JP3072893B2 - 炭素被膜 - Google Patents
炭素被膜Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は熱伝導率が固体中で最大であり最
も耐摩耗性を有するダイヤモンドと類似のエネルギバン
ド巾が2.0eV 以上を有する炭素または炭素を主成分とす
る材料により炭素被膜を形成することを目的としてい
る。 【０００２】本発明は炭素被膜を非晶質（アモルファ
ス、以下ASという) または５〜20Åの大きさの微結晶性
を有する半非晶質（セミアモルファス、以下SAS とい
う）の如きプラズマ気相法による100 〜450 ℃好ましく
は200 〜350 ℃の低温で形成するものである。そしてそ
の炭素被膜を珪素上に設けることを目的としている。 【０００３】このことによりダイヤモンドと類似のエネ
ルギバンド巾が2.0eV 以上を有する炭素又は炭素を主成
分とする被膜との密着性の悪い表面に対しても前記炭素
又は炭素を主成分とする被膜を適用することが可能とな
る。 【０００４】本発明はかかる被膜がプラズマ気相法すな
わち0.01〜10torrの減圧下にて直流高周波500KHz〜50MH
z ）またはマイクロ波（例えば2.45GHz の周波数）の電
磁エネルギを加えて、またはア−ク放電を発生させてプ
ラズマ化し、かかる電磁エネルギにより気化した反応性
気体例えばエチレン、プロパン等の炭化水素ガスを活性
化し、分解せしめることにより、ASまたはSAS の絶縁性
の炭素または炭素中に水素、珪素が30モル％以下に含有
したダイヤモンドと類似のエネルギバンド巾が2.0eV 以
上を有する炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成せん
とするものである。 【０００５】かかるプラズマ気相法により形成した炭素
はそのエネルギバンド巾が2.0eV 以上代表的には2.5 〜
３eVを有する絶縁体でありかつその熱伝導率は2.5 以上
代表的には5.0(W/cm deg) とダイヤモンドの6.60(W/cm
deg)に近いきわめてすぐれた高い値を有する。 【０００６】さらにビッカ−ス硬度4500kg/mm2以上代表
的には6500kg/mm2というダイヤモンド類似の硬さを有す
るきわめてすぐれた特性を見出しかかる特性をサ−マル
ヘッドに適用してすぐれた耐摩耗性、感熱高速応答性を
有せしめたものである。 【０００７】さらに本発明はかかるASまたはSAS の450
℃以下で作られた炭素被膜中に３価または５価の不純物
であるホウ素またはリンを0.1 〜 3モル％の濃度に添加
すると、10-2〜10-6( Ωcm) -1の電気伝導度を有せしめ
ることができる。そのためこの場合は発熱素子として用
い、さらにその機械的特質により耐摩耗層を必ずしも形
成させる必要がない等の特性を有せしめることができる
という他の特徴を有する。 【０００８】本発明はさらに前記耐摩耗層を減圧状態の
プラズマ気相法を用いて形成するため、発熱層の側部に
対しても上面と同様の厚さで保護することができる。そ
のためこれまでスパッタ法、常圧気相法等で作られた場
合、この側面をおおうために結果として耐摩耗層を上面
の厚さにおいて２μm 以上（側面の厚さ0.2 μm 以上）
を必要とした。しかし本発明においては上面も側面もほ
ぼ同じ厚さに形成可能なため、上面の厚さは0.1 〜0.3
μm あれば十分であり、結果として厚さが約１／10にな
ったため、さらに感熱の応答速度を向上させることがで
きるようになった。 【０００９】本発明において反応性気体は炭化水素例え
ばアセチレン（C2H2），メタン系炭化水素（ Cn H2n+2)
等の気体または珪素を一部に含んだ場合はテトラメチル
シラン（(CH2)4Si）、テトラエチルシラン（(C2H5)4Si
）等を用いてもよい。前者にあっては炭素に水素が30
モル％以下特にSAS とすると0.01〜 5モル％と低く存在
しつつも炭素同志の共有結合が強くダイヤモンドと類似
の物性を有していた。また後者にあっては水素が0.01〜
20モル％を含み、さらに珪素を炭素の1/3 〜1/4含むい
わゆる炭素過剰の炭化珪素であり、主成分を炭素として
いる絶縁性材料（光学的エネルギバンド巾Eg＞2.0eV 代
表的には2.5 〜3.0eV)であった。以下に図面に従って実
施例を示す。 【００１０】 【実施例】本実施例では本発明の応用例としてサーマル
ヘッドに用いた場合を示す。 【００１１】『実施例１』第１図は本発明に用いられた
サ−マルヘッドプリンタのたて断面図を示す。第１図
（Ｂ）は、第１図（Ａ）のＡ−Ａ’の断面図を示す。
（Ｃ）はＢ−Ｂ’の断面図を示す。 【００１２】図面において基板特にセラミック基板上に
グレイズされたガラス層(2) 、発熱体層(3) 、電極(4)
、耐摩耗層(5) が積層して設けられている。また第１
図（Ｃ）に示す如く、感熱紙がこすられる部分は発熱層
(3) 上に接して耐摩耗層(5) が設けられている。 【００１３】本発明はこの耐摩耗層(5) を炭素または炭
素を主成分とした材料とし、この材料をプラズマ気相法
により形成するため、第１図（Ｂ）、（Ｃ）に示す如
く、発熱体層の側部の厚さが発熱体層上の厚さを概略一
致させることができるという特徴を有する。 【００１４】これは減圧下（0.01〜10torr) であり、反
応性気体の平均自由行程が長くなり気相法を行うに際し
ても側辺へのまわりこみが大きいためである。加えてプ
ラズマ化し反応性気体同志に大きな運動エネルギを与え
て互いに衝突させ、四方八方への飛翔を促していること
にある。 【００１５】耐摩耗層に関しては、以下の如くにして作
製した。すなわち被形成面を有する基板を反応容器内に
封入しこの反応容器を10-3torrまでに真空引きをすると
ともに、この基板を加熱炉により100 〜450℃好ましく
は200 〜350 ℃例えば300 ℃に加熱した。この後この雰
囲気中に水素、ヘリュ−ムを導入し、10-2〜10torrにし
た後誘導方式または容量結合方式により電磁エネルギを
加えた。例えば加える電気エネルギの周波数は13.56MH
z、出力は50〜500 Ｗとし、その実質的な電極間隙は15
〜150 cmとながくした。それはプラズマ化した時の反応
性気体である炭素はきわめて安定な材料であるため各元
素または炭素が会合した会合分子に対し高いエネルギを
与え炭素同志互いに共有結合をさせるためである。形成
された被膜に関して出力が50〜150 Ｗを加えた時はASが
250 〜500 Ｗを加えた時はSAS が、その中間ではそれら
が混合した構造が電子線回折では観察された。 【００１６】さらにこのプラズマ化した雰囲気に対し、
炭化物気体例えばメタンまたはプロパンを導入した。す
るとこの反応性気体が脱水素化し、炭素の結合が互いに
共有結合し合って、被形成面に炭素被膜を形成させるこ
とができた。基板の温度が100 〜200 ℃にては、硬度が
若干低く、また基板への密着性が必ずしも好ましいもの
ではなかったが、200 ℃以上特に 250〜350 ℃において
は、きわめて安定な強い被形成面への密着性を有してい
た。 【００１７】加熱処理は 450℃以上にすると、基板との
熱膨張係数の差によりストレスが内在してしまい問題が
あり、250 〜450 ℃で形成された被膜が理想的な耐摩耗
材料であった。 【００１８】出発物質をTMS((CH2)4Si) 、TES((C2H6)4S
i ）を用いると、形成された被膜には珪素が15〜30原子
％含まれる炭素を主成分とする被膜であった。これでも
炭素のみと同様の硬度があった。熱伝導度は炭素のみが
５Ｗ／cm degであったが２〜３Ｗ／cm degと少なかっ
た。 【００１９】以上の如くにして形成された炭素被膜は0.
05〜0.2 μm の厚さすなわち従来の1/5 〜1/10の薄さで
あっても105 時間の使用に耐える耐摩耗性を有してい
た。 【００２０】『実施例２』この実施例は実施例１と同様
の硬度のサ−マルヘッドを実施例１と同様のプラズマ気
相法を用いて発熱体層を形成させた場合である。 【００２１】その製造は実施例１と同様の条件のプラズ
マ気相法とした。しかし形成される被膜が導電性（抵抗
性）または半導体性であることを必要とするため、形成
された被膜は３価または５価の不純物例えばホウ素また
はリンを添加例えば不純物気体／珪化物気体＝0.01％以
下に添加したASまたはSAS の珪素被膜またはかかる不純
物を不純物気体/ 炭化物気体＝0.01〜 3％に添加した抵
抗性または半導体性の炭素を主成分とする被膜を形成せ
しめた。 【００２２】すなわち前者の珪素被膜に関しては、出発
物質をシラン（SinH2n+2 n≧１) 四フッ化珪素を用い、
同様の100 〜450 ℃例えば200〜350℃にて形成させた。
高周波エネルギは13.56MHzを10〜50Ｗとして、AS、また
は50〜200 ＷとしてSAS を形成させた。３価の不純物は
例えばホウ素をB2H6用いて、また５価の不純物は例えば
リンをPH3 を用いて前記した比の如く微少なド−プまた
はノンド−プをして用いた。形成された被膜中に水素が
20モル％以下に含有したが発熱させることによりそれら
は外部に放出されてしまった。 【００２３】また炭素においては、実施例１と同様のア
セチレンを用いた。ここにB2H6／C2H2＝0.01〜 3％、PH
3 ／C2H2＝0.01〜 3％として形成させた。その結果形成
された被膜の電気伝導度は10-8〜10-4( Ωcm）-1が得ら
れた。 【００２４】以上の説明より明らかな如く、本発明はそ
の基本思想としてプラズマ気相法を用いるため、基板温
度が100 〜450 ℃代表的には250 〜400 ℃特に 300℃と
いう従来の被膜形成方法で考えるならば低い温度で可能
である。特に 500℃以下であることは基板材料としてガ
ラスを用いる時その熱膨張の歪に対しきわめてこれを少
なくし、従来の高温処理による基板のそり等の大きな欠
点を防ぐことができた。そのためこれまでのサ−マルプ
リンタの発熱部が１mmあたり６本しか作れなかったが、
これを24本にまで高めることができるようになった。 【００２５】以上の説明より明らかな如く、本発明はそ
のエネルギバンド巾2.0eV 以上代表的には2.5 〜 3eVを
有する絶縁性の透光性炭素を耐摩耗性材料として用いた
こと、さらに炭素または炭素を主成分とする抵抗体また
は半導体を発熱体層として用いたことを特徴としてい
る。そのために本発明はプラズマ気相法によりその一方
または双方を形成せしめ、従来の気相法で形成された温
度よりも 300〜500℃も低い500℃以下の温度で作ること
ができ基板材料の選定に大きな自由度を得、低価格化に
きわめてすぐれた特徴を有していた。 【００２６】本発明の方法をサーマルヘッドに応用した
場合サーマルヘッドの発熱体層上面と側面の厚さをほぼ
同じ厚さに形成できるため従来方法のようにその厚さの
１番薄い部分の厚さを必要量以上にすると，逆に厚く形
成される部分はその１０倍も厚くなるということがな
い。 【００２７】また，上面と側面をおおった場合，基板と
発熱体層の密着力を高めるという効果を持つ。 【００２８】本発明はプラズマ気相法を主として記し
た。しかしかかる耐摩耗性が得られる限りにおいてイオ
ンプレ−ティングその他のプラズマまたはレ−ザ等の電
磁エネルギ、光エネルギを用いてもよい。 【００２９】本発明の実施例においての第１図の構造は
その一例を示したもので、発熱体層を単結晶としてトラ
ンジスタ構造であってもよく、その他シリコンメサ構
造、プレナ−構造等に用いることができる。
も耐摩耗性を有するダイヤモンドと類似のエネルギバン
ド巾が2.0eV 以上を有する炭素または炭素を主成分とす
る材料により炭素被膜を形成することを目的としてい
る。 【０００２】本発明は炭素被膜を非晶質（アモルファ
ス、以下ASという) または５〜20Åの大きさの微結晶性
を有する半非晶質（セミアモルファス、以下SAS とい
う）の如きプラズマ気相法による100 〜450 ℃好ましく
は200 〜350 ℃の低温で形成するものである。そしてそ
の炭素被膜を珪素上に設けることを目的としている。 【０００３】このことによりダイヤモンドと類似のエネ
ルギバンド巾が2.0eV 以上を有する炭素又は炭素を主成
分とする被膜との密着性の悪い表面に対しても前記炭素
又は炭素を主成分とする被膜を適用することが可能とな
る。 【０００４】本発明はかかる被膜がプラズマ気相法すな
わち0.01〜10torrの減圧下にて直流高周波500KHz〜50MH
z ）またはマイクロ波（例えば2.45GHz の周波数）の電
磁エネルギを加えて、またはア−ク放電を発生させてプ
ラズマ化し、かかる電磁エネルギにより気化した反応性
気体例えばエチレン、プロパン等の炭化水素ガスを活性
化し、分解せしめることにより、ASまたはSAS の絶縁性
の炭素または炭素中に水素、珪素が30モル％以下に含有
したダイヤモンドと類似のエネルギバンド巾が2.0eV 以
上を有する炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成せん
とするものである。 【０００５】かかるプラズマ気相法により形成した炭素
はそのエネルギバンド巾が2.0eV 以上代表的には2.5 〜
３eVを有する絶縁体でありかつその熱伝導率は2.5 以上
代表的には5.0(W/cm deg) とダイヤモンドの6.60(W/cm
deg)に近いきわめてすぐれた高い値を有する。 【０００６】さらにビッカ−ス硬度4500kg/mm2以上代表
的には6500kg/mm2というダイヤモンド類似の硬さを有す
るきわめてすぐれた特性を見出しかかる特性をサ−マル
ヘッドに適用してすぐれた耐摩耗性、感熱高速応答性を
有せしめたものである。 【０００７】さらに本発明はかかるASまたはSAS の450
℃以下で作られた炭素被膜中に３価または５価の不純物
であるホウ素またはリンを0.1 〜 3モル％の濃度に添加
すると、10-2〜10-6( Ωcm) -1の電気伝導度を有せしめ
ることができる。そのためこの場合は発熱素子として用
い、さらにその機械的特質により耐摩耗層を必ずしも形
成させる必要がない等の特性を有せしめることができる
という他の特徴を有する。 【０００８】本発明はさらに前記耐摩耗層を減圧状態の
プラズマ気相法を用いて形成するため、発熱層の側部に
対しても上面と同様の厚さで保護することができる。そ
のためこれまでスパッタ法、常圧気相法等で作られた場
合、この側面をおおうために結果として耐摩耗層を上面
の厚さにおいて２μm 以上（側面の厚さ0.2 μm 以上）
を必要とした。しかし本発明においては上面も側面もほ
ぼ同じ厚さに形成可能なため、上面の厚さは0.1 〜0.3
μm あれば十分であり、結果として厚さが約１／10にな
ったため、さらに感熱の応答速度を向上させることがで
きるようになった。 【０００９】本発明において反応性気体は炭化水素例え
ばアセチレン（C2H2），メタン系炭化水素（ Cn H2n+2)
等の気体または珪素を一部に含んだ場合はテトラメチル
シラン（(CH2)4Si）、テトラエチルシラン（(C2H5)4Si
）等を用いてもよい。前者にあっては炭素に水素が30
モル％以下特にSAS とすると0.01〜 5モル％と低く存在
しつつも炭素同志の共有結合が強くダイヤモンドと類似
の物性を有していた。また後者にあっては水素が0.01〜
20モル％を含み、さらに珪素を炭素の1/3 〜1/4含むい
わゆる炭素過剰の炭化珪素であり、主成分を炭素として
いる絶縁性材料（光学的エネルギバンド巾Eg＞2.0eV 代
表的には2.5 〜3.0eV)であった。以下に図面に従って実
施例を示す。 【００１０】 【実施例】本実施例では本発明の応用例としてサーマル
ヘッドに用いた場合を示す。 【００１１】『実施例１』第１図は本発明に用いられた
サ−マルヘッドプリンタのたて断面図を示す。第１図
（Ｂ）は、第１図（Ａ）のＡ−Ａ’の断面図を示す。
（Ｃ）はＢ−Ｂ’の断面図を示す。 【００１２】図面において基板特にセラミック基板上に
グレイズされたガラス層(2) 、発熱体層(3) 、電極(4)
、耐摩耗層(5) が積層して設けられている。また第１
図（Ｃ）に示す如く、感熱紙がこすられる部分は発熱層
(3) 上に接して耐摩耗層(5) が設けられている。 【００１３】本発明はこの耐摩耗層(5) を炭素または炭
素を主成分とした材料とし、この材料をプラズマ気相法
により形成するため、第１図（Ｂ）、（Ｃ）に示す如
く、発熱体層の側部の厚さが発熱体層上の厚さを概略一
致させることができるという特徴を有する。 【００１４】これは減圧下（0.01〜10torr) であり、反
応性気体の平均自由行程が長くなり気相法を行うに際し
ても側辺へのまわりこみが大きいためである。加えてプ
ラズマ化し反応性気体同志に大きな運動エネルギを与え
て互いに衝突させ、四方八方への飛翔を促していること
にある。 【００１５】耐摩耗層に関しては、以下の如くにして作
製した。すなわち被形成面を有する基板を反応容器内に
封入しこの反応容器を10-3torrまでに真空引きをすると
ともに、この基板を加熱炉により100 〜450℃好ましく
は200 〜350 ℃例えば300 ℃に加熱した。この後この雰
囲気中に水素、ヘリュ−ムを導入し、10-2〜10torrにし
た後誘導方式または容量結合方式により電磁エネルギを
加えた。例えば加える電気エネルギの周波数は13.56MH
z、出力は50〜500 Ｗとし、その実質的な電極間隙は15
〜150 cmとながくした。それはプラズマ化した時の反応
性気体である炭素はきわめて安定な材料であるため各元
素または炭素が会合した会合分子に対し高いエネルギを
与え炭素同志互いに共有結合をさせるためである。形成
された被膜に関して出力が50〜150 Ｗを加えた時はASが
250 〜500 Ｗを加えた時はSAS が、その中間ではそれら
が混合した構造が電子線回折では観察された。 【００１６】さらにこのプラズマ化した雰囲気に対し、
炭化物気体例えばメタンまたはプロパンを導入した。す
るとこの反応性気体が脱水素化し、炭素の結合が互いに
共有結合し合って、被形成面に炭素被膜を形成させるこ
とができた。基板の温度が100 〜200 ℃にては、硬度が
若干低く、また基板への密着性が必ずしも好ましいもの
ではなかったが、200 ℃以上特に 250〜350 ℃において
は、きわめて安定な強い被形成面への密着性を有してい
た。 【００１７】加熱処理は 450℃以上にすると、基板との
熱膨張係数の差によりストレスが内在してしまい問題が
あり、250 〜450 ℃で形成された被膜が理想的な耐摩耗
材料であった。 【００１８】出発物質をTMS((CH2)4Si) 、TES((C2H6)4S
i ）を用いると、形成された被膜には珪素が15〜30原子
％含まれる炭素を主成分とする被膜であった。これでも
炭素のみと同様の硬度があった。熱伝導度は炭素のみが
５Ｗ／cm degであったが２〜３Ｗ／cm degと少なかっ
た。 【００１９】以上の如くにして形成された炭素被膜は0.
05〜0.2 μm の厚さすなわち従来の1/5 〜1/10の薄さで
あっても105 時間の使用に耐える耐摩耗性を有してい
た。 【００２０】『実施例２』この実施例は実施例１と同様
の硬度のサ−マルヘッドを実施例１と同様のプラズマ気
相法を用いて発熱体層を形成させた場合である。 【００２１】その製造は実施例１と同様の条件のプラズ
マ気相法とした。しかし形成される被膜が導電性（抵抗
性）または半導体性であることを必要とするため、形成
された被膜は３価または５価の不純物例えばホウ素また
はリンを添加例えば不純物気体／珪化物気体＝0.01％以
下に添加したASまたはSAS の珪素被膜またはかかる不純
物を不純物気体/ 炭化物気体＝0.01〜 3％に添加した抵
抗性または半導体性の炭素を主成分とする被膜を形成せ
しめた。 【００２２】すなわち前者の珪素被膜に関しては、出発
物質をシラン（SinH2n+2 n≧１) 四フッ化珪素を用い、
同様の100 〜450 ℃例えば200〜350℃にて形成させた。
高周波エネルギは13.56MHzを10〜50Ｗとして、AS、また
は50〜200 ＷとしてSAS を形成させた。３価の不純物は
例えばホウ素をB2H6用いて、また５価の不純物は例えば
リンをPH3 を用いて前記した比の如く微少なド−プまた
はノンド−プをして用いた。形成された被膜中に水素が
20モル％以下に含有したが発熱させることによりそれら
は外部に放出されてしまった。 【００２３】また炭素においては、実施例１と同様のア
セチレンを用いた。ここにB2H6／C2H2＝0.01〜 3％、PH
3 ／C2H2＝0.01〜 3％として形成させた。その結果形成
された被膜の電気伝導度は10-8〜10-4( Ωcm）-1が得ら
れた。 【００２４】以上の説明より明らかな如く、本発明はそ
の基本思想としてプラズマ気相法を用いるため、基板温
度が100 〜450 ℃代表的には250 〜400 ℃特に 300℃と
いう従来の被膜形成方法で考えるならば低い温度で可能
である。特に 500℃以下であることは基板材料としてガ
ラスを用いる時その熱膨張の歪に対しきわめてこれを少
なくし、従来の高温処理による基板のそり等の大きな欠
点を防ぐことができた。そのためこれまでのサ−マルプ
リンタの発熱部が１mmあたり６本しか作れなかったが、
これを24本にまで高めることができるようになった。 【００２５】以上の説明より明らかな如く、本発明はそ
のエネルギバンド巾2.0eV 以上代表的には2.5 〜 3eVを
有する絶縁性の透光性炭素を耐摩耗性材料として用いた
こと、さらに炭素または炭素を主成分とする抵抗体また
は半導体を発熱体層として用いたことを特徴としてい
る。そのために本発明はプラズマ気相法によりその一方
または双方を形成せしめ、従来の気相法で形成された温
度よりも 300〜500℃も低い500℃以下の温度で作ること
ができ基板材料の選定に大きな自由度を得、低価格化に
きわめてすぐれた特徴を有していた。 【００２６】本発明の方法をサーマルヘッドに応用した
場合サーマルヘッドの発熱体層上面と側面の厚さをほぼ
同じ厚さに形成できるため従来方法のようにその厚さの
１番薄い部分の厚さを必要量以上にすると，逆に厚く形
成される部分はその１０倍も厚くなるということがな
い。 【００２７】また，上面と側面をおおった場合，基板と
発熱体層の密着力を高めるという効果を持つ。 【００２８】本発明はプラズマ気相法を主として記し
た。しかしかかる耐摩耗性が得られる限りにおいてイオ
ンプレ−ティングその他のプラズマまたはレ−ザ等の電
磁エネルギ、光エネルギを用いてもよい。 【００２９】本発明の実施例においての第１図の構造は
その一例を示したもので、発熱体層を単結晶としてトラ
ンジスタ構造であってもよく、その他シリコンメサ構
造、プレナ−構造等に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のサ−マルプリンタのたて断面図を示
す。
す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 16/27
C01B 31/00
C30B 29/04
B23B 27/00 - 29/34
B25P 23/00 - 25/00
B41J 2/335
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
ＩＮＳＰＥＣ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．凹凸形状を有する被形成面上に形成された炭素被膜
において、前記炭素被膜は絶縁体であり、 前記被形成面の凸部上面に形成された炭素被膜の膜厚
と、前記被形成面の凸部側面に形成された炭素被膜の膜
厚とがほぼ等しいことを特徴とする炭素被膜。 ２．凹凸形状を有する被形成面上に形成された炭素被膜
において、 前記炭素被膜はダイヤモンド類似の硬さを有し、 前記被形成面の凸部上面に形成された炭素被膜の膜厚
と、前記被形成面の凸部側面に形成された炭素被膜の膜
厚とがほぼ等しいことを特徴とする炭素被膜。 ３．凹凸形状を有する被形成面上に形成された炭素被膜
において、 前記炭素被膜はエネルギバンド巾が２．０ｅＶ以上であ
り、 前記被形成面の凸部上面に形成された炭素被膜の膜厚
と、前記被形成面の凸部側面に形成された炭素被膜の膜
厚とがほぼ等しいことを特徴とする炭素被膜。 ４．凹凸形状を有する被形成面上に形成された炭素被膜
において、 前記炭素被膜は熱伝導率が２．５(W/cm deg)以上であ
り、 前記被形成面の凸部上面に形成された炭素被膜の膜厚
と、前記被形成面の凸部側面に形成された炭素被膜の膜
厚とがほぼ等しいことを特徴とする炭素被膜。 ５．請求項４において、 前記炭素被膜は、エネルギバンド巾が２．０ｅＶ以上で
あることを特徴とする炭素被膜。 ６．請求項３乃至５のいずれか一において、 前記炭素被膜は、ダイヤモンド類似の硬さを有すること
を特徴とする炭素被膜。 ７．請求項２乃至６のいずれか一において、 前記炭素被膜は、絶縁体であることを特徴とする炭素被
膜。８． 請求項１乃至７のいずれか一において、 前記炭素被膜は、非晶質または半非晶質の結晶構造であ
ることを特徴とする炭素被膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21600197A JP3072893B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 炭素被膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21600197A JP3072893B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 炭素被膜 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24865992A Division JPH06340976A (ja) | 1992-08-25 | 1992-08-25 | 炭素の作製方法 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37181599A Division JP2000144425A (ja) | 1999-01-01 | 1999-12-27 | ヘッド |
| JP37180199A Division JP3197545B2 (ja) | 1981-09-07 | 1999-12-27 | 炭素被膜 |
| JP37181399A Division JP3197889B2 (ja) | 1981-09-07 | 1999-12-27 | 炭素膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH1088351A JPH1088351A (ja) | 1998-04-07 |
| JP3072893B2 true JP3072893B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=16681760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21600197A Expired - Lifetime JP3072893B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 炭素被膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3072893B2 (ja) |
-
1997
- 1997-07-24 JP JP21600197A patent/JP3072893B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 共立出版社「化学大辞典」（昭和３６−４−１５）ｐ．７４８−７４９ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1088351A (ja) | 1998-04-07 |
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