JP3016755B2 - Inspection system that allows optional selection of integrated circuit elements mounted on the inspection board - Google Patents

Inspection system that allows optional selection of integrated circuit elements mounted on the inspection board

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JP3016755B2
JP3016755B2 JP9308512A JP30851297A JP3016755B2 JP 3016755 B2 JP3016755 B2 JP 3016755B2 JP 9308512 A JP9308512 A JP 9308512A JP 30851297 A JP30851297 A JP 30851297A JP 3016755 B2 JP3016755 B2 JP 3016755B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体技術に関
し、より詳細には、検査基板に装着されている複数の集
積回路素子を任意に選択することができるバーンイン検
査システムに関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to semiconductor technology, and more particularly, to a burn-in inspection system capable of arbitrarily selecting a plurality of integrated circuit elements mounted on an inspection board.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路素子は、通常、製造後1
000時間内に不良が発生する確率が最も高く、100
0時間が経過すると不良が発生する可能性が少なくな
る。寿命の短い初期不良の集積回路素子を予め探し出す
ために、半導体製造会社では、集積回路素子に熱的、電
気的ストレスを加圧することにより、使用者に供給され
る製品の信頼性を向上させるバーンイン検査(burn-in t
est)が一般に行われている。
2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor integrated circuit device is manufactured after manufacturing.
The highest probability of failure within 000 hours, 100
After 0 hours, the possibility of occurrence of a defect is reduced. In order to preliminarily search for an integrated circuit element having a short life and an initial failure, a semiconductor manufacturing company applies a thermal and electrical stress to the integrated circuit element to improve the reliability of a product supplied to a user. Inspection (burn-in t
est) is commonly performed.

【0003】前記バーンイン検査は、組立工程によりパ
ッケージングされた集積回路素子に対して行うが、検査
方式によって動的(dynamic)バーンイン、静的(static)
バーンイン及びモニター(monitor)バーンインがある。
前記静的バーンインは、集積回路素子に電源電圧だけを
供給して熱を加熱する方法であって、線形集積回路素子
と論理集積回路素子の検査に多く使われる。前記動的バ
ーンインは、主にメモリ製品の初期不良を検出するのに
使用され、集積回路素子が実際に動作している状態のよ
うに、電圧、信号、データ等を印加するが、初期不良を
加速化させるために、電圧をより高く設定して集積回路
素子に電気的ストレスと熱的ストレスを同時に加圧す
る。前記モニターバーンインは、集積回路素子に電気的
・熱的ストレスを加圧して初期不良を加速化させると同
時に、集積回路素子から出力される電気的信号を測定す
ることにより集積回路素子の機能を検査する。前記モニ
ターバーンインによると、集積回路素子の機能検査が一
緒に行われるので、バーンイン検査時間を最適化するこ
とができ、検査費用の節減が可能である。現在、モニタ
ーバーンインは、集積回路素子の検査に主に使用される
ので、メモリバーンインとも呼ぶ。
The burn-in test is performed on an integrated circuit device packaged by an assembling process. Depending on the test method, a dynamic burn-in test or a static burn-in test is performed.
There are burn-in and monitor burn-in.
The static burn-in is a method of heating a heat by supplying only a power supply voltage to an integrated circuit device, and is often used for testing a linear integrated circuit device and a logic integrated circuit device. The dynamic burn-in is mainly used to detect an initial failure of a memory product, and applies a voltage, a signal, data or the like as in a state where an integrated circuit element is actually operating. In order to accelerate the voltage, an electric stress and a thermal stress are simultaneously applied to the integrated circuit device by setting a higher voltage. The monitor burn-in accelerates initial failure by applying electric and thermal stress to the integrated circuit element, and at the same time, tests the function of the integrated circuit element by measuring an electric signal output from the integrated circuit element. I do. According to the monitor burn-in, the function test of the integrated circuit device is performed at the same time, so that the burn-in test time can be optimized and the test cost can be reduced. At present, monitor burn-in is mainly used for testing integrated circuit elements, and is therefore also called memory burn-in.

【0004】また、バーンイン検査は、通常、1個以上
の検査基板の各々に多数の集積回路素子、例えば128
個の集積回路素子を装着し、検査基板を温度制御が可能
なチャンバ(chamber)に入れ、集積回路素子に熱的スト
レスを加圧して初期不良を加速化させる。一方、検査基
板に装着された集積回路素子に電気的ストレスを加圧し
て初期不良を加速化させるため、検査装置の信号供給ピ
ンと128個の集積回路素子の端子を並列に連結して多
数の集積回路素子に電気的信号を同時に供給する。前記
初期不良の加速化は、検査装置のピン数が限定されてい
ても、検査基板に装着された複数の集積回路素子に対し
て一度に行うことが可能である。
[0004] Burn-in inspection is usually performed by using a large number of integrated circuit elements, for example, 128 on each of one or more inspection substrates.
A plurality of integrated circuit elements are mounted, the test substrate is placed in a temperature-controllable chamber, and thermal stress is applied to the integrated circuit elements to accelerate initial failure. On the other hand, in order to accelerate the initial failure by applying electric stress to the integrated circuit device mounted on the test board, the signal supply pins of the test device and the terminals of the 128 integrated circuit devices are connected in parallel to form a large number of integrated circuits. Electrical signals are simultaneously supplied to the circuit elements. The acceleration of the initial failure can be performed on a plurality of integrated circuit elements mounted on the test board at a time even if the number of pins of the test apparatus is limited.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、モニターバー
ンインのように、集積回路素子の機能を検査する際に
は、当該集積回路素子から出力される出力信号を1個の
検査装置を用いて測定することはできない。何故なら、
機能検査で集積回路素子を選択するため、検査装置は、
スキャン信号(scan signal)を使用するが、従来のモニ
ターバーンインは、同時に1個又は2個の集積回路素子
しか選択できない。
However, when inspecting the function of an integrated circuit element such as monitor burn-in, an output signal output from the integrated circuit element is measured using one inspection apparatus. It is not possible. Because,
In order to select an integrated circuit device in the function test, the test device
Although a scan signal is used, conventional monitor burn-in allows only one or two integrated circuit elements to be selected at a time.

