JP3027240B2 - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JP3027240B2 JP3027240B2 JP3205682A JP20568291A JP3027240B2 JP 3027240 B2 JP3027240 B2 JP 3027240B2 JP 3205682 A JP3205682 A JP 3205682A JP 20568291 A JP20568291 A JP 20568291A JP 3027240 B2 JP3027240 B2 JP 3027240B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線マスクに形成さ
れたパターンをウェーハ上に感光させるＸ線露光装置に
関するものである。
れたパターンをウェーハ上に感光させるＸ線露光装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光装置のＸ線源として使用される
ものにシンクロトロン放射光（以下、放射光という。）
がある。放射光は、ストレージリング内を周回する電子
から放射され、主光線方向から離れるにつれ、その強度
が減少する。Ｘ線露光装置において、Ｘ線マスク上の露
光面に放射光が垂直に入射し、かつ、露光面における放
射光の主光線位置が一定であることが望ましい。
ものにシンクロトロン放射光（以下、放射光という。）
がある。放射光は、ストレージリング内を周回する電子
から放射され、主光線方向から離れるにつれ、その強度
が減少する。Ｘ線露光装置において、Ｘ線マスク上の露
光面に放射光が垂直に入射し、かつ、露光面における放
射光の主光線位置が一定であることが望ましい。
【０００３】この条件を満たすために種々の方策が考え
られているが、その１つは、ストレージリング上に配置
された軌道補正機構によって電子軌道を補正して放射光
の主光線方向を定め、かつ、Ｘ線露光装置全体の微調整
によって露光面における主光線位置を定めるものであ
る。しかし、この方法は、ストレージリングとＸ線露光
装置とを接続する際の初期調整時に実施されるものであ
り、露光中に主光線方向を補正しうるものではない。な
お、初期調整の他の例として、レビュー オブサイエン
ティフィック インスツルメンツ（Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉ
ｎｓｔｒｕｍ．）１９８９年７月号に示されたものがあ
る。
られているが、その１つは、ストレージリング上に配置
された軌道補正機構によって電子軌道を補正して放射光
の主光線方向を定め、かつ、Ｘ線露光装置全体の微調整
によって露光面における主光線位置を定めるものであ
る。しかし、この方法は、ストレージリングとＸ線露光
装置とを接続する際の初期調整時に実施されるものであ
り、露光中に主光線方向を補正しうるものではない。な
お、初期調整の他の例として、レビュー オブサイエン
ティフィック インスツルメンツ（Ｒｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉ
ｎｓｔｒｕｍ．）１９８９年７月号に示されたものがあ
る。
【０００４】図７はＲｅｖ．Ｓｃｉ．Ｉｎｓｔｒｕｍ．
１９８９年６月号Ｐ．１９５４に示された従来の放射光
の入射位置設定装置を示す構成図である。図において、
４１はスリット型の放射光位置検出器、４２Ａは上方電
極用の電流増幅器、４２Ｂは下方電極用の電流増幅器、
４２Ｃは電流増幅器４１Ａ，４１Ｂの出力差を計測する
ための差動増幅器、４３は差動増幅器４２Ｃの出力電圧
をディジタル化するＡ−Ｄコンバータ、４４は所定の単
色光のみ出射するモノクロメータである。
１９８９年６月号Ｐ．１９５４に示された従来の放射光
の入射位置設定装置を示す構成図である。図において、
４１はスリット型の放射光位置検出器、４２Ａは上方電
極用の電流増幅器、４２Ｂは下方電極用の電流増幅器、
４２Ｃは電流増幅器４１Ａ，４１Ｂの出力差を計測する
ための差動増幅器、４３は差動増幅器４２Ｃの出力電圧
をディジタル化するＡ−Ｄコンバータ、４４は所定の単
色光のみ出射するモノクロメータである。
【０００５】４５はモノクロメータ４４の出射光を通過
させるスリット、４６は陽極分離イオンチェンバ型の放
射光位置検出器、４７Ａは上方電極用の電流増幅器、４
７Ｂは下方電極用の電流増幅器、４７Ｃは電流増幅器４
７Ａ，４７Ｂの出力差を計測するための差動増幅器、４
８は差動増幅器４７Ｃの出力電圧をディジタル化するＡ
−Ｄコンバータである。
させるスリット、４６は陽極分離イオンチェンバ型の放
射光位置検出器、４７Ａは上方電極用の電流増幅器、４
７Ｂは下方電極用の電流増幅器、４７Ｃは電流増幅器４
７Ａ，４７Ｂの出力差を計測するための差動増幅器、４
８は差動増幅器４７Ｃの出力電圧をディジタル化するＡ
−Ｄコンバータである。
【０００６】４９は実験ステージ５６上の陽極分離イオ
ンチェンバ型の放射光位置検出器、５０Ａは上方電極用
の電流増幅器、５０Ｂは下方電極用の電流増幅器、５０
Ｃは電流増幅器５０Ａ，５０Ｂの出力差を検出するため
の差動増幅器、５１は差動増幅器５０Ｃの出力電圧をデ
ィジタル化するＡ−Ｄコンバータ、５２はサンプルチェ
ンバである。
ンチェンバ型の放射光位置検出器、５０Ａは上方電極用
の電流増幅器、５０Ｂは下方電極用の電流増幅器、５０
Ｃは電流増幅器５０Ａ，５０Ｂの出力差を検出するため
の差動増幅器、５１は差動増幅器５０Ｃの出力電圧をデ
ィジタル化するＡ−Ｄコンバータ、５２はサンプルチェ
ンバである。
【０００７】５３はスリット型の放射光検出器４１を搭
載したステージ、５４はモノクロメータ４４を搭載した
ステージ、５５はスリット４５および放射光位置検出器
４６を搭載したステージであり、５６は放射光位置検出
器４９およびサンプルチェンバ５２を搭載した実験ステ
ージである。
載したステージ、５４はモノクロメータ４４を搭載した
ステージ、５５はスリット４５および放射光位置検出器
４６を搭載したステージであり、５６は放射光位置検出
器４９およびサンプルチェンバ５２を搭載した実験ステ
ージである。
【０００８】そして、５７は各Ａ−Ｄコンバータ４３，
４８，５１の出力にもとづいて放射光のずれを検出し、
実験ステージ５６を移動させるステッピングモータ５８
を、検出したずれに応じて駆動するマイクロコンピュー
タである。
４８，５１の出力にもとづいて放射光のずれを検出し、
実験ステージ５６を移動させるステッピングモータ５８
を、検出したずれに応じて駆動するマイクロコンピュー
タである。
【０００９】次に動作について説明する。スリット型の
放射光位置検出器４１は、供給される放射光の光電子に
応じた電流を出力する。そして、上下の電極の電流の差
に応じた値が、電流増幅器４２Ａ，４２Ｂ、差動増幅器
４２ＣおよびＡ−Ｄコンバータ４３を介してマイクロコ
ンピュータ５７に入力する。
放射光位置検出器４１は、供給される放射光の光電子に
応じた電流を出力する。そして、上下の電極の電流の差
に応じた値が、電流増幅器４２Ａ，４２Ｂ、差動増幅器
４２ＣおよびＡ−Ｄコンバータ４３を介してマイクロコ
ンピュータ５７に入力する。
【００１０】また、モノクロメータ４４の出力である単
色の放射光によって陽極分離イオンチェンバ型の放射光
位置検出器４６，４９においてそれぞれ２枚の陽極と陰
極（図７において２枚の陽極の裏面にある。）との間で
イオンが生成される。放射光位置検出器４６，４９の２
枚の陽極は、それぞれイオンを収集して電流を出力す
る。それらの電流に応じた値は、電流増幅器４７Ａ，４
７Ｂ，５０Ａ，５０Ｂ、差動増幅器４７Ｃ，５０Ｃおよ
びＡ−Ｄコンバータ４８，５１を介してマイクロコンピ
ュータ５７に入力する。各Ａ−Ｄコンバータ４３，４
８，５１の出力値すなわち測定値が放射光の初期状態と
して、マイクロコンピュータ５７で記憶される。
色の放射光によって陽極分離イオンチェンバ型の放射光
位置検出器４６，４９においてそれぞれ２枚の陽極と陰
極（図７において２枚の陽極の裏面にある。）との間で
イオンが生成される。放射光位置検出器４６，４９の２
枚の陽極は、それぞれイオンを収集して電流を出力す
る。それらの電流に応じた値は、電流増幅器４７Ａ，４
７Ｂ，５０Ａ，５０Ｂ、差動増幅器４７Ｃ，５０Ｃおよ
びＡ−Ｄコンバータ４８，５１を介してマイクロコンピ
ュータ５７に入力する。各Ａ−Ｄコンバータ４３，４
８，５１の出力値すなわち測定値が放射光の初期状態と
して、マイクロコンピュータ５７で記憶される。
【００１１】この状態で、供給される放射光の位置がず
れると（図７において、矢印Ｕｐで示す。）そのずれ量
に応じて各放射光検出器４１，４６，４９の出力電流の
値が変化する。すなわち、マイクロコンピュータ５７に
入力する各測定値が変化する。マイクロコンピュータ５
７は、現在の各測定値と初期状態の各測定値とから放射
光の位置ずれ量を算出する。
れると（図７において、矢印Ｕｐで示す。）そのずれ量
に応じて各放射光検出器４１，４６，４９の出力電流の
値が変化する。すなわち、マイクロコンピュータ５７に
入力する各測定値が変化する。マイクロコンピュータ５
７は、現在の各測定値と初期状態の各測定値とから放射
光の位置ずれ量を算出する。
【００１２】そこで、マイクロコンピュータ５７は、位
置ずれを補正するために、位置ずれ量に応じた制御信号
をステッピングモータ５８に与える。ステッピングモー
タ５８は、位置ずれ量を補正する分だけ実験ステージ５
６を移動させる。このようにして、サンプルチェンバ５
２において、常に一定位置に放射光が入射する。
置ずれを補正するために、位置ずれ量に応じた制御信号
をステッピングモータ５８に与える。ステッピングモー
タ５８は、位置ずれ量を補正する分だけ実験ステージ５
６を移動させる。このようにして、サンプルチェンバ５
２において、常に一定位置に放射光が入射する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線露光装置は
以上のように構成されているので、ストレージリングの
電子軌道の補正およびＸ線露光装置の微調整によるもの
にあっては、電子軌道の補正によって十分な精度が得ら
れずＸ線露光装置の微調整機構が大がかりなものになっ
てしまい、また、ストレージリングの設定をかえるたび
に再調整を行う必要がある。さらに、露光中に主光線を
露光面に対して常に垂直に保ち、かつ、露光面上で主光
線位置を一定に保つことは困難であるという問題点があ
った。
以上のように構成されているので、ストレージリングの
電子軌道の補正およびＸ線露光装置の微調整によるもの
にあっては、電子軌道の補正によって十分な精度が得ら
れずＸ線露光装置の微調整機構が大がかりなものになっ
てしまい、また、ストレージリングの設定をかえるたび
に再調整を行う必要がある。さらに、露光中に主光線を
露光面に対して常に垂直に保ち、かつ、露光面上で主光
線位置を一定に保つことは困難であるという問題点があ
った。
【００１４】また、図７に示したものを採用した場合に
は、イオンチェンバ型の放射光検出器４６，４９は、サ
ンプルチェンバ５２に入射する放射光に強度変化等の外
乱を与える。また、スリット型の放射光位置検出器４１
を用いていることから放射光の位置ずれ量とマイクロコ
ンピュータ５７に入力する測定値との関係の直線性がよ
くない。さらに各放射光検出器４１，４６，４９が一直
線上に配置されていることから、放射光の垂直方向（ス
テージに対して）のずれを検出できるものの、放射光の
進行方向に対して放射面が傾くようなずれを検出するこ
とができないなどの問題点があった。
は、イオンチェンバ型の放射光検出器４６，４９は、サ
ンプルチェンバ５２に入射する放射光に強度変化等の外
乱を与える。また、スリット型の放射光位置検出器４１
を用いていることから放射光の位置ずれ量とマイクロコ
ンピュータ５７に入力する測定値との関係の直線性がよ
くない。さらに各放射光検出器４１，４６，４９が一直
線上に配置されていることから、放射光の垂直方向（ス
テージに対して）のずれを検出できるものの、放射光の
進行方向に対して放射面が傾くようなずれを検出するこ
とができないなどの問題点があった。
【００１５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、入射目標となる部分に入射する
放射光に外乱を与えることなく、高精度かつ高感度で放
射光の位置検出ができ、放射光の露光面における入射位
置を常に一定に保つＸ線露光装置を得ることを目的とす
る。さらに、常に放射光の主光線を露光面に対して垂直
にしかも一定位置に入射させることができるＸ線露光装
置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、入射目標となる部分に入射する
放射光に外乱を与えることなく、高精度かつ高感度で放
射光の位置検出ができ、放射光の露光面における入射位
置を常に一定に保つＸ線露光装置を得ることを目的とす
る。さらに、常に放射光の主光線を露光面に対して垂直
にしかも一定位置に入射させることができるＸ線露光装
置を得ることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るＸ線露光
装置は、供給された放射光の広がりの一部における放射
光を取り込んでその放射光を集光させる初段ミラーと、
この初段ミラーによる集光点を通過した放射光を反射し
てＸ線マスクに入射させる後段ミラーと、初段ミラーお
よび後段ミラーの位置を変える駆動機構と、放射光の広
がりのうち初段ミラーに入射しない部分の放射光の光電
子を検出する複数の放射光位置検出器と、これらの放射
光位置検出器の出力に応じて、放射光の位置ずれを検出
し、検出された位置ずれに応じて、後段ミラーの反射光
が所定の入射位置に入射するような各ミラーの位置を設
定する指示を駆動機構に与える制御部とを備えたもので
ある。
装置は、供給された放射光の広がりの一部における放射
光を取り込んでその放射光を集光させる初段ミラーと、
この初段ミラーによる集光点を通過した放射光を反射し
てＸ線マスクに入射させる後段ミラーと、初段ミラーお
よび後段ミラーの位置を変える駆動機構と、放射光の広
がりのうち初段ミラーに入射しない部分の放射光の光電
子を検出する複数の放射光位置検出器と、これらの放射
光位置検出器の出力に応じて、放射光の位置ずれを検出
し、検出された位置ずれに応じて、後段ミラーの反射光
が所定の入射位置に入射するような各ミラーの位置を設
定する指示を駆動機構に与える制御部とを備えたもので
ある。
【００１７】
【作用】この発明におけるＸ線露光装置は、初段ミラー
により供給された放射光の広がりの一部における放射光
を取り込んでその放射光を集光させ、後段ミラーにより
初段ミラーによる集光点を通過した放射光を反射してＸ
線マスクに入射させ、複数の放射光位置検出器により放
射光の広がりのうち初段ミラーに入射しない部分の放射
光の光電子を検出させ、これらの放射光位置検出器の出
力に応じて、放射光の位置ずれを検出し、検出された位
置ずれに応じて、後段ミラーの反射光が所定の入射位置
に入射するような各ミラーの位置を設定する指示を駆動
機構に制御部に与える。
により供給された放射光の広がりの一部における放射光
を取り込んでその放射光を集光させ、後段ミラーにより
初段ミラーによる集光点を通過した放射光を反射してＸ
線マスクに入射させ、複数の放射光位置検出器により放
射光の広がりのうち初段ミラーに入射しない部分の放射
光の光電子を検出させ、これらの放射光位置検出器の出
力に応じて、放射光の位置ずれを検出し、検出された位
置ずれに応じて、後段ミラーの反射光が所定の入射位置
に入射するような各ミラーの位置を設定する指示を駆動
機構に制御部に与える。
【００１８】
【実施例】実施例１． 以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１
はこの発明の第１の実施例によるＸ線露光装置を示すも
のである。図において、１は高エネルギーの電子を貯蔵
する電子蓄積リング、２は放射光の取り込み角を定める
スリット、３は放射光を反射するミラー、４は放射光を
取り出すためのベリリウム窓、５はマスクパターンを有
するＸ線マスク、６はマスクパターンが焼き付けられる
ウェーハ、７はステッパである。
はこの発明の第１の実施例によるＸ線露光装置を示すも
のである。図において、１は高エネルギーの電子を貯蔵
する電子蓄積リング、２は放射光の取り込み角を定める
スリット、３は放射光を反射するミラー、４は放射光を
取り出すためのベリリウム窓、５はマスクパターンを有
するＸ線マスク、６はマスクパターンが焼き付けられる
ウェーハ、７はステッパである。
【００１９】 ８，９，１０はそれぞれミラー３には入射
しない放射光が存在する位置に設けられた２分割光電子
型の放射光位置検出器、１１Ａ，１２Ａ，１３Ａはそれ
ぞれ放射光位置検出器８，９，１０の上方電極の電流を
増幅する電流増幅器、１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂはそれぞ
れ放射光位置検出器８，９，１０の下方電極の電流を増
幅する電流増幅器、１４Ａ，１４Ｂ，１５Ａ，１５Ｂ，
１６Ａ，１６Ｂはそれぞれ電流増幅器１１Ａ，１１Ｂ，
１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａ，１３Ｂの出力をディジタル化
するＡ−Ｄコンバータである。
しない放射光が存在する位置に設けられた２分割光電子
型の放射光位置検出器、１１Ａ，１２Ａ，１３Ａはそれ
ぞれ放射光位置検出器８，９，１０の上方電極の電流を
増幅する電流増幅器、１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂはそれぞ
れ放射光位置検出器８，９，１０の下方電極の電流を増
幅する電流増幅器、１４Ａ，１４Ｂ，１５Ａ，１５Ｂ，
１６Ａ，１６Ｂはそれぞれ電流増幅器１１Ａ，１１Ｂ，
１２Ａ，１２Ｂ，１３Ａ，１３Ｂの出力をディジタル化
するＡ−Ｄコンバータである。
【００２０】 そして、１７は各Ａ−Ｄコンバータ１４
Ａ，１４Ｂ，１５Ａ，１５Ｂ，１６Ａ，１６Ｂの出力値
にもとづいて放射面のずれ量を検出するマイクロコンピ
ュータ（制御部）、１８はマイクロコンピュータの指示
に従ってミラー３の放射面に対する角度を変える６軸駆
動機構である。２１はスリット２で定められる放射光の
取り込み角、２２はミラー３に入射する放射光の取り込
み角を示している。なお、取り込み角２１は放射光の広
がりを規定する。
Ａ，１４Ｂ，１５Ａ，１５Ｂ，１６Ａ，１６Ｂの出力値
にもとづいて放射面のずれ量を検出するマイクロコンピ
ュータ（制御部）、１８はマイクロコンピュータの指示
に従ってミラー３の放射面に対する角度を変える６軸駆
動機構である。２１はスリット２で定められる放射光の
取り込み角、２２はミラー３に入射する放射光の取り込
み角を示している。なお、取り込み角２１は放射光の広
がりを規定する。
【００２１】 また、図２は２分割光電子型の放射光位置
検出器８の詳細構成を示すもので、図において、８Ａは
上方電極、８Ｂは下方電極、８Ｃは光電子を集める集電
極、８Ｄは電界Ｅを形成する電場形成電極、８Ｅは絶縁
セラミックである。検出効率を上げるために、上方電極
８Ａおよび下方電極８Ｂの面の法線は、放射光の進行方
向に対して９０度よりも数度ずれている。２１Ａは放射
光の広がりにおける放射光の一部、２３は放射光位置検
出器８によって切り取られる放射光を示している。２４
は放出される光電子を示している。なお、放射光位置検
出器９，１０も図２に示したものと同一構成である。
検出器８の詳細構成を示すもので、図において、８Ａは
上方電極、８Ｂは下方電極、８Ｃは光電子を集める集電
極、８Ｄは電界Ｅを形成する電場形成電極、８Ｅは絶縁
セラミックである。検出効率を上げるために、上方電極
８Ａおよび下方電極８Ｂの面の法線は、放射光の進行方
向に対して９０度よりも数度ずれている。２１Ａは放射
光の広がりにおける放射光の一部、２３は放射光位置検
出器８によって切り取られる放射光を示している。２４
は放出される光電子を示している。なお、放射光位置検
出器９，１０も図２に示したものと同一構成である。
【００２２】 次に動作について説明する。まず、図２に
示すように、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸を定義する。すなわち、
所望の状態における放射光の進行方向をｚ軸、ｚ軸に直
交する２方向をｘ軸およびｙ軸で表す。
示すように、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸を定義する。すなわち、
所望の状態における放射光の進行方向をｚ軸、ｚ軸に直
交する２方向をｘ軸およびｙ軸で表す。
【００２３】 電子蓄積リング１から放出された放射光
は、スリット２で取り込み角２１が制限される。この取
り込み角２１は、ミラー３に至る放射光の取り込み角２
２よりも大きい。スリット２を通過した放射光のうち取
り込み角２２で定められる範囲の外の放射光の一部は、
放射光検出器８の上方電極８Ａおよび下方電極８Ｂに当
たる。このとき、光電子が放出され電界Ｅによって集電
極８Ｃに捕捉される。そして、放出された光電子に比例
した電流が上方電極８Ａおよび下方電極８Ｂに流れるこ
とになる。
は、スリット２で取り込み角２１が制限される。この取
り込み角２１は、ミラー３に至る放射光の取り込み角２
２よりも大きい。スリット２を通過した放射光のうち取
り込み角２２で定められる範囲の外の放射光の一部は、
放射光検出器８の上方電極８Ａおよび下方電極８Ｂに当
たる。このとき、光電子が放出され電界Ｅによって集電
極８Ｃに捕捉される。そして、放出された光電子に比例
した電流が上方電極８Ａおよび下方電極８Ｂに流れるこ
とになる。
【００２４】 上方電極８Ａおよび下方電極８Ｂに流れる
電流をそれぞれＩU ，ＩL とすると、図３に示すよう
に、ｙ軸方向の放射光のずれ量（所望の状態からのず
れ）と（ＩU −ＩL ）／（ＩU ＋ＩL ）との間にほぼ比
例関係がある。よって、マイクロコンピュータ１７はあ
らかじめ図３に示す関係を保持していれば、測定された
ＩU およびＩL から（ＩU −ＩL ）／（ＩU ＋ＩL ）の
演算を行い、保持している関係から所望の状態に対する
放射光のずれ量を知ることができる。
電流をそれぞれＩU ，ＩL とすると、図３に示すよう
に、ｙ軸方向の放射光のずれ量（所望の状態からのず
れ）と（ＩU −ＩL ）／（ＩU ＋ＩL ）との間にほぼ比
例関係がある。よって、マイクロコンピュータ１７はあ
らかじめ図３に示す関係を保持していれば、測定された
ＩU およびＩL から（ＩU −ＩL ）／（ＩU ＋ＩL ）の
演算を行い、保持している関係から所望の状態に対する
放射光のずれ量を知ることができる。
【００２５】 ２分割光電子型の放射光位置検出器８が出
力した電流値は、電流増幅器１１Ａ，１１ＢおよびＡ−
Ｄコンバータ１４Ａ，１４Ｂを介して、電流値に応じた
値としてマイクロコンピュータ１７に入力する。マイク
ロコンピュータ１７は、Ａ−Ｄコンバータ１４Ａ，１４
Ｂの出力値に応じてＩU およびＩL を知る。
力した電流値は、電流増幅器１１Ａ，１１ＢおよびＡ−
Ｄコンバータ１４Ａ，１４Ｂを介して、電流値に応じた
値としてマイクロコンピュータ１７に入力する。マイク
ロコンピュータ１７は、Ａ−Ｄコンバータ１４Ａ，１４
Ｂの出力値に応じてＩU およびＩL を知る。
【００２６】 さらに、他の２つの放射光位置検出器９，
１０が設けられているので、マイクロコンピュータ１７
は、３か所（一直線上にはない。）の位置ずれ情報を得
ることができる。そこで、マイクロコンピュータ１７
は、放射面のｙ軸方向のずれのみならず、放射光の３次
元の方向を知ることができ放射面が傾いたような場合の
ずれをも算出することができる。
１０が設けられているので、マイクロコンピュータ１７
は、３か所（一直線上にはない。）の位置ずれ情報を得
ることができる。そこで、マイクロコンピュータ１７
は、放射面のｙ軸方向のずれのみならず、放射光の３次
元の方向を知ることができ放射面が傾いたような場合の
ずれをも算出することができる。
【００２７】 さらに、マイクロコンピュータ１７はＸ線
マスク５に入射する放射光の位置の所望の位置からのず
れがなくなるようなミラー３の位置を算出する。そし
て、ミラー３をその位置設定するような制御信号を６軸
駆動機構１８に出力する。６軸駆動機構１８は、制御信
号に従って、ミラー３の位置を変える。このようにし
て、放射光は常にＸ線マスク５における所定の位置に入
射する。
マスク５に入射する放射光の位置の所望の位置からのず
れがなくなるようなミラー３の位置を算出する。そし
て、ミラー３をその位置設定するような制御信号を６軸
駆動機構１８に出力する。６軸駆動機構１８は、制御信
号に従って、ミラー３の位置を変える。このようにし
て、放射光は常にＸ線マスク５における所定の位置に入
射する。
【００２８】 実施例２． 図４はこの発明の第２の実施例による放射光の入射位置
設定装置を示す構成図である。この場合には、ミラー３
から出射された放射光の広がりのうち、Ｘ線マスク５に
入射しない部分にも３つの放射光位置検出器３１，３
２，３３が設けられている。
設定装置を示す構成図である。この場合には、ミラー３
から出射された放射光の広がりのうち、Ｘ線マスク５に
入射しない部分にも３つの放射光位置検出器３１，３
２，３３が設けられている。
【００２９】 マイクロコンピュータ１７は、電流増幅器
３４Ａ，３４Ｂ，３５Ａ，３５Ｂ，３６Ａ，３６Ｂおよ
びＡ−Ｄコンバータ３７Ａ，３７Ｂ，３８Ａ，３８Ｂ，
３９Ａ，３９Ｂを介して３つの位置情報を入手する。位
置情報から位置ずれを知る方法は第１の実施例における
方法と同様である。
３４Ａ，３４Ｂ，３５Ａ，３５Ｂ，３６Ａ，３６Ｂおよ
びＡ−Ｄコンバータ３７Ａ，３７Ｂ，３８Ａ，３８Ｂ，
３９Ａ，３９Ｂを介して３つの位置情報を入手する。位
置情報から位置ずれを知る方法は第１の実施例における
方法と同様である。
【００３０】 この場合には、ミラー３の熱変形などによ
る放射光のずれをも検出することができ、そのずれも６
軸駆動機構１８に対する制御信号に反映される。また、
図４に示したものにおいて、放射光検出器８，９，１０
を外して、放射光３１，３２，３３のみ設けた構成とし
てもよい。
る放射光のずれをも検出することができ、そのずれも６
軸駆動機構１８に対する制御信号に反映される。また、
図４に示したものにおいて、放射光検出器８，９，１０
を外して、放射光３１，３２，３３のみ設けた構成とし
てもよい。
【００３１】 実施例３． 図５はこの発明の第３の実施例によるＸ線露光装置を示
す構成図である。図において、３Ａは取り込み角２２に
おける放射光を反射して集光させる初段ミラー、３Ｂは
集光点からの放射光をＸ線マスク５に入射させる後段ミ
ラー、１８Ａは初段ミラー３Ａの６軸駆動機構、１８Ｂ
は後段ミラー３Ｂの６軸駆動機構である。
す構成図である。図において、３Ａは取り込み角２２に
おける放射光を反射して集光させる初段ミラー、３Ｂは
集光点からの放射光をＸ線マスク５に入射させる後段ミ
ラー、１８Ａは初段ミラー３Ａの６軸駆動機構、１８Ｂ
は後段ミラー３Ｂの６軸駆動機構である。
【００３２】 ６１〜６４は取り込み角２２の範囲外に設
けられた放射光位置検出器であり、それぞれ第１の実施
例におけるものと同じものである。また、７１は電流増
幅器やＡ−Ｄコンバータを含む変換回路、７２は第１の
実施例におけるマイクロコンピュータ１７と同様のマイ
クロコンピュータである。なお、２５は放射光の光源
点、２６は放射光の主光線を示している。また、図５
は、図１に比べて簡略記載されている。
けられた放射光位置検出器であり、それぞれ第１の実施
例におけるものと同じものである。また、７１は電流増
幅器やＡ−Ｄコンバータを含む変換回路、７２は第１の
実施例におけるマイクロコンピュータ１７と同様のマイ
クロコンピュータである。なお、２５は放射光の光源
点、２６は放射光の主光線を示している。また、図５
は、図１に比べて簡略記載されている。
【００３３】 図６は６軸駆動機構１８Ａ，１８Ｂの一構
成例を示す構成図である。なお、第１の実施例における
６軸駆動機構１８も同様に構成できる。図において、８
１はミラーホルダー、８２は真空フランジ、８３はべロ
ーズ、８４はｙ軸方向にミラーを移動するためのｙ軸直
進モータ、８５はｘ軸方向にミラーを移動させるための
ｘ軸直進モータ、８６はｚ軸方向にミラーを移動させる
ためのｚ軸直進モータ、８７はｘ軸に対してミラーを回
転させるためのθx 回転モータ、８８はｙ軸に対してミ
ラーを回転させるためのθy 回転モータ、８９はｚ軸に
対してミラーを回転させるためのθz 回転モータであ
る。
成例を示す構成図である。なお、第１の実施例における
６軸駆動機構１８も同様に構成できる。図において、８
１はミラーホルダー、８２は真空フランジ、８３はべロ
ーズ、８４はｙ軸方向にミラーを移動するためのｙ軸直
進モータ、８５はｘ軸方向にミラーを移動させるための
ｘ軸直進モータ、８６はｚ軸方向にミラーを移動させる
ためのｚ軸直進モータ、８７はｘ軸に対してミラーを回
転させるためのθx 回転モータ、８８はｙ軸に対してミ
ラーを回転させるためのθy 回転モータ、８９はｚ軸に
対してミラーを回転させるためのθz 回転モータであ
る。
【００３４】 次に動作について説明する。放射光のｙ軸
方向のずれは、第１の実施例の場合と同様に、マイクロ
コンピュータ７２で認識される。さらに、異なるｘ座標
を有する複数の放射光位置検出器６１，６２（または放
射光位置検出器６３，６４）からの電流情報をもとにｘ
軸方向のずれを認識する。また、異なるｚ座標を有する
複数の放射光位置検出器６１，６３（または放射光位置
検出器６２，６４）からの電流情報をもとにｚ軸方向の
ずれを認識する。このようにして、マイクロコンピュー
タ７２は、放射光の所望の方向からの３次元のずれを知
ることができる。すなわち、実際の放射光の角度および
光源点２５の実際の位置を知ることができる。
方向のずれは、第１の実施例の場合と同様に、マイクロ
コンピュータ７２で認識される。さらに、異なるｘ座標
を有する複数の放射光位置検出器６１，６２（または放
射光位置検出器６３，６４）からの電流情報をもとにｘ
軸方向のずれを認識する。また、異なるｚ座標を有する
複数の放射光位置検出器６１，６３（または放射光位置
検出器６２，６４）からの電流情報をもとにｚ軸方向の
ずれを認識する。このようにして、マイクロコンピュー
タ７２は、放射光の所望の方向からの３次元のずれを知
ることができる。すなわち、実際の放射光の角度および
光源点２５の実際の位置を知ることができる。
【００３５】 次に、マイクロコンピュータ７２は、Ｘ線
マスク５に入射する放射光の位置の所望の位置からのず
れがなくなるように、６軸駆動機構１８Ａ，１８Ｂを制
御する。６軸駆動機構１８Ａ，１８Ｂは、それぞれ、
ｘ，ｙ，ｚの３軸方向の平行移動と各３軸に対する回転
移動の計６軸の調整機構を有している。従って、調整自
由度として、１２の自由度が存在する。
マスク５に入射する放射光の位置の所望の位置からのず
れがなくなるように、６軸駆動機構１８Ａ，１８Ｂを制
御する。６軸駆動機構１８Ａ，１８Ｂは、それぞれ、
ｘ，ｙ，ｚの３軸方向の平行移動と各３軸に対する回転
移動の計６軸の調整機構を有している。従って、調整自
由度として、１２の自由度が存在する。
【００３６】 ここで、主光線を初段ミラー３Ａおよび後
段ミラー３Ｂの中心で反射させるために、それぞれの
ｘ，ｙ，ｚ軸方向の直進運動が用いられる。よって、計
６つの自由度が拘束される。また、後段ミラー３Ｂから
出射した主光線の軸を一定に保つために、例えば、初段
ミラー３Ａおよび後段ミラー３Ｂのθx ，θz 方向の回
転が用いられ、計４つの自由度が拘束される。
段ミラー３Ｂの中心で反射させるために、それぞれの
ｘ，ｙ，ｚ軸方向の直進運動が用いられる。よって、計
６つの自由度が拘束される。また、後段ミラー３Ｂから
出射した主光線の軸を一定に保つために、例えば、初段
ミラー３Ａおよび後段ミラー３Ｂのθx ，θz 方向の回
転が用いられ、計４つの自由度が拘束される。
【００３７】 従って、後段ミラー３Ｂから出射した主光
線の軸を一定に保った上で、さらに２つの自由度が残
る。残った２つの自由度を利用して、初段ミラー３Ａか
ら出射した放射光の集光点を定点とすることができる。
さらに、事前に校正表を求めることによって、後段ミラ
ー３Ｂ出射後の放射光の強度変化が生じにくいように調
整したり、後段ミラー３Ｂ出射後の放射光の強度分布の
変化が微小であるように調整したりすることもできる。
線の軸を一定に保った上で、さらに２つの自由度が残
る。残った２つの自由度を利用して、初段ミラー３Ａか
ら出射した放射光の集光点を定点とすることができる。
さらに、事前に校正表を求めることによって、後段ミラ
ー３Ｂ出射後の放射光の強度変化が生じにくいように調
整したり、後段ミラー３Ｂ出射後の放射光の強度分布の
変化が微小であるように調整したりすることもできる。
【００３８】 次に、光源点２５の位置は一定で、放射光
の主光線２６の角度が変化した場合を例として、マイク
ロコンピュータ７２および６軸駆動機構１８Ａ，１８Ｂ
の動作を説明する。ここで、初段ミラー３Ａ出射後の主
光線は定点（座標：ｘfix ，ｙfix ，ｚfix ）を通過
し、初段ミラー３Ａのｚ座標は固定した状態にあるとす
る。主光線２６の所望の状態からの傾き角θxd，θydを
もとに、マイクロコンピュータ７２は、以下の値を算出
する。
の主光線２６の角度が変化した場合を例として、マイク
ロコンピュータ７２および６軸駆動機構１８Ａ，１８Ｂ
の動作を説明する。ここで、初段ミラー３Ａ出射後の主
光線は定点（座標：ｘfix ，ｙfix ，ｚfix ）を通過
し、初段ミラー３Ａのｚ座標は固定した状態にあるとす
る。主光線２６の所望の状態からの傾き角θxd，θydを
もとに、マイクロコンピュータ７２は、以下の値を算出
する。
【００３９】 ｘ1 ＝ｚ1 ｓｉｎθyd ｙ1 ＝ｚ1 ｓｉｎθxd θx1＝ａｒｃｔａｎ（ｙfix −ｙ1 ）／（ｚfix −ｚ1 ）−θxd θy1＝−ａｒｃｔａｎ ｘ1 ／（ｚfix −ｚ1 ）−θyd ｚ2 ＝ｚ1 ＋（ｙend −ｙ1 ）（ｚfix −ｚ1 ）／（ｙfix −ｙ1 ） ｘ2 ＝ｚ1 ｔａｎθyd＋（ｚ2 −ｚ1 ）ｔａｎ（θyd＋θy1） ｙ2 ＝ｚ1 ｔａｎθxd＋（ｚ2 −ｚ1 ）ｔａｎ（θxd＋θx1） θx2＝−θxd−θx1 θy2＝−θyd−θx1
【００４０】 ここで、ｘ1 ，ｙ1 ，ｚ1 は初段ミラー３
Ａにの所望の設定状態からの距離偏差すなわち初段ミラ
ー３Ａに対する移動量の設定値、θx1，θy1，θz1は初
段ミラー３Ａに対する回転量の設定値、ｘ2 ，ｙ2 ，ｚ
2 は後段ミラー３Ｂに対する移動量の設定値、θx2，θ
y2，θz2は後段ミラー３Ｂに対する回転量の設定値、ｘ
end （≡０）、ｙend は露光面における定点である。
Ａにの所望の設定状態からの距離偏差すなわち初段ミラ
ー３Ａに対する移動量の設定値、θx1，θy1，θz1は初
段ミラー３Ａに対する回転量の設定値、ｘ2 ，ｙ2 ，ｚ
2 は後段ミラー３Ｂに対する移動量の設定値、θx2，θ
y2，θz2は後段ミラー３Ｂに対する回転量の設定値、ｘ
end （≡０）、ｙend は露光面における定点である。
【００４１】そのような設定値をマイクロコンピュータ
７２から受けた６軸駆動機構１８Ａ，１８Ｂは、初段ミ
ラー３Ａおよび後段ミラー３Ｂを設定値に従って駆動す
る。このように設定することにより、主光線２６は、露
光面上の定点に垂直入射する。
７２から受けた６軸駆動機構１８Ａ，１８Ｂは、初段ミ
ラー３Ａおよび後段ミラー３Ｂを設定値に従って駆動す
る。このように設定することにより、主光線２６は、露
光面上の定点に垂直入射する。
【００４２】 装置を初期設置する場合には、上記各設定
値により初段ミラー３Ａおよび後段ミラー３Ｂを設定す
ればよい。しかし、露光中にミラーを駆動する場合に
は、駆動中に放射光が露光面に入射し、かつ、主光線２
６と露光面とのなす角度と主光線位置との変動が最小で
すむように駆動することが望ましい。よって、例えば、
マイクロコンピュータ７２は、以下のような手順で６軸
駆動機構１８Ａ，１８Ｂに各制御量を与える。
値により初段ミラー３Ａおよび後段ミラー３Ｂを設定す
ればよい。しかし、露光中にミラーを駆動する場合に
は、駆動中に放射光が露光面に入射し、かつ、主光線２
６と露光面とのなす角度と主光線位置との変動が最小で
すむように駆動することが望ましい。よって、例えば、
マイクロコンピュータ７２は、以下のような手順で６軸
駆動機構１８Ａ，１８Ｂに各制御量を与える。
【００４３】 （１） ｘ1 を微小量Δｘ1 だけ変化させ
る。 （２） θy1をΔθy1だけ変化させる。 Δθy1＝ａｒｃｔａｎΔｘ1 ／（ｚfix −ｚ1 ） （３） ｙ1 を微小量Δｙ1 だけ変化させる。 （４） θx1をΔθx1だけ変化させる。 Δθx1＝ａｒｃｔａｎΔｙ1 ／（ｚfix −ｚ1 ） （５） ｚ2 をΔｚ2 だけ変化させる。 Δｚ2 ＝（ｚfix −ｚ1 ）（ｙfix −ｙend ）Δｙ1 ／（ｙfix −ｙ2 ）2 （６） ｘ2 をΔｘ2 だけ変化させる。 Δｘ2 ＝（ｚ2 −ｚ1 ）ｔａｎΔθy1 （７） ｘ1 ，ｙ1 が設定値になるまで（１）〜（６）
を繰り返す。
る。 （２） θy1をΔθy1だけ変化させる。 Δθy1＝ａｒｃｔａｎΔｘ1 ／（ｚfix −ｚ1 ） （３） ｙ1 を微小量Δｙ1 だけ変化させる。 （４） θx1をΔθx1だけ変化させる。 Δθx1＝ａｒｃｔａｎΔｙ1 ／（ｚfix −ｚ1 ） （５） ｚ2 をΔｚ2 だけ変化させる。 Δｚ2 ＝（ｚfix −ｚ1 ）（ｙfix −ｙend ）Δｙ1 ／（ｙfix −ｙ2 ）2 （６） ｘ2 をΔｘ2 だけ変化させる。 Δｘ2 ＝（ｚ2 −ｚ1 ）ｔａｎΔθy1 （７） ｘ1 ，ｙ1 が設定値になるまで（１）〜（６）
を繰り返す。
【００４４】 以上のような手順でミラーを駆動すること
により、露光に与える影響を最小限にしつつ、ミラーの
位置設定を行うことができる。また、本実施では、主光
線２６の垂直定点入射を例にして詳しく動作説明した
が、第１の実施例の場合と同様に、放射面のずれを修正
することももちろん可能である。
により、露光に与える影響を最小限にしつつ、ミラーの
位置設定を行うことができる。また、本実施では、主光
線２６の垂直定点入射を例にして詳しく動作説明した
が、第１の実施例の場合と同様に、放射面のずれを修正
することももちろん可能である。
【００４５】 なお、上記各実施例では、２分割光電子型
の放射光位置検出器を用いた場合について説明したが、
さらに多電極の検出器を用いて多重平均等により位置検
出を行うこともできる。そして、感度や位置検出精度が
それほど要求されない場合には、放射光位置検出器とし
て２ワイヤー方式のものや２ブレード方式のものを用い
てもよい。
の放射光位置検出器を用いた場合について説明したが、
さらに多電極の検出器を用いて多重平均等により位置検
出を行うこともできる。そして、感度や位置検出精度が
それほど要求されない場合には、放射光位置検出器とし
て２ワイヤー方式のものや２ブレード方式のものを用い
てもよい。
【００４６】 また、上記各実施例では、ミラーを用いた
場合について説明したが、その他の光学素子を用いても
よい。
場合について説明したが、その他の光学素子を用いても
よい。
【００４７】 そして、上記各実施例における構成は、露
光面における露光強度を強める集光光学系や、露光面に
おける露光面積の拡大もしくは露光強度を弱める目的か
ら放射光を発散させる発散光学系に適用することもでき
る。
光面における露光強度を強める集光光学系や、露光面に
おける露光面積の拡大もしくは露光強度を弱める目的か
ら放射光を発散させる発散光学系に適用することもでき
る。
【００４８】 また、上記各実施例では、放射光を用いた
場合について説明したが、他のＸ線源によるＸ線を用い
た場合であってもよい。
場合について説明したが、他のＸ線源によるＸ線を用い
た場合であってもよい。
【００４９】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、Ｘ線
露光装置を、放射光の広がりのうち初段ミラーに入射し
ない部分の放射光による光電子を検出する複数の放射光
位置検出器を設け、それらの放射光位置検出器による位
置情報に応じて初段ミラーおよび後段ミラーの位置を設
定するように構成したので、Ｘ線マスクに入射する放射
光に外乱を与えず、かつ、放射光の主光線を常に露光面
の定位置に対して垂直に照射しうるものが得られる効果
がある。
露光装置を、放射光の広がりのうち初段ミラーに入射し
ない部分の放射光による光電子を検出する複数の放射光
位置検出器を設け、それらの放射光位置検出器による位
置情報に応じて初段ミラーおよび後段ミラーの位置を設
定するように構成したので、Ｘ線マスクに入射する放射
光に外乱を与えず、かつ、放射光の主光線を常に露光面
の定位置に対して垂直に照射しうるものが得られる効果
がある。
【図１】この発明の第１の実施例によるＸ線露光装置を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図２】２分割光電子型の放射光位置検出器の詳細構成
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図３】放射光位置検出器の電流とずれ量との関係を示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】この発明の第２の実施例によるＸ先露光装置を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図５】この発明の第３の実施例によるＸ線露光装置を
示す構成図である。
示す構成図である。
【図６】６軸駆動機構の一構成例を示す構成図である。
【図７】従来の放射光の入射位置設定装置を示す構成図
である。
である。
２ スリット ３ ミラー ５ Ｘ線マスク ８，９，１０，３１，３２，３３ 放射光位置検出器 １７ マイクロコンピュータ（制御部） １８ ６軸駆動機構（駆動機構） ３Ａ 初段ミラー ３Ｂ 後段ミラー ６１，６２，６３，６４ 放射光位置検出器 ７２ マイクロコンピュータ（制御部） １８Ａ，１８Ｂ ６軸駆動機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 503 G03F 7/20 521
Claims (1)
- 【請求項１】 供給された放射光の広がりの一部におけ
る放射光を取り込んでその放射光を集光させる初段ミラ
ーと、この初段ミラーによる集光点を通過した放射光を
反射してＸ線マスクに入射させる後段ミラーと、前記初
段ミラーおよび後段ミラーの位置を変える駆動機構と、
前記放射光の広がりのうち前記初段ミラーに入射しない
部分の放射光の光電子を検出する複数の放射光位置検出
器と、これらの放射光位置検出器の出力に応じて、前記
供給された放射光の位置ずれを検出し、検出された位置
ずれに応じて、前記後段ミラーの反射光が所定の入射位
置に入射する初段ミラーおよび後段ミラーの位置を設定
する指示を前記駆動機構に与える制御部とを備えたＸ線
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205682A JP3027240B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3205682A JP3027240B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | Ｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529198A JPH0529198A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3027240B2 true JP3027240B2 (ja) | 2000-03-27 |
Family
ID=16510953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3205682A Expired - Fee Related JP3027240B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3027240B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100538685B1 (ko) * | 1993-04-06 | 2006-09-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영노광장치, 노광방법, 및 소자 제조 방법 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP3205682A patent/JP3027240B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529198A (ja) | 1993-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |