JP3008548B2 - 低温焼成セラミック組成物 - Google Patents
低温焼成セラミック組成物Info
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- JP3008548B2 JP3008548B2 JP3121337A JP12133791A JP3008548B2 JP 3008548 B2 JP3008548 B2 JP 3008548B2 JP 3121337 A JP3121337 A JP 3121337A JP 12133791 A JP12133791 A JP 12133791A JP 3008548 B2 JP3008548 B2 JP 3008548B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は低温焼成セラミックス組
成物に関し、詳しくは、電子機器の回路に使用されるセ
ラミック基板に供して好適な低温焼成セラミック組成物
に関する。
成物に関し、詳しくは、電子機器の回路に使用されるセ
ラミック基板に供して好適な低温焼成セラミック組成物
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化・高性能化に伴
い、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路も高集積化の傾向にあり、高
集積の回路として多層回路が実用化されている。この多
層回路用のセラミック基板としては、従来一般的にアル
ミナが用いられているが、アルミナを焼結させるために
は約１６００℃の高温で、かつ還元雰囲気で焼成する必
要がある。そのため多層回路用内部導体材料として、
Ｗ、Ｍｏ等の電気抵抗及び価格の高い高融点材料を使用
しなければならず、多層回路として信号遅延、高コスト
等の課題を有していた。
い、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路も高集積化の傾向にあり、高
集積の回路として多層回路が実用化されている。この多
層回路用のセラミック基板としては、従来一般的にアル
ミナが用いられているが、アルミナを焼結させるために
は約１６００℃の高温で、かつ還元雰囲気で焼成する必
要がある。そのため多層回路用内部導体材料として、
Ｗ、Ｍｏ等の電気抵抗及び価格の高い高融点材料を使用
しなければならず、多層回路として信号遅延、高コスト
等の課題を有していた。
【０００３】近年の回路の発達はセラミック基板の高性
能化を要求しており、その一つとして上記課題を解決し
た低温焼成化があり、低温焼成セラミック基板を用いた
多層回路が実用化されてきている。しかしながら低温焼
成セラミック基板は一般的に熱電導率・強度の点でアル
ミナに比べて劣り、できるだけその改善が望まれてい
る。
能化を要求しており、その一つとして上記課題を解決し
た低温焼成化があり、低温焼成セラミック基板を用いた
多層回路が実用化されてきている。しかしながら低温焼
成セラミック基板は一般的に熱電導率・強度の点でアル
ミナに比べて劣り、できるだけその改善が望まれてい
る。
【０００４】従来の低温焼成セラミック組成物として、
例えば特開平２−２６８６４号公報には、Ａｌ2 Ｏ3 粉
末：４５〜６０重量％、ＳｉＯ2 粉末：１５〜３０重量
％、及びＰｂＯ粉末：２０〜３５重量％よりなるものが
開示されている。
例えば特開平２−２６８６４号公報には、Ａｌ2 Ｏ3 粉
末：４５〜６０重量％、ＳｉＯ2 粉末：１５〜３０重量
％、及びＰｂＯ粉末：２０〜３５重量％よりなるものが
開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＡｌ2 Ｏ3
ーＳｉＯ2 ーＰｂＯ系の低温焼成セラミック組成物は、
熱伝導率、強度等の特性を向上させるフィラー成分（ア
ルミナ）と、低温焼成を可能とするフラックス成分（ガ
ラス）とからなっている。このＡｌ2 Ｏ3 ーＳｉＯ2 ー
ＰｂＯ系のセラミック組成物では、焼成時の温度上昇と
ともに、部分的に共融・ガラス化し、そのガラスが軟化
してアルミナ粒子を包み込むことにより緻密化する。こ
こで、アルミナ等のフィラー成分を増加させることによ
り、熱伝導率、強度の向上が期待できるが、アルミナを
増加しすぎると共融するガラス相が減少するので、アル
ミナ粒子を十分に包むことができず、焼成体の緻密性が
低下してしまう。このため、実際は一定割合以上（５５
％）のアルミナを加えると焼成体の緻密性が低下するこ
とにより、熱伝導率、強度は低下してしまう。この緻密
性の低下を避けるため従来は一般的にフラックス成分
（ガラス）として微粉末を用いているが、高コスト、成
形性が悪くなるという欠点がある。このため、フィラー
添加量として５０〜５５％が限度であった。
ーＳｉＯ2 ーＰｂＯ系の低温焼成セラミック組成物は、
熱伝導率、強度等の特性を向上させるフィラー成分（ア
ルミナ）と、低温焼成を可能とするフラックス成分（ガ
ラス）とからなっている。このＡｌ2 Ｏ3 ーＳｉＯ2 ー
ＰｂＯ系のセラミック組成物では、焼成時の温度上昇と
ともに、部分的に共融・ガラス化し、そのガラスが軟化
してアルミナ粒子を包み込むことにより緻密化する。こ
こで、アルミナ等のフィラー成分を増加させることによ
り、熱伝導率、強度の向上が期待できるが、アルミナを
増加しすぎると共融するガラス相が減少するので、アル
ミナ粒子を十分に包むことができず、焼成体の緻密性が
低下してしまう。このため、実際は一定割合以上（５５
％）のアルミナを加えると焼成体の緻密性が低下するこ
とにより、熱伝導率、強度は低下してしまう。この緻密
性の低下を避けるため従来は一般的にフラックス成分
（ガラス）として微粉末を用いているが、高コスト、成
形性が悪くなるという欠点がある。このため、フィラー
添加量として５０〜５５％が限度であった。
【０００６】本発明は上記実情に鑑みてなされたもので
あり、上記フィラー成分としてのアルミナ添加量を増加
可能として、高熱伝導、高強度な焼成体を得ることので
きる低温焼成セラミック組成物を提供することを目的と
する。
あり、上記フィラー成分としてのアルミナ添加量を増加
可能として、高熱伝導、高強度な焼成体を得ることので
きる低温焼成セラミック組成物を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくともＡ
ｌ 2 Ｏ 3 粉末、ＳｉＯ 2 粉末及びＰｂＯ粉末のセラミッ
ク粉末のみからなるＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＰｂＯ系の
低温焼成セラミック組成物において、前記組成物全体を
１００重量％としたとき、Ａｌ2 Ｏ3 粉末が５５〜６５
重量％、ＳｉＯ2 粉末が１０〜２０重量％、及びＰｂＯ
粉末が２０〜３０重量％であり、かつ上記Ａｌ2 Ｏ3 粉
末の平均粒径が２．５〜６．０μｍであることを特徴と
する。
ｌ 2 Ｏ 3 粉末、ＳｉＯ 2 粉末及びＰｂＯ粉末のセラミッ
ク粉末のみからなるＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＰｂＯ系の
低温焼成セラミック組成物において、前記組成物全体を
１００重量％としたとき、Ａｌ2 Ｏ3 粉末が５５〜６５
重量％、ＳｉＯ2 粉末が１０〜２０重量％、及びＰｂＯ
粉末が２０〜３０重量％であり、かつ上記Ａｌ2 Ｏ3 粉
末の平均粒径が２．５〜６．０μｍであることを特徴と
する。
【０００８】本発明の組成物の限定理由は、以下の通り
である。Ａｌ2 Ｏ3 は、基板の主成分であり、焼成体の
熱伝導率および強度を大きくするためのものである。５
５％未満ではこれらの効果が少なく、６５％を超えると
低温焼成の効果を減少させて、かつ緻密性を悪くする。
ＳｉＯ2 は、焼成後にケイ酸塩結晶を生成し、低熱膨張
性を付与する。１０％未満では焼結しにくくなるととも
に低熱膨張の効果が少なく、２０％を超えると熱伝導率
が低下するとともに熱膨張係数が大きくなる。
である。Ａｌ2 Ｏ3 は、基板の主成分であり、焼成体の
熱伝導率および強度を大きくするためのものである。５
５％未満ではこれらの効果が少なく、６５％を超えると
低温焼成の効果を減少させて、かつ緻密性を悪くする。
ＳｉＯ2 は、焼成後にケイ酸塩結晶を生成し、低熱膨張
性を付与する。１０％未満では焼結しにくくなるととも
に低熱膨張の効果が少なく、２０％を超えると熱伝導率
が低下するとともに熱膨張係数が大きくなる。
【０００９】ＰｂＯは、低温での焼結性を向上させる。
２０％未満では、低温で焼結しにくくなり、３０％を超
えても逆に低温で焼結しにくくなる。なお、好ましいＳ
ｉＯ 2 ／ＰｂＯの比は、０．５〜１である。また、上記
Ａｌ2 Ｏ3 粉末の平均粒径が２．５μｍより小さいと、
アルミナ粒子の比表面積の増大により共融ガラス相が相
対的に減少する。このため、Ａｌ2 Ｏ3 粉末が５５重量
％以上添加されるような場合には、アルミナ粒子を共融
ガラス相で十分に包むことができず、焼成体の緻密性が
低下する。この結果、焼成体の強度、熱伝導率が低下す
る。逆に、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の平均粒径が６．０μｍより
大きいと、焼成体の気孔が大きくなり、強度が低下す
る。
２０％未満では、低温で焼結しにくくなり、３０％を超
えても逆に低温で焼結しにくくなる。なお、好ましいＳ
ｉＯ 2 ／ＰｂＯの比は、０．５〜１である。また、上記
Ａｌ2 Ｏ3 粉末の平均粒径が２．５μｍより小さいと、
アルミナ粒子の比表面積の増大により共融ガラス相が相
対的に減少する。このため、Ａｌ2 Ｏ3 粉末が５５重量
％以上添加されるような場合には、アルミナ粒子を共融
ガラス相で十分に包むことができず、焼成体の緻密性が
低下する。この結果、焼成体の強度、熱伝導率が低下す
る。逆に、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の平均粒径が６．０μｍより
大きいと、焼成体の気孔が大きくなり、強度が低下す
る。
【００１０】なお、本発明の低温焼成セラミック組成物
に、ＴｉＯ2 粉末を０．１〜３重量％添加することも好
ましい。ＴｉＯ2 は、低温でのケイ酸塩結晶の成長を促
進することによりさらに低温焼成を可能とする。０．１
重量％未満ではこの効果が少なく、３％を超えると緻密
性が悪くなる。また、ＴｉＯ2 粉末の平均粒径は、緻密
性を考慮すると、２．０μｍ以下とすることが好まし
く、より好ましくは１．５μｍ以下とすることである。
に、ＴｉＯ2 粉末を０．１〜３重量％添加することも好
ましい。ＴｉＯ2 は、低温でのケイ酸塩結晶の成長を促
進することによりさらに低温焼成を可能とする。０．１
重量％未満ではこの効果が少なく、３％を超えると緻密
性が悪くなる。また、ＴｉＯ2 粉末の平均粒径は、緻密
性を考慮すると、２．０μｍ以下とすることが好まし
く、より好ましくは１．５μｍ以下とすることである。
【００１１】また使用する原料としては、結晶質、非晶
質いずれでもかまわない。調合、混合した原料を予め仮
焼しても良い。
質いずれでもかまわない。調合、混合した原料を予め仮
焼しても良い。
【００１２】
【作用】Ａｌ2 Ｏ3 ーＳｉＯ2 ーＰｂＯセラミック組成
物系では、前述したように、焼成時の温度上昇ととも
に、部分的に共融・ガラス化し、そのガラスが軟化して
アルミナ粒子を包み込むことにより緻密化する。本発明
では、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径が２．５〜６μｍと大きい
ので、アルミナ粒子の比表面積が減少する。このため、
アルミナ粒子を包み込むに足るガラス相を確保して緻密
性を損なうことなく、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の添加量を５５〜
６５重量％と増大させることができる。したがって、本
発明の低温焼成セラミック組成物によれば、焼成体の単
位体積当たりのアルミナ粒子の体積割合を増大させるこ
とができる。
物系では、前述したように、焼成時の温度上昇ととも
に、部分的に共融・ガラス化し、そのガラスが軟化して
アルミナ粒子を包み込むことにより緻密化する。本発明
では、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径が２．５〜６μｍと大きい
ので、アルミナ粒子の比表面積が減少する。このため、
アルミナ粒子を包み込むに足るガラス相を確保して緻密
性を損なうことなく、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の添加量を５５〜
６５重量％と増大させることができる。したがって、本
発明の低温焼成セラミック組成物によれば、焼成体の単
位体積当たりのアルミナ粒子の体積割合を増大させるこ
とができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を具体化した実施例を説明す
る。表１及び表２に示す組成をもつ低温焼成セラミック
組成物（試料１〜１４）を調合した。以下、試料Ｎｏ．
１４を例にとって説明する。まず平均粒径３．５μｍの
Ａｌ2 Ｏ3 粉末６００g 、平均粒径約２μｍのＳｉＯ2
粉末１５８g 、平均粒径約２μｍのＰｂＯ粉末２３７
ｇ、及び平均粒径約１μｍのＴｉＯ2 粉末５g を調合
し、低温焼成セラミック組成物とした。
る。表１及び表２に示す組成をもつ低温焼成セラミック
組成物（試料１〜１４）を調合した。以下、試料Ｎｏ．
１４を例にとって説明する。まず平均粒径３．５μｍの
Ａｌ2 Ｏ3 粉末６００g 、平均粒径約２μｍのＳｉＯ2
粉末１５８g 、平均粒径約２μｍのＰｂＯ粉末２３７
ｇ、及び平均粒径約１μｍのＴｉＯ2 粉末５g を調合
し、低温焼成セラミック組成物とした。
【００１４】そして、この組成物に、エタノ−ル：ｎー
ブタノール：ｚ−ブタノール＝１：１：１の混合溶剤４
００g 及び解こう剤Ｅ５０３（中京油脂製）６g 、さら
にバインダ−としてＰＶＢ（ポリビニルブチラール）４
０g 及びＤＢＰ（ブチルフタレート）５０g を加え、４
０時間混合し、その後、真空中にて攪拌・脱泡し、粘度
５０００〜２００００cps のスラリ−を得た。このスラ
リ−を用い、ドクターブレード法により、厚さ０．３mm
のグリーンシートを作成した。このグリーンシートを１
５０mm角に切断し、４枚重ね、３００kg/cm2の圧力を加
え、厚さ約１mmの板状体とした。この板状体から測定サ
ンプルの大きさに切り出し、毎時１００℃の割合で昇温
し、５００℃で２時間保持することにより前記ＰＶＢ、
ＤＢＰを除去し、セラミック脱脂体を得た。このセラミ
ック脱脂体を空気中にて毎時１５００℃の割合で昇温
し、９６０℃の焼成温度で１５分保持し、その後冷却し
焼成体を得て、測定サンプルとした。
ブタノール：ｚ−ブタノール＝１：１：１の混合溶剤４
００g 及び解こう剤Ｅ５０３（中京油脂製）６g 、さら
にバインダ−としてＰＶＢ（ポリビニルブチラール）４
０g 及びＤＢＰ（ブチルフタレート）５０g を加え、４
０時間混合し、その後、真空中にて攪拌・脱泡し、粘度
５０００〜２００００cps のスラリ−を得た。このスラ
リ−を用い、ドクターブレード法により、厚さ０．３mm
のグリーンシートを作成した。このグリーンシートを１
５０mm角に切断し、４枚重ね、３００kg/cm2の圧力を加
え、厚さ約１mmの板状体とした。この板状体から測定サ
ンプルの大きさに切り出し、毎時１００℃の割合で昇温
し、５００℃で２時間保持することにより前記ＰＶＢ、
ＤＢＰを除去し、セラミック脱脂体を得た。このセラミ
ック脱脂体を空気中にて毎時１５００℃の割合で昇温
し、９６０℃の焼成温度で１５分保持し、その後冷却し
焼成体を得て、測定サンプルとした。
【００１５】このようにして、表１及び表２に示す各試
料の焼成体サンプルを作成し、焼成体比重、曲げ強度、
熱伝導率を測定した。
料の焼成体サンプルを作成し、焼成体比重、曲げ強度、
熱伝導率を測定した。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】 表１の結果からも明らかなように、本実施例の低温焼
成セラミック組成物（試料１〜５）の焼成体サンプル
は、いずれも高強度及び高熱伝導率が得られた。
成セラミック組成物（試料１〜５）の焼成体サンプル
は、いずれも高強度及び高熱伝導率が得られた。
【００１８】一方、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の平均粒径が３．０
μｍと大きくＡｌ2 Ｏ3 粉末の添加量が本発明の範囲よ
り少ない試料６の焼成体サンプルは、焼成後、焼成体が
基台に融着して測定ができなかった。これは、ガラス相
がアルミナ粒子を包み込むのに過剰量となったためと考
えられる。また、試料７〜１１の焼成体サンプルは、い
ずれも高強度及び高熱伝導率が得られなかった。Ａｌ2
Ｏ3 粉末の割合が多過ぎる試料７の焼成体サンプルは、
共融するガラス相が減少するのでアルミナ粒子を十分に
包むことができず、焼成体の緻密性が低下したためと考
えられる。Ａｌ 2 Ｏ3 粉末の平均粒径が小さ過ぎる試料
８〜１０の焼成体サンプルは、アルミナ粒子の比表面積
が大きいため、共融するガラス相でアルミナ粒子を十分
に包むことができず、焼成体の緻密性が低下したためと
考えられる。Ａｌ2 Ｏ3 粉末の平均粒径が大き過ぎる試
料１１の焼成体サンプルは、焼成体に大きな気孔が発生
したため抗折強度が低下したと考えられる。
μｍと大きくＡｌ2 Ｏ3 粉末の添加量が本発明の範囲よ
り少ない試料６の焼成体サンプルは、焼成後、焼成体が
基台に融着して測定ができなかった。これは、ガラス相
がアルミナ粒子を包み込むのに過剰量となったためと考
えられる。また、試料７〜１１の焼成体サンプルは、い
ずれも高強度及び高熱伝導率が得られなかった。Ａｌ2
Ｏ3 粉末の割合が多過ぎる試料７の焼成体サンプルは、
共融するガラス相が減少するのでアルミナ粒子を十分に
包むことができず、焼成体の緻密性が低下したためと考
えられる。Ａｌ 2 Ｏ3 粉末の平均粒径が小さ過ぎる試料
８〜１０の焼成体サンプルは、アルミナ粒子の比表面積
が大きいため、共融するガラス相でアルミナ粒子を十分
に包むことができず、焼成体の緻密性が低下したためと
考えられる。Ａｌ2 Ｏ3 粉末の平均粒径が大き過ぎる試
料１１の焼成体サンプルは、焼成体に大きな気孔が発生
したため抗折強度が低下したと考えられる。
【００１９】また、表２に示すように、本発明の低温焼
成セラミック組成物にＴｉＯ2 粉末を所定量添加した試
料１２〜１４の焼成体サンプルは、いずれも高強度及び
高熱伝導率が得られれるとともに、５．５〜７．０×１
０- 6 ／℃の範囲内で所定の熱膨張係数を得ることがで
きた。これは、ＴｉＯ2 を所定量添加することによりガ
ラス相に比べ低熱膨張なＰｂＡｌ2 Ｏ3 Ｓｉ2 Ｏ8 の結
晶化反応を促進させることができたためと考えられる。
ＴｉＯ2 を０．５重量％添加した試料１４の焼成体サン
プルとＴｉＯ2 を添加していない焼成体サンプル（試料
２）とのＸ線回析結果を図５に示すように、ＴｉＯ2 の
添加によりガラス相がＰｂＡｌ2 Ｏ3 Ｓｉ2 Ｏ8 結晶に
変化していることがわかる。
成セラミック組成物にＴｉＯ2 粉末を所定量添加した試
料１２〜１４の焼成体サンプルは、いずれも高強度及び
高熱伝導率が得られれるとともに、５．５〜７．０×１
０- 6 ／℃の範囲内で所定の熱膨張係数を得ることがで
きた。これは、ＴｉＯ2 を所定量添加することによりガ
ラス相に比べ低熱膨張なＰｂＡｌ2 Ｏ3 Ｓｉ2 Ｏ8 の結
晶化反応を促進させることができたためと考えられる。
ＴｉＯ2 を０．５重量％添加した試料１４の焼成体サン
プルとＴｉＯ2 を添加していない焼成体サンプル（試料
２）とのＸ線回析結果を図５に示すように、ＴｉＯ2 の
添加によりガラス相がＰｂＡｌ2 Ｏ3 Ｓｉ2 Ｏ8 結晶に
変化していることがわかる。
【００２０】さらに、上記試料４、５、８、９、１１の
焼成体サンプルについて、Ａｌ2 Ｏ 3 粉末の平均粒径
と、焼成体比重、曲げ強度及び熱伝導率との関係をそれ
ぞれ図１、図２及び図３に示す。これらの図からも明ら
かなように、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径が本発明の範囲内に
ある焼成体サンプル（試料４、５）は、、比重、曲げ強
度及び熱伝導率がいずれも良好な値を示した。
焼成体サンプルについて、Ａｌ2 Ｏ 3 粉末の平均粒径
と、焼成体比重、曲げ強度及び熱伝導率との関係をそれ
ぞれ図１、図２及び図３に示す。これらの図からも明ら
かなように、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径が本発明の範囲内に
ある焼成体サンプル（試料４、５）は、、比重、曲げ強
度及び熱伝導率がいずれも良好な値を示した。
【００２１】さらにまた、上記試料４、５、８、９の焼
成体サンプルについて、焼成温度と比重の関係を調べた
結果を図４に示す。この図からも明らかなように、本発
明の低温焼成セラミック組成物の焼成体サンプル（試料
４、５）は、低温焼成により所定の緻密化を達成するこ
とができる。
成体サンプルについて、焼成温度と比重の関係を調べた
結果を図４に示す。この図からも明らかなように、本発
明の低温焼成セラミック組成物の焼成体サンプル（試料
４、５）は、低温焼成により所定の緻密化を達成するこ
とができる。
【００２２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の低温焼成
セラミック組成物は、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径を２．５〜
６μｍと増大させることにより、焼成体の緻密性を損な
うことがなくＡｌ2 Ｏ3 粉末の添加量を増加させること
ができる。したがって、本発明の低温焼成セラミック組
成物によれば、単位体積当たりのアルミナ粒子の体積割
合が増大した高強度、高熱伝導率の焼成体を得ることが
できる。
セラミック組成物は、Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径を２．５〜
６μｍと増大させることにより、焼成体の緻密性を損な
うことがなくＡｌ2 Ｏ3 粉末の添加量を増加させること
ができる。したがって、本発明の低温焼成セラミック組
成物によれば、単位体積当たりのアルミナ粒子の体積割
合が増大した高強度、高熱伝導率の焼成体を得ることが
できる。
【図１】Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径と比重との関係を示す線
図である。
図である。
【図２】Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径と曲げ強度との関係を示
す線図である。
す線図である。
【図３】Ａｌ2 Ｏ3 粉末の粒径と熱伝導率との関係を示
す線図である。
す線図である。
【図４】焼成温度と比重との関係を示す線図である。
【図５】Ｘ線回析の結果を示す線図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八木 勝弥 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 小林 清美 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−205658（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−159492（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/18
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくともＡｌ 2 Ｏ 3 粉末、ＳｉＯ 2 粉
末及びＰｂＯ粉末のセラミック粉末のみからなるＡｌ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＰｂＯ系の低温焼成セラミック組成物
において、 前記組成物全体を１００重量％としたとき、Ａｌ2 Ｏ3
粉末が５５〜６５重量％、ＳｉＯ2 粉末が１０〜２０重
量％、及びＰｂＯ粉末が２０〜３０重量％であり、かつ
上記Ａｌ2 Ｏ3 粉末の平均粒径が２．５〜６．０μｍで
あることを特徴とする低温焼成セラミック組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121337A JP3008548B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 低温焼成セラミック組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121337A JP3008548B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 低温焼成セラミック組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349166A JPH04349166A (ja) | 1992-12-03 |
| JP3008548B2 true JP3008548B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=14808761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3121337A Expired - Fee Related JP3008548B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 低温焼成セラミック組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3008548B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP3121337A patent/JP3008548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04349166A (ja) | 1992-12-03 |
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