JP2906417B2 - Microcomputer test method - Google Patents

Microcomputer test method

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JP2906417B2
JP2906417B2 JP63258635A JP25863588A JP2906417B2 JP 2906417 B2 JP2906417 B2 JP 2906417B2 JP 63258635 A JP63258635 A JP 63258635A JP 25863588 A JP25863588 A JP 25863588A JP 2906417 B2 JP2906417 B2 JP 2906417B2
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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マイクロコンピュータの試験方式に関し、
特に、読出専用メモリ(以下ROMと記す)とランダム・
アクセス・メモリ(以下RAMと記す)とプログラム可能
なメモリ(以下PROMと記す)及びインターフェース回路
を一チップに内蔵したマイクロコンピュータの試験方式
に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a microcomputer test method,
In particular, read-only memory (hereinafter referred to as ROM) and random
The present invention relates to a microcomputer test method in which an access memory (hereinafter, referred to as RAM), a programmable memory (hereinafter, referred to as PROM), and an interface circuit are incorporated in one chip.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、集積回路の製品検査工程では、高温での動作
試験や、高温雰囲気の中で長時間製品を動作させて製品
に熱及び電気ストレスを加え、初期故障を検出するバー
ン・イン試験が行われている。
Generally, in the product inspection process of an integrated circuit, an operation test at a high temperature or a burn-in test for detecting an initial failure by operating the product in a high-temperature atmosphere for a long time to apply thermal and electrical stress to the product is performed. ing.

しかし、マイクロコンピュータのような複雑なランダ
ム・ゲートを有する製品は、単に電源電圧を印加しただ
けでは回路の動作状態が固定してしまうので、回路の中
に電気ストレスのかからない部分がでる。
However, in a product having a complicated random gate such as a microcomputer, simply applying a power supply voltage fixes the operation state of the circuit, so that there is a portion in the circuit where electric stress is not applied.

この場合に、リセットしてクロック信号を印加すれ
ば、ROMに書かれているユーザ・プログラムを実行する
が、製造工程では、ユーザの周辺回路が接続されずその
プログラムが動作すべき環境ではないので、無限のルー
プに入り込んでストレスのかからない部分を無くすこと
はできない。
In this case, if a clock signal is applied after resetting, the user program written in the ROM is executed.However, in the manufacturing process, the user's peripheral circuits are not connected and the program is not in an environment in which the program should operate. However, it is not possible to eliminate the parts that are not stressed by entering an infinite loop.

その対策として、従来から被試験マイクロコンピュー
タの回路全体を動作させるようなプログラムを予め作成
し、それを外部から被試験マイクロコンピュータに入力
して実行させてバーン・イン試験をする方式(以下、ダ
イナミックバーン・イン試験と記す)がある。
As a countermeasure, there is a method in which a program for operating the entire circuit of the microcomputer under test is created in advance, and the program is externally input to the microcomputer under test and executed to perform a burn-in test (hereinafter referred to as a dynamic Burn-in test).

第5図は従来の集積回路の試験装置の一例のブロック
図である。
FIG. 5 is a block diagram of an example of a conventional integrated circuit test apparatus.

集積回路の試験装置は、ROM,RAM及び直列インタフェ
ース回路を有するn個のマイクロコンピュータQ11〜Q1n
を実装したm個の供試ボードB1c〜Bmcをヒータ2で加熱
した恒温槽1に入れ、電源3とパターンメモリ5cのパタ
ーンプログラム信号Spcを入力するパターン信号発生回
路4cの出力するパターンデータ信号SpDを10数本の配線
束よりパターンデータ線LSを介してm×n個の全被試験
マイクロコンピュータQ11〜Qmnに並列に供給している。
Test apparatus for an integrated circuit, ROM, n pieces of the microcomputer Q 11 to Q 1n with RAM and a serial interface circuit
The m test boards B 1c -B mc on which are mounted are placed in a thermostat 1 heated by a heater 2, and a pattern output from a pattern signal generating circuit 4 c for inputting a power supply 3 and a pattern program signal S pc of a pattern memory 5 c. data signal S pD are supplied in parallel to the m × n of all tested microcomputer Q 11 to Q mn via the pattern data lines L S than the wiring bundle of 10 several.

パタンメモリ5cには、被試験マイクロコンピュータQ
11〜Qmnの内部回路全体を動作させるプログラムが記憶
されており、パタン信号発生回路4cはこのパタンメモリ
5cからパタンプログラム信号SpCを受けて、プログラム
パタン信号SpDを発生させ、全マイクロコンピュータQ11
〜Qmnを動作させる。
The microcomputer under test Q is stored in the pattern memory 5c.
11 to Q and program for operating the entire internal circuit is stored in mn, pattern signal generator circuit 4c the pattern memory
Receiving a pattern program signal S pC from 5c, to generate a program pattern signal S pD, total microcomputer Q 11
Operate ~ Q mn .

このようにして、高温のダイナミック試験又は製造工
程スクリーニング試験となる所定時間のダイナミック・
バーン・イン試験が行なわれていた。
In this manner, a dynamic test for a predetermined time, which is a high-temperature dynamic test or a manufacturing process screening test, is performed.
A burn-in test was being conducted.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be solved by the invention]

上述のマイクロコンピュータの試験方式では試験時に
外部からプログラムを供給してマイクロコンピュータを
動作させるので、マイクロコンピュータが不良になった
か否かをダイナミック・バーン・イン試験中に判定でき
ず、良否の判定のためにはダイナミック・バーン・イン
試験後にLSI試験装置に用いてマイクロコンピュータの
全機能について試験する必要があり、良否の判定のため
に多くの時間を費してしまうという欠点があった。
In the microcomputer test method described above, since the microcomputer is operated by supplying a program from the outside during the test, it is not possible to determine whether or not the microcomputer has become defective during the dynamic burn-in test. For this purpose, it is necessary to test all the functions of the microcomputer by using the LSI test apparatus after the dynamic burn-in test, and there is a disadvantage that much time is spent for determining the quality.

上述した従来のマイクロコンピュータの試験方式に対
し、本発明は試験結果の情報を記憶するPROMを備えたマ
イクロコンピュータがダイナミック・バーン・イン試験
等の各種試験の実施中に試験結果の良否の情報をPROMに
書込む手段を有しているため、試験後にこのPROMの内容
を読出すだけでマイクロコンピュータの良否の判定がで
きるという相違点を有する。
In contrast to the above-described conventional microcomputer test method, the present invention provides a microcomputer having a PROM for storing information on test results, while performing various tests such as a dynamic burn-in test. Since there is a means for writing to the PROM, there is a difference that the quality of the microcomputer can be determined only by reading the contents of the PROM after the test.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明のマイクロコンピュータの試験方式は、試験装
置に設けたパタンメモリに記憶してある試験プログラム
を被試験マイクロコンピュータに内蔵した直列転送手段
を用いて前記被試験マイクロコンピュータに内蔵したラ
ンダム・アクセス・メモリに転送し、前記被試験マイク
ロコンピュータが前記ランダム・アクセス・メモリに格
納された前記試験プログラムをセルフ実行することによ
り前記被試験マイクロコンピュータの各構成要素を試験
しこの試験の結果の情報を前記被試験マイクロコンピュ
ータに内蔵した不揮発性メモリに記憶させることを特徴
とする。
The test method of the microcomputer according to the present invention includes a random access program built in the microcomputer under test by using a serial transfer means built in the microcomputer under test using a test program stored in a pattern memory provided in the test apparatus. Transferred to a memory, and the microcomputer under test self-executes the test program stored in the random access memory to test each component of the microcomputer under test. It is stored in a nonvolatile memory built in the microcomputer under test.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例により試験するマイク
ロコンピュータのブロック図である。被試験マイクロコ
ンピュータQ11はCPU11とユーザープログラムを記憶した
プログラムROM13と、受信バッファを有する直列インタ
ーフェース回路15を介して動作するプログラムを記憶し
たブートストラップROM12とRAM14と試験結果の情報を記
憶するPROM17と周辺回路16とを含んで構成されている。
通常はプログラムROM13が選択、PROM17は非選択となっ
ているが、ブートストラップROM選択信号SBRが入力され
たときにはインバータIによりブートストラップROM12
が選択され、選択信号SBRによりPROM17が選択される。
FIG. 1 is a block diagram of a microcomputer to be tested according to the first embodiment of the present invention. Tested microcomputer Q 11 is a program ROM13 storing the CPU11 and the user program, and PROM17 storing information of the stored bootstrap ROM12 and RAM14 and the test results a program that operates via a serial interface circuit 15 having a receive buffer The peripheral circuit 16 is included.
Usually program ROM13 is selected, PROM 17 is a non-selective, but bootstrap ROM12 by the inverter I when the bootstrap ROM selection signal S BR is input
There is selected, PROM 17 is selected by the selection signal S BR.

第2図は第1図のマイクロコンピュータを実装した試
験装置のブロック図であり、以下に第1図と第2図を用
いて本発明の第1の実施例を説明する。
FIG. 2 is a block diagram of a test apparatus in which the microcomputer of FIG. 1 is mounted, and a first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

試験装置はn個の被試験マイクロコンピュータQ11〜Q
1nが実装された供試ボードB1及び同様に構成された各供
試ボードB2〜Bmと、入力端にパランプログラム信号Sp
受け、出力端から直列データ信号SSDを出力し直列デー
タ信号線lSDを介して被試験マイクロコンピュータQ11
Qmnの受信端TSRに供給するパターン信号発生回路4を有
している。尚、第1図の各端子TBR,TR,TC及びTSRは、第
2図の各配線lBR,lR,lC及びlSDと接続している。
The test apparatus is composed of n microcomputers Q 11 to Q under test.
Each of the trial board B 2 .about.B m to 1n are configurations test boards B 1 and similarly mounted receives a heparan program signal S p to the input terminal, the series and outputs serial data signal S SD from the output terminal The microcomputer under test Q 11 through the data signal line l SD
The receiving end T SR of Q mn has a supply pattern signal generating circuit 4. The terminals T BR , T R , T C and T SR in FIG. 1 are connected to the respective wirings l BR , l R , l C and l SD in FIG.

まず、恒温槽1内はヒーター2で高温(例えば100
℃)に加熱される。電源3は電源線lD及び接地線を通し
て被試験マイクロコンピュータQ11〜Qmnに電源電圧を供
給する。パタン信号発生回路4はクロック信号線lCを通
してクロック信号SCを、ブートストラップROM選択信号
線lBRを通してブートストラップROM選択信号SBRをそれ
ぞれ全マイクロコンピュータQ11〜Qmnのブートストラッ
プROM選択信号端TBRに同時に伝達する。
First, the inside of the thermostat 1 is heated to a high temperature (for example, 100
° C). Power supply 3 supplies a power supply voltage through the power line l D and ground line to be tested microcomputer Q 11 to Q mn. Pattern signal generating circuit 4 is a clock signal S C through the clock signal line l C, bootstrap ROM bootstrap ROM selection signals of the bootstrap ROM selection signal S BR through selection signal line l BR entire microcomputer Q 11 to Q mn Transmit simultaneously to end TBR .

パタン信号発生回路4がリセット信号線lRを通じてリ
セット信号SRを発生すると各マイクロコンピュータQ11
〜QmnはブートストラップROM選択信号がハイレベルなの
でブートストラップROM12を選択し、リセット解除後CPU
11はブートストラップROM12に格納されているプログラ
ムを実行する。パタン信号発生回路4はリセット信号SR
を発生後パタンメモリ5に記憶されているパタンプログ
ラムSPを読み出し、1ビットずつ直列に直列データ信号
線lSDに出力する。各マイクロコンピュータQ11〜Qmn
直列インタフェース回路15を用いて同時に直列データ信
号SSDを受信する。
Pattern signal when generating circuit 4 generates a reset signal S R via the reset signal line l R of the microcomputers Q 11
~ Qmn is the high level of the bootstrap ROM selection signal.
11 executes a program stored in the bootstrap ROM 12. The pattern signal generation circuit 4 outputs the reset signal S R
Reads the pattern program S P stored in the generation after the pattern memory 5, and outputs in series one bit in the serial data signal line l SD. Each microcomputer Q 11 to Q mn receives serial data signal S SD simultaneously using a serial interface circuit 15.

CPU11はブートストラップROM12に格納されているプロ
グラムに従って受信バッファ読出信号SREをハイレベル
とし、受信バッファから読出したデータをアドレス信号
線lA及びデータ信号線lBを使ってRAM14の先頭アドレス
から順次書き込む。この処理を所定のバイト数の受信が
終了するまで行う。その後、RAM14の先頭アドレスに分
岐し、RAM14に書込まれたプログラムを実行する。この
プログラムにより被試験マイクロコンピュータQ11〜Qmn
の回路全体を動作させ、ダイナミック・バーン・イン試
験を実施することができる。
CPU11 sequentially from the receive buffer read signal S RE is high level, the head address of the data read from the receiving buffer with the address signal lines l A and the data signal line l B RAM 14 according to a program stored in the bootstrap ROM12 Write. This processing is performed until reception of a predetermined number of bytes is completed. After that, the program branches to the start address of the RAM 14 and executes the program written in the RAM 14. With this program, the microcomputers under test Q 11 to Q mn
Can be operated to perform the dynamic burn-in test.

試験中に不良が発生した場合プログラムはエラー処理
ルーチンに分岐し、CPU11はPROM書込信号SPGを出力して
データ信号線lBを介してPROM17にエラー情報を書込み、
不良の発生した被試験マイクロコンピュータは動作を停
止する。従ってダイナミック・バーン・イン試験終了後
にLSI試験装置により選択信号SBRをハイレベルとして再
びPROM17を選択し、CPU11からのPROM読出信号SRDにより
PROM17の内容を読出せば被試験マイクロコンピュータが
ダイナミック・バーン・イン試験中に不良となったか否
かを判定でき、従来のように被試験マイクロコンピュー
タの全機能の試験をする必要がない。
If failure during testing occurred the program branches to an error handling routine, a write error information to PROM17 through the outputs of the PROM write signal S PG data signal line l B CPU 11,
The microcomputer under test in which the defect has occurred stops operating. Thus again select PROM17 to dynamic burn-in test after completion of the selection signal S BR by LSI test device as a high level, the PROM read signal S RD from CPU11
By reading the contents of the PROM 17, it can be determined whether or not the microcomputer under test has failed during the dynamic burn-in test, and it is not necessary to test all the functions of the microcomputer under test as in the conventional case.

第3図は第1図および第2図に示す実施例のマイクロ
コンピュータの試験方式をフローチャートで示したもの
である。第1図及び第2図を用いて第3図を説明する。
FIG. 3 is a flowchart showing a test method of the microcomputer of the embodiment shown in FIGS. FIG. 3 will be described with reference to FIG. 1 and FIG.

ステップ101〜108は前述のとおりの手順を示してい
る。尚、PROM17は最初の“00H"(Hは16進表示を表わ
す)にイニシャライズされているとする。被試験マイク
ロコンピュータQ11〜QmnのRAM14に転送されたプログラ
ムはまずCPU11の試験を行う(ステップ109)。ここで試
験の結果CPU11の動作が不良と判断された場合はプログ
ラムはRAM14内に格納されたエラー処理ルーチンへジャ
ンプし、エラー処理ルーチンではPROM書込信号SPGを出
力してデータ信号線lBを介してPROM17にエラー情報“01
H"を書込む。その後不良を検出した被試験マイクロコン
ピュータは動作を停止する(ステップ112)。
Steps 101 to 108 show the procedure as described above. It is assumed that the PROM 17 has been initialized to the first "00 H " (H represents hexadecimal notation). Program transferred to RAM14 of the test microcomputer Q 11 to Q mn first testing a CPU 11 (step 109). Here, if the operation of the CPU 11 is determined to be defective as a result of the test, the program jumps to an error processing routine stored in the RAM 14, and in the error processing routine, outputs the PROM write signal S PG and outputs the data signal line l B Error information “01” in PROM17 via
H "is written. Thereafter, the microcomputer under test which has detected the defect stops its operation (step 112).

CPU11の動作が正常と判断された場合、次はプログラ
ムROM13の試験を行なう(ステップ111)。前述と同様に
動作不良が検出されるとPROM17にはエラー情報“02H"が
書込まれ、不良を検出した被試験はマイクロコンピュー
タは動作を停止する(ステップ115)。プログラムROM13
の動作が正常と判断された場合、次に周辺回路16の試験
を行なう(ステップ114)。前述と同様に動作不良が検
出されるとPROM17にエラー情報“03H"が書込まれ、不良
を検出した被試験マイクロコンピュータは動作を停止す
る(ステップ117)。これら一連の処理は所定の時間内
繰り返し行われ(ステップ118)、最終的に不良が検出
されなかった被試験マイクロコンピュータのPROM17には
良品を表わす情報として“FFH"が書込まれる(ステップ
119)。以上でダイナミック・バーン・イン試験は終了
する。
If the operation of the CPU 11 is determined to be normal, the program ROM 13 is tested next (step 111). When an operation failure is detected in the same manner as described above, error information "02 H " is written in the PROM 17, and the microcomputer stops operation of the device under test in which the failure was detected (step 115). Program ROM 13
Is determined to be normal, the peripheral circuit 16 is tested next (step 114). When an operation failure is detected in the same manner as described above, the error information “03 H ” is written into the PROM 17 and the microcomputer under test that has detected the failure stops operating (step 117). These series of processes are repeated within a predetermined time (step 118), and "FF H " is written as information indicating a non-defective product in the PROM 17 of the microcomputer under test in which no defect was finally detected (step 118).
119). This completes the dynamic burn-in test.

その後、LSI試験装置にて被試験マイクロコンピュー
タQ11〜QmnのPROM17の内容をそれぞれ読出せば(ステッ
プ120)、ダイナミック・バーン・イン試験によって不
良が発生したか否かを即座に判定できない。例えばPROM
17のデータが“FFH"であればダイナミック・バーン・イ
ン試験中に不良が発生しなかったことを表わし、“03H"
であればダイナミック・バーン・イン試験中に周辺回路
16に何らかの不具合が発生したことを表わしている。す
なわち従来のようにダイナミック・バーン・イン試験後
に被試験マイクロコンピュータの全機能について試験を
する必要がない。
Thereafter, if the contents of the PROMs 17 of the microcomputers under test Q 11 to Q mn are read by the LSI test apparatus (step 120), it is not possible to immediately determine whether or not a failure has occurred by the dynamic burn-in test. For example PROM
If the data of 17 is “FF H ”, it means that no failure occurred during the dynamic burn-in test, and “03 H
If the peripheral circuit during the dynamic burn-in test
16 indicates that something went wrong. That is, it is not necessary to test all functions of the microcomputer under test after the dynamic burn-in test as in the related art.

尚、本実施例では被試験マイクロコンピュータの各機
能の試験をCPU,プログラムROM,周辺回路の順番で行なっ
たが、この順番は特に規定するものではない。また、エ
ラー情報及び良品を表わす情報をそれぞれ“01H〜03H",
“FFH"としたが具体的な数値について特に限定するもの
ではない。さらにPROM17は紫外線消去可能な不揮発性メ
モリ(EPROM)電気的消去可能な不揮発性メモリ(EEPRO
M)のどちらでも良く、そのバイト数にも制限はない。
In the present embodiment, each function of the microcomputer under test is tested in the order of the CPU, the program ROM, and the peripheral circuits, but this order is not particularly specified. Further, each information representative of the error information and good "01 H ~03 H",
Although “FF H ” is set, specific numerical values are not particularly limited. Further, the PROM 17 is an ultraviolet erasable nonvolatile memory (EPROM) and an electrically erasable nonvolatile memory (EEPRO).
M), and the number of bytes is not limited.

第4図は本発明の第2の実施例を示すブロック図であ
る。前述の第1の実施例ではマイクロコンピュータのダ
イナミック・バーン・イン試験について本発明を応用し
たものであったが、第2の実施例は常温における通常の
動作試験について本発明を応用した例である。
FIG. 4 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. In the above-described first embodiment, the present invention is applied to a dynamic burn-in test of a microcomputer. In the second embodiment, the present invention is applied to a normal operation test at normal temperature. .

第4図において、第2図と同様の機能を有する部分は
同一番号を付してある。第2図と異なる点は、複数の被
試験マイクロコンピュータQ11〜Q1nがそれぞれ内蔵する
ボート回路の出力端子Pに表示装置D11〜D1nを備えたこ
とである。
In FIG. 4, portions having the same functions as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. Is different from the second figure is that with a display device D 11 to D 1n output terminal P of the boat circuit in which a plurality of the test microcomputer Q 11 to Q 1n are built respectively.

第1の実施例中で詳細に説明したとおり、まず被試験
はマイクロコンピュータQ11〜Q1nに電源3より電源電圧
を供給し、続いてパターン信号発生回路4がブートスト
ラップROM選択信号SBRを出力し被試験マイクロコンピュ
ータQ11〜Q1nのブートストラップROMが選択される。次
にリセット信号SRが出力され、リセット信号SRの解除後
ブートストラップROMに格納されたプログラムが実行さ
れるとパタンプログラムSPが直列データ信号線lSDを介
して被試験マイクロコンピュータQ11〜Q1nの直列インタ
ーフェース回路の受信端子TSRに入力され、内蔵するRAM
に書込まれる。その後被試験マイクロコンピュータQ11
〜Q1nはRAMに書込まれたプログラムをセルフ実行し、内
蔵するPROMにCPU等各機能の試験結果を書込む。
As explained in detail in the first embodiment, first, the test for supply voltages from the power source 3 to the microcomputer Q 11 to Q 1n, followed by the pattern signal generating circuit 4 is a bootstrap ROM selection signal S BR output bootstrap ROM under test microcomputer Q 11 to Q 1n are selected. Then the reset signal S R is output, the reset signal S R of release after bootstrap the ROM-stored program is run pattern program S P is serial data signal line l via the SD tested microcomputer Q 11 is input to the reception terminal T SR of serial interface circuits to Q 1n, built-in RAM
Is written to. Then the microcomputer under test Q 11
To Q 1n executes self a program written in RAM, write the test results, such as a CPU, each function in a built-in PROM.

ここで、最終的に良品と判定されたものに対してはマ
イクロコンピュータの内蔵するボート回路の出力端子P
からハイレベルを出力するようにプログラムを構成して
おく。表示回路D11〜D1nはこのハイレベルを検出すると
例えばLED等を点燈させて良品であることを示す。この
ようにすれば複数のマイクロコンピュータを一度に短時
間で試験することができ、試験のためのシステムも通常
のLSI試験装置より簡易化されたものを用いることがで
きる。
Here, the output terminal P of the boat circuit built in the microcomputer is used for those finally determined to be non-defective.
The program is configured to output a high level from. Display circuit D 11 to D 1n indicates a non-defective by lit for the example LED or the like for detecting the high level. In this way, a plurality of microcomputers can be tested at once in a short time, and a system for testing can be used which is simpler than a normal LSI test apparatus.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明は被試験マイクロコンピュ
ータに内蔵されているランダム・アクセス・メモリに試
験プログラムを転送して試験プログラムをセルフ実行さ
せ、良否の判定結果を不揮発性メモリに書込むことによ
り、ダイナミック・バーン・イン試験等の各種試験実施
後に不揮発性メモリの内容を読出すだけで良否の判定が
できるので、良否の判定のための試験時間を大幅に削減
でき、さらに試験のためのシステムを大幅に簡易化でき
るので製品検査工程における効率化及びコスト低減につ
ながり、安価なマイクロコンピュータを提供できるとい
う効果がある。
As described above, the present invention transfers the test program to the random access memory built in the microcomputer under test, executes the test program by itself, and writes the pass / fail judgment result to the nonvolatile memory. After performing various tests such as a dynamic burn-in test, pass / fail judgment can be made simply by reading the contents of the non-volatile memory, so that the test time for pass / fail judgment can be significantly reduced, and a system for testing can be further reduced. Since it can be greatly simplified, it leads to efficiency and cost reduction in the product inspection process, and there is an effect that an inexpensive microcomputer can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図及び第2図はそれぞれ本発明の第1の実施例の被
試験マイクロコンピュータのブロック図および試験装置
のブロック図、第3図は第1図および第2図に示す本発
明の第1の実施例の手順を示すフローチャート、第4図
は本発明の第2の実施例を示すブロック図、第5図は従
来の集積回路の試験装置のブロック図である。 11……CPU、12……ブートストラップROM、13……プログ
ラムROM、14……RAM、15……直列インターフェース回
路、17……PROM、Q11〜Qmn……マイクロコンピュータ、
TSR……受信端、D11〜D1n……表示装置。
1 and 2 are a block diagram of a microcomputer under test and a block diagram of a test apparatus according to a first embodiment of the present invention, respectively, and FIG. 3 is a block diagram of the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1 and FIG. FIG. 4 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a block diagram of a conventional integrated circuit test apparatus. 11 CPU, 12 Bootstrap ROM, 13 Program ROM, 14 RAM, 15 Serial interface circuit, 17 PROM, Q 11 to Q mn Microcomputer,
T SR ...... receiving end, D 11 ~D 1n ...... display device.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−221837(JP,A) 特開 昭60−17543(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G06F 11/22 - 11/26 G06F 15/78 510 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-61-221837 (JP, A) JP-A-60-17543 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) G06F 11/22-11/26 G06F 15/78 510

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】試験装置に設けたパタンメモリに記憶して
ある試験プログラムを被試験マイクロコンピュータに内
蔵した直列転送手段を用いて前記被試験マイクロコンピ
ュータに内蔵したランダム・アクセス・メモリに転送
し、前記被試験マイクロコンピュータが前記ランダム・
アクセス・メモリに格納された前記試験プログラムをセ
ルフ実行することにより前記被試験マイクロコンピュー
タの各構成要素を試験しこの試験の結果の情報を前記被
試験マイクロコンピュータに内蔵した不揮発性メモリに
記憶させることを特徴とするマイクロコンピュータの試
験方式。
1. A test program stored in a pattern memory provided in a test apparatus is transferred to a random access memory built in the microcomputer under test by using serial transfer means built in the microcomputer under test. The microcomputer under test is
Self-executing the test program stored in the access memory to test each component of the microcomputer under test, and storing information of the result of the test in a nonvolatile memory built in the microcomputer under test. A microcomputer test method.
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