JP3074803B2 - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JP3074803B2 JP3074803B2 JP03177375A JP17737591A JP3074803B2 JP 3074803 B2 JP3074803 B2 JP 3074803B2 JP 03177375 A JP03177375 A JP 03177375A JP 17737591 A JP17737591 A JP 17737591A JP 3074803 B2 JP3074803 B2 JP 3074803B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- bonding
- chip
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
特に半導体集積回路チップ上のボンディングパッドの配
置に関する。
うに、チップ11の上面の周辺複数箇所に夫々複数個の
ボンディングパッド12を配置している。そして、チッ
プ11をケース等に搭載した後、各ボンディングパッド
12とケース13に設けた外部回路14とをボンディン
グワイヤ15で電気接続するようになっている。
体集積回路におけるボンディングパッドは、半導体集積
回路の種類や大きさに応じてボンディングパッドの数や
位置が夫々個々に設計され、配置されている。このた
め、これらボンディングパッドに対して電気接触を行っ
てチップの電気特性を測定するための測定装置、例えば
プローブカードを、ボンディングパッドの配置が異なる
チップの夫々に対応して複数種類用意する必要があり、
装置の複雑化をまねくという問題がある。又、ボンディ
ングパッドに対してボンディングワイヤを接続するため
のワイヤボンディング装置に、異なるボンディングパッ
ドに対応したプログラムを複数種類用意する必要があ
り、装置の制御が複雑になるという問題もある。本発明
の目的は、電気特性の測定装置やワイヤボンディング装
置の構造、制御の簡略化を可能にした半導体集積回路を
提供することにある。
の製造方法は、矩形をしたそれぞれ寸法の異なるチップ
にワイヤボンディングを行うに際して、それぞれのチッ
プの一つの角部領域のみに、同一サイズのボンディング
パッドを複数個、格子状に配置する。この場合、各ボン
ディングパッドは一定の間隔で配置する。また、角部領
域の最外部のボンディングパッド1は配置しないように
する。さらに、ボンディングパッドの配置は、外形の異
なるチップでは、チップ上の一つの角部から一定の間隔
を有して格子状に配置する。
ングパッドを1つの角部領域のみに格子状に配置するた
め、これらボンディングパッドに電気接触されるプロー
ブカードの標準化が可能となり、かつワイヤボンディン
グを行うワイヤボンディング装置の標準化が可能とな
る。
る。図1は本発明の半導体集積回路の第1実施例の外観
斜視図である。同図において、1は半導体集積回路のチ
ップであり、例えば1cmの正方形に形成されている。
このチップ1には詳細は説明するが各種の半導体素子が
形成され、かつ内部配線により所要の回路が構成されて
いる。そして、この内部配線に接続される複数個のボン
ディングパッド2をチップ1の一つの角部に集め、かつ
各ボンディングパッド2を縦横に所要間隔おいて格子状
に配列させている。例えば、 100μm× 100μmの正方
形ボンディングパッド2をチップ1の一つの角から 150
μm離して50μm間隔に配置している。
プ1をケース3に搭載した後、ケース3に設けた外部回
路4とボンディングパッド2とをボンディングワイヤ5
で電気接続する。このとき、チップ1の形状、寸法は半
導体集積回路の回路の構成、規模によって相違するが、
これらの相違にかかわらず各チップのボンディングパッ
ド2は標準化された位置に配列形成されているため、ワ
イヤボンディング装置におけるワイヤボンディングの位
置も標準化されることになり、ワイヤボンディング装置
を標準化されたプログラムで動作させることが可能とな
る。又、ワイヤボンディング前における電気特性の測定
においても、プローブ針を標準化させたプローブカード
の使用が可能となり、プローブカードの標準化が可能と
なる。これにより、半導体集積回路の電気特性を測定す
る装置やワイヤボンディング装置の構造の簡略化、及び
制御の簡易化を図ることができる。ここで、第1実施例
では8個のボンディングパッド2を配列しているが、4
個、或いは16個,32個、更にそれ以上のボンディン
グパッドを配列することが可能であることは言うまでも
ない。
り、図3はその下方から見た斜視図である。半導体集積
回路のチップ1とボンディングパッド2の配置は第1実
施例と同じである。そして、このボンディングパッド2
の直下にはチップ1の裏面側にまで貫通するバイアホー
ル6を夫々形成し、このバイアホール6に金等の導電材
をスパッタして埋設することで夫々に裏面ボンディング
パッド7を形成している。尚、このバイアホール6とし
ては、例えば70μm×70μmの方形の穴を形成する。
るケース3の上底面には、各裏面ボンディングパッド7
に夫々対応する外部回路8をパターン形成し、裏面ボン
ディングパッド7を半田等のロー材を用いて直接に接続
する。この実施例構成では、第1実施例と同様の効果が
得られるとともに、ボンディングパッドとケース側とを
ボンディングワイヤを用いることなく直接接続している
ので、ボンディングワイヤの相互接触を心配する必要が
ないとともに、ワイヤボンディングを用いた接続に比較
して高周波帯における寄生インダクタンスの影響を避け
ることができる利点がある。因に、プローブカードは各
半導体集積回路毎に約40万円程度の価格であるが、8パ
ッド標準のボンディングパッドで3〜4品種共通化する
だけで、 120〜 160万円程度のコスト削減が期待でき
る。
形をしたチップの一つの角部領域のみに、複数個のボン
ディングパッドを格子状に配置するので、異なる外形の
チップに対しても検査や評価及び組立等を行う各種装置
の標準化を可能にし、治工具や工数の大幅な削減を図る
ことができる効果がある。また、複数のボンディングパ
ッドのうち、角部の最外部の1つ分のボンディングパッ
ドは配置しないことにより、最外角の部分はチップの中
で最もカケやすい部分であり、ウエハからペレッタイズ
するときにカケやすいため、この部分を除いてボンディ
ングパッドを形成することで、ボンディングパッドの不
良の発生を防止する。
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体集積回路を構成する矩形をした
それぞれ寸法の異なるチップにワイヤボンディングを行
うに際して、それぞれのチップの一つの角部領域のみ
に、同一サイズのボンディングパッドを複数個、格子状
に配置することを特徴とする半導体集積回路の製造方
法。 - 【請求項2】 請求項1において、それぞれの前記ボン
デングパットは、一定の間隔をおいて配置することを特
徴とする半導体集積回路の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2において、前記角
部領域の最外部に配置されるボンディングパット1個
は、配置しないことを特徴とする半導体集積回路の製造
方法。 - 【請求項4】 互いに外形の異なるチップからなる半導
体集積回路の製造方法において、各々のチップ上のボン
ディングパッドを、チップ上の一つの角部から一定の間
隔を有して格子状に配置し、かつ、前記格子状配置は請
求項1、2、又は3の構成を有して配置することを特徴
とする半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03177375A JP3074803B2 (ja) | 1991-06-22 | 1991-06-22 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03177375A JP3074803B2 (ja) | 1991-06-22 | 1991-06-22 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04373142A JPH04373142A (ja) | 1992-12-25 |
JP3074803B2 true JP3074803B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=16029852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03177375A Expired - Fee Related JP3074803B2 (ja) | 1991-06-22 | 1991-06-22 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3074803B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-22 JP JP03177375A patent/JP3074803B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04373142A (ja) | 1992-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0074816B1 (en) | High terminal count integrated circuit device package | |
US6452807B1 (en) | Test interposer for use with ball grid array packages, assemblies and ball grid array packages including same, and methods | |
US6448664B1 (en) | Ball grid array chip packages having improved testing and stacking characteristics | |
US4780670A (en) | Active probe card for high resolution/low noise wafer level testing | |
US6664615B1 (en) | Method and apparatus for lead-frame based grid array IC packaging | |
KR101904888B1 (ko) | 반도체 디바이스들의 Tj 온도 교정, 측정 및 제어 | |
US6144090A (en) | Ball grid array package having electrodes on peripheral side surfaces of a package board | |
US20060231959A1 (en) | Bonding pad for a packaged integrated circuit | |
JP3512169B2 (ja) | マルチチップ半導体モジュール及びその製造方法 | |
US5319224A (en) | Integrated circuit device having a geometry to enhance fabrication and testing and manufacturing method thereof | |
US20050248011A1 (en) | Flip chip semiconductor package for testing bump and method of fabricating the same | |
US6870249B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
EP1150355A1 (en) | Integrated circuit chip, integrated circuit, printed-circuit board and electronic device | |
US4223337A (en) | Semiconductor integrated circuit with electrode pad suited for a characteristic testing | |
JP3493118B2 (ja) | 半導体素子及び半導体装置 | |
JP2872825B2 (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
JPH0773106B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
GB2353401A (en) | An integrated circuit package incorporating a capacitive sensor probe | |
US6329594B1 (en) | Integrated circuit package | |
JP3318671B2 (ja) | マルチ・チップ・モジュール及びテスト・チップ製造方法 | |
JP3074803B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
US7211904B2 (en) | Pad structure for bonding pad and probe pad and manufacturing method thereof | |
US5075962A (en) | Method for forming leads | |
KR20080000879A (ko) | 비지에이 반도체 칩 패키지 및 이의 검사 방법 | |
JPS6379337A (ja) | 半導体基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990727 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000509 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080609 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090609 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |