JP2997310B2 - Heat treatment equipment - Google Patents

Heat treatment equipment

Info

Publication number
JP2997310B2
JP2997310B2 JP27135490A JP27135490A JP2997310B2 JP 2997310 B2 JP2997310 B2 JP 2997310B2 JP 27135490 A JP27135490 A JP 27135490A JP 27135490 A JP27135490 A JP 27135490A JP 2997310 B2 JP2997310 B2 JP 2997310B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
heat treatment
filter
door
transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP27135490A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH04146645A (en
Inventor
一成 坂田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP27135490A priority Critical patent/JP2997310B2/en
Priority to US07/766,205 priority patent/US5261167A/en
Priority to KR1019910016945A priority patent/KR0167476B1/en
Publication of JPH04146645A publication Critical patent/JPH04146645A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2997310B2 publication Critical patent/JP2997310B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は熱処理装置に関し、特にウェハを汚染が少な
く、歩留りよく生産することができる熱処理装置に係わ
る。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a heat treatment apparatus, and more particularly to a heat treatment apparatus capable of producing a wafer with low contamination and high yield.

[従来の技術] 近来、半導体製造において、ICチップの高集積化に伴
い微細な塵が製造工程中にチップに付着することにより
歩留りが低下してしまうため、防塵対策が重要な問題と
なっている。そのため、半導体製造装置は送風装置から
送られる空気をフィルタを通して天井から送風し、床面
から排気して清浄空気の垂直流が形成されるクリーンル
ームに配置されている。
[Prior art] In recent years, in semiconductor manufacturing, as the degree of integration of IC chips increases, fine dust adheres to the chips during the manufacturing process, and the yield decreases, so dust prevention measures have become an important issue. I have. Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus is arranged in a clean room in which air sent from an air blower is blown from a ceiling through a filter and exhausted from a floor to form a vertical flow of clean air.

このようなクリーンルームに配置される半導体製造装
置のうち、特に縦型熱処理装置は第3図に示すようにキ
ャリア(図示せず)に収納したウェハ1を石英ボート2
に移載する移載装置3と、石英ボート2に支持されたウ
ェハ1を熱処理する熱処理炉4から成り、このような縦
型熱処理装置をクリーンルーム5内に配置した場合、天
井に設けたフィルタ6から床に向って清浄空気流7が生
じているが、ウェハ2の移載装置3は熱処理炉4の陰と
なるために天井からの垂直流の清浄空気流7が行き亙ら
なかった。
Among the semiconductor manufacturing apparatuses arranged in such a clean room, a vertical heat treatment apparatus, in particular, uses a quartz boat 2 to store a wafer 1 stored in a carrier (not shown) as shown in FIG.
And a heat treatment furnace 4 for heat-treating the wafer 1 supported by the quartz boat 2. When such a vertical heat treatment apparatus is arranged in a clean room 5, a filter 6 provided on the ceiling is provided. From the ceiling to the floor, but the vertical transfer of the clean air flow 7 from the ceiling did not spread because the transfer device 3 of the wafer 2 was behind the heat treatment furnace 4.

また、熱処理が行なわれた後熱処理炉4から処理済の
ウェハ1を載置した石英ボート2を移載装置3に取出し
た場合、高温による空気の対流巻込みが発生し、特にウ
ェハ1が汚染されやすかった。
Further, when the quartz boat 2 on which the processed wafer 1 is placed is taken out from the heat treatment furnace 4 to the transfer device 3 after the heat treatment, convection of air occurs due to high temperature, and particularly, the wafer 1 is contaminated. It was easy to be done.

そのため、移載装置3の側面にもフィルタ8を設け、
清浄空気流9がウェハ1に達するように水平の清浄空気
流を送風していた。さらに、フィルタ8を設けた側面
は、移載装置3のメンテナンスを行なうために後方から
開閉可能な扉10となっている。
Therefore, the filter 8 is also provided on the side of the transfer device 3,
A horizontal clean air flow was blown so that the clean air flow 9 reached the wafer 1. Further, a side surface on which the filter 8 is provided is a door 10 that can be opened and closed from the rear side for performing maintenance of the transfer device 3.

[発明が解決しようとする課題] しかしながら、熱処理炉4のウェハの処理枚数が多く
なり、ウェハの口径も大きくなると移載装置3も大きく
なり、フィルタ8を設けた移載装置3の側面を構成する
扉10も当然大きくなって例えば2m以上にもなり、第5図
の断面図に示すように扉10は1枚では重量的にも開閉の
スペース的にも無理があり2枚に分割されていた。
[Problems to be Solved by the Invention] However, when the number of processed wafers in the heat treatment furnace 4 increases and the diameter of the wafer increases, the transfer device 3 also increases in size, and the side surface of the transfer device 3 provided with the filter 8 is configured. The size of the door 10 naturally increases to, for example, 2 m or more. As shown in the cross-sectional view of FIG. 5, the single door 10 is divided into two pieces because it is impossible in terms of weight and opening / closing space. Was.

しかしながら、扉10の重量に相当する強度の大きさの
蝶番11が必要であり、さらにフィルタ8には処理済のウ
ェハ1が熱処理炉4から搬出された時、その熱でフィル
タに劣化が生じないよう断熱効果を備えた金属製の開孔
板12が設けられており、蝶番11は例えば大型のものが用
いられていた。そのため、蝶番11部分には例えば13.7cm
の幅aに亘ってフィルタが設けられず、その部分からは
清浄空気流9が送出されなかった。そのため清浄空気流
9が達しない領域はフィルタ8が設けられない幅aに対
して、通常清浄空気流9の流れの方向に対して3倍の3a
の長さに亘ってしまい、第5図の三角形の領域では空気
が滞留し、ゴミがこの部分に集約されてしまった。しか
し、この部分は搬送機構13によりキャリア14から搬出し
たウェハ1の石英ボート2への搬送経路にあたり、ウェ
ハの汚染は免れることができなかった。そのため、ここ
に壁を設けて空気の滞留を防止するようにしたが、壁は
ウェハの搬送経路にかからないようにしか設けられない
ため空気の滞留域を完全に除去するに至らずウェハの汚
染は避けられなかった。
However, a hinge 11 having a strength corresponding to the weight of the door 10 is required, and further, when the processed wafer 1 is unloaded from the heat treatment furnace 4, the filter 8 does not deteriorate due to the heat when the processed wafer 1 is unloaded from the heat treatment furnace 4. A metal aperture plate 12 having a heat insulating effect is provided, and a large hinge 11 is used, for example. Therefore, for example, 13.7cm
No filter was provided over the width a, and the clean air flow 9 was not delivered from that portion. Therefore, the area where the clean air flow 9 does not reach is 3a, which is three times as large as the width a where the filter 8 is not provided, with respect to the flow direction of the normal clean air flow 9.
, Air stayed in the triangular area in FIG. 5, and dust was collected in this area. However, this portion corresponds to the transport path of the wafer 1 unloaded from the carrier 14 by the transport mechanism 13 to the quartz boat 2, and contamination of the wafer cannot be avoided. For this reason, a wall is provided here to prevent the accumulation of air. It was inevitable.

本発明は上記の欠点を解消するためになされたもので
あって、清浄気体流を移載装置の側面全域から送風で
き、空気の淀みのない、従って淀みに集約されるごみに
よりウェハが汚染されることのない熱処理装置を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described drawback, and it is possible to blow a clean gas flow from the entire side surface of the transfer device, and the wafer is contaminated by dust free from air stagnation and condensed in stagnation. It is an object of the present invention to provide a heat treatment apparatus that does not require heat treatment.

[課題を解決するための手段] この目的を達成するため本発明の熱処理装置は、ボー
トに支持されたウェハを熱処理する熱処理炉と、ウェハ
を収納するキャリア及びボート間におけるウェハの移載
を行なう移載空間を備えた熱処理装置において、気体流
を送風する送風装置と、移載空間の少なくとも1側面に
気体流を清浄化するフィルタを取着し蝶番により開閉可
能な扉と、扉の前面に気体流を移載空間にほぼ均一に拡
散して発生させるフィルタより広い面積の均圧板とを備
え、均圧板は扉の蝶番の部分に延長して設けられるもの
である。
Means for Solving the Problems To achieve this object, a heat treatment apparatus of the present invention performs a heat treatment furnace for heat treating a wafer supported by a boat, and transfers a wafer between a carrier for accommodating the wafer and the boat. In a heat treatment apparatus having a transfer space, a blower that blows a gas flow, a door having a filter for purifying a gas flow attached to at least one side of the transfer space and that can be opened and closed by a hinge, and a front surface of the door. A pressure equalizing plate having a larger area than a filter for generating a gas flow by diffusing the gas flow substantially uniformly in the transfer space, wherein the pressure equalizing plate is provided to extend to a hinge portion of the door.

[作用] この熱処理装置において、熱処理装置内でウェハを支
持する石英ボートと、ウェハを収納するキャリア間でウ
ェハの載置を行なうウェハ移載空間の少なくとも1側面
に蝶番により開閉可能な扉を設ける。この扉に空気清浄
フィルタを設け、このフィルタに送風装置を接続する。
フィルタの前面にフィルタより広い面積で扉の蝶番の部
分に延長して設けられる均圧板を備えることによりフィ
ルタの設けられていない部分からも清浄気流を送風する
ことができるようにして、移載空間に空気の滞留を生じ
ることがなく、移載空間全体に清浄空気が供給される。
このため清浄な状態でウェハの移載を行なうことがで
き、移載空間内でウェハが汚染されることがない。
[Operation] In this heat treatment apparatus, a quartz boat that supports a wafer in the heat treatment apparatus and a door that can be opened and closed by a hinge are provided on at least one side of a wafer transfer space where a wafer is placed between carriers that store the wafer. . The door is provided with an air purification filter, and a blower is connected to the filter.
By providing a pressure equalizing plate provided in front of the filter with a larger area than the filter and extending to the hinge portion of the door, a clean air flow can be blown from the portion where the filter is not provided, and the transfer space is provided. Clean air is supplied to the entire transfer space without causing air stagnation.
Therefore, the wafer can be transferred in a clean state, and the wafer is not contaminated in the transfer space.

[実施例] 以下、本発明の熱処理装置を縦型熱処理装置に適用し
た一実施例について図面を参照して説明する。
Example An example in which the heat treatment apparatus of the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus will be described below with reference to the drawings.

第1図に示す縦型熱処理装置Sは、主として熱処理の
前後でウェハ1を収納するキャリア14と熱処理中にウェ
ハ1を支持するボートである石英ボート2間でウェハ1
の移載を行なう移載空間Kと、ウェハ1の熱処理を行な
う熱処理炉4とから成る。
The vertical heat treatment apparatus S shown in FIG. 1 mainly includes a wafer 1 between a carrier 14 for accommodating the wafer 1 before and after the heat treatment and a quartz boat 2 which is a boat supporting the wafer 1 during the heat treatment.
And a heat-treating furnace 4 for heat-treating the wafer 1.

熱処理炉4はウェハ1を面内均一加熱できるよういく
つかのゾーンに分れたヒータ(図示せず)を備え、さら
に図示しない反応ガス供給系と排気系が接続され、所望
の温度に加熱されたウェハ1に反応ガスにより処理、例
えば成膜が行なえるようになっている。
The heat treatment furnace 4 is provided with heaters (not shown) divided into several zones so that the wafer 1 can be uniformly heated in a plane, and further connected to a reaction gas supply system and an exhaust system (not shown) to be heated to a desired temperature. The wafer 1 can be processed, for example, formed into a film, by using a reaction gas.

キャリア14と石英ボート2間のウェハ1の移載を行な
う移載空間Kには移載装置30が設けられ、キャリア14を
載置するキャリア載置台16と、ウェハ1を搬出する搬送
機構13とが設けられる。搬送機構13はウェハの一部を支
持する図示しないフオークに接続され水平移動機構を有
し、搬送アーム18を備える。搬送アーム18は垂直移動機
構及び回転移動機構19に接続されており、水平移動機構
によりキャリア14内に挿入された搬送アーム18が、垂直
移動機構により上昇しウェハ1を支持すると、水平機構
によりキャリア14外に戻され、回転機構により180゜回
転され、さらに水平及び垂直機構が作動して石英ボート
2の空段に順次ウェハの移載を行なうようになってい
る。
A transfer device 30 is provided in a transfer space K for transferring the wafer 1 between the carrier 14 and the quartz boat 2, and includes a carrier mounting table 16 on which the carrier 14 is mounted and a transfer mechanism 13 for unloading the wafer 1. Is provided. The transfer mechanism 13 is connected to a fork (not shown) that supports a part of the wafer, has a horizontal movement mechanism, and includes a transfer arm 18. The transfer arm 18 is connected to a vertical movement mechanism and a rotation movement mechanism 19, and when the transfer arm 18 inserted into the carrier 14 by the horizontal movement mechanism rises by the vertical movement mechanism to support the wafer 1, the carrier is moved by the horizontal mechanism. The wafer is returned 180 degrees, rotated by 180 ° by a rotating mechanism, and the horizontal and vertical mechanisms are operated to sequentially transfer wafers to the empty stage of the quartz boat 2.

このような移載装置30の側面には第2図に示すよう
に、蝶着部である蝶番11により扉10が2枚設けられる。
扉10には、ULPAフィルタ等の空気清浄フィルタ8が設け
られる。フィルタ8の前面には領域bを介してフィルタ
8より約20%広い面積の均圧板22が設けられる。この均
圧板22は、例えば8mm間隔で5mm径の孔が多数設けられた
厚さ1.0mmの鋼板等から成り、フィルタ8から送風され
る気体流の圧力を均一にして均圧板22の前面より清浄空
気を押し出す効果を有している。このような均圧板22は
扉10の蝶番11の部分24に延長して設けられる。
As shown in FIG. 2, two doors 10 are provided on the side surface of such a transfer device 30 by hinges 11 which are hinge portions.
The door 10 is provided with an air cleaning filter 8 such as a ULPA filter. A pressure equalizing plate 22 having an area approximately 20% wider than the filter 8 is provided on the front surface of the filter 8 via the region b. The pressure equalizing plate 22 is made of, for example, a steel plate having a thickness of 1.0 mm provided with a large number of holes having a diameter of 5 mm at intervals of 8 mm, and makes the pressure of the gas flow sent from the filter 8 uniform to clean the front surface of the pressure equalizing plate 22. It has the effect of pushing out air. Such a pressure equalizing plate 22 is provided to extend to a portion 24 of the hinge 11 of the door 10.

さらに、フィルタ8は第4図に示すように、扉10を介
して送風装置26に接続される。送風装置26は送風ファン
25を備え、送風ファン25からの気体流である空気流を扉
10に導くように構成されている。
Further, as shown in FIG. 4, the filter 8 is connected to the blower 26 through the door 10. Blower 26 is a blower fan
25, and the airflow that is the gas flow from the blower fan 25
It is configured to lead to 10.

次に、このように構成された縦型熱処理装置Sの動作
について説明する。
Next, the operation of the vertical heat treatment apparatus S configured as described above will be described.

キャリア載置台16にキャリア14がセットされ、搬送機
構13が動作開始する以前に、送風ファン25を連続運転さ
せる。送風ファン25が作動して、圧力が例えば13mmH2O
以上になると、フィルタ8を介して清浄空気流が流出さ
れる。フィルタ8の前面に設けられた均圧板22によりフ
ィルタ8と均圧板22に囲まれた領域bの空気圧が均一に
されて、均圧板22の孔より移載空間Kに清浄空気流Cが
生じる。清浄空気流Cは均圧板22によりフィルタ8の設
けらていない扉10の蝶番11の部分24にも均一に生じる。
そのため、移載空間Kは全域に亘り清浄空気流Cに満さ
れ、空気の滞留が生じない。そのため、ウェハ1を汚染
なく石英ボート2に移載できる。
Before the carrier 14 is set on the carrier mounting table 16 and the transport mechanism 13 starts operating, the blower fan 25 is continuously operated. The blower fan 25 operates and the pressure is, for example, 13 mmH 2 O
As described above, the clean air flow flows out through the filter 8. The equalizing plate 22 provided on the front surface of the filter 8 equalizes the air pressure in the region b surrounded by the filter 8 and the equalizing plate 22, and a clean air flow C is generated in the transfer space K from the hole of the equalizing plate 22. The clean air flow C is also uniformly generated by the pressure equalizing plate 22 in the hinge portion 11 of the door 10 where the filter 8 is not provided.
Therefore, the transfer space K is filled with the clean air flow C over the entire area, and the air does not stay. Therefore, the wafer 1 can be transferred to the quartz boat 2 without contamination.

石英ボート2にウェハ1の移載が行なわれた後、石英
ボート2は上下駆動機構21により上昇され熱処理炉4内
に挿入され熱処理が行なわれる。
After the transfer of the wafer 1 to the quartz boat 2, the quartz boat 2 is lifted by the vertical drive mechanism 21 and inserted into the heat treatment furnace 4 to perform heat treatment.

熱処理終了後、上記動作の逆進により石英ボート2か
らキャリア14にウェハ1の移載を行なう。この時も、ウ
ェハ1が清浄空気流C中で移載される。
After the heat treatment, the wafer 1 is transferred from the quartz boat 2 to the carrier 14 by reversing the above operation. Also at this time, the wafer 1 is transferred in the clean air flow C.

また、移載装置30のメンテナンスを行なう際も扉10を
開けて簡単にメンテナンスを行なうことができ、非常に
効率よく行なうことができる。
Also, when the maintenance of the transfer device 30 is performed, the maintenance can be performed easily by opening the door 10, and it can be performed very efficiently.

なお、本発明は上記の実施例に限定されず、他の装置
の移載装置にも適用できる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be applied to a transfer device of another device.

