JP3057280B2 - 光サンプリング装置 - Google Patents
光サンプリング装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超高速電子デバイス等
の高速電気信号を測定する光サンプリング装置におい
て、特に光の偏波面の状態を変調し、測定信号のＳ／Ｎ
比を改善した光サンプリング装置に関する。
の高速電気信号を測定する光サンプリング装置におい
て、特に光の偏波面の状態を変調し、測定信号のＳ／Ｎ
比を改善した光サンプリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の光サンプリング装置の一例
を示す構成ブロック図である。図９において、１は光パ
ルス列を発生させるパルス光源、２、３及び６はミラ
ー、４は偏光子、５は波長板、７は電気光学効果を有す
る電界検出プローブ、８は被測定回路、９は光検出器、
１０は同期検波回路、１１は表示装置、１２は発振器、
１３はパルス変調器、１４は被測定回路８を駆動する駆
動回路である。
を示す構成ブロック図である。図９において、１は光パ
ルス列を発生させるパルス光源、２、３及び６はミラ
ー、４は偏光子、５は波長板、７は電気光学効果を有す
る電界検出プローブ、８は被測定回路、９は光検出器、
１０は同期検波回路、１１は表示装置、１２は発振器、
１３はパルス変調器、１４は被測定回路８を駆動する駆
動回路である。
【０００３】パルス光源１の出力光パルスはミラー２、
３、偏光子４、波長板５及びミラー６を介して電界検出
プローブ７に入射される。一方、駆動回路１４は被測定
回路８の駆動信号を出力するとともにパルス光源１にト
リガ信号を供給し、光パルスと駆動信号のタイミングを
同期させる。この駆動信号は発振器１２の出力信号によ
りパルス変調器１３で変調された後、被測定回路８に供
給される。被測定回路８が駆動回路１４により動作して
いれば入射光は電界検出プローブ７の電気光学効果によ
り偏波面の状態が変化して反射される。この電界検出プ
ローブ７の反射光はミラー６及び波長板５を介して偏光
子４に入射され、ここで特定偏波面を有する光信号のみ
が分岐されて光検出器９に入射される。光検出器９の出
力信号は発振器１２の出力信号を参照信号として同期検
波回路１０において同期検波され、同期検波回路１０の
出力信号は表示装置１１により処理され測定信号が表示
される。
３、偏光子４、波長板５及びミラー６を介して電界検出
プローブ７に入射される。一方、駆動回路１４は被測定
回路８の駆動信号を出力するとともにパルス光源１にト
リガ信号を供給し、光パルスと駆動信号のタイミングを
同期させる。この駆動信号は発振器１２の出力信号によ
りパルス変調器１３で変調された後、被測定回路８に供
給される。被測定回路８が駆動回路１４により動作して
いれば入射光は電界検出プローブ７の電気光学効果によ
り偏波面の状態が変化して反射される。この電界検出プ
ローブ７の反射光はミラー６及び波長板５を介して偏光
子４に入射され、ここで特定偏波面を有する光信号のみ
が分岐されて光検出器９に入射される。光検出器９の出
力信号は発振器１２の出力信号を参照信号として同期検
波回路１０において同期検波され、同期検波回路１０の
出力信号は表示装置１１により処理され測定信号が表示
される。
【０００４】ここで、駆動回路１４により被測定回路８
の動作電圧を変えると、反射光の偏波面の状態も変化
し、光検出器９に入射される光強度も変化する。さら
に、駆動回路１４によりパルス光源１の出力光パルスと
駆動信号のタイミングを同期させ、且つその位相を少し
ずつずらすサンプリング原理により、被測定回路８の動
作電圧を測定することができる。
の動作電圧を変えると、反射光の偏波面の状態も変化
し、光検出器９に入射される光強度も変化する。さら
に、駆動回路１４によりパルス光源１の出力光パルスと
駆動信号のタイミングを同期させ、且つその位相を少し
ずつずらすサンプリング原理により、被測定回路８の動
作電圧を測定することができる。
【０００５】図９に示す従来例では光検出器９の出力信
号を同期検波して測定信号を得ているので、理論的には
等価雑音帯域幅をいくらでも小さくでき、測定信号のＳ
／Ｎ比が向上する。但し、図９に示す従来例では被測定
回路８に供給する駆動信号はパルス変調器１３によって
変調を受けているので、被測定回路８が論理回路等の場
合には測定できなかった。
号を同期検波して測定信号を得ているので、理論的には
等価雑音帯域幅をいくらでも小さくでき、測定信号のＳ
／Ｎ比が向上する。但し、図９に示す従来例では被測定
回路８に供給する駆動信号はパルス変調器１３によって
変調を受けているので、被測定回路８が論理回路等の場
合には測定できなかった。
【０００６】そこで、この問題を解決するために、平成
２年特許願第２７４７３０号に係る光サンプリング装置
が考えられた。図１０はこの従来例を示す構成ブロック
図である。ここで、１から４、６、９、１０、１１、１
２及び１４は図９と同一符号を付してある。図１０にお
いて８ａは電気光学効果を有するＧａＡｓ集積回路、１
５はパルス圧縮装置、１６は偏波面変調手段である偏波
面変調器、１７はλ／２波長板である。
２年特許願第２７４７３０号に係る光サンプリング装置
が考えられた。図１０はこの従来例を示す構成ブロック
図である。ここで、１から４、６、９、１０、１１、１
２及び１４は図９と同一符号を付してある。図１０にお
いて８ａは電気光学効果を有するＧａＡｓ集積回路、１
５はパルス圧縮装置、１６は偏波面変調手段である偏波
面変調器、１７はλ／２波長板である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１０に示す
光サンプリング装置では偏波面変調器１６が必要とな
り、構成が複雑で、電界検出プローブであるＧａＡｓ集
積回路８ａと偏波面変調手段が別々であるので調整も容
易でないという問題がある。従って本発明の目的は、構
成が簡単で、調整が容易で、Ｓ／Ｎ比の良い光サンプリ
ング装置を実現することにある。
光サンプリング装置では偏波面変調器１６が必要とな
り、構成が複雑で、電界検出プローブであるＧａＡｓ集
積回路８ａと偏波面変調手段が別々であるので調整も容
易でないという問題がある。従って本発明の目的は、構
成が簡単で、調整が容易で、Ｓ／Ｎ比の良い光サンプリ
ング装置を実現することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明では、パルス光源の出力光パルスの偏
波面の状態を変調信号により変調し、電気光学効果を用
いて被測定回路の動作電圧に対応して前記変調光の偏波
面の状態を更に変化させ、この光を検出して前記変調信
号を参照信号として同期検波することにより、前記動作
電圧の変化を検出して被測定回路の電圧波形を測定する
光サンプリング装置において、前記被測定回路に近傍に
配置され前記動作電圧に対応して前記偏波面の状態を変
化させる電気光学結晶と、この電気光学結晶の表面に設
けられ、前記変調信号により偏波面の状態を変調する偏
波面変調手段とを備えたことを特徴とするものである。
るために、本発明では、パルス光源の出力光パルスの偏
波面の状態を変調信号により変調し、電気光学効果を用
いて被測定回路の動作電圧に対応して前記変調光の偏波
面の状態を更に変化させ、この光を検出して前記変調信
号を参照信号として同期検波することにより、前記動作
電圧の変化を検出して被測定回路の電圧波形を測定する
光サンプリング装置において、前記被測定回路に近傍に
配置され前記動作電圧に対応して前記偏波面の状態を変
化させる電気光学結晶と、この電気光学結晶の表面に設
けられ、前記変調信号により偏波面の状態を変調する偏
波面変調手段とを備えたことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】電界検出プローブに偏波面の状態の変調手段を
設けることにより、駆動信号に変調を加える必要がなく
なり、構成が簡単で、Ｓ／Ｎ比が向上する。
設けることにより、駆動信号に変調を加える必要がなく
なり、構成が簡単で、Ｓ／Ｎ比が向上する。
【００１０】
【実施例】以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明に係る光サンプリング装置の第１の実施例
を示す構成ブロック図である。ここで、１から１２、１
４は図９と同一符号を付してある。図１において１８は
偏波面変調手段である透明な電極、１００は電界検出プ
ローブ７への入射光である。ここで、電極１８は電界検
出プローブ７の入射面に形成されている。
図１は本発明に係る光サンプリング装置の第１の実施例
を示す構成ブロック図である。ここで、１から１２、１
４は図９と同一符号を付してある。図１において１８は
偏波面変調手段である透明な電極、１００は電界検出プ
ローブ７への入射光である。ここで、電極１８は電界検
出プローブ７の入射面に形成されている。
【００１１】図１に示す実施例の動作を説明する。パル
ス光源１の出力光パルスはミラー２、３、偏光子４、波
長板５及びミラー６を介して電極１８及び電界検出プロ
ーブ７に入射される。ここで、入射光１００は電極１８
に発振器１２の出力信号を印加することにより偏波面の
状態が変調される。一方、駆動回路１４は被測定回路８
の駆動信号を出力するとともにパルス光源１にトリガ信
号を供給し、光パルスと駆動信号のタイミングを同期さ
せる。被測定回路８が駆動回路１４により動作していれ
ば入射光１００は電界検出プローブ７の電気光学効果に
より偏波面の状態が変化して反射される。この電界検出
プローブ７からの反射光はミラー６及び波長板５を介し
て偏光子４に入射され、ここで特定偏波面を有する光信
号のみが分岐されて光検出器９に入射される。光検出器
９の出力信号は発振器１２の出力信号を参照信号として
同期検波回路１０において同期検波され、同期検波回路
１０の出力信号は表示装置１１により処理され測定信号
が表示される。
ス光源１の出力光パルスはミラー２、３、偏光子４、波
長板５及びミラー６を介して電極１８及び電界検出プロ
ーブ７に入射される。ここで、入射光１００は電極１８
に発振器１２の出力信号を印加することにより偏波面の
状態が変調される。一方、駆動回路１４は被測定回路８
の駆動信号を出力するとともにパルス光源１にトリガ信
号を供給し、光パルスと駆動信号のタイミングを同期さ
せる。被測定回路８が駆動回路１４により動作していれ
ば入射光１００は電界検出プローブ７の電気光学効果に
より偏波面の状態が変化して反射される。この電界検出
プローブ７からの反射光はミラー６及び波長板５を介し
て偏光子４に入射され、ここで特定偏波面を有する光信
号のみが分岐されて光検出器９に入射される。光検出器
９の出力信号は発振器１２の出力信号を参照信号として
同期検波回路１０において同期検波され、同期検波回路
１０の出力信号は表示装置１１により処理され測定信号
が表示される。
【００１２】図２は図１に示す実施例の電界検出プロー
ブ７の部分を詳細に示した第１の例を示す構成ブロック
図である。ここで、７、８、１２、１８及び１００は図
１と同一符号を付してある。図２において１９は被測定
回路８上に設けられた電極、２００は電極１９間または
電極１８、１９間に生じる電界である。
ブ７の部分を詳細に示した第１の例を示す構成ブロック
図である。ここで、７、８、１２、１８及び１００は図
１と同一符号を付してある。図２において１９は被測定
回路８上に設けられた電極、２００は電極１９間または
電極１８、１９間に生じる電界である。
【００１３】図２に示す入射光１００の入射方向と平行
な電界を検出する電界検出プローブ（以下”縦電界検出
プローブ”と呼ぶ）の場合、電界検出プローブ上面及び
下面の電位、即ち、電極１８及び電極１９の電位をそれ
ぞれ”Ｖt” 及び”Ｖb” とすると、その電位差”(Ｖt
−Ｖb)”によって光検出器９に入射する光の強度は図３
に示す特性曲線図のように正弦波的に変化する。
な電界を検出する電界検出プローブ（以下”縦電界検出
プローブ”と呼ぶ）の場合、電界検出プローブ上面及び
下面の電位、即ち、電極１８及び電極１９の電位をそれ
ぞれ”Ｖt” 及び”Ｖb” とすると、その電位差”(Ｖt
−Ｖb)”によって光検出器９に入射する光の強度は図３
に示す特性曲線図のように正弦波的に変化する。
【００１４】電位差”(Ｖt−Ｖb)”が”０”の場合の光
検出器９に入射する光の強度は波長板５によって調整可
能であり、”Ｖt＝Ｖb＝０”の時、図３中”イ”の点に
調整し、この時の光検出器９に入射する光強度を”
Ｐ0” とする。また、発振器１２により電極１８の電
位”Ｖt” を図３中”イ”の点から”ハ”の点に変化さ
せるため、図４中（ａ）に示すように”−ＶS” を周期
的に印加する。もし、電極１９の電位が”０”のまま、
即ち、被測定回路８が動作していなければ、図３中”
イ”の点から”ハ”の点に変化しても光検出器９に入射
する光強度は”Ｐ0”のままで変化しない。
検出器９に入射する光の強度は波長板５によって調整可
能であり、”Ｖt＝Ｖb＝０”の時、図３中”イ”の点に
調整し、この時の光検出器９に入射する光強度を”
Ｐ0” とする。また、発振器１２により電極１８の電
位”Ｖt” を図３中”イ”の点から”ハ”の点に変化さ
せるため、図４中（ａ）に示すように”−ＶS” を周期
的に印加する。もし、電極１９の電位が”０”のまま、
即ち、被測定回路８が動作していなければ、図３中”
イ”の点から”ハ”の点に変化しても光検出器９に入射
する光強度は”Ｐ0”のままで変化しない。
【００１５】ここで、被測定回路８の動作電圧が”−
Ｖ”だけ変化したとすると、電極１９の電位”Ｖb”
も”−Ｖ”だけ変化し、電位差は”＋Ｖ”だけ変化す
る。また、図３中”イ”の点は図３中”ロ”の点に変化
し、光検出器９に入射する光強度は”Ｐ0＋ΔＰ” とな
る。この時、発振器１２により電極１８の電位”Ｖt”
に”−ＶS” が印加されると、図３中”ロ”の点から”
ニ”の点に変化することになり、光検出器９に入射する
光強度は”Ｐ0−ΔＰ” に変化する。
Ｖ”だけ変化したとすると、電極１９の電位”Ｖb”
も”−Ｖ”だけ変化し、電位差は”＋Ｖ”だけ変化す
る。また、図３中”イ”の点は図３中”ロ”の点に変化
し、光検出器９に入射する光強度は”Ｐ0＋ΔＰ” とな
る。この時、発振器１２により電極１８の電位”Ｖt”
に”−ＶS” が印加されると、図３中”ロ”の点から”
ニ”の点に変化することになり、光検出器９に入射する
光強度は”Ｐ0−ΔＰ” に変化する。
【００１６】従って、図４中（ｂ）に示すように光検出
器９に入射する光強度は”Ｐ0−ΔＰ” と”Ｐ0＋Δ
Ｐ” 間を図４中（ａ）に示す発振器１２の出力信号に
同期して変化することになる。この結果、発振器１２の
出力信号を参照信号として光検出器９の出力信号を同期
検波回路１０において同期検波することにより被測定回
路８の動作電圧に応じた出力を得ることができる。
器９に入射する光強度は”Ｐ0−ΔＰ” と”Ｐ0＋Δ
Ｐ” 間を図４中（ａ）に示す発振器１２の出力信号に
同期して変化することになる。この結果、発振器１２の
出力信号を参照信号として光検出器９の出力信号を同期
検波回路１０において同期検波することにより被測定回
路８の動作電圧に応じた出力を得ることができる。
【００１７】また、光の偏波面の状態を変調しているの
で、図５に示したように、被測定回路８の動作電圧が”
−Ｖ”である場合、光検出器９に入射する光強度は”Ｐ
0−ΔＰ” と”Ｐ0＋ΔＰ” 間を変化するのでその変化
分は”２ΔＰ”となる。光の偏波面の状態を変調しない
場合、光検出器９に入射する光強度は”Ｐ0” と”Ｐ0
＋ΔＰ” 間を変化するのでその変化分は”ΔＰ”であ
る。従って、光検出器９に入射する光強度は２倍にな
り、感度及びＳ／Ｎ比が向上する。
で、図５に示したように、被測定回路８の動作電圧が”
−Ｖ”である場合、光検出器９に入射する光強度は”Ｐ
0−ΔＰ” と”Ｐ0＋ΔＰ” 間を変化するのでその変化
分は”２ΔＰ”となる。光の偏波面の状態を変調しない
場合、光検出器９に入射する光強度は”Ｐ0” と”Ｐ0
＋ΔＰ” 間を変化するのでその変化分は”ΔＰ”であ
る。従って、光検出器９に入射する光強度は２倍にな
り、感度及びＳ／Ｎ比が向上する。
【００１８】なお、図５は電界検出プローブの第２の例
を示す構成ブロック図である。ここで、８、１２、１９
及び１００は図２と同一符号を付してある。図５におい
て電極１８ａは電界検出プローブ７ａの側面に設けら
れ、２００ａは電極１８ａ間または電極１９間に生じる
電界である。
を示す構成ブロック図である。ここで、８、１２、１９
及び１００は図２と同一符号を付してある。図５におい
て電極１８ａは電界検出プローブ７ａの側面に設けら
れ、２００ａは電極１８ａ間または電極１９間に生じる
電界である。
【００１９】図６は電界検出プローブの第３の例を示す
構成ブロック図である。ここで、８、１２及び１９は図
２と同一符号を付してある。図６において電極１８ｂは
電界検出プローブ７ｂの上面に設けられ、入射光１００
ａは電界検出プローブ７ｂの一方の側面から入射され、
反対側の側面で反射される。２００ｂは電極１９間また
は電極１８ｂ、１９間に生じる電界である。
構成ブロック図である。ここで、８、１２及び１９は図
２と同一符号を付してある。図６において電極１８ｂは
電界検出プローブ７ｂの上面に設けられ、入射光１００
ａは電界検出プローブ７ｂの一方の側面から入射され、
反対側の側面で反射される。２００ｂは電極１９間また
は電極１８ｂ、１９間に生じる電界である。
【００２０】図７は電界検出プローブの第４の例を示す
構成ブロック図である。ここで、８、１２及び１９は図
２と同一符号を付してある。図７において電極１８ｂは
電界検出プローブ７ａの上面に設けられ、入射光１００
ｂは電界検出プローブ７ｂの一方の側面から入射され、
反対側の側面から出力される。２００ｂは電極１９間ま
たは電極１８ｂ、１９間に生じる電界である。
構成ブロック図である。ここで、８、１２及び１９は図
２と同一符号を付してある。図７において電極１８ｂは
電界検出プローブ７ａの上面に設けられ、入射光１００
ｂは電界検出プローブ７ｂの一方の側面から入射され、
反対側の側面から出力される。２００ｂは電極１９間ま
たは電極１８ｂ、１９間に生じる電界である。
【００２１】図８は電界検出プローブの第５の例を示す
構成ブロック図である。ここで、８、１２及び１９は図
２と同一符号を付してある。図８において電極１８ｃは
電界検出プローブ７ｃの上面、且つ、入射光１００が通
過しない部分に設けられ、入射光１００は電界検出プロ
ーブ７ｃの上面から入射され、被測定回路８で反射され
る。２００ｃは電極１９間または電極１８ｃ、１９間に
生じる電界である。
構成ブロック図である。ここで、８、１２及び１９は図
２と同一符号を付してある。図８において電極１８ｃは
電界検出プローブ７ｃの上面、且つ、入射光１００が通
過しない部分に設けられ、入射光１００は電界検出プロ
ーブ７ｃの上面から入射され、被測定回路８で反射され
る。２００ｃは電極１９間または電極１８ｃ、１９間に
生じる電界である。
【００２２】また、図５、６及び７に示す電界検出プロ
ーブはそれぞれ入射光１００、１００ａ及び１００ｂの
入射方向と垂直な電界を検出する電界検出プローブ（以
下”横電界検出プローブ”と呼ぶ）であり、電極１８
ａ、１８ｂ及び１８ｃは不透明なものでよい。
ーブはそれぞれ入射光１００、１００ａ及び１００ｂの
入射方向と垂直な電界を検出する電界検出プローブ（以
下”横電界検出プローブ”と呼ぶ）であり、電極１８
ａ、１８ｂ及び１８ｃは不透明なものでよい。
【００２３】横電界検出プローブでは、前述の縦電界検
出プローブの場合と同様に動作電圧が測定できる。但
し、横電界検出プローブの場合、図３の横軸が電位差”
(Ｖt−Ｖb)”ではなく、入射光１００、１００ａ及び１
００ｂが横切る電界強度を全光路に渡って積分した電位
となる点で異なっている。
出プローブの場合と同様に動作電圧が測定できる。但
し、横電界検出プローブの場合、図３の横軸が電位差”
(Ｖt−Ｖb)”ではなく、入射光１００、１００ａ及び１
００ｂが横切る電界強度を全光路に渡って積分した電位
となる点で異なっている。
【００２４】また、実施例においては漏れ電界を検出し
ているが、磁界を検出してもよく、電界検出プローブに
磁界を印加して磁気光学効果により、光の偏波面の状態
を変調してもよい。
ているが、磁界を検出してもよく、電界検出プローブに
磁界を印加して磁気光学効果により、光の偏波面の状態
を変調してもよい。
【００２５】また、電気光学結晶と偏波面変調手段を一
体化したことにより、１つの構成要素として、１回の調
整で済むことになるため、調整も容易となる。
体化したことにより、１つの構成要素として、１回の調
整で済むことになるため、調整も容易となる。
【００２６】また、被測定回路８の駆動信号に変調を加
える必要はなく、実際の動作状態で被測定回路８の動作
電圧を測定できるので、論理回路等の測定も可能とな
る。
える必要はなく、実際の動作状態で被測定回路８の動作
電圧を測定できるので、論理回路等の測定も可能とな
る。
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によれば次のような効果がある。電界検出プロー
ブに偏波面の状態の変調手段を設けることにより、構成
が簡単で、調整が容易で、Ｓ／Ｎ比の良い光サンプリン
グ装置を実現することにある。
本発明によれば次のような効果がある。電界検出プロー
ブに偏波面の状態の変調手段を設けることにより、構成
が簡単で、調整が容易で、Ｓ／Ｎ比の良い光サンプリン
グ装置を実現することにある。
【図１】本発明に係る光サンプリング装置の一実施例を
示す構成ブロック図である。
示す構成ブロック図である。
【図２】本発明に係る光サンプリング装置の電界検出プ
ローブの第１の例を示す構成ブロック図である。
ローブの第１の例を示す構成ブロック図である。
【図３】印加される電位差と光検出器に入射する光の強
度の関係を示す特性曲線図である。
度の関係を示す特性曲線図である。
【図４】変調信号と光検出器出力を示すタイミング図で
ある。
ある。
【図５】本発明に係る光サンプリング装置の電界検出プ
ローブの第２の例を示す構成ブロック図である。
ローブの第２の例を示す構成ブロック図である。
【図６】本発明に係る光サンプリング装置の電界検出プ
ローブの第３の例を示す構成ブロック図である。
ローブの第３の例を示す構成ブロック図である。
【図７】本発明に係る光サンプリング装置の電界検出プ
ローブの第４の例を示す構成ブロック図である。
ローブの第４の例を示す構成ブロック図である。
【図８】本発明に係る光サンプリング装置の電界検出プ
ローブの第５の例を示す構成ブロック図である。
ローブの第５の例を示す構成ブロック図である。
【図９】光サンプリング装置の第１の従来例を示す構成
ブロック図である。
ブロック図である。
【図１０】光サンプリング装置の第２の従来例を示す構
成ブロック図である。
成ブロック図である。
１ パルス光源 ２，３，６ ミラー ４ 偏光子 ５ 波長板 ７，７ａ，７ｂ，７ｃ 電界検出プローブ ８ 被測定回路 ８ａ ＧａＡｓ集積回路 ９ 光検出器 １０ 同期検波回路 １１ 表示装置 １２ 発振器 １３ パルス変調器 １４ 駆動回路 １５ パルス圧縮装置 １６ 偏波面変調器 １７ λ／２波長板 １８，１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１９ 電極 １００，１００ａ，１００ｂ 入射光 ２００，２００ａ，２００ｂ，２００ｃ 電界
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 19/00 - 19/32 G01R 31/302 H01L 21/66
Claims (1)
- 【請求項１】パルス光源の出力光パルスの偏波面の状態
を変調信号により変調し、電気光学効果を用いて被測定
回路の動作電圧に対応して前記変調光の偏波面の状態を
更に変化させ、この光を検出して前記変調信号を参照信
号として同期検波することにより、前記動作電圧の変化
を検出して被測定回路の電圧波形を測定する光サンプリ
ング装置において、 前記被測定回路の近傍に配置され前記動作電圧に対応し
て前記偏波面の状態を変化させる電気光学結晶と、 この電気光学結晶の表面に設けられ、前記変調信号によ
り偏波面の状態を変調する偏波面変調手段とを備えたこ
とを特徴とする光サンプリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041505A JP3057280B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 光サンプリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041505A JP3057280B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 光サンプリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05240884A JPH05240884A (ja) | 1993-09-21 |
| JP3057280B2 true JP3057280B2 (ja) | 2000-06-26 |
Family
ID=12610228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4041505A Expired - Fee Related JP3057280B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | 光サンプリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3057280B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3352239B2 (ja) | 1994-08-19 | 2002-12-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電圧測定装置 |
| JP5050598B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2012-10-17 | 日本電気株式会社 | 非接触型信号伝送装置及び非接触型信号伝送方法 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4041505A patent/JP3057280B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05240884A (ja) | 1993-09-21 |
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