JP3028889B2 - 直流半導体遮断器 - Google Patents
直流半導体遮断器Info
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- JP3028889B2 JP3028889B2 JP4318529A JP31852992A JP3028889B2 JP 3028889 B2 JP3028889 B2 JP 3028889B2 JP 4318529 A JP4318529 A JP 4318529A JP 31852992 A JP31852992 A JP 31852992A JP 3028889 B2 JP3028889 B2 JP 3028889B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、直流電力ラインの負
荷短絡等による過電流を検出して高速応答で定電流制御
を伴う遮断（以後限流遮断という）を行う直流半導体遮
断器の限流遮断時間の設定回路に関する。
荷短絡等による過電流を検出して高速応答で定電流制御
を伴う遮断（以後限流遮断という）を行う直流半導体遮
断器の限流遮断時間の設定回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の直流半導体遮断器として
図３に示す構成のものが有った。図において、１は直流
電力ラインの被遮断電流ＩLを遮断する遮断部、２はこ
の遮断部をオン／−オフ及び限流駆動する限流駆動回
路、３と４は遮断部１の限流動作を検出するための分圧
抵抗、５は第１の基準電圧ＶPと限流モニタ信号ＶEの大
小関係を比較する第１のコンパレータ、６は第１のコン
パレータ５の出力電圧ＶDを時間で積分する積分回路、
７は積分回路６の出力電圧ＶIと第２の基準電圧ＶSの大
小関係を比較する第２のコンパレータ、ＶCはこの第２
のコンパレータ７から出力される遮断部オン／オフ制御
信号である。
図３に示す構成のものが有った。図において、１は直流
電力ラインの被遮断電流ＩLを遮断する遮断部、２はこ
の遮断部をオン／−オフ及び限流駆動する限流駆動回
路、３と４は遮断部１の限流動作を検出するための分圧
抵抗、５は第１の基準電圧ＶPと限流モニタ信号ＶEの大
小関係を比較する第１のコンパレータ、６は第１のコン
パレータ５の出力電圧ＶDを時間で積分する積分回路、
７は積分回路６の出力電圧ＶIと第２の基準電圧ＶSの大
小関係を比較する第２のコンパレータ、ＶCはこの第２
のコンパレータ７から出力される遮断部オン／オフ制御
信号である。
【０００３】従来の直流半導体遮断器は上記のように構
成され、被遮断電流ＩLがこの直流半導体遮断器の限流
電流レベルＩLMT以下のときは遮断部１は限流駆動回路
２によりオン状態に駆動されている。遮断部１は電界効
果トランジスタ（以後ＦＥＴという）で構成されてお
り、オン状態駆動においては飽和駆動状態となっている
ため遮断部１のドレイン／ソース間はほぼ０Ｖ（１Ｖ以
下）に近い状態になっている。負荷短絡等により被遮断
電流ＩLが限流電流レベルＩLMTを越える様な過電流状態
においては、直流半導体遮断器は限流動作すなわち定電
流制御動作を行うため、遮断部１のドレイン／ソース間
の電圧ＶDSは式（１）で表される値が印加された状態と
なっている。 ＶDS＝ＶBUS−ＺL×ＩLMT ・・・（１） ここで、ＶBUSは直流電力ラインの電源電圧、ＺLは過電
流状態にある負荷のインピーダンス、ＩLMTは直流半導
体遮断器の限流電流レベルを示す。
成され、被遮断電流ＩLがこの直流半導体遮断器の限流
電流レベルＩLMT以下のときは遮断部１は限流駆動回路
２によりオン状態に駆動されている。遮断部１は電界効
果トランジスタ（以後ＦＥＴという）で構成されてお
り、オン状態駆動においては飽和駆動状態となっている
ため遮断部１のドレイン／ソース間はほぼ０Ｖ（１Ｖ以
下）に近い状態になっている。負荷短絡等により被遮断
電流ＩLが限流電流レベルＩLMTを越える様な過電流状態
においては、直流半導体遮断器は限流動作すなわち定電
流制御動作を行うため、遮断部１のドレイン／ソース間
の電圧ＶDSは式（１）で表される値が印加された状態と
なっている。 ＶDS＝ＶBUS−ＺL×ＩLMT ・・・（１） ここで、ＶBUSは直流電力ラインの電源電圧、ＺLは過電
流状態にある負荷のインピーダンス、ＩLMTは直流半導
体遮断器の限流電流レベルを示す。
【０００４】このような遮断部１の動作状態は分圧抵抗
３、４によって作られる限流モニタ信号ＶEと、第１の
基準電圧ＶPを第１のコンパレータ５によって比較する
ことでモニタされている。なお、分圧抵抗３、４は遮断
部１のオフ状態を保ち得るよう十分高い抵抗値が用いら
れている。
３、４によって作られる限流モニタ信号ＶEと、第１の
基準電圧ＶPを第１のコンパレータ５によって比較する
ことでモニタされている。なお、分圧抵抗３、４は遮断
部１のオフ状態を保ち得るよう十分高い抵抗値が用いら
れている。
【０００５】遮断部１がオン状態駆動においては、限流
モニタ信号ＶEは第１の基準電圧ＶPよりも十分小となる
ように設定されており、第１のコンパレータ５の出力電
圧ＶD及び積分回路６の出力電圧ＶIはローレベルとな
り、積分回路６の出力電圧ＶIは第２の基準電圧ＶSより
も小となって、遮断部オン／オフ制御信号ＶCはハイレ
ベルとなり、限流駆動回路２は遮断部１をオン状態駆動
に保持する。
モニタ信号ＶEは第１の基準電圧ＶPよりも十分小となる
ように設定されており、第１のコンパレータ５の出力電
圧ＶD及び積分回路６の出力電圧ＶIはローレベルとな
り、積分回路６の出力電圧ＶIは第２の基準電圧ＶSより
も小となって、遮断部オン／オフ制御信号ＶCはハイレ
ベルとなり、限流駆動回路２は遮断部１をオン状態駆動
に保持する。
【０００６】遮断部１が限流駆動状態になった場合、限
流モニタ信号ＶEは第１の基準電圧ＶPよりも大となるよ
うに設定されており、第１のコンパレータ５の出力電圧
ＶDはハイレベルとなり、積分回路６の出力電圧ＶIは積
分回路６による第１のコンパレータ５の出力電圧ＶDの
積分値としてローレベルから時間の経過を伴って上昇す
る。そして積分回路６の出力電圧ＶIが第２の基準電圧
ＶSよりも大となったところで遮断部オン／オフ制御信
号ＶCがハイレベルからローレベルに反転して遮断部１
はオフ状態すなわち遮断される。
流モニタ信号ＶEは第１の基準電圧ＶPよりも大となるよ
うに設定されており、第１のコンパレータ５の出力電圧
ＶDはハイレベルとなり、積分回路６の出力電圧ＶIは積
分回路６による第１のコンパレータ５の出力電圧ＶDの
積分値としてローレベルから時間の経過を伴って上昇す
る。そして積分回路６の出力電圧ＶIが第２の基準電圧
ＶSよりも大となったところで遮断部オン／オフ制御信
号ＶCがハイレベルからローレベルに反転して遮断部１
はオフ状態すなわち遮断される。
【０００７】なお、遮断部１が限流駆動状態に入って
後、積分回路６の出力電圧ＶIが第２の基準電圧ＶSを越
える以前にオン状態駆動に戻った場合は、遮断部１はオ
ン状態駆動が保持される。
後、積分回路６の出力電圧ＶIが第２の基準電圧ＶSを越
える以前にオン状態駆動に戻った場合は、遮断部１はオ
ン状態駆動が保持される。
【０００８】以上の動作における各部の信号及び電圧電
流の変化を、時間の経過に対応して示したものを図４に
示す。
流の変化を、時間の経過に対応して示したものを図４に
示す。
【０００９】なお、説明において信号又は電圧レベルに
関して正負又はハイ／ローの表現を用いているものは相
対的な概念であり、正負反転して構成しても同様の機能
が得られる。
関して正負又はハイ／ローの表現を用いているものは相
対的な概念であり、正負反転して構成しても同様の機能
が得られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のような直流半導
体遮断器では、オフ状態の時でも遮断部１のドレイン／
ソース間に接続されている分圧抵抗３、４を経由して下
流に接続される負荷に対してリーク電流が流れるため、
感電事故の危険性が有るという問題点が有った。また、
遮断部１の動作状態は分圧抵抗３、４によって検出され
るため、式（１）において負荷のインピーダンスＺLが
短絡状態では無く、特定のインピーダンスを有して限流
動作が行われている場合、遮断部１のドレイン／ソース
間の電圧ＶDSは直流電力ラインの電源電圧ＶBUSよりも
十分低い値となることが有り、この場合限流モニタ信号
ＶEが第１の基準電圧ＶPよりも大きくなり得ず、遮断部
１の限流動作状態が検出されないために遮断動作に至ら
ず、遮断部１には式（２）で表される電力量Ｐが印加さ
れる状態となり、時間の経過につれて遮断部１が温度上
昇し、破壊に至るという問題が有った。 Ｐ＝ＶDS×ＩLMT×ｔ ・・・（２） ここで、ｔはオン状態継続時間を示す。
体遮断器では、オフ状態の時でも遮断部１のドレイン／
ソース間に接続されている分圧抵抗３、４を経由して下
流に接続される負荷に対してリーク電流が流れるため、
感電事故の危険性が有るという問題点が有った。また、
遮断部１の動作状態は分圧抵抗３、４によって検出され
るため、式（１）において負荷のインピーダンスＺLが
短絡状態では無く、特定のインピーダンスを有して限流
動作が行われている場合、遮断部１のドレイン／ソース
間の電圧ＶDSは直流電力ラインの電源電圧ＶBUSよりも
十分低い値となることが有り、この場合限流モニタ信号
ＶEが第１の基準電圧ＶPよりも大きくなり得ず、遮断部
１の限流動作状態が検出されないために遮断動作に至ら
ず、遮断部１には式（２）で表される電力量Ｐが印加さ
れる状態となり、時間の経過につれて遮断部１が温度上
昇し、破壊に至るという問題が有った。 Ｐ＝ＶDS×ＩLMT×ｔ ・・・（２） ここで、ｔはオン状態継続時間を示す。
【００１１】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたものであり、下流に接続される負荷に対する
リーク電流の発生を防いで感電事故を防止出来、また負
荷のインピーダンスに関係無く限流動作状態を検出して
遮断動作できる直流半導体遮断器を得ることを目的とし
ている。
になされたものであり、下流に接続される負荷に対する
リーク電流の発生を防いで感電事故を防止出来、また負
荷のインピーダンスに関係無く限流動作状態を検出して
遮断動作できる直流半導体遮断器を得ることを目的とし
ている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る直流半導
体遮断器においては、限流駆動状態を検出する手段とし
て、遮断部を構成するＦＥＴのゲート電圧と第１の基準
電圧との大小関係を比較する第１のコンパレータを設
け、その第１のコンパレータの出力電圧を時間で積分す
る積分回路を設け、その積分回路出力電圧を第２の基準
電圧と比較する第２のコンパレータを設け、その第２の
コンパレータの出力を遮断部オン／オフ信号としたもの
である。
体遮断器においては、限流駆動状態を検出する手段とし
て、遮断部を構成するＦＥＴのゲート電圧と第１の基準
電圧との大小関係を比較する第１のコンパレータを設
け、その第１のコンパレータの出力電圧を時間で積分す
る積分回路を設け、その積分回路出力電圧を第２の基準
電圧と比較する第２のコンパレータを設け、その第２の
コンパレータの出力を遮断部オン／オフ信号としたもの
である。
【００１３】
【作用】上記のように構成された直流半導体遮断器は、
遮断部１がオン状態駆動においてＦＥＴが飽和駆動され
ている時のゲート電圧と、遮断部１が限流駆動状態にお
いて定電流制御駆動されている時のゲート電圧とのレベ
ルの違いから限流駆動状態を検出しているため、遮断部
のＦＥＴのドレイン／ソース間電圧をモニタする必要が
無く、モニタ回路に伴うリーク電流の発生を無くし、下
流での感電事故を防止出来る。また、限流駆動状態にお
いて定電流制御動作時のＦＥＴゲート電圧は一定の制御
領域に有りオン状態におけるゲート電圧と明確に異なっ
たレベルとなるため、負荷のインピーダンスに関係無く
限流動作状態を検出して遮断動作できる。
遮断部１がオン状態駆動においてＦＥＴが飽和駆動され
ている時のゲート電圧と、遮断部１が限流駆動状態にお
いて定電流制御駆動されている時のゲート電圧とのレベ
ルの違いから限流駆動状態を検出しているため、遮断部
のＦＥＴのドレイン／ソース間電圧をモニタする必要が
無く、モニタ回路に伴うリーク電流の発生を無くし、下
流での感電事故を防止出来る。また、限流駆動状態にお
いて定電流制御動作時のＦＥＴゲート電圧は一定の制御
領域に有りオン状態におけるゲート電圧と明確に異なっ
たレベルとなるため、負荷のインピーダンスに関係無く
限流動作状態を検出して遮断動作できる。
【００１４】
実施例１．図１はこの発明の一実施例を示す図面であ
り、１、２、及び６、７、ＩL、ＶP、ＶD、ＶI、ＶS、
ＶC、は従来装置と全く同一のものである。ＶGは遮断部
１を構成するＦＥＴのゲート電圧、５はゲート電圧ＶG
と第１の基準電圧ＶPの大小関係を比較する第１のコン
パレータである。
り、１、２、及び６、７、ＩL、ＶP、ＶD、ＶI、ＶS、
ＶC、は従来装置と全く同一のものである。ＶGは遮断部
１を構成するＦＥＴのゲート電圧、５はゲート電圧ＶG
と第１の基準電圧ＶPの大小関係を比較する第１のコン
パレータである。
【００１５】前記のように構成された直流半導体遮断器
において、遮断部１がオン状態で動作しているときは、
ゲート電圧ＶGは遮断部１を構成するＦＥＴを飽和駆動
するのに十分な電圧である約５Ｖよりも十分大きな値と
して通常１０Ｖ以上に設定されている。遮断部１が限流
駆動状態においては遮断部１を構成するＦＥＴは定電流
制御駆動され、能動領域動作状態となるため、ゲート電
圧ＶGは通常２Ｖ〜５Ｖの範囲に制御される。従ってゲ
ート電圧ＶGは負荷のインピーダンスに関係無く遮断部
１の動作状態に対応した上記のいずれか片方の値を示
す。
において、遮断部１がオン状態で動作しているときは、
ゲート電圧ＶGは遮断部１を構成するＦＥＴを飽和駆動
するのに十分な電圧である約５Ｖよりも十分大きな値と
して通常１０Ｖ以上に設定されている。遮断部１が限流
駆動状態においては遮断部１を構成するＦＥＴは定電流
制御駆動され、能動領域動作状態となるため、ゲート電
圧ＶGは通常２Ｖ〜５Ｖの範囲に制御される。従ってゲ
ート電圧ＶGは負荷のインピーダンスに関係無く遮断部
１の動作状態に対応した上記のいずれか片方の値を示
す。
【００１６】そこで、第１の基準電圧ＶPの値を、遮断
部１がオン状態で動作しているときのゲート電圧ＶGよ
りも小さく、遮断部１が限流駆動状態で動作していると
きのゲート電圧ＶGよりも大きい値に設定する。
部１がオン状態で動作しているときのゲート電圧ＶGよ
りも小さく、遮断部１が限流駆動状態で動作していると
きのゲート電圧ＶGよりも大きい値に設定する。
【００１７】遮断部１がオン状態駆動においては、ゲー
ト電圧ＶGは第１の基準電圧ＶPよりも大となり、第１の
コンパレータ出力電圧ＶD及び積分回路出力電圧ＶIはロ
ーレベルとなって、積分回路出力電圧ＶIは第２の基準
電圧ＶSよりも小となって、遮断部オン／オフ制御信号
ＶCはハイレベルとなり、限流駆動回路２は遮断部１を
オン状態駆動に保持する。
ト電圧ＶGは第１の基準電圧ＶPよりも大となり、第１の
コンパレータ出力電圧ＶD及び積分回路出力電圧ＶIはロ
ーレベルとなって、積分回路出力電圧ＶIは第２の基準
電圧ＶSよりも小となって、遮断部オン／オフ制御信号
ＶCはハイレベルとなり、限流駆動回路２は遮断部１を
オン状態駆動に保持する。
【００１８】遮断部１が限流駆動状態になった場合、ゲ
ート電圧ＶGは第１の基準電圧ＶPよりも小となり、第１
のコンパレータ５の出力電圧ＶDはハイレベルとなり、
積分回路６の出力電圧ＶIは積分回路６による第１のコ
ンパレータ５の出力電圧ＶDの積分値としてローレベル
から時間の経過を伴って上昇する。そして積分回路６の
出力電圧ＶIが第２の基準電圧ＶSよりも大となったとこ
ろで遮断部オン／オフ制御信号ＶCがハイレベルからロ
ーレベルに反転して遮断部１はオフ状態すなわち遮断さ
れる。
ート電圧ＶGは第１の基準電圧ＶPよりも小となり、第１
のコンパレータ５の出力電圧ＶDはハイレベルとなり、
積分回路６の出力電圧ＶIは積分回路６による第１のコ
ンパレータ５の出力電圧ＶDの積分値としてローレベル
から時間の経過を伴って上昇する。そして積分回路６の
出力電圧ＶIが第２の基準電圧ＶSよりも大となったとこ
ろで遮断部オン／オフ制御信号ＶCがハイレベルからロ
ーレベルに反転して遮断部１はオフ状態すなわち遮断さ
れる。
【００１９】以上のように構成されているため、遮断部
１が限流駆動状態になった場合、負荷のインピーダンス
に関係無く限流動作状態を検出して遮断動作できる。
１が限流駆動状態になった場合、負荷のインピーダンス
に関係無く限流動作状態を検出して遮断動作できる。
【００２０】以上の動作における各部の信号及び電圧電
流の変化を、時間の経過に対応して示したものを図２に
示す。
流の変化を、時間の経過に対応して示したものを図２に
示す。
【００２１】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に記載されるような効果が有る。
れているので、以下に記載されるような効果が有る。
【００２２】限流駆動状態を検出する手段として、遮断
部を構成するＦＥＴのゲート電圧をモニタし、遮断部が
オン状態駆動においてＦＥＴが飽和駆動されている時の
ゲート電圧と、遮断部が限流駆動状態において定電流制
御駆動されている時のゲート電圧とのレベルの違いから
限流駆動状態を検出するようにしたため遮断部のＦＥＴ
のドレイン／ソース間電圧をモニタする必要が無く、モ
ニタ回路に伴うリーク電流の発生を無くし、下流での感
電事故を防止出来る。また、負荷のインピーダンスに関
係無く限流動作状態を検出して遮断動作できる。
部を構成するＦＥＴのゲート電圧をモニタし、遮断部が
オン状態駆動においてＦＥＴが飽和駆動されている時の
ゲート電圧と、遮断部が限流駆動状態において定電流制
御駆動されている時のゲート電圧とのレベルの違いから
限流駆動状態を検出するようにしたため遮断部のＦＥＴ
のドレイン／ソース間電圧をモニタする必要が無く、モ
ニタ回路に伴うリーク電流の発生を無くし、下流での感
電事故を防止出来る。また、負荷のインピーダンスに関
係無く限流動作状態を検出して遮断動作できる。
【図１】この発明の実施例を示す機能ブロック図であ
る。
る。
【図２】この発明の実施例における各部の動作状態を示
すタイムチャートである。
すタイムチャートである。
【図３】従来の直流半導体遮断器を示す機能ブロック図
である。
である。
【図４】従来の直流半導体遮断器の各部の動作状態を示
すタイムチャートである。
すタイムチャートである。
１ 遮断部 ２ 限流駆動回路 ３ 分圧抵抗 ４ 分圧抵抗 ５ 第１のコンパレータ ６ 積分回路 ７ 第２のコンパレータ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G05F 1/10 304 H02H 3/093
Claims (1)
- 【請求項１】 直流電力ラインの被遮断電流を遮断する
半導体遮断部と、上記半導体遮断部をオン／オフ及び限
流駆動する限流駆動回路とを有する直流半導体遮断器に
おいて、上記半導体遮断部に使用される電界効果トラン
ジスタのゲート電圧と第１の基準電圧との大小関係を比
較する第１のコンパレータと、上記第１のコンパレータ
の出力信号を積分する積分回路と、上記積分回路の出力
電圧と第２の基準電圧の大小関係を比較し、その出力を
遮断部オン／オフ制御信号として上記限流駆動回路へ出
力する第２のコンパレータとを具備した直流半導体遮断
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4318529A JP3028889B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 直流半導体遮断器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4318529A JP3028889B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 直流半導体遮断器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06161571A JPH06161571A (ja) | 1994-06-07 |
| JP3028889B2 true JP3028889B2 (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=18100136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4318529A Expired - Lifetime JP3028889B2 (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 直流半導体遮断器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3028889B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5587133B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2014-09-10 | ローム株式会社 | ハイサイドスイッチ回路、インターフェイス回路、および電子機器 |
| JP6543133B2 (ja) | 2015-08-19 | 2019-07-10 | 株式会社東芝 | 電力供給装置及びその制御方法 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP4318529A patent/JP3028889B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06161571A (ja) | 1994-06-07 |
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Legal Events
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