージまたはY軸ステージを
移動させ、前記矩形平面領域と重なる事なく、かつ隙間
なく隣接した、前記矩形平面領域と同一形状からなる第
2の矩形平面領域への所定のレーザ光線照射が行われ、
以降同様にして第N(Nは1以上の数値を表す)の矩形
平面領域へのレーザ光線照射とX軸ステージまたはY軸
ステージの移動とを交互に行わせることにより、所定の
矩形平面領域をマトリクス状に繋ぎ合わせた広い平面領
域に対するレーザ加工を行う方法である。
【0007】また、レーザ加工がなされる平面領域に存
在しかつそれらの位置が平面領域内全体を含む直交座標
系の座標値で表されるレーザ照射点を、マトリクス上に
並んだ各矩形平面領域毎に分類し、各矩形平面領域内の
レーザ照射点の座標値を、各矩形平面領域の中心を原点
とし一対の回転ミラーとフラットフィールドレンズとの
組み合わせが構成する直交座標系の座標値に変換する機
能を有し、変換された座標値に基づいて一対の回転ミラ
ーを駆動し、各矩形平面領域内へのレーザ照射を行うも
のである。
【0008】さらに、回転軸が互いにねじれの位置関係
に有る一対の回転ミラーとフラットフィールドレンズと
の組み合わせを用いて、レーザ光線を平面上で走査した
ときに生じる幾何学的な走査歪みを補正する手段とし
て、平面上へのレーザ光線照射痕の位置測定結果に基づ
き、一対の回転ミラーを駆動させる制御装置に入力する
照射位置を表する数値データを補正するものである。
【0009】さらに、一対の回転ミラーとフラットフィ
ールドレンズとの組み合わせが構成する直交座標系の直
交軸と、XYステージの直交座標系の直交軸とが一致し
ていない場合、2つの直交軸の回転方向の角度ずれを補
正して直交軸を一致させる手段として、照射位置決めを
行う一対の回転ミラーを駆動させる制御装置に入力する
照射位置を表す数値データを補正する機能を有すること
により、一対の回転ミラーとフラットフィールドレンズ
との組み合わせ、またはXYステージの何れかを機械的
に回転移動させて直交軸を一致させる手段と比較して、
より精度の高い一致が得られる。
【0010】さらに、一対の回転ミラーとフラットフィ
ールドレンズとの組み合わせが構成する直交座標系の直
交軸と、XYステージの直交座標系の直交軸との回転方
向の角度ずれを測定する方式として、一対の回転ミラー
は所定の位置に固定して、XステージまたはYステージ
の何れか一方を移動させてレーザ光線を加工対象物に照
射したときの複数の照射痕を結ぶ直線と、XYステージ
は静止させて、一対の回転ミラーの内、前記照射痕を結
ぶ直線におよそ直行する方向にレーザ光線を走査させる
一方のミラーのみを回転させてレーザ光線を加工対象物
に照射したときの複数の照射痕を結ぶ直線とが成す角度
を照射痕の位置測定結果から決定し、その角度の直角か
らのずれを前記2つの直交軸の角度ずれ量とする機能を
有する。
【0011】
【作用】本発明のレーザ加工装置は、一対の回転ミラー
と、一対の回転ミラーにより反射されるレーザ光線を所
定の平面上に集光させるためのフラットフィールドレン
ズにより高速にレーザ光線の位置決めが出来ると共に、
所定の矩形平面領域へのレーザ光線照射とX軸ステージ
またはY軸ステージの移動とを交互に行わせ、所定の矩
形平面領域をマトリクス状に繋ぎ合わせることにより、
XYステージの移動範囲内の広い加工領域へのレーザ光
線照射が可能になる。
【0012】また、加工領域全体を含む1つの座標系で
表されたレーザ照射位置の座標値を、マトリクス状に並
んだ各矩形平面領域の中心を原点とし一対の回転ミラー
とフラットフィールドレンズとの組み合わせで構成する
直交座標系の座標値に変換し、変換された座標値に基づ
いて各矩形平面領域内へのレーザ照射を行う機能を有す
ることにより、レーザ照射位置の座標値を1つの座標系
で表することができ、多様なレーザ照射に対する汎用性
が高まる。
【0013】また、レーザ光線照射痕の位置測定結果に
基づき、一対の回転ミラーを駆動させる制御装置に入力
する照射位置を表する数値データを補正することによ
り、正確な位置へのレーザ光線照射が可能となる。
【0014】さらに、一対の回転ミラーを駆動させる制
御装置に入力する照射位置を表す数値データを回転座標
変換させる機能を有することにより、一対の回転ミラー
とフラットフィールドレンズとの組み合わせが構成する
直交座標系の直交軸と、XYステージの直交座標系の直
交軸との回転方向の角度ずれを補正し、正確な位置への
レーザ光線照射を可能にする。
【0015】さらに、回転ミラーの駆動により複数箇所
に照射されたレーザ光線の照射痕とXYステージの移動
により複数箇所に照射されたレーザ光線の照射痕の位置
測定を行い、夫々の照射痕を繋ぐ直線の傾きを算出し、
一対の回転ミラーとフラットフィールドレンズとの組み
合わせが構成する直交座標系の直交軸と、XYステージ
の直交座標系の直交軸との回転方向の角度ずれを決定す
る機能を備えることにより、正確な回転角度ずれが求ま
る。
【0016】
【実施例】図1は本発明の実施例における基板への炭酸
ガスレーザ穴明け加工機部である。同図において、1は
炭酸ガスレーザ発振器であり、2はレーザ光線であり、
3はレーザ光線を反射するベンディングミラーであり、
4はレーザ光線を1:1の出力比に分岐するレーザビー
ムスプリッターであり、5は互いにねじれの位置関係に
ある一対のガルバノメータミラーであり、6は被加工物
である基板であり、7はX軸ステージであり、8はY軸
ステージあり、9はレーザ光線を平面上に集光する作用
を有するfθレンズである。
【0017】図2は基板に明けた穴の位置を穴形状認識
により測定する測定器部である。同図において、10は
レーザ加工後の基板であり、11はXYステージであ
り、12は対物レンズであり、13は対物レンズで拡大
した穴をモニターするCCDカメラである。
【0018】本実施例のレーザ加工装置はレーザ加工機
部と位置測定器部とで構成されているが、それらが一体
となった構成を取ることも可能である。
【0019】以下に、本レーザ加工装置の動作について
説明する。図3は500mm×350mm寸法の基板を、マ
トリクス状に並んだ50mm×50mmの矩形の領域に区分
した状態を示す模式図である。XYステージ7、8の移
動により1−1と示された矩形の領域15がfθレンズ
9の直下に位置され、一対のガルバノメータミラー5の
回転・位置決め動作が行われ、それに同期して炭酸ガス
レーザ発振器1からレーザ光線が照射され、ベンディン
グミラー3で伝送されたレーザ光線2がガルバノメータ
ミラー5で反射され、fθレンズ9で基板6上に集光さ
れ、領域内の所定の位置に穴明けが行われる。1−1の
領域へのレーザ光線照射が完了すると、X軸ステージ7
が50mm移動し、1−2と示された矩形の領域16がf
θレンズ9の直下に位置され、領域15と同様にして所
定のレーザ光線照射位置に穴明けが行われる。以下同様
にして1−7と示された矩形の領域17までの穴明けが
完了すると、Y軸ステージ8が50mm移動し、2−7と
示された矩形の領域18がfθレンズの直下に位置さ
れ、所定の穴明けがなされる。そして、矩形領域への穴
明けとX軸ステージ7の移動が交互に繰り返され、2−
1の矩形領域19までの穴明けが完了すると、再びY軸
ステージ8が50mm移動し3−1の領域がfθレンズ9
の直下に位置される。このようにして、全ての矩形領域
への所定の穴明けがなされ、500mm×350mmの寸法
の基板への穴明け加工が完了する。当初、レーザ光線照
射により基板6上に穴明けすべき位置は、基板6の左下
隅を原点とし、基板6の下辺りをX軸とする直交座標系
の座標値で与えられる。これらの座標値は、マトリクス
状に並んだ50mm×50mmの矩形の領域に基板6を区分
した後、各領域毎に分類される。分類された座標値は、
各50mm×50mmの矩形の領域の中心を原点とし、一対
のガルバノメータミラー5を片方ずつ回転させたとき
に、原点を通って基板6上を移動するレーザ光線2の集
光点が描く軌跡を2軸とする直交座標系の座標値に変換
され、この座標値に基づいて一対のガルバノメータミラ
ー5の位置決めがなされ、矩形の領域内への所定の穴明
けがなされる。
【0020】図4に一対のガルバノメータミラー5とf
θレンズ9との組み合わせを用いてレーザ光線2の位置
決めを行う場合に、位置決めの軌跡に生ずる幾何学的な
歪みを模式的に示す。歪みには、一対のガルバノメータ
ミラー5の幾何学的な配置が原因となって生じるピンク
ッション歪み(a)と、fθレンズの光学設計上のリニ
アリティー誤差が原因となって生じる歪み(b)との2
種類があり、それらが合成されて、位置決めの軌跡に生
ずる幾何学的な歪み(c)が形成される。本レーザ加工
装置においては、図4(d)に示すように正方形の領域
内に、等間隔にマトリクス状に並んだ座標点20の座標
値に基づき基板上にレーザ光線を照射し、穴明けを行
う。穴明けを行った結果を図4(e)に示す。それぞれ
の穴21の位置を図2に示した測定器を用いて測定し、
測定結果と座標点の座標値とを比較処理することによ
り、歪んだ形状と元の正方形との差分を求め、前記50
mm×50mmの矩形の領域内への所定の穴明けを行う変換
後の座標値を補正することにより、歪みの誤差を含まな
い正確な座標点に対してレーザ光線照射が可能になる。
本レーザ加工装置は、これら一連の補正を、測定結果を
制御部に入力することにより自動的に処理する機能を有
する。
【0021】本レーザ加工装置において、基板上に穴明
けすべき位置に正確にレーザ光線を照射するためには、
隣合う前記50mm×50mmの矩形の領域が隙間無くかつ
重なり合うことの無いように配置されなければならな
い。例えば、図3の1−1と示された50mm×50mmの
矩形の領域の右辺と1−2と示された領域の左辺は正確
に一致するように配置されなければならない。正確に一
致させるには、XYステージ7、8の直交座標系と一対
のガルバノメータミラー5の直交座標系が回転方向に一
致していなければならない。図5に隣合う2つの50mm
×50mmの矩形の領域22を示す。XYステージの直交
座標系23と一対のガルバノメータミラー5により決ま
るレーザ光線の集光点移動の直交座標系24との回転方
向のずれがあると、隣合う矩形の領域同志は互いに重な
り合う部分25が生じる。(補正前の図参照) また、XYステージ7、8の直交座標系に対して傾いた
矩形領域がマトリクス状に配置されると、基板上に矩形
領域内から外れる隙間の部分26が生じる。重なりや、
隙間部分が存在すると、前記の基板上の穴明け位置の座
標値を50mm×50mmの矩形の領域に分類する操作が正
確に行えず、その結果穴明けとすべき位置への正確なレ
ーザ光線照射が不可能となる。回転方向のずれが生じる
原因は、XYステージ7、8と一対のガルバノメータミ
ラー5との相対位置が加工機の設計上定められた位置か
ら微妙にずれることにあるが、このずれを機械的な位置
関係の調整により正確に修正することは技術的に困難で
ある。本加工装置は、前記50mm×50mmの矩形の領域
内への所定の穴明けを行う変換後の座標値を回転ずれの
角度分だけ、回転座標変換することにより回転方向のず
れを補正する機能を有する。本機能により、回転ずれの
微妙な調整が可能になる。補正後の矩形領域27を図5
に示す。
【0022】XYステージの直交軸と一対のガルバノメ
ータミラーが構成する直交軸との回転方向のずれを補正
するには、回転ずれの角度を正確に測定することが不可
欠である。本加工装置では、図6に示すように、まず一
対のガルバノメータミラーを50mm×50mmの矩形の領
域内の座標系の原点28にレーザ光線が照射される位置
に固定したままX軸ステージ7を移動させてレーザ光線
2を基板6に照射して形成した5点の穴29の位置を前
記測定器にて測定し、多項式近似により5点を通る直線
の傾きを求める。次にXYステージ7、8には静止させ
て、一対のガルバノメータミラー5の、前記5点を通る
直線におよそ直行する方向にレーザ光線2を移動させる
一方のミラーのみを回転・位置決めさせながらレーザ光
線2を基板6に照射して形成した10点の穴30の位置
を前記測定器で測定し、多項式近似により10点を通る
直線の傾きを求める。それらの傾きから、2本の直線が
成す角度を決定し、その角度の直角からのずれを前記2
つの直交軸の角度ずれ量とし、前記50mm×50mmの矩
形の領域内への所定の穴明けを行う変換後の座標値を回
転座標変換により補正する。この補正は、前記5点およ
び10点の穴位置測定結果を加工装置の制御部に入力す
ることにより自動的になされる。また、測定する穴の数
は、求められる統計処理の精度に応じて増減させればよ
く、5点または10点に限定されるものではない。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、一対の回転ミラーと、
一対の回転ミラーにより反射されるレーザ光線を所定の
平面上に集光させるためのフラットフィールドレンズと
による矩形平面領域内への所定のレーザ照射と、X軸ス
テージまたはY軸ステージの移動とを交互に繰り返し、
矩形平面領域マトリクス状に繋いで行くことにより、広
いレーザ照射領域に対して高速にレーザ光線照射ができ
る。
【0024】また、レーザ加工領域全体を含む直交座標
系で表されたレーザ照射点の位置座標を、前記矩形平面
領域に分類し、矩形平面領域内の位置座標系内の座標値
に変換する機能を有することにより、例えばCADで設
計されたレーザ照射位置のデータに基づく加工も可能で
あり、位置データの扱いに汎用性がある。
【0025】さらに、一対の回転ミラーとフラットフィ
ールドレンズとの組み合わせを用いて、レーザ光線を平
面上で走査したときに生じる幾何学的な走査歪みを補正
