JP3075638B2

JP3075638B2 - 半導体集積回路配線補修方法

Info

Publication number: JP3075638B2
Application number: JP04257011A
Authority: JP
Inventors: 勝喜鈴木; 利夫山田; 富夫谷口; 建基石井
Original assignee: Hitachi Software Engineering Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Software Engineering Co Ltd; Hitachi Ltd
Priority date: 1992-09-25
Filing date: 1992-09-25
Publication date: 2000-08-14
Anticipated expiration: 2015-08-14
Also published as: JPH06112194A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路のチッ
プ製造後、チップ上でＦＩＢ（集束イオンビ−ム）、レ
−ザＣＶＤ等を用いて配線の一部を修正加工して、論理
変更に対応する補修を行う半導体集積回路の補修方法に
係り、特に、既存配線の損傷を避けて、ＦＩＢによる加
工の歩留まりを向上させると共に、補修可能範囲を広げ
ることができる半導体集積回路の補修方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路のチップ製造後、チップ
上で配線の一部を修正加工して論理変更を行う技術とし
ては、特開昭６２−２２９９５６号公報に記載のよう
に、ＦＩＢ、レ−ザＣＶＤ等を用いて行うことが報告さ
れている。すなわち、半導体集積回路では、チップ製造
後、チップ上でＦＩＢ（集束イオンビ−ム）、レ−ザＣ
ＶＤ（化学気相成長）等を用いて既存の配線の一部を修
正加工したり、論理構成に関係しない論理変更用未使用
ゲ−トを結線して、論理変更を行なう補修が実施され
る。

【０００３】また、隣接配線の障害による補修箇所の低
下を防止する技術については、米国特許５,０４３,２９
７号(Aug.27.1991)に記載のように、破損した隣接配線
は、そこに新たな加工を実施して、破損による論理的結
合を修復することで、隣接配線の障害に対処することが
報告されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記第１の従来技術
は、チップ上でＦＩＢ、レ−ザＣＶＤ等を用いて、どの
ように補修を実施するかという基本的な技術についての
み述べられているに止まる。補修の際には、補修の対象
となる半導体集積回路の配線密度と、補修の加工精度と
の関係から、補修する箇所のまわりに存在する隣接配線
等に損傷を与えることが起こり得る。しかし、上記従来
技術は、補修箇所に隣接する配線への配慮がされておら
ず、補修時の加工歩留まりを低下させる問題があり、実
用上好ましくない。

【０００５】上記第二の従来技術は、補修箇所の隣接配
線が存在した場合の補修加工方法についての技術が述べ
られている。しかし、この従来技術は、目的とする論理
変更を１００％可能とするための技術で、加工箇所の増
加に対する配慮がされていない。このため、隣接配線を
避けて加工を行なうため、加工箇所が増加して、結果的
に加工歩留まりが低下してしまう問題があった。

【０００６】このため、半導体集積回路補修において、
加工歩留まりを向上させる技術、および加工可能範囲を
拡げる技術が必要とされる。

【０００７】本発明の目的は、補修加工箇所を増加させ
ることなく、隣接配線を考慮した加工を可能とすること
で、加工歩留まりを向上させ、さらには加工可能な箇所
を増加させる技術を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成させる本
発明の一態様によれば、配線が設けられた半導体集積回
路のチップ製造後、当該チップ上に、放射線ビームを照
射して、配線の一部を補修する場合において、ある配線
に放射線ビームを照射して補修を施す際に、被補修配線
の目的箇所に当該放射線ビームを照射すると、その加工
精度上、破損しまたは破損する可能性のある範囲内に、
隣接配線が存在する場合、その隣接配線が被補修配線の
片側にのみ存在するときに限り、放射線ビームを、その
照射位置を、隣接配線の存在しない側に目的とする配線
の切断を保証できる可能な範囲で変位させて、目的箇所
に照射して、修正加工を行なうことを特徴とする半導体
集積回路配線補修方法が提供される。

【０００９】上記放射線ビームを照射すると、その加工
精度上、破損しまたは破損する可能性のある範囲は、当
該放射線ビームが照射位置に形成するスポットに覆われ
る領域とすることができる。

【００１０】補修としては、例えば、配線の切断加工、
半導体集積回路を構成する基板の一部に穴をあける加工
等を含むものである。

【００１１】上記放射線ビームを照射すると、その加工
精度上、破損しまたは破損する可能性のある範囲は、当
該放射線ビームの照射により形成される穴が存在する、
半導体集積回路の１または２以上の各層における穴の領
域とすることができる。

【００１２】また、本発明の他の態様によれば、配線お
よび論理回路が少なくとも設けられたチップを有し、か
つ、該チップには、配線の一部に補修された補修箇所を
１または２以上有する半導体集積回路であって、上記補
修箇所のうち一部は、補修されている配線の幅方向の中
心を基準として、配線の一方の辺側に変位した位置に存
在することを特徴とする半導体集積回路が提供される。

【００１３】補修箇所は、略円状の領域を有し、該円の
中心が、補修されている配線の幅方向の中心より変位し
た位置に存在する構成とすることができる。また、補修
箇所は、開口部が略円の穴を有し、該穴の中心が、補修
されている配線の幅方向の中心より変位した位置に存在
する構成とすることができる。

【００１４】さらに、本発明の他の態様によれば、放射
線ビームを照射して補修を行なう前に、照射予定位置近
傍について、照射しても照射対象が加工されない程度の
強さの放射線ビームを照射して、その反射を検出して、
表面の凹凸を検出し、その検出結果に基づいて、被補修
配線に対する隣接配線の有無を認識すること、および、
認識した隣接配線が被補修配線の左右の片側、上下の片
側、および、前記片側の組合せにのいずれかのみに存在
するか否かを判定し、いずれかの態様で隣接配線が存在
する場合、放射線ビームの照射位置を、隣接配線の存在
しない方向に変位させるための情報を得ることを特徴と
する半導体集積回路配線補修箇所検出方法が提供され
る。

【００１５】また、本発明の他の態様によれば、コンピ
ュータシステムを備えた論理設計システムと、１または
２以上の加工装置、および、加工装置のプロセスデータ
を作成するコンピュータを備える配線加工システムとを
備え、論理設計システムは、論理変更情報と配線情報と
に基づいて、配線加工位置情報を作成するものであり、
ある配線に放射線ビームを照射して補修を施す際に、被
補修配線の目的箇所に当該放射線ビームを照射すると、
その加工精度上、破損しまたは破損する可能性のある範
囲内に、隣接配線が存在する場合、その隣接配線が被補
修配線の片側にのみ存在するときに限り、放射線ビーム
を、その照射位置を、隣接配線の存在しない側に目的と
する配線の切断を保証できる可能な範囲で変位させて、
目的箇所を決定する機能を有し、配線加工システムは、
作成された配線加工位置情報に基づいて、加工装置のプ
ロセスデータを作成する機能を有することを特徴とする
補修システムが提供される。

【００１６】

【作用】配線は、その少なくとも一方側には、隣接する
他の配線が存在しない位置が存在していることがあり得
るので、本発明はこの位置を検出して、補修を行なう。
この際、補修箇所において、放射線ビームの照射位置
は、隣接配線の存在しない方向にずらして、決定され
る。これにより、本来なら破損していた隣接配線を破損
することなく、目的とする配線の加工のみを可能とする
ことができる。

【００１７】加工位置の決定に際しては、配線経路情報
のデ−タファイルと隣接ル−ルが格納されたライブラリ
とを比較することで、ＦＩＢの照射位置をずらす方向と
距離を、配線経路情報のデ−タファイル上で設定可能と
する。ＦＩＢ装置等の加工装置側では、なんら隣接配線
を意識することなく、加工を行なうことができる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。

【００１９】半導体集積回路では、チップ製造後、チッ
プ上でＦＩＢ（集束イオンビ−ム）、レ−ザＣＶＤ（化
学気相成長）等を用いて既存の配線の一部を修正加工し
たり、論理構成に関係しない論理変更用未使用ゲ−トを
結線して論理変更を行なう補修が実施される。ここで、
半導体集積回路補修において、加工歩留まりを向上させ
る技術、および加工可能範囲を拡げる技術が必要とされ
る。そこで、まず、補修時の隣接配線の損傷について、
検討し、これに対する対策として、本発明の補修方法の
実施例について説明する。

【００２０】ＦＩＢによる半導体集積回路の配線切断の
一例を図１に示す。図１は、配線切断を実施した場合の
チップ上方からの配線加工図を示す。例えば、配線１０
１のポイント１０２をＦＩＢ切断する場合、ＦＩＢの照
射により、照射面（スポット）１０３ないにある配線が
消去され、配線１０１は切断されたことになる。

【００２１】しかし、図２に示すように、配線２０１の
切断目的点２０２に、配線間隔Ｗで隣接する配線２０３
が存在する場合がある。この場合、隣接配線２０３との
間隔ＷがＦＩＢ照射面１０３の半径Ｒより狭いと、隣接
配線２０３も、その一部、もしくは、全てが消去される
ことになり、過剰切断点２０６が生じる結果となる。従
って、このような場所での配線切断は行えない。

【００２２】また、図３に示すように、例えば、隣接配
線との間隔Ｗが、ＦＩＢ照射面３０１の半径Ｒより多少
広くても、予定のＦＩＢ照射面３０１がＦＩＢ照射位置
の微妙なずれによりにずれたＦＩＢ照射面３０２となっ
たり、または、ＦＩＢ照射面３０３のように、ＦＩＢの
絞り誤差により半径が広がり、隣接配線の一部にＦＩＢ
照射面がふれて、破損箇所３０４のように隣接配線を破
損させ、加工歩留まりを低下させる原因となってしま
う。

【００２３】本実施例は、これら問題を解決するもので
あって、図４に示すように、切断を目的とする配線４０
１について、切断箇所として、隣接配線が切断箇所の片
側にのみ存在するような配線区間４０２を探す。この区
間４０２で、そのまま上記したような切断を実施したの
では、上記同様に、隣接配線４０３を過剰切断してしま
う。

【００２４】そこで、本実施例では、ＦＩＢの照射位置
（照射中心）４０５を、隣接配線４０３の存在しない方
向へ距離α変位させて、照射する。距離αは、目的とす
る配線４０１の切断が１００％保証できる最大限の値と
なる。この照射位置でＦＩＢを照射した場合、ＦＩＢ照
射面４０６は、図４に示すようになり、隣接配線４０３
を過剰切断する事態は発生しなくなる。

【００２５】このように切断することで、従来切断不可
能であった配線区間が切断可能となる。この効果とし
て、従来、切断可能配線区間がなく、ＦＩＢによる論理
変更を断念していたものが、論理変更が可能となる。

【００２６】また、図３のような微妙な加工精度を要求
される箇所についても、本実施例方法を適用して、ＦＩ
Ｂ照射位置を隣接配線の存在しない方向へ距離αずらし
て照射することで、隣接配線を破損する可能性が大きく
低下する。すなわち、加工歩留まりを向上させる効果が
ある。

【００２７】上記実施例は、切断する配線について２次
元平面の考慮についてのみ述べたものである。しかし、
実際のＬＳＩでは、配線層は多層配線であり、表面に位
置している層に限らず、内部の層についても、補修が必
要となる場合がある。例えば、３層配線からなるＬＳＩ
の第２層に位置する配線を切断する場合がある。このよ
うな場合、ＦＩＢはチップ上方より照射するため、第２
層より上にある第３層の配線が障害となる。このため、
実際には、障害とならない第３層配線が存在しない場所
で、第２層を切断することになる。

【００２８】図５に、ＦＩＢによる第２層配線の配線切
断部の断面図を示す。第２層配線５０４の配線箇所５０
１を切断しようとした場合、図５の例では、上層の第３
層５０２がＦＩＢの軌道としてあけられる穴５０３に接
触する。このため、配線５０２が破損、断線等を起こし
てしまう。従って、従来技術では、このような場所で
は、配線の切断は実施不可であった。

【００２９】ここで、ＦＩＢの軌道としてあけられる穴
５０３に隣接する配線５０２が片側にのみ存在する場合
に限っては、図６に示す通り、ＦＩＢの照射位置を、隣
接配線の存在しない方向（照射位置６０２から６０１）
へ距離β分変位させて照射する。距離βの概念は、距離
αと同じである。

【００３０】このように切断することで、従来、切断不
可能であった場所が切断可能となる。この効果として、
従来、切断可能箇所がなく、ＦＩＢによる論理変更を断
念していたものが、論理変更可能となる効果がある。ま
た、図３のような微妙な加工精度を要求される箇所につ
いても、本実施例を適用して、ＦＩＢ照射位置を隣接配
線の存在しない方向へ距離βずらして照射することで、
隣接配線を破損する可能性が大きく低下する。すなわ
ち、加工歩留まりを向上させる効果がある。

【００３１】実際の配線切断については、上述した図４
および図６に示す方法を組み合わせて使用することで、
より補修可能な箇所を増やすことができる。それによ
り、加工歩留まりを向上させることが可能となる。

【００３２】上記実施例では、配線の切断を行なう例を
示したが、配線の接続のための穴をあける場合にも、本
発明を適用することができる。配線接続のための穴が、
上記した図６に示す切断のための穴に相当する。配線切
断のための穴と、接続のための穴とは、用途が異なるた
め、穴の径が異なる場合がある。このため、隣接配線の
存在を認識すべき範囲の広さが異なる場合がある。ＦＩ
Ｂ照射位置を隣接配線の存在しない方向へ変位させる距
離についても同様である。

【００３３】図７に、接続穴を明けたときの隣接配線に
ついての過剰切断例を示す。すなわち、ビーム軌道で設
けられる接続穴７０１が、目的の第２層配線７０２の上
層にある第３層配線７０３に接触して、これを損傷させ
る状態を示す。図８は、接続穴８０１をあけたときの隣
接配線を考慮して、目的の第２層配線７０２に穴あけを
行なう実施例を示す。すなわち、ＦＩＢの軌道としてあ
けられる接続穴８０１に隣接する配線７０３が片側にの
み存在する場合に限っては、ＦＩＢの照射位置を、隣接
配線の存在しない方向（照射位置８０４から８０５）へ
距離γ分変位させて照射する。距離γの概念は、距離β
と同じである。

【００３４】上記各実施例は、補修を行なうための放射
線ビームとして、ＦＩＢを使用した例を示したが、ＦＩ
Ｂ以外の手段、例えば、レ−ザを用いる場合でも、同様
の技術が適用できるものである。

【００３５】次に、本発明を実現するために用いられる
補修システムの一実施例について、説明する。

【００３６】本実施例のシステムは、図１３に示すよう
に、論理設計、配線加工位置情報の作成等を行なう設計
システム１３１０と、配線、補修等を行なう配線加工シ
ステム１３２０とを有する。

【００３７】設計システム１３１０は、ホストコンピュ
ータ１３１１、入力装置１３１６および出力装置１３１
７と、図示していないが、通信装置等とを有して構成さ
れる。このホストコンピュータ１３１１は、内部に、中
央処理装置および記憶装置（いずれも図示せず）を有す
る。中央処理装置は、記憶装置に格納されるプログラム
を実行して、その内部機能の一部として、例えば、論理
変更情報作成、配線加工位置情報作成、論理的整合性チ
ェック、電気的特性チェック、加工難易度チェック等を
実現する。

【００３８】記憶装置には、中央処理装置が実行する各
種プログラム、データ等が格納される。プログラムとし
ては、例えば、後述する手順で実行される、配線加工位
置決定のためのプログラム等がある。また、データとし
ては、論理設計により作成される論理情報、配線設計に
より作成される配線情報１３１５（図９参照）、論理変
更処理により得られる論理変更情報データ１３１２、論
理変更にともなって補修を行なうために作成された配線
加工位置情報１３１３とがそれぞれファイルとして格納
される。また、記憶装置には、配線加工位置の作成に際
して用いられる各種ルールを規定したルールライブラリ
１３１４（図９参照）が格納される。論理変更情報１３
１２は、例えば、通信装置を介して、外部の論理設計シ
ステムから取り込むこともできる。

【００３９】ところで、加工装置により加工を行なう場
合、その装置の性能等に依存して、加工できる制約条件
等がある。このため、ルールライブラリ１３１４には、
これらの制約条件等をルールとして規定して、ファイル
してある。ルールとしては、例えば、５層配線ＬＳＩでは、第１、第２層の配線は加工不可切断穴の周囲Ｘミクロンには他の切断穴は存在できな
い特定領域は、加工不可加工領域内に隣接配線が存在する場合には、加工不可のようなルールが、数百から数千以上のルールが存在す
る。これらのルールは、加工対象となるＬＳＩシリーズ
により異なることがある。配線位置情報を作成する場合
には、これらのルールと照合され、データの検証、保証
を行なう。この照合を自動処理するために、ルールをラ
イブラリとして、例えば、ホストコンピュータ１３１１
上に常駐させておく。

【００４０】配線加工システム１３２０は、通信装置等
を介して、設計システム１３１０から配線加工位置情報
を取り込んで、補修のためのプロセスデータを作成する
コンピュータ（ミニコン）１３２１と、このプロセスデ
ータを作成する際に、各種加工条件等を参照するデータ
ベース１３２２と、ＦＩＢ（集束イオンビーム）加工装
置１３２３と、レーザＣＶＤ装置１３２４とを有する。
データベース１３２２は、集束イオンビーム走査方法、
レーザビーム照射強度／時間、加工プロセスノウハウ等
が格納されている。

【００４１】この補修システムは、設計システム１３１
０上で設計されたＬＳＩの論理変更を集束イオンビー
ム、レーザＣＶＤ装置等で実施する場合、設計情報（論
理情報、配線情報等）の変更をホストコンピュータ１３
１１上で実行する。例えば、ここでは、変更する論理
が、実際に配線上で加工可能か否かを設計情報を基に判
定する加工難易度チェック、変更した論理情報が、電気
特性を守っているか否かを判定する電気特性チェック、
配線加工位置情報の作成、加工位置情報と変更論理情報
との論理的整合性チェック等を行なう。

【００４２】ここで、作成された配線加工位置情報のデ
ータは、配線加工システム１３２０のコンピュータ１３
２１に転送される。配線加工システム１３２０は、この
配線加工位置情報を、制御用のデータに変換して、ＦＩ
Ｂ加工装置１３２３と、レーザＣＶＤ装置１３２４とに
送る。ＦＩＢ加工装置１３２３は、配線の切断、穴あけ
等を行なう。また、ＣＶＤ装置１３２４は、配線用導体
等を成膜して、配線の接続を行なう。なお、ＦＩＢ加工
装置、ＣＶＤ装置については、例えば、特開昭６２−２
２９９５６号公報に開示されている。

【００４３】なお、本実施例では、設計システムにおい
て、配線加工位置情報の作成を行なっているが、このデ
ータを配線加工システム１３２０のコンピュータ１３２
１により実行する構成としてもよい。、次に、本発明の
補修方法を実現する際に、放射線の照射位置を決定する
方法の一例について説明する。

【００４４】本発明の補修方法は、補修に用いる加工装
置を制御するプロセスデ−タを自動変更するための技術
である。照射位置決定の手順の概要をフロ−チャ−トと
して図９に示す。

【００４５】まず、ホストコンピュータ１３１１は、隣
接ル−ル等を格納したライブラリ１３１４より、切断時
隣接配線として扱う配線までの距離、ＦＩＢ照射位置の
ずらす距離、および、接続穴の隣接配線として扱う配線
までの距離、ＦＩＢ照射位置のずらす距離等を加工ルー
ルとして取り込む（ステップ９０１，９０２）。次に、
ＬＳＩ配線経路を示す、配線情報（配線経路のＸＹ座
標、配線層名）を、ＬＳＩ配線径路情報ファイル１３１
５から取り込む（ステップ９０３）。

【００４６】入力された配線情報について、その配線の
任意の点に、切断、接続等の補修加工が可能な箇所が存
在するか否かを、加工ル−ルに従ってチェックしてい
く。このとき、加工ル−ルの一条件として、隣接配線が
片側のみに存在する場合は、隣接配線の条件が上記した
ように緩和されることになる。このようにして、論理変
更された配線について、補修可能箇所の検出を行なう
（ステップ９０４）。検出結果は、出力装置１３１７の
ディスプレイ上に表示する（ステップ９０５）。上記補
修可能箇所は、可能なすべての箇所が表示される。従っ
て、補修実装設計者は、表示された補修可能箇所から、
論理変更を実現するために必要な、補修箇所（切断箇
所、接続箇所）を選択することができる。

【００４７】ホストコンピュータ１３１１は、入力装置
１３１６において、補修実装設計者からの選択指示を受
け付け（ステップ９０６）、選択された補修箇所を配線
加工位置情報デ−タとして登録（ステップ９０７）す
る。この処理は、自動選択で実施される場合もある。す
なわち、補修箇所の決定に際し、優先順位を付けること
により、複数箇所から１ヶ所を自動選択できるようにす
ることができる。

【００４８】次に、登録された切断、接続穴の箇所につ
いて、ルールライブラリ１３１４を参照して、隣接配線
の条件を調べる。破損する隣接配線、破損の恐れがある
隣接配線が片側にのみ存在した場合は、加工位置を隣接
配線が存在しない方向にずらす処理を行う（ステップ９
０８，９０９）。なお、被加工配線の両側とも、隣接配
線が存在しない場合には、そのままの位置とする。

【００４９】隣接配線の調査方法の一例について、図１
０を参照して説明する。図１０は、第１層１０１３、第
２層１０１２および第３層１０１１の配線領域を示す。

【００５０】例えば、隣接配線として扱う配線までの距
離が２ミクロンで、配線ピッチＰが１ミクロンの３層配
線ＬＳＩがあるとする。第１，第３層の配線１０１１，
１０１３は、Ｘ方向、第２層配線１０１２はＹ方向に配
線ピッチがあるとする。このＬＳＩに対して、第２層の
配線１００１の切断を行う場合、第２層平面上に切断箇
所１００２を中心とした加工領域（隣接配線として扱う
配線までの距離２ミクロンの円領域）１００３を生成す
る。この領域１００３内に他の配線が存在しなければ、
隣接配線が無いと判定できる。層については２層以上の
層を対象とすればよい。但し、補修装置の精度上、切断
する層の一層下まで考慮する必要がある場合は、切断す
る１層下の層以上の層について、検索すれば良い。下層
の過剰切断の例を図１１に示す。１１０１が破損する第
１層配線となる。

【００５１】検索の結果、配線が各方向の片側のみに存
在する場合に限り、位置を変更すれば良い。例えば、位
置がＸＹ座標で登録されているならば、座標を変換すれ
ばよい。座標で表現できなければ、ずらす方向と、距離
を示すデ−タを付加する等、その表現方法は、デ−タの
扱い方により多々表現可能である。

【００５２】以上の処理により、加工制御デ−タ上で、
配線の補修を実現可能とすることができる。加工制御デ
−タ上で、隣接配線の考慮を行うことにより、補修装置
側では、新たな機能を装備することなく、従来の装置
で、上述した各補修を実現可能とすることができる。

【００５３】配線ル−ル、隣接配線の扱い、ＦＩＢ移動
距離等を、ライブラリとして定義しておき、実際の配線
経路をＸＹ座標、層名で定義した配線情報と比較するこ
とで、補修装置を制御するデ−タの段階で、上述した配
線の切断、穴あけ等を可能とする効果がある。さらに、
補修装置側に、特別なオプション機能を装備する必要が
無いという効果がある。

【００５４】次に、本発明の他の実施例について示す。
本実施例は、放射線ビームを照射して補修を行なう前
に、照射予定位置近傍について、照射しても加工が照射
対象が加工されない程度の強さの放射線ビームを照射し
て、その反射を検出して、表面の凹凸を検出し、その検
出結果に基づいて、被補修配線に対する隣接配線の有無
を認識すること、および、認識した隣接配線が被補修配
線の左右の片側、上下の片側、および、、前記片側の組
合せにのいずれかのみに存在するか否かを判定し、いず
れかの態様で隣接配線が存在する場合、放射線ビームの
照射位置を、隣接配線の存在しない方向に変位させるた
めの情報を得るものである。

【００５５】図１２に示すように、加工装置側で、例え
ば、配線箇所１２０１を切断する場合、切断前に、切断
箇所の隣接配線として扱われる範囲について、光、電
子、イオンなどを照射して、その反射から対象の画像を
作成したり、レ−ザ、電子、イオンなどを照射して、配
線段差を検出したりする。上記画像や配線段差の認識に
より、隣接配線の有無を認識して、隣接配線が片側にの
み存在した場合のみ、存在しない側に、ＦＩＢ照射位置
をずらす処理を実施すれば良い。上記画像信号により半
導体表面を検索する技術は、特開平０１−２３５５５号
公報に記載されている技術で可能である。

【００５６】本実施例によれば、実際の物に合わせて隣
接配線の認識を行うため、デ−タと実物との製造後差に
よる差異を確実に認識でき、歩留まり低下を防止できる
効果がある。なお、本実施例を、上述した配線加工位置
の情報により補修箇所を指定する実施例に適用して、よ
り加工精度を向上させることができる。

【００５７】以上、本発明の各実施例によれば、補修可
能箇所を増加させ、これにより、論理変更の自由度を向
上させることが可能となり、さらに、切断、接続等の加
工時の加工歩留まりを向上させることが可能である。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば、ＦＩＢの照射位置を目
的とする配線の加工に影響しない範囲で隣接配線の存在
しない方向にずらすことで、隣接する配線を破損するこ
と無く配線の加工を可能とすることができる。これによ
り、従来技術では加工不可能であった配線が補修可能と
なることで、加工不可のため実現できなかった論理変更
が実現可能となる効果がある。さらに、従来、加工が可
能であった箇所でも、配線間隔が狭く、加工精度上、加
工歩留まりが低下していたものについても、本発明を適
用することで、隣接配線の破損率が低下して、加工歩留
まりを向上させる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、半導体集積回路の配線切断の一例を示
す平面図。

【図２】図２は、半導体集積回路の配線切断不良の一例
を示す平面図。

【図３】図３は、半導体集積回路の配線切断不良の一例
を示す平面図。

【図４】図４は、半導体集積回路の配線切断可能個所検
索の一例を示す平面図。

【図５】図５は、半導体集積回路の配線切断不良の一例
を示す断面図。

【図６】図６は、半導体集積回路の配線切断の一例を示
す断面図。

【図７】図７は、半導体集積回路の配線接続不良の一例
を示す断面図。

【図８】図８は、半導体集積回路の配線接続の一例を示
す断面図。

【図９】図９は、隣接配線の認識、検索、加工デ−タの
変更の手順を示すフロ−チャ−ト。

【図１０】図１０は、隣接配線の認識方法を示す説明
図。

【図１１】図１１は、半導体集積回路の配線切断不良の
一例を示す断面図。

【図１２】図１２は、補修装置による、隣接配線認識の
他の例を示す説明図。

【図１３】図１３は、補修システムのシステム構成を示
すブロック図。

【符号の説明】

１０１，２０１，４０１…配線１０２，５０１，１００２，１１０４，１２０１…切断
ポイント１０３，４０６…ＦＩＢ照射面２０２…切断目的点２０３，４０３，４０４…隣接配線２０６…過剰切断点３０１…予定のＦＩＢ照射面６０２，８０４…予定のＦＩＢ照射位置３０２，４０６…ずれたＦＩＢ照射面３０３…広がったＦＩＢ照射面３０４…破損する隣接配線４０１，１００１…切断する配線４０２…隣接配線が片側の区間５０２，７０３，１０１１，１１０３，１２０３…第３
層配線５０３，６０５，７０１，８０１，１１０５…ＦＩＢの
ビ−ム軌道５０４，１０１２，１１０２，１２０２…第２層配線７０２，８０２…接続する２層配線１００３…２ミクロンの円領域１０１３，１１０１…第１層配線１２０４…レ−ザ１２０５…チップ表面１２０６…絶縁層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者谷口富夫神奈川県横浜市中区尾上町６丁目81番地日立ソフトウェアエンジニアリング株式会社内 (72)発明者石井建基神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所神奈川工場内 (56)参考文献特開平２−15657（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/82 H01L 21/3205

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】配線が設けられた半導体集積回路のチップ
製造後、当該チップ上に、放射線ビームを照射して、配
線の一部を補修する場合において、ある配線に放射線ビームを照射して補修を施す際に、被
補修配線の目的箇所に当該放射線ビームを照射すると、
その加工精度上、破損しまたは破損する可能性のある範
囲内に、隣接配線が存在する場合、その隣接配線が被補
修配線の片側にのみ存在するときに限り、放射線ビーム
を、その照射位置を、隣接配線の存在しない側に目的と
する配線の切断を保証できる可能な範囲で変位させて、
目的箇所に照射して、修正加工を行なうことを特徴とす
る半導体集積回路配線補修方法。
【請求項２】請求項１において、補修は、半導体集積回路を構成する基板の一部に穴をあ
ける加工を含むものであり、上記放射線ビームを照射すると、その加工精度上、破損
しまたは破損する可能性のある範囲は、当該放射線ビー
ムの照射により形成される穴が存在する、半導体集積回
路の１または２以上の各層における穴の領域である半導
体集積回路配線補修方法。
【請求項３】配線および論理回路が少なくとも設けられ
たチップを有し、かつ、該チップには、配線の一部に補
修された補修箇所を１または２以上有する半導体集積回
路であって、上記補修箇所のうち一部は、補修されている配線の幅方
向の中心を基準として、配線の一方の辺側に変位した位
置に存在することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】放射線ビームを照射して補修を行なう前
に、照射予定位置近傍について、照射しても照射対象が
加工されない程度の強さの放射線ビームを照射して、そ
の反射を検出して、表面の凹凸を検出し、その検出結果
に基づいて、被補修配線に対する隣接配線の有無を認識
すること、および、認識した隣接配線が被補修配線の左
右の片側、上下の片側、および、前記片側の組合せにの
いずれかのみに存在するか否かを判定し、いずれかの態
様で隣接配線が存在する場合、放射線ビームの照射位置
を、隣接配線の存在しない方向に変位させるための情報
を得ることを特徴とする半導体集積回路配線補修箇所検
出方法。
【請求項５】コンピュータシステムを備えた論理設計シ
ステムと、１または２以上の加工装置、および、加工装
置のプロセスデータを作成するコンピュータを備える配
線加工システムとを備え、論理設計システムは、論理変更情報と配線情報とに基づ
いて、配線加工位置情報を作成するものであり、ある配
線に放射線ビームを照射して補修を施す際に、被補修配
線の目的箇所に当該放射線ビームを照射すると、その加
工精度上、破損しまたは破損する可能性のある範囲内
に、隣接配線が存在する場合、その隣接配線が被補修配
線の片側にのみ存在するときに限り、放射線ビームを、
その照射位置を、隣接配線の存在しない側に目的とする
配線の切断を保証できる可能な範囲で変位させて、目的
箇所を決定する機能を有し、配線加工システムは、作成された配線加工位置情報に基
づいて、加工装置のプロセスデータを作成する機能を有
することを特徴とする補修システム。