【0006】前記スキャン信号により選択される集積回
路素子の個数は、集積回路素子から出力されるデータの
数と検査装置の全データ入力ピン数により制限を受ける
(例えば、検査装置のデータ入力ピン数がm=a×bで
あり、集積回路素子の出力データがaビットであれば、
最大b個の集積回路素子を選択することができる)。1
個または2個の集積回路素子だけを選択すると、検査基
板に装着された集積回路素子を全て検査するのに長時間
かかるだけでなく、検査工程の効率も低下する。
The number of integrated circuit elements selected by the scan signal is limited by the number of data output from the integrated circuit elements and the total number of data input pins of the inspection apparatus (for example, the number of data input pins of the inspection apparatus). Is m = a × b and the output data of the integrated circuit element is a bit,
A maximum of b integrated circuit elements can be selected). 1
If only one or two integrated circuit elements are selected, not only does it take a long time to inspect all of the integrated circuit elements mounted on the inspection substrate, but also the efficiency of the inspection process decreases.

【0007】このような集積回路素子を選択する問題
は、本出願人により出願された韓国特許願第1997−
32280号に開示されているように、併合データ出力
モードおよび標準動作モードでも動作する集積回路素子
を1つの検査用基板を用いて検査しようとする際に特に
重要である。すなわち、定型化されたパターンで一定数
量の集積回路素子を選択することではなく、スキャン信
号の選択パターンに任意性を付随して使用者の選択によ
り任意に集積回路素子を選択することを可能にするべき
である。
The problem of selecting such an integrated circuit device is described in Korean Patent Application No. 1997-1997 filed by the present applicant.
As disclosed in U.S. Pat. No. 32,280, it is particularly important when an integrated circuit device that operates in the merged data output mode and the standard operation mode is to be inspected using a single inspection substrate. In other words, instead of selecting a fixed number of integrated circuit elements in a standardized pattern, it is possible to arbitrarily select an integrated circuit element according to a user's selection by adding an optional property to a scan signal selection pattern. Should be.

【0008】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、その目的は、検査基板に装着され
た複数の集積回路素子を任意に選択することができる検
査システムを提供することにある。
The present invention has been made in view of such conventional problems, and has as its object to provide an inspection system capable of arbitrarily selecting a plurality of integrated circuit elements mounted on an inspection board. It is in.

【0009】また、本発明の他の目的は、バーンイン検
査の検査時間を短縮し、検査工程の効率を高める検査シ
ステムを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an inspection system that shortens the inspection time of the burn-in inspection and increases the efficiency of the inspection process.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の第1の発明によるバーンイン検査シ
ステムは、複数の集積回路素子を行列に装着している検
査基板と、前記検査基板に装着されている複数の集積回
路素子の機能検査のための所定の検査パターンを生成す
る検査パターン部と、前記検査パターン部により生成さ
れた所定の検査パターンを前記複数の集積回路素子を記
憶させ、当該複数の集積回路素子からの出力データを検
査して当該複数の集積回路素子の不良の有無を確認する
データ検査部と、を備えて、前記複数の集積回路素子の
初期不良を検出する検査システムであって、前記検査基
板に実装された行方向の集積回路素子を選択する行方向
選択手段および当該検査基板に実装された列方向の集積
回路素子を選択する列方向選択手段の選択により、前記
検査基板上の任意の位置に装着されている少なくとも2
個以上の集積回路素子を任意に選択することを要旨とす
る。従って、検査基板に装着された複数の集積回路素子
を任意に選択することができ、バーンイン検査の検査時
間を短縮し、検査工程の効率を高めることができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a burn-in inspection system, comprising: a plurality of integrated circuit elements mounted in a matrix; An inspection pattern section for generating a predetermined inspection pattern for function inspection of a plurality of integrated circuit elements mounted on a substrate, and a predetermined inspection pattern generated by the inspection pattern section are stored in the plurality of integrated circuit elements. A data inspecting unit that inspects output data from the plurality of integrated circuit elements to check for a defect in the plurality of integrated circuit elements, and detects an initial failure of the plurality of integrated circuit elements. An inspection system, comprising: a row direction selecting means for selecting a row-direction integrated circuit element mounted on the inspection board; and a column-direction integrated circuit element mounted on the inspection board. The choice of column selection means, at least is attached to an arbitrary position of the inspection on the substrate 2
The gist is to arbitrarily select more than two integrated circuit elements. Therefore, it is possible to arbitrarily select a plurality of integrated circuit elements mounted on the inspection board, shorten the inspection time of the burn-in inspection, and increase the efficiency of the inspection process.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明をよ
り詳しく説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

【0012】図1は、本発明による検査システムの概略
ブロック図である。
FIG. 1 is a schematic block diagram of an inspection system according to the present invention.

【0013】検査システム(10)は、モニターバーン
イン検査に適用したものであって、検査しようとする集
積回路素子に熱的ストレスを加圧するためのチャンバ
(34)と、集積回路素子に電気的信号を供給し、集積
回路素子から出力される信号を測定するための複数の回
路モジュールとから構成される。
The inspection system (10) is applied to a monitor burn-in inspection, and includes a chamber (34) for applying a thermal stress to an integrated circuit element to be inspected, and an electric signal applied to the integrated circuit element. And a plurality of circuit modules for measuring a signal output from the integrated circuit element.

【0014】制御部(12)は検査システム全体を管理
し、使用者は、この制御部(12)を介して検査しよう
とする集積回路素子の動作タイミング、チャンバ(3
4)内の温度、電圧等を設定し、データパターンを指定
して、アドレス指定手順を制御する。前記制御部(1
2)によって制御される検査パターン部(検査パターン
生成部)(14)は、標準メモリ検査パターンを生成し
て実行し、使用者により定義された検査パターンも生成
して実行することができる。また、検査パターン部(1
4)は、データ発生部(28)及び行アドレス発生部
(16)および列アドレス発生部(20)に伝送される
マイクロプログラムアドレスを生成して制御する。デー
タ発生部(28)、行アドレス発生部(16)および列
アドレス発生部(20)は、検査パターン部(14)か
らのアドレスにより指定されるマイクロコード命令を実
行する。
The control unit (12) manages the entire inspection system, and the user operates the operation timing of the integrated circuit element to be inspected via the control unit (12), the chamber (3).
4) Set the temperature, voltage, etc., and specify the data pattern to control the addressing procedure. The control unit (1
The test pattern unit (test pattern generation unit) (14) controlled by 2) can generate and execute a standard memory test pattern, and can also generate and execute a test pattern defined by the user. In addition, the inspection pattern portion (1
4) generates and controls microprogram addresses transmitted to the data generator (28), the row address generator (16), and the column address generator (20). The data generator (28), the row address generator (16) and the column address generator (20) execute a microcode instruction specified by an address from the test pattern unit (14).

【0015】前記行アドレス発生部(16)及び列アド
レス発生部(20)は、検査基板(38)に装着される
集積回路素子(図外)のアドレス指定に必要なアドレス
信号を発生する。発生された行アドレス信号および列ア
ドレス信号は、各々行アドレス駆動部(18)及び列ア
ドレス駆動部(20)を介して集積回路素子に入力され
る。
The row address generator (16) and the column address generator (20) generate address signals necessary for addressing an integrated circuit element (not shown) mounted on the inspection board (38). The generated row address signal and column address signal are input to the integrated circuit device via the row address driver (18) and the column address driver (20), respectively.

【0016】選択信号発生部(24)は、検査基板(3
8)に装着された集積回路素子を選択するため、選択信
号駆動部(26)を介して入力される選択信号またはス
キャン信号を生成する。選択された集積回路素子から出
力される出力データがデータ駆動/受信部(32)を介
して入力されてデータ検査部(30)は、当該出力デー
タを検査して集積回路素子の機能が正常に動作するか否
かを検査することができる。
The selection signal generating section (24) is connected to the inspection board (3).
In order to select the integrated circuit element mounted in 8), a selection signal or a scan signal input through the selection signal driver (26) is generated. Output data output from the selected integrated circuit element is input via the data driver / receiver (32), and the data checker (30) checks the output data to determine whether the function of the integrated circuit element is normal. It can be checked whether it works.

【0017】データ発生部(28)は、検査パターン部
(14)のマイクロ命令を実行して、例えば、最大32
ビットのデータを生成し、これをデータ駆動/受信部
(32)を介して集積回路素子に伝送する。一方、集積
回路素子から出力される出力データは、検査するための
データ検査部(30)で集積回路素子の動作機能の検査
のために使用される。
The data generating section (28) executes the microinstruction of the inspection pattern section (14), for example, up to 32
Bit data is generated and transmitted to the integrated circuit device via the data driver / receiver (32). On the other hand, the output data output from the integrated circuit device is used by a data testing unit (30) for testing to check the operation function of the integrated circuit device.

【0018】前記データ検査部(30)では、検査の結
果、不良と判定された集積回路素子に対するデータを記
憶する動作も行うが、個別の集積回路素子に対する不良
データビットだけを記憶するか不良データビット及び不
良セルのアドレスを一緒に記憶することもできる。デー
タ検査部(30)に記憶されたデータは、制御部(1
2)に伝送されて分析され画面表示される。
The data inspection section (30) also performs an operation of storing data for an integrated circuit element determined to be defective as a result of the inspection. The bit and the address of the defective cell may be stored together. The data stored in the data inspection unit (30) is transmitted to the control unit (1).
It is transmitted to 2), analyzed and displayed on the screen.

【0019】前記選択信号駆動部(26)から出力され
る選択信号(スキャン信号)は、検査パターン部(1
4)で実行しようとする検査パターンによって、又は制
御部(12)による使用者の制御によって任意のパター
ンを有し、検査基板(38)の任意の位置に装着される
集積回路素子を任意に選択することができる。
The selection signal (scan signal) output from the selection signal driving section (26) is transmitted to the inspection pattern section (1).
An integrated circuit element having an arbitrary pattern according to the inspection pattern to be executed in 4) or the control of the user by the control unit (12) and arbitrarily mounted on an arbitrary position on the inspection board (38) is selected. can do.

【0020】前記チャンバ(34)には、複数の、例え
ば128個の集積回路素子が装着された検査基板(3
8)が実装され、チャンバ(34)内部の温度は、制御
部(12)により統制される温度制御部(36)によっ
て制御される。
In the chamber (34), a test board (3) on which a plurality of, for example, 128 integrated circuit elements are mounted.
8) is mounted, and the temperature inside the chamber (34) is controlled by a temperature controller (36) controlled by the controller (12).

【0021】例えば、チャンバ(34)内部の温度は、
図2に示した温度グラフによる。図2を参照すると、区
間OAでは、チャンバ(34)内部は常温を維持されて
おり、区間ABで急に83℃に上昇して集積回路素子に
熱的ストレスを加圧する。加圧後、データ駆動/受信部
(32)を介して集積回路素子に電気的ストレスを加圧
して集積回路素子の初期不良を加速化させる。その後、
集積回路素子の動作が確かに行われるかの機能検査を実
行する。次の区間BCでは、チャンバ内部の温度を12
5℃に上昇させ、集積回路素子に熱的ストレスを加圧し
た状態で集積回路素子に電気的ストレスを加圧し、更に
集積回路素子の機能検査を実行する。そして、区間CD
で温度を83℃に下降して電気的ストレスの加圧及び機
能検査を実行する。
For example, the temperature inside the chamber (34) is
According to the temperature graph shown in FIG. Referring to FIG. 2, in the section OA, the inside of the chamber (34) is maintained at a normal temperature, and the temperature rapidly rises to 83 ° C. in the section AB to apply thermal stress to the integrated circuit device. After the pressing, an electrical stress is applied to the integrated circuit device via the data driving / receiving unit (32) to accelerate the initial failure of the integrated circuit device. afterwards,
A function test is performed to confirm that the operation of the integrated circuit device is performed. In the next section BC, the temperature inside the chamber is set to 12
The temperature is raised to 5 ° C., and while the thermal stress is applied to the integrated circuit element, the electric stress is applied to the integrated circuit element, and the function test of the integrated circuit element is performed. And section CD
Then, the temperature is lowered to 83 ° C., and the pressurization of electric stress and the function test are performed.

【0022】図3は、本発明による検査システムに使用
するのに適合な選択信号発生部(24)のブロック回路
図である。図3に示した選択信号発生部(24)は、検
査基板に装着された集積回路素子を任意に選択すること
ができる選択信号を生成するための例示的な構成を有す
る。
FIG. 3 is a block circuit diagram of a selection signal generator (24) suitable for use in the inspection system according to the present invention. The selection signal generation unit (24) illustrated in FIG. 3 has an exemplary configuration for generating a selection signal that can arbitrarily select an integrated circuit element mounted on a test board.

【0023】カウンター(40)は、イネーブル(Enabl
e)信号Eを受けて駆動され、リセット(Reset)信号Rに
より初期状態に復元され、増加(Increment)信号Iが入
力される毎にカウンター(40)の出力は順次に増加す
る。前記カウンター(40)の制御信号E、I、Rは、
検査システム(10)の制御部(12)から供給され
る。第1バッファ(41)は、アドレスイネーブル(Add
ress Enable)信号AEにより駆動され、アドレス信号A
、A、…、Aを適切なレベル、即ちSRAM(Sta
tic RAM)(42)で認識することができるレベルに変換
して出力する。前記第1バッファ(41)に入力される
アドレス信号A、A、…、Aは、例えば検査シス
テム(10)の検査パターン部(14)または制御部
(12)から供給されることができる。前記第1バッフ
ァ(41)のn+1ビットの出力信号は、カウンター
(40)の出力と一対一に連結されて、SRAM(4
2)に入力されるアドレス信号を順次に増加可能であ
る。
The counter (40) is enabled (Enabl
e) It is driven in response to the signal E, is restored to the initial state by the reset signal R, and the output of the counter 40 is sequentially increased every time the increment signal I is inputted. The control signals E, I, R of the counter (40) are
It is supplied from the control unit (12) of the inspection system (10). The first buffer (41) has an address enable (Add
ress Enable) signal AE and the address signal A
0, A 1, ..., A n an appropriate level, i.e., SRAM (Sta
tic RAM) (42) and outputs the converted level. Address signals A 0, A 1 is input to the first buffer (41), ..., A n, for example be supplied from the test pattern unit (14) or the control unit of the inspection system (10) (12) it can. The (n + 1) -bit output signal of the first buffer (41) is connected to the output of the counter (40) in a one-to-one manner, so that the SRAM (4)
The address signal input to 2) can be sequentially increased.

【0024】前記SRAM(42)は、データバッファ
(45)を介して入力される外部データD、D
…、Dをアドレス信号A、A、…、Aにより指
定されるメモリセルに素子選択信号データとして記憶す
る。前記SRAM(42)から出力されるデータは、第
2バッファ(43)を介して素子選択信号S、S
…、Sとして検査基板に供給される。前記データバッ
ファ(45)は、読出/書込み信号R/W(Read/Write)
により動作が制御される。データバッファ(45)に書
込み動作の際、外部データD、D、…、DをSR
AM(42)に記憶し、読出動作の際、メモリの指定さ
れたアドレスに正しいデータを記憶するために、データ
を診断する。前記外部データD、D、…、Dは、
検査システム(10)の制御部(12)から供給され
る。
The SRAM (42) stores external data D 0 , D 1 ,
..., address signals D n A 0, A 1, ..., it is stored as an element selection signal data to the memory cell specified by A n. Data output from the SRAM (42) is supplied to the element selection signals S 0 , S 1 ,
..., it is supplied to the test substrate as S n. The data buffer (45) includes a read / write signal R / W (Read / Write).
Controls the operation. During a write operation to the data buffer (45), the external data D 0, D 1, ..., a D n SR
The data is stored in the AM (42), and at the time of a read operation, data is diagnosed in order to store correct data at a specified address of the memory. The external data D 0 , D 1 ,..., D n are:
It is supplied from the control unit (12) of the inspection system (10).

【0025】前記SRAM(42)に素子選択信号デー
タを記憶するため、データバッファ(45)に書込み信
号Wが入力され、SRAM(42)にも、書込み信号W
が入力されるが、出力イネーブルOE(Output Enable)
は入力されない。一方、カウンター(40)の出力は高
インピーダンス状態になり、前記SRAM(42)に入
力されるアドレス信号には何らの影響を与えない。前記
SRAM(42)をアドレス指定するためにアドレスイ
ネーブル信号AEが第1バッファ(41)に供給される
と、当該第1バッファ(41)に入力されるアドレス信
号A、A、…、AがSRAM(42)のメモリセ
ルを選択し、選択されたメモリセルに外部データD
、…、Dが記憶される。
In order to store the element selection signal data in the SRAM (42), a write signal W is input to the data buffer (45), and the write signal W is also supplied to the SRAM (42).
Is input, but output enable OE (Output Enable)
Is not entered. On the other hand, the output of the counter (40) is in a high impedance state, and has no effect on the address signal input to the SRAM (42). When an address enable signal AE is supplied to the first buffer (41) for addressing the SRAM (42), the address signals A 0 , A 1 ,..., A input to the first buffer (41). n selects a memory cell of the SRAM (42), and external data D 0 ,
D 1, ..., D n is stored.

【0026】前記SRAM(42)に読出信号Rと出力
イネーブル信号OEが入力されると、メモリセルに記憶
されていたデータが出力されて素子選択信号S
、…、Sとして使用される。この際、カウンター
(40)には、イネーブル信号Eが供給されてSRAM
(42)に供給されるアドレス信号は、カウンター(4
0)の出力により決定される。前記SRAM(42)の
アドレスは、カウンター(40)に増加信号Iが入力さ
れる毎に増加して、SRAM(42)のデータ出力信号
の内容が変わることになる。従って、SRAM(42)
の出力データにより検査基板に装着されている多数の集
積回路素子のうち任意の集積回路素子を選択することが
できる。すべての状態の信号を使用した後には、リセッ
ト信号Rによりカウンター(40)は初期状態に戻る。
When the read signal R and the output enable signal OE are input to the SRAM (42), the data stored in the memory cell is output and the element selection signal S 0 ,
S 1, ..., it is used as the S n. At this time, the enable signal E is supplied to the counter (40) to
The address signal supplied to (42) is a counter (4
0). The address of the SRAM (42) increases every time the increase signal I is input to the counter (40), and the content of the data output signal of the SRAM (42) changes. Therefore, the SRAM (42)
According to the output data, an arbitrary integrated circuit element can be selected from a large number of integrated circuit elements mounted on the inspection board. After using the signals in all the states, the reset signal R returns the counter (40) to the initial state.

【0027】前記素子選択信号S、S、…、S
パターンは、データバッファ(45)に入力されるデー
タD、D、…、DとSRAM(42)に入力され
るアドレス信号により決定され、アドレス信号とデータ
は、検査システムの制御部(12)により決定される。
制御部(12)は、検査パターン部(14)で生成、実
行される検査パターンに基づいてSRAM(42)に供
給されるアドレス信号及びデータを決定する。
[0027] The element selection signals S 0, S 1, ..., the pattern of S n, the data D 0, D 1 input to the data buffer (45), ... are input to the D n and SRAM (42) The address signal and the data are determined by the control unit (12) of the inspection system.
The control unit (12) determines an address signal and data to be supplied to the SRAM (42) based on the test pattern generated and executed by the test pattern unit (14).

【0028】図4は、検査基板に装着された複数の集積
回路素子と、当該複数の集積回路素子の選択のためのス
キャン信号との連結関係を示す概略連結図である。図4
に図示した検査基板は、前述した韓国特許願第1997
−32280号に開示されているように、併合データ出
力(Merged DQ:以下、”MDQ”という)モードおよび標
準動作モードでも動作する集積回路素子を1つの基板を
用いて検査することができる。
FIG. 4 is a schematic connection diagram showing a connection relationship between a plurality of integrated circuit elements mounted on an inspection board and scan signals for selecting the plurality of integrated circuit elements. FIG.
The test board shown in FIG.
As disclosed in U.S. Pat. No. 32280, an integrated circuit device that operates in a merged data output (Merged DQ: "MDQ") mode and a standard operation mode can be inspected using one substrate.

【0029】検査基板(38)には、例えば32個のソ
ケットがあり、このソケットには、検査しようとする集
積回路素子(70)が実装されている。前記集積回路素
子(70)は、例えば8個の入出力用のDQ端子を有し
ており、検査基板(38)の入出力I/O端子(62)
は、全部で32個である。スキャン信号0、1、16か
ら19は、32個の集積回路素子の中で、特定素子だけ
をイネーブルさせるためのものであって、検査システム
の選択信号駆動部(26)に連結されている。アドレス
信号(66)は、行/列アドレス駆動部(18、22)
から必要なアドレス信号が供給される。I/O端子(6
2)、電源信号(65)、制御信号(67)及びモード
選択信号(68)は、検査システムのデータ駆動/受信
部(32)に連結されているので、検査システムは、検
査に必要な信号を集積回路素子(70)に供給し、その
出力を読出すことができる。
The inspection board (38) has, for example, 32 sockets, on which the integrated circuit element (70) to be inspected is mounted. The integrated circuit element (70) has, for example, eight input / output DQ terminals, and the input / output I / O terminals (62) of the inspection board (38).
Are 32 in total. The scan signals 0, 1, 16 to 19 enable only a specific one of the 32 integrated circuit elements, and are connected to the selection signal driver 26 of the inspection system. The address signal (66) is supplied to the row / column address driver (18, 22).
Supplies necessary address signals. I / O terminal (6
2) Since the power signal (65), the control signal (67), and the mode selection signal (68) are connected to the data driving / receiving unit (32) of the inspection system, the inspection system can generate signals necessary for the inspection. Is supplied to the integrated circuit element (70), and the output thereof can be read.

【0030】前記電源信号(65)、アドレス信号(6
6)、制御信号(67)及びモード選択信号(68)
は、32個の集積回路素子(70)に全部連結されてい
るので、図面を簡略化するため、その連結状態は図示し
ない。制御信号(67)は、例えば、集積回路素子(7
0)の動作を制御するための信号であって、RAS(Row
Address Strobe)、CAS(Column Address Strobe)、W
E(Write Enable)、OE(Output Enable)等を含む。モ
ード選択信号(68)は、集積回路素子(70)が正常
な標準動作をすべきか、MDQモードとして動作すべき
かを選択する信号である。
The power signal (65) and the address signal (6)
6), control signal (67) and mode selection signal (68)
Are all connected to the 32 integrated circuit elements (70), and the connection state is not shown for simplification of the drawing. The control signal (67) is, for example, an integrated circuit element (7
0) is a signal for controlling the operation of RAS (Row
Address Strobe), CAS (Column Address Strobe), W
E (Write Enable), OE (Output Enable), etc. are included. The mode selection signal (68) is a signal for selecting whether the integrated circuit element (70) should perform a normal standard operation or operate in the MDQ mode.

【0031】前記MDQモードの選択は、検査システム
により決定され、集積回路素子(70)がMDQモード
に移行すると、集積回路素子の8個のDQ端子の中で所
定の個数の併合データ出力端子、例えば2つのDQ端
子、DQ0、DQ7を介して8ビットのデータが4ビッ
トずつ同時に出力される。例えば、8Mメモリブロック
当たり1ビットのデータが出力される8M×8(64
M)DRAM素子の場合、行アドレス(X0−X12)
や列アドレス(Y0−Y12)中のいずれか1つのアド
レス信号の中で、最上位の2ビット(例えば、Y11、
Y12)をアドレス指定に無関係の信号にすると、この
最上位の2ビットを除いて他のアドレス信号(例えば、
X0−X12、Y0−Y10)が同一の4個の8Mメモ
リブロックから出力されるデータが1個のDQ端子(D
Q0又はDQ7)を介して出力される。前記集積回路素
子の全メモリセルにデータ’1’を書込み、当該メモリ
セルから出力データを読出した時、例えば、DQ0を介
して出力される4個の出力データが全て’1’である場
合には、DQ0に正常なデータ’1’が出力される。し
かし、4個の出力データの中で、1個でも’0’である
場合には、DQ0にも不良データ’0’が出力されて、
当該集積回路素子は不良メモリセルを含んでいる不良素
子であることが判別できる。
The selection of the MDQ mode is determined by the inspection system. When the integrated circuit device (70) shifts to the MDQ mode, a predetermined number of the merged data output terminals among the eight DQ terminals of the integrated circuit device, For example, 8-bit data is output simultaneously by 4 bits via two DQ terminals, DQ0 and DQ7. For example, 8M × 8 (64) where 1-bit data is output per 8M memory block
M) Row address (X0-X12) for DRAM device
And the most significant two bits (for example, Y11, Y11) of any one address signal in the column address (Y0-Y12).
If Y12) is a signal irrelevant to addressing, other address signals (for example, except for the upper two bits) (for example,
X0-X12, Y0-Y10) output data from four 8M memory blocks with the same DQ terminal (D
Q0 or DQ7). When data "1" is written to all memory cells of the integrated circuit element and output data is read from the memory cells, for example, when all four output data output via DQ0 are "1" Outputs normal data '1' to DQ0. However, if at least one of the four output data is '0', defective data '0' is also output to DQ0,
The integrated circuit element can be determined to be a defective element including a defective memory cell.

【0032】行列に配列されている32個の集積回路素
子(70)の中で各列にある集積回路素子をイネーブル
させるための列イネーブルスキャン信号端子(64a)
のスキャン信号0は、第1、2列にある集積回路素子
を、行イネーブルスキャン信号端子(64b)のスキャ
ン信号1の第3、4列にある集積回路素子をイネーブル
させる。一方、スキャン信号16、スキャン信号17、
スキャン信号18、スキャン信号19は、各々第1、5
行、第2、6行、第3、7行、第4、8行に装着されて
いる集積回路素子に入力される。スキャン信号16から
19とスキャン信号0から1が全て活性状態である時、
その交点に位置する集積回路素子から出力データが出力
される。例えば、スキャン信号の中で、スキャン信号0
が活性状態で、スキャン信号の中で、スキャン信号16
が活性状態であれば、集積回路素子(1、1)(1、
2)(5、1)(5、2)のDQ端子から出力データを
読出すことができる。
A column enable scan signal terminal (64a) for enabling the integrated circuit elements in each column among the 32 integrated circuit elements (70) arranged in a matrix.
Scan signal 0 enables the integrated circuit elements in the first and second columns and the third and fourth columns of the scan signal 1 in the row enable scan signal terminal (64b). On the other hand, scan signal 16, scan signal 17,
The scan signal 18 and the scan signal 19 are the first and fifth signals, respectively.
The data is input to the integrated circuit elements mounted on the rows, the second, sixth, third, seventh, fourth, and eighth rows. When scan signals 16 to 19 and scan signals 0 to 1 are all active,
Output data is output from the integrated circuit element located at the intersection. For example, among scan signals, scan signal 0
Is in the active state, and among the scan signals, the scan signal 16
Is active, the integrated circuit elements (1, 1) (1,
2) The output data can be read from the DQ terminals of (5, 1) and (5, 2).

【0033】検査基板(38)のI/O端子(62)
は、全部で32個より構成され、当該I/O端子(6
2)と集積回路素子のDQ端子は、配線パターン(7
2)により電気的に連結されている。前記配線パターン
(72)は、多数の集積回路素子から出力される出力デ
ータがお互いに衝突を起こさないで順にI/O端子(6
2)に供給されるように設計しなければならない。I/
O 0−7は、集積回路素子(1、1)、(2、1)、
(3、1)、(4、1)、(1、3)、(2、3)、
(3、3)及び(4、3)に連結されており、I/O
8−15は、集積回路素子(1、2)、(2、2)、
(3、2)、(4、2)、(1、4)、(2、4)、
(3、4)及び(4、4)に連結されており、I/O
16−23は、集積回路素子(5、1)、(6、1)、
(7、1)、(8、1)、(5、3)、(6、3)、
(7、3)及び(8、3)に連結されており、I/O
24−31は、(5、2)、(6、2)、(7、2)、
(8、2)、(5、4)、(6、4)、(7、4)及び
(8、4)に連結されている。
I / O terminal (62) of inspection board (38)
Are composed of a total of 32 I / O terminals (6
2) and the DQ terminal of the integrated circuit element are connected to the wiring pattern (7
2) are electrically connected. The wiring pattern (72) is connected to the I / O terminals (6) in order without the output data output from the plurality of integrated circuit elements colliding with each other.
It must be designed to be supplied in 2). I /
O 0-7 are integrated circuit elements (1, 1), (2, 1),
(3,1), (4,1), (1,3), (2,3),
Linked to (3,3) and (4,3), I / O
8-15 are integrated circuit elements (1, 2), (2, 2),
(3, 2), (4, 2), (1, 4), (2, 4),
(3,4) and (4,4), and I / O
16-23 are integrated circuit elements (5, 1), (6, 1),
(7, 1), (8, 1), (5, 3), (6, 3),
(7,3) and (8,3), I / O
24-31 are (5, 2), (6, 2), (7, 2),
(8,2), (5,4), (6,4), (7,4) and (8,4).

【0034】このような検査基板(38)を使用する
と、MDQ方式を用いた検査及び部分不良メモリ素子の
検査を一緒に行うことができる。下記の表1は、この時
の素子選択信号のパターンを示す。
When such an inspection board (38) is used, the inspection using the MDQ method and the inspection for the partially defective memory element can be performed together. Table 1 below shows the pattern of the element selection signal at this time.

【0035】[0035]

【表1】 上記表1において、素子選択信号、スキャン信号0、ス
キャン信号1、スキャン信号16から19は、その値
が’1’である時、活性状態であり、’0’の時、不活
性状態である。従って、例えばスキャン信号0が’1’
であると、この第1、第2列信号が連結されている集積
回路素子が選択される。
[Table 1] In Table 1, the element selection signal, scan signal 0, scan signal 1, and scan signals 16 to 19 are in an active state when the value is "1" and in an inactive state when the value is "0". . Therefore, for example, when the scan signal 0 is “1”
Then, the integrated circuit element to which the first and second column signals are connected is selected.

【0036】前述したように、MDQモードでは、1個
の集積回路素子(70)から2ビットのデータが出力さ
れ、検査基板(38)のI/O端子(62)は、全部で
32ビットであるので、一度に16個の集積回路素子が
選択できる。従って、素子選択信号のパターン1及びパ
ターン2から明らかなように、スキャン信号16から1
9は、全て活性状態とし、スキャン信号0とスキャン信
号1を交互に活性状態とすれば、総32個の集積回路素
子から出力される出力データを検査して、どの集積回路
素子に不良が発生したかを知り得る。
As described above, in the MDQ mode, 2-bit data is output from one integrated circuit element (70), and the I / O terminal (62) of the test board (38) has a total of 32 bits. As such, 16 integrated circuit elements can be selected at a time. Therefore, as is apparent from the element selection signal patterns 1 and 2, the scan signals 16 to 1
9 is an active state, and if the scan signal 0 and the scan signal 1 are alternately activated, output data output from a total of 32 integrated circuit elements is inspected, and any integrated circuit element has a defect. Get to know.

【0037】一方、標準動作モードでは、1個の集積回
路素子から8ビットのデータが出力され、検査基板(3
8)のI/O端子(62)は、32ビットであるので、
1度に4個の集積回路素子を選択できる。従って、表1
のパターン3からパターン10に示すように、スキャン
信号0、1とスキャン信号16から19の中で、1個ず
つを選択的に活性状態にすることにより、総32個の集
積回路素子から出力される出力データを検査できる。こ
れにより、不良素子のどの出力端子で間違ったデータが
出力されたかを知り得るので、部分不良のメモリ素子の
活用性(良好なモジュールデバイスの構成に使用でき
る。)を検討することができる。
On the other hand, in the standard operation mode, 8-bit data is output from one integrated circuit element, and the test board (3
8) Since the I / O terminal (62) is 32 bits,
Four integrated circuit elements can be selected at a time. Therefore, Table 1
As shown in patterns 3 to 10 of FIG. 3, one of the scan signals 0 and 1 and the scan signals 16 to 19 is selectively activated to output signals from a total of 32 integrated circuit elements. Output data can be inspected. This makes it possible to know at which output terminal of the defective element the wrong data was output, so that utilization of the partially defective memory element (which can be used for a good module device configuration) can be studied.

【0038】このような素子選択信号のパターンは、上
述したように、検査パターンにより検査システムの制御
部が選択信号発生部に供給されるデータとアドレス信号
を適宜決定して、様々に定められる。
As described above, the pattern of such an element selection signal is variously determined by the control unit of the inspection system appropriately determining the data and the address signal to be supplied to the selection signal generation unit according to the inspection pattern.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
検査基板に装着された集積を検査パターンによって任意
に選択することができるので、検査時間が短縮され、検
査工程の効率が高まる。また、集積回路素子が併合デー
タ出力モードとして動作する時の機能検査と、標準モー
ドとして動作する時の機能検査を1つの検査基板を用い
て行うことができる。
As described above, according to the present invention,
Since the integration mounted on the inspection substrate can be arbitrarily selected according to the inspection pattern, the inspection time is shortened, and the efficiency of the inspection process is increased. In addition, a function test when the integrated circuit element operates in the merged data output mode and a function test when the integrated circuit element operates in the standard mode can be performed using one test board.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明によるバーンイン検査システムの概略ブ
ロック図である。
FIG. 1 is a schematic block diagram of a burn-in inspection system according to the present invention.

【図2】本発明によるバーンイン検査で熱的ストレスを
集積回路素子に加圧するための温度グラフである。
FIG. 2 is a temperature graph for applying a thermal stress to an integrated circuit device in a burn-in test according to the present invention;

【図3】本発明による検査システムに使用される選択信
号発生部のブロック回路図である。
FIG. 3 is a block circuit diagram of a selection signal generator used in the inspection system according to the present invention.

【図4】検査基板に装着された複数の集積回路素子と、
集積回路素子の選択のためのスキャン信号との連結関係
を示す概略連結図である。
FIG. 4 shows a plurality of integrated circuit elements mounted on an inspection board;
FIG. 3 is a schematic connection diagram illustrating a connection relationship with a scan signal for selecting an integrated circuit element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 検査システム 12 制御部 14 検査パターン部 16 行アドレス発生部 18 行アドレス駆動部 20 列アドレス発生部 22 列アドレス駆動部 24 選択信号発生部 26 選択信号駆動部 28 データ発生部 30 データ検査部 32 データ駆動/受信部 34 チャンバ 36 温度制御部 38 検査基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Inspection system 12 Control part 14 Inspection pattern part 16 Row address generation part 18 Row address drive part 20 Column address generation part 22 Column address drive part 24 Selection signal generation part 26 Selection signal drive part 28 Data generation part 30 Data inspection part 32 Data Driving / receiving unit 34 Chamber 36 Temperature control unit 38 Inspection board

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/26 G01R 31/28 H01L 21/66 Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G01R 31/26 G01R 31/28 H01L 21/66

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数の集積回路素子を行列に装着してい
る検査基板と、 前記検査基板に装着されている複数の集積回路素子の機
能検査のための所定の検査パターンを生成する検査パタ
ーン部と、 前記検査パターン部により生成された所定の検査パター
ンを前記複数の集積回路素子を記憶させ、当該複数の集
積回路素子からの出力データを検査して当該複数の集積
回路素子の不良の有無を確認するデータ検査部と、 を備えて、前記複数の集積回路素子の初期不良を検出す
る検査システムであって、 前記検査基板に実装された行方向の集積回路素子を選択
する行方向選択手段および当該検査基板に実装された列
方向の集積回路素子を選択する列方向選択手段の選択に
より、前記検査基板上の任意の位置に装着されている少
なくとも2個以上の集積回路素子を任意に選択すること
を特徴とする検査基板に装着される集積回路素子の任意
選択が可能な検査システム。
An inspection board on which a plurality of integrated circuit elements are mounted in a matrix, and an inspection pattern section for generating a predetermined inspection pattern for function inspection of the plurality of integrated circuit elements mounted on the inspection board And storing the predetermined test pattern generated by the test pattern unit in the plurality of integrated circuit elements, and inspecting output data from the plurality of integrated circuit elements to determine whether the plurality of integrated circuit elements are defective. A data inspection unit for confirming, comprising: a row direction selecting unit for selecting a row direction integrated circuit element mounted on the test board; By selecting a column-direction selecting means for selecting an integrated circuit element in a column direction mounted on the test board, at least two or more groups mounted at arbitrary positions on the test board are selected. Optionally inspection system capable of integrated circuit devices to be mounted on test board, characterized by arbitrarily selecting circuit elements.
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