する手段として、平面上へのレーザ照射痕の位置を測定
し、その結果に基づき、照射位置決めを行う一対の回転
ミラーを駆動させる制御装置に入力する照射位置に表す
る数値データを補正する機能を有することにより、正確
なレーザ照射位置決めが可能になる。
【0026】さらに、一対の回転ミラーとフラットフィ
ールドレンズとの組み合わせが構成する直交座標系の直
交軸と、XYステージの直交座標系の直交軸との回転方
式の角度ずれを補正して直交軸を一致させる手段とし
て、一対の回転ミラーを駆動させる制御装置に入力す
る、照射位置を表す数値データを補正する機能を有する
ことにより、2つの直交軸を正確に一致させ、レーザ光
線照射の位置精度を高めることができる。
【0027】さらに、XステージまたはYステージのみ
を移動させてレーザ光線を加工対象物に照射したときの
照射痕を結ぶ直線と、一対の回転ミラーの一方を回転さ
せてレーザ光線を加工対象物に照射したときの照射痕を
結ぶ直線とが成す角度を照射痕の位置測定結果から決定
し、その角度の直角からのずれを前記2つの直交軸の角
度ずれ量とする機能を備えることにより、前記一対の回
転ミラーとフラットフィールドレンズとの組み合わせが
構成する直交座標系の直交軸と、XYステージの直交座
標系の直交軸との回転方向の角度ずれが正確に求まり、
レーザ光線照射位置の精度をさらに高めることが可能と
なる。
【0028】本発明の効果を簡潔にまとめると、一対の
回転ミラーとフラットフィールドレンズとの組み合わせ
を用いることにより可能になる高速レーザ加工を、高い
位置精度で、かつ広い加工領域に適用できることにあ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例におけるレーザ加工装置を示す
【図2】同実施例において基板に明けた穴の位置を測定
する測定装置の構成図
【図3】同実施例において基板をマトリクス状に並んだ
複数の矩形の領域に区分した状態を示す模式図
【図4】(a)は位置決めの軌跡に生ずる幾何学的な歪
みを模式的に示す図 (b)は位置決めの軌跡に生ずる幾何学的な歪みを模式
的に示す図 (c)は位置決めの軌跡に生ずる幾何学的な歪みを模式
的に示す図 (d)はある領域における座標点を示す図 (e)は座標点の座標値に基づき穴明けを行った結果を
示す図
【図5】(a)はガルバノメータとX−Yステージの座
標系の回転ズレを示す図 (b)は隣合う2つの50mm×50mm矩形の領域を示す
【図6】XYステージの直交軸と一対のガルバノメータ
ミラーが構成する直交軸との、回転方向のずれ角を求め
るために行ったレーザ加工を行なった状態を示す図
【図7】従来のレーザ加工装置を示す図
【図8】別の従来のレーザ加工装置を示す図
【符号の説明】
1 炭酸ガスレーザ発振器 2 レーザ光線 3 レーザ光線を反射するベンディングミラー 4 レーザビームスプリッター 5 一対のガルバノメータミラー 6 fθレンズ 7 被加工物の基板 8 X軸ステージ 9 Y軸ステージ 10 一対のガルバノメータミラー及びXYステージ
の制御部を収納する筐体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−45493(JP,A) 特開 平4−123886(JP,A) 特開 昭63−230287(JP,A) 特開 平4−213244(JP,A) 実開 昭60−94388(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B23K 26/00 - 26/08

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回転軸が互いにねじれの位置関係にある
    一対の回転ミラーと、一対の回転ミラーにより反射され
    るレーザ光線を所定の平面上に集光させるためのフラッ
    トフィールドレンズと、レーザ光線が照射される加工対
    象物を搭載し移動させるためのXYステージとを備え、
    一対の回転ミラーとフラットフィールドレンズにより照
    射位置が決められるレーザ光線を、XYステージを固定
    した状態で加工対象物の全面のうちの一部である第一の
    矩形平面領域内へ照射した後、X軸ステージまたはY
    軸ステージを移動させ、前記第一の矩形平面領域と重な
    ることなく、隣接した、前記第一の矩形平面領域と同一
    形状からなる第2の矩形平面領域への所定のレーザ光線
    照射が行われ、以降同様にして第N(Nは1以上の整数
    を表す)の矩形平面領域へのレーザ光線照射とX軸ステ
    ージまたはY軸ステージの移動とを交互に行わせること
    により、所定の矩形平面領域をマトリクス状に繋ぎ合わ
    せた前記加工対象物全面のレーザ加工を行なうレーザ加
    工方法。
  2. 【請求項2】 レーザ加工がなされる平面領域内に存在
    し、かつそれらの位置が平面領域内全体を含む直交座標
    系の座標値で表されるレーザ照射点を、マトリクス状に
    並んだ各矩形平面領域毎に分類し、各矩形平面領域内の
    レーザ照射点の座標を、各矩形平面領域の中心を原点と
    し、一対の回転ミラーとフラットフィールドレンズとの
    組み合わせが構成する直交座標系の座標値に交換する機
    能を有し、変換された座標値に基づいて一対の回転ミラ
    ーを駆動し、各矩形平面領域内へのレーザ照射を行うこ
    とを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
  3. 【請求項3】 回転軸が互いにねじれの位置関係にある
    一対の回転ミラーとフラットフィールドレンズとの組み
    合わせを用いて、レーザ光線を平面上で走査したときに
    生じる幾何学的な走査歪みを補正する手段として、平面
    上へのレーザ照射痕の位置測定結果に基づき、照射位置
    決めを行う一対の回転ミラーを駆動させる制御装置に入
    力する照射位置を表す数値データを補正する請求項1記
    載のレーザ加工方法。
  4. 【請求項4】 一対の回転ミラーとフラットフィールド
    レンズとの組み合わせで構成する直交座標系の直交軸
    と、XYステージの直交座標系の直交軸とが一致してい
    ない場合、2つの直交軸の回転方向の角度ずれを補正し
    て直交軸を一致させる手段として、照射位置決めを行う
    一対の回転ミラーを駆動させる制御装置に入力する照射
    位置を表す数値データを補正する請求項1記載のレーザ
    加工方法。
  5. 【請求項5】 一対の回転ミラーとフラットフィールド
    レンズとの組み合わせで構成する直交座標系の直交軸
    と、XYステージの直交座標系の直交軸との回転方向の
    角度ずれを測定する方法として、一対の回転ミラーは所
    定の位置に固定して、XステージまたはYステージの何
    れか一方を移動させてレーザ光線を加工対象物に照射し
    たときの複数の照射痕を結ぶ直線と、XYステージは静
    止させて、一対の回転ミラーの内、前記照射痕を結ぶ直
    線におよそ直交する方向にレーザ光線を走査させる一方
    のミラーのみを回転させてレーザ光線を加工対象物に照
    射したときの複数の照射痕を結ぶ直線とが成す角度を照
    射痕の位置測定結果から決定し、その角度の直角からの
    ずれを前記2つの直交軸の角度ずれ量とする請求項1記
    載のレーザ加工方法。
JP06320238A 1994-12-22 1994-12-22 レーザ加工方法 Expired - Fee Related JP3077539B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06320238A JP3077539B2 (ja) 1994-12-22 1994-12-22 レーザ加工方法
US08/576,638 US5690846A (en) 1994-12-22 1995-12-21 Laser processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP06320238A JP3077539B2 (ja) 1994-12-22 1994-12-22 レーザ加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08174256A JPH08174256A (ja) 1996-07-09
JP3077539B2 true JP3077539B2 (ja) 2000-08-14

Family

ID=18119270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP06320238A Expired - Fee Related JP3077539B2 (ja) 1994-12-22 1994-12-22 レーザ加工方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5690846A (ja)
