JPH0258800A - Circuit and system for on-chip test for semiconductor memory - Google Patents
Circuit and system for on-chip test for semiconductor memoryInfo
- Publication number
- JPH0258800A JPH0258800A JP63211228A JP21122888A JPH0258800A JP H0258800 A JPH0258800 A JP H0258800A JP 63211228 A JP63211228 A JP 63211228A JP 21122888 A JP21122888 A JP 21122888A JP H0258800 A JPH0258800 A JP H0258800A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- test
- procedures
- roms
- circuit
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 238000010998 test method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract description 17
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 101150065817 ROM2 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半導体メモリ搭載用のオンチップテスト回路及
びテスト方式に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an on-chip test circuit and test method for mounting a semiconductor memory.
(従来の技術)
近年、半導体メモリの大容量化に伴うテスト時間の増加
やテスト手順の煩雑さを避けるために、そのテスト手順
を半導体メモリと同一チップ上に搭載するオンチップテ
スト方式が幾つか提案されている。これらの中でも、樹
下他が提案しているROMを用いたテスト方式では、隣
接メモリセルの影響による不良を検出可能であるような
複雑なテストパターンの発生が、少量のROMに記憶さ
れたテスト手順を用いて実現可能である、という点で他
のテスト方式より優れている(アイトリプルイー件ラン
ザクジョン・オン・コンピュータ(IEEETRANS
ACTIONSONCOMPUTER8)、1986年
10月号、862〜870頁)。(Prior art) In recent years, in order to avoid the increase in test time and the complexity of test procedures due to the increase in capacity of semiconductor memories, several on-chip test methods have been developed in which the test procedures are mounted on the same chip as the semiconductor memory. Proposed. Among these, in the test method using ROM proposed by Kinoshita et al., it is possible to generate complex test patterns that can detect defects due to the influence of adjacent memory cells. It is superior to other testing methods in that it can be implemented using
ACTION SON COMPUTER 8), October 1986 issue, pp. 862-870).
本テスト方式は、予め決められた一連のテスト手順をコ
ード化してROMに記憶しておき、このROMからの出
力で、テストアドレスの発生回路、テストデータの発生
回路及びメモリセルがらの読出し情報の検査回路を制御
し、半導体メモリ全体のテストを行うものである。テス
ト結果(半導体メモリの良、不良)は、ROMで定めら
れた一連のテスト手順を終えた後、すなわち、予め決め
られた全てのテストパターンを発生・印加した後に知る
ことができる。In this test method, a series of predetermined test procedures is encoded and stored in a ROM, and the output from the ROM is used to generate test address generation circuits, test data generation circuits, and readout information from memory cells. It controls the test circuit and tests the entire semiconductor memory. The test result (whether the semiconductor memory is good or bad) can be known after completing a series of test procedures determined by the ROM, that is, after generating and applying all predetermined test patterns.
(発明が解決しようとする課題)
以上述べたような従来のオンチップテスト方式では、隣
接メモリセルの影響を検査できるような複雑なテストパ
ターンを発生可能であるが、メモノチップ製造時に予め
定められた一連のテストパターンでしかメモリセルをテ
ストできない。このために、テストパターンの不良検出
能力の高低に関わらず、考えられるメモリセル不良を検
出するために必要なテストパターンがすべて含まれるよ
うな一連のテスト手順をROMに記憶さぜ、実行するこ
とになる。従って、テストパターンは長大になり、テス
ト実行時間も長くなるという問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional on-chip test method as described above, it is possible to generate complex test patterns that can test the influence of adjacent memory cells. Memory cells can only be tested using a series of test patterns. To this end, a series of test procedures that include all test patterns necessary to detect possible memory cell defects, regardless of the level of defect detection ability of the test patterns, must be stored in ROM and executed. become. Therefore, there is a problem that the test pattern becomes long and the test execution time becomes long.
本発明の目的は、メモリセルの不良を検出する能力が高
く、かつ、テスト実行時間が短い半導体メモリ用オンチ
ップテスト回路及びテスト方式を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an on-chip test circuit and test method for a semiconductor memory that has a high ability to detect defects in memory cells and a short test execution time.
(課題を解決するための手段)
前記従来の問題点を解決するために、本発明の半導体メ
モリ用オンチップテスト回路及びテスト方式で用いた手
段は、マイクロコード化されたテスト手順を記憶するR
OMと、当該ROMからの出力信号を受けて半導体メモ
リを自動的にテストするための信号を発生する制御回路
と、当該制御回路からの出力信号を受けて前記半導体メ
モリの出力情報を比較・検査する検査回路とを備え、前
記ROMを複数有しそれぞれに相異なる複数のテスト手
順をマイクロコード化して記憶する。また、前記複数の
ROMに記憶された複数のテスト手順の中の任意の1つ
を外部からの信号により選択し、実行する。また、前記
複数のROMに記憶された複数のテスト手順の中の任意
の複数手順を外部からの信号により選択し、連続的に実
行する。(Means for Solving the Problem) In order to solve the conventional problems, the means used in the on-chip test circuit and test method for semiconductor memory of the present invention is an R
OM, a control circuit that receives an output signal from the ROM and generates a signal for automatically testing the semiconductor memory, and receives an output signal from the control circuit and compares and inspects the output information of the semiconductor memory. It has a plurality of ROMs, each of which stores a plurality of different test procedures in the form of microcodes. Furthermore, any one of the plurality of test procedures stored in the plurality of ROMs is selected and executed by an external signal. Moreover, any plurality of test procedures among the plurality of test procedures stored in the plurality of ROMs are selected by an external signal and executed continuously.
(作用)
本発明の半導体メモリ用オンチップテスト回路及びテス
ト方式では、考えられるメモリセル不良を検出するため
に必要なテストパターンを発生するテスト手順を複数組
用意し、その中の1つ又は幾つかのものを選択的に実行
することで、不良検出能力は高いが、テスト実行時間を
短縮できる。(Function) In the on-chip test circuit and test method for semiconductor memory of the present invention, a plurality of test procedures for generating test patterns necessary for detecting possible memory cell defects are prepared, and one or more of them are prepared. By selectively executing these tests, the test execution time can be shortened while the defect detection ability is high.
(実施例)
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について詳
細に説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
本発明のオンチップテスト回路を半導体メモリに適用し
た場合のブロック構成図を第1図に示す。FIG. 1 shows a block configuration diagram when the on-chip test circuit of the present invention is applied to a semiconductor memory.
図において、オンチップテスト回路は、ROM(1,2
,・・・、i)と制御回路TCと検査回路CCで構成さ
れている。ROM(1,2,・・・、i)はマイクロコ
ード化された複数のテスト手順を記憶し、制御回路TC
によりその内容(テスト手順)が読み出され、解読され
る。検査回路CCは、メモリセルから読み出された人出
力線IO上の情報を制御回路TCからの出力信号を受け
て比較・検査し、その良否の判定結果Fを出力する。制
御回路TCはテストスタート信号TSを受けてROM(
1,2,・・・、i)からテスト手順の読込みを行う。In the figure, the on-chip test circuit includes ROM (1, 2
, . . . i), a control circuit TC, and a test circuit CC. ROM (1, 2, ..., i) stores a plurality of microcoded test procedures, and controls the control circuit TC.
The contents (test procedure) are read out and deciphered. The inspection circuit CC receives the output signal from the control circuit TC, compares and inspects the information read out from the memory cell on the human output line IO, and outputs a judgment result F as to whether it is good or bad. The control circuit TC receives the test start signal TS and reads the ROM (
The test procedure is read from 1, 2, ..., i).
このとき、選択信号SによりどのROM上のテスト手順
が実行されるかが決定される。例えば、ROM2の内容
が実行されるようになる。そうすると、制御回路TCは
ROM2のテスト手順で決定されるテストアドレスをア
ドレス線AD上に出力し、Xデコーダ20とYデコーダ
30によってメモリセルアレイ10の中のメモリセルを
選択する。そして、書込み動作時には入出力線IOを介
してテストデータを選択されたメモリセルに書込む。読
出し動作時には選択されたメモリセルの記憶情報を人出
力線IOを介して検査回路CCに取り込み、比較・検査
が行われる。At this time, the selection signal S determines which ROM test procedure is to be executed. For example, the contents of ROM2 will be executed. Then, the control circuit TC outputs the test address determined by the ROM 2 test procedure onto the address line AD, and the X decoder 20 and Y decoder 30 select a memory cell in the memory cell array 10. Then, during a write operation, test data is written into the selected memory cell via the input/output line IO. During a read operation, the stored information of the selected memory cell is taken into the test circuit CC via the human output line IO, and comparison and test are performed.
以上の動作は1つのテスト手順を実行する場合の例であ
る。2つ以上のテスト手順を実行する場合は、前述の1
つのテスト手順が終了した後で、次のテスト手順が開始
されるように選択信号Sで制御回路TCの制御動作を切
り換える。The above operation is an example of executing one test procedure. If you are performing more than one test procedure, please refer to step 1 above.
After one test procedure is completed, the control operation of the control circuit TC is switched by the selection signal S so that the next test procedure is started.
このように、複数組のテスト手順を別々のROMに記憶
しておき、その中の1つ又は幾つかを組にしてオンチッ
プテストすることで、全てのROMのテスト手順を実行
するのと比べて、テストパターン長、すなわちテスト時
間を短縮することが出来る。このときの、不良メモリセ
ル検出能力は、メモリセルの物理的な配置を考慮した場
合の不良検出能力の低いテスト手順を省くことにより、
従来のものと比べてほぼ一定に保つことが可能である。In this way, by storing multiple sets of test procedures in separate ROMs and performing an on-chip test on one or some of them, it is much easier than executing test procedures for all ROMs. Therefore, the test pattern length, that is, the test time can be shortened. At this time, the defective memory cell detection ability can be improved by omitting test procedures that have low defect detection ability when considering the physical arrangement of memory cells.
It is possible to keep it almost constant compared to the conventional method.
また、半導体メモリの使用状態により、不良検出能力を
低くしてもよい場合などは、本発明のテスト方式を用い
ればより大きなテスト時間の短縮が可能になり、効果的
である。Further, in cases where the defect detection ability may be lowered depending on the usage state of the semiconductor memory, the test method of the present invention can be used to further reduce the test time, which is effective.
(発明の効果)
以上説明したように、本発明の半導体メモリ用オンチッ
プテスト方式及び回路によれば、メモリセル不良を検出
するためのテストパターンを発生するテスト手順を記憶
したROMを複数組用意し、その中の任意の幾つかのも
のを選択的に実行することにより、必要な不良検出能力
を保ったまま、テスト実行時間を短縮できる効果を得る
。(Effects of the Invention) As explained above, according to the on-chip test method and circuit for semiconductor memory of the present invention, a plurality of ROMs storing test procedures for generating test patterns for detecting memory cell defects are prepared. However, by selectively executing any of them, it is possible to shorten the test execution time while maintaining the necessary defect detection ability.
第1図は本発明の半導体メモリ用オンチップテスト回路
の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an on-chip test circuit for semiconductor memory according to the present invention.
Claims (1)
M、当該ROMからの出力信号を受けて半導体メモリを
自動的にテストするための信号を発生する制御回路、当
該制御回路からの出力信号を受けて前記半導体メモリの
出力情報を比較・検査する検査回路とを備えたオンチッ
プテスト回路において、相異なる複数のテス手順をマイ
クロコード化して記憶する複数のROMが設けられてい
ることを特徴とする半導体メモリ用オンチップテスト回
路。 2)請求項1記載の半導体メモリ用オンチップテスト回
路において、前記複数のROMに記憶された複数のテス
ト手順の中の任意の1つを外部からの信号により選択し
、実行することを特徴とする半導体メモリ用オンチップ
テスト方式。 3)請求項1記載の半導体メモリ用オンチップテスト回
路において、前記複数のROMに記憶された複数のテス
ト手順の中の任意の複数手順を外部からの信号により選
択し、連続的に実行することを特徴とする半導体メモリ
用オンチップテスト方式。[Claims] 1) RO that stores microcoded test procedures
M. A control circuit that receives an output signal from the ROM and generates a signal for automatically testing the semiconductor memory; and a test that receives the output signal from the control circuit and compares and inspects the output information of the semiconductor memory. 1. An on-chip test circuit for a semiconductor memory, comprising a plurality of ROMs for storing a plurality of different test procedures in the form of microcodes. 2) The on-chip test circuit for semiconductor memory according to claim 1, wherein any one of the plurality of test procedures stored in the plurality of ROMs is selected and executed by an external signal. On-chip test method for semiconductor memory. 3) In the on-chip test circuit for semiconductor memory according to claim 1, any plurality of test procedures among the plurality of test procedures stored in the plurality of ROMs are selected by an external signal and continuously executed. An on-chip test method for semiconductor memory featuring:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63211228A JPH0258800A (en) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | Circuit and system for on-chip test for semiconductor memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63211228A JPH0258800A (en) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | Circuit and system for on-chip test for semiconductor memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0258800A true JPH0258800A (en) | 1990-02-27 |
Family
ID=16602407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63211228A Pending JPH0258800A (en) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | Circuit and system for on-chip test for semiconductor memory |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0258800A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0281400A (en) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Fujitsu Ltd | Memory element |
JPH0449600A (en) * | 1990-06-19 | 1992-02-18 | Nec Corp | Test code generation circuit |
JP2006268919A (en) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Built-in self test circuit of memory and self test method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62192100A (en) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Nec Corp | Dynamic type semiconductor memory device |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63211228A patent/JPH0258800A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62192100A (en) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Nec Corp | Dynamic type semiconductor memory device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0281400A (en) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Fujitsu Ltd | Memory element |
JPH0449600A (en) * | 1990-06-19 | 1992-02-18 | Nec Corp | Test code generation circuit |
JP2006268919A (en) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Built-in self test circuit of memory and self test method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3558252B2 (en) | Semiconductor memory test equipment | |
US6353563B1 (en) | Built-in self-test arrangement for integrated circuit memory devices | |
US20030120985A1 (en) | Method and apparatus for memory self testing | |
JP2006512698A (en) | Circuit and method for testing embedded DRAM circuits by direct access mode | |
JPH09318707A (en) | Method and apparatus for test of semiconductor memory | |
JP3675760B2 (en) | Test device for memory inspection | |
JP2002170397A (en) | Board for testing semiconductor memory, test method, and manufacturing method | |
US6288955B1 (en) | Methods and systems for testing integrated circuit memory devices by overlappiing test result loading and test result analysis | |
JP3811528B2 (en) | Memory test system for multi-bit test | |
JPH10112199A (en) | Memory test device | |
JPH10170607A (en) | Test device of semiconductor device | |
JPH10144095A (en) | Defect analyzing memory for semiconductor memory test device | |
KR101877939B1 (en) | Test circuit, memory system and test method of memory system | |
KR20010013920A (en) | Storage cell system and method for testing the function of storage cells | |
JPWO2002033708A1 (en) | Memory defect repair analysis method and memory test apparatus for implementing the method | |
JPH0258800A (en) | Circuit and system for on-chip test for semiconductor memory | |
JP2003509804A (en) | Memory inspection method | |
JP2001312897A (en) | Memory test device and test method | |
JPH0393099A (en) | On chip test circuit for semiconductor memory | |
JP2007280546A (en) | Semiconductor test equipment and semiconductor device testing method | |
JPWO2002037504A1 (en) | Memory defect repair analysis method and memory test apparatus | |
JP2865035B2 (en) | Test method for semiconductor memory device | |
KR100630661B1 (en) | Memory device capable of high speed testing with low frequency tester and the method thereof | |
JP2002278849A (en) | Semiconductor testing device | |
JPH10148658A (en) | Memory-testing device |