JP3037519B2 - 導電性積層フィルムおよびその製造方法 - Google Patents
導電性積層フィルムおよびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢ（Tape Automat
ed Bonding）やＦＰＣ（Flexible PrintCircuit）など
の二層フィルムキャリアとして使用される導電性積層フ
ィルムおよびその製造方法に関する。
ed Bonding）やＦＰＣ（Flexible PrintCircuit）など
の二層フィルムキャリアとして使用される導電性積層フ
ィルムおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】前記ＴＡＢは、テープ状のフィルムキャ
リア上に間隔を空けて形成された金属のリードと、半導
体チップの電極の対応部分とを適当な手段により接合
し、多数の配線を同時に完了するボンディング方式の総
称である。
リア上に間隔を空けて形成された金属のリードと、半導
体チップの電極の対応部分とを適当な手段により接合
し、多数の配線を同時に完了するボンディング方式の総
称である。
【０００３】前記フィルムキャリアとしては、デバイス
ホールの形成されたポリイミド製のフィルム基材上に銅
箔を接着剤で貼り合わせ、さらに銅箔を湿式エッチング
してリードを形成したものが現在主流であり、これらは
三層フィルムキャリアと称される。
ホールの形成されたポリイミド製のフィルム基材上に銅
箔を接着剤で貼り合わせ、さらに銅箔を湿式エッチング
してリードを形成したものが現在主流であり、これらは
三層フィルムキャリアと称される。
【０００４】しかし、前記三層フィルムキャリアでは、
銅箔を接着剤でポリイミドフィルムに貼り合わせるため
に、取扱い上の問題から銅箔はあまり薄くできず、１８
μ以上とせざるを得ないため、加工精度を高めにくい欠
点がある。また、銅箔を薄くすると、接着剤層へのエッ
チング液の染み込み等の影響を受けやすくなり、電気特
性の低下が免れない。さらに、高温環境では接着剤層が
特性劣化するため、将来的には高温安定性が不足するお
それもあるため、ＬＳＩの多ピン化に伴うリードパター
ンの微細化に対応しきれないという問題があった。
銅箔を接着剤でポリイミドフィルムに貼り合わせるため
に、取扱い上の問題から銅箔はあまり薄くできず、１８
μ以上とせざるを得ないため、加工精度を高めにくい欠
点がある。また、銅箔を薄くすると、接着剤層へのエッ
チング液の染み込み等の影響を受けやすくなり、電気特
性の低下が免れない。さらに、高温環境では接着剤層が
特性劣化するため、将来的には高温安定性が不足するお
それもあるため、ＬＳＩの多ピン化に伴うリードパター
ンの微細化に対応しきれないという問題があった。
【０００５】そこで、多ピン化への対応を可能とするた
め、接着剤を使用せず、ポリイミドフィルムの表面に無
電解めっきまたは蒸着により銅層を直接形成した二層フ
ィルムキャリアが一部で実用化されている。
め、接着剤を使用せず、ポリイミドフィルムの表面に無
電解めっきまたは蒸着により銅層を直接形成した二層フ
ィルムキャリアが一部で実用化されている。
【０００６】現在工業的に実用化されているポリイミド
フィルムとしては２種類のタイプがある。第１は、原料
の酸二無水物としてビフェニルテトラカルボン酸二無水
物（ＢＰＤＡ）を使用するＢＰＤＡ系ポリイミドフィル
ムであり、第２は、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤ
Ａ）を使用するＰＭＤＡ系ポリイミドフィルムである。
フィルムとしては２種類のタイプがある。第１は、原料
の酸二無水物としてビフェニルテトラカルボン酸二無水
物（ＢＰＤＡ）を使用するＢＰＤＡ系ポリイミドフィル
ムであり、第２は、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤ
Ａ）を使用するＰＭＤＡ系ポリイミドフィルムである。
【０００７】第１のＢＰＤＡ系ポリイミドフィルムは、
剛性が高く、熱収縮および吸湿に対する寸法安定性に優
れており、フィルムキャリアの薄型化に有利であるう
え、扱いやすく、信頼性も高いなど、金属膜付きポリイ
ミドフィルムのフィルム基材として適している。
剛性が高く、熱収縮および吸湿に対する寸法安定性に優
れており、フィルムキャリアの薄型化に有利であるう
え、扱いやすく、信頼性も高いなど、金属膜付きポリイ
ミドフィルムのフィルム基材として適している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＢＰＤＡ系ポ
リイミドフィルムは、その特長である強固な分子結合の
ため、真空蒸着法等によって形成される金属層との接合
性が悪く、以下のような問題を有していた。
リイミドフィルムは、その特長である強固な分子結合の
ため、真空蒸着法等によって形成される金属層との接合
性が悪く、以下のような問題を有していた。
【０００９】（１） ＴＡＢのリード形成時のアディテ
ィブめっき工程や、半導体の実装工程におけるエッチン
グ等で、高温、高湿などの環境にさらされると、金属膜
が剥離することがある。 （２） フィルム基材を連続走行させつつ金属膜を蒸着
形成する過程で、金属膜の表面とフィルム送りロールの
表面が接触するが、この時、金属膜の局部的剥離により
金属膜に微細な傷が発生しやすい。この種の傷を持つ導
電性積層フィルムを用いてＴＡＢの製造を行うと、回路
の断線が生じることがあり、歩留まりが低下する。
ィブめっき工程や、半導体の実装工程におけるエッチン
グ等で、高温、高湿などの環境にさらされると、金属膜
が剥離することがある。 （２） フィルム基材を連続走行させつつ金属膜を蒸着
形成する過程で、金属膜の表面とフィルム送りロールの
表面が接触するが、この時、金属膜の局部的剥離により
金属膜に微細な傷が発生しやすい。この種の傷を持つ導
電性積層フィルムを用いてＴＡＢの製造を行うと、回路
の断線が生じることがあり、歩留まりが低下する。
【００１０】上記（１），（２）の理由から、二層ＴＡ
Ｂ用の導電性積層フィルムとしては、比較的金属膜との
接合性が良いＰＭＤＡ系ポリイミドをフィルム基材とし
た製品しか製造されていないのが現状である。
Ｂ用の導電性積層フィルムとしては、比較的金属膜との
接合性が良いＰＭＤＡ系ポリイミドをフィルム基材とし
た製品しか製造されていないのが現状である。
【００１１】なお、この種の導電性積層フィルムはＴＡ
Ｂ用のみに使用されるものではなく、ＦＰＣにも使用さ
れ、ＦＰＣ用導電性積層フィルムにも前記同様の問題が
生じている。
Ｂ用のみに使用されるものではなく、ＦＰＣにも使用さ
れ、ＦＰＣ用導電性積層フィルムにも前記同様の問題が
生じている。
【００１２】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、ＢＰＤＡ系ポリイミドフィルム基材と金属膜の接合
性の改善を図ることにより、キャリアフィルムの薄型化
が図れ、寸法安定性も高められる導電性積層フィルムを
得ることを課題としている。
で、ＢＰＤＡ系ポリイミドフィルム基材と金属膜の接合
性の改善を図ることにより、キャリアフィルムの薄型化
が図れ、寸法安定性も高められる導電性積層フィルムを
得ることを課題としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】始めに、本発明に係る導
電性積層フィルムの製造方法から説明する。この方法で
は、まず、原料としてビフェニルテトラカルボン酸二無
水物を使用したＢＰＤＡ系ポリイミド製のフィルム基材
の少なくとも片面を、アルカリ溶液で処理することによ
り、Ｒａ値０．０２〜０．１μｍとなるように粗面化お
よび活性化する。フィルム基材の厚さは限定されない
が、一般的には１２〜１２５μｍ程度とされる。フィル
ム基材自体を組成の異なる複数の樹脂層で構成してもよ
い。
電性積層フィルムの製造方法から説明する。この方法で
は、まず、原料としてビフェニルテトラカルボン酸二無
水物を使用したＢＰＤＡ系ポリイミド製のフィルム基材
の少なくとも片面を、アルカリ溶液で処理することによ
り、Ｒａ値０．０２〜０．１μｍとなるように粗面化お
よび活性化する。フィルム基材の厚さは限定されない
が、一般的には１２〜１２５μｍ程度とされる。フィル
ム基材自体を組成の異なる複数の樹脂層で構成してもよ
い。
【００１４】アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、ヒドラジンヒドラート、過塩素酸
カリウム等から選択される物質を１種または２種以上含
有する溶液、またはその溶液にさらにエチレンジアミ
ン、ジメチルアミン等を混合した溶液を用い、例えば、
液温１０〜８０℃、処理時間１〜９０分間で浸漬処理し
て、表面粗度をＲａ値で０．０２〜０．１μｍにする。
ム、水酸化カリウム、ヒドラジンヒドラート、過塩素酸
カリウム等から選択される物質を１種または２種以上含
有する溶液、またはその溶液にさらにエチレンジアミ
ン、ジメチルアミン等を混合した溶液を用い、例えば、
液温１０〜８０℃、処理時間１〜９０分間で浸漬処理し
て、表面粗度をＲａ値で０．０２〜０．１μｍにする。
【００１５】次に、前記フィルム基材を水洗および乾燥
した後、真空処理槽内に入れ、前記フィルム基材の粗面
化および活性化した表面を、フッ素を含むガス中でプラ
ズマ処理することにより、前記表面に前記ポリイミドの
フッ素化層を形成する。プラズマ処理方法としては、グ
ロー放電法、アーク放電法、高周波放電法、マイクロ波
放電法等の公知の方法がいずれも採用できる。
した後、真空処理槽内に入れ、前記フィルム基材の粗面
化および活性化した表面を、フッ素を含むガス中でプラ
ズマ処理することにより、前記表面に前記ポリイミドの
フッ素化層を形成する。プラズマ処理方法としては、グ
ロー放電法、アーク放電法、高周波放電法、マイクロ波
放電法等の公知の方法がいずれも採用できる。
【００１６】フッ素を含むガスとしては、ＣＦ4 ，Ｃ2
Ｆ6，Ｃ3Ｆ8等のフロロカーボン、ＣＨＦ3，Ｃ2Ｈ2Ｆ4
等のハイドロフロロカーボン、Ｓ2Ｆ2，ＳＦ4等のフッ
化硫黄、ＮＦ3 等のフッ化窒素をそのまま使用しても良
いし、あるいはこれらのフッ素化合物ガスと、Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｏ2，Ｎ2等を混合したガスを用いてもよい。さら
に、フッ素ガスをＨｅ，Ａｒ等で希釈したガスを用いる
ことも可能である。
Ｆ6，Ｃ3Ｆ8等のフロロカーボン、ＣＨＦ3，Ｃ2Ｈ2Ｆ4
等のハイドロフロロカーボン、Ｓ2Ｆ2，ＳＦ4等のフッ
化硫黄、ＮＦ3 等のフッ化窒素をそのまま使用しても良
いし、あるいはこれらのフッ素化合物ガスと、Ｈｅ，Ａ
ｒ，Ｏ2，Ｎ2等を混合したガスを用いてもよい。さら
に、フッ素ガスをＨｅ，Ａｒ等で希釈したガスを用いる
ことも可能である。
【００１７】この明細書中、フッ素化層とは、フィルム
基材の表面を構成するポリイミド分子にフッ素を含む官
能基が新たに形成された表層領域を指すが、フッ素を含
む官能基は複数種混在しているものと考えられ、その構
造を特定することは困難である。フッ素化層の厚さは限
定できないが、フィルム基材の表面におけるフッ素原子
と炭素原子の存在比（Ｆ／Ｃ）で規定すると、本発明で
は１．０〜３．０程度が好適である。上記存在比が１．
０未満では十分な接合強度向上効果が得られず、３．０
より多くても同様に十分な接合強度向上効果が得られな
い。
基材の表面を構成するポリイミド分子にフッ素を含む官
能基が新たに形成された表層領域を指すが、フッ素を含
む官能基は複数種混在しているものと考えられ、その構
造を特定することは困難である。フッ素化層の厚さは限
定できないが、フィルム基材の表面におけるフッ素原子
と炭素原子の存在比（Ｆ／Ｃ）で規定すると、本発明で
は１．０〜３．０程度が好適である。上記存在比が１．
０未満では十分な接合強度向上効果が得られず、３．０
より多くても同様に十分な接合強度向上効果が得られな
い。
【００１８】次に、フィルム基材に形成されたフッ素化
層上に、クロム、銀およびパラジウムから選択される１
種または２種以上の金属からなる下地層を、乾式めっき
法によって形成する。乾式めっき法としては従来公知の
蒸着方法がいずれも使用可能である。いずれの材質を使
用した場合にも、下地層の膜厚は１０〜１００オングス
トロームが好ましい。１０オングストロームより薄いと
接合性向上効果が低く、１００オングストロームより厚
いと生産性が低下する。
層上に、クロム、銀およびパラジウムから選択される１
種または２種以上の金属からなる下地層を、乾式めっき
法によって形成する。乾式めっき法としては従来公知の
蒸着方法がいずれも使用可能である。いずれの材質を使
用した場合にも、下地層の膜厚は１０〜１００オングス
トロームが好ましい。１０オングストロームより薄いと
接合性向上効果が低く、１００オングストロームより厚
いと生産性が低下する。
【００１９】次に、下地層上に、銅または銅合金からな
る導電層を乾式めっきにより形成する。乾式めっき法
は、前記と同じく公知の蒸着方法のいずれでも良い。導
電層の膜厚は、導電性積層フィルムの用途に応じて自由
に設定して良いが、通常は１０００〜１００００オング
ストロームとされる。導電層に使用可能な銅合金として
はジルコニウム添加銅，錫添加銅，ニッケル添加銅など
が例示できるが、これらに限定されることはない。
る導電層を乾式めっきにより形成する。乾式めっき法
は、前記と同じく公知の蒸着方法のいずれでも良い。導
電層の膜厚は、導電性積層フィルムの用途に応じて自由
に設定して良いが、通常は１０００〜１００００オング
ストロームとされる。導電層に使用可能な銅合金として
はジルコニウム添加銅，錫添加銅，ニッケル添加銅など
が例示できるが、これらに限定されることはない。
【００２０】なお、本発明の製造方法において、前記プ
ラズマ処理工程、下地層の蒸着工程、あるいは導電層の
蒸着工程のうち少なくとも１工程では、ポリイミドフィ
ルム基材をヒーター等で１００〜４００℃、好ましくは
１５０〜２８０℃に加熱しながら処理することが望まし
い。この温度範囲での加熱処理を行うと、フィルム基材
の表面の清浄化作用および表面での蒸着分子の拡散作用
により、金属膜とフィルム基材との接合性をより向上で
きる。
ラズマ処理工程、下地層の蒸着工程、あるいは導電層の
蒸着工程のうち少なくとも１工程では、ポリイミドフィ
ルム基材をヒーター等で１００〜４００℃、好ましくは
１５０〜２８０℃に加熱しながら処理することが望まし
い。この温度範囲での加熱処理を行うと、フィルム基材
の表面の清浄化作用および表面での蒸着分子の拡散作用
により、金属膜とフィルム基材との接合性をより向上で
きる。
【００２１】以上の工程を経ることにより、本発明に係
る導電性積層フィルムが得られる。ただし、必要によっ
ては、前記導電層上にさらに銅または銅合金の電解また
は無電解めっきを施して厚肉化し、いっそう導電性を高
めてもよい。また、前記各工程をフィルム基材の両面に
対して行い、フィルム基材の両面に金属蒸着層を設けて
もよい。
る導電性積層フィルムが得られる。ただし、必要によっ
ては、前記導電層上にさらに銅または銅合金の電解また
は無電解めっきを施して厚肉化し、いっそう導電性を高
めてもよい。また、前記各工程をフィルム基材の両面に
対して行い、フィルム基材の両面に金属蒸着層を設けて
もよい。
【００２２】なお、本発明の導電性積層フィルムおよび
その製造方法は、ＴＡＢのみならずＦＰＣにも有効に使
用可能である。
その製造方法は、ＴＡＢのみならずＦＰＣにも有効に使
用可能である。
【００２３】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明の効果を実証す
る。 （実施例１）ＢＰＤＡ系ポリイミドフィルム基材とし
て、宇部興産株式会社製の「ユーピレックス−Ｓ」（商
品名）：７５μｍ厚を使用し、このフィルム基材を以下
の組成からなるアルカリ溶液に室温で９０分間浸漬し、
その後、水洗して乾燥した。フィルム基材の両面の表面
粗さはＲａ値で０．０４μｍとなった。
る。 （実施例１）ＢＰＤＡ系ポリイミドフィルム基材とし
て、宇部興産株式会社製の「ユーピレックス−Ｓ」（商
品名）：７５μｍ厚を使用し、このフィルム基材を以下
の組成からなるアルカリ溶液に室温で９０分間浸漬し、
その後、水洗して乾燥した。フィルム基材の両面の表面
粗さはＲａ値で０．０４μｍとなった。
【００２４】アルカリ溶液の組成 水酸化ナトリウム： ４０ｗｔ％ ヒドラジンヒドラート： １８ｗｔ％ エチレンジアミン： ７ｗｔ％
【００２５】次に、表面を粗面化したフィルム基材を真
空処理槽に入れ、槽内を一旦真空排気した後、処理ガス
としてＮＦ3 を槽内に導入し、ＲＦ放電方式により下記
条件でプラズマ処理を行なった。処理中はフィルム基材
をヒーターで加熱した。このプラズマ処理により、フィ
ルム基材の表面におけるフッ素原子と炭素原子の存在比
（Ｆ／Ｃ）は１．７になった。
空処理槽に入れ、槽内を一旦真空排気した後、処理ガス
としてＮＦ3 を槽内に導入し、ＲＦ放電方式により下記
条件でプラズマ処理を行なった。処理中はフィルム基材
をヒーターで加熱した。このプラズマ処理により、フィ
ルム基材の表面におけるフッ素原子と炭素原子の存在比
（Ｆ／Ｃ）は１．７になった。
【００２６】プラズマ処理条件 フィルム基材加熱温度： １５０℃ ガス導入圧力： ４〜７×１０-2Ｔｏｒｒ ＲＦ放電電力： ２００Ｗ プラズマ処理時間： １５分
【００２７】次いで、同一真空槽内において、前記プラ
ズマ処理面に対し下記条件で蒸着を行ない、下地層を形
成した。 下地層物質： Ｃｒ 下地層膜厚： ５０オングストローム フィルム基材加熱温度： １５０℃
ズマ処理面に対し下記条件で蒸着を行ない、下地層を形
成した。 下地層物質： Ｃｒ 下地層膜厚： ５０オングストローム フィルム基材加熱温度： １５０℃
【００２８】さらに、同一真空層内で下記条件により蒸
着を行い、導電層を形成して実施例１の導電性積層フィ
ルムを得た。 導電層物質： Ｃｕ 導電層膜厚： ３０００オングストローム フィルム基材加熱温度： １５０℃
着を行い、導電層を形成して実施例１の導電性積層フィ
ルムを得た。 導電層物質： Ｃｕ 導電層膜厚： ３０００オングストローム フィルム基材加熱温度： １５０℃
【００２９】（実施例２）下地層形成時および導電層形
成時におけるフィルム基材の加熱を止めた以外は、実施
例１と全く同様の処理を行い、実施例２の導電性積層フ
ィルムを得た。
成時におけるフィルム基材の加熱を止めた以外は、実施
例１と全く同様の処理を行い、実施例２の導電性積層フ
ィルムを得た。
【００３０】（実施例３）プラズマ処理時および導電層
形成時におけるフィルム基材の加熱を止めた以外は、実
施例１と全く同様の処理を行い、実施例３の導電性積層
フィルムを得た。
形成時におけるフィルム基材の加熱を止めた以外は、実
施例１と全く同様の処理を行い、実施例３の導電性積層
フィルムを得た。
【００３１】（実施例４）プラズマ処理時および下地層
形成時におけるフィルム基材の加熱を止めた以外は、実
施例１と全く同様の処理を行い、実施例４の導電性積層
フィルムを得た。
形成時におけるフィルム基材の加熱を止めた以外は、実
施例１と全く同様の処理を行い、実施例４の導電性積層
フィルムを得た。
【００３２】（実施例５）下地層として、Ｃｒの代わり
にＰｄを５０オングストロームにした点以外は、実施例
１と全く同様の処理を行い、実施例５の導電性積層フィ
ルムを得た。
にＰｄを５０オングストロームにした点以外は、実施例
１と全く同様の処理を行い、実施例５の導電性積層フィ
ルムを得た。
【００３３】（比較例１）前記ポリイミドフィルム基材
に、前記アルカリ溶液による処理を行なわないこと以外
は、実施例１と全く同様の処理を行い、比較例１の導電
性積層フィルムを得た。
に、前記アルカリ溶液による処理を行なわないこと以外
は、実施例１と全く同様の処理を行い、比較例１の導電
性積層フィルムを得た。
【００３４】（比較例２）前記ポリイミドフィルム基材
に、前記プラズマ処理を行なわないこと以外は、実施例
１と全く同様の処理を行い、比較例２の導電性積層フィ
ルムを得た。
に、前記プラズマ処理を行なわないこと以外は、実施例
１と全く同様の処理を行い、比較例２の導電性積層フィ
ルムを得た。
【００３５】（比較例３）プラズマ処理時、下地層形成
時および導電層形成時のいずれにおいても前記ポリイミ
ドフィルム基材を加熱しないこと以外は、実施例１と全
く同様の処理を行い、比較例３の導電性積層フィルムを
得た。
時および導電層形成時のいずれにおいても前記ポリイミ
ドフィルム基材を加熱しないこと以外は、実施例１と全
く同様の処理を行い、比較例３の導電性積層フィルムを
得た。
【００３６】（比較例４）前記ポリイミドフィルム基材
に、アルカリ溶液による処理、およびプラズマ処理を行
なわないこと以外は、実施例１と全く同様の処理を行
い、比較例４の導電性積層フィルムを得た。
に、アルカリ溶液による処理、およびプラズマ処理を行
なわないこと以外は、実施例１と全く同様の処理を行
い、比較例４の導電性積層フィルムを得た。
【００３７】（比較実験）実施例１〜５および比較例１
〜４の導電性積層フィルムの金属膜上に、通常の硫酸銅
浴により銅めっきを２０μｍ厚さに形成し、これらシー
トから幅１０ｍｍ、長さ１５０ｍｍの短冊状試料を切り
出した。そしてＩＰＣ−ＴＭ−６５０（米国プリント回
路工業会規格試験法）による方法で、フィルム基材と金
属膜間の剥離強度を測定した。
〜４の導電性積層フィルムの金属膜上に、通常の硫酸銅
浴により銅めっきを２０μｍ厚さに形成し、これらシー
トから幅１０ｍｍ、長さ１５０ｍｍの短冊状試料を切り
出した。そしてＩＰＣ−ＴＭ−６５０（米国プリント回
路工業会規格試験法）による方法で、フィルム基材と金
属膜間の剥離強度を測定した。
【００３８】この試験法は、前記短冊状試験片のポリイ
ミドフィルム側を６インチの直径のドラムの外周に周方
向へ向けて接着固定したうえ、金属膜の一端を治具で５
ｃｍ／分でポリイミドフィルムから剥離させながら引っ
張り、それに要する荷重を測定する方法である。結果は
表１および表２の通りだった。
ミドフィルム側を６インチの直径のドラムの外周に周方
向へ向けて接着固定したうえ、金属膜の一端を治具で５
ｃｍ／分でポリイミドフィルムから剥離させながら引っ
張り、それに要する荷重を測定する方法である。結果は
表１および表２の通りだった。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】上表から明らかなように、アルカリ溶液処
理およびプラズマ処理を両方とも行った実施例１〜５で
は、アルカリ溶液処理を省略した比較例１、プラズマ処
理を省略した比較例２に比して、剥離強度が向上した。
理およびプラズマ処理を両方とも行った実施例１〜５で
は、アルカリ溶液処理を省略した比較例１、プラズマ処
理を省略した比較例２に比して、剥離強度が向上した。
【００４２】また、プラズマ処理時、下地層形成時およ
び導電層形成時のいずれか１工程においてフィルム基材
を加熱した実施例２，３，４では、これら処理時に全く
加熱を行わなかった比較例３に比して、剥離強度が向上
した。
び導電層形成時のいずれか１工程においてフィルム基材
を加熱した実施例２，３，４では、これら処理時に全く
加熱を行わなかった比較例３に比して、剥離強度が向上
した。
【００４３】さらに、プラズマ処理時、下地層形成時お
よび導電層形成時のいずれか１工程のみにおいてフィル
ム基材を加熱した実施例２，３，４と、これら処理時の
全てにおいてフィルム基材を加熱した実施例１とは、剥
離強度の差が小さく、いずれか１工程でフィルム基材を
加熱すれば十分であることがわかった。
よび導電層形成時のいずれか１工程のみにおいてフィル
ム基材を加熱した実施例２，３，４と、これら処理時の
全てにおいてフィルム基材を加熱した実施例１とは、剥
離強度の差が小さく、いずれか１工程でフィルム基材を
加熱すれば十分であることがわかった。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る導電
性積層フィルムおよびその製造方法によれば、ＢＰＤＡ
系ポリイミド製フィルム基材と導電層との間にクロム、
銀、パラジウム等の下地層を形成するとともに、フィル
ム基材の、下地層との接合面をＲａ値０．０２〜０．１
μｍの粗面にし、さらにこの粗面にポリイミドのフッ素
化層を形成しているので、従来接合が困難だったＢＰＤ
Ａ系ポリイミド製フィルム基材と金属膜の剥離強度を実
用可能な程度にまで高めることができる。
性積層フィルムおよびその製造方法によれば、ＢＰＤＡ
系ポリイミド製フィルム基材と導電層との間にクロム、
銀、パラジウム等の下地層を形成するとともに、フィル
ム基材の、下地層との接合面をＲａ値０．０２〜０．１
μｍの粗面にし、さらにこの粗面にポリイミドのフッ素
化層を形成しているので、従来接合が困難だったＢＰＤ
Ａ系ポリイミド製フィルム基材と金属膜の剥離強度を実
用可能な程度にまで高めることができる。
フロントページの続き (72)発明者 大竹 重成 福島県会津若松市扇町128の７ 三菱伸 銅株式会社 若松製作所内 (56)参考文献 特開 平３−274261（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−216931（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B32B 15/08 B32B 7/02 104 B32B 15/01 C08J 7/00 306
Claims (3)
- 【請求項１】原料としてビフェニルテトラカルボン酸二
無水物を使用したＢＰＤＡ系ポリイミド製のフィルム基
材と、このフィルム基材の少なくとも片面に形成された
クロム、銀、パラジウムから選択される１種または２種
以上の金属からなる下地層と、この下地層上に形成され
た銅または銅合金からなる導電層とを具備し、前記フィ
ルム基材の前記下地層との接合面は、表面粗さがＲａ値
０．０２〜０．１μｍの粗面とされ、この粗面には前記
ポリイミドのフッ素化層が形成され、このフッ素化層を
介して前記フィルム基材と前記下地層とが接合されてい
ることを特徴とする導電性積層フィルム。 - 【請求項２】前記下地層の厚さは、１０〜１００オング
ストロームであることを特徴とする請求項１記載の導電
性積層フィルム。 - 【請求項３】以下の工程を具備することを特徴とする導
電性積層フィルムの製造方法。 （ａ） 原料としてビフェニルテトラカルボン酸二無水
物を使用したＢＰＤＡ系ポリイミド製のフィルム基材の
少なくとも片面を、アルカリ溶液で処理することによ
り、Ｒａ値０．０２〜０．１μｍとなるように粗面化お
よび活性化する工程、 （ｂ） 前記フィルム基材の粗面化および活性化した表
面を、フッ素を含むガス中でプラズマ処理することによ
り、前記表面に前記ポリイミドのフッ素化層を形成する
工程、 （ｃ） 前記フッ素化層上に、クロム、銀、パラジウム
から選択される１種または２種以上の金属からなる下地
層を乾式めっき法によって形成する工程、 （ｄ） 前記下地層上に、銅または銅合金層を乾式めっ
き法によって形成する工程、 （ｅ） 前記（ｂ），（ｃ）および（ｄ）の少なくとも
１つの工程中に前記フィルム基材を１００〜４００℃に
加熱する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4297427A JP3037519B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 導電性積層フィルムおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4297427A JP3037519B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 導電性積層フィルムおよびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06143491A JPH06143491A (ja) | 1994-05-24 |
| JP3037519B2 true JP3037519B2 (ja) | 2000-04-24 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP4297427A Expired - Fee Related JP3037519B2 (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 導電性積層フィルムおよびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3037519B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2626559B2 (ja) * | 1994-06-13 | 1997-07-02 | 日本電気株式会社 | 含フッ素ポリイミドの製造方法 |
| JP2003011273A (ja) * | 2001-07-02 | 2003-01-15 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 金属化ポリイミドフィルム |
| KR102469768B1 (ko) * | 2021-10-26 | 2022-11-22 | 도레이첨단소재 주식회사 | 동박적층필름 및 이를 포함하는 전자소자 |
| KR102482417B1 (ko) * | 2021-12-20 | 2022-12-28 | 도레이첨단소재 주식회사 | 동박적층필름 및 이를 포함하는 전자소자 |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP4297427A patent/JP3037519B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06143491A (ja) | 1994-05-24 |
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