JP3039172B2 - 光データリンク - Google Patents
光データリンクInfo
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- JP3039172B2 JP3039172B2 JP4353232A JP35323292A JP3039172B2 JP 3039172 B2 JP3039172 B2 JP 3039172B2 JP 4353232 A JP4353232 A JP 4353232A JP 35323292 A JP35323292 A JP 35323292A JP 3039172 B2 JP3039172 B2 JP 3039172B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光データリンクに関す
る。より詳細には、光素子と集積回路とを樹脂モールド
パッケージにより一体化して構成された光データリンク
の新規な構成に関する。
る。より詳細には、光素子と集積回路とを樹脂モールド
パッケージにより一体化して構成された光データリンク
の新規な構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】実用的な光システムでは、信号経路上で
光／電気変換または電気／光変換を行うことが不可避で
ある。一方、発光素子や受光素子等の光素子と、一般的
な電子回路を構成するための半導体素子とは、互いに製
造プロセスも形状も異なっている。そこで、光素子とそ
れに不可避に付随する集積回路とを一体化した光データ
リンクを使用することによりシステムの構築を容易にし
ている。
光／電気変換または電気／光変換を行うことが不可避で
ある。一方、発光素子や受光素子等の光素子と、一般的
な電子回路を構成するための半導体素子とは、互いに製
造プロセスも形状も異なっている。そこで、光素子とそ
れに不可避に付随する集積回路とを一体化した光データ
リンクを使用することによりシステムの構築を容易にし
ている。
【０００３】図３および図４は、このような光データリ
ンクの典型的な構成と製造過程を示す図である。
ンクの典型的な構成と製造過程を示す図である。
【０００４】図３に示すように、光データリンクは、光
モジュール１と集積回路チップ２とをリードフレーム３
に装荷して構成されている。ここで、光モジュール１
は、光素子および光学系部品を円筒状の金属製パッケー
ジに収容して一体化して構成されている。尚、図３に示
した光データリンクは製造過程のものであり、最終的に
は、図４に示すように、これらの部材をモールド樹脂４
でパッケージングすることにより製品としての光データ
リンクとなる。
モジュール１と集積回路チップ２とをリードフレーム３
に装荷して構成されている。ここで、光モジュール１
は、光素子および光学系部品を円筒状の金属製パッケー
ジに収容して一体化して構成されている。尚、図３に示
した光データリンクは製造過程のものであり、最終的に
は、図４に示すように、これらの部材をモールド樹脂４
でパッケージングすることにより製品としての光データ
リンクとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図５は、図４に示した
光データリンクの断面構造を示す図である。尚、最終的
にリードピンとして使用されるリードフレーム３は、説
明のために図４とは異なる位置に描かれている。
光データリンクの断面構造を示す図である。尚、最終的
にリードピンとして使用されるリードフレーム３は、説
明のために図４とは異なる位置に描かれている。
【０００６】同図に示すように、光素子等を収容して埋
設された光モジュール１は、集積回路チップ２やリード
フレーム３とは相当に厚さが異なっている。このため、
外観では全体としては均一な厚さのモールド樹脂５は、
内部では、部位によって厚さが異なっている。即ち、モ
ジュール樹脂５の厚さは、光モジュール１を埋設した領
域では最も薄く、リードフレームしか埋設されていない
領域では最も厚い。
設された光モジュール１は、集積回路チップ２やリード
フレーム３とは相当に厚さが異なっている。このため、
外観では全体としては均一な厚さのモールド樹脂５は、
内部では、部位によって厚さが異なっている。即ち、モ
ジュール樹脂５の厚さは、光モジュール１を埋設した領
域では最も薄く、リードフレームしか埋設されていない
領域では最も厚い。
【０００７】パッケージングに使用されるモールド樹脂
は、基板や集積回路チップ等に比べてその線膨張係数が
一般に１桁（10-5／℃) 程大きい。一方、樹脂モールド
パッケージの形成工程では成形時に 170℃程度まで加熱
されるので、冷却時に発生する熱応力によりモールド樹
脂パッケージに割れ等が生じ易くなるという問題があ
る。特に、光データリンクの高機能化を目指して集積回
路チップ２の寸法が大きくなった場合にはモールド樹脂
の割れ発生は著しく増加する。従って、樹脂モールドパ
ッケージによる光データリンクでは、その小型化あるい
は高機能化に制約があった。
は、基板や集積回路チップ等に比べてその線膨張係数が
一般に１桁（10-5／℃) 程大きい。一方、樹脂モールド
パッケージの形成工程では成形時に 170℃程度まで加熱
されるので、冷却時に発生する熱応力によりモールド樹
脂パッケージに割れ等が生じ易くなるという問題があ
る。特に、光データリンクの高機能化を目指して集積回
路チップ２の寸法が大きくなった場合にはモールド樹脂
の割れ発生は著しく増加する。従って、樹脂モールドパ
ッケージによる光データリンクでは、その小型化あるい
は高機能化に制約があった。
【０００８】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、樹脂モールドパッケージを使用しながら小型
化あるいは高機能化が可能な新規な光データリンクを提
供することをその目的としている。
を解決し、樹脂モールドパッケージを使用しながら小型
化あるいは高機能化が可能な新規な光データリンクを提
供することをその目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に従うと、光モジ
ュール、集積回路チップおよびリードフレームをモール
ド樹脂により一体化して構成された樹脂モールドパッケ
ージ型の光データリンクにおいて、該モールド樹脂の厚
さが該パッケージ全体で実質的に一定になるように該樹
脂モールドパッケージの表面に段差が形成されており、
且つ、該段差部において応力集中が生じないように該段
差の入隅部が円弧状または楕円弧状の断面形状を有する
ことを特徴とする光データリンクが提供される。
ュール、集積回路チップおよびリードフレームをモール
ド樹脂により一体化して構成された樹脂モールドパッケ
ージ型の光データリンクにおいて、該モールド樹脂の厚
さが該パッケージ全体で実質的に一定になるように該樹
脂モールドパッケージの表面に段差が形成されており、
且つ、該段差部において応力集中が生じないように該段
差の入隅部が円弧状または楕円弧状の断面形状を有する
ことを特徴とする光データリンクが提供される。
【００１０】
【作用】本発明に係る光データリンクは、樹脂パッケー
ジを形成するモールド樹脂の形状にその主要な特徴があ
る。
ジを形成するモールド樹脂の形状にその主要な特徴があ
る。
【００１１】即ち、従来の樹脂モールドパッケージ型の
光データリンクでは、外観を単純な形状にしていたの
で、パッケージの部位によってモールド樹脂の厚さに大
きな差があった。このため、モールド樹脂に発生した熱
応力が特定の部位に集中して割れが発生する原因となっ
ていた。
光データリンクでは、外観を単純な形状にしていたの
で、パッケージの部位によってモールド樹脂の厚さに大
きな差があった。このため、モールド樹脂に発生した熱
応力が特定の部位に集中して割れが発生する原因となっ
ていた。
【００１２】このような割れの発生を防止するために
は、熱応力の発生を均一にすることと発生した熱応力が
特定の部位に集中しないようにすることが有効である。
は、熱応力の発生を均一にすることと発生した熱応力が
特定の部位に集中しないようにすることが有効である。
【００１３】応力の発生を均一にするためには、まず、
各部品を被覆するモールド樹脂の厚さを均一にすること
が有効である。即ち、光データリンクの内部に収容され
ている部材はそれぞれに形状が異なるので、各部材の形
状に倣った形状のパッケージを形成することにより、パ
ッケージ全体でモールド樹脂の厚さを実質的に均一にす
ることができる。
各部品を被覆するモールド樹脂の厚さを均一にすること
が有効である。即ち、光データリンクの内部に収容され
ている部材はそれぞれに形状が異なるので、各部材の形
状に倣った形状のパッケージを形成することにより、パ
ッケージ全体でモールド樹脂の厚さを実質的に均一にす
ることができる。
【００１４】更に、上述のように、異なる形状の部材を
均一な厚さで一体にモールドした場合、その表面形状
は、従来の光データリンクパッケージのように単純な立
方体にはならず、段差を含む面が形成される。ここで、
形成される段差の形状が不適切な場合は、段差により生
じた入隅部に応力集中が発生する。これに対して、入隅
部の断面形状を、例えば指数関数等で表すことができる
数学的な曲線とすることにより、この部位に作用する応
力の変化を連続的にして極端な応力集中を防止すること
ができる。
均一な厚さで一体にモールドした場合、その表面形状
は、従来の光データリンクパッケージのように単純な立
方体にはならず、段差を含む面が形成される。ここで、
形成される段差の形状が不適切な場合は、段差により生
じた入隅部に応力集中が発生する。これに対して、入隅
部の断面形状を、例えば指数関数等で表すことができる
数学的な曲線とすることにより、この部位に作用する応
力の変化を連続的にして極端な応力集中を防止すること
ができる。
【００１５】即ち、弾性論の観点からは、樹脂モールド
パッケージの表面形状に急峻な入隅部が形成されたとき
に、その部位に顕著な応力集中が発生することが知られ
ている。材料力学ではこれらの応力値が解析的に求めら
れており、例えば、断面形状が楕円の一部を描くような
段差における応力集中Ｆは下記の式１で表すことができ
る。
パッケージの表面形状に急峻な入隅部が形成されたとき
に、その部位に顕著な応力集中が発生することが知られ
ている。材料力学ではこれらの応力値が解析的に求めら
れており、例えば、断面形状が楕円の一部を描くような
段差における応力集中Ｆは下記の式１で表すことができ
る。
【００１６】Ｆ＝σ（１＋２ａ／ｂ）・・・・式１ 〔但し、σは外部からの応力、ａ、ｂは楕円体の長軸、
短軸を表す〕
短軸を表す〕
【００１７】上記式１において、係数ｂが
〔０〕になる
とき、即ち段差に直角な入隅部が形成されたときに応力
集中は無限大となる。また、上記式１において〔ａ＝
ｂ〕となるとき、即ち入隅部の断面形状が円弧になると
きに応力集中は３σで最小となる。従って、段差の断面
形状を円弧状にすることにより応力集中によるパッケー
ジの割れの発生を防止できる。更に、設計上の他の要素
のために円弧状が選択できない場合は、できるだけ〔ａ
＝ｂ〕に近い楕円あるいは指数関数で表すことができる
曲線を描くような断面形状とすることが有利である。
とき、即ち段差に直角な入隅部が形成されたときに応力
集中は無限大となる。また、上記式１において〔ａ＝
ｂ〕となるとき、即ち入隅部の断面形状が円弧になると
きに応力集中は３σで最小となる。従って、段差の断面
形状を円弧状にすることにより応力集中によるパッケー
ジの割れの発生を防止できる。更に、設計上の他の要素
のために円弧状が選択できない場合は、できるだけ〔ａ
＝ｂ〕に近い楕円あるいは指数関数で表すことができる
曲線を描くような断面形状とすることが有利である。
【００１８】以下、実施例を参照して本発明をより具体
的に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
的に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００１９】
【実施例】図１は、本発明に係る光データリンクの具体
的な構成例を図５に対応させて描いた断面図である。
的な構成例を図５に対応させて描いた断面図である。
【００２０】同図に示すように、この光データリンク
は、光モジュール１を埋設されている側、即ち、図中の
左側ではパッケージの厚さ寸法が大きく、集積回路チッ
プ２およびリードフレーム３のみを埋設されている側、
即ち、図中の右側ではパッケージの厚さ寸法が小さくな
っている。従って、モールド樹脂４の厚さは、光データ
リンク全体で実質的に均一であり、モールド樹脂４の収
縮による熱応力は全体で等しく発生する。
は、光モジュール１を埋設されている側、即ち、図中の
左側ではパッケージの厚さ寸法が大きく、集積回路チッ
プ２およびリードフレーム３のみを埋設されている側、
即ち、図中の右側ではパッケージの厚さ寸法が小さくな
っている。従って、モールド樹脂４の厚さは、光データ
リンク全体で実質的に均一であり、モールド樹脂４の収
縮による熱応力は全体で等しく発生する。
【００２１】また、図中の左側と右側ではパッケージの
厚さが異なるので、両者の間には段差４ａが形成されて
いる。ここで、段差４ａの上端と下端は、それぞれ円弧
状の断面形状を有している。従って、このパッケージを
形成するモールド樹脂４では特定の部位に応力集中が発
生することがない。
厚さが異なるので、両者の間には段差４ａが形成されて
いる。ここで、段差４ａの上端と下端は、それぞれ円弧
状の断面形状を有している。従って、このパッケージを
形成するモールド樹脂４では特定の部位に応力集中が発
生することがない。
【００２２】ここで、段差４ａにおいて、各隅部は、図
中に示すようにそれぞれＲ1 、Ｒ2の曲率半径を有する
円弧状の断面形状を有している。従って、この部分にお
ける応力集中係数は曲率半径にかかわらず一定になが、
曲率半径が大きいほどパッケージ全体の剛性が高くなり
発生する応力集中は小さくなる。
中に示すようにそれぞれＲ1 、Ｒ2の曲率半径を有する
円弧状の断面形状を有している。従って、この部分にお
ける応力集中係数は曲率半径にかかわらず一定になが、
曲率半径が大きいほどパッケージ全体の剛性が高くなり
発生する応力集中は小さくなる。
【００２３】尚、実験によれば、図６に示すような横断
面構造を有する樹脂パッケージ５において、パッケージ
全体の厚さｙと基板に平行な方向の樹脂の厚さｘとの比
ｘ：ｙは、１：１〜１：1.38の範囲とすべきであること
が判明しており、この範囲の形状を有するパッケージ
は、 350℃の温度差までクラックが生じないことが破壊
試験により確認されている。即ち、比ｘ：ｙがこの範囲
よりも大きくなった場合は、図６に斜線で示す領域にク
ラックが発生し易くなることが判明している。また、比
ｘ：ｙがこの範囲よりも小さくなった場合は、応力集中
以外の破壊モードが発生する恐れがある。従って、樹脂
モールドパッケージを設計する場合はこの範囲を逸脱し
ない範囲で仕様を決定する必要がある。
面構造を有する樹脂パッケージ５において、パッケージ
全体の厚さｙと基板に平行な方向の樹脂の厚さｘとの比
ｘ：ｙは、１：１〜１：1.38の範囲とすべきであること
が判明しており、この範囲の形状を有するパッケージ
は、 350℃の温度差までクラックが生じないことが破壊
試験により確認されている。即ち、比ｘ：ｙがこの範囲
よりも大きくなった場合は、図６に斜線で示す領域にク
ラックが発生し易くなることが判明している。また、比
ｘ：ｙがこの範囲よりも小さくなった場合は、応力集中
以外の破壊モードが発生する恐れがある。従って、樹脂
モールドパッケージを設計する場合はこの範囲を逸脱し
ない範囲で仕様を決定する必要がある。
【００２４】一方、データリンクとして使用されるＩＣ
パッケージについては、ＪＩＳ等の規格により幅が規定
されている。従って、パッケージ全体の厚さの好ましい
範囲は、パッケージに収容する基板の幅から決定される
ことになる。
パッケージについては、ＪＩＳ等の規格により幅が規定
されている。従って、パッケージ全体の厚さの好ましい
範囲は、パッケージに収容する基板の幅から決定される
ことになる。
【００２５】また、樹脂モールドパッケージに対して実
際に最も大きな熱応力が発生するのはパッケージ成形時
の 175℃程度の温度から室温に戻るときの約 150℃の降
温の時である。熱応力は温度差に比例するので、前述の
ように 350℃で破壊が生じることから考えると、 150℃
の温度差で生じる熱応力の 2.3倍の応力が作用するとパ
ッケージに破壊が生じることになる。従って、実用上の
安全率を見込むと、応力集中係数が〔２〕以下となるよ
うにパッケージの形状を決定することが好ましい。
際に最も大きな熱応力が発生するのはパッケージ成形時
の 175℃程度の温度から室温に戻るときの約 150℃の降
温の時である。熱応力は温度差に比例するので、前述の
ように 350℃で破壊が生じることから考えると、 150℃
の温度差で生じる熱応力の 2.3倍の応力が作用するとパ
ッケージに破壊が生じることになる。従って、実用上の
安全率を見込むと、応力集中係数が〔２〕以下となるよ
うにパッケージの形状を決定することが好ましい。
【００２６】図７は、パッケージの形状と応力集中係数
との典型的な関係を示すグラフであり、図７(a) は引張
応力に対する係数を、図７(b) は曲げ応力に対する係数
をそれぞれ示している。
との典型的な関係を示すグラフであり、図７(a) は引張
応力に対する係数を、図７(b) は曲げ応力に対する係数
をそれぞれ示している。
【００２７】尚、同図では、パッケージの断面形状を単
純にして、段差の入隅部のみを円弧状の断面形状として
いる。従って、パッケージの形状は、基板／リードフレ
ーム部分のパッケージの厚さｄと、パッケージに形成さ
れた段差の高さｔと、段差部分の断面形状の曲率半径Ｒ
とにより決定される。ここで、同図から判るように、引
張応力と曲げ応力では一般に引張応力の方が大きな値を
示すので、以下、説明の便宜のために引張応力について
検討する。
純にして、段差の入隅部のみを円弧状の断面形状として
いる。従って、パッケージの形状は、基板／リードフレ
ーム部分のパッケージの厚さｄと、パッケージに形成さ
れた段差の高さｔと、段差部分の断面形状の曲率半径Ｒ
とにより決定される。ここで、同図から判るように、引
張応力と曲げ応力では一般に引張応力の方が大きな値を
示すので、以下、説明の便宜のために引張応力について
検討する。
【００２８】図７(a) から判るように、このような形状
のパッケージにおいて応力集中係数が２以下という条件
を満たし得る場合は、下記の式２に一部を例示するよう
にいくつかある。
のパッケージにおいて応力集中係数が２以下という条件
を満たし得る場合は、下記の式２に一部を例示するよう
にいくつかある。
【００２９】(1) Ｒ／ｄ≧0.05 且つ ｔ／Ｒ≦１ (2) Ｒ／ｄ≧0.1 且つ ｔ／Ｒ≦２ (3) Ｒ／ｄ≧0.2 且つ ｔ／Ｒ≦５ ・・・・式２
【００３０】ここで、前述のように、パッケージ全体の
厚さ〔ｄ＋２ｔ〕は、内部に収容する基板の幅により決
定されているので、〔ｄ〕と〔ｔ〕は相互に関連して変
化する。従って、図７におけるＲ／ｄまたはｔ／Ｒは、
その何れか一方が決定すれば他方も自動的に決定され
る。
厚さ〔ｄ＋２ｔ〕は、内部に収容する基板の幅により決
定されているので、〔ｄ〕と〔ｔ〕は相互に関連して変
化する。従って、図７におけるＲ／ｄまたはｔ／Ｒは、
その何れか一方が決定すれば他方も自動的に決定され
る。
【００３１】図８は、〔ｔ／Ｒ〕をパラメータとして
〔ｔ〕について〔Ｒ／ｄ〕を求めるためのグラフであ
る。ここで、図８を参照して、例えば1.36＜ｔ＜2.21に
対して上記式２を満たす範囲を検索すると下記の表１に
示す範囲であることが判る。尚、実際には、ｔ／Ｒ＝３
の場合にも条件を満たす場合があるが、説明の便宜のた
めにここでは省略している。
〔ｔ〕について〔Ｒ／ｄ〕を求めるためのグラフであ
る。ここで、図８を参照して、例えば1.36＜ｔ＜2.21に
対して上記式２を満たす範囲を検索すると下記の表１に
示す範囲であることが判る。尚、実際には、ｔ／Ｒ＝３
の場合にも条件を満たす場合があるが、説明の便宜のた
めにここでは省略している。
【００３２】
【表１】
【００３３】即ち、〔ｔ／Ｒ〕が４よりも大きな場合
は、応力集中は２以上になることが判る。従って、〔ｔ
／Ｒ〕≦２という条件から、下記の式３に示すような条
件が得られる。
は、応力集中は２以上になることが判る。従って、〔ｔ
／Ｒ〕≦２という条件から、下記の式３に示すような条
件が得られる。
【００３４】ｔ／２≦Ｒ≦ｔ ・・・式３
【００３５】図２は、本発明に係る光データリンクの具
体的な構成例を外観によって示す図である。
体的な構成例を外観によって示す図である。
【００３６】図２(a) に示す光データリンクは、図１に
示した光データリンクと実質的に等しい断面構造を有す
る単芯型の光データリンクである。また、図２(b) に示
す光データリンクは、図１に示した光データリンクと実
質的に等しい断面構造を有するトランシーバ型の光デー
タリンクである。これらの光データリンクは、パッケー
ジの表面形状が異なることを除いて、従来の光データリ
ンクと全く同じように取り扱うことができる。
示した光データリンクと実質的に等しい断面構造を有す
る単芯型の光データリンクである。また、図２(b) に示
す光データリンクは、図１に示した光データリンクと実
質的に等しい断面構造を有するトランシーバ型の光デー
タリンクである。これらの光データリンクは、パッケー
ジの表面形状が異なることを除いて、従来の光データリ
ンクと全く同じように取り扱うことができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光デ
ータリンクは、そのパッケージの独特の形状により、樹
脂モールドパッケージの割れ等の発生が防止されてい
る。従って、歩留りが向上されると共に信頼性も高い。
ータリンクは、そのパッケージの独特の形状により、樹
脂モールドパッケージの割れ等の発生が防止されてい
る。従って、歩留りが向上されると共に信頼性も高い。
【００３８】また、モールド樹脂の無駄な使用が少ない
ので、特に量産された場合には材料の節約になると共
に、光データリンクの小型化、軽量化にも寄与する。
ので、特に量産された場合には材料の節約になると共
に、光データリンクの小型化、軽量化にも寄与する。
【００３９】更に、樹脂モールドパッケージの割れが発
生し難いので、高機能化等に伴う光データリンクの大型
化にも対応できる。
生し難いので、高機能化等に伴う光データリンクの大型
化にも対応できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光データリンクの具体的な構成例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明に係る光データリンクの具体的な構成例
を外観により示す図である。
を外観により示す図である。
【図３】光データリンクの一般的な構成を説明するため
の図である。
の図である。
【図４】光データリンクの一般的な構成を説明するため
の図である。
の図である。
【図５】従来の光データリンクの典型的な構成を示す断
面図である。
面図である。
【図６】光データリンクのパッケージの厚さを決定する
要因を説明するための横断面図である。
要因を説明するための横断面図である。
【図７】パッケージの形状と応力集中係数との典型的な
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図８】所望の応力集中係数が得られるようなパッケー
ジの寸法を決定する方法を説明するためのグラフであ
る。
ジの寸法を決定する方法を説明するためのグラフであ
る。
１・・・光モジュール、 ２・・・集積回路チップ、 ３・・・リードフレーム、 ４・・・モールド樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｂ (56)参考文献 特開 昭55−138891（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−58881（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−72742（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−267723（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−32558（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/28 G02B 6/255 G02B 6/42 H01L 31/02 H01L 33/00
Claims (1)
- 【請求項１】光モジュール、集積回路チップおよびリー
ドフレームをもモールド樹脂により一体化して構成され
た樹脂モールドパッケージ型の光データリンクにおい
て、 該モールド樹脂の厚さが該パッケージ全体で実質的に一
定になるように該樹脂モールドパッケージの表面に段差
が形成されており、且つ、該段差の入隅部が円弧状また
は楕円弧状の断面形状を有することを特徴とする光デー
タリンク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4353232A JP3039172B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 光データリンク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4353232A JP3039172B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 光データリンク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181269A JPH06181269A (ja) | 1994-06-28 |
| JP3039172B2 true JP3039172B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=18429450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4353232A Expired - Fee Related JP3039172B2 (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | 光データリンク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3039172B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005159296A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-16 | Sharp Corp | オプトデバイスのパッケージ構造 |
| CN107665866B (zh) * | 2017-09-21 | 2020-02-07 | 中新国际电子有限公司 | 一种小封装二极管 |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP4353232A patent/JP3039172B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06181269A (ja) | 1994-06-28 |
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