JP2996710B2 - セラミック電子部品の焼成方法、焼成炉及び焼成装置 - Google Patents
セラミック電子部品の焼成方法、焼成炉及び焼成装置Info
- Publication number
- JP2996710B2 JP2996710B2 JP2267416A JP26741690A JP2996710B2 JP 2996710 B2 JP2996710 B2 JP 2996710B2 JP 2267416 A JP2267416 A JP 2267416A JP 26741690 A JP26741690 A JP 26741690A JP 2996710 B2 JP2996710 B2 JP 2996710B2
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- Japan
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- setter
- chamber
- hole
- baking
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、セラミック電子部品の焼成方法、焼成炉及
び焼成装置に関し、焼成室を上下に区画して上室及び下
室を形成するように配置された炉床、その上に配置され
る台板及びセッターに、順次に連通する連通孔、貫通孔
及び通路を設けておき、外部から下室内に導入されたガ
スを、連通孔、貫通孔及び通路を通ってセッターのセラ
ミック電子部品搭載部に導きながら、セラミック電子部
品を焼成することにより、セッターの全領域においてガ
ス雰囲気を均一化し、特性バラツキのきわめて小さいセ
ラミック電子部品が得られるようにしたものである。
び焼成装置に関し、焼成室を上下に区画して上室及び下
室を形成するように配置された炉床、その上に配置され
る台板及びセッターに、順次に連通する連通孔、貫通孔
及び通路を設けておき、外部から下室内に導入されたガ
スを、連通孔、貫通孔及び通路を通ってセッターのセラ
ミック電子部品搭載部に導きながら、セラミック電子部
品を焼成することにより、セッターの全領域においてガ
ス雰囲気を均一化し、特性バラツキのきわめて小さいセ
ラミック電子部品が得られるようにしたものである。
＜従来の技術＞ 積層セラミックコンデンサ、積層インダクタ、バリス
タ、サーミスタ等の各種のセラミック電子部品において
は、電極等の導体部分のコストダウンの目的で、銅、ニ
ッケル等を主成分とする卑金属導体が用いられている。
上述した卑金属は、大気中で焼成すると酸化してしま
う。従って、卑金属導体を有するセラミック電子部品を
焼成する場合は、窒素等の中性雰囲気または窒素及び水
素を含む還元性雰囲気の中で焼成する必要がある。焼成
炉としては、通常、バッチ式雰囲気炉またはプッシャー
式トンネル炉等が用いられている。焼成に当っては、セ
ラミック電子部品を搭載したセッター（匣）を、台板上
に多段に積載した状態で通炉する。
タ、サーミスタ等の各種のセラミック電子部品において
は、電極等の導体部分のコストダウンの目的で、銅、ニ
ッケル等を主成分とする卑金属導体が用いられている。
上述した卑金属は、大気中で焼成すると酸化してしま
う。従って、卑金属導体を有するセラミック電子部品を
焼成する場合は、窒素等の中性雰囲気または窒素及び水
素を含む還元性雰囲気の中で焼成する必要がある。焼成
炉としては、通常、バッチ式雰囲気炉またはプッシャー
式トンネル炉等が用いられている。焼成に当っては、セ
ラミック電子部品を搭載したセッター（匣）を、台板上
に多段に積載した状態で通炉する。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかしながら、同一のセッターに限って見ても、セッ
ター内のガス雰囲気をその全域にわたって均一化するこ
とは困難である。このため、例えば、セッターの中央部
に配置されたセラミック電子部品と、端部に配置された
セラミック電子部品とで特性にバラツキを生じてしま
う。場合によっては、導体となるべきニッケルや銅が酸
化され、不良品となり、歩留低下を招いてしまうという
問題点があった。セッターを多段に積載する通常の焼成
工程では、更に、セッター間の特性バラツキが加わり、
歩留を一層低下させる。
ター内のガス雰囲気をその全域にわたって均一化するこ
とは困難である。このため、例えば、セッターの中央部
に配置されたセラミック電子部品と、端部に配置された
セラミック電子部品とで特性にバラツキを生じてしま
う。場合によっては、導体となるべきニッケルや銅が酸
化され、不良品となり、歩留低下を招いてしまうという
問題点があった。セッターを多段に積載する通常の焼成
工程では、更に、セッター間の特性バラツキが加わり、
歩留を一層低下させる。
上述のような問題点解決を目的とした先行技術として
は、特開平１−159588号公報に記載された技術が知られ
ている。しかし、この従来技術では、セッターの側面側
からガスを導入する構造であるため、例えば導入側面側
で濃く、反対側で薄くなる等のアンバランスが生じ易
い。
は、特開平１−159588号公報に記載された技術が知られ
ている。しかし、この従来技術では、セッターの側面側
からガスを導入する構造であるため、例えば導入側面側
で濃く、反対側で薄くなる等のアンバランスが生じ易
い。
しかも、個々のセッター毎に、焼成炉の外部から内部
に導入したパイプのそれぞれを接続し、各パイプによっ
てセッターのそれぞれに個別にガスを導入する構造であ
るため、焼成炉の構造が複雑化するという問題点があっ
た。
に導入したパイプのそれぞれを接続し、各パイプによっ
てセッターのそれぞれに個別にガスを導入する構造であ
るため、焼成炉の構造が複雑化するという問題点があっ
た。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解
決し、簡単な構造で、セッター内におけるガス条件をそ
の全領域にわたって均一化し、一定品質の焼成品が得ら
れるようにした焼成方法、焼成炉及び焼成装置を提供す
ることである。
決し、簡単な構造で、セッター内におけるガス条件をそ
の全領域にわたって均一化し、一定品質の焼成品が得ら
れるようにした焼成方法、焼成炉及び焼成装置を提供す
ることである。
＜課題を解決するための手段＞ 上述する課題解決のため、本発明は、セラミック電子
部品を、焼成炉を用いて焼成する方法であって、 前記焼成炉は、炉床、台板及びセッターを備える焼成
室を有しており、 前記炉床は、前記焼成室を上下に区画して上室及び下
室を形成するように配置されていて、面内に前記上室及
び下室を連通させる連通孔を有しており、 前記台板は、面内に貫通孔を有していて、前記貫通孔
が前記連通孔に重なるように、前記炉床上に配置されて
おり、 前記セッターは、前記セラミック電子部品を搭載する
搭載部及び搭載部に開口する通路を有し、前記通路が前
記台板の前記貫通孔に連なるようにして、前記台板上に
配置されており、 前記焼成炉の外部からの前記下室内に導入されたガス
を、前記連通孔、貫通孔及び通路を通って前記セッター
の搭載部に導きながら、前記セラミック電子部品を焼成
すること を特徴とする。
部品を、焼成炉を用いて焼成する方法であって、 前記焼成炉は、炉床、台板及びセッターを備える焼成
室を有しており、 前記炉床は、前記焼成室を上下に区画して上室及び下
室を形成するように配置されていて、面内に前記上室及
び下室を連通させる連通孔を有しており、 前記台板は、面内に貫通孔を有していて、前記貫通孔
が前記連通孔に重なるように、前記炉床上に配置されて
おり、 前記セッターは、前記セラミック電子部品を搭載する
搭載部及び搭載部に開口する通路を有し、前記通路が前
記台板の前記貫通孔に連なるようにして、前記台板上に
配置されており、 前記焼成炉の外部からの前記下室内に導入されたガス
を、前記連通孔、貫通孔及び通路を通って前記セッター
の搭載部に導きながら、前記セラミック電子部品を焼成
すること を特徴とする。
＜作用＞ 焼成炉の外部から焼成室の下室内に導入されたガス
を、炉床に設けられた連通孔、台板に設けられた貫通孔
及びセッターに設けられた通路を通ってセッターの搭載
部に導く構造であるので、ガスはセッター内の全領域に
おいてほぼ均一に拡散する。このため、セッターに搭載
されたセラミック電子部品が、ほぼ同一のガス条件で焼
成され、一定品質の焼成品が得られる。
を、炉床に設けられた連通孔、台板に設けられた貫通孔
及びセッターに設けられた通路を通ってセッターの搭載
部に導く構造であるので、ガスはセッター内の全領域に
おいてほぼ均一に拡散する。このため、セッターに搭載
されたセラミック電子部品が、ほぼ同一のガス条件で焼
成され、一定品質の焼成品が得られる。
また、個々のセッターに対して個別にガスを導入する
従来技術と異なって、焼成炉の構造が極めて簡単にな
る。
従来技術と異なって、焼成炉の構造が極めて簡単にな
る。
本発明は卑金属導体を有するセラミック電子部品の焼
成に有効であるが、卑金属導体を持たないセラミック電
子部品の焼成にも適用できる。
成に有効であるが、卑金属導体を持たないセラミック電
子部品の焼成にも適用できる。
＜実施例＞ 第１図は本発明に係る焼成炉の断面図である。図にお
いて、１は耐火外壁、２は炉室、３は加熱室、４は焼成
室、５は隔壁、６は炉床、７は台板、８はセッター、９
は被焼成品となるセラミック電子部品、10、11は加熱
器、12はガス導入路である。
いて、１は耐火外壁、２は炉室、３は加熱室、４は焼成
室、５は隔壁、６は炉床、７は台板、８はセッター、９
は被焼成品となるセラミック電子部品、10、11は加熱
器、12はガス導入路である。
耐火外壁１は耐火レンガ等を使用して形成されてい
る。炉室２は耐火外壁１によって囲まれている。
る。炉室２は耐火外壁１によって囲まれている。
焼成室４は耐火材料で構成された隔壁５によって加熱
室３から区画された空間を形成している。焼成室４には
炉床６、台板７及びセッター８等を有する焼成装置が備
えられている。
室３から区画された空間を形成している。焼成室４には
炉床６、台板７及びセッター８等を有する焼成装置が備
えられている。
炉床６は、焼成室４を上下に区画して上室41及び下室
42を形成するように配置されていて、面内に上室41及び
下室42を連通させる連通孔61を有している。
42を形成するように配置されていて、面内に上室41及び
下室42を連通させる連通孔61を有している。
台板７は、第２図及び第３図にも示すように、面内の
略中央部に貫通孔71を有している。そして、この貫通孔
71が炉床６の連通孔61に重なるように、炉床６の上に配
置されている。
略中央部に貫通孔71を有している。そして、この貫通孔
71が炉床６の連通孔61に重なるように、炉床６の上に配
置されている。
セッター８は、セラミック電子部品９を搭載する搭載
部81及び搭載部81に開口する通路82を有していて、通路
82が台板７の貫通孔71に連なるようにして、台板７の上
に配置されている。図示では、複数のセッター８を多段
に積み重ねた例を示している。個々のセッター８は、第
４図及び第５図に示すように、底板となる搭載部81の略
中央部に適当な形状及び大きさの孔状の通路82を設ける
と共に、搭載部81の周辺に枠状部83及び凹部84を設けた
構造となっている。
部81及び搭載部81に開口する通路82を有していて、通路
82が台板７の貫通孔71に連なるようにして、台板７の上
に配置されている。図示では、複数のセッター８を多段
に積み重ねた例を示している。個々のセッター８は、第
４図及び第５図に示すように、底板となる搭載部81の略
中央部に適当な形状及び大きさの孔状の通路82を設ける
と共に、搭載部81の周辺に枠状部83及び凹部84を設けた
構造となっている。
セラミック電子部品９は、有機バインダを含む未焼成
セラミック素体にニッケル、銅等の卑金属導体を設けて
ある。卑金属導体はセラミック素体の内部にあっても表
面にあってもよい。セラミック素体の内部に卑金属導体
を設けた代表例は、内部電極構造を有する積層セラミッ
クコンデンサである。
セラミック素体にニッケル、銅等の卑金属導体を設けて
ある。卑金属導体はセラミック素体の内部にあっても表
面にあってもよい。セラミック素体の内部に卑金属導体
を設けた代表例は、内部電極構造を有する積層セラミッ
クコンデンサである。
加熱器10、11は電気ヒータであり、炉室２内に設定さ
れた加熱室３で加熱するように配置されている。熱源と
しては、製品によっては、電気ヒータの他に、焼成熱源
も利用できる。実施例において、加熱器10、11は、耐火
外壁１の上部及び下部において、外部から炉室２内の加
熱室３及び下室42内に導入されている。加熱器10、11の
個数は任意である。
れた加熱室３で加熱するように配置されている。熱源と
しては、製品によっては、電気ヒータの他に、焼成熱源
も利用できる。実施例において、加熱器10、11は、耐火
外壁１の上部及び下部において、外部から炉室２内の加
熱室３及び下室42内に導入されている。加熱器10、11の
個数は任意である。
ガス導入炉12は焼成炉の外部から焼成室４の下室42内
に導かれている。このガス導入路12は、耐火性管体で構
成する。導入されるガスは窒素等の中性ガスまたは窒素
及び水素を含む還元性ガスである。
に導かれている。このガス導入路12は、耐火性管体で構
成する。導入されるガスは窒素等の中性ガスまたは窒素
及び水素を含む還元性ガスである。
焼成炉の外部から、ガス導入路12を通って焼成室４の
下室42内に矢印a1の如く導入されたガスは、炉床６に設
けられた連通孔61、台板７に設けられた貫通孔71及びセ
ッター８に設けられた通路82を、矢印a2で示す如く通過
し、セッター８の搭載部81で矢印a3の如く拡散する。セ
ラミック電子部品９は上述のようにして導入されたガス
雰囲気中で焼成される。
下室42内に矢印a1の如く導入されたガスは、炉床６に設
けられた連通孔61、台板７に設けられた貫通孔71及びセ
ッター８に設けられた通路82を、矢印a2で示す如く通過
し、セッター８の搭載部81で矢印a3の如く拡散する。セ
ラミック電子部品９は上述のようにして導入されたガス
雰囲気中で焼成される。
ここで、セッター８の通路82は搭載部81で開口してい
るから、ガスはセッター８の中央部から周辺部に拡散す
る。このため、セッター８内でのガスの拡散が全領域に
おいて均一化され、特性バラツキの極めて小さなセラミ
ック電子部品９が得られる。セッター８を多段に重ねた
場合、ガスは下段のセッター８から上段のセッター８の
通路82を通り、上段のセッター８の中央部から周辺部に
均一に拡散する。このため、セッター８を多段に重ねた
場合でも、セッター８−８間の特性バラツキの極めて小
さいセラミック電子部品が得られる。
るから、ガスはセッター８の中央部から周辺部に拡散す
る。このため、セッター８内でのガスの拡散が全領域に
おいて均一化され、特性バラツキの極めて小さなセラミ
ック電子部品９が得られる。セッター８を多段に重ねた
場合、ガスは下段のセッター８から上段のセッター８の
通路82を通り、上段のセッター８の中央部から周辺部に
均一に拡散する。このため、セッター８を多段に重ねた
場合でも、セッター８−８間の特性バラツキの極めて小
さいセラミック電子部品が得られる。
第12図は積層セラミックコンデンサのセッター内位置
−静電容量値特性データを示す図である。セッター内位
置は第13図に示す。特性L1、L2は従来の焼成方法によっ
て得られた積層セラミックコンデンサのデータ、特性
L3、L4は本発明に係る焼成方法によって得られた積層セ
ラミックコンデンサのデータである。第12図から明らか
なように、本発明によれば、静電容量値のバラツキを従
来よりも著しく小さくすることができる。
−静電容量値特性データを示す図である。セッター内位
置は第13図に示す。特性L1、L2は従来の焼成方法によっ
て得られた積層セラミックコンデンサのデータ、特性
L3、L4は本発明に係る焼成方法によって得られた積層セ
ラミックコンデンサのデータである。第12図から明らか
なように、本発明によれば、静電容量値のバラツキを従
来よりも著しく小さくすることができる。
しかも、焼成炉の外部から焼成室４の下室42内に導入
されたガスを、炉床６に設けられた連通孔61、台板７に
設けられた貫通孔71及びセッター８に設けられた通路82
を通ってセッター８に導く構造であるので、個々のセッ
ター８に対して個別にガスを導入する従来技術と異なっ
て、焼成炉の構造が極めて簡単になる。
されたガスを、炉床６に設けられた連通孔61、台板７に
設けられた貫通孔71及びセッター８に設けられた通路82
を通ってセッター８に導く構造であるので、個々のセッ
ター８に対して個別にガスを導入する従来技術と異なっ
て、焼成炉の構造が極めて簡単になる。
第６図〜第11図は本発明に係る焼成方法に用いられる
セッター８の他の実施例を示している。第６図及び第７
図の実施例では相対する両側辺に切欠85、85を設けた構
造となっている。第６図及び第７図に示す構造の２つの
セッター８を、第８図に示す如く、切欠85−85が互いに
向き合うようにして、横並びに配置することにより、切
欠85、85による通路82が形成できる。
セッター８の他の実施例を示している。第６図及び第７
図の実施例では相対する両側辺に切欠85、85を設けた構
造となっている。第６図及び第７図に示す構造の２つの
セッター８を、第８図に示す如く、切欠85−85が互いに
向き合うようにして、横並びに配置することにより、切
欠85、85による通路82が形成できる。
第９図及び第10図の実施例では、１つの隅部に搭載部
81に達する円弧状の切欠86を設けてある。かかる構造の
４個のセッター８を、第11図に示すように組合せること
により、切欠86による円形状の通路82が形成できる。切
欠86を角形状にした場合には角形の通路82が形成でき
る。
81に達する円弧状の切欠86を設けてある。かかる構造の
４個のセッター８を、第11図に示すように組合せること
により、切欠86による円形状の通路82が形成できる。切
欠86を角形状にした場合には角形の通路82が形成でき
る。
＜発明の効果＞ 以上のべたように、本発明によれば、次のような効果
が得られる。
が得られる。
（ａ）焼成炉の外部からの焼成室の下室内に導入された
ガスを、炉床に設けられた連通孔、台板に設けられた貫
通孔及びセッターに設けられた通路を通ってセッターの
搭載部に導くので、ガスをセッター内の全領域において
ほぼ均一に拡散させ、セッターに搭載されたセラミック
電子部品をほぼ同一のガス条件で焼成し、特性バラツキ
のない一定品質のセラミック電子部品を焼成し得る焼成
方法、バッチ式雰囲気炉またはプッシャー式トンネル炉
等の焼成炉及び焼成装置を提供できる。
ガスを、炉床に設けられた連通孔、台板に設けられた貫
通孔及びセッターに設けられた通路を通ってセッターの
搭載部に導くので、ガスをセッター内の全領域において
ほぼ均一に拡散させ、セッターに搭載されたセラミック
電子部品をほぼ同一のガス条件で焼成し、特性バラツキ
のない一定品質のセラミック電子部品を焼成し得る焼成
方法、バッチ式雰囲気炉またはプッシャー式トンネル炉
等の焼成炉及び焼成装置を提供できる。
（ｂ）個々のセッターに対して個別にガスを導入する従
来技術と異なって、構造の簡単なバッチ式雰囲気炉また
はプッシャー式トンネル炉等の焼成炉及び焼成装置を提
供できる。
来技術と異なって、構造の簡単なバッチ式雰囲気炉また
はプッシャー式トンネル炉等の焼成炉及び焼成装置を提
供できる。
第１図は本発明に係る焼成炉の断面図、第２図は本発明
に係る焼成方法に用いられる台板の平面図、第３図は同
じくその正面断面図、第４図は本発明に係る焼成方法に
用いられるセッターの平面図、第５図は同じくその正面
断面図、第６図は本発明に係る焼成方法に用いられるセ
ッターの別の実施例における平面図、第７図は同じくそ
の正面断面図、第８図は第６図及び第７図に示したセッ
ターの組合せを示す平面図、第９図は本発明に係る焼成
方法に用いられるセッターの更に別の実施例における平
面図、第10図は同じくその正面図、第11図は第９図及び
第10図に示したセッターの組合せを示す平面図、第12図
は積層セラミックコンデンサのセッター内位置−静電容
量値特性データを示す図、第13図は第12図のセッター内
位置を示す図である。 ６……炉床、７……台板 ８……セッター、９……セラミック電子部品 61……連通孔、71……通孔 81……搭載部、82……通路
に係る焼成方法に用いられる台板の平面図、第３図は同
じくその正面断面図、第４図は本発明に係る焼成方法に
用いられるセッターの平面図、第５図は同じくその正面
断面図、第６図は本発明に係る焼成方法に用いられるセ
ッターの別の実施例における平面図、第７図は同じくそ
の正面断面図、第８図は第６図及び第７図に示したセッ
ターの組合せを示す平面図、第９図は本発明に係る焼成
方法に用いられるセッターの更に別の実施例における平
面図、第10図は同じくその正面図、第11図は第９図及び
第10図に示したセッターの組合せを示す平面図、第12図
は積層セラミックコンデンサのセッター内位置−静電容
量値特性データを示す図、第13図は第12図のセッター内
位置を示す図である。 ６……炉床、７……台板 ８……セッター、９……セラミック電子部品 61……連通孔、71……通孔 81……搭載部、82……通路
Claims (4)
- 【請求項１】セラミック電子部品を、焼成炉を用いて焼
成する方法であって、 前記焼成炉は、炉床、台板及びセッターを備える焼成室
を有しており、 前記炉床は、前記焼成室を上下に区画して上室及び下室
を形成するように配置されていて、面内に前記上室及び
下室を連通させる連通孔を有しており、 前記台板は、面内に貫通孔を有していて、前記貫通孔が
前記連通孔に重なるように、前記炉床上に配置されてお
り、 前記セッターは、前記セラミック電子部品を搭載する搭
載部及び前記搭載部に開口する通路を有し、前記通路が
前記台板の前記貫通孔に連なるようにして、前記台板上
に配置されており、 前記焼成炉の外部から前記下室内に導入されたガスを、
前記連通孔、貫通孔及び通路を通って前記セッターの搭
載部に導きながら、前記セラミック電子部品を焼成する
こと を特徴とするセラミック電子部品の焼成方法。 - 【請求項２】前記セラミック電子部品は、卑金属導体を
有することを特徴とする請求項１に記載のセラミック電
子部品の焼成方法。 - 【請求項３】炉床、台板及びセッターを備える焼成室を
有する焼成炉であって、 前記炉床は、前記焼成室を上下に区画して上室及び下室
を形成するように配置されていて、面内に前記上室及び
下室を連通させる連通孔を有しており、 前記台板は、面内に貫通孔を有していて、前記貫通孔が
前記連通孔に重なるように、前記炉床上に配置されてお
り、 前記セッターは、前記セラミック電子部品を搭載する搭
載部及び前記搭載部に開口する通路を有し、前記通路が
前記台板の前記貫通孔に連なるようにして、前記台板上
に配置されており、 前記下室内に導入されたガスを、前記連通孔、貫通孔及
び通路を通って前記セッターの前記搭載部に導くこと を特徴とする焼成炉。 - 【請求項４】炉床、台板及びセッターを含み、焼成炉内
の焼成室内に配置される焼成装置であって、 前記炉床は、前記焼成室を上下に区画して上室及び下室
を形成するように配置されていて、面内に前記上室及び
下室を連通させる連通孔を有しており、 前記台板は、面内に貫通孔を有していて、前記貫通孔が
前記連通孔に重なるように、前記炉床上に配置されてお
り、 前記セッターは、前記セラミック電子部品を搭載する搭
載部及び前記搭載部に開口する通路を有していて、前記
通路が前記台板の前記貫通孔に連なるようにして、前記
台板上に配置されていること を特徴とする焼成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2267416A JP2996710B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | セラミック電子部品の焼成方法、焼成炉及び焼成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2267416A JP2996710B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | セラミック電子部品の焼成方法、焼成炉及び焼成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04144973A JPH04144973A (ja) | 1992-05-19 |
| JP2996710B2 true JP2996710B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=17444550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2267416A Expired - Lifetime JP2996710B2 (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | セラミック電子部品の焼成方法、焼成炉及び焼成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2996710B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150079145A (ko) * | 2013-12-31 | 2015-07-08 | 삼성전기주식회사 | 세라믹기판 소성장치 |
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|---|---|---|---|---|
| JP6956396B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2021-11-02 | マイクロコントロールシステムズ株式会社 | 加工装置又は加工システム用の発電装置及び発電システム、並びに当該加工装置又は加工システム |
| JP7277985B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2023-05-19 | マイクロコントロールシステムズ株式会社 | 加工装置又は加工システム用の発電装置及び発電システム、並びに当該加工装置又は加工システム |
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1990
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| JPH04144973A (ja) | 1992-05-19 |
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