JP (1) JP3077539B2 (ja)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2866831B2 (ja) * 1996-08-30 1999-03-08 株式会社アドバンテスト レーザ加工装置の位置決め方法
US7732732B2 (en) * 1996-11-20 2010-06-08 Ibiden Co., Ltd. Laser machining apparatus, and apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board
EP1852208B1 (en) * 1996-11-20 2012-01-04 Ibiden Co., Ltd. Laser machining apparatus and method for manufacturing a multilayered printed wiring board
US5874266A (en) * 1997-03-27 1999-02-23 Palsson; Bernhard O. Targeted system for removing tumor cells from cell populations
US6534308B1 (en) 1997-03-27 2003-03-18 Oncosis, Llc Method and apparatus for selectively targeting specific cells within a mixed cell population
US6753161B2 (en) * 1997-03-27 2004-06-22 Oncosis Llc Optoinjection methods
US6642018B1 (en) 1998-03-27 2003-11-04 Oncosis Llc Method for inducing a response in one or more targeted cells
EP1117503B1 (de) * 1998-09-30 2003-11-26 Lasertec GmbH Verfahren und vorrichtung zur materialabtragung aus einer fläche eines werkstücks
JP3346374B2 (ja) * 1999-06-23 2002-11-18 住友電気工業株式会社 レーザ穴開け加工装置
EP1202833B1 (de) 1999-07-23 2003-12-03 Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH Verfahren zur erzeugung von mikrobohrungen
WO2001040454A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-07 Oncosis Method and apparatus for selectively targeting specific cells within a cell population
US20030024913A1 (en) * 2002-04-15 2003-02-06 Downes Joseph P. Laser scanning method and system for marking articles such as printed circuit boards, integrated circuits and the like
US6804385B2 (en) 2000-10-24 2004-10-12 Oncosis Method and device for selectively targeting cells within a three-dimensional specimen
US8497450B2 (en) * 2001-02-16 2013-07-30 Electro Scientific Industries, Inc. On-the fly laser beam path dithering for enhancing throughput
KR100969452B1 (ko) * 2001-08-09 2010-07-14 오르보테크 엘티디. 다층형 전기 회로의 타겟 노출 시스템 및 방법
NL1018906C2 (nl) * 2001-09-07 2003-03-11 Jense Systemen B V Laser scanner.
US7006237B2 (en) * 2002-03-26 2006-02-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser beam positioning device for laser processing equipment
WO2003089901A2 (en) * 2002-04-19 2003-10-30 Palsson Bernhard O Methods for preparing libraries of unique tags and related screening methods
US7067763B2 (en) * 2002-05-17 2006-06-27 Gsi Group Corporation High speed, laser-based marking method and system for producing machine readable marks on workpieces and semiconductor devices with reduced subsurface damage produced thereby
US20050095578A1 (en) * 2003-10-31 2005-05-05 Koller Manfred R. Method and apparatus for cell permeabilization
US7425426B2 (en) * 2004-03-15 2008-09-16 Cyntellect, Inc. Methods for purification of cells based on product secretion
US20060189091A1 (en) * 2004-11-11 2006-08-24 Bo Gu Method and system for laser hard marking
US7705268B2 (en) * 2004-11-11 2010-04-27 Gsi Group Corporation Method and system for laser soft marking
US7834293B2 (en) * 2006-05-02 2010-11-16 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for laser processing
SG172606A1 (en) * 2006-06-08 2011-07-28 Apic Yamada Corp Semiconductor cutting device, semiconductor cutting method, semiconductor cutting system, laser cutting device and laser cutting method
JP2007329359A (ja) * 2006-06-08 2007-12-20 Apic Yamada Corp 半導体切断装置および半導体切断方法
WO2008038385A1 (fr) * 2006-09-28 2008-04-03 Mitsubishi Electric Corporation Appareil d'usinage laser
US20080223836A1 (en) * 2007-03-12 2008-09-18 Efficere, Llc Method and system for laser processing
US8426768B2 (en) * 2008-02-20 2013-04-23 Aerotech, Inc. Position-based laser triggering for scanner
JP5063450B2 (ja) * 2008-03-31 2012-10-31 パナソニック デバイスSunx株式会社 レーザ加工装置
JP5318449B2 (ja) * 2008-04-24 2013-10-16 株式会社ブイ・テクノロジー パターンの欠陥修正方法
JP5356741B2 (ja) * 2008-07-09 2013-12-04 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
KR101026010B1 (ko) * 2008-08-13 2011-03-30 삼성전기주식회사 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법
CN102341505A (zh) * 2009-01-09 2012-02-01 英特拉克森公司 细胞的遗传学分析
KR20110108390A (ko) 2009-01-12 2011-10-05 신텔렉트 인코포레이티드 레이저로 매개된 박막 절개 및 세포 군체의 이동
US8378252B2 (en) * 2009-05-29 2013-02-19 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for hybrid resolution feedback of a motion stage
DE102010018032A1 (de) * 2010-04-23 2011-10-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung eines Werkstückes mit einem Laser
JP5440593B2 (ja) * 2011-11-30 2014-03-12 パナソニック株式会社 レーザ照射位置の補正方法、及び、レーザ加工装置
JP5442801B2 (ja) * 2012-05-14 2014-03-12 アピックヤマダ株式会社 半導体切断装置および半導体切断方法
CN103433625A (zh) * 2013-09-04 2013-12-11 昆山市三星机械制造有限公司 一种塑料模具用激光蚀纹机
CN106488756A (zh) * 2014-04-18 2017-03-08 Gdm股份公司 用于切割材料幅材的设备
DE112015001864T5 (de) * 2014-04-18 2017-01-05 Gdm S.P.A. Vorrichtung und Verfahren zum Laserschneiden einer Bahn aus Fasermaterial
JP6365666B2 (ja) 2014-06-27 2018-08-01 株式会社村田製作所 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP6374336B2 (ja) * 2015-03-20 2018-08-15 ビアメカニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6981422B2 (ja) * 2016-10-20 2021-12-15 Agc株式会社 孔を有するガラス基板の製造方法、インターポーザの製造方法、およびガラス基板に孔を形成する方法
JP7008942B2 (ja) 2017-12-21 2022-01-25 株式会社安川電機 較正方法及び較正装置
KR102113006B1 (ko) * 2018-11-27 2020-05-21 한국생산기술연구원 가공 시작점 자동 인식 장치
KR102112999B1 (ko) * 2018-11-29 2020-05-21 한국생산기술연구원 가공 시작점 자동 인식 방법
KR102290609B1 (ko) * 2019-11-19 2021-08-19 한국생산기술연구원 레이저 스캐닝 비전 측정 장치 및 방법
JP7399702B2 (ja) * 2019-12-19 2023-12-18 ビアメカニクス株式会社 レーザ加工装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3549733A (en) * 1968-12-04 1970-12-22 Du Pont Method of producing polymeric printing plates
US4154530A (en) * 1977-12-22 1979-05-15 National Semiconductor Corporation Laser beam error correcting process
US4532402A (en) * 1983-09-02 1985-07-30 Xrl, Inc. Method and apparatus for positioning a focused beam on an integrated circuit
US4769523A (en) * 1985-03-08 1988-09-06 Nippon Kogaku K.K. Laser processing apparatus
JPS6245493A (ja) * 1985-08-22 1987-02-27 Nec Corp 光走査装置
US4685775A (en) * 1985-11-15 1987-08-11 Teradyne, Inc. Light beam positioning apparatus
US4941082A (en) * 1988-04-25 1990-07-10 Electro Scientific Industries, Inc. Light beam positioning system
US4918284A (en) * 1988-10-14 1990-04-17 Teradyne Laser Systems, Inc. Calibrating laser trimming apparatus
JPH066236B2 (ja) * 1989-01-20 1994-01-26 ティーディーケイ株式会社 レーザー照射処理装置
JPH05104264A (ja) * 1991-10-11 1993-04-27 Nec Corp スキヤニング型レーザマーカのマーキング制御方式
US5329090A (en) * 1993-04-09 1994-07-12 A B Lasers, Inc. Writing on silicon wafers

Also Published As

Publication number Publication date
US5690846A (en) 1997-11-25
JPH08174256A (ja) 1996-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3077539B2 (ja) レーザ加工方法
US6545250B2 (en) Method and apparatus for the laser machining of workpieces
JPH02105543A (ja) 再現可能な位置決めの誤差を修正する方法及び装置
KR20170102250A (ko) 정렬 특징부로 독립적 측면 측정을 통한 적응형 부분 프로파일 생성
JPH06328283A (ja) レーザ加工装置
JP4048873B2 (ja) 位置決め加工方法
JPH10301052A (ja) レーザ加工装置の加工位置ずれ補正方式
JP6632781B1 (ja) レーザ加工装置、レーザ加工方法、および誤差調整方法
US5311289A (en) Picture processing method in optical measuring apparatus
EP1153695B1 (en) A laser welding head-controlling system and a method for controlling a laser welding head
JP3614680B2 (ja) レーザ加工方法及び装置
JP2004358550A (ja) レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JPH0871780A (ja) レーザ位置決め加工方法及び装置
JPH1094874A (ja) 管継手の自動溶接方法
JP2004283998A (ja) 加工位置補正方法
JPH01313113A (ja) レーザビームによる板金曲げ加工方法
JP3643104B2 (ja) レーザ加工装置における加工位置ずれ補正方法
JP3285256B2 (ja) レーザロボットの自動アライメント調整方法及び装置
JPH1058175A (ja) レーザ加工装置の光軸の較正方法
JP2008132514A (ja) レーザ加工方法及びその方法を用いて製造されるマイクロセル
JPH10328871A (ja) レーザ加工装置の照射位置補正方法
JP2932418B2 (ja) ワークの位置計測方法
JP2823750B2 (ja) レーザマーキング装置
JP2803845B2 (ja) ティーチングプログラムの直角度修正方法及びその装置
JP2002254187A (ja) チッププラグの溶接装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080616

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090616

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees