JP3031062B2 - ヒートシンク基板 - Google Patents
ヒートシンク基板Info
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- JP3031062B2 JP3031062B2 JP4143990A JP14399092A JP3031062B2 JP 3031062 B2 JP3031062 B2 JP 3031062B2 JP 4143990 A JP4143990 A JP 4143990A JP 14399092 A JP14399092 A JP 14399092A JP 3031062 B2 JP3031062 B2 JP 3031062B2
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- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- optical
- substrate
- sink substrate
- electric
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバを用いた光通
信システムに適用される光増幅器等に使用されるヒート
シンク基板に関するものである。
信システムに適用される光増幅器等に使用されるヒート
シンク基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のヒートシンク基板を光増幅器に使
用した場合について図６により説明する。
用した場合について図６により説明する。
【０００３】図５は光増幅器の分解斜視図であり、図６
はブロック図である。同図によると、光増幅器は１段目
ヒートシンク基板１５上に実装された光信号のインプッ
トおよびアウトプット端子である光コネクタ１と、２段
目基板１６上に実装され光信号の増幅が行われる希土類
元素エルビウムイオンをドープした光ファイバ（以後エ
ルビウムドープファイバと称す）２と、１段目ヒートシ
ンク基板１５上に実装された光増幅のための励起光源で
あるポンプレーザモジュール３と、１段目ヒートシンク
基板１５上に実装されこのポンプレーザモジュール３を
駆動させ光出力およびポンプレーザモジュール３内のレ
ーザチップ温度を制御するオートパワーコントロール／
オートサーモコントロール（以下ＡＰＣ／ＡＴＣと言
う）回路４と、１段目ヒートシンク基板１５上に実装さ
れＡＰＣ／ＡＴＣ回路４に電力を供給する電気コネクタ
５と、ポンプレーザモジュール３やＡＰＣ／ＡＴＣ回路
４内に組み込まれている電気部品であるパワートランジ
スタ８と、２段目基板１６上に実装されエルビウムドー
プファイバ２の端部とポンプレーザモジュール３のファ
イバの端部が融着され、エルビウムドープファイバ２に
励起光を注入する合波カプラ６と、エルビウムドープフ
ァイバ２、ポンプレーザモジュール３および合波カプラ
６からなる光増幅部の両端にそれぞれ融着される戻り光
をカットするための光アイソレータ７により構成されて
いた。
はブロック図である。同図によると、光増幅器は１段目
ヒートシンク基板１５上に実装された光信号のインプッ
トおよびアウトプット端子である光コネクタ１と、２段
目基板１６上に実装され光信号の増幅が行われる希土類
元素エルビウムイオンをドープした光ファイバ（以後エ
ルビウムドープファイバと称す）２と、１段目ヒートシ
ンク基板１５上に実装された光増幅のための励起光源で
あるポンプレーザモジュール３と、１段目ヒートシンク
基板１５上に実装されこのポンプレーザモジュール３を
駆動させ光出力およびポンプレーザモジュール３内のレ
ーザチップ温度を制御するオートパワーコントロール／
オートサーモコントロール（以下ＡＰＣ／ＡＴＣと言
う）回路４と、１段目ヒートシンク基板１５上に実装さ
れＡＰＣ／ＡＴＣ回路４に電力を供給する電気コネクタ
５と、ポンプレーザモジュール３やＡＰＣ／ＡＴＣ回路
４内に組み込まれている電気部品であるパワートランジ
スタ８と、２段目基板１６上に実装されエルビウムドー
プファイバ２の端部とポンプレーザモジュール３のファ
イバの端部が融着され、エルビウムドープファイバ２に
励起光を注入する合波カプラ６と、エルビウムドープフ
ァイバ２、ポンプレーザモジュール３および合波カプラ
６からなる光増幅部の両端にそれぞれ融着される戻り光
をカットするための光アイソレータ７により構成されて
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、光学部品および電気部品を１段目ヒート
シンク基板１５と２段目基板１６とで実装しており、か
つ、ポンプレーザモジュール３やパワートランジスタ８
で生じる熱を放熱するためのヒートシンク１ａが取付け
られており、幅方向にある程度の厚みを必要とし、光信
号を分岐し多段階に増幅するシステムに組み込む場合に
厚みが大きすぎるという課題を有していた。
来の構成では、光学部品および電気部品を１段目ヒート
シンク基板１５と２段目基板１６とで実装しており、か
つ、ポンプレーザモジュール３やパワートランジスタ８
で生じる熱を放熱するためのヒートシンク１ａが取付け
られており、幅方向にある程度の厚みを必要とし、光信
号を分岐し多段階に増幅するシステムに組み込む場合に
厚みが大きすぎるという課題を有していた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明のヒートシンク基板は、基板に取付けられたヒ
ートシンクのフィンをアルミなどの熱伝導の良い材料の
薄板を波形にし、フィンを変形可能にしたものである。
に本発明のヒートシンク基板は、基板に取付けられたヒ
ートシンクのフィンをアルミなどの熱伝導の良い材料の
薄板を波形にし、フィンを変形可能にしたものである。
【０００６】
【作用】この構成によって、フィンが変形するためフィ
ンの放熱面積を小さくすることなくシステムに組み込む
ことのできる薄形のヒートシンク基板を提供できるもの
である。
ンの放熱面積を小さくすることなくシステムに組み込む
ことのできる薄形のヒートシンク基板を提供できるもの
である。
【０００７】
【実施例】以下本発明のヒートシンク基板を光増幅器に
使用した場合の一実施例を図１により説明する。なお、
従来技術と同一部分には同一番号を付与し、説明を省略
するとともにブロック図についても同一であるので説明
を省略して説明する。
使用した場合の一実施例を図１により説明する。なお、
従来技術と同一部分には同一番号を付与し、説明を省略
するとともにブロック図についても同一であるので説明
を省略して説明する。
【０００８】同図によると、光コネクタ１、エルビウム
ドープファイバ２、ポンプレーザモジュール３、ＡＰＣ
／ＡＴＣ回路４、電気コネクタ５、合波カプラ６、光ア
イソレータ７、およびパワートランジスタ８はアルミな
どの熱伝導の良い材料の薄板を波形にして変形しやすく
したフィン１０を取付けたヒートシンク基板９に装着さ
れている。即ち、フィン１０を変形しやすい波形とした
ので、システムとして縦列に組み込んだ時、基板２０間
のピッチに合わせてフィン１０が変形するので放熱面積
を小さくすることなく光増幅器の薄形化が図れるもので
ある。
ドープファイバ２、ポンプレーザモジュール３、ＡＰＣ
／ＡＴＣ回路４、電気コネクタ５、合波カプラ６、光ア
イソレータ７、およびパワートランジスタ８はアルミな
どの熱伝導の良い材料の薄板を波形にして変形しやすく
したフィン１０を取付けたヒートシンク基板９に装着さ
れている。即ち、フィン１０を変形しやすい波形とした
ので、システムとして縦列に組み込んだ時、基板２０間
のピッチに合わせてフィン１０が変形するので放熱面積
を小さくすることなく光増幅器の薄形化が図れるもので
ある。
【０００９】図２は本発明のヒートシンク基板を光増幅
器に使用した第２の実施例を示す側面図であり、図１の
実施例の構成と異なるのは絶縁板１２でヒートシンク基
板９に実装された光学部品および電気部品の上を覆った
点である。
器に使用した第２の実施例を示す側面図であり、図１の
実施例の構成と異なるのは絶縁板１２でヒートシンク基
板９に実装された光学部品および電気部品の上を覆った
点である。
【００１０】以上の本実施例によれば、システムに縦列
に組み込む場合に絶縁板１２はヒートシンク基板９に実
装された電気部品が隣り合う他のヒートシンク基板のフ
ィン１０に直接接触することを防ぎ、その結果フィン１
０の材質が導電物質であっても電気部品が短絡すること
を防ぐことができるものである。
に組み込む場合に絶縁板１２はヒートシンク基板９に実
装された電気部品が隣り合う他のヒートシンク基板のフ
ィン１０に直接接触することを防ぎ、その結果フィン１
０の材質が導電物質であっても電気部品が短絡すること
を防ぐことができるものである。
【００１１】また図３は本発明のヒートシンク基板を光
増幅器に使用した第３の実施例の側面図であり、図１の
構成と異なるのはエルビウムドープファイバ２、合波カ
プラ６、光アイソレータ７などの光学部品とヒートシン
ク基板９の間に熱伝導の小さい材料でできたスペーサ１
３を挟持した点である。
増幅器に使用した第３の実施例の側面図であり、図１の
構成と異なるのはエルビウムドープファイバ２、合波カ
プラ６、光アイソレータ７などの光学部品とヒートシン
ク基板９の間に熱伝導の小さい材料でできたスペーサ１
３を挟持した点である。
【００１２】以上の本実施例によれば、光学部品とヒー
トシンク基板９とが断熱されることになり、その結果、
同一基板上にポンプレーザモジュール３、パワートラン
ジスタ８などの発熱体を実装してもエルビウムドープフ
ァイバ２、合波カプラ６、光アイソレータ７などの温度
特性をもつ光学部品に熱が伝導することなく本来の性能
を保つことができるものである。
トシンク基板９とが断熱されることになり、その結果、
同一基板上にポンプレーザモジュール３、パワートラン
ジスタ８などの発熱体を実装してもエルビウムドープフ
ァイバ２、合波カプラ６、光アイソレータ７などの温度
特性をもつ光学部品に熱が伝導することなく本来の性能
を保つことができるものである。
【００１３】図４は本発明のヒートシンク基板を使用し
た増幅器の第４の実施例の斜視図であり、図１の構成と
異なるのは電気部品および光学部品を実装するためのヒ
ートシンク基板１４を熱伝導率の良い左右２枚の基板の
間に熱伝導率の良い波板を挟み込んだ構造とし、トラン
ジスタ８などの電気部品および光アイソレータなどの光
学部品に隣接する基板および波板を部品形状に合わせて
くり抜いたくり抜き部１４ａを設けている点である。
た増幅器の第４の実施例の斜視図であり、図１の構成と
異なるのは電気部品および光学部品を実装するためのヒ
ートシンク基板１４を熱伝導率の良い左右２枚の基板の
間に熱伝導率の良い波板を挟み込んだ構造とし、トラン
ジスタ８などの電気部品および光アイソレータなどの光
学部品に隣接する基板および波板を部品形状に合わせて
くり抜いたくり抜き部１４ａを設けている点である。
【００１４】以上のように本実施例によれば、電気部品
および光学部品の実装空間にヒートシンクが設けられる
ことになり、その結果光増幅器のさらなる薄形化が可能
となるものである。
および光学部品の実装空間にヒートシンクが設けられる
ことになり、その結果光増幅器のさらなる薄形化が可能
となるものである。
【００１５】なお、上記各実施例は光増幅器について説
明したが、ヒートシンク機能を有する他の用途に用いら
れる場合も同様の効果を有するものであり、本発明の範
囲にあることは勿論である。
明したが、ヒートシンク機能を有する他の用途に用いら
れる場合も同様の効果を有するものであり、本発明の範
囲にあることは勿論である。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、ヒートシンク基
板に取付けられているフィンをアルミなどの熱伝導の良
い材料の薄板を波形にしたものとすることにより変形可
能となり、その結果システムに縦列に組み込んだ時、各
基板間のピッチに合わせてフィンが変形するので放熱面
積を小さくすることなく良好に放熱を行うことができる
ものである。
板に取付けられているフィンをアルミなどの熱伝導の良
い材料の薄板を波形にしたものとすることにより変形可
能となり、その結果システムに縦列に組み込んだ時、各
基板間のピッチに合わせてフィンが変形するので放熱面
積を小さくすることなく良好に放熱を行うことができる
ものである。
【図１】本発明のヒートシンク基板の一実施例である光
増幅器の一部破断した斜視図
増幅器の一部破断した斜視図
【図２】同第２の実施例であるヒートシンク基板を用い
た光増幅器の側面図
た光増幅器の側面図
【図３】同第３の実施例であるヒートシンク基板を用い
た光増幅器の側面図
た光増幅器の側面図
【図４】同第４の実施例であるヒートシンク基板を用い
た光増幅器の斜視図
た光増幅器の斜視図
【図５】従来の光増幅器の斜視図
【図６】同ブロック図
９ ヒートシンク基板 １０ フィン １２ 絶縁板 １３ スペーサ １４ａ くり抜き部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−292696（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−127262（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−156295（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−136195（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−129397（ＪＰ，Ｕ) 実開 平２−20367（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 7/20 F28F 3/04 H01L 23/12 H05K 1/02
Claims (4)
- 【請求項１】 電気部品および光学部品が実装された基
板と、この基板に設けられたヒートシンクのフィンとか
らなり、このフィンは、変形可能な波形の熱伝導の良い
材料の薄板からなることを特徴とするヒートシンク基
板。 - 【請求項２】 電気部品および光学部品の上を絶縁板で
覆ったことを特徴とする請求項１記載のヒートシンク基
板。 - 【請求項３】 光学部品と基板の間に熱伝導防止のため
の絶縁体を介在させたことを特徴とする請求項１記載の
ヒートシンク基板。 - 【請求項４】 電気部品および光学部品を実装する基板
を熱伝導率の良い２枚の基板の間に熱伝導率の良い変形
可能な波形の波板を挟み込んだ構造とするとともに、こ
の基板を縦列で並べた時、一方の電気部品および光学部
品と隣接する他方の基板と波板を上記電気部品および光
学部品の部品形状に合わせてくり抜いたくり抜き部を有
するものとしたヒートシンク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4143990A JP3031062B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | ヒートシンク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4143990A JP3031062B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | ヒートシンク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343872A JPH05343872A (ja) | 1993-12-24 |
| JP3031062B2 true JP3031062B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=15351747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4143990A Expired - Fee Related JP3031062B2 (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | ヒートシンク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3031062B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6269863B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-08-07 | Molex Incorporated | Integrated processor mounting mechanism and heat sink |
| JP5412739B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2014-02-12 | 富士通株式会社 | 光増幅装置 |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP4143990A patent/JP3031062B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05343872A (ja) | 1993-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |