JP3063780B2 - 測距装置 - Google Patents
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- JP3063780B2 JP3063780B2 JP730691A JP730691A JP3063780B2 JP 3063780 B2 JP3063780 B2 JP 3063780B2 JP 730691 A JP730691 A JP 730691A JP 730691 A JP730691 A JP 730691A JP 3063780 B2 JP3063780 B2 JP 3063780B2
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- psd
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は測距装置、詳しくは被写
体に対して赤外光等のパルス光を投射し、被写体からの
反射光に基づいて被写体距離を検出するアクティブ式の
測距装置の改良に関する。
体に対して赤外光等のパルス光を投射し、被写体からの
反射光に基づいて被写体距離を検出するアクティブ式の
測距装置の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】アクティブ式の測距装置は既に周知であ
り、例えば特開平1−250813号を始めとして種々
提供されている。この種測距装置の基本原理を図11〜
14により説明すると、図11において、符号1は投光
用LED、2は全長がtの光電変換素子としてのPSD
(半導体位置検出素子)、3,4は投光レンズおよび受
光レンズである。この投受光レンズ3,4は、それぞれ
焦点距離がfで光軸が並行であり、基線長Sを隔てて配
置されている。
り、例えば特開平1−250813号を始めとして種々
提供されている。この種測距装置の基本原理を図11〜
14により説明すると、図11において、符号1は投光
用LED、2は全長がtの光電変換素子としてのPSD
(半導体位置検出素子)、3,4は投光レンズおよび受
光レンズである。この投受光レンズ3,4は、それぞれ
焦点距離がfで光軸が並行であり、基線長Sを隔てて配
置されている。
【0003】投光用LED1はその中心が光軸に、また
PSD2はその一端が受光レンズ4の光軸に、それぞれ
一致している。投光用LED1から発せられた光は、距
離lの所にある被写体5で反射されてPSD2上に結像
される。
PSD2はその一端が受光レンズ4の光軸に、それぞれ
一致している。投光用LED1から発せられた光は、距
離lの所にある被写体5で反射されてPSD2上に結像
される。
【0004】このときの反射光スポット位置の受光レン
ズ光軸からの距離(以下、入射位置と呼称する)をxと
すると、 1/l=x/(S×f) ……(1) という関係が成立するので入射位置xを求めることによ
り、被写体距離lを算出することができる。
ズ光軸からの距離(以下、入射位置と呼称する)をxと
すると、 1/l=x/(S×f) ……(1) という関係が成立するので入射位置xを求めることによ
り、被写体距離lを算出することができる。
【0005】図12はPSD2の構造を示す断面図で、
PSDは平板状シリコンの表面にP層2b、裏面にN層
2c、そして中間にあるI層2aの3層から構成されて
いる。そして、PSD2に入射した光は光電変換され、
光電流I1 ,I2 としてP層2bに設けられた第1,第
2の電極2d,2eから分割して出力される。なお、2
fはコモン電極である。
PSDは平板状シリコンの表面にP層2b、裏面にN層
2c、そして中間にあるI層2aの3層から構成されて
いる。そして、PSD2に入射した光は光電変換され、
光電流I1 ,I2 としてP層2bに設けられた第1,第
2の電極2d,2eから分割して出力される。なお、2
fはコモン電極である。
【0006】上記PSD2に光スポットが入射すると、
入射位置には光エネルギーに比例した電荷が発生する。
この発生した電荷は光電流として抵抗層(この場合P
層)を通り各電極より出力される。そして、上記抵抗層
は全面に亘り均一な抵抗値を持つように作られているの
で、光電流は電極までの距離(抵抗値)に逆比例して分
割され取り出される。
入射位置には光エネルギーに比例した電荷が発生する。
この発生した電荷は光電流として抵抗層(この場合P
層)を通り各電極より出力される。そして、上記抵抗層
は全面に亘り均一な抵抗値を持つように作られているの
で、光電流は電極までの距離(抵抗値)に逆比例して分
割され取り出される。
【0007】ここで、電極間の距離をt、反射光スポッ
ト位置をx、P層全体の抵抗値をR0 、光スポット位置
xから電極2dまでのP層の抵抗値をR1 、電極2eま
での抵抗値をR2 とする(よって、R0 =R1 +R2
)。また、このとき発生する全光電流をI0 、電極2
d,2eから取り出される光電流をそれぞれI1 ,I2
とすると(よって、I0 =I1 +I2 )、I1 ,I2 ,
R1 ,R2 の間には以下のような関係式が成立する。
ト位置をx、P層全体の抵抗値をR0 、光スポット位置
xから電極2dまでのP層の抵抗値をR1 、電極2eま
での抵抗値をR2 とする(よって、R0 =R1 +R2
)。また、このとき発生する全光電流をI0 、電極2
d,2eから取り出される光電流をそれぞれI1 ,I2
とすると(よって、I0 =I1 +I2 )、I1 ,I2 ,
R1 ,R2 の間には以下のような関係式が成立する。
【0008】
【0009】そこで、I2 /(I1 +I2 )を求めれ
ば、入射エネルギーに関係なく入射位置xを求めること
ができる。
ば、入射エネルギーに関係なく入射位置xを求めること
ができる。
【0010】上記(1),(3)式より
【0011】
【0012】となる。ここで、S,f,tは固定値なの
でI2 /(I1+I2 )を求めれば、被写体距離lの逆
数を求めることができる。
でI2 /(I1+I2 )を求めれば、被写体距離lの逆
数を求めることができる。
【0013】図13は上記過程を実現するためのブロッ
ク図で、LED駆動回路6によってLED1が発光し、
被写体で反射した光スポットがPSD2上に入射され
る。電極2d,2eの電流I1 ,I2 はそれぞれアンプ
7,8によって増幅された後、演算回路9によってI2
/(I1 +I2)が求められる。その結果をA/D変換
回路10によってA/D変換してA/D変換出力を得た
後、被写体距離演算回路11に入力し、上記(4)式に基
づいて1/lを算出する。
ク図で、LED駆動回路6によってLED1が発光し、
被写体で反射した光スポットがPSD2上に入射され
る。電極2d,2eの電流I1 ,I2 はそれぞれアンプ
7,8によって増幅された後、演算回路9によってI2
/(I1 +I2)が求められる。その結果をA/D変換
回路10によってA/D変換してA/D変換出力を得た
後、被写体距離演算回路11に入力し、上記(4)式に基
づいて1/lを算出する。
【0014】図14は1/lとA/D変換出力の関係を
示す線図で、上記(4)式からわかるようにI2 /(I1
+I2 )と1/lは比例関係にある。
示す線図で、上記(4)式からわかるようにI2 /(I1
+I2 )と1/lは比例関係にある。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記(4)式
より明らかなように、I2 /(I1 +I2 )と1/lの
関係は線形で、その傾きはt/(S×f)によって決定
される。そこで、基線長S、焦点距離f、PSDの長さ
tの設定の仕方により、例えば図15に示すような2種
類の特性直線L1 ,L2 を得ることができる。この場
合、演算回路9の出力には通常ノイズ成分を含むから、
演算出力I2 /(I1 +I2 )にΔyだけのバラツキを
生じることになる。
より明らかなように、I2 /(I1 +I2 )と1/lの
関係は線形で、その傾きはt/(S×f)によって決定
される。そこで、基線長S、焦点距離f、PSDの長さ
tの設定の仕方により、例えば図15に示すような2種
類の特性直線L1 ,L2 を得ることができる。この場
合、演算回路9の出力には通常ノイズ成分を含むから、
演算出力I2 /(I1 +I2 )にΔyだけのバラツキを
生じることになる。
【0016】一般に、反射光スポットの光量は、被写体
距離の2乗に反比例して減少するから、このバラツキΔ
yは被写体距離lの2乗に比例して大きくなる。そこ
で、同じ被写体距離において、特性直線L1 もL2 もそ
れぞれの出力にΔyのバラツキを持っていたとすると、
1/lの認識誤差は、図15から明らかなように、傾き
が大きい直線L1 の方が小さい。
距離の2乗に反比例して減少するから、このバラツキΔ
yは被写体距離lの2乗に比例して大きくなる。そこ
で、同じ被写体距離において、特性直線L1 もL2 もそ
れぞれの出力にΔyのバラツキを持っていたとすると、
1/lの認識誤差は、図15から明らかなように、傾き
が大きい直線L1 の方が小さい。
【0017】即ち、傾きt/(S×f)の値が小さい方
が測距性能がよいことになる。従って、基線長Sまたは
焦点距離fを大きくすればよいが、カメラを小型化する
ことが難しくなる。そこで、分子のPSDの全長tの値
を小さくすると測距性能は向上するが、測距可能な至近
距離が遠くなるという欠点を有している。
が測距性能がよいことになる。従って、基線長Sまたは
焦点距離fを大きくすればよいが、カメラを小型化する
ことが難しくなる。そこで、分子のPSDの全長tの値
を小さくすると測距性能は向上するが、測距可能な至近
距離が遠くなるという欠点を有している。
【0018】そこで本発明の目的は、上記問題点を解消
し、PSDを用いたアクティブ方式の測距装置におい
て、測距光学系やPSDセンサを大型化したり最短撮影
距離を犠牲にすることなく、つまりt/(S×f)の値
を変えずに、遠距離側の測距精度を向上させた測距装置
を提供するにある。
し、PSDを用いたアクティブ方式の測距装置におい
て、測距光学系やPSDセンサを大型化したり最短撮影
距離を犠牲にすることなく、つまりt/(S×f)の値
を変えずに、遠距離側の測距精度を向上させた測距装置
を提供するにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】目標物に光を投射する投
光手段と、この投光手段より所定距離隔てて配置され目
標物からの反射光の入射位置に応じた出力を発生する光
電変換手段と、この光電変換手段の出力により目標物迄
の距離を演算する距離演算手段とを有する測距装置にお
いて、上記光電変換手段の、入射位置と出力とは非線形
の関係を有し、遠距離側の入射位置の変化に応じた出力
の変化率を、近距離側に比べ高くすると共に、上記距離
演算手段は、上記光電変換手段の出力の変化率における
非線形特性を補正した値を出力することを特徴とする。
光手段と、この投光手段より所定距離隔てて配置され目
標物からの反射光の入射位置に応じた出力を発生する光
電変換手段と、この光電変換手段の出力により目標物迄
の距離を演算する距離演算手段とを有する測距装置にお
いて、上記光電変換手段の、入射位置と出力とは非線形
の関係を有し、遠距離側の入射位置の変化に応じた出力
の変化率を、近距離側に比べ高くすると共に、上記距離
演算手段は、上記光電変換手段の出力の変化率における
非線形特性を補正した値を出力することを特徴とする。
【0020】
【作用】この測距装置では、PSDの抵抗層の幅もしく
は深さ、または抵抗層の比抵抗の値を反射光スポット位
置x方向に変化させ、光電流比I2 /(I1 +I2 )、
被写体距離の逆数1/lの関係を非線形にすることによ
り、図16の曲線L3に示すように、I2 /(I1 +I
2 )のバラツキが大きい遠距離で傾きを大に、バラツキ
が小さく傾きが多少小さくなっても構わない近距離で小
さくして、これによって測距性能を総合的に改良してい
る。
は深さ、または抵抗層の比抵抗の値を反射光スポット位
置x方向に変化させ、光電流比I2 /(I1 +I2 )、
被写体距離の逆数1/lの関係を非線形にすることによ
り、図16の曲線L3に示すように、I2 /(I1 +I
2 )のバラツキが大きい遠距離で傾きを大に、バラツキ
が小さく傾きが多少小さくなっても構わない近距離で小
さくして、これによって測距性能を総合的に改良してい
る。
【0021】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を具体的に説明
する。
する。
【0022】図2は、本発明の一実施例を示す測距装置
におけるPSDの抵抗層の断面図で、この図2の場合抵
抗層の深さを反射光スポット位置xの方向に沿って変化
させた、全長tの非線形PSDである。そして、第1の
電極2dが∞側で、第2の電極2eが至近側である。
におけるPSDの抵抗層の断面図で、この図2の場合抵
抗層の深さを反射光スポット位置xの方向に沿って変化
させた、全長tの非線形PSDである。そして、第1の
電極2dが∞側で、第2の電極2eが至近側である。
【0023】入射位置xに於る面積抵抗をr(x)[Ω
/m]とすると、第1,第2の電極2d,2e間の全抵
抗R(t)と、第1の電極2dから入射位置xまでの抵
抗R(x)とは、それぞれ
/m]とすると、第1,第2の電極2d,2e間の全抵
抗R(t)と、第1の電極2dから入射位置xまでの抵
抗R(x)とは、それぞれ
【0024】
【0025】となる。
【0026】図3は、上記図2に示した非線形PSDを
使用したときの入射位置xとA/D変換出力の関係を表
わす線図である。最短撮影距離lmin (入射位置t)に
おけるA/D変換出力をDM(DAIA MAX)とすると、任
意の入射位置xにおけるA/D変換出力yは
使用したときの入射位置xとA/D変換出力の関係を表
わす線図である。最短撮影距離lmin (入射位置t)に
おけるA/D変換出力をDM(DAIA MAX)とすると、任
意の入射位置xにおけるA/D変換出力yは
【0027】
【0028】となる。この(6)式を被写体距離の逆数1
/lの関係で表わすと、 x=S×f/l だから
/lの関係で表わすと、 x=S×f/l だから
【0029】
【0030】となる。
【0031】図4は、被写体距離の逆数1/lとA/D
変換出力の関係を示す線図である。一般に、測距装置の
性能を表わすパラメータとしてセンサ誤差Δ(1/l)
つまりd(1/l)が用いられる。
変換出力の関係を示す線図である。一般に、測距装置の
性能を表わすパラメータとしてセンサ誤差Δ(1/l)
つまりd(1/l)が用いられる。
【0032】即ち、A/D変換出力には常に出力バラツ
キdyが付随するから、センサ誤差Δ(1/l)は、こ
のdy変化に対応するd(1/l)のことである。ここ
に、出力バラツキdyは、バラツキが正規分布のときの
標準偏差をσとすると、同じ被写体距離lにおけるA/
D変換出力のバラツキの 3×σ 値をとったものを用いることにする。
キdyが付随するから、センサ誤差Δ(1/l)は、こ
のdy変化に対応するd(1/l)のことである。ここ
に、出力バラツキdyは、バラツキが正規分布のときの
標準偏差をσとすると、同じ被写体距離lにおけるA/
D変換出力のバラツキの 3×σ 値をとったものを用いることにする。
【0033】従って上記(7)式を、d(1/l)を表わ
す形に変形するために両辺をd(1/l)で微分する
と、
す形に変形するために両辺をd(1/l)で微分する
と、
【0034】
【0035】となる。このような構成の非線形PSD
を、従来の線形PSDと比較しながら、より具体的な形
状、例えば台形タイプとL形タイプに適用した例で以下
に説明する。
を、従来の線形PSDと比較しながら、より具体的な形
状、例えば台形タイプとL形タイプに適用した例で以下
に説明する。
【0036】[1] まず、従来の線形PSDの場合を図
5により説明すると、全長t、幅a、抵抗層の深さb、
抵抗層の比抵抗ρ[Ω・m]とすると、線形PSDの面
積抵抗r(x)は、 r(x)=ρ/(a×b) [Ω/m] ……(10) となる。そこで、センサ誤差d(1/l)は上記(9)式
より
5により説明すると、全長t、幅a、抵抗層の深さb、
抵抗層の比抵抗ρ[Ω・m]とすると、線形PSDの面
積抵抗r(x)は、 r(x)=ρ/(a×b) [Ω/m] ……(10) となる。そこで、センサ誤差d(1/l)は上記(9)式
より
【0037】
【0038】となる。
【0039】[2] 次に非線形PSDの一例として台形
タイプの場合を図6により説明する。全長t、抵抗層の
深さb、比抵抗ρ、∞側の幅a1 、至近側の幅a2 の台
形タイプの非線形PSDの面積抵抗r(x)は、
タイプの場合を図6により説明する。全長t、抵抗層の
深さb、比抵抗ρ、∞側の幅a1 、至近側の幅a2 の台
形タイプの非線形PSDの面積抵抗r(x)は、
【0040】
【0041】となる。そこで、センサ誤差d(1/l)
は、
は、
【0042】
【0043】となる。ここで、 α=a2 /a1 である。上記(12)式において、t・dy/DM・S・f
の部分は線形PSDと同じである。つま後半の
の部分は線形PSDと同じである。つま後半の
【0044】
【0045】が線形PSDのd(1/l)に対する比率
となる。これをセンサ誤差補正係数βと定義する。つま
り、線形PSDは非線形PSDの一例で、センサ誤差補
正係数βが β=1 の場合であると考えることができる。この補正係数β
は、a2 /a1 をαとおいて、
となる。これをセンサ誤差補正係数βと定義する。つま
り、線形PSDは非線形PSDの一例で、センサ誤差補
正係数βが β=1 の場合であると考えることができる。この補正係数β
は、a2 /a1 をαとおいて、
【0046】
【0047】となる。
【0048】この図6に示すような台形タイプの非線形
PSDにおいて d=a2 /a1 をパラメータとしてx/tとβの関係を示すと、図7の
ような線図が得られる。[3] 更に、非線形PSDの別
の一例としてL形タイプの場合を図8,9を用いて説明
する。まず、形状寸法が図8に示すようなL形PSDの
面積抵抗r(x)は、xがt/2を超えるか否かに応じ
PSDにおいて d=a2 /a1 をパラメータとしてx/tとβの関係を示すと、図7の
ような線図が得られる。[3] 更に、非線形PSDの別
の一例としてL形タイプの場合を図8,9を用いて説明
する。まず、形状寸法が図8に示すようなL形PSDの
面積抵抗r(x)は、xがt/2を超えるか否かに応じ
【0049】
【0050】となる。従って、このL形タイプの場合の
センサ誤差d(1/l)は、a2 /a1 をαとすれば、
センサ誤差d(1/l)は、a2 /a1 をαとすれば、
【0051】
【0052】となる。そこで、センサ補正係数βは、
【0053】
【0054】になるから、αの値によって補正係数βは
表1のようになる。
表1のようになる。
【0055】
【0056】次に、形状寸法が図9に示すようなL形P
SDのセンサ補正係数βは、a2 /a1 をαとすれば下
記(16)式のようになるから、αの値により表2のように
なる。
SDのセンサ補正係数βは、a2 /a1 をαとすれば下
記(16)式のようになるから、αの値により表2のように
なる。
【0057】
【0058】上述したように、PSDの幅aを入射位置
xの関数とすることにより、遠距離側でのΔ(1/l)
が線形PSDのそれに比べて小さいく、つまり β<1 となる。一方、近距離側では逆にΔ(1/l)が線形P
SDのそれに比べて大きくなる。しかし、出力のノイズ
によるバラツキ△yまたはdyの値は、通常被写体距離
lの2乗に比例して大きくなるため、近距離ではΔ(1
/l)が大きく、つまり β>1 になっても、その絶対値が小さいから問題にならない。
xの関数とすることにより、遠距離側でのΔ(1/l)
が線形PSDのそれに比べて小さいく、つまり β<1 となる。一方、近距離側では逆にΔ(1/l)が線形P
SDのそれに比べて大きくなる。しかし、出力のノイズ
によるバラツキ△yまたはdyの値は、通常被写体距離
lの2乗に比例して大きくなるため、近距離ではΔ(1
/l)が大きく、つまり β>1 になっても、その絶対値が小さいから問題にならない。
【0059】また、上記実施例では、PSDの幅aを入
射位置xの関数としたが、抵抗層の深さbもしくは抵抗
層の比抵抗ρをxの関数にしてもよいこと勿論である。
即ち、図1は第1の電極2d側と第2の電極2e側とで
抵抗層の深さbがそれぞれb1,b2と異なる場合を、
また図10は第1の電極側と第2の電極側とで抵抗層の
比抵抗ρが入射位置xの値に応じてρ1,ρ2と変化す
る場合を、それぞれ示す図である。
射位置xの関数としたが、抵抗層の深さbもしくは抵抗
層の比抵抗ρをxの関数にしてもよいこと勿論である。
即ち、図1は第1の電極2d側と第2の電極2e側とで
抵抗層の深さbがそれぞれb1,b2と異なる場合を、
また図10は第1の電極側と第2の電極側とで抵抗層の
比抵抗ρが入射位置xの値に応じてρ1,ρ2と変化す
る場合を、それぞれ示す図である。
【0060】このように抵抗層の比抵抗ρを変化させる
ためには、例えばPSDの製作時に、P層に混入する不
純物の量を、x方向に段階的もしくは連続的に変化させ
れば良い。
ためには、例えばPSDの製作時に、P層に混入する不
純物の量を、x方向に段階的もしくは連続的に変化させ
れば良い。
【0061】上記実施例によれば、測距光学系の基線長
S、受光レンズの焦点距離fを大きくすることなく、ま
た最短撮影距離を長くすることなく、遠距離における測
距性能を向上させることが可能になる。
S、受光レンズの焦点距離fを大きくすることなく、ま
た最短撮影距離を長くすることなく、遠距離における測
距性能を向上させることが可能になる。
【0062】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、光電
変換素子の遠距離側の入射位置の変化に応じた出力の変
化率を、近距離側のそれに比べて高く設定し、これによ
り生じる入射位置と信号電流との非線形性を距離演算手
段において補正しているために、測距光学系や光電変換
素子を大型化したり最短撮影距離を犠牲にすることな
く、遠距離側の測距精度を向上させることができるとい
う顕著な効果が発揮される。
変換素子の遠距離側の入射位置の変化に応じた出力の変
化率を、近距離側のそれに比べて高く設定し、これによ
り生じる入射位置と信号電流との非線形性を距離演算手
段において補正しているために、測距光学系や光電変換
素子を大型化したり最短撮影距離を犠牲にすることな
く、遠距離側の測距精度を向上させることができるとい
う顕著な効果が発揮される。
【図1】本発明の一実施例を示す測距装置における抵抗
層の深さを変えた非線形PSDの斜視図。
層の深さを変えた非線形PSDの斜視図。
【図2】本発明の一実施例を示す測距装置における非線
形PSDの断面図。
形PSDの断面図。
【図3】上記図2における入射位置とA/D変換出力の
関係を示す線図。
関係を示す線図。
【図4】上記図2における被写体距離とA/D変換出力
の関係を示す線図。
の関係を示す線図。
【図5】従来の線形PSDの斜視図。
【図6】幅を変えた台形タイプの非線形PSDの平面
図。
図。
【図7】上記図6における幅の比を変えたときのセンサ
誤差補正係数の線図。
誤差補正係数の線図。
【図8】幅を変えたL形タイプの非線形PSDの平面
図。
図。
【図9】L形タイプの別の例を示す非線形PSDの平面
図。
図。
【図10】抵抗層の比抵抗を変えた非線形PSDの比抵
抗の線図。
抗の線図。
【図11】アクティブ式の測距装置の光学配置図。
【図12】PSDの構造を示す断面図。
【図13】アクティブ式の測距装置のブロック構成図。
【図14】従来のPSDを用いた測距装置における被写
体距離の逆数とA/D変換出力の関係を示す線図。
体距離の逆数とA/D変換出力の関係を示す線図。
【図15】上記図14における特性直線上にバラツキを
付記した線図。
付記した線図。
【図16】非線形PSDを用いた測距装置における被写
体距離の逆数とA/D変換出力との関係を示す線図。
体距離の逆数とA/D変換出力との関係を示す線図。
1………IRED(投光手段) 2………PSD(光電変換手段) 3………投光レンズ(投光手段) 9………演算回路(距離演算手段) 10……A/D変換回路(距離演算手段) 11……被写体距離演算回路(距離演算手段)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01C 3/06 G01S 17/02 G01S 17/08 G01S 17/93 G02B 7/28 - 7/32
Claims (1)
- 【請求項1】 目標物に光を投射する投光手段と、 この投光手段より所定距離隔てて配置され、目標物から
の反射光の入射位置に応じた出力を発生する光電変換手
段と、 この光電変換手段の出力により目標物迄の距離を演算す
る距離演算手段と、 を有する測距装置において、 上記光電変換手段の、入射位置と出力とは非線形の関係
を有し、遠距離側の入射位置の変化に応じた出力の変化
率を、近距離側に比べ高くすると共に、上記距離演算手
段は、上記光電変換手段の出力の変化率における非線形
特性を補正した値を出力することを特徴とする測距装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP730691A JP3063780B2 (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP730691A JP3063780B2 (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 測距装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04240511A JPH04240511A (ja) | 1992-08-27 |
JP3063780B2 true JP3063780B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=11662330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP730691A Expired - Fee Related JP3063780B2 (ja) | 1991-01-24 | 1991-01-24 | 測距装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3063780B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000022680A1 (fr) | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Detecteur de position a semiconducteurs |
JP4209526B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2009-01-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体位置検出器及びこれを用いた測距装置 |
JP6217537B2 (ja) * | 2014-01-07 | 2017-10-25 | 株式会社デンソー | 受光装置および光学距離測定装置 |
-
1991
- 1991-01-24 JP JP730691A patent/JP3063780B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04240511A (ja) | 1992-08-27 |
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