[発明の効果] 以上の説明からも明らかなように、本発明の熱処理装
置によれば、清浄な気体流を移載空間全域に亘って生じ
ることができるため、ウェハを汚染が少なく、歩留りよ
く生産することができる。
[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the heat treatment apparatus of the present invention, a clean gas flow can be generated over the entire transfer space, so that the wafer is less contaminated and the yield is good. Can be produced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の熱処理装置の一実施例を示す構成図、
第2図は第1図に示す一実施例の要部を示す図、第4図
は第2図のA−A′における断面図、第3図及び第5図
は従来例を示す図である。 1……ウェハ 2……石英ボート(ボート) 4……熱処理炉 8……フィルタ 10……扉 11……蝶番 14……キャリア 22……均圧板 24……扉の蝶番の部分 26……送風装置 30……移載装置 C……清浄気体流 K……移載空間
FIG. 1 is a configuration diagram showing one embodiment of a heat treatment apparatus of the present invention,
FIG. 2 is a view showing a main part of the embodiment shown in FIG. 1, FIG. 4 is a sectional view taken along line AA 'of FIG. 2, and FIGS. 3 and 5 are views showing a conventional example. . 1 Wafer 2 Quartz boat (boat) 4 Heat treatment furnace 8 Filter 10 Door 11 Hinge 14 Carrier 22 Equalizing plate 24 Hinge part of door 26 Air blow Apparatus 30 Transfer equipment C Clean gas flow K Transfer space

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ボートに支持されたウェハを熱処理する熱
処理炉と、前記ウェハを収納するキャリア及び前記ボー
ト間における前記ウェハの移載を行なう移載空間を備え
た熱処理装置において、 気体流を送風する送風装置と、前記移載空間の少なくと
も1側面に前記気体流を清浄化するフィルタを取着し蝶
番により開閉可能な扉と、前記扉の前面に前記気体流を
前記移載空間にほぼ均一に拡散して発生させる前記フィ
ルタより広い面積の均圧板とを備え、前記均圧板は前記
扉の前記蝶番の部分に延長して設けられることを特徴と
する熱処理装置。
1. A heat treatment apparatus comprising: a heat treatment furnace for heat treating a wafer supported by a boat; a carrier for accommodating the wafer; and a transfer space for transferring the wafer between the boats. An air blower, a door having a filter for purifying the gas flow attached to at least one side surface of the transfer space and openable and closable by a hinge, and a gas flow substantially uniform in the transfer space on a front surface of the door. A pressure equalizing plate having an area larger than that of the filter that is generated by diffusing the pressure into the filter, wherein the pressure equalizing plate is provided to extend to the hinge portion of the door.
JP27135490A 1990-09-27 1990-10-09 Heat treatment equipment Expired - Fee Related JP2997310B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27135490A JP2997310B2 (en) 1990-10-09 1990-10-09 Heat treatment equipment
US07/766,205 US5261167A (en) 1990-09-27 1991-09-27 Vertical heat treating apparatus
KR1019910016945A KR0167476B1 (en) 1990-09-27 1991-09-27 Vertical heat treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27135490A JP2997310B2 (en) 1990-10-09 1990-10-09 Heat treatment equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04146645A JPH04146645A (en) 1992-05-20
JP2997310B2 true JP2997310B2 (en) 2000-01-11

Family

ID=17498901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27135490A Expired - Fee Related JP2997310B2 (en) 1990-09-27 1990-10-09 Heat treatment equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2997310B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04146645A (en) 1992-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0167476B1 (en) Vertical heat treating apparatus
TWI329891B (en) Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US7935185B2 (en) Film forming system and film forming method
JPH04269824A (en) Vertical type heat-treating device
JP3402713B2 (en) Heat treatment equipment
JPH04269825A (en) Vertical type heat-treating device
JP2997310B2 (en) Heat treatment equipment
US4981436A (en) Vertical type heat-treatment apparatus
JP3499145B2 (en) Heat treatment method, heat treatment apparatus and treatment system
JP3670617B2 (en) Heat treatment apparatus and heat treatment method
JPH03257119A (en) Roller hearth type vacuum furnace
JP5280901B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method
JP2742572B2 (en) Vertical heat treatment equipment for semiconductor wafers
JP3856726B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment
JP2002195762A (en) Heat treatment apparatus
JP3017786B2 (en) Heat treatment equipment
JP2696570B2 (en) Vertical heat treatment equipment
JP2000274955A (en) Heat treatment device
JPH0256926A (en) Treatment apparatus
JP2645357B2 (en) Processing equipment
JPH04137526A (en) Vertical heat-treating device
JP3138875B2 (en) Clean air device
JP3447974B2 (en) Substrate processing equipment
JP2000171163A (en) Heat-treating device
JPH04120724A (en) Uprigth heat treatment device

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees