JPH0256926A - Treatment apparatus - Google Patents

Treatment apparatus

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JPH0256926A
JPH0256926A JP21177288A JP21177288A JPH0256926A JP H0256926 A JPH0256926 A JP H0256926A JP 21177288 A JP21177288 A JP 21177288A JP 21177288 A JP21177288 A JP 21177288A JP H0256926 A JPH0256926 A JP H0256926A
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JP
Japan
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clean air
air
clean
filter
fan
Prior art date
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Pending
Application number
JP21177288A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shingo Watanabe
伸吾 渡辺
Makoto Takado
真 高堂
Katsuhiko Iwabuchi
勝彦 岩渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Sagami Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Sagami Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0256926A publication Critical patent/JPH0256926A/en
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Abstract

PURPOSE:To make an apparatus compact and improve the workability of maintenance and so forth by employing a flat fan to generate clean air. CONSTITUTION:A clean air unit blowing fan 23 having a prefilter 22 in front of it and an HEPA filter 24 are unified with a door 25 to form an attached part 21 which blows clean air toward a conveying part 20. The attached part 21 is attached to a frame 26 behind the water boat conveying part 20 with extractable hinges 27 so as to be opened and closed freely and fixed tightly to the frame 26 by a retaining means 28 with a sealing member 29 bonded to the outer circumference of the door 25 between. By generating clean air by using the flat fan 23 as described above, an apparatus can be constructed compactly and the workability of maintenance and so forth can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) この発明は、処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a processing device.

(従来の技術) 今般、半導体製造工程の技術革新により、ICチップの
高集積化が進み、一定面積に対してICチップを構成す
る回路数が増加している。即ち。
(Prior Art) Recently, due to technological innovations in semiconductor manufacturing processes, the integration of IC chips has progressed, and the number of circuits forming an IC chip has increased for a given area. That is.

回路を構成するリード線や電極パッドが超微細化されて
いる。しかし、このように微細化が進むと、例えば微小
な塵でもリード線の断線や、その逆に、各リード線間の
ショートを招くことになる。このことに対応して、製造
工程における防塵対策も、より一層厳重に行なう必要が
ある。
The lead wires and electrode pads that make up the circuit are becoming ultra-fine. However, as miniaturization progresses, for example, even minute dust can cause breakage of the lead wires, or conversely, short circuits between the lead wires. In response to this, it is necessary to take even stricter measures against dust in the manufacturing process.

従来の半導体製造装置の防塵対策としては、ウェハに不
純物が付着するのを嫌うため、搬送も人手によらず搬送
装置で行い製造装置もクリーンルームに設置して行われ
ている。クリーンルームでは空気をプレフィルタ、HE
PAフィルタ等を通して清浄空気として天井から送風装
置により垂直層流を起し、床面から排気するようになっ
ている。
Conventional dust-proofing measures for semiconductor manufacturing equipment are to prevent impurities from adhering to wafers, so transporting the wafers is not done manually, but by using transport equipment, and the manufacturing equipment is also installed in a clean room. In clean rooms, air is pre-filtered, HE
Clean air is passed through a PA filter, etc., and a vertical laminar flow is generated by a blower from the ceiling, which is then exhausted from the floor.

第6図は半導体製造装置例えば縦型熱処理炉■を、クリ
ーンルーム■に設置したようすを示した図である。エア
が送風ダクト(3)から送風されると、プレフィルタ、
HEPAフィルタ等のクリーンルームフィルタに)で減
化され清浄空気となる。この清浄空気は、クリーンルー
ム■内を通過して床面■から排気されるようになってい
る。ここで、上記縦型熱処理炉■は、クリーンルーム■
の有効活用のためスルーザラオール対応となっている。
FIG. 6 is a diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus such as a vertical heat treatment furnace (2) installed in a clean room (2). When air is blown from the ventilation duct (3), the pre-filter,
(clean room filters such as HEPA filters) reduce the amount of air used to produce clean air. This clean air passes through the clean room (■) and is exhausted from the floor (■). Here, the above vertical heat treatment furnace ■ is a clean room ■
In order to make effective use of the data, it is compatible with through-the-ra-all.

縦型熱処理炉(ト)の反応炉0及び搬送部■のウェハが
取扱われる前面部分は、クリーンルーム■内に設置され
、縦型熱処理炉■の後背面はグレールーム(ハ)と呼ば
れるクリーンルーム■より清浄度の劣る室内に置かれて
いる。しかし縦型熱処理炉■の搬送部■には1反応炉0
が障害となり垂直層流の清浄空気流は達し難く1反応物
等のウェハへの不純物付着を防止することが困難である
。このため、搬送部■の後背面にクリーンベンチ0を設
け、クリーンベンチ0により清浄化した空気を搬送部■
に送風している。即ち、空気を送風ファン(10)から
、搬送部送風ダクト(11)を介してプレフィルタ。
The front part of the vertical heat treatment furnace (G) where wafers are handled in the reactor 0 and transport section (■) is installed in the clean room (■), and the back and rear part of the vertical heat treatment furnace (■) is located in the clean room (■) called the gray room (C). It is placed in a room with poor cleanliness. However, in the conveying section ■ of the vertical heat treatment furnace ■, there is one reaction furnace and zero
This makes it difficult to reach the vertical laminar clean air flow, making it difficult to prevent impurities such as one reactant from adhering to the wafer. For this reason, a clean bench 0 is provided at the rear of the transport section ■, and the air purified by the clean bench 0 is transferred to the transport section ■.
Air is being blown to. That is, air is passed from the blower fan (10) to the pre-filter via the conveyor blower duct (11).

HEPAフィルタ等のフィルタ(12)に送風し、清浄
化した空気を搬送部■に送風している。このことにより
、ボート(13)により支持されたウェハ(14)に清
浄空気の水平層流を当てることができる。
Air is blown to a filter (12) such as a HEPA filter, and purified air is blown to the conveying section (2). This allows a horizontal laminar flow of clean air to be applied to the wafers (14) supported by the boat (13).

又、横型の多段式熱処理炉についても同様である。The same applies to horizontal multi-stage heat treatment furnaces.

例えば天井からの垂直層流では、清浄空気を搬送部の最
上段のみにしか送風できない、このため、下層階の搬送
部に清浄空気流を与えるため搬送部の背面に送風装置を
設けていた。
For example, in a vertical laminar flow from the ceiling, clean air can only be sent to the top of the conveyor section, so a blower device has been installed on the back of the conveyor section to provide a flow of clean air to the conveyor sections on the lower floors.

又、装置のスルーザラオール対応にかかわらず、他の半
導体製造装置及び周辺機器において、上記と同様にクリ
ーンルームの垂直層流の清浄空気を、被処理体の搬送部
等に取り入れられない場合がある。このような場合も、
搬送部等に清浄空気を送風するため、空気を、ファンか
らダクトを介してフィルタに送風し、清浄空気として所
定の位置に送風していた。
In addition, regardless of whether the equipment is compatible with through-the-radar equipment, other semiconductor manufacturing equipment and peripheral equipment may not be able to take in the clean room's vertical laminar flow clean air into the transport section of the object to be processed, etc., as described above. . In such cases,
In order to blow clean air to a conveying section, etc., air is sent from a fan to a filter via a duct, and is sent to a predetermined position as clean air.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記のような防塵対策では、次のような
問題点がある。
(Problems to be Solved by the Invention) However, the above dustproof measures have the following problems.

清浄空気の送風装置において、ファンとフィルタをダク
トを介して継いでいる。するとダクトの設置スペースが
必要となる。又、ダクトのコンダクタンスを見込まなけ
ればならず、ファンを大型にする必要があった。さらに
、空気をフィルタに均一に供給するために、ダクト内の
構造を複雑にする必要があった。これらのことは、装置
を大型化し、装置の設置スペースの効率を悪くしていた
In a clean air blower, a fan and a filter are connected through a duct. This will require installation space for the duct. In addition, the conductance of the duct had to be taken into account, and the fan had to be made larger. Furthermore, in order to uniformly supply air to the filter, it was necessary to complicate the structure within the duct. These factors have made the device larger and made the installation space of the device less efficient.

つまり、クリーンルームやメンテナンス用のグレールー
ムの有効活用ができなかった。又、ダクトの設置により
、メンテナンススペースが設けられず、他の周辺機器の
メンテナンスにも悪影響をおよぼしていた。さらに、定
期的なフィルタの交換時に、その都度、ダクトの取り付
は取り外しを行なわなければならず作業性が悪かった。
In other words, the clean room and gray room for maintenance could not be used effectively. Furthermore, due to the installation of the duct, no maintenance space was provided, which adversely affected the maintenance of other peripheral equipment. Furthermore, each time the filter is replaced periodically, the duct must be attached and removed, resulting in poor workability.

さらに又、第6図に示す縦型熱処理炉■においては次の
ような問題点がある。
Furthermore, the vertical heat treatment furnace (2) shown in FIG. 6 has the following problems.

クリーンベンチ■、フィルタ(12)及び搬送部送風ダ
クト(11)等の送風装置はそれぞれ搬送部に固定され
ている。このため熱処理炉のメンテナンスを後背面から
行う場合、クリーンベンチ0を開ける時、送風ダクト(
11)を取り外す必要があり、作業性が悪いという欠点
があった。
Air blowers such as the clean bench (1), the filter (12), and the conveyor section air duct (11) are each fixed to the conveyor section. Therefore, when performing maintenance on the heat treatment furnace from the rear, when opening clean bench 0, the ventilation duct (
11) had to be removed, resulting in poor workability.

この発明は上記点に対処してなされたもので、処理装置
の防塵対策をする際に、装置をコンパクトに納め、メン
テナンス等の作業性が向上する効果を得る処理装置を提
供するものである。
The present invention has been made in response to the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a processing apparatus that can be housed compactly and improve workability such as maintenance when taking dust-proof measures for the processing apparatus.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) この発明に係る処理装置は、予め定められた位置にクリ
ーンエアを送風しながら被処理体の処理を行なう装置に
おいて、上記クリーンエアの発生を扁平ファンを用いて
行なうことを特徴とする。
(Means for Solving the Problems) A processing device according to the present invention is a device that processes an object while blowing clean air to a predetermined position, and generates the clean air using a flat fan. It is characterized by doing.

また、処理炉内との間で被処理体のローディング・アン
ローディングする搬送部にクリーンエアを送風する装置
を上記搬送部への装着部に設け、上記装着部を開閉自在
に設けたことを特徴とする。
Furthermore, a device for blowing clean air to the transport section for loading and unloading objects to be processed between the processing furnace and the inside of the processing furnace is provided in the mounting section to the transport section, and the mounting section is provided so as to be openable and closable. shall be.

(作用効果) 予め定められた位置にクリーンエアを送風しながら被処
理体の処理を行なう装置において、上記クリーンエアの
発生を扁平ファンを用いて行なうことにより、装置をコ
ンパクトに納めることができ、このことにより装置設置
スペースを縮小し、定められた床面積を有効に活用でき
る6又、装置のメンテナンス等も容易に行なえ作業性が
向上する効果がある。
(Function and effect) In a device that processes objects to be processed while blowing clean air to a predetermined position, by generating the clean air using a flat fan, the device can be housed compactly. This has the effect of reducing the equipment installation space, making effective use of the designated floor space, and facilitating maintenance of the equipment, improving work efficiency.

又、処理炉内との間で被処理体のローディング・アンロ
ーディングする搬送部にクリーンエアを送風する装置を
上記搬送部への装着部に設け、上記装着部を開閉自在に
設けたことにより、処理炉のメンテナンスをクリーンル
ーム内で行う必要がなく、細心の注意を払わずにクリー
ンルームを汚染することなく簡単にグレールームで全て
のメンテナンスを行うことができ半導体集積回路素子製
造において非常に有益である。
Furthermore, by providing a device for blowing clean air to the conveyance section where objects to be processed are loaded and unloaded into and out of the processing furnace at the attachment section to the conveyance section, and by providing the attachment section so as to be openable and closable, There is no need to perform maintenance on the processing furnace in a clean room, and all maintenance can be easily done in a gray room without paying close attention or contaminating the clean room, which is extremely beneficial in semiconductor integrated circuit device manufacturing. .

また、クリーンルーム内にメンテナンスゾーンを確保す
る必要がないため、複数の熱処理炉を使用するシステム
においても熱処理炉を間隙なく設置できるためクリーン
ルームの省スペース化を図ることができ、経済的である
。また、フィルタ及び送風ファンを一体化したため、搬
送部送風ダクトを設けることなく設備も簡単であり送風
装置でも省スペース化を実現でき、システム全体として
非常に効果的である。
Furthermore, since there is no need to secure a maintenance zone within the clean room, the heat treatment furnaces can be installed without gaps even in systems that use multiple heat treatment furnaces, making it possible to save space in the clean room, which is economical. Furthermore, since the filter and the blower fan are integrated, there is no need to provide a conveyor section blower duct, and the equipment is simple and the blower also saves space, making the system as a whole very effective.

〔実施例〕〔Example〕

本発明装置を縦型炉に適用した一実施例を第1図の断面
図及び第2図の正面図を参照して説明する。
An embodiment in which the apparatus of the present invention is applied to a vertical furnace will be described with reference to a sectional view in FIG. 1 and a front view in FIG. 2.

第1図においてウェハ上に半導体集積回路素子を形成す
る拡散、CVD等の縦型熱処理炉(15)は送風ダクト
(16)からクリーンルームフィルタ(17)を通過し
、床(18)より排気される垂直のクリーンエアの流れ
を有するクリーンルーム(19)内に設置されている。
In Figure 1, a vertical heat treatment furnace (15) for diffusion, CVD, etc. that forms semiconductor integrated circuit elements on a wafer passes through a clean room filter (17) from a ventilation duct (16) and is exhausted from the floor (18). It is installed in a clean room (19) with vertical clean air flow.

一方、第2図は縦型熱処理炉(15)の搬送部(20)
を後背面から見た正面図であり、搬送部(20)へクリ
ーンエアを送風する装着部(21)は前面にフィルタで
あるプレフィルタ(22)を設けたクリーンエアユニッ
ト送風ファン(23)及びフィルタであるHEPAフィ
ルタ(24)を扉(25)に一体上させて形成される。
On the other hand, Figure 2 shows the conveyor section (20) of the vertical heat treatment furnace (15).
is a front view seen from the rear side, and the mounting part (21) that blows clean air to the conveyance part (20) includes a clean air unit blowing fan (23) equipped with a pre-filter (22) as a filter on the front side; A HEPA filter (24) as a filter is integrally mounted on the door (25).

この装着部(21)は縦型熱処理炉(15)のウェハボ
ート搬送部(20)の後背面の架台(26)に抜差蝶番
(27)で開閉自在に蝶設され、第2図に示す如くコー
ナーキャッチ及び固定用ブラケット等の係止手段(28
)によりi (25)の外周に接着されたシール材(2
9)を介して架台(26)に密着するよう固定される。
This mounting part (21) is hinged to the pedestal (26) at the rear of the wafer boat transfer part (20) of the vertical heat treatment furnace (15) with a slide hinge (27) so that it can be opened and closed as shown in FIG. Locking means such as corner catches and fixing brackets (28
) to the outer periphery of i (25).
9), and is fixed in close contact with the pedestal (26).

これらの装着部(21)が接続される縦型熱処理炉(1
5)の後背面はクリーンルーム(19)外のグレールー
ム(30)に面している。
A vertical heat treatment furnace (1) to which these mounting parts (21) are connected
5) The rear side faces the gray room (30) outside the clean room (19).

ウェハボート(31)の搬送系は、前工程を終了したウ
ェハ(32)が例えば25枚キャリヤに収納されて搬送
され、ウェハ移替え装置(図示せず)でキャリア内のウ
ェハ(32)を熱処理用のウェハボート(31)例えば
石英ボートに移替える。この時、ウニハウ(32)はオ
リフラ部で整列された状態になっている。ウェハボート
(31)の移載終了後、ボート(31)を縦方向に姿勢
制御して縦型炉(15)の搬送部(20)へローディン
グロボット(図示せず)により移送し、予め定められた
位置でローディングロボットにより反応炉(33)の下
方から挿入する。上記搬送部(20)ではウェハがボー
ト(31)に水平して所定間隔で縦方向に配列するため
送風は横方向に行う。
In the transport system of the wafer boat (31), for example, 25 wafers (32) that have completed the previous process are stored in a carrier and transported, and a wafer transfer device (not shown) heat-processes the wafers (32) in the carrier. Transfer the wafer boat (31) to a quartz boat, for example. At this time, the sea urchins (32) are aligned at the orientation flat portion. After the transfer of the wafer boat (31) is completed, the boat (31) is controlled vertically and transferred to the transfer section (20) of the vertical furnace (15) by a loading robot (not shown). At this position, the loading robot inserts it into the reactor (33) from below. In the transport section (20), the wafers are arranged horizontally on the boat (31) and vertically at predetermined intervals, so that air is blown in the horizontal direction.

以上のような構成の装着部(21)を有した縦型熱処理
炉(15)にメンテナンスの必要を生じた場合、人間が
クリーンルーム(19)内に入らず、係止手段(28)
を解除して抜差蝶番(27)により扉(25)を開き、
また、必要があれば抜差蝶番(27)を抜き扉(25)
を外し、縦型熱処理炉(15)のメンテナンスを行う。
When maintenance is required for the vertical heat treatment furnace (15) having the mounting part (21) configured as described above, the locking means (28)
, and open the door (25) using the slide hinge (27).
Also, if necessary, remove the slide hinge (27) and remove the door (25).
, and perform maintenance on the vertical heat treatment furnace (15).

終了後は再び抜差蝶番(27)を差し込み係止手段(2
8)により装着部(21)を固定することができる。
After finishing, insert the slide hinge (27) again and lock the locking means (2).
8) allows the mounting portion (21) to be fixed.

このため、グレールーム(30)よりクリーンルーム(
19)の圧力を高圧に設定すれば装着部(21)の開放
時ゴミはグレールーム側へ排出される送風状態となるた
めクリーンルームを汚染することなく、クリーンルーム
内にメンテナンスゾーンを確保する必要がなくなり、複
数の縦型熱処理炉を設置する場合でもメンテナンスゾー
ンを省くことができ、それぞれの架台を間隙なく配置す
ることが可能となる。
For this reason, the clean room (
If the pressure in step 19) is set to a high pressure, the dust will be discharged to the gray room side when the mounting part (21) is opened, so the clean room will not be contaminated and there will be no need to secure a maintenance zone in the clean room. Even when multiple vertical heat treatment furnaces are installed, a maintenance zone can be omitted, and each frame can be arranged without gaps.

以上本発明の一実施例について説明したが、本発明は縦
型熱処理炉に限定されるものでなく、横型熱処理炉等に
も好適に採用できるのは当然である。またクリーンエア
送風装置の搬送部への取付は装置も上記のものに限定さ
れず蝶着及び/または嵌脱自在であればよい。
Although one embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to vertical heat treatment furnaces, and can naturally be suitably employed in horizontal heat treatment furnaces and the like. Furthermore, the attachment of the clean air blowing device to the conveyance section is not limited to the above-mentioned devices, and any device may be used as long as it can be hinged and/or detachable.

にバッチ処理する縦型CVD装置の気相エピタキシャル
成長装置に適用した一実施例につき図面を参照して説明
する。
An embodiment applied to a vapor phase epitaxial growth apparatus of a vertical CVD apparatus that performs batch processing will be described with reference to the drawings.

まず、気相エピタキシャル成長装置の構成を説明する。First, the configuration of the vapor phase epitaxial growth apparatus will be explained.

この装置は、例えば第3図に示すように主に、縦型反応
炉で、軸方向を垂直にした反応管(34)から成る処理
部(35)と、この処理部(35)に、多数の被処理体
例えば半導体ウェハ(36)を設置したボート(37)
を、下方の予め定められた位置から上記反応管(34)
にロード・アンロードする搬送機構(38)が設けられ
たローディングエリア(39)とから構成されている。
For example, as shown in Fig. 3, this apparatus is mainly a vertical reactor, with a processing section (35) consisting of a reaction tube (34) whose axis is vertical, and a large number of parts in this processing section (35). A boat (37) on which an object to be processed, such as a semiconductor wafer (36), is installed.
from a predetermined position below the reaction tube (34).
and a loading area (39) provided with a transport mechanism (38) for loading and unloading.

第5図に示すように上記処理部(35)には、耐熱性で
処理ガスに対して反応しにくい材質例えば石英からなる
反応管(34)が、二重管構造で設けられている。即ち
、この反応管(34)は、上面が封止された筒状の外管
(34a)と、この外管(34a)の内部に非接触状態
で設けられ、上面が封止された筒状の内管(34b)と
から構成されている。このような反応管(34)を同軸
的に囲繞する如く筒状加熱機構例えばコイル状に巻回さ
れた抵抗加熱ヒータ(40)が設けられている。このヒ
ータ(40)は、上記半導体ウェハ(36)の載置され
る領域を所望する温度例えば800〜1050℃に均一
に加熱するため電源例えば交流電源(図示せず)に接続
されている。即ち、この交流電源から電力を印加するこ
とにより、ヒータ(40)が加熱する。
As shown in FIG. 5, the processing section (35) is provided with a reaction tube (34) of a double-tube structure made of a material that is heat resistant and does not easily react with the processing gas, such as quartz. That is, this reaction tube (34) includes a cylindrical outer tube (34a) whose upper surface is sealed, and a cylindrical outer tube (34a) which is provided inside the outer tube (34a) in a non-contact state and whose upper surface is sealed. and an inner tube (34b). A cylindrical heating mechanism, such as a resistance heater (40) wound in a coil, is provided so as to coaxially surround the reaction tube (34). This heater (40) is connected to a power source, such as an AC power source (not shown), in order to uniformly heat the area on which the semiconductor wafer (36) is placed to a desired temperature, for example, 800 to 1050°C. That is, by applying electric power from this AC power source, the heater (40) heats up.

又、上記反応管(34)の内管(34b)内には、内管
(34b)内部に所定の処理ガスを供給するためのガス
供給管(41)が接続されている。このガス供給管(4
1)は、内管(34b)の内壁に沿って、上面まで垂直
に設けられている。又、ガス供給管(41)には所定の
間隔を設けて多数の孔(図示せず)が設けられている。
Further, a gas supply pipe (41) for supplying a predetermined processing gas into the inner pipe (34b) is connected to the inner pipe (34b) of the reaction tube (34). This gas supply pipe (4
1) is provided vertically along the inner wall of the inner tube (34b) up to the upper surface. Further, the gas supply pipe (41) is provided with a large number of holes (not shown) at predetermined intervals.

この孔により、内管(34b)内に多数のウェハ(36
)がセットされた時、各ウェハ(36)の処理面に処理
ガスを水平に送流できる。そして内管(34b)には、
処理ガスを排気するために、孔(図示せず)が設けられ
ている。この内管(34b)に設けられた孔は、上記ガ
ス供給管(41)の孔と、それぞれ対応する位置に設け
られている。又、上記ガス供給管(41)は、図示しな
いマスフローコントローラ等を介してガス供給源に接続
されている。又、上記反応管(34)の外管(34a)
には、排気管(42)が接続されている。この排気管(
42)は、反応管(34)内を所望の圧力に減圧及び処
理ガス等を排出可能な真空ポンプ(図示せず)に接続さ
れている。即ち、処理ガスを反応管(34)内に供給す
ると、処理ガスは、内管(34b)内の各ウェハ(36
)設置位置で水平に流れ、この時にウェハ(36)に処
理を行ない。
This hole allows a large number of wafers (36
) is set, processing gas can be flowed horizontally to the processing surface of each wafer (36). And in the inner tube (34b),
Holes (not shown) are provided to vent process gases. The holes provided in this inner tube (34b) are provided at positions corresponding to the holes in the gas supply tube (41), respectively. Further, the gas supply pipe (41) is connected to a gas supply source via a mass flow controller (not shown) or the like. Also, the outer tube (34a) of the reaction tube (34)
An exhaust pipe (42) is connected to the exhaust pipe (42). This exhaust pipe (
42) is connected to a vacuum pump (not shown) capable of reducing the pressure in the reaction tube (34) to a desired pressure and discharging process gas and the like. That is, when the processing gas is supplied into the reaction tube (34), the processing gas is supplied to each wafer (36) in the inner tube (34b).
) flows horizontally at the installation position, at which time the wafer (36) is processed.

そして、内管(34b)の多数の孔から外管(34a)
側に排出され、外管(34a)下部方向に流れ反応管(
34)外に排出される。
Then, the outer tube (34a) is inserted through the numerous holes of the inner tube (34b).
It is discharged to the side and flows toward the bottom of the outer tube (34a) and into the reaction tube (
34) Excreted outside.

又、上記のように構成された反応管(34)内を気密に
設定する如く蓋体(43)が着脱自在に設けられている
。この蓋体(43)上方には、上記ウェハ(36)を設
置したボート(37)が設けられる。このボート(37
)には、上記ウェハ(36)を多数例えば25枚及びダ
ミーウェハを数枚垂直方向に所定の間隔を設けて積載で
きる。又1.ボート(37)は、耐熱性で処理ガスに対
して反応しにくい材質例えば石英からなっている。そし
て、このボート(37)を上記反応管(34)内の予め
定められた高さ位置に設定可能で、上記反応管(34)
内の熱を逃がさないための保温筒(44)が、上記ボー
ト(37)と蓋体(43)との間に設けられている。
Further, a lid (43) is removably provided to keep the inside of the reaction tube (34) configured as described above airtight. A boat (37) in which the wafer (36) is placed is provided above the lid (43). This boat (37
), a large number of wafers (36), for example 25, and several dummy wafers can be stacked at predetermined intervals in the vertical direction. Also 1. The boat (37) is made of a material that is heat resistant and does not easily react with the processing gas, such as quartz. This boat (37) can be set at a predetermined height position within the reaction tube (34), and
A heat insulating cylinder (44) for preventing internal heat from escaping is provided between the boat (37) and the lid (43).

又、上記蓋体(43)には2回転駆動モータ(図示せず
)が設けられていて、回転軸が保温筒(44)底面の中
心に係合されている。このことにより、保温筒(44)
およびウェハ(36)を積載したボート(37)を回転
できるようになっている。ここで、回転軸と蓋体(43
)とのシールは、磁性流体シールにより行なわれ、反応
管(34)内の気密が保たれるようになっている。
Further, the lid (43) is provided with a two-rotation drive motor (not shown), and a rotating shaft thereof is engaged with the center of the bottom surface of the heat-insulating cylinder (44). Due to this, the heat insulation cylinder (44)
And a boat (37) loaded with wafers (36) can be rotated. Here, the rotating shaft and the lid body (43
) is performed by a magnetic fluid seal to maintain airtightness within the reaction tube (34).

また、上記蓋体(43)は、例えばボールネジとモータ
等からなる搬送機構(38−)に支持されている。
Further, the lid (43) is supported by a transport mechanism (38-) consisting of, for example, a ball screw and a motor.

このことにより、上記蓋体(43)上方に設けられたボ
ート(37)が昇降移動可能となっている。即ち、上記
ボート(37)は、処理部(35)と、この処理部(3
5)の下方に設けられたローディングエリア(39)間
で移動できる。このローディングエリア(39)では、
保温筒(44)上にウェハを積載したボート(37)を
図示しない搬送装置により受は渡しを実行する。
This allows the boat (37) provided above the lid (43) to move up and down. That is, the boat (37) includes a processing section (35) and a processing section (3).
5) can be moved between loading areas (39) provided below. In this loading area (39),
A boat (37) loaded with wafers on a heat-insulating tube (44) is transferred by a transfer device (not shown).

上述したように気相エピタキシャル成長装置が構成され
ていて、この装置は図示しない制御部により、動作制御
および設定制御される。さらに。
The vapor phase epitaxial growth apparatus is configured as described above, and the operation and settings of this apparatus are controlled by a control section (not shown). moreover.

この装置には、次に説明する防策対策がなされている。This device has the following preventive measures.

例えば第3図に示すように、この装置はクリーンエアを
垂直層流するクリーン度の高い例えばクラス10のクリ
ーンルーム(45)と、このクリーンルーム(45)と
隣接していて、上記クリーンルーム(45)よりクリー
ン度の低い例えばクラス1 、000以上のメンテナン
ス用のグレールーム(46)とに、垂れ壁となるパーテ
ィション(47)を介してスルーザラオールとして設置
できる。即ち、°コントロールパネル等が設けられた前
面が、上記パーティション(47)と同一平面となるご
とくクリーンルーム(45)側に設置され、それ以外の
部分は、グレールーム(46)側に設置される。このよ
うにスルー゛ザウォール対応として装置を設置すると、
クリーンルーム(45)内は、上から下に向けてクリー
ンエアが垂直に流れているため、ローディングエリア(
39)にはクリーンエアが達し鷺い。この対応策として
、ローディングエリア(39)に、クリーンエアを送風
する送風装置(48)が設けられている。この送風装置
(48)は、ローディングエリア(39)の後背面に設
けられ、グレールーム(46)側で取り入れた空気を清
浄化し、ローディングエリア(39)に送風するもので
ある。また、ローディングエリア(39)に送風された
クリーンエアは、クリーンルーム(45)側に流れ、こ
こで床方向に流される。上記送風装置(48)は気相エ
ピタキシャル成長装置をコンパクトに納めるために、例
えば第4図に示すように送風ファン(49)とフィルタ
(50)が一体の扁平ファンが用いられている。フィル
タ(50)は、例えば縦760I、横610 Im* 
 奥行50w1の材質例えばグラス紙で外枠が例えばア
ルミにより形成されている。このフィルタ(50)に空
気を送り込むファン(49)は、上記フィルタ(50)
後背面に一体に設けられている。
For example, as shown in Fig. 3, this equipment has a clean room (45) with a high level of cleanliness, such as class 10, in which clean air is flowed in a vertical laminar flow, and is adjacent to this clean room (45), and is located closer to the clean room (45) than the clean room (45). It can be installed as a through-the-raor in a maintenance gray room (46) with a low level of cleanliness, such as class 1,000 or higher, through a partition (47) that serves as a hanging wall. That is, the front surface where the control panel etc. are provided is installed on the clean room (45) side so as to be flush with the partition (47), and the other parts are installed on the gray room (46) side. If you install the device to support through-the-wall in this way,
Inside the clean room (45), clean air flows vertically from top to bottom, so the loading area (
39), the clean air reached her. As a countermeasure for this, a blower device (48) for blowing clean air is provided in the loading area (39). This blower device (48) is provided at the back of the loading area (39), and purifies the air taken in from the gray room (46) side, and blows the air into the loading area (39). Further, the clean air blown to the loading area (39) flows to the clean room (45) side, where it is flowed toward the floor. In order to house the vapor phase epitaxial growth apparatus in a compact manner, the blower device (48) is a flat fan in which a blower fan (49) and a filter (50) are integrated as shown in FIG. 4, for example. The filter (50) has, for example, a length of 760 I and a width of 610 Im*
The depth 50w1 is made of a material such as glass paper, and the outer frame is formed of aluminum, for example. A fan (49) that sends air to this filter (50) is connected to the filter (50).
It is integrated into the back.

上記ファン(49)は、背面から取り入れた空気を。The above fan (49) takes in air from the back.

フィルタ(49)全面に均一な供給を行なうため、例え
ばターボファンが用いられている。又、ファン(49)
は、モータ(51)例えば単相誘導電動機に係合され、
モータ(51)の駆動により回転できる。そして、上記
フィルタ(50)の前面にはアルミパンチングメタル(
図示せず)が設けられ、フィルタ(50)で清浄化され
た空気の整流を行なっている。上記のようなファン(4
9)とフィルタ(50)を一体上した送風装置(48)
は、外形寸法が例えば縦760m、  横610+n+
a、  奥行150ma+で重量例えば19kgであり
、薄型の扁平ファンである。又、集塵効率は、超高性能
ULPA形フィルタ(50)を使用しているので、0.
1μsの塵の場合99.999%以上となる。このよう
な送風装置(48)では、ファンとフィルタをダクトで
継ぐ必要がないので、コンパクトであり、また、厚さも
薄い扁平ファンなので、作業性も良く、他の周辺機器の
メンテナンス等も容易に行なえる。
For example, a turbo fan is used to uniformly supply water to the entire surface of the filter (49). Also, fan (49)
is engaged with a motor (51), for example a single-phase induction motor,
It can be rotated by driving the motor (51). The front surface of the filter (50) is provided with an aluminum punching metal (
(not shown) is provided to rectify the air purified by the filter (50). Fans like the one above (4
9) and filter (50) integrated into the air blower (48)
For example, the external dimensions are 760m long and 610m wide
a. It is a thin flat fan with a depth of 150 m+ and a weight of, for example, 19 kg. In addition, since the ultra-high performance ULPA type filter (50) is used, the dust collection efficiency is 0.
In the case of dust of 1 μs, it is 99.999% or more. This kind of air blower (48) does not require a duct to connect the fan and filter, so it is compact, and since it is a flat fan with a thin thickness, it is easy to work with, and maintenance of other peripheral equipment is easy. I can do it.

上記のように気相エピタキシャル成長装置には、ローデ
ィング部(39)にクリーンエアを送風する送風装置(
48)が設けられているが、さらにこの送風装!(48
)のクリーン化の効率を向上させるために、プレフィル
タ(52)が設置されている。このプレフィルタ(52
)は1例えば不織布フィルタで、送風装!(48)のさ
らに後方に設けられている。このようにして、扁平ファ
ン型の送風装置(48)が設けられ、気相エピタキシャ
ル成長装置の防塵対策がなされている。
As mentioned above, the vapor phase epitaxial growth apparatus includes a blower device (
48) is provided, but this ventilation system is also included! (48
) A pre-filter (52) is installed to improve the efficiency of cleaning. This prefilter (52
) is 1, for example, a non-woven filter, an air blower! It is provided further behind (48). In this way, the flat fan type blower device (48) is provided to prevent dust in the vapor phase epitaxial growth apparatus.

次に上述した気相エピタキシャル成長装置による。シリ
コン半導体ウェハ上へのSi膜形成処理について説明す
る。
Next, the above-mentioned vapor phase epitaxial growth apparatus is used. A process for forming a Si film on a silicon semiconductor wafer will be explained.

まず、図示しないウェハ移替え装置によりウェハ(36
)をボート(37)上に積載する。そして、このボート
(37)を9図示しないボート搬送装置でローディング
エリア(39)に搬送する。即ち、ローディングエリア
(39)に設定した保温筒(44)上に、ボート(37
)を載置する。そして、上記ボート(37)を、搬送機
構(38)により所定量上昇させ、上記反応管(34)
内の予め定められた位置に内管(34b)の内壁に接触
させることなく搬入する。この時、上記反応管(34)
下端部と上記蓋体(43)を当接させることにより、自
動的にウェハの位置を位置決めするとともに上記反応管
(34)内部を気密にする。次に、上記反応管(34)
内を所望の低圧状態例えば1〜10Torrに保つよう
に図示しない真空ポンプで排気制御する。又、予めヒー
タ(40)に電力を印加し、ヒータ(40)を所望の温
度例えば800〜1050℃に設定する。又、図示しな
い回転駆動モータにより、ボー )−(37)に積載し
たウェハ(36)を回転する。そして、上記排気制御し
ながらガス供給源から図示しないマスフローコントロー
ラ等で流量を間接しつつ処理ガスを反応管(34)の内
管(34b)内に、ガス供給管(41)から所定時間供
給する。すると、反応管(34)内管(34b)内に設
置されたウェハ(36)表面には、ウェハ(36)と同
一の結晶軸を有するシリコン(Si)の単結晶薄膜を成
長させることができる。
First, a wafer (36
) is loaded onto the boat (37). Then, this boat (37) is transported to a loading area (39) by a boat transport device (not shown). That is, the boat (37
). Then, the boat (37) is raised by a predetermined amount by the transport mechanism (38), and the reaction tube (34) is lifted up by a predetermined amount.
The inner tube (34b) is carried into a predetermined position within the inner tube (34b) without coming into contact with the inner wall thereof. At this time, the reaction tube (34)
By bringing the lower end into contact with the lid (43), the position of the wafer is automatically determined and the inside of the reaction tube (34) is made airtight. Next, the reaction tube (34)
A vacuum pump (not shown) is used to control evacuation so as to maintain the inside at a desired low pressure state, for example, 1 to 10 Torr. Further, electric power is applied to the heater (40) in advance, and the heater (40) is set to a desired temperature, for example, 800 to 1050°C. Further, a rotation drive motor (not shown) rotates the wafer (36) loaded on the board (37). Then, while controlling the exhaust, the process gas is supplied from the gas supply source to the inner tube (34b) of the reaction tube (34) for a predetermined period of time while controlling the flow rate with a mass flow controller (not shown) or the like for a predetermined period of time. . Then, a single crystal thin film of silicon (Si) having the same crystal axis as the wafer (36) can be grown on the surface of the wafer (36) installed in the inner tube (34b) of the reaction tube (34). .

又、処理済ガスは、内管(34b)に設けられた多数の
孔から外管(34a)に流れ、外管(34a)に接続さ
れた排気管(42)から排気される。この処理後、処理
ガスの供給を停止し1反応管(34)内部を不活性ガス
例えばN2ガスに置換し、常圧復帰する。そして、上記
処理後のウェハ(36)を積載したボート(37)をロ
ーディングエリア(39)に搬送機構(38)により搬
送し処理が終了する。
Further, the treated gas flows into the outer tube (34a) from a number of holes provided in the inner tube (34b), and is exhausted from the exhaust pipe (42) connected to the outer tube (34a). After this treatment, the supply of the treatment gas is stopped, and the inside of the first reaction tube (34) is replaced with an inert gas, such as N2 gas, to return to normal pressure. Then, the boat (37) loaded with the processed wafers (36) is transported to the loading area (39) by the transport mechanism (38), and the processing is completed.

このような処理を実行するに際し、予めローディングエ
リア(39)を、クリーンエアの送風状態としておく。
When performing such processing, the loading area (39) is brought into a state in which clean air is blown in advance.

この送風は、ローディングエリア(39)の後背面に設
置した扁平ファンである送風装置(48)により行なう
。送風袋!(48)のモータ(51)を駆動することに
より、ファン(49)を回転させる。
This air blowing is performed by a blower device (48) which is a flat fan installed at the back of the loading area (39). Air bag! By driving the motor (51) of (48), the fan (49) is rotated.

すると、矢印(53)で示すように、まずグレールーム
(46)内の空気がプレフィルタ(52)を通過する。
Then, as shown by the arrow (53), the air in the gray room (46) first passes through the pre-filter (52).

このプレフィルタ(52)を通過した比較的クリーンな
空気が、ファン(49)内に取り込まれる。このファン
(49)内に取り込まれた空気は、ファン(49)によ
り、フィルタ(50)全面に均一に供給される。そして
、フィルタ(50)により、塵が取り除かれる。
Relatively clean air that has passed through this pre-filter (52) is taken into the fan (49). The air taken into the fan (49) is uniformly supplied to the entire surface of the filter (50) by the fan (49). Dust is then removed by a filter (50).

この塵が取り除かれたクリーンエアは、図示しないアル
ミパンチングメタルにより整流され、ローディングエリ
ア(39)に風量例えば1o113/*inで水平に送
風される。そして、クリーンエアは、ローディング−エ
リア(39)内に存在している塵等を除去しながらクリ
ーンルーム(45)方向に流される。
The clean air from which dust has been removed is rectified by an aluminum punching metal (not shown) and is blown horizontally to the loading area (39) at an air volume of 1 o 113/*in, for example. The clean air is then flowed toward the clean room (45) while removing dust and the like existing in the loading area (39).

そして、クリーンルーム(45)に達したエアは、クリ
ーンルーム(45)のダウンフローにより床方向に排出
される。このように、ローディングエリア(39)にク
リーンエアを送風することにより、ローディングエリア
(39)に存在する塵等を排出でき。
The air that has reached the clean room (45) is discharged toward the floor by the down flow of the clean room (45). By blowing clean air into the loading area (39) in this manner, dust and the like present in the loading area (39) can be discharged.

ウェハ(36)への塵等の付着を防止でき、ウェハ(3
6)への悪影響を防止するとともに、歩留まりの向上に
も寄与する。
It is possible to prevent dust etc. from adhering to the wafer (36).
6), and also contributes to improving yield.

上述したようにこの実施例によれば、クリーンエアの発
生を扁平ファンを用いて行なうことにより、所定の位置
をクリーンな状態に保て、なおかつ、装置をコンパクト
に納めることができる。また、扁平ファンは、軽量薄型
なので、取り扱い易く、メンテナンス等の作業性の向上
につながる。
As described above, according to this embodiment, by generating clean air using a flat fan, a predetermined position can be kept in a clean state, and the apparatus can be housed compactly. Further, since the flat fan is lightweight and thin, it is easy to handle, leading to improved workability such as maintenance.

さらに、扁平ファンは、薄型なので、設置空間近辺を有
効に活用でき、他の、装置に組み込まれている機器の、
設置やメンテナンスが容易に行なえ汎用性に優れている
Furthermore, since flat fans are thin, they can make effective use of the installation space, making it easier to use for other equipment built into the equipment.
Easy to install and maintain, and has excellent versatility.

この発明は、上記実施例に限定するものではなく、例え
ば処理装置は、気相エピタキシャル成長装置でなくとも
何れでも良く、拡散・酸化装置やアニール装置等の熱処
理装置や、スパッタ・エツチング・アッシング・イオン
注入・プローブ装置・搬送装置・ウェハ移替え装置など
様々な処理をする装置に適用できる。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments. For example, the processing equipment may be any type of equipment other than a vapor phase epitaxial growth equipment, and may be a heat treatment equipment such as a diffusion/oxidation equipment or an annealing equipment, or a sputtering/etching/ashing/ion processing equipment. It can be applied to various processing equipment such as injection/probe equipment, transport equipment, and wafer transfer equipment.

又、送風装置である扇子ファンに設けられたモータは、
単相コンデンサ誘導電動機に限定するものではなく、例
えば超薄型のプリントモータを使用しても良く、このプ
リントモータを使用すると、ファンをさらに薄型にする
ことができ、より効果が顕著なものとなる。
In addition, the motor installed in the fan, which is a blower, is
The present invention is not limited to single-phase capacitor induction motors; for example, an ultra-thin printed motor may be used. If this printed motor is used, the fan can be made even thinner, and the effect will be more pronounced. Become.

さらに、処理装置はスルーザーウォール対応のものでな
くとも良く、クリーンルーム内に据置く形式のものでも
何れでも良い、据置き型の場合、扁平ファンを用いると
処理装置をコンパクトにできるもので、維持に莫大な費
用が必要なりリーンルームの設置スペースが小さくてす
み、クリーンルームの有効活用が行なえ上記実施例と同
様の効果が得られる。
Furthermore, the processing equipment does not have to be compatible with through-the-walls, and can be installed in a clean room.In the case of a stationary type, the processing equipment can be made more compact by using a flat fan, and it can be maintained easily. However, the installation space of the lean room can be small, and the clean room can be used effectively, and the same effects as in the above embodiments can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明装置の一実施例を説明するための装置の
断面図、第2図は第1図装置のクリーンベンチの正面図
、第3図は本発明装置の他の実施例を説明するための気
相エピタキシャル成長装置の構成図、第4図は第3図装
置に用いられる扁平ファンの説明図、第5図は第3図装
置の処理部を説明するための構成図、第6図は従来の装
置を示す説明図である。 15・・・縦型熱処理炉   20・・・搬送部21・
・・装着部      22・・・プレイフィルタ23
・・・送風ファン    24・・・HEPAフィルタ
25・・・i         29・・・シール材3
5・・・処理部 39・・・ローディングエリア 48・・・送風装置 第 図 第 図 第 図
Fig. 1 is a sectional view of the apparatus for explaining one embodiment of the apparatus of the present invention, Fig. 2 is a front view of the clean bench of the apparatus of Fig. 1, and Fig. 3 is for explaining another embodiment of the apparatus of the present invention. Fig. 4 is an explanatory diagram of a flat fan used in the apparatus shown in Fig. 3; Fig. 5 is a block diagram illustrating the processing section of the apparatus shown in Fig. 3; Fig. 6 FIG. 1 is an explanatory diagram showing a conventional device. 15... Vertical heat treatment furnace 20... Conveyance section 21.
... Mounting part 22 ... Play filter 23
...Blower fan 24...HEPA filter 25...i 29...Seal material 3
5...Processing section 39...Loading area 48...Blower device Fig. Fig. Fig.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)予め定められた位置にクリーンエアを送風しなが
ら被処理体の処理を行なう装置において、上記クリーン
エアの発生を扁平ファンを用いて行なうことを特徴とす
る処理装置。
(1) A processing device that processes objects to be processed while blowing clean air to a predetermined position, characterized in that the clean air is generated using a flat fan.
(2)処理炉内との間で被処理体のローディング・アン
ローディングする搬送部にクリーンエアを送風する装置
を上記搬送部への装着部に設け、上記装着部を開閉自在
に設けたことを特徴とする処理装置。
(2) A device for blowing clean air to the transport section that loads and unloads objects to be processed between the processing furnace and the inside of the processing furnace is provided at the mounting section to the transport section, and the mounting section is provided so that it can be opened and closed. Characteristic processing equipment.
JP21177288A 1988-05-27 1988-08-26 Treatment apparatus Pending JPH0256926A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04299513A (en) * 1991-03-27 1992-10-22 Kokusai Electric Co Ltd Vertical furnace
JPH0574726A (en) * 1991-09-12 1993-03-26 Nec Corp Vertical type heat treatment equipment
US20160333948A1 (en) * 2014-01-29 2016-11-17 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Brake pad and caliper device

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