JP3062518B2 - インクジェットヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

インクジェットヘッドおよびその製造方法

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    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/135Nozzles
    • B41J2/14Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2002/14346Ejection by pressure produced by thermal deformation of ink chamber, e.g. buckling

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  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、インク中に浸されてい
る圧力発生器を駆動し、インク内の圧力を高めてノズル
オリフィスからインク滴を吐出させる機構のインクジェ
ットヘッドの改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】記録液を吐出、飛翔させて記録を行なう
インクジェット法が従来から知られている。この方法は
低騒音で比較的高速印字が可能であること、装置の小型
化やカラー記録が容易であることなど、数々の利点を有
している。このようなインクジェット記録方法では種々
の液滴吐出原理に基づくインクジェット記録ヘッドを用
いて記録を行なっている。たとえば、液滴吐出手段とし
て圧電素子の圧力を利用したインクジェットヘッドや、
発熱抵抗体に電流を流しこの発熱体の温度上昇で液体を
気化し、気化時の圧力を利用したバブル方式インクジェ
ットヘッド等がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の技術にはそれぞれ以下の問題点がある。
【0004】すなわち、圧電素子を用いたインクジェッ
トヘッドでは、圧電素子に電圧を印加し、圧電素子を変
形させ、その変形によりインク滴を吐出させて記録を行
なうが、圧電素子の変形が小さいため圧電素子を積層し
たり、形状の大きなバイモルフ型の圧電アクチュエータ
を形成し、変位量を大きくしてインク滴を吐出させてい
た。したがって、ノズルピッチと比べはるかに大きな圧
電素子およびインク室を必要とし、そのためノズルを集
積化したマルチノズルヘッドの作製は困難であった。
【0005】また、バブル方式のインクジェットヘッド
は、発熱体からの熱によりインクが気化して気泡が発生
し、そのときの体積膨張を利用してインク滴を吐出させ
るが、発熱体の大きさが小さくノズルを集積化すること
が比較的容易であり、記録に要する時間が短くてすむ利
点がある。しかしながら、きれいな気泡を得るために短
時間に発熱体を1000℃近くまで加熱するため発熱体
が劣化しやすく、インクジェットヘッドの寿命が比較的
短いという問題がある。本発明は、上記問題点を解決す
るためになされたものであり、第1の目的は、小型化が
可能であり、劣化が少なく、必要な熱量が小さくて効率
的なインクジェットヘッドを提供することである。第2
の目的は、フォトリソグラフィー技術を用いることによ
りパターンの寸法精度が高く、量産効果が大きく、高集
積化および低コスト化が可能なインクジェットヘッドの
製造方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によるインクジェ
ットヘッドは、圧力を加えられたインクを噴出するノズ
ルオリフィスを有するノズルプレートと、その背面の筐
体とよりなるインク室と、インク室の中に設けられた圧
力発生器とを有し、前記圧力発生器は、通電により生じ
る熱膨張によってノズルプレート側へ座屈変形してイン
クに圧力を加える座屈構造体と、前記座屈構造体のイン
ク室側に位置し、座屈構造体の両端に絶縁性部材で固定
されかつインク流路を有する基板とから構成される。
【0007】また、その製造方法は、座屈構造体を、基
板上に形成した犠牲層の上にめっき等により作製し、該
犠牲層をエッチングすることにより空間的な立体構造と
する。
【0008】
【作用】本発明によれば、簡単な構造の座屈構造体を熱
駆動し、その座屈変形によりインクの圧力を高めること
ができる。座屈構造体は、形状が小さくても大きな変位
量を得られ、さらにバブル方式のインクジェットヘッド
に比べ低温で大きな変位を発生させることができる。ま
た、製造に際してはフォトリソグラフィーを用いるた
め、パターンの寸法精度が高く量産効果が大きく、高集
積化および低コスト化が可能となる。
【0009】
【実施例】図1および図2は本発明の記録ヘッドによる
記録原理を説明するための断面図であり、それぞれ待機
状態および動作状態を示す。
【0010】ノズルプレート1は円錐形または漏斗状に
形成された1個以上のノズルオリフィス2を有し、それ
ぞれのノズルオリフィスに対応して、座屈構造体3が配
置され、裏側の筐体8との間に形成されるインク室4中
のインクに浸された構造となっている。座屈構造体3は
導電性で弾性変形を生じるたとえばニッケルのような金
属の材料で形成されている。座屈構造体3の両端は、絶
縁性部材7で基板5に固定されているとともに通電する
ための電極9a,9bとなる。また、座屈構造体3の表
面の両端はスペーサ10を介してノズルプレート1に、
基板5の裏面は筐体8に固定されている。電極は座屈構
造体の表面に別の導体を設けてもよい。
【0011】電極9a,9bを通して電流が印加される
と、座屈構造体3は抵抗発熱により加熱され熱膨張を起
こそうとする。しかしながら、この場合両端が固定され
ているため、膨張変形することができず、図2に示すよ
うに、矢印方向の圧縮力Pが発生する。この圧縮力Pが
座屈荷重を越えると座屈変形を起こし、固定されていな
い座屈部がノズルプレート1側に変形し、座屈構造体3
とノズルプレート1との間の空間を満たしていたインク
に圧力が伝搬し、ノズルオリフィス2よりインク滴6が
形成されて外へ噴出する。たとえば、座屈構造対3をニ
ッケルで形成し、座屈部分の大きさを300μm(長
さ)、48μm(幅)、6μm(厚さ)とすると、室温
を25℃とした場合98℃以上で座屈を生じる。さらに
座屈構造体3を225℃に加熱すると、座屈構造体3が
ノズルプレート1側に変形し、ノズルオリフィス2より
インク滴6が形成されて外へ噴出することができる。座
屈構造体3がノズルプレート1側に曲がるように、スペ
ーサ10の端縁部は絶縁性部材7の端縁部よりやや外方
にする。
【0012】また、電極9a,9bの電流を絶ち、座屈
構造体3が98℃まで冷却されれば、図1の待機状態へ
戻る。
【0013】次に電極9a,9bに電流を印加してから
座屈構造体3が抵抗発熱により225℃に加熱され熱膨
張を起こす時間(立上り応答速度:Tr)および、電極
9a,9bの電流を絶ってから座屈構造体3が98℃に
冷却され待機状態へ戻る時間(立上り応答速度:Td)
は、熱伝導方程式によるシミュレーションで計算するこ
とができる。
【0014】図3は、本発明によるインクジェットヘッ
ドの一例の分解斜視図であり、図4は図3の組立てた場
合のX−X′断面図、図5は図3の組立てた場合のY−
Y′断面図である。座屈構造体の材質はニッケル、基板
がシリコン単結晶である。
【0015】ノズルプレート1は前述のように1個以上
のノズルオリフィス2,2…を有している。スペーサ1
0にはノズルオリフィス2,2…の背後に対応する空所
10−1,10−1…が設けられている。基板5の一方
の面にはインク室4を形成するための凹部を形成し、か
つ、ノイズオリフィス2に対応するインク流路5−1が
設けられている。この斜面の角度は後述のように54.
7°とされる。基板5の他方の面にはフォトリソグラフ
ィーにより絶縁性部材7を介して座屈構造体3が形成さ
れている。座屈構造体3にはノズルオリフィス2,2…
に対応するようにストリップ3−1,3−1…が形成さ
れており、適宜の箇所に電極9a,9bが設けられてい
る。図1および図2の例では、電極9a,9bは、ノズ
ルオリフィスの列の両側に設けられているが、図3の例
ではノズルオリフィスの列の一方の側に設けられてい
る。基板5の他方の側に筐体8が固定され、インク室4
を形成し、インク室4にはインク溜よりインクが供給さ
れる。
【0016】図3では図示されていないが、図1,図
4,図5に示されるように、座屈構造体3の周縁部の空
間には適宜の充填剤11が充填されている。
【0017】図6は、座屈構造体3に発生した熱の流れ
を説明するための図である。境界条件としては、まず座
屈構造体3が225℃に加熱されたとき、座屈構造体3
はノズルプレート側に9μm変形する。したがって、シ
ミュレーションは座屈構造体3が平均の4.5μm変形
した構造で行なった。次に、座屈構造体3および基板5
をその外形寸法より20μm大きい容器14に入れその
中をインクで満たし、座屈構造体3の表面とインクの液
面との間隔を20μmとした。容器14の内表面および
基板5の底面を25℃に保つと考えてシミュレーション
を行なった。矢印は主な熱の流れを示す。
【0018】図5で座屈構造体3の厚さt(μm)、座
屈構造体3と基板5の間隔g(μm)、インク流路出口
の幅w(μm)、基板5の厚さをh(μm)を適当に変
えたときの、立上り応答速度(Tr)、および立下り応
答速度(Td)の変化を、それぞれ、図6のような装置
でシミュレーションを行なった結果を、図7,図8,図
9,図10に示す。
【0019】図7〜図9において、座屈構造体3の全長
900μm、座屈部の長さL=300μm、h=500
μmとする。なお、パルスの高さは4.676Wとす
る。
【0020】図7は、g=1μm、w=100μmとし
た場合のtとTr(△印)およびTd(○印)との関係
を示すグラフである。座屈構造体の厚さtが薄いほど応
答速度はTr,Tdとも速い。ところが、座屈構造体の
厚さtが6μmより薄ければ、インク滴6がノズルオリ
フィスより外へ噴出するに十分のエネルギが得られない
ため、インク滴6はノズルオリフィスより外へ噴出する
ことができない。したがって、最適な座屈構造体の厚さ
の下限は6μmである。
【0021】図8はt=6μm,w=100μmとした
ときのgとTr(△印)およびTd(○印)との関係を
示すグラフである。座屈構造体と基板の間隔gは立上り
応答速度Trにはあまり影響を及ぼさないが、立下り応
答速度Tdは、間隔gが小さいほど速い。したがって、
ヘッドをたとえば2.5kHzで駆動する場合は、間隔
gは5μm以下に設定する必要がある。また、間隔gを
1μm以下に設定すれば、3.8kHzで駆動すること
ができる。
【0022】図9は、t=6μmとし、間隔gを適当に
変えたときの立上り応答速度Tr(△印)および立下り
応答速度Td(○印)のインク流路幅w依存性を示した
グラフである。インク流路幅wは立上り応答速度Trに
はあまり影響を及ぼさないが、立下り応答速度Tdは、
インク流路幅wが小さいほど速い。この傾向は、どの座
屈構造体と基板の間隔でも同じである。したがってヘッ
ドをたとえば2.5kHzで駆動する場合は、インク流
路wを40μm以下に設定すると座屈構造体と基板の間
隔gは10μm以下に設定する必要があり、インク流路
幅wを100μm以下、つまり座屈構造体の座屈部の長
さ300μmの3分の1以下に設定すると座屈構造体と
基板の間隔gは5μm以下に設定する必要がある。ま
た、図示されていないがインク流路幅wを40μm以
下、座屈構造体と基板の間隔gを10μm以下に設定す
れば、3.8kHzで駆動することができる。
【0023】次に図10は、L=300μm,t=6μ
m,g=2μm,パルスの高さ4.676Wとしたとき
の基板の厚さhと立上り応答速度Tr(△印)および立
下り応答速度Td(○印)との関係を示すグラフであ
る。基板厚さhが20μm以上では、立上り応答速度T
rおよび立下り応答速度Tdともあまり影響を受けな
い。しかし、シリコン単結晶の代わりにたとえばガラス
を用いた場合は、熱の伝導性がシリコン単結晶に比べて
劣るので、立下り応答速度Tdが遅くなる。したがっ
て、基板は熱の伝導性が良好なシリコン単結晶を用いる
必要があり、基板の厚さhは通常の525μmのシリコ
ン単結晶板を用いることができる。
【0024】以上の結果、立上り応答速度Trおよび立
下り応答速度Tdを速くするためには、座屈構造体3と
基板5の間隔gを小さくし、インク流路幅wを狭くし、
基板にシリコン単結晶を用いればよい。
【0025】図11(a)は、図5の構造で、座屈構造
体の厚さt=6μm、座屈構造体と基板の間隔g=1μ
m、インク流路幅w=40μm、基板の厚さh=500
μmの場合の座屈構造体の温度プロファイルであり、図
11(b)は駆動波形を示す。図11(a)より、立上
り応答速度Tr=28μsec、立下り応答速度Td=
123μsecが得られ、Tr+Td<167μsec
であるので、6kHzでの駆動が可能である。また、図
11(b)より、1ノズル当たりの消費電力の実効値
は、 W=4.676(W)×28(μsec)/167(μ
sec)=0.784(w) となる。
【0026】次に本発明の主要部材である座屈構造体お
よび座屈構造体を支持する基板の製造工程の一例につい
て図12を参照しつつ説明する。
【0027】まず、シリコン基板100の表裏両面に熱
酸化膜110を所定の厚さ、たとえば、1μmに形成す
る(図12(a)参照)。
【0028】裏面にフォトレジストを塗布し、形成すべ
きインク流路の形状に対応したパターニングを行ない、
CHF3 にて熱酸化膜110のエッチングを行なう(図
12(b)参照)。このとき、面方位(100)のシリ
コン単結晶を用いれば、エッチング後に形成される(1
11)斜面は、(100)面と54.7°の角度をなす
ので、その厚さをh=525μm、インク流路幅をw=
40μmとすると、インク流路の入口側の幅はw′=w
+2h/tan 54.7°よりw′=785μmに設計す
ればよい。
【0029】次に、表面にフォトレジストを塗布し、形
成すべき座屈構造体の形状に対応したパターニングを行
ない、CHF3 にて熱酸化膜110のエッチングを行な
う(図12(c)参照)。
【0030】次に、表面に熱酸化膜110と同じ厚さた
とえば1μmのポリイミド膜120をスピナーで塗布
し、形成すべき絶縁性部材7の形状に対応したパターニ
ングを行ない、350℃で1時間ポストベークする(図
12(d)参照)。
【0031】次に、表面にニッケルをたとえばスパッタ
法で成膜し、これを電極にして、電解めっき法により所
定の厚さたとえば6μmのニッケルめっきを行ないニッ
ケル膜130を形成する(図12(e)参照)。電解め
っきにはたとえばスルファミン酸ニッケル浴によるニッ
ケルめっきを用いることができる。
【0032】次に、表面にフォトレジストを塗布し、形
成すべき座屈構造体の形状に対応したパターニングを行
ない、硝酸と過酸化水素の水溶液(例えば、HNO3
22 :H2 O=22:11:67)にてニッケル膜
130のエッチングを行なう(図12(f)参照)。
【0033】この状態のシリコン基板100を水酸化カ
リウム溶液に浸すと、熱酸化膜110およびポリイミド
120のない部分のシリコンが除去され、インク流路が
形成される(図12(g)参照)。
【0034】さらにこの状態のシリコン基板100を弗
酸溶液に浸すとシリコン基板100の両側の熱酸化膜1
10が除去され、このとき内側の犠牲層である熱酸化膜
110の除去により、座屈構造体3が基板5から分離さ
れた空間的な立体構造となる(図12(h)参照)。
【0035】以上のようにして、座屈構造体の厚さt=
6μm、座屈構造体と基板の間隔g=1μm、インク流
路幅w=40μmの圧力発生器が完成する。
【0036】最後に、ノズルプレート1,スペーサ2,
座屈構造体3を配置した基板4と筐体8を接合してイン
クジェットヘッドが完成する。
【0037】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、インクの
圧力を高める機構として熱駆動による座屈構造体の座屈
変形を用いているため座屈構造体の構造が非常に簡単
で、形状が小さくても大きな変位量を得られるので、ヘ
ッドの小型化が可能であり、さらにバブル方式のインク
ジェットヘッドに比べ低温で大きな変位を発生させるこ
とができるので、座屈構造体の劣化は非常に少なく、必
要な熱量が小さくて効率的である。また熱の放出が容易
な構造なので、高速応答が可能であり、高速記録に必要
なマルチオリフィスを実現できる。また、製造方法にお
いてフォトリソグラフィー技術を用いているため、パタ
ーンの寸法精度が高く、量産効果が大きく、高集積化お
よび低コスト化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のインクジェットヘッドの待機状態の断
面図である。
【図2】本発明のインクジェットヘッドの動作状態の断
面図である。
【図3】本発明のインクジェットヘッドの分解斜視図で
ある。
【図4】図3のX−X′断面図である。
【図5】図3のY−Y′断面図である。
【図6】座屈構造体に発生した熱の流れを説明するため
の模式図である。
【図7】座屈構造体の厚さと応答速度の関係をしめすグ
ラフである。
【図8】座屈構造体と基板の間隔による応答速度の変化
を示すグラフである。
【図9】インク流路幅および座屈構造体と基板の間隔に
よる応答速度の関係を示すグラフである。
【図10】基板の厚さと応答速度の関係を示すグラフで
ある。
【図11】(a)は座屈構造体の温度プロファイルを示
すグラフであり、(b)は駆動波形のグラフである。
【図12】(a)〜(h)はそれぞれ座屈構造体および
それを支持する基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
1 ノズルプレート 2 ノズルオリフィス 3 座屈構造体 4 インク室 5 基板 7 絶縁性部材 8 筐体 9a,9b 電極 10 スペーサ 100 シリコン基板 110 熱酸化膜 120 ポリイミド 130 ニッケル膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 乾 哲也 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 阿部 新吾 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−30543(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41J 2/045 B41J 2/055 B41J 2/16

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧力を加えられたインクを噴出するノズ
    ルオリフィスを有するノズルプレートと、その背面の筐
    体とよりなるインク室と、インク室の中に設けられた圧
    力発生器とを有し、 前記圧力発生器は、通電により生じる熱膨張によってノ
    ズルプレート側へ座屈変形してインクに圧力を加える座
    屈構造体と、前記座屈構造体のインク室側に位置し、座
    屈構造体の両端に絶縁性部材で固定されかつインク流路
    を有する基板とを備えていることを特徴とするインクジ
    ェットヘッド。
  2. 【請求項2】 座屈構造体と基板の間隔は10μm以下
    であることを特徴とする請求項1記載のインクジェット
    ヘッド。
  3. 【請求項3】 基板のインク流路幅は座屈構造体の座屈
    部の長さの1/3以下であることを特徴とする請求項1
    記載のインクジェットヘッド。
  4. 【請求項4】 座屈構造体を支持する基板はシリコン単
    結晶であることを特徴とする請求項1記載のインクジェ
    ットヘッド。
  5. 【請求項5】 基板上に犠牲層を形成する工程と、犠牲
    層の上に通電により生じる熱膨張によってノズルプレー
    ト側に座屈変形する座屈構造体となるニッケル膜を形成
    する工程と、犠牲層をエッチングにより除去する工程と
    を含む立体構造の圧力発生器を形成する工程と、 圧力発生器の前方にノズルプレートを結合し、後方に筐
    体を結合してインク室を形成する工程とを有することを
    特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
  6. 【請求項6】 座屈構造体のニッケル膜のパターニング
    は硝酸と過酸化水素の水溶液によるエッチングで行な
    い、犠牲層である熱酸化膜の除去は弗酸溶液のエッチン
    グによることを特徴とする請求項5記載のインクジェッ
    トヘッドの製造方法。
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